TWI409945B - 用於修補有機發光顯示器的線缺陷之結構以及修補缺陷的方法 - Google Patents

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Description

用於修補有機發光顯示器的線缺陷之結構以及修補缺陷的方法
本領域是關於用於修補有機發光顯示器的線缺陷之結構以及修補線缺陷的方法，更特別地，是關於用於修補導線線路之間的短路之修補有機發光顯示器的線缺陷之結構以及修補缺陷的方法。
一種有機發光顯示器，其為使用有機發光二極體(OLED)的平面顯示器(FPD)的一種型式。該OLED是自體發光裝置，且具有高亮度和色彩純度。
有機發光顯示器接收掃描訊號、資料訊號、第一像素電源ELVDD以及第二像素電源ELVSS。此外，在主動矩陣有機發光顯示器中，每一個像素包含複數個電晶體和電容。該主動矩陣有機發光顯示器額外地接收初始化的電源。
因此，有機發光顯示器比起其他FPD(舉例來說，液晶顯示器(LCD)和電漿顯示器面板(PDP))具有較複雜的導線結構。
因此，當短路缺陷發生在有機發光顯示器的導線線路間時，則用於修補短路缺陷的空間被限制，使得修補有機發光顯示器的線路缺陷變得困難。
一個觀念是用於修補在有機發光顯示器的第一導線線路和第二導線線路間的短路缺陷之結構。該結構包含第二導線線路的絕緣部分，其中該第二導線線路的絕緣部分包含在第一導線線路和第二導線線路之間的短路、第二 線路的第一存留部分和第二存留部分，其中第二線路的第一存留部分和第二存留部分是與第二導線線路的絕緣部分電性地絕緣、第三導線線路的絕緣部分，其中第三導線線路的絕緣部分為實質地相鄰第二導線線路的絕緣部分、第三線路的第一存留部分和第二存留部分，其中第三線路的第一存留部分和第二存留部分是與第三導線線路的絕緣部分電性地絕緣、以及第一修補樣式，其將第二導線線路的第一存留部分和第二存留部分電性地耦合至第三導線線路的絕緣部分。
另一個觀念是在有機發光顯示器的第一導線線路和第二導線線路之間修補短路缺陷的方法。該方法包含截斷第二導線線路，使得包含短路的第二導線線路之絕緣部分是與第二導線線路的第一存留部分和第二存留部分絕緣，截斷第三導線線路，使得第三導線線路的絕緣部分是相鄰第二導線線路的絕緣部分，其中第三導線線路的絕緣部分是與第三導線線路的第一存留部分和第二存留部分絕緣，並形成第一修補樣式，以電性地耦合第二導線線路的第一存留部分和第二存留部分至第三導線線路的絕緣部分。
另一個觀念是在有機發光顯示器的第一導線線路中修補開路缺陷的方法，第一導線線路包含由於開路而分離的第一部分和第二部分，該方法包含截斷第二導線線路，使得第二導線線路的絕緣部分是相鄰在第一導線線路中的開路，其中第二線路之絕緣部分是與第二導線線路的第一存留部分和第二存留部分絕緣，並形成第一修補樣式，以電性地耦合第一導線線路的第一部分和第二部分至第二導線線路的絕緣部分。
10‧‧‧像素
20‧‧‧第一導線線路
30‧‧‧絕緣層
40‧‧‧第二導線線路
50‧‧‧第三導線線路
60‧‧‧第四導線線路
A‧‧‧交叉處
Cst‧‧‧儲存電容器
Dm‧‧‧資料線
ELVDD‧‧‧第一像素電源
ELVSS‧‧‧第二像素電源
M1‧‧‧第一電晶體
M2‧‧‧第二電晶體
N1‧‧‧第一節點
PLm‧‧‧第一電源線
RP1‧‧‧第一修補樣式
RP2‧‧‧第二修補樣式
RP3‧‧‧第三修補樣式
Sn‧‧‧掃瞄線
SS‧‧‧掃描訊號
Vdata‧‧‧資料電壓
所附圖式連同說明書解釋了本發明的範例具體實施例，且與敘述內容一起用來解釋一些本發明的原理。
圖1是根據具體實施例的電路圖，其解釋了有機發光顯示器的像素； 圖2是平面圖，其解釋了一個範例，其中短路缺陷發生在導線線路之間；圖3A和圖3B是根據具體實施例的平面圖，其解釋了用於修補有機發光顯示器的缺陷之結構以及修補缺陷的方法；圖4A和圖4B是根據另一個具體實施例的平面圖，其解釋了用於修補有機發光顯示器的缺陷之結構以及修補缺陷的方法；以及圖5是根據又另一個具體實施例的平面圖，其解釋了用於修補有機發光顯示器的缺陷之結構以及修補缺陷的方法。
一些具體實施例包含修補有機發光顯示器的線缺陷之結構(其可以在導線線路之間輕易地修補短路缺陷)以及修補缺陷的方法。
一些具體實施例包含修補有機發光顯示器的線缺陷之結構，其中修補了發生於第一導線線路和第二導線線路的短路缺陷。該結構包含相關於第一導線線路而發生短路缺陷部分之第二導線線路是被截斷，使得截斷部分是與存留部分絕緣，配置成相鄰於第二導線線路且具有相鄰於短路缺陷發生部分的區域之第三導線線路是被截斷，使得截斷部分是與存留部分絕緣，且第一修補樣式電性地耦合第二導線線路的存留部分至第三導線線路的截斷部分，使得第二導線線路在整個第三導線線路的截斷部分保持電性耦合狀態。
一些具體實施例包含用於修補有機發光顯示器的線缺陷之方法，其中發生在第一導線線路和第二導線線路之間的短路缺陷是使用相鄰於第二導線線路的第三導線線路來修補。該方法包含截斷第二導線線路，使得相關於第一導線線路而發生短路缺陷部分是與存留部分絕緣，並且截斷相鄰於短路缺陷發生部分之第三導線線路的區域，以使截斷部分與第三導線線路的存留部分絕緣，且形成第一修補樣式，以電性地耦合第二導線線路的存留部 分(其排除了短路缺陷發生部分)至第三導線線路的截斷部分，以修補第二導線線路的電性耦合狀態。
因此，缺陷發生的導線線路可以使用相鄰的導線線路來修補，使得導線線路可以不管空間的限制而輕易地被修補。
在下方詳細的敘述中，僅藉由解釋的方式顯示和敘述本發明的特定具體實施例。擅長此技術的人將會了解，所敘述的具體實施例可以藉由各種不同的方式而被修改，而不背離本發明的精神或範疇。因此，圖式和敘述被認為是解釋性質並非為限制性質。此外，當元件被提及為「位於另一個元件的上方」，其可以是直接地在其他元件的上方，或是間接地在其他元件的上方而有一個或多個中介元件介入其中。又，當元件被提及為「與另一個元件連接」，其可以是直接地連接至另一個元件，或是間接地連接至另一個元件而有一個或多個中介元件介入其中。在此，相似的元件符號大致上代表相似元件。
之後，本發明的特定具體實施例將會參考所附圖式而描述於下文。
圖1是根據本發明的具體實施例的電路圖，其解釋了有機發光顯示器的像素。
參考圖1，根據一個具體實施例之有機發光顯示器的像素10包含第一電晶體M1和第二電晶體M2、儲存電容器Cst以及有機發光二極體(OLED)。
第一電晶體M1是耦合於資料線Dm和第一節點N1之間，且其閘極電極是耦合至掃瞄線Sn。當從掃描線Sn提供掃描訊號SS時，第一電晶體M1開啟，以供應資料電壓Vdata，該資料電壓從資料線Dm供應至第一節點N1。
第二電晶體M2是耦合於第一像素電源ELVDD和OLED之間，且具有耦合至第一節點N1的第二電晶體M2。第二電晶體M2控制供應至OLED的電源總量，以 響應第一節點N1的電壓。
儲存電容器Cst是耦合於第一節點N1和第一像素電源ELVDD之間。當資料電壓Vdata供應至第一節點N1，儲存電容器Cst儲存了第一像素電源ELVDD和資料電壓Vdata之間的電壓差，且在每一個框架期間保持電壓差。
OLED是耦合於第二電晶體M2和第二像素電源ELVSS之間。OLED發出具有亮度的光，該亮度對應於由第二電晶體M2所供應的電流總量。
之後，將會描述驅動上述像素10的方法。為了方便的緣故，將不會考慮第二電晶體M2的飽和電壓。
首先，當低位準的掃描訊號SS供應至掃瞄線Sn時，則開啟第一電晶體M1。因此，從資料線Dm供應的資料電壓Vdata是供應至第一節點N1。
當資料電壓Vdata供應至第一節點N1時，對應於在第一像素電源ELVDD和資料電壓Vdata之間的電壓差ELVDD-Vdata之電壓是儲存在儲存電容器Cst中。
接著，第二電晶體M2控制供應至OLED的電流總量，以響應閘極電極和源極電極之間的電壓Vgs，其藉由儲存電容器Cst而維持。OLED發出具有亮度的光，該亮度對應於由第二電晶體M2所供應的電流總量。
如上述像素10的範例之註釋，在有機發光顯示器中，像素10的發射亮度是根據供應穿過資料線Dm的資料電壓Vdata和供應穿過第一電源線PLm的第一像素電源ELVDD的電壓值所決定。
因此，為了顯示均勻的影像，不管提供像素10的位置，則必須接收均勻的資料電壓Vdata和均勻的第一像素電源ELVDD。
然而，當OLED發射光時，因為電流路徑是透過第二電晶體M2和OLED而從第 一像素電源ELVDD形成至第二像素電源ELVSS，壓降IR Drop發生在第一電源線PLm。壓降IR Drop沿著第一電源線PLm的距離而增加。因此，像素可以根據其位置而接收具有不同強度的第一像素電源ELVDD。特別地，隨著有機發光顯示器的尺寸增加，圖案品質由於顯示器的亮度的變化而會根據第一像素電源ELVDD的壓降而惡化。
因此，當設計有機發光顯示器時，第一像素電源ELVDD是從第一電源線PLm的兩端而供應，使得第一像素電源ELVDD的壓降IR Drop可以降低。
此外，資料電壓Vdata是自兩個方向而從複數個資料驅動器(未顯示)供應至資料線Dm，使得資料電壓Vdata可以在像素10中以高速充電。
即，在有機發光顯示器中，不像液晶顯示器(LCD)，可以形成在兩個方向中接收訊號(或電源)的雙向導線線路。雙向導線線路的兩端是耦合至墊或驅動電路，以同步接收訊號(或電源)。
換句話說，有機發光顯示器具有相對複雜的導線結構，使得短路缺陷容易發生在導線線路之間。
然而，在有機發光顯示器中，因為導線線路是相對密集地配置，則限制了用於修補導線線路的空間，使得修補導線線路是困難的。
揭示用於修補線缺陷的結構以及用於修補缺陷的方法，其中雖然修補空間受到限制，使用相鄰的導線線路可以輕易地修補短路。
圖2是平面圖，其解釋了一個範例，其中短路缺陷發生在導線線路之間。圖2解釋了一個範例，其中短路缺陷發生在不同層的導線線路之間。
參考圖2，第一導線線路20以及第二導線線路40、第三導線線路50、第四導線線路60提供了絕緣層30，該絕緣層介於導線線路20以及導線線路40、 50、60之間。
第一導線線路20(較低的導線線路)在第一方向中(水平方向)形成於絕緣層30的下方。舉例來說，第一導線線路20可以被設置成由閘極金屬所形成的掃瞄線Sn。
第二導線線路40、第三導線線路50、第四導線線路60(較高的導線線路)在第二方向中(垂直方向)形成於絕緣層30的上方。舉例來說，第二導線線路40、第三導線線路50、第四導線線路60可以是源極/汲極導線線路，舉例來說，由源極/汲極金屬所形成的第一電源線PLm和資料線Dm。
雖然彼此之間為絕緣，第一導線線路20、第二導線線路40、第三導線線路50、第四導線線路60傳送掃描訊號、第一像素電源ELVDD及/或資料電壓Vdata。
然而，絕緣層會在交叉處(第一導線線路20和第二導線線路40彼此交錯處)部分喪失，如圖中所示的A。因此，短路就存在於第一導線線路20和第二導線線路40之間。
為了修補短路缺陷，截斷第二導線線路40，以隔絕第二導線線路40的一部分，其中短路缺陷發生在剩餘的第二導線線路40。
然而，當用於在導線線路之間形成修補樣式的空間被限制時，重新連接第二導線線路40會變得困難。在此案例中，第二導線線路40可以使用第三導線線路50而修補，該第三導線線路50是與第二導線線路40相鄰。
圖3A和圖3B是根據具體實施例的平面圖，其解釋了用於修補有機發光顯示器的線缺陷之結構以及修補缺陷的方法。當顯示在圖2的第三導線線路50為雙向導線線路，則在第一導線線路20和第二導線線路40之間的短路缺陷會根據圖3B的具體實施例而修補。在圖式中的箭號代表訊號施加的方向。
首先，參考圖3A，截斷第二導線線路40，使得具有短路缺陷部分是與剩餘的第二導線線路40絕緣。可以使用例如可精密控制的雷射來截斷第二導線線路40。
截斷與第二導線線路40的絕緣部分相鄰之第三導線線路50的部分，使得第三導線線路50的相鄰部分是與第三導線線路50的存留部分絕緣。截斷第三導線線路50，以修補第二導線線路40。第三導線線路50的絕緣部分是長於第二導線線路40的絕緣部分。
如圖3B所示，第一修補樣式RP1耦合至第二導線線路40和第三導線線路50的絕緣部分。
第一修補樣式RP1可以由導體材料所形成，該導體材料直接連接第二導線線路40和第三導線線路50的絕緣部分。用於第一修補樣式RP1的導體材料可以從常見導線線路形成材料來選擇。替代性地，當修補線路缺陷(絕緣層(未顯示)形成在第二導線線路40、第三導線線路50和第四導線線路60上)時，第一修補樣式RP1可以接觸孔而電性耦合至第二導線線路40和第三導線線路50的存留部分。
如上所述，第二導線線路40和第三導線線路50的絕緣部分是在整個第一修補樣式RP1裡彼此電性耦合。因此，修補了第二導線線路40。
雖然絕緣了第三導線線路50的區域，在絕緣區域的兩端上之第三導線線路50部分接收正確的訊號，因為第三導線線路50是從第三導線線路50的絕緣部分的兩端來驅動。在一些具體實施例中，可以限制第三導線線路50所允許的截斷範圍，使得藉由第三導線線路50所傳送的電源及/或訊號不會不合意地承受存留第三導線線路50部分的長度。
根據上述的具體實施例，無論修補空間是否被限制，發生在第一導線線路 20和第二導線線路40之間的短路缺陷可以使用相鄰的雙向導線線路而輕易地修補。
圖4A和圖4B是根據另一個具體實施例的平面圖，其解釋了用於修補有機發光顯示器的線缺陷之結構以及修補缺陷的方法。根據圖4A和圖4B的具體實施例，假設圖示在圖2的第二導線線路和第三導線線路為非雙向導線線路，而第四導線線路為雙向導線線路。
截斷第二導線線路40、第三導線線路50以及第四導線線路60，如圖4A所示，且如上述關於第二導線線路40。因此，第二導線線路40、第三導線線路50以及第四導線線路60的每一者在絕緣部分的每一端皆具有絕緣部分和存留部分。截斷第二導線線路40，以絕緣第一導線線路20的短路。截斷第三導線線路50，以修補第二導線線路40，且截斷第四導線線路60，以修補第三導線線路50。
如圖4B所示，形成第一修補樣式RP1，以用於電性耦合第二導線線路40的存留部分至第三導線線路50的絕緣部分，且形成第二修補樣式RP2，以用於電性耦合第三導線線路50的存留部分至第四導線線路60的絕緣部分。
沒有限制第一修補樣式RP1和第二修補樣式RP2的材料，且該等材料可以相同或不同。在一些具體實施例中，第二修補樣式RP2是由與第一修補樣式RP1同時相同的材料所形成。
如上所述，第二導線線路40和第三導線線路50(其絕緣區域為藉由截斷而開路)是藉由形成第一修補樣式RP1和第二修補樣式RP2而修補。
相反地，因為第四導線線路60從兩端收到其訊號，則第四導線線路60可以適當地作用，儘管其為開路。
根據上述具體實施例，雖然雙向導線線路沒有直接相鄰至具有導線缺陷的 線路，該導線缺陷仍可以輕易地修補。
同時，當修補任何導線線路時，如果用於修補導線線路的空間足夠時，可以修補短路缺陷而不需要使用雙向導線線路。
舉例來說，如圖5所示，雖然第四導線線路60為非雙向，靠近第四導線線路60的用於新導線線路的空間是足夠的，使得可以形成第三修補樣式RP3，其用於電性耦合第四導線線路60的存留部分。
在上述的具體實施例中，修補發生在第一導線線路20和第二導線線路40之間的交叉處之短路缺陷。然而，本發明並不限於上述具體實施例。舉例來說，當短路缺陷發生在相同層的相鄰導線線路之間，可以藉由實施上述具體實施例的發明原理而修補短路缺陷。舉例來說，短路缺陷可以使用相鄰具有短路的線路之線路來修補。
此外，當開路缺陷發生時，開路可以藉由上述的程序來修補，以重新連接經截斷的導線線路的存留部分。
再者，當可以改變設計，使得訊號為雙向地供應到至少一個導線線路，該導線線路在非雙向導線線路之中且在短路缺陷發生處的導線線路之周圍，則本發明可以使用圖3A至圖4B所解釋的具體實施例而應用。
雖然本發明已經結合特定範例具體實施例而描述，但應了解的是：本發明不限制於已揭示的具體實施例，但相反地，本發明傾向於包含具有所附申請專利範圍的精神與範疇之各種改變和相等的配置。
20‧‧‧第一導線線路
30‧‧‧絕緣層
40‧‧‧第二導線線路
50‧‧‧第三導線線路
60‧‧‧第四導線線路
A‧‧‧交叉處
RP1‧‧‧第一修補樣式
RP2‧‧‧第二修補樣式
RP3‧‧‧第三修補樣式

Claims (16)

  1. 一種用於修補在有機發光顯示器的第一導線線路和第二導線線路間的短路缺陷之結構，該結構包含：第二導線線路的絕緣部分，其中該第二導線線路的絕緣部分包含在第一導線線路和第二導線線路之間的短路；第二線路的第一存留部分和第二存留部分，其中第二線路的第一存留部分和第二存留部分是與第二導線線路的絕緣部分電性地絕緣；第三導線線路的絕緣部分，其中第三導線線路的絕緣部分為實質地相鄰第二導線線路的絕緣部分；第三線路的第一存留部分和第二存留部分，其中第三線路的第一存留部分和第二存留部分是與第三導線線路的絕緣部分電性地絕緣；第一修補樣式，其將第二導線線路的第一存留部分和第二存留部分電性地耦合至第三導線線路的絕緣部分；第四導線線路的絕緣部分，其中第四導線線路的絕緣部分是實質上與第三導線線路的絕緣部分相鄰；第四線路的第一存留部分和第二存留部分，其中第四線路的第一存留部分和第二存留部分是與第四導線線路的絕緣部分電性絕緣；以及第二修補樣式，其將第三導線線路的第一存留部分和第二存留部分電性地耦合至第四導線線路的絕緣部分。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之結構，其中第三導線線路是建構成從第三導線線路的第一存留部分和第二存留部分兩者接收訊號。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述之結構，其中第二導線線路和第三導線線路經配置，以介入其間的絕緣層而與第一導線線路交錯。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述之結構，其中第一導線線路是配置在絕緣層下方。
  5. 根據申請專利範圍第3項所述之結構，其中第二導線線路和第三導線線路是平行地配置在絕緣層上方。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述之結構，其中第四導線線路是建構成從第四導線線路的第一存留部分和第二存留部分兩者接收訊號。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述之結構，其更進一步地包含第三修補樣式，其電性耦合第四導線線路的第一存留部分和第二存留部分。
  8. 一種修補有機發光顯示器的的第一導線線路和第二導線線路間的短路缺陷之方法，該方法包含：截斷第二導線線路，使得包含短路的第二導線線路之絕緣部分是與第二導線線路的第一存留部分和第二存留部分絕緣；截斷第三導線線路，使得第三導線線路的絕緣部分是相鄰第二導線線路的絕緣部分，其中第三導線線路的絕緣部分是與第三導線線路的第一存留部分和第二存留部分絕緣；以及形成第一修補樣式，以電性地耦合第二導線線路的第一存留部分和第二存留部分至第三導線線路的絕緣部分；其中該方法更包含使用相鄰於第三導線線路的第四導線線路而電性耦合第三導線線路的第一存留部分和第二存留部分。
  9. 根據申請專利範圍第8項所述之方法，其中第三導線線路是建構成從第三導線線路的第一存留部分和第二存留部分兩者接收訊號。
  10. 根據申請專利範圍第8項所述之方法，其中耦合第三導線線路的第一存留部分和第二存留部分包含：截斷第四導線線路，使得第四導線線路的絕緣部分是相鄰第三導線線路的絕緣部分，其中第四導線線路的絕緣部分是與第四導線線路的第一存 留部分和第二存留部分絕緣；以及形成第二修補樣式，以電性地耦合第三導線線路的第一存留部分和第二存留部分至第四導線線路的絕緣部分。
  11. 根據申請專利範圍第10項所述之方法，其中第四導線線路是建構成從第四導線線路的第一存留部分和第二存留部分兩者接收訊號。
  12. 根據申請專利範圍第10項所述之方法，其更進一步地包含：形成第三修補樣式，其電性耦合第四導線線路的第一存留部分和第二存留部分。
  13. 一種在有機發光顯示器的第一導線線路中修補開路缺陷的方法，第一導線線路包含由於開路而分離的第一部分和第二部分，該方法包含：截斷第二導線線路，使得第二導線線路的絕緣部分是相鄰在第一導線線路中的開路，其中第二線路的絕緣部分是與第二導線線路的第一存留部分和第二存留部分絕緣；以及形成第一修補樣式，以電性地耦合第一導線線路的第一部分和第二部分至第二導線線路的絕緣部分；其中該方法更包含使用第三導線線路而電性耦合第二導線線路的第一存留部分和第二存留部分；其中耦合第二導線線路的第一存留部分和第二存留部分包含：截斷第三導線線路，使得第三導線線路的絕緣部分是相鄰第二導線線路的絕緣部分，其中第三導線線路的絕緣部分是與第三導線線路的第一存留部分和第二存留部分絕緣；以及形成第二修補樣式，以電性地耦合第二導線線路的第一存留部分和第二存留部分至第三導線線路的絕緣部分。
  14. 根據申請專利範圍第13項所述之方法，其中第二導線線路是建構成從第二導線線路的第一存留部分和第二存留部分兩者接收訊號。
  15. 根據申請專利範圍第13項所述之方法，其中第三導線線路是建構成從第 三導線線路的第一存留部分和第二存留部分兩者接收訊號。
  16. 根據申請專利範圍第13項所述之方法，其更進一步地包含：形成第三修補樣式，其電性耦合第三導線線路的第一存留部分和第二存留部分。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI719020B (zh) * 2015-04-30 2021-02-21 南韓商三星顯示器有限公司 有機發光二極體顯示器及其修理方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013068645A (ja) * 2010-01-28 2013-04-18 Sharp Corp 表示装置の欠陥修正方法、表示装置およびその製造方法
TWI409558B (zh) * 2010-07-30 2013-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 顯示面板及其訊號線修補方法
KR101878333B1 (ko) * 2012-01-09 2018-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법
US8779592B2 (en) * 2012-05-01 2014-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Via-free interconnect structure with self-aligned metal line interconnections
KR101976066B1 (ko) * 2012-06-08 2019-08-29 삼성디스플레이 주식회사 쇼트 불량 리페어 방법, 상기 리페어 방법에 의해 제조된 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR101990550B1 (ko) 2012-10-26 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
KR102047002B1 (ko) 2013-05-31 2019-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 수리 방법
KR102117614B1 (ko) * 2013-10-18 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 기판의 신호선 리페어 방법
CN104733490A (zh) * 2013-12-19 2015-06-24 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
KR102183494B1 (ko) * 2014-08-21 2020-11-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102308620B1 (ko) 2014-11-27 2021-10-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102381288B1 (ko) 2015-03-04 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102430876B1 (ko) * 2015-04-30 2022-08-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법
CN106291995A (zh) * 2015-05-12 2017-01-04 上海和辉光电有限公司 一种激光修补线缺陷的方法
TWI574394B (zh) * 2016-02-05 2017-03-11 友達光電股份有限公司 自發光型顯示器及其修補方法
US10955947B2 (en) 2016-07-29 2021-03-23 Apple Inc. RC tuning of touch electrode connections on a touch sensor panel
EP3526643B1 (en) * 2016-10-14 2021-08-11 BOE Technology Group Co., Ltd. Array substrate and repairing method thereof
TWI619225B (zh) 2017-08-15 2018-03-21 元太科技工業股份有限公司 顯示裝置及其周圍線路結構
CN107565054B (zh) * 2017-08-25 2020-04-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled像素结构及其修复方法
KR102717810B1 (ko) * 2018-06-05 2024-10-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이를 포함한 유기발광 표시장치
KR102622348B1 (ko) 2019-02-11 2024-01-10 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치
CN111933826B (zh) * 2020-08-31 2022-06-17 苏州迈为科技股份有限公司 基于不同子像素各自配方进行oled屏体修复的方法及设备
US11887862B2 (en) 2021-09-14 2024-01-30 Deca Technologies Usa, Inc. Method for redistribution layer (RDL) repair by mitigating at least one defect with a custom RDL
KR20230110396A (ko) * 2022-01-14 2023-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003248439A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Fujitsu Display Technologies Corp 表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその欠陥修復方法
US20040090566A1 (en) * 1999-03-19 2004-05-13 Cheol-Soo Jung Thin film transistor array panel
JP2007005706A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Sony Corp 加工方法、表示装置及び半導体装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63263743A (ja) * 1987-04-22 1988-10-31 Alps Electric Co Ltd 薄膜トランジスタアレイおよびその製法
KR100213603B1 (ko) * 1994-12-28 1999-08-02 가나이 쯔또무 전자회로기판의 배선수정방법 및 그 장치와 전자회로기판
JP3272625B2 (ja) * 1997-02-21 2002-04-08 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置および画素欠陥修正方法
KR100318537B1 (ko) * 1999-03-19 2001-12-22 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법
KR100318539B1 (ko) * 1999-03-24 2001-12-22 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100628680B1 (ko) * 1999-12-17 2006-09-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100382456B1 (ko) * 2000-05-01 2003-05-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 리페어 패턴 형성방법
KR100623989B1 (ko) * 2000-05-23 2006-09-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 수리 방법
JP2002097914A (ja) 2000-07-18 2002-04-05 Fuji Oozx Inc チタン合金製エンジンバルブ及びその製造方法
KR100587366B1 (ko) * 2000-08-30 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100750921B1 (ko) * 2001-04-03 2007-08-22 삼성전자주식회사 수리 구조를 갖추고 있는 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 그 수리 방법
TW594161B (en) * 2003-02-18 2004-06-21 Au Optronics Corp Flat panel display with repairable defects for data lines and the repairing method
JP4491205B2 (ja) 2003-07-22 2010-06-30 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 スイッチング素子アレイ基板の修復方法
TWI236838B (en) * 2004-04-22 2005-07-21 Avision Inc Image acquisition device and method capable of rotating document images
WO2005116745A1 (en) * 2004-05-27 2005-12-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method for correcting a pixel deffect therein and manufacturing method thereof
KR101090253B1 (ko) * 2004-10-06 2011-12-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US7265386B2 (en) * 2005-08-29 2007-09-04 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Thin film transistor array substrate and method for repairing the same
JP4760270B2 (ja) * 2005-09-29 2011-08-31 ソニー株式会社 配線基板の製造方法及び表示装置の製造方法
JP5107546B2 (ja) * 2006-09-15 2012-12-26 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 表示装置
US7884364B2 (en) * 2006-12-12 2011-02-08 Lg Display Co., Ltd. Array substrate, method of manufacturing the same, and method of repairing line in the same
US8319906B2 (en) * 2007-02-09 2012-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display unit, liquid crystal display device, television receiver, active matrix substrate manufacturing method, and liquid crystal panel manufacturing method
JP4374552B2 (ja) * 2007-04-12 2009-12-02 ソニー株式会社 基板の製造方法および基板製造システム、並びに表示装置の製造方法
TWI331247B (en) * 2007-12-13 2010-10-01 Au Optronics Corp Pixel sturctur and repairing method thereof
JP5245879B2 (ja) * 2008-03-26 2013-07-24 ソニー株式会社 画像表示装置及び短絡事故の修復方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040090566A1 (en) * 1999-03-19 2004-05-13 Cheol-Soo Jung Thin film transistor array panel
JP2003248439A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Fujitsu Display Technologies Corp 表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその欠陥修復方法
JP2007005706A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Sony Corp 加工方法、表示装置及び半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI719020B (zh) * 2015-04-30 2021-02-21 南韓商三星顯示器有限公司 有機發光二極體顯示器及其修理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8227977B2 (en) 2012-07-24
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