KR101931175B1 - 쇼트 불량 검사 방법, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법 및 유기 발광 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법 - Google Patents

쇼트 불량 검사 방법, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법 및 유기 발광 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 제1방향 및 상기 제1방향에 교차하는 제2방향으로 연장된 형태를 갖는 제1 배선부와, 상기 제1방향 또는 상기 제2방향으로 연장된 형태를 갖는 제2 배선부 사이의 쇼트 불량 검사 방법에 관한 것으로서, 상기 제2 배선부 만의 전위차를 이용하여 상기 제1배선부와 상기 제2배선부 사이의 쇼트 불량을 검출하는 방법을 제공한다.

Description

쇼트 불량 검사 방법, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법 및 유기 발광 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법{Method for inspecting short defect, method for inspecting short defect of display apparatus and method for inspecting short defect of organic light emitting display apparatus}
본 발명은 쇼트 불량 검사 방법, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법 및 유기 발광 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도 유기 발광 표시 장치는 자발광형 표시 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가져서 차세대 디스플레이 장치로 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 중간층, 제1 전극 및 제2 전극을 구비한다. 중간층은 유기 발광층을 구비하고, 제1 전극 및 제2 전극에 전압을 가하면 유기 발광층에서 가시광선을 발생하게 된다.
한편, 유기 발광 표시 장치를 구동하기 위하여 다양한 종류의 배선들이 구비된다. 이러한 배선들 중 서로 다른 층에 서로 중첩되면서 배치되는 배선들이 존재하는데, 이러한 배선들 중 중첩된 영역에서 쇼트 불량이 발생하면 이를 리페어할 필요가 있다.
그러나 이러한 중첩된 배선들의 쇼트 불량 위치를 검사하기가 용이하지 않고, 특히 배선들의 개수가 많아지고 그 형태가 복잡해짐에 따라 검사하는데 한계가 있다.
본 발명은 전기적 쇼트 불량을 용이하게 검사하는 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 제1방향 및 상기 제1방향에 교차하는 제2방향으로 연장된 형태를 갖는 제1 배선부와, 상기 제1방향 또는 상기 제2방향으로 연장된 형태를 갖는 제2 배선부 사이의 쇼트 불량 검사 방법에 관한 것으로서, 상기 제2 배선부 만의 전위차를 이용하여 상기 제1배선부와 상기 제2배선부 사이의 쇼트 불량을 검출하는 방법을 제공한다.
상기 제2 배선부의 양단이 플로팅 된 형태로 연장된 경우에 있어서, 상기 제2배선부의 양단에 각각 수전 부재와 급전 부재를 연결하고, 상기 제2배선부의 이웃하는 제2 배선부로 순차로 전압을 인가하면서, 상기 수전 부재와 급전 부재가 연결된 영역간의 전위차를 1차 모니터링 함으로써 불량 라인을 검출할 수 있다.
상기 1차 모니터링으로 검출된 상기 제2 배선부의 불량 라인의 양단에 각각 수전 부재와 급전 부재를 연결하고, 상기 불량 라인을 따라 전압을 인가하면서, 상기 수전 부재와 급전 부재가 연결된 영역간의 전위차를 2차 모니터링 함으로써 불량 위치를 검출할 수 있다.
상기 제2 배선부의 일단은 플로팅 되고, 타단은 연결된 형태로 연장된 경우에 있어서, 상기 제2배선부의 플로팅된 영역에는 수전 부재를 연결하고 상기 제2배선부의 연결된 영역에는 급전 부재를 연결하고, 상기 제2 배선부의 이웃하는 제2 배선부로 순차적으로 전압을 인가하면서, 상기 수전 부재와 급전 부재가 연결된 영역간의 전위차를 1차 모니터링 함으로써 불량 라인을 검출할 수 있다.
상기 1차 모니터링으로 검출된 상기 제2 배선부의 불량 라인의 플로팅된 영역에는 수전 부재를 연결하고 연결된 영역에는 급전 부재를 연결하고, 상기 불량 라인을 따라 전압을 인가하면서, 상기 수전 부재와 급전 부재가 연결된 영역간의 전위차를 2차 모니터링 함으로써 불량 위치를 검출할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 복수의 화소를 포함하고, 상기 화소에 연결되고 제1방향 및 상기 제1방향에 교차하는 제2방향으로 연장된 형태를 갖는 제1 배선부와, 상기 화소에 연결되고 상기 제1방향 또는 상기 제2방향으로 연장된 형태를 갖는 제2 배선부를 구비한 표시 장치의, 상기 제1 배선부와 상기 제2 배선부 사이의 쇼트 불량 검사방법에 관한 것으로서, 상기 제2 배선부 만의 전위차를 이용하여 상기 제1배선부와 상기 제2배선부 사이의 쇼트 불량을 검출하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법을 제공한다.
상기 제1 배선부는, 상기 제1 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 전원을 공급하는 제1 전원 공급선, 및 상기 제2 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 전원을 공급하는 제2 전원 공급선을 포함할 수 있다.
상기 제1 전원 공급선 및 상기 제2 전원 공급선은 메시 형태일 수 있다.
상기 제2 배선부는, 상기 화소에 스캔 신호를 공급하는 스캔 라인일 수 있다.
상기 제2 배선부는, 상기 화소에 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인일 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 화소 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 대향 전극을 구비하는 복수의 화소를 포함하고, 상기 화소에 연결되고, 제1 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 전원을 공급하는 제1 전원 공급선; 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 전원을 공급하는 제2 전원 공급선; 및 상기 화소에 연결되고, 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 신호를 공급하는 복수의 제2 배선부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의, 상기 제1 전원 공급선과 상기 제2 배선부, 또는 상기 제2 전원 공급부와 상기 제2 배선부 사이의 쇼트 불량 검사 방법에 관한 것으로서, 상기 제2 배선부 만의 전위차를 이용하여, 상기 제1 전원 공급선과 상기 제2 배선부, 또는 상기 제2 전원 공급부와 상기 제2 배선부 사이의 쇼트 불량 검출하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법을 제공한다.
상기 제2 배선부의 양단에 수전 부재와 급전 부재를 연결하고, 상기 제2배선부의 이웃하는 제2 배선부로 순차로 전압을 인가하면서, 상기 수전 부재와 급전 부재가 연결된 영역간의 전위차를 모니터링 함으로써 불량 라인을 검출할 수 있다.
상기 제2 배선부의 일단은 플로팅 되고 타단은 연결된 경우, 상기 급전 부재는 상기 타단에서 먼 영역에 배치하고, 상기 수전 부재는 상기 타단에 가까운 영역에 배치할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치에 포함되는 화소는 적어도 두 개의 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 제2 배선부는, 상기 화소에 스캔 신호를 공급하는 스캔 라인, 상기 화소에 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인, 상기 화소에 제어 신호를 공급하는 제어 라인, 상기 화소에 라이팅 신호를 입력하는 라이팅 라인 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명에 관한 쇼트 검사 방법에 따르면, 메시 형태로 연결된 배선과 타 배선 사이의 쇼트 불량을 용이하게 검사할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ영역의 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 하나의 화소에 대한 회로도이다.
도 4는 도 2의 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 일부만을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 도 4의 Ⅴ영역을 확대한 도면이다.
도 6a 내지 도 6c는 도 2의 유기 발광 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 도 2의 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 일부만을 개략적으로 도시한 또 다른 도면이다.
도 8은 도 7의 Ⅷ 영역을 확대한 도면이다.
도 9는 도 2의 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 일부만을 개략적으로 도시한 또 다른 도면이다.
도 10은 도 9의 Ⅹ영역을 확대한 도면이다.
도 11은 도 1의 Ⅱ영역의 또 다른 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 12는 도 11의 하나의 화소에 대한 회로도이다.
도 13은 도 11의 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 일부만을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 14는 도 1의 Ⅱ영역의 또 다른 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 15는 도 14의 하나의 화소에 대한 회로도이다.
도 16은 도 14의 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 일부만을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 17은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 화소의 일부 구성요소를 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ영역의 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치(1)는 기판(10)상에 표시 영역(A1) 및 비표시 영역(A2)이 형성된다.
표시 영역(A1)은 영상을 표시하는 영역으로서 기판(10)의 중앙을 포함하는 영역에 형성되고, 비표시 영역(A2)은 표시 영역(A1)의 주변에 배치될 수 있다.
표시 영역(A1)에는 영상이 구현되는 복수의 화소(P)가 포함된다.
각 화소(P)는 제1 방향(X)으로 연장된 스캔 라인(S)과, 제1 방향(X)에 직교하는 제2 방향(Y)으로 연장된 데이터 라인(D)으로 정의될 수 있다. 데이터 라인(D)은 비표시 영역(A2)에 구비된 데이터 구동부(미도시)가 제공하는 데이터 신호를 각 화소(P)에 인가하고, 스캔 라인(S)은 비표시 영역(A2)에 구비된 스캔 구동부(미도시)가 제공하는 스캔 신호를 각 화소(P)에 인가한다. 도 2에는 데이터 라인(D)이 제2 방향(Y)으로 연장되고, 스캔 라인(S)이 제1 방향(X)으로 연장된 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 데이터 라인(D)과 스캔 라인(S)의 연장 방향은 서로 바뀔 수도 있다.
각 화소(P)는 제2 방향(Y)으로 연장된 제1 전원 공급선(V1)에 연결된다. 제1 전원 공급선(V1)은 비표시 영역(A2)에 구비된 제1 전원 구동부(미도시)가 제공하는 제1 전원(ELVDD(t), 도 3 참조)을 각 화소(P)에 인가한다. 한편, 도 2에는 도시되어 있지 않으나, 각 화소(P)는 제2 전원(ELVSS(t), 도 3 참조)을 공급받는다. 각 화소(P)는 데이터 신호에 대응하여 제1 전원(ELVDD(t))으로부터 유기 발광 소자(OLED, 도 3 참조)를 경유하여 제2 전원(ELVSS(t))으로 공급되는 전류량을 제어한다. 그러면, 유기발광소자에서 소정 휘도의 빛이 생성된다.
한편, 제1 방향(X)으로 연장된 제2 전원 공급선(V2)이 제1 전원 공급선(V1)에 연결된다. 예를 들어, 제1 전원 공급선(V1)과 제2 전원 공급선(V2)은 메시(mesh) 형태로 연결될 수 있다. 제1 전원 공급선(V1)은 저항으로 인하여 길이에 따른 전압 강하(IR drop)문제가 발생할 수 있는데, 제1 전원 공급선(V1)에 연결된 제2 전원 공급선(V2)이 이를 해결한다.
도 3은 도 2의 하나의 화소에 대한 회로도이다.
도 3을 참조하면, 화소는 유기 발광 소자(organic light emitting device, OLED)와, 유기 발광 소자(OLED)로 전류를 공급하기 위한 화소회로(C)를 구비한다.
유기 발광 소자(OLED)의 화소 전극은 화소 회로(C)에 접속되고, 대향 전극은 제 2전원(ELVSS(t))에 접속된다. 유기 발광 소자(OLED)는 화소 회로(C)로부터 공급되는 전류에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성한다.
액티브 매트릭스 방식의 유기 발광 표시 장치는, 적어도 2개의 트랜지스터 및 적어도 1개의 캐패시터를 구비하는데, 구체적으로 데이터 신호를 전달하기 위한 스위칭 트랜지스터, 데이터 신호에 따라 유기 발광 소자를 구동시키기 위한 구동 트랜지스터 및 데이터 전압을 유지시키기 위한 하나의 캐패시터를 포함한다.
제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 전극은 스캔 라인(S, 도 2 참조)에 접속되고, 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 전극은 데이터 라인(D, 도 2 참조)에 접속되고, 제1 트랜지스터(TR1)의 제2 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 즉, 상기 제 1트랜지스터(TR1)의 게이트 전극에는 스캔신호(Scan(n))가 입력되고, 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 전극으로는 데이터신호(Data(t))가 입력된다.
제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 제2 트랜지스터(TR2)의 제1 전극은 제1 전원(ELVDD(t))에 접속되고, 제2 트랜지스터(TR2)의 제2 전극은 유기 발광 소자(OLED)의 화소 전극에 접속된다. 여기서, 상기 제 2 트랜지스터(TR2)는 구동 트랜지스터로서의 역할을 수행한다.
제1 노드(N1) 및 제2 트랜지스터(TR2)의 제1 전극 즉, 제 1전원(ELVDD(t)) 사이에 제1 캐패시터(C1)가 접속된다.
도 4는 도 2의 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 일부만을 개략적으로 도시한 도면이다. 즉, 설명의 편의를 위하여 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 데이터 라인(D1, D2), 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)만 도시되어 있다.
제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)은 메시 형태로 서로 전기적으로 연결된다. 데이터 라인(D1, D2)은 제1 전원 공급선(V1)에 평행한 방향, 즉 제2 방향(Y)으로 연장되어 배치된다. 본 실시예에서 복수의 데이터 라인(D1, D2)은 양단이 모두 플로팅(floating) 된 상태로 배치되어 있다.
이와 같은 배선 구조에서, 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 공정 중 원하지 않는 파티클 등으로 인하여 데이터 라인(D1)와 제2 전원 공급선(V2) 사이에 쇼트가 발생할 수 있다. 도 5에 이러한 내용이 도시되어 있다.
도 5는 도 4의 Ⅴ영역을 확대한 도면이다. 도 5를 참조하면, 복수의 데이터 라인(D1, D2) 중 하나의 데이터 라인(D1)과 제2 전원 공급선(V2)의 중첩 영역에 파티클 등의 이물로 인한 쇼트(ST)불량이 발생한 것이 도시되어 있다. 유기 발광 표시 장치(1)의 화질 특성 향상을 위해서 이러한 쇼트 불량에 대한 리페어 공정을 진행해야 한다. 이러한 리페어 공정을 진행하기 위하여서는 쇼트 불량이 발생한 위치를 검출하기 위한 공정이 선행되어야 한다.
도 6a 내지 도 6c는 도 2의 유기 발광 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6a을 참조하면 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 구비하는 검사 장치(130)를 준비한다. 그리고 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 데이터 라인(D2)의 양단에 연결한다. 본 실시예와 같이 복수의 데이터 라인(D1, D2)의 양단이 모두 플로팅(floating) 된 상태로 배치된 구조에서는 도 6a와 반대로, 급전 부재(131)와 수전 부재(132)의 배치는 바뀌어도 상관 없다.
이 때 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)에는 연결하지 않는다. 이는 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)이 서로 연결되어 메쉬 형태를 갖게 되어 검사를 위한 전압 공급 시 전류가 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)의 전체에 흐르게 되므로 쇼트 불량을 확인할 수 없기 때문이다.
급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이용하여 데이터 라인(D2)에 전압을 인가하면 데이터 라인(D2)에 전류가 흐르게 된다. 즉 데이터 라인(D2)의 양단에는 전위차가 발생한다. 이러한 전위차를 모니터링 한다.
그리고 나서 도 6b를 참조하면, 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 제1 방향(X)으로 이동하여 이웃하는 데이터 라인(D1)에 연결한다. 그리고 나서 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이용하여 데이터 라인(D1)에 전압을 인가하면 데이터 라인(D1)에 전류가 흐르게 된다. 즉 데이터 라인(D1)의 양단에는 전위차가 발생한다. 이러한 전위차를 모니터링한다. 이 때 데이터 라인(D1)과 제2 전원 공급선(V2)의 중첩 영역에는 쇼트(ST)가 발생하였으므로 데이터 라인(D1)에서 모니터링 한 값과 데이터 라인(D2)에서 모니터링 한 값은 상이하다.
즉, 전술한 방법을 통하여 데이터 라인(D1, D2)들을 순차적으로 검사하면 제2 전원 공급선(V2)과 쇼트 불량이 발생한 데이터 라인(D1)을 용이하게 확인할 수 있다.
그리고 나서 도 6c를 참조하면 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 불량이확인된 데이터 라인(D1)을 따라, 즉 제2 방향(Y)으로 순차적으로 이동하며 데이터 라인(D1)에 전압을 인가하면서 급전 부재(131)와 수전 부재(132)가 연결된 영역 간의 전위차를 모니터링 한다. 이 때 쇼트(ST)가 발생한 위치 근처에서는 전위차가 상이하게 나타난다. 따라서, 데이터 라인(D1)에서 쇼트(ST) 불량이 발생한 위치를 용이하게 확인 할 수 있다.
위와 같이 불량 라인 검사와 불량 위치 검사 공정을 진행하여, 쇼트 불량이 발생한 데이터 라인(D1) 및 그 위치를 확인한 후 레이저 커팅 등의 공정을 포함하는 리페어 공정을 진행한다.
도 7은 도 2의 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 일부만을 개략적으로 도시한 또 다른 도면이다.
도 7을 참조하면, 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)이 메시 형태로 배치되고, 복수의 데이터 라인(D1, D2)의 일단은 플로팅(floating)되고, 다른 일단은 공통라인(DA)으로 연결되어 있다.
여기서, 데이터 라인의 일단이 공통라인(DA)으로 연결되어 있다는 것이 모든 화소에 공통의 데이터 신호가 공급된다는 의미는 아니다. 즉, 각 데이터 라인(D1, D2)과 공통라인(DA) 사이에는 소정의 스위치(미도시)들이 구비되어 있어서, 데이터 신호의 인가 시에 각 화소 별로 독립적인 데이터 신호를 인가할 수 있음은 물론이다.
도 8은 도 7의 Ⅷ 영역을 확대한 도면이다. 도 8을 참조하면, 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 구비하는 검사 장치(130)를 준비한다. 그리고 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 데이터 라인(D2)의 양단에 연결한다.
본 실시예와 같이 복수의 데이터 라인(D1, D2)의 일단은 플로팅(floating)되고, 다른 일단은 공통라인(DA)으로 연결되어 있는 경우, 급전 부재(131)는 데이터 라인(D1, D2)의 공통 라인(DA)에서 멀게 배치되고 수전 부재(132)는 공통 라인(DA)에 가깝게 배치된다. 그리고 나서 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이용하여 데이터 라인(D1, D2)에 전압을 인가하면 데이터 라인(D2)에 전류가 흐르게 된다. 즉 데이터 라인(D2)의 양단에는 전위차가 발생한다. 이러한 전위차를 모니터링 한다. 만약, 반대로 급전 부재(131)를 데이터 라인(D2)의 상단 즉 공통 라인(DA)에 가깝게 연결하고, 수전 부재(132)를 데이터 라인(D2)의 하단 즉 공통 라인(DA)에서 먼 곳에 연결하는 경우, 급전 부재(131)를 통하여 공급된 전압으로 인하여 급전 부재(131)와 인접한 공통 라인(DA)에도 용이하게 전류가 흐르게 되어 데이터 라인(D2)의 양단에 발생한 정확한 전위차 모니터링이 곤란하게 된다. 그러므로 급전 부재(131)는 공통 라인(DA)에서 멀게 배치되고 수전 부재(132)는 공통 라인(DA)에 가깝게 배치한다.
한편, 도면에는 도시되어 있지 않으나, 전술한 도 6b와 마찬가지로, 급전 부재(131)와 수전 부재(132)를 제1 방향(X)으로 이동하여 이웃하는 데이터 라인(D1)에 연결하여 전위차를 모니터링 하여 비교하는 방식으로, 제2 전원 공급선(V2)과 쇼트 불량이 발생한 데이터 라인(D1)을 확인한다. 그리고 나서 도 6c와 마찬가지로, 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 불량이 확인된 데이터 라인(D1)을 따라, 즉 제2 방향(Y)으로 순차적으로 이동하며 데이터 라인(D1)에 전압을 인가하면서 급전 부재(131)와 수전 부재(132)가 연결된 영역 간의 전위차를 모니터링 하여, 데이터 라인(D1)에서 쇼트(ST) 불량이 발생한 위치를 확인한다.
도 9는 도 2의 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 일부만을 개략적으로 도시한 또 다른 도면이다. 즉, 설명의 편의를 위하여 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 스캔 라인(S), 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)이 도시되어 있다.
제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)은 메시 형태와 같이 서로 전기적으로 연결된다. 스캔 라인(S1,S2)은 제2 전원 공급선(V2)에 평행한 방향으로 연장되어 배치된다. 본 실시예에서 복수의 스캔 라인(S1, S2)은 양단이 모두 플로팅(floating) 된 상태로 배치되어 있다. 이와 같은 배선 구조에서, 유기 발광 표시 장치(1)의 제조 공정 중 원하지 않는 파티클 등으로 인하여 스캔 라인(S1)와 제1 전원 공급선(V1)이 연결되어 쇼트가 발생할 수 있다.
도 10은 도 9의 Ⅹ영역을 확대한 도면이다. 도 10을 참조하면, 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 구비하는 검사 장치(130)를 준비한다. 그리고 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 스캔 라인(S2)의 양단에 연결하여, 스캔 라인(S2) 양단의 전위차를 모니터링 한다. 그리고 나서 급전 부재(131)와 수전 부재(132)를 제2 방향(Y)으로 이동하여 이웃하는 스캔 라인(S1)에 연결하여 전위차를 모니터링 하여 비교하는 방식으로, 제1 전원 공급선(V1)과 쇼트 불량이 발생한 스캔 라인(S1)을 확인한다. 그리고 나서 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 불량이 확인된 스캔 라인(S1)을 따라, 즉 제1 방향(X)으로 순차적으로 이동하며 스캔 라인(S1)에 전압을 인가하면서 급전 부재(131)와 수전 부재(132)가 연결된 영역 간의 전위차를 모니터링 하여, 스캔 라인(S1)에서 쇼트(ST) 불량이 발생한 위치를 확인한다.
한편, 도 9에는 스캔 라인(S1, S2)의 양단이 모두 플로팅(floating) 된 상태로 배치된 배선 구조를 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 스캔 라인(S1, S2)의 일단은 플로팅(floating)되고, 다른 일단은 공통라인으로 연결된 형태로 배치된 배선 구조에 대하여도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 11은 도 1의 Ⅱ영역의 또 다른 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 12는 도 11의 하나의 화소에 대한 회로도, 도 13은 도 11의 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 일부만을 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 전술한 도 2의 유기 발광 표시 장치와의 차이점을 중심으로 본 실시예를 설명한다. 도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소에는 3개의 트랜지스터와 2개의 커패시터가 구비되어 있다.
제 1트랜지스터(TR1)의 게이트 전극은 스캔 라인(S)에 접속되고, 제 1트랜지스터(TR1)의 제1 전극은 데이터 라인(D)에 접속되고, 제 1트랜지스터(TR1)의 제2 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 즉, 상기 제 1트랜지스터(TR1)의 게이트 전극에는 스캔신호(Scan(n))가 입력되고, 제 1 전극으로는 데이터신호(Data(t))가 입력된다.
제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 제2 트랜지스터의 제1 전극은 제1 전원(ELVDD(t))에 접속되며, 제2 트랜지스터의 제2 전극은 유기 발광 소자(OLED)의 화소 전극에 접속된다. 여기서, 상기 제 2 트랜지스터(TR2)는 구동 트랜지스터로서의 역할을 수행한다.
제1 노드(N1) 및 제2 트랜지스터(TR2)의 제1 전극 즉, 제 1전원(ELVDD(t)) 사이에 제1 캐패시터(C1)가 접속되고, 제1 노드(N1) 및 제 2 노드(N2) 사이에는 제2 캐패시터(C2)가 접속된다.
제3 트랜지스터(TR3)의 게이트 전극은 제어 라인부(GC)에 접속되고, 제3 트랜지스터(TR3)의 제1 전극은 제 2트랜지스터(TR2)의 게이트 전극과 접속되며, 제3 트랜지스터(TR3)의 제 2전극은 유기 발광 소자(OLED)의 화소 전극 즉, 제 2트랜지스터(TR2)의 제2 전극과 접속된다. 이에 따라 상기 제 3트랜지스터(TR3)의 게이트 전극으로는 제어신호(GC(t))가 입력된다.
전술한 도 3와 같이 2개의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 이루어진 유기 발광 표시 장치는 소비전력이 적은 이점이 있지만, 유기 발광 소자(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터의 게이트와 소오스 간의 전압, 즉 구동 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage) 편차에 따라 유기 발광 소자(OLED)를 통해 흐르는 전류 세기가 변하여 표시 불균일을 초래하는 문제점이 있다. 그러나, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제어 신호를 동시에 일괄적으로 정해진 소정의 전압 레벨로 각 화소에 인가할 수 있기 때문에, 문턱 전압의 편차에 따른 표시 불균일 문제를 완화할 수 있다.
도 11을 참조하면, 각 화소(P)는 제1 방향(X)으로 연장된 스캔 라인(S), 제1 방향(X)에 직교하는 제2 방향(Y)으로 연장된 데이터 라인(D), 제2 방향(Y)으로 연장된 제1 전원 공급선(V1)에 연결된다. 한편, 제1 방향(X)으로 연장된 제2 전원 공급선(V2)이 제1 전원 공급선(V1)이 메시 형태로 연결된다.
본 실시예에서 각 화소(P)는 제2 방향(Y)으로 연장된 제어 라인부(GB)의 제어 라인(GCB)에 더 연결된다. 각 제어 라인(GCB)은 비표시 영역(A2)에 구비된 제어신호 구동부(미도시)가 제공하는 제어 신호(GC(t))들을 동시에 일괄적으로 정해진 소정의 전압 레벨로 각 화소(P)에 인가한다.
도 13을 참조하면, 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)이 메시 형태로 배치되고, 제어 라인부(GC)의 일단은 복수의 제어라인(GCB)으로 플로팅(floating)되어 제2 방향(Y)으로 연장되고, 다른 일단은 공통 라인(GCA)으로 연결되어 있다. 이를 통하여 제어 라인(GCB)은 하나의 공통 라인(GCA)로부터 분기된 공통의 신호를 인가 받을 수 있다.
상기 도면들에는 도시되지 않았으나, 제어 라인(GCB)과 제2 전원 공급선(V2)의 중첩 영역에 파티클 등의 이물로 인한 쇼트(ST)불량이 발생할 경우, 급전 부재는 제어부(GC)의 공통 라인(GCA)에서 멀도록 배치되고 수전 부재는 공통 라인(GCA)에 가깝게 배치된다. 그리고 나서 급전 부재 및 수전 부재를 이용하여 제어 라인(GCB)에 순차로 전압을 인가하고 전위차를 모니터링 하여 제어 라인(GCB)의 불량 위치를 찾아낸다.
한편, 도 14에는 도시되어 있지 않으나, 데이터 라인(D)과 제2 전원 공급선(V2) 사이의 쇼트 불량, 및 스캔 라인(S)과 제1 전원 공급선(V1) 사이의 쇼트 불량도 전술한 바와 같은 방법으로 검사할 수 있다. 또한, 본 실시예에서 각 제어 라인(GCB)이 제2 방향(Y)으로 연장되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제어 라인(GCB)는 제1 방향(X)으로 연장되어 배치될 수도 있다.
도 14는 도 1의 Ⅱ영역의 또 다른 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 15는 도 14의 하나의 화소에 대한 회로도, 도 16은 도 14의 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 일부만을 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 전술한 도 11의 유기 발광 표시 장치와의 차이점을 중심으로 본 실시예를 설명한다. 도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소에는 5개의 트랜지스터와 3개의 커패시터가 구비되어 있다.
전술한 도 12와 비교할 때, 본 실시예의 화소는 제4 트랜지스터(TR4)와 제5 트랜지스터(TR5), 및 제3 커패시터(C3)를 더 구비한다.
제4 트랜지스터(TR4)의 게이트 전극은 라이팅(writing) 라인(GW)에 접속되어 라이팅 신호(GW(t))가 입력된다. 제4 트랜지스터(TR4)는 N+1 프레임의 데이터를 화소에 미리 저장시키기 위한 데이터 추가 저장 공간을 확보하고 N 프레임의 데이터와 구분하기 위한 스위칭 소자로 기능한다.
제5 트랜지스터(TR5)의 게이트 전극은 제어신호(GC(t))가 입력되는 제3 트랜지스터(TR3)에 연결된다. 제5 트랜지스터(TR5)는 N 프레임의 발광이 끝나고 초기화 시키는 과정에서 요구되는 바이패스 배선 및 스위칭 소자로서, 제어신호(GC(t))와 동일한 신호공급이 가능하다.
제3 커패시터(C3)는 N+1 프레임의 데이터를 저장한다.
도 14을 참조하면, 각 화소(P)는 제1 방향(X)으로 연장된 스캔 라인(S), 제1 방향(X)에 직교하는 제2 방향(Y)으로 연장된 데이터 라인(D), 제2 방향(Y)으로 연장된 제1 전원 공급선(V1)에 연결된다. 한편, 제1 방향(X)으로 연장된 제2 전원 공급선(V2)이 제1 전원 공급선(V1)이 메시 형태로 연결된다.
각 화소(P)는 제2 방향(Y)으로 연장된 제어 라인(GCB) 및 라이팅 라인(GWB)에 더 연결된다.
도 16을 참조하면, 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)이 메시 형태로 배치되고, 라이팅 라인부(GW)의 일단은 복수의 라이팅 라인(GWB)으로 플로팅(floating)되어 제2 방향(Y)으로 연장되고, 다른 일단은 공통 라인(GWA)으로 연결되어 있다. 이를 통하여 제어 라인(GWB)은 하나의 공통 라인(GWA)로부터 분기된 공통의 신호를 인가 받을 수 있다.
상기 도면들에는 도시되지 않았으나, 라이팅 라인(GWB)과 제2 전원 공급선(V2)의 중첩 영역에 파티클 등의 이물로 인한 쇼트(ST)불량이 발생할 경우, 급전 부재는 라이팅부(GC)의 공통 라인(GWA)에서 멀리 배치되고 수전 부재는 공통 라인(GWA)에 가깝게 배치된다. 그리고 나서 급전 부재 및 수전 부재를 이용하여 라이팅 라인(GWA)에 순차로 전압을 인가하고 전위차를 모니터링 하며 라이팅 라인(GWB)의 불량 위치를 찾아낸다.
한편, 도 14에는 도시되어 있지 않으나, 라이팅 라인(GWB)의 양단은 모두 플로팅 된 형태일 수 있다. 또한, 본 실시예에서 각 라이팅 라인(GWB)는 제2 방향(Y)으로 연장되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 라이팅 라인(GWB)는 제1 방향(X)으로 연장되어 배치될 수도 있다.
도 17은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 화소의 일부 구성요소를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 17을 참조하면, 기판(10) 상에 구동용 박막트랜지스터인 제2 트랜지스터(TR2), 제1 캐패시터(C1), 및 유기발광소자(OELD)가 구비되어 있다.
기판(10)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(10)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다. 기판(10) 상에 버퍼층(11)이 더 형성될 수 있다. 버퍼층(11)은 기판(10)의 상부에 평탄한 면을 제공하고 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지한다. 버퍼층(11)상에 소스영역(212b), 드레인영역(212a) 및 채널영역(212c)을 포함하는 제2트랜지스터(TR2)의 활성층(212)이 형성된다. 활성층(212) 상에는 게이트 절연막(13)이 형성되고, 게이트 절연막(13)상에 활성층(212)의 채널영역(212c)에 대응되는 위치에 투명도전물을 포함하는 게이트 전극 제1 층(214) 및 게이트 전극 제2 층(215)이 차례로 구비된다. 게이트 전극 제2 층(215) 상에는 층간 절연막(15)을 사이에 두고 활성층(212)의 소스영역(212b) 및 드레인영역(212a)에 각각 접속하는 소스 전극(216b) 및 드레인 전극(216a)이 형성된다. 층간 절연막(15) 상에는 소스 전극(216b) 및 드레인 전극(216a)을 덮도록 화소 정의막(18)이 구비된다. 버퍼층(11) 및 게이트 절연막(13) 상에 게이트전극 제1층(214)과 동일한 투명도전물로 형성된 화소 전극(114)이 형성된다. 화소 전극 (114) 상에는 유기 발광층을 포함하는 중간층(119)이 형성된다. 중간층(119) 상에는 공통 전극으로 대향 전극(20)이 형성된다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 경우, 화소 전극(114)은 애노드로 사용되고, 대향 전극(20)은 캐소드로 사용된다. 물론 전극의 극성은 반대로 적용될 수 있음은 물론이다. 도 7에 도시하지 않았으나, 기판(10)의 일 면에 대향하도록 대향전극(20)의 상부에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다.
한편, 상기 실시예들은 유기 발광 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법에 대하여 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 사상은 유기 발광 표시 장치를 포함한 다양한 표시 장치의 쇼트 불량 검사에 적용될 수 있다. 더 나아가 메시 타입의 형태로 된 배선과 타 배선 사이의 쇼트 불량을 검사할 수 있는 것이라면, 표시 장치가 아닌 다른 전자 기기들의 쇼트 불량 검사에도 사용될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 유기 발광 표시 장치 S: 스캔 라인
D: 데이터 라인 10: 기판
V1: 제1 전원 공급선 V2: 제2 전원 공급선
131: 급전 부재 132: 수전 부재

Claims (19)

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  2. 삭제
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  4. 삭제
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  6. 복수의 화소를 포함하고, 상기 화소에 연결되고 제1방향 및 상기 제1방향에 교차하는 제2방향으로 연장된 형태를 갖는 제1 배선부와, 상기 화소에 연결되고 상기 제1방향 또는 상기 제2방향으로 연장된 형태를 갖는 제2 배선부를 구비한 표시 장치의, 상기 제1 배선부와 상기 제2 배선부 사이의 쇼트 불량 검사방법에 관한 것으로서,
    상기 제2 배선부 만으로 모니터링된 전위차를 이용하여 상기 제1배선부와 상기 제2배선부 사이의 쇼트 불량을 검출하는 방법으로서,
    상기 제2 배선부의 양단은 플로팅 된 형태로 연장되고,
    상기 제2 배선부의 양단에 각각 수전 부재와 급전 부재를 연결하고, 상기 제2 배선부의 이웃하는 제2 배선부로 순차적으로 전압을 인가하면서, 상기 수전 부재와 급전 부재가 연결된 영역간의 전위차를 1차 모니터링 함으로써 불량라인을 검출하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 배선부는, 상기 제1 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 전원을 공급하는 제1 전원 공급선, 및 상기 제2 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 전원을 공급하는 제2 전원 공급선을 포함하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 전원 공급선 및 상기 제2 전원 공급선은 메시 형태인 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제2 배선부는, 상기 화소에 스캔 신호를 공급하는 스캔 라인인 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 제2 배선부는, 상기 화소에 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인인 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법.
  11. 삭제
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 1차 모니터링으로 검출된 상기 제2 배선부의 불량 라인의 양단에 각각 수전 부재와 급전 부재를 연결하고, 상기 불량 라인을 따라 전압을 인가하면서, 상기 수전 부재와 급전 부재가 연결된 영역간의 전위차를 2차 모니터링 함으로써 불량 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법.
  13. 복수의 화소를 포함하고, 상기 화소에 연결되고 제1방향 및 상기 제1방향에 교차하는 제2방향으로 연장된 형태를 갖는 제1 배선부와, 상기 화소에 연결되고 상기 제1방향 또는 상기 제2방향으로 연장된 형태를 갖는 제2 배선부를 구비한 표시 장치의, 상기 제1 배선부와 상기 제2 배선부 사이의 쇼트 불량 검사방법에 관한 것으로서,
    상기 제2 배선부 만으로 모니터링된 전위차를 이용하여 상기 제1 배선부와 상기 제2 배선부 사이의 쇼트 불량을 검출하는 방법으로서,
    상기 제2 배선부의 일단은 플로팅 되고, 타단은 연결된 형태로 연장되고,
    상기 제2배선부의 플로팅된 영역에는 수전 부재를 연결하고 상기 제2배선부의 연결된 영역에는 급전 부재를 연결하고, 상기 제2 배선부의 이웃하는 제2 배선부로 순차적으로 전압을 인가하면서, 상기 수전 부재와 급전 부재가 연결된 영역간의 전위차를 1차 모니터링 함으로써 불량 라인을 검출하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 1차 모니터링으로 검출된 상기 제2 배선부의 불량 라인의 플로팅된 영역에는 수전 부재를 연결하고 연결된 영역에는 급전 부재를 연결하고, 상기 불량 라인을 따라 전압을 인가하면서, 상기 수전 부재와 급전 부재가 연결된 영역간의 전위차를 2차 모니터링 함으로써 불량 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법.
  15. 화소 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 대향 전극을 구비하는 복수의 화소를 포함하고,
    상기 화소에 연결되고, 제1 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 전원을 공급하는 제1 전원 공급선;
    상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 전원을 공급하는 제2 전원 공급선; 및
    상기 화소에 연결되고, 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 신호를 공급하는 복수의 제2 배선부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의,
    상기 제1 전원 공급선과 상기 제2 배선부, 또는 상기 제2 전원 공급선과 상기 제2 배선부 사이의 쇼트 불량 검사 방법에 관한 것으로서,
    상기 제2 배선부 만으로 모니터링된 전위차를 이용하여, 상기 제1 전원 공급선과 상기 제2 배선부, 또는 상기 제2 전원 공급선과 상기 제2 배선부 사이의 쇼트 불량 검출하는 방법으로서,
    상기 제2 배선부의 양단이 플로팅 된 형태로 연장되고,
    상기 제2 배선부의 양단에 각각 수전 부재와 급전 부재를 연결하고, 상기 제2 배선부의 이웃하는 제2배선부로 순차적으로 전압을 인가하면서, 상기 수전 부재와 급전 부재가 연결된 영역간의 전위차를 1차 모니터링 함으로써 불량라인을 검출하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법.
  16. 삭제
  17. 화소 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 대향 전극을 구비하는 복수의 화소를 포함하고,
    상기 화소에 연결되고, 제1 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 전원을 공급하는 제1 전원 공급선;
    상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 전원을 공급하는 제2 전원 공급선; 및
    상기 화소에 연결되고, 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향으로 연장된 형태를 가지고 상기 화소에 신호를 공급하는 복수의 제2 배선부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의,
    상기 제1 전원 공급선과 상기 제2 배선부, 또는 상기 제2 전원 공급선과 상기 제2 배선부 사이의 쇼트 불량 검사 방법에 관한 것으로서,
    상기 제2 배선부 만으로 모니터링된 전위차를 이용하여, 상기 제1 전원 공급선과 상기 제2 배선부, 또는 상기 제2 전원 공급선과 상기 제2 배선부 사이의 쇼트 불량 검출하는 방법으로서,
    상기 제2 배선부의 일단은 플로팅 되고 타단은 연결된 형태로 연장되고,
    급전 부재는 상기 타단에서 먼 영역에 배치하고, 수전 부재는 상기 타단에 가까운 영역에 배치하고, 상기 제2 배선부의 이웃하는 제2 배선부로 순차적으로 전압을 인가하면서, 상기 수전 부재와 급전 부재가 연결된 영역 간의 전위차를 1차 모니터링 함으로써 불량라인을 검출하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법.
  18. 제 15 항 및 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 발광 표시 장치에 포함되는 화소는 적어도 두 개의 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법.
  19. 제 15 항 및 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 배선부는, 상기 화소에 스캔 신호를 공급하는 스캔 라인, 상기 화소에 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인, 상기 화소에 제어 신호를 공급하는 제어 라인, 상기 화소에 라이팅 신호를 입력하는 라이팅 라인 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 쇼트 불량 검사 방법.
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