JP2024056656A - 表示パネルの製造方法及び製造設備 - Google Patents

Abstract

【課題】フォトグラフィ工程のエラーを修正することができる表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】前記製造方法は、下部層における加工(リペア)対象領域を検出するステップと、上部層における前記加工対象領域に重畳する領域を除去するステップと、前記下部層における前記加工対象領域にレーザビームを照射することで、前記加工対象領域にて所定の下部パターンを形成するステップと、前記上部層における前記除去された領域に補償パターンを形成するステップと、を含む。【選択図】図５ｃ

Description

本発明は表示パネルの製造方法及び製造設備に関し、レーザパターニング工程を含む表示パネルの製造方法及びレーザモジュールを含む製造設備に関する。

表示装置は、複数個の画素と、複数個の画素を制御する駆動回路（例えば、スキャン駆動回路及びデータ駆動回路）とを含む。複数個の画素それぞれは、表示素子と、表示素子を制御する画素の駆動回路とを含む。画素の駆動回路は有機的に連結される複数個のトランジスタを含む。

画素の駆動回路は複数回の蒸着工程と複数回のフォトリソグラフィ工程によって形成される。

米国特許登録第9772533号公報 韓国特許登録第10-1996656号公報 韓国特許登録第10-1792087号公報

本発明の目的は、フォトグラフィ工程のエラーを修正することができる表示パネルの製造方法を提供することである。

本発明は、前記表示パネルの製造方法に利用される製造設備を提供することに関する。

本発明の一実施例による表示パネルの製造方法は、下部層の加工対象領域を検出するステップと、前記下部層の上に配置される上部層における、前記加工対象領域に重畳する(重なり合う)領域を除去するステップと、前記下部層の上に配置される絶縁層における、前記加工対象領域に重畳する領域を除去するステップと、前記下部層の前記加工対象領域にレーザビームを照射して前記加工対象領域から下部パターンを形成するステップと、前記絶縁層における前記除去された領域に、絶縁パターンを形成するステップと、前記上部層における前記除去された領域に補償パターンを形成するステップと、を含む。前記下部層は半導体物質または導電性物質を含み、前記上部層は導電性物質を含むのでありうる。

前記下部層は前記半導体物質を含み、前記下部パターンはトランジスタのチャネル領域を含むのでありうる。前記補償パターンは前記トランジスタのゲート電極を含みうる。

前記下部パターンは、平面上において屈曲した形状を有しうる。

前記絶縁パターンは、前記絶縁層と実質的に同じ厚さを有しうる。

前記絶縁パターンは、前記絶縁層と実質的に同じ材料を含みうる。

前記補償パターンは、前記上部層より電気伝導性が大きい物質を含みうる。

前記補償パターンは、スキャンラインの一部分を構成しうる。

前記スキャンラインの線幅は、３μｍ以下でありうる。

前記絶縁パターンを形成するステップは、前記絶縁層の前記除去された領域に絶縁インクを提供するステップと、前記絶縁インクを硬化させるステップと、を含みうる。

前記絶縁インクは、ＥＨＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｈｙｄｒｏｄｙｎａｍｉｃ；電気流体力学）絶縁インクノズルから提供されうる。

前記ＥＨＤ絶縁インクノズルは、前記絶縁層から約５μｍ以上離隔されうる。

前記絶縁インクは、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコン(酸化・窒化シリコン；SiOxNy)を含みうる。

前記補償パターンを形成するステップは、前記上部層の前記除去された領域に金属インクを提供するステップと、前記金属インクを硬化させるステップと、を含みうる。

前記金属インクは、ＥＨＤ金属インクノズルから提供されうる。

前記ＥＨＤ金属インクノズルは、前記上部層から約５μｍ以上離隔されうる。

前記金属インクは銀を含みうる。

本発明の一実施例による表示パネルの製造設備は、ボディ部と、前記ボディ部に結合されるカメラモジュールと、前記ボディ部に結合されるレーザモジュールと、前記ボディ部に結合される硬化モジュールと、絶縁インクを提供するＥＨＤ絶縁インクノズルと、金属インクを提供するＥＨＤ金属インクノズルと、を含みうる。前記ＥＨＤ絶縁インクノズルは、作業基板に対して３０°乃至６０°だけ傾くようにして前記ボディ部に結合されうるのであり、前記ＥＨＤ金属インクノズルは、前記作業基板に対して３０°乃至６０°だけ傾くようにして前記ボディ部に結合されうる。

前記作業基板に対する、前記ＥＨＤ絶縁インクノズルの勾配と、前記ＥＨＤ金属インクノズルの勾配とは同じでありうる。

前記作業基板の上から眺める際、前記硬化モジュールは、前記ＥＨＤ絶縁インクノズルと前記ＥＨＤ金属インクノズルとの間に配置されうる。

本発明の一実施例による表示パネルの製造設備は、第１方向に移動可能なガントリーを更に含み、前記ボディ部は、前記第１方向と直交する第２方向に移動可能なように前記ガントリーに結合されるのでありうる。

上述したところによると、フォトリソグラフィ工程にて、設計された形状にパターニングされなかった、下部層の一部の領域に対して、後続の工程にて加工を行うことができる。加工対象の領域にてレーザパターニングを行うことで、設計された形状を有する半導体パターンまたは導電性パターンを形成することができる。

多様なモジュールが一体化された製造設備は、表示パネルの製造時間を短縮しうる。

本発明の一実施例による表示パネルの平面図である。 本発明の一実施例による画素の等価回路図である。 本発明の一実施例による画素に対応する表示パネルの断面図である。 本発明の一実施例による画素の平面図である。 本発明の一実施例による画素に含まれるパターンの積層順による平面図である。 本発明の一実施例による画素に含まれるパターンの積層順による平面図である。 加工対象領域を含む下部層の平面図である。 本発明の一実施例による製造設備を示す平面図である。 本発明の一実施例による製造設備のヘッド組立体を示す図である。 本発明の一実施例による製造設備のヘッド組立体を示す図である。 本発明の一実施例による製造設備のヘッド組立体を示す図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す図である。

本明細書において、ある構成要素（または領域、層、部分など）が他の構成要素の「上にある」、「結合される」、または「結合される」と言及されれば、それは他の構成要素の上に直接配置・連結・結合され得るか、またはそれらの間に第３の構成要素が配置され得ることを意味する。

同じ図面符号は同じ構成要素を指す。また、図面において、構成要素の厚さ、割合、及び寸法は、技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。「及び／または」は、関連する構成要素から定義しる一つ以上の組み合わせを全て含む。

第１、第２などの用語は、多様な構成要素を説明するのに使用されるが、前記構成要素は前記用語に限られない。前記用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないのでありながらも第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、類似した具合に、第２構成要素も第１構成要素と命名されてもよい。単数の表面は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。

また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成要素の連関関係を説明するために使用される。前記用語は、相対的な概念であって、図面に示した方向を基準に説明される。

「含む」または「有する」などの用語は、明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。

異なるように定義されない限り、本明細書で使用された全ての用語（技術的及び科学的用語を含む）は、本発明の属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるようなものと同じ意味を有する。また、一般的に使用される辞書で定義された用語といった用語は、関連技術の脈絡で有する意味と一致する意味を有すると解釈すべきであって、ここで明示的に定義されない限り、過度に理想的であるか形式的であるような意味に解釈してはならない。

以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。

図１は、本発明の一実施例による表示パネルＤＰの平面図である。

図１を参照すると、表示パネルＤＰは電気的信号によって活性化される装置である。表示パネルＤＰはテレビといった大型電子装置をはじめ、モニタ、ノートパソコン、携帯電話といった中小型電子装置などに使用されてもよい。

表示パネルＤＰは、互いに直交する第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２とが定義する平面に対して平行である、表示面ＩＳを通じて映像を表示する。本実施例では、表示面ＩＳの法線方向である第３方向ＤＲ３を基準に、各部材の前面（または上面）と背面（または下面）が定義される。前面と背面とは、第３方向ＤＲ３にて互いに向き合う。

表示装置ＤＤは、映像が表示される表示領域ＤＡと、映像が表示されない非表示領域ＮＤＡとを含む。表示領域ＤＡには画素ＰＸが配置され、非表示領域ＮＤＡには画素ＰＸが配置されない。

図２は、本発明の一実施例による画素ＰＸの等価回路図である。

画素ＰＸは発光素子ＬＤと画素回路ＣＣとを含む。画素回路ＣＣは、第１乃至第７トランジスタＴ１乃至Ｔ７とキャパシタＣＰとを含む。画素回路ＣＣはデータ信号に対応して発光素子ＬＤに流れる電流量を制御する。発光素子ＬＤは、画素回路ＣＣから提供される電流量に対応して所定の輝度で発光する。

第１乃至第７トランジスタＴ１乃至Ｔ７のそれぞれは、ソースと、ドレインと、チャネルと、ゲートとを含む。ソース、ドレイン、及びチャネルのそれぞれは、半導体パターンの互いに異なる領域で具現される。本実施例において、第１乃至第７トランジスタＴ１乃至Ｔ７は、それぞれＰ型のトランジスタであると説明される。但し、これに限られず、第１乃至第７トランジスタＴ１乃至Ｔ７のうちの少なくとも一部は、Ｎ型のトランジスタであってもよい。Ｐ型のトランジスタのソース及びドレインは、Ｎ型のトランジスタのソース及びドレインに、それぞれ対応する。

第１トランジスタＴ１のソースは、第５トランジスタＴ５を経由して第１電圧ラインＷＬ１に電気的に連結され、第１トランジスタＴ１のドレインは第６トランジスタＴ６を経由して発光素子ＬＤのアノードに電気的に連結される。第１トランジスタＴ１は駆動トランジスタと称される。第１トランジスタＴ１は、ゲートに印加される電圧に対応して、発光素子ＬＤに流れる電流量を制御する。第１トランジスタＴ１のゲートは、基準ノードＮＤであると説明される。

第２トランジスタＴ２は、データラインＤＬと第１トランジスタＴ１との間に電気的に連結される。そして、第２トランジスタＴ２のゲートはｉ番目のスキャンラインＳＬｉに電気的に連結される。第３トランジスタＴ３はスイッチ型トランジスタと称される。

第３トランジスタＴ３：Ｔ３－１、Ｔ３－２は、第１トランジスタＴ１のゲートとドレインとの間に連結される。本実施例では、互いに直列に連結される２つの第３トランジスタＴ３－１、Ｔ３－２を例示的に示している。しかし、本発明はこれに限らず、ｎ（ここで、ｎは１以上の自然数）個の第３トランジスタが第１トランジスタＴ１のゲートとドレインとの間に直列に連結されてもよい。第３トランジスタＴ３－１、Ｔ３－２のそれぞれのゲートは、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉに電気的に連結される。

第４トランジスタＴ４：Ｔ４－１、Ｔ４－２は、基準ノードＮＤと第２電圧ラインＶＬ２との間に電気的に接続される。本実施例では、互いに直列に連結される２つの第４トランジスタＴ４－１、Ｔ４－２を例示的に示している。しかし、本発明は、これに限られず、ｎ（ここで、ｎは１以上の自然数）個の第４トランジスタが、基準ノードＮＤと第２電圧ラインＶＬ２との間に電気的に連結されてもよい。第４トランジスタＴ４－１、Ｔ４－２のそれぞれのゲートはｉ－１番目のスキャンラインＳＬｉ－１に電気的に連結される。

第５トランジスタＴ５は、第１電圧ラインＶＬ１と第１トランジスタＴ１のソースとの間に電気的に連結される。第５トランジスタＴ５のゲートは、ｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉに電気的に連結される。第６トランジスタＴ６は、第１トランジスタＴ１のドレインと発光素子ＬＤのアノード電極との間に電気的に連結される。そして、第６トランジスタＴ６のゲートは、ｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉに電気的に連結される。

第７トランジスタＴ７は、第２電圧ラインＶＬ２と発光素子ＬＤのアノード電極との間に電気的に連結される。そして、第７トランジスタＴ７のゲートは、ｉ＋１番目のスキャンラインＳＬｉ＋１に電気的に連結される。キャパシタＣＰは、第１電圧ラインＶＬ１と基準ノードＮＤとの間に配置される。キャパシタＣＰはデータ信号に対応する電圧を保存する。キャパシタＣＰに保存された電圧に応じて、第５トランジスタＴ５及び第６トランジスタＴ６がターンオンされる際に、第１トランジスタＴ１に流れる電流量が決定される。

図３は、本発明の一実施例による画素ＰＸに対応する表示パネルＤＰの断面図である。図４は、本発明の一実施例による画素ＰＸの平面図である。図５ａ及び図５ｂは、本発明の一実施例による、画素に含まれるパターンの積層順による平面図である。図５ｃは、加工対象領域を含む下部層の平面図である。

図３を参照すると、表示パネルＤＰは、ベース層ＢＳと、ベース層ＢＤの上に配置される回路素子層ＤＰ－ＣＬと、表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤと、薄膜封止層ＴＦＥとを含む。回路素子層ＤＰ－ＣＬは、少なくとも複数個の絶縁層と回路素子を含む。以下で説明される絶縁層は、有気層及び／または無機層を含む。絶縁層は蒸着工程によって形成される。

フォトリソグラフィ工程によって、絶縁層のコンタクト孔、半導体パターン、及び導電性パターンが形成される。半導体パターン及び導電性パターンのうちの、同じ層に配置されるパターンは、同じフォトリソグラフィ工程によって形成される。フォトリソグラフィ工程は、蒸着工程と、フォトレジスト層形成工程と、露光工程と、現象工程と、エッチング工程と、フォトレジスト層除去工程とを含む。

ベース層ＢＳは、合成樹脂フィルムを含む。合成樹脂フィルムは熱硬化性樹脂を含む。特に、合成樹脂層はポリイミド系樹脂層であってもよいが、その材料は特に限らない。合成樹脂層は、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリイソプレン、ビニール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、セルロース系樹脂、シロキサン系樹脂、ポリアミド系樹脂、及びペリレン系樹脂のうちの少なくともいずれか一つを含みうる。

ベース層ＢＳの上面に少なくとも一つの無機層を形成する。無機層は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化ジルコニウム、及び酸化ハフニウムのうち少なくとも一つを含む。無機層は多層からなる。多層の無機層は、後述するバリア層ＢＲＬ及び／またはバッファ層ＢＦＬを構成する。バリア層ＢＲＬとバッファ層ＢＦＬは、任意選択的に配置されうる。

バリア層ＢＲＬは、外部から異物が流入されることを防止する。バリアＢＲＬは、酸化シリコン層と窒化シリコン層とを含む。これらは、それぞれ複数個で提供され、酸化シリコン層と窒化シリコン層とは交互に積層される。バッファ層ＢＦＬは、ベース層ＢＳと、半導体パターン及び／または導電性パターンとの間の結合力を向上させる。バッファ層ＢＦＬは、酸化シリコン層と窒化シリコン層とを含みうる。酸化シリコン層と窒化シリコン層とは交互に積層されうる。

バッファ層ＢＦＬの上に半導体パターンＳＣＰが配置されうる。半導体パターンは、非晶質シリコン半導体、結晶質シリコン半導体、または酸化物半導体を含む。図３に示したように、半導体パターンＳＣＰは、第１半導体領域ＡＣ１と、第２半導体領域ＡＣ２とを含む。第１半導体領域ＡＣ１は第１トランジスタＴ１のソース領域Ｓ１と、チャネル領域Ａ１と、ドレイン領域Ｄ１とを含み、第２半導体領域ＡＣ２は第２トランジスタＴ２のソース領域Ｓ２と、チャネル領域Ａ２と、ドレイン領域Ｄ２とを含む。第１半導体領域ＡＣ１と第２半導体領域ＡＣ２は、互いに同じであるか異なる物質を含む。本発明の一実施例において、第１半導体領域ＡＣ１と第２半導体領域ＡＣ２とは、互いに異なる層の上に配置されてもよい。

バッファ層ＢＦＬの上に第１絶縁層１０が配置される。第１絶縁層１０は半導体パターンＳＣＰをカバーする。第１絶縁層１０は有機層または無機層である。後述する第２乃至第６絶縁層２０乃至６０は、有機層または無機層であるが、特に限られない。

第１絶縁層１０の上に第１導電層ＣＬ１が配置される。第１導電層ＣＬ１は複数個の導電性パターンを含む。本実施例において、第１トランジスタＴ１のゲートＧ１及び第２トランジスタＴ２のゲートＧ２を第１導電層ＣＬ１の導電性パターンとして示している。

第１絶縁層１０の上に第１導電層ＣＬ１をカバーする第２絶縁層２０が配置される。第２絶縁層２０の上に第２導電層ＣＬ２が配置される。第２導電層ＣＬ２は複数個の導電性パターンを含む。上部電極ＵＥを第２導電層ＣＬ２の導電性パターンとして示している。上部電極ＵＥは、第１トランジスタＴ１のゲートＧ１に重畳し、開口部ＵＥ－ＯＰが形成される。重畳する上部電極ＵＥと第１トランジスタＴ１のゲートＧ１とは、キャパシタＣＰ（図２を参照）を定義する。

第２絶縁層２０の上に第２導電層ＣＬ２をカバーする第３絶縁層３０が配置される。第３絶縁層３０の上に第３導電層ＣＬ３が配置される。第３導電層ＣＬ３は複数個の導電性パターンを含む。連結電極ＣＮＥ－Ｇ３を第３導電層ＣＬ３の導電性パターンとして示している。一つの連結電極ＣＮＥ－Ｇ３は、第２絶縁層２０及び第３絶縁層３０を貫通するコンタクト孔ＣＨ１０を介して第１トランジスタＴ１のゲートＧ１に連結される。コンタクト孔ＣＨ１０は開口部ＵＥ－ＯＰを通過する。他の一つの連結電極ＣＮＥ－Ｇ３は、第１絶縁層１０、第２絶縁層２０、及び第３絶縁層３０を貫通するコンタクト孔ＣＨ２０を介して第２トランジスタＴ２のソース領域Ｓ２に連結される。

第３絶縁層３０の上に第３導電層ＣＬ３をカバーする第４絶縁層４０が配置される。第４絶縁層４０の上に第４導電層ＣＬ４が配置される。連結電極ＣＮＥ－Ｄ１を第４導電層ＣＬ４の導電性パターンとして示している。連結電極ＣＮＥ－Ｄ１は、第４絶縁層４０が貫通するコンタクト孔ＣＨ１１、ＣＨ２１を介して対応する連結電極ＣＮＥ－Ｇ３にそれぞれ連結される。

第４絶縁層４０の上に第４導電層ＣＬ４をカバーする第５絶縁層５０が配置される。第５絶縁層５０の上に第５導電層ＣＬ５が配置される。データラインＤＬを第５導電層ＣＬ５の一例として示している。データラインＤＬは、第５絶縁層５０を貫通するコンタクト孔ＣＨ２２を介して対応する連結電極ＣＮＥ－Ｄ１に連結される。

第５絶縁層５０の上に第５導電層ＣＬ５をカバーする第６絶縁層６０が配置される。第６絶縁層６０の上に発光素子ＬＤが配置される。発光素子ＬＤの第１電極ＡＥが第６絶縁層６０の上に配置される。第１電極ＡＥはアノードである。第６絶縁層６０の上に画素定義膜ＰＤＬが配置される。

画素定義膜ＰＤＬの開口部ＯＰは第１電極ＡＥの少なくとも一部分を露出する。画素定義膜ＰＤＬの開口部ＯＰは発光領域を定義する。第１電極ＡＥの上に発光層ＥＭＬが配置される。本実施例において、パターニングされた発光層ＥＭＬを例示的に示したが、発光層ＥＭＬは複数の画素ＰＸ（図１を参照）に共通に配置される。共通に配置される発光層ＥＭＬは白色光または青色光を生成する。また、発光層ＥＭＬは多層構造を有する。

図示していないが、正孔輸送層が第１電極ＡＥと発光層ＥＭＬとの間に更に配置される。正孔注入層が正孔輸送層と第１電極ＡＥとの間に更に配置される。正孔輸送層または正孔注入層は複数個の画素ＰＸ（図１を参照）に共通に配置される。発光層ＥＭＬの上に第２電極ＣＥが配置される。図示していないが、電子輸送層が第２電極ＣＥと発光層ＥＭＬとの間に更に配置されてもよい。電子注入層が電子輸送層と第２電極ＣＥとの間に更に配置される。電子輸送層または電子注入層は複数個の画素ＰＸ（図１を参照）に共通に配置される。

第２電極ＣＥの上に薄膜封止層ＴＦＥが配置される。薄膜封止層ＴＦＥは複数個の画素ＰＸ（図１を参照）に共通に配置される。本実施例において、薄膜封止層ＴＦＥは第２電極ＣＥを直接カバーする。本発明の一実施例において、第２電極ＣＥを直接カバーするキャッピング層が更に配置される。薄膜封止層ＴＦＥは少なくとも無機層または有機層を含む。本発明の一実施例において、薄膜封止層ＴＦＥは、２つの無機層と、その間に配置される有機層とを含む。本発明の一実施例において、薄膜封止層ＴＦＥは、交互に積層される複数個の無機層と、複数個の有機層とを含む。

図４を参照すると、画素ＰＸの第１乃至第７トランジスタＴ１乃至Ｔ７が例示的に示されている。また、スキャンラインＳＬｉ－１、ＳＬｉ、ＳＬｉ＋１、発光制御ラインＥＣＬｉ、第１電圧ラインＶＬｉ、第２電圧ラインＶＬ２、及びデータラインＤＬが追加に示されている。複数回の絶縁層蒸着工程と複数回のフォトリソグラフィ工程によって図４に示したレイアウトを有する画素ＰＸが形成される。図５ａ及び図５ｂは、画素ＰＸに対応する領域に一部のフォトリソグラフィ工程が実施された状態を示している。

図５ａを参照すると、ベース層ＢＳ（図３を参照）の上に半導体パターンＳＣＰを形成する。半導体パターンＳＣＰはバッファ層ＢＦＬ（図３を参照）の上に直接形成される。フォトリソグラフィ工程を介して設計された寸法と形状を有する半導体パターンＳＣＰを形成する。半導体パターンＳＣＰは、第１乃至第７トランジスタＴ１乃至第Ｔ７（図２を参照）に対応する第１乃至第７半導体領域ＡＣ１乃至ＡＣ７を含む。

第１乃至第７半導体領域ＡＣ１乃至ＡＣ７のそれぞれは、対応するソース領域Ｓ１乃至Ｓ７と、対応するチャネル領域Ａ１乃至Ａ７と、対応するドレイン領域Ｄ１乃至Ｄ７とを含む。ソース領域Ｓ１乃至Ｓ７及びドレイン領域Ｄ１乃至Ｄ７は、後続の工程によってドーピング濃度が増加するのであって、実質的に伝導性を有する領域である。チャネル領域Ａ１乃至Ａ７は、ドーピング濃度が低い領域であって、ソース領域Ｓ１乃至Ｓ７とドレイン領域Ｄ１乃至Ｄ７との間に配置される。実質的に第１乃至第７トランジスタＴ１乃至Ｔ７のそれぞれのソース及びドレインは、第１乃至第７半導体領域ＡＣ１乃至ＡＣ７のそれぞれのソース領域Ｓ１乃至Ｓ７及びドレイン領域Ｄ１乃至Ｄ７によって定義される。

第１乃至第７半導体領域ＡＣ１乃至ＡＣ７は一体の形状を有する。第１乃至第７半導体領域ＡＣ１乃至ＡＣ７のうちの隣接する半導体領域のソース領域Ｓ１乃至Ｓ７とドレイン領域Ｄ１乃至Ｄ７は互いに区分されない。図５aでは、説明の便宜上、隣接する半導体領域のソース領域Ｓ１乃至Ｓ７とドレイン領域Ｄ１乃至Ｄ７を区分して示している。また、第１乃至第７半導体領域ＡＣ１乃至ＡＣ７のうちの互いに異なる半導体領域のソース領域Ｓ１乃至Ｓ７とドレイン領域Ｄ１乃至Ｄ７との間に信号伝達領域ＳＴＡが配置されると示したが、これに限られない。実質的に信号伝達領域ＳＴＡはソース領域Ｓ１乃至Ｓ７またはドレイン領域Ｄ１乃至Ｄ７と同じドーピング濃度を有する領域である。

図５ｂを参照すると、第１絶縁層１０（図３を参照）の上に第１導電層ＣＬ１の導電性パターンを形成する。バッファ層ＢＦＬ（図３を参照）の上に第１絶縁層１０を形成した後、第１絶縁層１０の上にフォトリソグラフィ工程によって第１導電層ＣＬ１の導電性パターンを形成する。第１導電層ＣＬ１は、第１方向ＤＲ１に延長されるスキャンラインＳＬｉ－１、ＳＬｉ、ＳＬｉ＋１と、発光制御ラインＥＣＬｉと、第１ゲートＧ１とを含む。

半導体パターンＳＣＰに重畳するｉ番目のスキャンラインＳＬｉの一部分が第２トランジスタＴ２のゲートＧ２であり、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉの他の一部分が一つの第３トランジスタＴ３－１のゲートＧ３１であり、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉのさらに他の一部分が他の一つの第３トランジスタＴ３－２のゲートＧ３２である。

図５ｂには、ｉ－１番目のスキャンラインＳＬｉ－１に配置される第４トランジスタＴ４－１、Ｔ４－２のゲートＧ４１、Ｇ４２が示されており、ｉ＋１番目のスキャンラインＳＬｉ＋１に配置される第７トランジスタＴ７のゲートＧ７が示されており、ｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉに配置される第５トランジスタＴ５のゲートＧ５及び第６トランジスタＴ６のゲートＧ６が示されている。

図５ｃは、加工対象領域ＭＴＡを含む半導体パターンＳＣＰを示している。加工対象領域ＭＴＡを含む半導体パターンＳＣＰの上に、第１絶縁層１０（図３を参照）が形成された後、第１絶縁層１０の上に、第１導電層ＣＬ１の導電性パターンが形成されたものである。第１導電層ＣＬ１の導電性パターンが形成された後で、加工対象領域ＭＴＡが検出された状況を例示的に示している。加工対象領域ＭＴＡは、半導体層または金属層が、設計された寸法または形状の通りにパターニングされていないために発生する。加工対象領域ＭＴＡは、図５ａ及び図５ｂのように、第１トランジスタＴ１のソース領域Ｓ１と、チャネル領域Ａ１と、ドレイン領域Ｄ１とを含む第１半導体領域ＡＣ１としてパターニングされるべきであったものの、フォトリソグラフィ工程のエラーに起因して設計通りに半導体層がパターニングされていない箇所である。

このように、下部層の加工対象領域ＭＴＡが、上部層に形成された後で発見されれば、上部層の下側に配置される加工対象領域ＭＴＡに対して後続工程にて加工を施す。この際、上部層の加工が先に行われるべきである。本実施例において、下部層は半導体パターンＳＣＰであると説明され、上部層は第１導電層ＣＬ１であると説明されるが、これに限られない。本発明の一実施例において、下部層は他の導電層である。例えば、図３を参照すると、第４導電層ＣＬ４を形成した後、第３導電層ＣＬ３の加工対象領域、または第２導電層ＣＬ２の加工対象領域が検出されうるのであって、後続工程によって、第３導電層ＣＬ３の加工対象領域、または第２導電層ＣＬ２の加工対象領域に対して加工を行いうる。

図６は、本発明の一実施例による製造設備ＡＭＤを示す平面図である。図７ａ乃至図７ｃは、本発明の一実施例による製造設備ＡＭＤのヘッド組立体(Head assembly; ヘッドアセンブリ)ＨＡを示す図である。

本発明の一実施例によると、表示パネルの製造中に加工対象領域ＭＴＡが発見されれば、作業基板ＷＳを図６の製造設備ＡＭＤに移動させる。または、本発明の一実施例によると、表示パネルの製造中に加工対象領域ＭＴＡを検出するために、作業基板を図６の製造設備ＡＭＤに移動させる。

図６を参照すると、製造設備ＡＭＤは、作業基板ＷＳを支持するステーションＳＴと、第２方向に移動可能なガントリーＧＴＲと、ガントリーＧＴＲに対して第１方向に移動可能なように結合されるヘッド組立体ＨＡとを含む。ガントリーＧＴＲは、移動ガイドＭＧを伝うようにして第２方向ＤＲ２に移動しうる。

作業基板ＷＳは複数個のセル領域ＵＡを含む。複数個のセル領域ＵＡは、製造工程が完了された後に切断されて、それぞれが表示パネルＤＰ（図１を参照）を形成する。複数個のセル領域ＵＡのうちの少なくともいずれか一つから、図５ｃで説明した加工対象領域ＭＴＡが発見されうる。

図７ａ及び図７ｃを参照すると、ヘッド組立体ＨＡは、ボディ部ＢＤと、ボディ部ＢＤに結合されるカメラモジュールＣＭと、ボディ部ＢＤに結合されるレーザモジュールＬＭと、ボディ部ＢＤに結合される硬化モジュールＡＭと、絶縁インクを提供するＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１と、金属インクを提供するＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２とを含む。詳しく示していないが、ボディ部ＢＤは、第３方向ＤＲ３に移動可能に構成される。例えば、ボディ部ＢＤは、第３方向ＤＲ３に移動可能にクレイン構造物によって図６のガントリーＧＴＲに結合される。

ボディ部ＢＤは、ヘッド組立体ＨＡの骨組みをなし、他の構成を固定するフレームを含む。カメラモジュールＣＭは高倍率レンズを含んで図４に示した半導体パターン及び導電性パターンの寸法を確認し、図５ｃに示した加工対象領域ＭＴＡを検出する。

レーザモジュールＬＭは絶縁層、導電性パターン、または半導体パターンの除去に利用される。レーザモジュールＬＭはフェムト秒レーザ装置を含む。硬化モジュールＡＭレーザランプのような光学ランプまたはシンタリングレーザ（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ ｌａｓｅｒ）装置を含む。

ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１は一定周期を有するＥｌｅｃｔｒｉｃ Ｐｕｌｓｅを加えて絶縁インクを塗布する。絶縁インクは酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンを含む。ＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２は一定周期を有するＥｌｅｃｔｒｉｃ Ｐｕｌｓｅを加えて金属インクを塗布する。金属インクは銀を含むが、これに限らない。金属インクは金、白金、銅などを含む。金属インクは上述した金属の粒子と有機バインダを含む。ＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２の内径は約０．５μｍであり、厚さ２μｍ以下の導電性パターンを形成する。

図７ａ及び図７ｃに示したカメラモジュールＣＭ、レーザモジュールＬＭ、硬化モジュールＡＭ、ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１、及びＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２の配置関係は一実施例に過ぎず、特に限らない。平面上から眺めるならば、硬化モジュールＡＭは第１方向ＤＲ１内でＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１とＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２との間に配置される。一つの硬化モジュールＡＭを用いて、絶縁インクと金属インクをいずれも硬化させることができる。

図７ｂを参照すると、ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１は作業基板ＷＳ（図６を参照）に対して３０°乃至６０°傾くようにボディ部ＢＤに結合される。また、ＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２は作業基板ＷＳ（図６を参照）に対して３０°乃至６０°傾くようにボディ部ＢＤに結合される。

ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１またはＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２と作業基板ＷＳ（図６を参照）との間の勾配が３０°より小さければインクがノズルから排出されにくくなる。インクの粘度が高いためノズル内でインクと結合しようとする性質が大きいためである。ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１またはＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２と作業基板ＷＳ（図６を参照）との間の勾配が６０°より大きければ狭い面積にインクを提供することが難しくなる。前記勾配が大きくなるほど作業基板ＷＳに提供されたインクがより広く広がるためである。

本発明の一実施例において、作業基板ＷＳ（図６を参照）に対するＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１の勾配と作業基板ＷＳ（図６を参照）に対するＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２の勾配は同じである。ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１の勾配とＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２の勾配は４５°である。

図８ａ乃至図８ｊは、本発明の一実施例による表示パネルＤＰの製造方法を示す図である。図８ａ乃至図８ｊは図４の画素ＰＸのレイアウトのうち一部を示している。また、図６及び図７ｃを参照して説明したヘッド組立体ＨＡを利用した表示パネルの製造方法を説明する。

図８ａに示したように、加工対象領域ＭＴＡを検出する。カメラモジュールＣＭを利用して図６に示した作用基板ＷＳのセル領域ＵＡを撮影し、加工対象領域ＭＴＡを特定する。セル領域ＵＡのうち一部から加工対象領域ＭＴＡが検出される。

加工対象領域ＭＴＡを検出するステップは表示パネルの製造方法で定義的に実施される。本実施例では図３及び図５ｃで説明した第２絶縁層２０が形成された後に加工対象領域ＭＴＡを検出するステップが行われると説明される。

図８ｂに示したように、ヘッド組立体ＨＡが加工対象領域ＭＴＡの上に整列される。まず、加工対象領域ＭＴＡの上側に配置されている構造物を除去する。レーザモジュールＬＭを利用して加工対象領域ＭＴＡに重畳する第２絶縁層２０の一部領域を除去する。加工対象領域ＭＴＡに対応する領域を基準領域ＲＡと定義する。基準領域ＲＡは加工対象領域ＭＴＡより更に大きい面積を有し、加工対象領域ＭＴＡが基準領域ＲＡの内側に配置されるように基準領域ＲＡが設定される。第２絶縁層２０の基準領域ＲＡ、第１導電層ＣＬ１の基準領域ＲＡ、及び第１絶縁層１０の基準領域ＲＡを順次に除去するか、同時に除去する。第１導電層ＣＬ１の基準領域ＲＡは、第１トランジスタＴ１（図４を参照）のゲートＧ１、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉの一部分、及びｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉの一部分を含む。第２絶縁層２０の基準領域ＲＡ、第１導電層ＣＬ１の基準領域ＲＡ、及び第１絶縁層１０の基準領域ＲＡが除去された平面が図８ｃに示されている。

図８ｄに示したように、加工対象領域ＭＴＡが外部に露出される。ヘッド組立体ＨＡが加工対象領域ＭＴＡの上に整列される。加工対象領域ＭＴＡにレーザビームを照射して、加工対象領域ＭＴＡから下部パターンを形成する。図８ｅに示したように、本実施例において、下部パターンは図５ａの第１半導体領域ＡＣ１である。レーザビームを照射して加工対象領域ＭＴＡから、屈曲した形状の下部パターンを形成する。レーザ加工は屈曲した形状にパターニングするに適合しており、フォトリソグラフィ工程とは異なって狭い面積に小さい線幅のパターンを形成するのに適合している。

図８ｆ及び図８ｇに示したように、第１絶縁層１０の基準領域ＲＡに絶縁パターン１０－１を形成する。ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１は第１絶縁層１０の基準領域ＲＡに絶縁インクを提供する。ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１が絶縁インクの排出を止める際、バッファ層ＢＦＬの上に配置される絶縁インクと、ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１との間に、絶縁インクの液滴（ｄｒｏｐｌｅｔ）が連なることを防止するために、ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１は、第１絶縁層１０から約５μｍ以上に離隔された状態で配置される。つまり、ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１のオフ状態において、バッファ層ＢＦＬの上に配置される絶縁インクが、ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１から離隔されるように、ＥＨＤ絶縁インクノズルＮＺ１を、第１絶縁層１０から所定間隔だけ離隔させる。

次に、硬化モジュールＡＭ（図７ａを参照）は絶縁インクを硬化させる。硬化モジュールＡＭ（図７ａを参照）を絶縁インクが提供された領域にアラインさせるためにヘッド組立体ＨＡが移動される。絶縁パターン１０－１は第１絶縁層１０と実質的に同じ物質を含む。硬化された絶縁パターン１０－１は第１絶縁層１０と実質的に同じ厚さを有する。

図８ｈ及び図８ｉに示したように、第１導電層ＣＬ１の基準領域ＲＡに補償パターンＣＬ１－１を形成する。ＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２は絶縁パターン１０－１の上に金属インクを提供する。ＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２が絶縁インクの排出を止める際、第１絶縁層１０の上に配置される金属インクとＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２との間に金属インクの液滴が続くことを防止するために、ＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２は第１導電層ＣＬ１から約５μｍ以上離隔された状態で配置される。

ＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２は、図８ｂにおいて第１導電層ＣＬ１の除去された部分に対応する領域にのみ金属インクを提供する。よって、下側の絶縁パターン１０－１より狭い領域に金属インクが提供される。

次に、硬化モジュールＡＭ（図７ａを参照）は絶縁パターン１０－１の上に提供された金属インクを硬化させる。補償パターンＣＬ１－１は第１導電層ＣＬ１より電気伝導性が高い物質を含む。第１導電層ＣＬ１と補償パターンＣＬ１－１のコンタクト抵抗を鑑みて低い抵抗を有する補償パターンＣＬ１－１を形成する。

補償パターンＣＬ１－１は、除去された第１トランジスタＴ１のゲートＧ１に対応するゲート電極Ｇ１０と、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉの除去された部分に対応する第１ライン部分ＳＬｉ－Ｐと、ｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉの除去された部分に対応する第２ライン部分ＥＣＬｉ－Ｐとを含む。ｉ番目のスキャンラインＳＬｉとｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉの線幅は３μｍ以下であり、それによって第１ライン部分ＳＬｉ－Ｐと第２ライン部分ＥＣＬｉ－Ｐの線幅も３μｍ以下である。ＥＨＤ金属インクノズルＮＺ２は狭い線幅のパターンを形成するのに適合している。

次に、図８ｊに示したように、第２絶縁層２０の基準領域ＲＡに絶縁パターンを形成する。図８ｆ及び図８ｇを参照して説明した絶縁パターン１０－１の形成方法と実質的に同じである。

次に、フォトリソグラフィ工程と絶縁層の蒸着工程を繰り返して、図３に示した第２導電層ＣＬ２、第３絶縁層３０、第３導電層ＣＬ３、第４絶縁層４０、第４導電層ＣＬ４、第５絶縁層５０、第５導電層ＣＬ５、及び第６絶縁層６０を形成する。また、画素定義膜ＰＤＬ、発光素子ＬＤ、及び薄膜封止層ＴＦＥを形成する。

これまで本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野における熟練した当業者または該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、後述する特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更し得ることを理解できるはずである。

よって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載されている内容に限らず、特許請求の範囲によって決められるべきである。

好ましい一実施形態によると、下記のとおりである。

本件の背景は下記(i)～(v)のとおりである。

(i) 有機発光表示装置(OLED)や液晶表示装置(LCD)において、正常な表示が行われないサブ画素（欠点）が生じることがあり、必要に応じてリペアと呼ばれる局所的な加工が行われていた。

(ii) このような欠点のリペアは、欠点が輝点(常に光っているサブ画素)である場合に、めだたなくするための滅点（黒点）化により行われることもあった。

(iii) また、欠点画素における画素回路中の断線箇所を補修することも行われていた（例えば特許文献１～３）。
例えば、特許文献１の図４ａ～４ｆ及び関連説明箇所([0055]～[0062])によると、次のようなステップを含む方式が提案されている。
・断線箇所の近傍をレーザーで除去してきれいにした後、ベース側の絶縁層を形成しておく。
・次いで、広範囲のレーザー加熱で、断線箇所の両側の配線を溶融させて、互いに融着させる。
・最後に、配線融着箇所を被覆するように保護層を形成する。

(iv) 一方、近年の高精細化・高速応答化などの要求に応えるべく、ベース基板上の最下層の配線層パターンについて、配線及び半導体活性層の両者を形成可能であるポリシリコンなどの材料により形成することが広く行われている。

(v) このようにポリシリコンなどによる最下層の配線・活性層パターンが、フォトマスクを用いた露光及びエッチングなどを含むパターニングの工程により形成された後には、無機材料によるゲート絶縁層(特には下方側にある第１のゲート絶縁層)が形成される。

次いで、ベース側から第２層目の配線層パターンが形成される。この際、ポリシリコンなどによる半導体活性層で形成された線状のパターンに、第２層目の配線層パターンに含まれるゲート電極が重ね合わされる。

このような中で、本件発明者らは、ポリシリコンなどによる最下層の配線・活性層パターンを形成する際に、パターニングが不充分な箇所、すなわち、所定のパターンのとおりに材料除去がされていない箇所が生じる場合があることを見出した。

例えば、第２層目のゲート電極（本願図５ｂの例で、例えば、中央のゲート電極G１）が、その下方の半導体活性層パターンと重ね合わされるにあたり、この半導体活性層パターンが所定の線状のパターン(本願図５ｂの例で、例えば、中央の、Ω字状の屈曲部分）とならず、大きなバルク状のパターン（本願図５ｃの例で、中央の「加工対象領域」MTA）となることがあることを見出した。

そして、さらに検討する中で、このようなパターニング不良箇所(「加工対象領域」MTA)の検出後に、この箇所で、レーザーによる追加のパターニングを含む一連のリペア工程を行えば良いことを確かめた。

より具体的には、好ましい一実施形態によると、下記Ａ１～Ａ６のとおりとすることができる。また、さらに下記Ａ７～Ａ１０のとおりとすることができる。

Ａ１ 第２層目の配線層パターンを形成した後、特には、第２層目の配線層パターン(図５ｂの斜線部)を覆う絶縁層（第２絶縁層20；図３及び８ｂ）を形成した後、カメラモジュールＣＭを用いて、最下層の配線・活性層パターン中における、リペアすべき箇所（「加工対象領域」MTA）を検出する。

Ａ２ この後、レーザー照射により、リペアすべき箇所（「加工対象領域」MTA）の全体を含む領域にわたって、最下層の配線・活性層パターンを覆う絶縁層(第１絶縁層10及び第２絶縁層20)、及び導電層（第２層目の配線層パターン）を除去する。

例えば、図５ｃの中央に示すようなバルク状の配線・活性層パターンが形成されている場合に、この箇所の全体が含まれる矩形状の領域にて、配線・活性層パターンを覆う絶縁層及び導電層を除去する。
（図８ａ～８ｄ）

Ａ３ 次いで、リペアすべき箇所（「加工対象領域」MTA）にて、最下層の配線・活性層パターン（図示の例でバルク状パターン）について、レーザーにより所定の箇所以外を除去することにより、設計通りの形状（図８ｅの中央に示すΩ字状の形状）となるようにする。

Ａ４ インクジェット方式による無機絶縁材料の塗布、及び、レーザー等による硬化または焼結により、最下層の配線・活性層パターンのリペア箇所を覆う絶縁膜(第１絶縁層10の代替部分)を形成する。（図８ｆ～８ｇ）

Ａ５ インクジェット方式による導電材料の塗布、及び、レーザー等による硬化または焼結により、上記Ａ２にて除去してしまった導電パターン(第１導電層ＣＬ１)を復元する。具体的には、除去した導電層よりも電気導電性が高い材料による追加パターン(補償パターンＣＬ１－１)を形成する。（図８ｈ～８ｉ）

Ａ６ リペアが、第２層目の配線層パターン(図５ｂの斜線部)を覆う絶縁層（第２絶縁層20；図３及び８ｂ）の形成後に行われた場合、上記Ａ２にて除去してしまった上層側の絶縁層(第２絶縁層20)も復元する。すなわち、除去した絶縁層を代替する絶縁層を形成する。（図８ｊ）

Ａ７ 上記Ａ１～Ａ６のリペア工程のためには、ヘッド組立体(ヘッドアセンブリ)ＨＡがガントリークレーン式に保持されて、リペア対象の基板の左右方向（第１方向ＤＲ１）及び手前・奥側方向（第２方向ＤＲ２）に移動自在であるのが望ましい。

Ａ８ ヘッド組立体ＨＡには、リペアすべき箇所の検出のリペア工程の確認などのためのカメラモジュールＣＭと、上記Ａ２～Ａ３でのレーザー除去のためのレーザモジュールＬＭと、上記Ａ４並びにＡ６のための絶縁インクノズルＮＺ１と、上記Ａ５のための金属インクノズルＮＺ２と、上記Ａ４～Ａ６のためのレーザランプまたはシンタリングレーザによる硬化モジュールＡＭとを含む。（図７ｂなど）

Ａ９ 硬化モジュールＡＭの両側に、絶縁インクノズルＮＺ１と、金属インクノズルＮＺ２とが配置され、これらノズルの先端は、硬化モジュールＡＭの直下のリペア加工箇所へと向けられている。

Ａ１０ 絶縁インクノズルＮＺ１及び金属インクノズルＮＺ２は、電気力を用いた電気流体力学(EHD)ジェットプリンティング(Electrohydrodynamic Inkjet printing)技術によりマイクロ/ナノスケール3Dを実現可能なものであって、例えば１μｍ以下といった微小な液滴を生成する。ここでの金属インクには、銀ナノインクなどが使用可能である。

ＳＰＣ：下部層、半導体パターン ＭＴＡ：加工対象領域
ＣＬ１：上部層、第１導電層 ＲＡ：加工対象領域に重畳する領域、基準領域
ＡＣ１：下部パターン １０－１：絶縁パターン
Ｇ１０、ＳＬｉ－１、ＥＣＬｉ－１：補償パターン
ＢＤ：ボディ部 ＣＭ：カメラモジュール
ＬＭ：レーザモジュール ＡＭ：硬化モジュール
ＮＺ１：ＥＨＤ絶縁インクノズル ＮＺ２：ＥＨＤ金属インクノズル
ＷＳ：作業基板 ＧＴＲ：ガントリー

Claims (20)

1. 下部層における加工対象領域を検出するステップと、
   前記下部層の上に配置された上部層における、前記加工対象領域に重畳する領域を除去するステップと、
   前記下部層の上に配置された絶縁層における、前記加工対象領域に重畳する領域を除去するステップと、
   前記下部層における前記加工対象領域にレーザビームを照射することで前記加工対象領域から下部パターンを形成するステップと、
   前記絶縁層における前記除去された領域に絶縁パターンを形成するステップと、
   前記上部層における前記除去された領域に補償パターンを形成するステップと、を含み、
   前記下部層は半導体物質または導電性物質を含み、前記上部層は導電性物質を含む表示パネルの製造方法。
2. 前記下部層は前記半導体物質を含み、前記下部パターンはトランジスタのチャネル領域を含み、
   前記補償パターンは前記トランジスタのゲート電極を含む請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
3. 前記下部パターンは、平面上にて屈曲した形状を有する請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
4. 前記絶縁パターンは、前記絶縁層と実質的に同じ厚さを有する請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
5. 前記絶縁パターンは、前記絶縁層と実質的に同じ材料を含む請求項４に記載の表示パネルの製造方法。
6. 前記補償パターンは、前記上部層よりも電気伝導性が大きい物質を含む請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
7. 前記補償パターンは、スキャンラインの一部分を構成する請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
8. 前記スキャンラインの線幅は、３μｍ以下である請求項７に記載の表示パネルの製造方法。
9. 前記絶縁パターンを形成するステップは、
   前記絶縁層における前記除去された領域に絶縁インクを提供するステップと、
   前記絶縁インクを硬化させるステップと、を含む請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
10. 前記絶縁インクは、ＥＨＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｈｙｄｒｏｄｙｎａｍｉｃ）絶縁インクノズルから提供される請求項９に記載の表示パネルの製造方法。
11. 前記ＥＨＤ絶縁インクノズルは、前記絶縁層から５μｍ以上離隔される請求項１０に記載の表示パネルの製造方法。
12. 前記絶縁インクは、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンを含む請求項９に記載の表示パネルの製造方法。
13. 前記補償パターンを形成するステップは、
    前記上部層における前記除去された領域に金属インクを提供するステップと、
    前記金属インクを硬化させるステップと、を含む請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
14. 前記金属インクは、ＥＨＤ金属インクノズルから提供される請求項１３に記載の表示パネルの製造方法。
15. 前記ＥＨＤ金属インクノズルは、前記上部層から５μｍ以上離隔される請求項１４に記載の表示パネルの製造方法。
16. 前記金属インクは銀を含む請求項１３に記載の表示パネルの製造方法。
17. ボディ部と、
    前記ボディ部に結合されるカメラモジュールと、
    前記ボディ部に結合されるレーザモジュールと、
    前記ボディ部に結合される硬化モジュールと、
    絶縁インクを提供するＥＨＤ絶縁インクノズルと、
    金属インクを提供するＥＨＤ金属インクノズルと、を含み、
    前記ＥＨＤ絶縁インクノズルは作業基板に対して３０°乃至６０°傾くようにして前記ボディ部に結合され、
    前記ＥＨＤ金属インクノズルは前記作業基板に対して３０°乃至６０°傾くようにして前記ボディ部に結合される表示パネルの製造設備。
18. 前記作業基板に対する、前記ＥＨＤ絶縁インクノズルの勾配と、前記ＥＨＤ金属インクノズルの勾配とは同じである請求項１７に記載の表示パネルの製造設備。
19. 前記作業基板の上方から眺めたならば、前記硬化モジュールは、前記ＥＨＤ絶縁インクノズルと前記ＥＨＤ金属インクノズルとの間に配置される請求項１７に記載の表示パネルの製造設備。
20. 第１方向に移動可能なガントリーを更に含み、
    前記ボディ部は前記第１方向と直交する第２方向に移動可能に前記ガントリーに結合される請求項１７に記載の表示パネルの製造設備。