JP4374552B2 - 基板の製造方法および基板製造システム、並びに表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置または液晶表示装置に用いられるＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板等の製造に好適な基板の製造方法および基板製造システム、並びにこれを用いた表示装置の製造方法に関する。
現在、ＦＰＤ（Flat Panel Display）の大型化、高精細化、配線密度増加により、ＴＦＴ基板の歩留りが低下し、欠陥修正（レーザリペア）工程がほぼ必須となっている。例えば有機ＥＬ表示装置用ＴＦＴ基板では、信号配線や走査配線の他に複数の電位供給配線が存在するため、画素内の配線密度が増加し、画素構造が非常に複雑になっている。一方、液晶表示装置用ＴＦＴ基板においても、プラズマ表示装置に匹敵するレベルを想定した表示装置の大型化や画素の高精細化が進められており、これに伴ってパネルあたりの欠陥数が増加し、歩留りの大幅な低下が問題となっている。
この結果、欠陥修正工程に必要なタクトタイムが増加し、多数の修正装置やオペレータが必要になると共に、タクトタイムの大半がオペレータによる修正操作時間に費やされている現状がある。従って、欠陥修正工程で必要とする投資コストが大幅に増加している。この投資コストを抑えるため、欠陥修正工程のタクトタイム短縮が強く望まれている。
従来では、人間のオペレータに頼ったことによる欠陥修正工程のタクトタイムの増加という問題に対して、例えば特許文献１に記載されたように、ＴＦＴの形状パターンに対してパターンマッチングを行い、修正を施すか否かを判断する自動修正方法が提案されている。また、特許文献２には、欠陥の相対位置により修正方法を自動選択する手法が記載されている。
特許第３０５１６２３号明細書
特開２００５−２２１９７４号公報
しかしながら、特許文献１に記載された従来方法は、ＴＦＴの修正に限定されているので、欠陥の大部分を占めるＴＦＴ以外の配線パターンにおける欠陥に対しては欠陥修正工程を自動化することはできなかった。
また、特許文献２では、光学検査結果のみをもとに欠陥を抽出していたので、電気的に短絡している致命欠陥だけを選別することは極めて困難であり、更にすべての欠陥の修正を行おうとした場合、修正のタクトタイムは著しく増加してしまうなどの問題が生じていた。更に、欠陥の相対位置のみを考慮して修正手順を選択する方法では、膨大な数のデータベースが必要となるため、修正手順の選択成功率が低下してしまい、修正工程を自動化することは難しかった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、配線パターンの欠陥修正のタクトタイムを短縮することができる基板の製造方法および基板製造システム、並びにこれを用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
本発明による基板の製造方法は、基体上に複数の配線パターンが形成された基板を製造するものであって、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程を含むものである。
（Ａ）複数の配線パターンの電気検査により、電気的な短絡または断線を調べる第１検査工程
（Ｂ）光学検査により、基体上における欠陥の位置を調べると共に、少なくとも欠陥の種類および大きさのうち一つを調べる第２検査工程
（Ｃ）第１検査工程および第２検査工程の結果を照合し、電気的に短絡または断線している致命欠陥を特定する照合工程
（Ｄ）致命欠陥について、画素内における相対位置および有効範囲を光学検査により調べる第３検査工程
（Ｅ）第３検査工程の結果および致命欠陥を含む画素の下層配線情報に基づいて修正手順を選択する修正手順選択工程
（Ａ）複数の配線パターンの電気検査により、電気的な短絡または断線を調べる第１検査工程
（Ｂ）光学検査により、基体上における欠陥の位置を調べると共に、少なくとも欠陥の種類および大きさのうち一つを調べる第２検査工程
（Ｃ）第１検査工程および第２検査工程の結果を照合し、電気的に短絡または断線している致命欠陥を特定する照合工程
（Ｄ）致命欠陥について、画素内における相対位置および有効範囲を光学検査により調べる第３検査工程
（Ｅ）第３検査工程の結果および致命欠陥を含む画素の下層配線情報に基づいて修正手順を選択する修正手順選択工程
本発明による基板製造システムは、基体上に複数の配線パターンが形成された基板を製造するものであって、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の構成要件を備えたものである。
（Ａ）複数の配線パターンの電気検査により、電気的な短絡または断線を調べる第１検査部
（Ｂ）光学検査により、基体上における欠陥の位置を調べると共に、少なくとも欠陥の種類および大きさのうち一つを調べる第２検査部
（Ｃ）第１検査部および第２検査部の結果を照合し、電気的に短絡または断線している致命欠陥を特定する照合部
（Ｄ）致命欠陥について、画素内における相対位置および有効範囲を光学検査により調べる第３検査部
（Ｅ）第３検査部の結果および致命欠陥を含む画素の下層配線情報に基づいて修正手順を選択する修正手順選択部
（Ａ）複数の配線パターンの電気検査により、電気的な短絡または断線を調べる第１検査部
（Ｂ）光学検査により、基体上における欠陥の位置を調べると共に、少なくとも欠陥の種類および大きさのうち一つを調べる第２検査部
（Ｃ）第１検査部および第２検査部の結果を照合し、電気的に短絡または断線している致命欠陥を特定する照合部
（Ｄ）致命欠陥について、画素内における相対位置および有効範囲を光学検査により調べる第３検査部
（Ｅ）第３検査部の結果および致命欠陥を含む画素の下層配線情報に基づいて修正手順を選択する修正手順選択部
本発明による表示装置の製造方法は、上記本発明による基板の製造方法の第１検査工程と、第２検査工程と、照合工程と、第３検査工程と、修正手順選択工程とに加えて、修正手順選択工程を行ったのちに致命欠陥を修正する修正工程と、致命欠陥が修正された基板に表示素子を形成する表示素子形成工程とを含むものである。
本発明の基板の製造方法、本発明の基板製造システム、または本発明の表示装置の製造方法によれば、電気検査と光学検査との結果を照合して、電気的に短絡または断線している致命欠陥を特定するようにしたので、配線パターンの電気的な不良となってしまう致命欠陥のみを自動的かつ的確に抽出することができる。また、致命欠陥の画素内における相対位置および有効範囲を光学検査により調べるようにしたので、従来のように欠陥の相対位置のみを考慮する場合に比べて、より最適な修正手順を選択することが可能となる。よって、配線パターンの欠陥修正のタクトタイムを短縮することができる。また、修正手順の選択を、第３検査工程の結果および致命欠陥を含む画素の下層配線情報に基づいて行うようにしたので、致命欠陥の有効範囲内に下層配線が存在する場合、致命欠陥の修正のためレーザ照射などを行って下層配線が損傷してしまうのを抑えることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法により製造される表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスよりなる基体（基板）１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の製造方法により製造される表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスよりなる基体（基板）１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例、図３はその等価回路をそれぞれ表したものである。この画素駆動回路１４０は、基体１１上に複数の走査配線１３０Ａを行方向に設け、その上に層間絶縁膜（図示せず）を間にして複数の信号配線１２０Ａおよび電源電位供給配線１５０Ａを、主として列方向（走査配線１３０Ａとは直交する方向）に延在させたものであり、各信号配線１２０Ａと各走査配線１３０Ａとの交差点が一つの画素、すなわち有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つに対応している。
信号配線１２０Ａは、電源電位供給配線１５０Ａから接続孔１５０Ｂを介して連結されたキャパシタ（保持容量）ＣＳに対して、書き込みトランジスタＴｒ１を介して対向している。キャパシタＣＳは、接続孔１２０Ｂを介して、駆動トランジスタＴｒ２のゲートとなる配線に連結されている。電源電位供給配線１５０Ａに対して駆動トランジスタＴｒ２を介して対向する配線は、有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）の後述する第１電極１３に連結されている。なお、走査配線１３０Ａ，信号配線１２０Ａおよび電源電位供給配線１５０Ａが、本発明の「配線パターン」の一具体例に相当する。また、本明細書では、図２その他の平面図において、走査配線１３０Ａ，信号配線１２０Ａおよび電源電位供給配線１５０Ａの識別を容易にするために、走査配線１３０Ａおよびそれに接続された配線には左上がりの斜線、信号配線１２０Ａ，電源電位供給配線１５０Ａおよびそれらに接続された配線には右上がりの斜線をそれぞれ付している。
各信号配線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号配線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ１のソース電極に画像信号ＤＳが供給されるようになっている。各走査配線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査配線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ１のゲート電極に走査信号ＳＳが順次供給されるようになっている。
図４は、図１ないし図３に示した表示装置の製造方法の流れを表したものであり、図５ないし図１４は、この製造方法を工程順に表したものである。この製造方法は、例えば、配線パターン形成段階，検査段階，欠陥修正段階および表示素子形成段階の四段階に大きく分かれている。なお、本発明による基板の製造方法は、この表示装置の製造方法の一部を構成するので、以下併せて説明する。
＜＜配線パターン形成段階＞＞
まず、上述した材料よりなる基体１１上に複数の走査配線１３０Ａを行方向に形成し（ステップＳ１０１）、その上に層間絶縁膜（図示せず）を形成する（ステップＳ１０２）。なお、この層間絶縁膜を形成する際には、エッチングにより、表示領域１１０外において走査配線１３０Ａの端部を露出させ、パッド（図示せず）を形成しておく。
まず、上述した材料よりなる基体１１上に複数の走査配線１３０Ａを行方向に形成し（ステップＳ１０１）、その上に層間絶縁膜（図示せず）を形成する（ステップＳ１０２）。なお、この層間絶縁膜を形成する際には、エッチングにより、表示領域１１０外において走査配線１３０Ａの端部を露出させ、パッド（図示せず）を形成しておく。
次いで、層間絶縁膜の上に複数の信号配線１２０Ａおよび電源電位供給配線１５０Ａを主として列方向に形成する（ステップＳ１０３）。このときキャパシタＣＳ，書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２も形成する。これにより、図２および図３に示した画素駆動回路１４０が形成される。
＜＜検査段階＞＞
検査段階は、例えば、第１検査工程，第２検査工程，照合工程および第３検査工程を含んでいる。
検査段階は、例えば、第１検査工程，第２検査工程，照合工程および第３検査工程を含んでいる。
（第１検査工程）
まず、走査配線１３０Ａ，信号配線１２０Ａおよび電源電位供給配線１５０Ａの各々について電気検査を行うことにより、図５に示したように、電気的な短絡または断線が存在する不良配線パターン１６１を特定する（ステップＳ２０１）。電気検査では、例えば、アレイテスタ（電気式ガラス基板検査装置）を用いて、電荷検出法により、走査配線１３０Ａ，信号配線１２０Ａおよび電源電位供給配線１５０Ａに断線または短絡の欠陥が存在するか否かを調べる。電荷検出法は、実動作とほぼ同じ方法で全画素に電荷を書き込み、所定時間経過後に書き込んだ電荷を読み出し、その変化から画素の良・不良を判定する方法である。
まず、走査配線１３０Ａ，信号配線１２０Ａおよび電源電位供給配線１５０Ａの各々について電気検査を行うことにより、図５に示したように、電気的な短絡または断線が存在する不良配線パターン１６１を特定する（ステップＳ２０１）。電気検査では、例えば、アレイテスタ（電気式ガラス基板検査装置）を用いて、電荷検出法により、走査配線１３０Ａ，信号配線１２０Ａおよび電源電位供給配線１５０Ａに断線または短絡の欠陥が存在するか否かを調べる。電荷検出法は、実動作とほぼ同じ方法で全画素に電荷を書き込み、所定時間経過後に書き込んだ電荷を読み出し、その変化から画素の良・不良を判定する方法である。
（第２検査工程）
次いで、図６に示したように、光学検査により、基体１１上における欠陥１７１〜１７４の相対位置と、欠陥１７１〜１７４の種類および大きさのうち少なくとも一つとを調べる（ステップＳ２０２）。欠陥１７１〜１７４の相対位置および大きさは、例えば、パターン検査により調べることができる。パターン検査は、画素駆動回路１４０を顕微鏡で拡大し、その画像をＣＣＤ（Charge Coupled Device ；電荷結合素子）カメラ等で取り込み、画像処理により異常を検出する方法であり、各画素の隣接画素との差分を評価し有意差がある場合に不良と判定するものである。欠陥１７１〜１７４の種類は、例えば、欠陥１７１〜１７４の反射光を用いて判断することができる。例えば、短絡の場合、配線材料が残存することが多いので、欠陥１７１〜１７４の反射光は正常な配線の反射光とほぼ同じになる。また、断線の場合は、正常な配線がない箇所の反射光とほぼ同じになる。
次いで、図６に示したように、光学検査により、基体１１上における欠陥１７１〜１７４の相対位置と、欠陥１７１〜１７４の種類および大きさのうち少なくとも一つとを調べる（ステップＳ２０２）。欠陥１７１〜１７４の相対位置および大きさは、例えば、パターン検査により調べることができる。パターン検査は、画素駆動回路１４０を顕微鏡で拡大し、その画像をＣＣＤ（Charge Coupled Device ；電荷結合素子）カメラ等で取り込み、画像処理により異常を検出する方法であり、各画素の隣接画素との差分を評価し有意差がある場合に不良と判定するものである。欠陥１７１〜１７４の種類は、例えば、欠陥１７１〜１７４の反射光を用いて判断することができる。例えば、短絡の場合、配線材料が残存することが多いので、欠陥１７１〜１７４の反射光は正常な配線の反射光とほぼ同じになる。また、断線の場合は、正常な配線がない箇所の反射光とほぼ同じになる。
（照合工程）
続いて、第１検査工程および第２検査工程の結果を照合し、図７に示したように、電気的に短絡または断線している致命欠陥１８１を特定する（Ｓ２０３）。これにより、本実施の形態では、電気的に不良となってしまう致命欠陥１８１のみを自動的かつ的確に抽出することができ、欠陥修正のタクトタイムを短縮することができる。照合は、例えば、第１検査工程で調べた不良配線パターン１６１に対して、第２検査工程で調べた欠陥１７１〜１７４のうち最も位置的に近い欠陥１７１を紐付けることにより行うことができる。なお、図７には致命欠陥１８１が一つしかない場合を示しているが、同様にして複数の致命欠陥１８１を特定することも可能であることは言うまでもない。
続いて、第１検査工程および第２検査工程の結果を照合し、図７に示したように、電気的に短絡または断線している致命欠陥１８１を特定する（Ｓ２０３）。これにより、本実施の形態では、電気的に不良となってしまう致命欠陥１８１のみを自動的かつ的確に抽出することができ、欠陥修正のタクトタイムを短縮することができる。照合は、例えば、第１検査工程で調べた不良配線パターン１６１に対して、第２検査工程で調べた欠陥１７１〜１７４のうち最も位置的に近い欠陥１７１を紐付けることにより行うことができる。なお、図７には致命欠陥１８１が一つしかない場合を示しているが、同様にして複数の致命欠陥１８１を特定することも可能であることは言うまでもない。
（第３検査工程）
そののち、致命欠陥１８１について、図８に示したように、画素内における相対位置（Ｘ１８１，Ｙ１８１）および有効範囲Ｚを光学検査により調べる（ステップＳ２０４）。画素内相対位置（Ｘ１８１，Ｙ１８１）は、致命欠陥１８１の画素座標系始点（０，０）からのＸ方向距離Ｘ１８１およびＹ方向距離Ｙ１８１を測定することにより求められる。有効範囲Ｚは、致命欠陥１８１を囲む矩形Ｚである。これにより、本実施の形態では、従来のように欠陥の相対位置のみを考慮する場合に比べて、より最適な修正手順を選択することが可能となり、欠陥修正のタクトタイムを短縮することができる。
そののち、致命欠陥１８１について、図８に示したように、画素内における相対位置（Ｘ１８１，Ｙ１８１）および有効範囲Ｚを光学検査により調べる（ステップＳ２０４）。画素内相対位置（Ｘ１８１，Ｙ１８１）は、致命欠陥１８１の画素座標系始点（０，０）からのＸ方向距離Ｘ１８１およびＹ方向距離Ｙ１８１を測定することにより求められる。有効範囲Ｚは、致命欠陥１８１を囲む矩形Ｚである。これにより、本実施の形態では、従来のように欠陥の相対位置のみを考慮する場合に比べて、より最適な修正手順を選択することが可能となり、欠陥修正のタクトタイムを短縮することができる。
第３検査工程は、後述する修正工程を行う欠陥修正装置を用いて行うことが好ましい。ステージが異なる別の光学式検査装置を用いた場合、装置毎の微小な位置ずれが生じ、修正工程において再び補正などを行う必要があるからである。
＜＜欠陥修正段階＞＞
検査段階が終了したのち、欠陥修正段階において致命欠陥１８１を修正する。欠陥修正段階は、例えば、修正手順選択工程と、修正工程とを含んでいる。
検査段階が終了したのち、欠陥修正段階において致命欠陥１８１を修正する。欠陥修正段階は、例えば、修正手順選択工程と、修正工程とを含んでいる。
（修正手順選択工程）
第３検査工程を行ったのち、修正工程を行う前に、少なくとも第３検査工程の結果に基づいて修正手順を選択する修正手順選択工程を行う（ステップＳ３０１）。修正手順の選択は、第３検査工程の結果および致命欠陥１８１を含む画素の下層配線情報に基づいて行うことが好ましい。致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に下層配線である走査配線１３０Ａが存在する場合、致命欠陥１８１の修正のためレーザ照射などを行うと走査配線１３０Ａが損傷してしまうおそれがあるからである。
第３検査工程を行ったのち、修正工程を行う前に、少なくとも第３検査工程の結果に基づいて修正手順を選択する修正手順選択工程を行う（ステップＳ３０１）。修正手順の選択は、第３検査工程の結果および致命欠陥１８１を含む画素の下層配線情報に基づいて行うことが好ましい。致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に下層配線である走査配線１３０Ａが存在する場合、致命欠陥１８１の修正のためレーザ照射などを行うと走査配線１３０Ａが損傷してしまうおそれがあるからである。
以下、図９および図１０を参照して、例えば、信号配線１２０Ａと電源電位供給配線１５０Ａとが短絡した致命欠陥１８１が存在する場合について、修正手順の選択を詳細に説明する。まず、照合工程で特定された致命欠陥１８１のうち一つを選択する（ステップＳ３０１１）。
次いで、選択した致命欠陥１８１が信号配線１２０Ａと電源電位供給配線１５０Ａとの短絡であることを、例えば第１検査工程の電気不良モードに基づいて判別する（ステップＳ３０１２）。
ちなみに、有機発光表示装置の画素駆動回路１４０では、液晶用の駆動回路と比較して、走査配線および信号配線の他に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの駆動用である電源電位供給配線１５０Ａが存在する。また、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは電流駆動であるので、液晶用のトランジスタと比べて、トランジスタサイズが大きくなる。この結果、配線密度が増加し、信号配線１２０Ａと電源電位供給配線１５０Ａとの配線間隔が狭くなるので、両配線間に短絡欠陥が非常に発生しやすく、それらは電気的不良を引き起こす致命欠陥１８１となってしまうおそれも高い。このような信号配線１２０Ａと電源電位供給配線１５０Ａとの短絡欠陥が致命欠陥１８１となってしまった場合、信号配線１２０Ａの電位が電源電位に固定されてしまい、パネル点灯時に線欠陥となるので、欠陥修正が不可欠となる。
続いて、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に下層配線すなわち走査配線１３０Ａが存在するか（ステップＳ３０１３）、存在しないか（ステップＳ３０１４）を判別する。
具体的には、図１０に示したように、まず、信号配線１２０Ａおよび電源電位供給配線１５０Ａとの間の領域を、下層の走査配線１３０Ａの有無により、下層配線あり領域Ｒ１および下層配線なし領域Ｒ２の２種類の領域に分ける。下層配線あり領域Ｒ１と下層配線なし領域Ｒ２とは、画素内Ｙ軸方向相対位置だけで区別することができ、Ｘ軸方向相対位置はほとんど考慮する必要がない。なぜなら、既に第１検査工程の結果から、電気不良モードとして信号配線１２０Ａと電源電位供給配線１５０Ａとの短絡であることが判明しているからである。下層配線あり領域Ｒ１の画素内Ｙ軸方向相対位置はＹ０〜Ｙ１およびＹ２〜Ｙ３の範囲であり、下層配線なし領域Ｒ２の画素内Ｙ軸方向相対位置はＹ１〜Ｙ２の範囲である。
次いで、致命欠陥１８１が下層配線あり領域Ｒ１および下層配線なし領域Ｒ２のいずれに存在するかを判別する。すなわち、致命欠陥１８１の有効範囲ＺがＹ０〜Ｙ１またはＹ２〜Ｙ３の範囲内に含まれる場合、致命欠陥１８１は下層配線あり領域Ｒ１内に存在し、その有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在すると判別する。それ以外の場合、すなわち致命欠陥１８１の有効範囲ＺがＹ１〜Ｙ２の範囲内に含まれる場合には、致命欠陥１８１は下層配線なし領域Ｒ２に存在し、その有効範囲Ｚ内には走査配線１３０Ａが存在しないと判別する。
このようにして、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在するか否かを判別したのち、それぞれの場合に応じた修正手順の読み出しを行う。すなわち、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在すると判別した場合には、データベースから後述する修正手順Ａ１を読み出す（ステップＳ３０１５）。一方、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在しないと判別した場合、データベースから後述する修正手順Ｂ１を読み出す（ステップＳ３０１６）。
なお、ここでは下層配線が走査配線１３０Ａのみであるので、下層配線あり領域Ｒ１に対する修正手順は、修正手順Ａ１の１種類に限定されている。しかし、下層配線が複数になった場合には、下層配線あり領域Ｒ１および下層配線なし領域Ｒ２の２種類だけでなく、より多くの領域に分割することも可能である。
（修正工程）
次に、図１１ないし図１３を参照して、具体的な修正手順Ａ１，Ｂ１の読み出し（ステップＳ３０１５，Ｓ３０１６）について説明する。なお、以下の説明では、読み出した修正手順Ａ１，Ｂ１による致命欠陥１８１の修正工程（図４；ステップＳ３０２）についても併せて説明する。
次に、図１１ないし図１３を参照して、具体的な修正手順Ａ１，Ｂ１の読み出し（ステップＳ３０１５，Ｓ３０１６）について説明する。なお、以下の説明では、読み出した修正手順Ａ１，Ｂ１による致命欠陥１８１の修正工程（図４；ステップＳ３０２）についても併せて説明する。
修正手順Ａ１，Ｂ１としては、例えば、レーザ照射による断線手順、およびレーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法または金属粒子塗布法による結線手順を予めデータベースに蓄積しておき、断線手順および結線手順のうち少なくとも一方をデータベースから選択的に読み出すようにすることができる。
例えば、図１１に示したように、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在しないと判別された場合（図９；ステップ３０１４）には、修正手順Ｂ１として断線手順を読み出し（図９；ステップＳ３０１６）、レーザ照射により切断部１８１Ａを形成して、致命欠陥１８１を修正する（図４；ステップＳ３０２）
このとき、切断部１８１Ａは、下層配線なし領域Ｒ２の全体（Ｙ１〜Ｙ２）に対して形成するようにしてもよいし、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚのみに限定して形成するようにしてもよい。前者の場合、下層配線なし領域Ｒ２に他の短絡欠陥（図示せず）が発生していた場合に、致命欠陥１８１だけでなく他の欠陥も併せて一つの修正手順で修正することが可能となる。後者の場合は、レーザ照射時間を短縮することができる。
一方、図１２に示したように、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在すると判別された場合（図９；ステップ３０１３）には、修正手順Ａ１として少なくとも結線手順を読み出すことが好ましい。図１１の場合と異なり、レーザ照射により致命欠陥１８１のみを切断することが難しく、下層の走査配線１３０Ａまで損傷してしまう可能性があるからである。具体的には、この場合には、修正手順Ａ１として断線手順および結線手順を読み出し（図９；ステップＳ３０１５）、断線手順により致命欠陥１８１の両端に切断部１８１Ａを形成したのち、結線手順により結線部１８１Ｂを形成して、致命欠陥１８１を修正する（図４；ステップＳ３０２）。以上により、基体１１上に信号配線１２０Ａ，走査配線１３０Ａおよび電源電位供給配線１５０Ａを含む画素駆動回路１４０が形成された基板が完成する。
切断部１８１Ａの形成位置は、結線部１８１Ｂの内側であることが好ましい。結線部１８１Ｂの外側に切断部１８１Ａを形成してしまうと、その画素に電流が供給されず、点欠陥となってしまうおそれがあるからである。
また、結線部１８１Ｂの形成位置は、書き込みトランジスタＴｒ１または駆動トランジスタＴｒ２上を避けることが好ましい。書き込みトランジスタＴｒ１または駆動トランジスタＴｒ２上に結線部１８１Ｂを形成すると、レーザ照射の熱の影響により書き込みトランジスタＴｒ１または駆動トランジスタＴｒ２が損傷を受けてしまうおそれがあるからである。
なお、致命欠陥１８１が信号配線１２０Ａと電源電位供給配線１５０Ａとの短絡である場合、電流Ｃの供給方向が上下両方向からであれば、図１３に示したように、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在すると判別された場合（図９；ステップ３０１３）であっても、修正手順Ａ１として断線手順を読み出し（図９；ステップＳ３０１５）、致命欠陥１８１の両端に切断部１８１Ａを形成するようにしてもよい。
＜＜表示素子形成段階＞＞
（第１電極形成工程）
致命欠陥１８１を修正して基板を完成したのち、図１４に示したように、完成した基板の全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜１２を形成し、露光および現像により平坦化絶縁膜１２を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１２Ａを形成し、焼成する。
（第１電極形成工程）
致命欠陥１８１を修正して基板を完成したのち、図１４に示したように、完成した基板の全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜１２を形成し、露光および現像により平坦化絶縁膜１２を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１２Ａを形成し、焼成する。
次いで、例えばスパッタ法により、第１電極１３を形成し（ステップＳ４０１）、例えばドライエッチングにより所定の形状に成形する。
続いて、基体１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により発光領域に対応して開口部を設け、焼成することにより、電極間絶縁膜１４を形成する。
（有機層・第２電極形成工程）
そののち、例えば蒸着法により、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層，電子注入層よりなる有機層１５と、第２電極１６とを順に形成する（ステップＳ４０２）。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
そののち、例えば蒸着法により、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層，電子注入層よりなる有機層１５と、第２電極１６とを順に形成する（ステップＳ４０２）。これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
（封止工程）
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、例えば蒸着法またはＣＶＤ法により、保護膜１７を形成する。
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、例えば蒸着法またはＣＶＤ法により、保護膜１７を形成する。
また、例えば、封止用基板３０の上に、赤色フィルタの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタを形成する。続いて、赤色フィルタと同様にして、青色フィルタおよび緑色フィルタを順次形成し、カラーフィルタ３１を形成する。
そののち、保護膜１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして封止用基板３０を貼り合わせる（ステップＳ４０３）。その際、封止用基板３０のカラーフィルタ３１を形成した面を、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側にして配置することが好ましい。以上により、図１ないし図３に示した表示装置が完成する。
このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ１のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ１を介して保持容量ＣＳに保持される。すなわち、この保持容量ＣＳに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ２がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，カラーフィルタ３１および封止用基板３０を透過して取り出される。
（製造システム）
図１５は、上述した検査段階および欠陥修正段階を行う基板製造システムの一例を表したものである。この基板製造システム１０００は、例えば、第１検査部１１００と、第２検査部１２００と、照合部１３００と、第３検査・修正部１４００と、修正手順選択部１５００と、データベース１６００とを備えている。
図１５は、上述した検査段階および欠陥修正段階を行う基板製造システムの一例を表したものである。この基板製造システム１０００は、例えば、第１検査部１１００と、第２検査部１２００と、照合部１３００と、第３検査・修正部１４００と、修正手順選択部１５００と、データベース１６００とを備えている。
第１検査部１１００は、上述した第１検査工程を行うものであり、例えばアレイテスタにより構成されている。第２検査部１２００は、上述した第２検査工程を行うものであり、例えば、顕微鏡，ＣＣＤカメラなどの撮像部および画像処理部により構成されている。照合部１３００は、第１検査部１１００および第２検査部１２００の検査結果に基づいて、上述した照合工程を行うものであり、例えばコンピュータにより構成されている。
第３検査・修正部１４００は、上述した第３検査工程と修正工程とを同一装置内で行うものである。修正手順選択部１５００は、上述した修正手順選択工程を行うものであり、例えばコンピュータにより構成されている。データベース１６００は、例えば、上述した修正手順Ａ１，Ｂ１として断線手順および結線手順を蓄積している。
図１６は、第３検査・修正部１４００の構成を表したものである。第３検査・修正部１４００は、例えば、致命欠陥１８１を観察するための光学系１４１０と、光学系１４１０および基体１１を相対的に移動させる移動機構１４２０と、致命欠陥１８１を修正するための修正機構１４３０とを備えている。光学系１４１０は、例えば対物レンズ１４１１を含んでいる。移動機構１４２０は、例えばＸ−Ｙステージにより構成されている。
修正機構１４３０は、例えば、移動機構１４２０上の基体１１と対物レンズ１４１１との間に設けられた局所修正部１４３１を有している。局所修正部１４３１は、対物レンズ１４１１の下方に窓１４３１Ａを有しており、この窓１４３１Ａから致命欠陥１８１を観察して第３検査工程を行い、あるいはレーザ光ＬＢを照射して修正工程を行うことができるようになっている。
修正機構１４３０は、また、レーザ加工のためのパルスレーザ光源１４３２と、レーザＣＶＤ法のためのＣＷ（Continuous Wave ）レーザ光源１４３３と、レーザＣＶＤ法のためのガスを供給する成膜材料供給系１４３４と、圧縮ガス供給系１４３５と、圧縮ガス排気系１４３６と、パージガス供給系１４３７とを有している。成膜材料供給系１４３４は、金属粒子塗布法のための塗布液を供給するようになっていてもよい。圧縮ガス供給系１４３５は、窒素（Ｎ2 ）などの圧縮ガスＧ１を用いて局所修正部１４３１を浮上させるものである。圧縮ガス排気系１４３６は、圧縮ガスＧ１を排気することにより、局所修正部１４３１と基体１１との間にバネ定数の極めて大きなバネを形成し、局所修正部１４３１の浮上量Ｄの変動を抑えて浮上の剛性を高めるものである。パージガス供給系１４３７は、レーザ加工により除去された配線材料などが窓１４３１Ａに付着することを抑えるため、アルゴン（Ａｒ）ガスなどのパージガスＧ２を窓１４３１Ａに吹きつけるものである。
局所修正部１４３１の底面には、図１７に示したように、例えば窒素（Ｎ2 ）などの圧縮ガスＧ１を吹き出すための多孔質アルミニウムよりなる通気部１４３１Ｂと、レーザ光ＬＢの照射位置付近へ流入する圧縮ガスＧ１を排気するための圧縮ガス吸引口１４３１Ｃとが同心環状に設けられている。通気部１４３１Ｂは、圧縮ガスＧ１により局所修正部１４３１を基体１１に対して浮上させるものである。圧縮ガス吸引口１４３１Ｃは、圧縮ガスＧ１を吸引し、圧縮ガス排気系１４３６により排気させるためのものである。
この基板製造システム１０００では、まず、第１検査部１１００における第１検査工程および第２検査部１２００における第２検査工程を経て、照合部１３００における照合工程まで完了した基体１１が、第３検査・修正部１４００に搬入され、移動機構１４２０に載置される。なお、第１検査工程および第２検査工程にて修正不可能と判定された場合、その基体１１は第３検査・修正部１４００には搬入されない。
次いで、第３検査・修正部１４００に搬入された基体１１について、照合工程で特定された致命欠陥１８１が自動的に選択され、その致命欠陥１８１が光学系１４１０の光学視野内に入るように、移動機構１４２０により、基体１１が光学系１４１０すなわち対物レンズ１４１１に対して相対的に移動される。
続いて、第３検査工程において致命欠陥１８１の画素内相対位置（Ｘ１８１，Ｙ１８１）および有効範囲Ｚが光学検査により調べられ、その結果に基づいて、修正手順選択部１５００により修正手順Ａ１，Ｂ１のいずれかがデータベース１６００から読み出される。
そののち、パルスレーザ光源１４３２またはＣＷレーザ光源１４３３からのレーザ光ＬＢの照射位置が、読み出された修正手順Ａ１，Ｂ１に適した位置となるように、移動機構１４２０により基体１１が移動され、レーザ加工法またはレーザＣＶＤ法により致命欠陥１８１が修正される。
第３検査・修正部１４００では、第３検査工程および修正工程を行う前に、局所修正部１４３１を予め浮上させておくことが好ましい。局所修正部１４３１が基体１１に接触して損傷を与えることを抑制することができるからである。局所修正部１４３１を浮上させるには、例えば、圧縮ガス供給系１４３５から圧縮ガスＧ１として例えば圧力０．２ＭＰａの圧縮窒素を供給し、この圧縮ガスＧ１を通気部１４３１Ｂを介して基体１１に向けて吹き出させる。
また、パージガス供給機構１４３７により、窓１４３１Ａに、パージガスＧ２として例えば２００ｃｃｍの窒素ガスを吹き付けておくことが好ましい。
更に、圧縮ガスＧ１およびパージガスＧ２の供給を開始したのち、圧縮ガス排気系１４３６により排気を開始と共に、弁１４３６Ａにより圧縮ガスＧ１の圧力または流量を制御し、局所修正部１４３１の浮上量Ｄを例えば１０μｍとなるべく小さくすることが好ましい。局所修正部１４３１と基体１１との間にバネ定数の極めて大きなバネを形成し、局所修正部１４３１の浮上量Ｄの変動を抑えて浮上の剛性を高めることができるからである。
このように本実施の形態では、第１検査工程の電気検査と第２検査工程の光学検査との結果を照合工程において照合し、電気的に短絡または断線している致命欠陥１８１を特定するようにしたので、信号配線１２０Ａ，走査配線１３０Ａまたは電源電位供給配線１５０Ａの電気的な不良となってしまう致命欠陥１８１のみを自動的かつ的確に抽出することができる。また、第３検査工程において、致命欠陥１８１の画素内相対位置（Ｘ１８１，Ｙ１８１）および有効範囲Ｚを光学検査により調べるようにしたので、従来のように欠陥の相対位置のみを考慮する場合に比べて、より最適な修正手順を選択することが可能となる。よって、信号配線１２０Ａ，走査配線１３０Ａまたは電源電位供給配線１５０Ａの欠陥修正のタクトタイムを短縮することができる。
特に、修正手順Ａ１，Ｂ１の選択を、第３検査工程の結果および致命欠陥１８１を含む画素の下層配線情報に基づいて行うようにしたので、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に下層配線である走査配線１３０Ａが存在する場合、致命欠陥１８１の修正のためレーザ照射などを行って走査配線１３０Ａが損傷してしまうのを抑えることができる。
また、特に、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在すると判別された場合には、修正手順Ａ１として少なくとも結線手順を読み出すようにしたので、レーザ照射により下層の走査配線１３０Ａを損傷せずに致命欠陥１８１のみを切断するという困難な作業を行う必要をなくすことができる。
なお、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内における走査配線１３０Ａの有無とは無関係に、修正手順を選択することも可能である。以下、そのような変形例１，２について説明する。
（変形例１）
図１８は、本発明の変形例１の修正手順を説明するためのものである。この変形例１は、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在しないと判別された場合にも、走査配線１３０Ａが存在する場合の修正手順Ａ１と同様に、断線手順および結線手順を両方読み出すようにしたものである。すなわち、まず、致命欠陥１８１を含む画素外において、電源電位供給配線１５０Ａに切断部１８１Ａを形成する。次いで、画素駆動回路１４０の上にパシベーション膜（図示せず）を形成し、このパシベーション膜上に、切断部１８１Ａの両端を結線部１８１Ｂにより結線する。パシベーション膜には、予め、エッチングなどにより、電源電位供給配線１５０Ａと結線部１８１Ｂとの接続孔を形成しておく必要がある。
図１８は、本発明の変形例１の修正手順を説明するためのものである。この変形例１は、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在しないと判別された場合にも、走査配線１３０Ａが存在する場合の修正手順Ａ１と同様に、断線手順および結線手順を両方読み出すようにしたものである。すなわち、まず、致命欠陥１８１を含む画素外において、電源電位供給配線１５０Ａに切断部１８１Ａを形成する。次いで、画素駆動回路１４０の上にパシベーション膜（図示せず）を形成し、このパシベーション膜上に、切断部１８１Ａの両端を結線部１８１Ｂにより結線する。パシベーション膜には、予め、エッチングなどにより、電源電位供給配線１５０Ａと結線部１８１Ｂとの接続孔を形成しておく必要がある。
このように変形例１では、修正手順Ａ１，Ｂ１を分ける必要をなくし、電気短絡モード一種類に対して修正手順を一つにすることができ、修正手順の選択失敗の発生をなくすことができる。その反面、致命欠陥１８１を含む画素の電源電位供給配線１５０Ａを切断するため、その画素の駆動トランジスタＴｒ２が正常に駆動しなくなり点欠陥の発生を招くおそれがある。また、画素外を結線部１８１Ｂで結線するため、結線部１８１Ｂの結線距離が長くなり、タクトタイムの短縮が難しいという問題もある。
（変形例２）
図１９は、変形例２に係る修正手順を説明するためのものである。この変形例２は、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在すると判別された場合にも、走査配線１３０Ａが存在しない場合の修正手順Ｂ１と同様に、断線手順のみを読み出し、レーザ照射により切断部１８１Ａを形成して、致命欠陥１８１を修正するようにしたものである。この場合、走査配線１３０Ａを損傷することなく致命欠陥１８１を修正するためには、１０ｐｓｅｃ以下の短パルス幅レーザを用いることが必要である。金属材料の熱拡散距離を０．１μｍ以下に抑えるためには、パルス幅を１０ｐｓｅｃ以下にする必要があるからである。
図１９は、変形例２に係る修正手順を説明するためのものである。この変形例２は、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在すると判別された場合にも、走査配線１３０Ａが存在しない場合の修正手順Ｂ１と同様に、断線手順のみを読み出し、レーザ照射により切断部１８１Ａを形成して、致命欠陥１８１を修正するようにしたものである。この場合、走査配線１３０Ａを損傷することなく致命欠陥１８１を修正するためには、１０ｐｓｅｃ以下の短パルス幅レーザを用いることが必要である。金属材料の熱拡散距離を０．１μｍ以下に抑えるためには、パルス幅を１０ｐｓｅｃ以下にする必要があるからである。
このように変形例２では、修正手順Ａ１，Ｂ１を分ける必要をなくし、電気短絡モード一種類に対して修正手順を一つにすることができ、修正手順の選択失敗の発生をなくすことができる。また、致命欠陥１８１の有効範囲Ｚ内に走査配線１３０Ａが存在すると判別された場合にも、レーザ加工により致命欠陥１８１を修正することができるので、タクトタイムを大幅に短縮することができる。
（第２の実施の形態）
図２０および図２１は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するためのものである。この製造方法は、上記第１の実施の形態の照合工程に代えて、不良配線パターン１６１に対する欠陥の相対位置と、欠陥の種類および大きさのうち少なくとも一つとをそれぞれ点数化することにより、致命欠陥１８１を特定する、点数化照合工程を行うようにしたことを除いては、第１の実施の形態で説明した製造方法と同一である。よって、同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。
図２０および図２１は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の製造方法を説明するためのものである。この製造方法は、上記第１の実施の形態の照合工程に代えて、不良配線パターン１６１に対する欠陥の相対位置と、欠陥の種類および大きさのうち少なくとも一つとをそれぞれ点数化することにより、致命欠陥１８１を特定する、点数化照合工程を行うようにしたことを除いては、第１の実施の形態で説明した製造方法と同一である。よって、同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。
まず、第１の実施の形態と同様にして、配線パターン形成段階を行ったのち、検査段階に入り、第１検査工程および第２検査工程を行う。
（点数化照合工程）
次いで、点数化照合工程では、不良配線パターン１６１に対する欠陥の相対位置と、欠陥の種類および大きさのうち少なくとも一つとをそれぞれ点数化することにより、致命欠陥１８１を特定する。これにより、本実施の形態では、致命欠陥１８１の位置特定成功率を著しく向上させることができる。
次いで、点数化照合工程では、不良配線パターン１６１に対する欠陥の相対位置と、欠陥の種類および大きさのうち少なくとも一つとをそれぞれ点数化することにより、致命欠陥１８１を特定する。これにより、本実施の形態では、致命欠陥１８１の位置特定成功率を著しく向上させることができる。
すなわち、第１検査工程で特定された不良配線パターン１６１の近傍に、第２検査工程で複数の欠陥が検出された場合、不良配線パターン１６１から最も近い距離に検出された欠陥を致命欠陥１８１と特定する場合には、特定成功率が低下するおそれがある。なぜなら、電気的な不良になりえない大きさの欠陥が、不良配線パターン１６１の近傍に検出される可能性があるからである。
そこで、まず、例えば図２０に示したように、不良配線パターン１６１から所定範囲内、例えば１００μｍ以内に位置する複数の欠陥１７１Ａ〜１７１Ｃを抽出する。
次いで、図２１に示したように、各欠陥１７１Ａ〜１７１Ｃについて、不良配線パターン１６１に対する相対位置と、欠陥１７１Ａ〜１７１Ｃの種類および大きさとをそれぞれ点数化する。その際、例えば、図２２に一例を示した対応テーブルを参照し、相対位置は、第２検査工程で調べた欠陥１７１Ａ〜１７１Ｃの、基体１１上の原点（０，０）からのＸ座標に基づいて、例えば、不良配線パターン１６１からの相対距離Ｘ＝５μｍなら１００点、４０μｍなら４０点とする。種類は、第２検査工程で調べた欠陥１７１Ａ〜１７１Ｃの反射率Ｒに基づいて、例えば、Ｒ＝１００％なら１００点、Ｒ＝２０％なら２０点とする。大きさは、第２検査工程で調べた欠陥１７１Ａ〜１７１Ｃの面積Ｄに基づいて、例えば、４００μｍ2 より大きいなら１００点、１０μｍ2 以下なら０点とする。なお、欠陥の大きさが１０μｍ2 以下の場合、電気的な不良を引き起こすおそれはほとんどない。これら相対距離Ｘ，反射率Ｒ，面積Ｄの点数の総合点Ｔを求めることにより、致命欠陥１８１を確実に特定することができる。
点数化照合工程を行ったのち、第１の実施の形態と同様にして欠陥修正段階および表示素子形成段階を行う。
このように本実施の形態では、不良配線パターン１６１に対する欠陥の相対位置と、欠陥の種類および大きさのうち少なくとも一つとをそれぞれ点数化することにより、致命欠陥１８１を特定するようにしたので、致命欠陥１８１の位置特定成功率を著しく向上させることができる。
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した各実施の形態で説明した方法により製造された表示装置の適用例について説明する。上記各実施の形態の方法により製造された表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
以下、上述した各実施の形態で説明した方法により製造された表示装置の適用例について説明する。上記各実施の形態の方法により製造された表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
（モジュール）
上記各実施の形態の方法により製造された表示装置は、例えば、図２３に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、被転写基板１１の一辺に、封止用基板３０および接着層２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
上記各実施の形態の方法により製造された表示装置は、例えば、図２３に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、被転写基板１１の一辺に、封止用基板３０および接着層２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
（適用例１）
図２４は、上記各実施の形態の方法により製造された表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る方法により製造された表示装置により構成されている。
図２４は、上記各実施の形態の方法により製造された表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る方法により製造された表示装置により構成されている。
（適用例２）
図２５は、上記各実施の形態の方法により製造された表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る方法により製造された表示装置により構成されている。
図２５は、上記各実施の形態の方法により製造された表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る方法により製造された表示装置により構成されている。
（適用例３）
図２６は、上記各実施の形態の方法により製造された表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る方法により製造された表示装置により構成されている。
図２６は、上記各実施の形態の方法により製造された表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る方法により製造された表示装置により構成されている。
（適用例４）
図２７は、上記各実施の形態の方法により製造された表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る方法により製造された表示装置により構成されている。
図２７は、上記各実施の形態の方法により製造された表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る方法により製造された表示装置により構成されている。
（適用例５）
図２８は、上記各実施の形態の方法により製造された表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る方法により製造された表示装置により構成されている。
図２８は、上記各実施の形態の方法により製造された表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る方法により製造された表示装置により構成されている。
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、本発明の表示装置の製造方法を、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを用いた有機発光表示装置に適用した場合について説明したが、本発明は、液晶表示装置など他の平面表示装置に広く適用することができる。
また、例えば、上記実施の形態では、第３検査・修正部１４００の構成を具体的に挙げて説明したが、第３検査・修正部の構成は上記実施の形態に限られない。例えば、上記実施の形態では、移動機構１４２０により、基体１１を光学系１４１０に対して移動させる場合について説明したが、光学系１４１０を基体１１に対して移動させるようにしてもよく、あるいは両方を移動させるようにしてもよい。
加えて、例えば、上記実施の形態では、局所修正部１４３１を圧縮ガスＧ１を用いて浮上させる場合について説明したが、浮上方式は圧縮ガスＧ１による静圧浮上方式に限定されない。また、局所修正部１４３１は、例えば支柱等に固定されていてもよい。
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基体、１１０…表示領域、１２０Ａ…信号配線、１３０Ａ…走査配線、１４０…画素駆動回路、１５０Ａ…電源電位供給配線、１６１…不良配線パターン、１７１〜１７４…欠陥、１８１…致命欠陥
Claims (10)
- 基体上に複数の配線パターンが形成された基板の製造方法であって、
前記複数の配線パターンの電気検査により、電気的な短絡または断線を調べる第１検査工程と、
光学検査により、前記基体上における欠陥の位置を調べると共に、少なくとも欠陥の種類および大きさのうち一つを調べる第２検査工程と、
前記第１検査工程および前記第２検査工程の結果を照合し、電気的に短絡または断線している致命欠陥を特定する照合工程と、
前記致命欠陥について、画素内における相対位置および有効範囲を光学検査により調べる第３検査工程と、
前記第３検査工程の結果および前記致命欠陥を含む画素の下層配線情報に基づいて修正手順を選択する修正手順選択工程と
を含む基板の製造方法。 - 前記修正手順選択工程を行ったのちに、前記致命欠陥を修正する修正工程を含む
請求項１記載の基板の製造方法。 - 前記修正手順選択工程において、レーザ照射による断線手順、およびレーザＣＶＤ法または金属粒子塗布法による結線手順を予めデータベースに蓄積しておき、前記断線手順および前記結線手順のうち少なくとも一方を前記データベースから選択的に読み出す
請求項１記載の基板の製造方法。 - 前記修正手順選択工程において、前記致命欠陥の有効範囲内に下層配線が存在するか否かを判断し、前記下層配線が存在する場合には前記データベースから少なくとも前記結線手順を読み出す
請求項３記載の基板の製造方法。 - 前記照合工程において、電気的な短絡または断線が存在する不良配線パターンに対する前記欠陥の相対位置を点数化すると共に、少なくとも前記欠陥の種類および大きさのうち一つを点数化する
請求項１記載の基板の製造方法。 - 基体上に複数の配線パターンが形成された基板を製造する基板製造システムであって、
前記複数の配線パターンの電気検査により、電気的な短絡または断線を調べる第１検査部と、
光学検査により、前記基体上における欠陥の位置を調べると共に、少なくとも欠陥の種類および大きさのうち一つを調べる第２検査部と、
前記第１検査部および前記第２検査部の結果を照合し、電気的に短絡または断線している致命欠陥を特定する照合部と、
前記致命欠陥について、画素内における相対位置および有効範囲を光学検査により調べる第３検査部と、
前記第３検査部の結果および前記致命欠陥を含む画素の下層配線情報に基づいて修正手順を選択する修正手順選択部と
を備えた基板製造システム。 - 前記第３検査部は、前記致命欠陥を観察するための光学系と、前記光学系および前記基体を相対的に移動させる移動機構と、前記致命欠陥を修正するための修正機構とを備えた
請求項６記載の基板製造システム。 - 前記照合部は、電気的な短絡または断線が存在する不良配線パターンに対する前記欠陥の相対位置を点数化すると共に、少なくとも前記欠陥の種類および大きさのうち一つを点数化する
請求項６または７記載の基板製造システム。 - 基体上に複数の配線パターンが形成された基板に、表示素子を形成する表示装置の製造方法であって、
前記複数の配線パターンの電気検査により、電気的な短絡または断線を調べる第１検査工程と、
光学検査により、前記基体上における欠陥の位置を調べると共に、少なくとも欠陥の種類および大きさのうち一つを調べる第２検査工程と、
前記第１検査工程および前記第２検査工程の結果を照合し、電気的に短絡または断線している致命欠陥を特定する照合工程と、
前記致命欠陥について、画素内における相対位置および有効範囲を光学検査により調べる第３検査工程と、
前記第３検査工程の結果および前記致命欠陥を含む画素の下層配線情報に基づいて修正手順を選択する修正手順選択工程と
前記修正手順選択工程を行ったのちに前記致命欠陥を修正する修正工程と、
前記致命欠陥が修正された基板に表示素子を形成する表示素子形成工程と
を含む表示装置の製造方法。 - 前記照合工程において、電気的な短絡または断線が存在する不良配線パターンに対する前記欠陥の相対位置を点数化すると共に、少なくとも前記欠陥の種類および大きさのうち一つを点数化する
請求項９記載の表示装置の製造方法。
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