JP2003098547A - アクティブマトリクス型表示装置の基板修正装置、基板修正対象絞り込み方法および基板修正効率向上プログラム - Google Patents
アクティブマトリクス型表示装置の基板修正装置、基板修正対象絞り込み方法および基板修正効率向上プログラムInfo
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- JP2003098547A JP2003098547A JP2001292411A JP2001292411A JP2003098547A JP 2003098547 A JP2003098547 A JP 2003098547A JP 2001292411 A JP2001292411 A JP 2001292411A JP 2001292411 A JP2001292411 A JP 2001292411A JP 2003098547 A JP2003098547 A JP 2003098547A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクティブマトリクス型表示装置の製造途中
で行われる基板修正において、修正箇所をより絞り込ん
で修正効率を向上させる。 【解決手段】 バスライン抵抗装置もしくは電気的特性
検査装置４、および外観検査による欠陥検査装置３な
ど、複数種類の検査装置から欠陥位置データを取得し
て、照合部９にて照合することによって、修正対象をよ
り絞り込んだデータを作成する。バスライン抵抗または
絵素の電気的特性のみによって修正対象を絞り込む従来
技術に比べて、欠陥修正効率を向上させることができ
る。さらに、コンピュータまたはワークステーションに
よって修正対象をより絞り込んだデータを作成し、修正
装置にダウンロードすることによって、従来から用いら
れている修正装置を利用して、表示装置の欠陥修正効率
を向上させることができる。
で行われる基板修正において、修正箇所をより絞り込ん
で修正効率を向上させる。 【解決手段】 バスライン抵抗装置もしくは電気的特性
検査装置４、および外観検査による欠陥検査装置３な
ど、複数種類の検査装置から欠陥位置データを取得し
て、照合部９にて照合することによって、修正対象をよ
り絞り込んだデータを作成する。バスライン抵抗または
絵素の電気的特性のみによって修正対象を絞り込む従来
技術に比べて、欠陥修正効率を向上させることができ
る。さらに、コンピュータまたはワークステーションに
よって修正対象をより絞り込んだデータを作成し、修正
装置にダウンロードすることによって、従来から用いら
れている修正装置を利用して、表示装置の欠陥修正効率
を向上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型表示装置の基板を製造する際に、基板を修正する
ために使用される、アクティブマトリクス型表示装置の
基板修正装置、基板修正対象絞り込み方法および基板修
正効率向上プログラムに関する。
クス型表示装置の基板を製造する際に、基板を修正する
ために使用される、アクティブマトリクス型表示装置の
基板修正装置、基板修正対象絞り込み方法および基板修
正効率向上プログラムに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置等のアクティブマトリクス
型表示装置では、表示媒体を挟んで対向配置される一対
の基板のうちの一方の基板の表面に、複数のデータ信号
線と複数の走査信号線とが互いに交差して設けられ、隣
り合う各データ信号線と各走査信号線とによって囲まれ
る領域のそれぞれに、アクティブ素子とそのアクティブ
素子を介してデータ信号線および走査信号線と接続され
る絵素が配置されている。このアクティブマトリクス型
表示装置の製造において、基板に欠陥が生じた場合に
は、製造途中で修正が行われる。従来から、基板の修正
対象を決定する方法としては、図１３および図１５に示
すような方法が一般的に知られている。
型表示装置では、表示媒体を挟んで対向配置される一対
の基板のうちの一方の基板の表面に、複数のデータ信号
線と複数の走査信号線とが互いに交差して設けられ、隣
り合う各データ信号線と各走査信号線とによって囲まれ
る領域のそれぞれに、アクティブ素子とそのアクティブ
素子を介してデータ信号線および走査信号線と接続され
る絵素が配置されている。このアクティブマトリクス型
表示装置の製造において、基板に欠陥が生じた場合に
は、製造途中で修正が行われる。従来から、基板の修正
対象を決定する方法としては、図１３および図１５に示
すような方法が一般的に知られている。
【０００３】図１３に示す方法では、工程Ａ、Ｂおよび
Ｃ、・・・を含むアクティブマトリクス型表示装置の基
板製造ライン２において行われる、バスライン抵抗測定
工程のテスト結果に従って、修正工程において修正装置
１による基板１４の修正が行われる。バスライン抵抗測
定工程では、バスライン抵抗測定装置１７によって、バ
スライン単位で抵抗が測定される。このバスライン単位
でのテスト結果に従って、修正対象であるバスライン不
良アドレスがｘ（行）およびｙ（列）の絵素空間座標に
よって表現され、欠陥サイズおよび欠陥タイプ等の不良
モード分類データと共に記憶手段８に記憶される。
Ｃ、・・・を含むアクティブマトリクス型表示装置の基
板製造ライン２において行われる、バスライン抵抗測定
工程のテスト結果に従って、修正工程において修正装置
１による基板１４の修正が行われる。バスライン抵抗測
定工程では、バスライン抵抗測定装置１７によって、バ
スライン単位で抵抗が測定される。このバスライン単位
でのテスト結果に従って、修正対象であるバスライン不
良アドレスがｘ（行）およびｙ（列）の絵素空間座標に
よって表現され、欠陥サイズおよび欠陥タイプ等の不良
モード分類データと共に記憶手段８に記憶される。
【０００４】基板の修正を行う際には、記憶手段８に記
憶された修正対象のデータが、不良モード分類によって
フィルタリングされ、修正装置１に備わったコンピュー
タまたはワークステーションを介して表示装置１１に供
給されて、修正対象のバスラインが得られる。その修正
対象バスラインを基に、撮像レーザーヘッド、光学顕微
鏡、照明およびＣＣＤカメラを含むレーザーシステム１
２によって、ステージ１３に搭載された基板１４の欠陥
観察イメージが、Ａ／Ｄ変換器１５を通して表示装置１
１に表示される。その欠陥観察イメージによって、修正
を実施するか否か判断される。
憶された修正対象のデータが、不良モード分類によって
フィルタリングされ、修正装置１に備わったコンピュー
タまたはワークステーションを介して表示装置１１に供
給されて、修正対象のバスラインが得られる。その修正
対象バスラインを基に、撮像レーザーヘッド、光学顕微
鏡、照明およびＣＣＤカメラを含むレーザーシステム１
２によって、ステージ１３に搭載された基板１４の欠陥
観察イメージが、Ａ／Ｄ変換器１５を通して表示装置１
１に表示される。その欠陥観察イメージによって、修正
を実施するか否か判断される。
【０００５】また、図１５に示す方法では、工程Ａ、Ｂ
およびＣ、・・・を含むアクティブマトリクス型表示装
置の基板製造ライン２において行われる、電気的特性検
査工程のテスト結果に従って、修正工程において修正装
置１による基板１４の欠陥修正が行われる。電気的特性
検査工程では、電気的特性検査装置４によって、各絵素
に備わったトランジスタの特性等の電気的特性が測定さ
れる。この電気的特性のテスト結果に従って、修正対象
である絵素不良アドレスがｘ（行）およびｙ（列）の絵
素空間座標によって表現され、不良モード分類データと
共に記憶手段８に記憶される。
およびＣ、・・・を含むアクティブマトリクス型表示装
置の基板製造ライン２において行われる、電気的特性検
査工程のテスト結果に従って、修正工程において修正装
置１による基板１４の欠陥修正が行われる。電気的特性
検査工程では、電気的特性検査装置４によって、各絵素
に備わったトランジスタの特性等の電気的特性が測定さ
れる。この電気的特性のテスト結果に従って、修正対象
である絵素不良アドレスがｘ（行）およびｙ（列）の絵
素空間座標によって表現され、不良モード分類データと
共に記憶手段８に記憶される。
【０００６】基板の修正を行う際には、記憶手段８に記
憶された修正対象のデータが、不良モード分類によって
フィルタリングされ、修正装置１に備わったコンピュー
タまたはワークステーションを介して表示装置１１に供
給されて、修正対象のバスラインが得られる。その修正
対象バスラインを基に、撮像レーザーヘッド、光学顕微
鏡、照明およびＣＣＤカメラを含むレーザーシステム１
２によって、ステージ１３に搭載された基板１４の欠陥
観察イメージが、Ａ／Ｄ変換器１５を通して表示装置１
１に表示される。その欠陥観察イメージによって、修正
を実施するか否か判断される。
憶された修正対象のデータが、不良モード分類によって
フィルタリングされ、修正装置１に備わったコンピュー
タまたはワークステーションを介して表示装置１１に供
給されて、修正対象のバスラインが得られる。その修正
対象バスラインを基に、撮像レーザーヘッド、光学顕微
鏡、照明およびＣＣＤカメラを含むレーザーシステム１
２によって、ステージ１３に搭載された基板１４の欠陥
観察イメージが、Ａ／Ｄ変換器１５を通して表示装置１
１に表示される。その欠陥観察イメージによって、修正
を実施するか否か判断される。
【０００７】さらに、特開２０００−２６９２７６号公
報には、半導体ウェハ製造過程において、欠陥検査、電
気的特性検査等の複数種類の検査結果を照合して、欠陥
解析を統合的に行うシステムが提案されている。
報には、半導体ウェハ製造過程において、欠陥検査、電
気的特性検査等の複数種類の検査結果を照合して、欠陥
解析を統合的に行うシステムが提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
１３に示すようなバスライン抵抗測定装置１７のみを用
いたテスト結果により修正対象を決定する方法では、図
１４に示すように、不良モード分類データによってフィ
ルタリングすることによって修正対象外モード１８を除
外する程度であり、修正対象を充分に絞り込むことはで
きていない。修正対象欠陥２１はバスライン単位で検出
されるため、実際の修正箇所を見つけるためにはレーザ
ーシステムを用いてバスライン上をくまなく観察する必
要があり、修正処理の効率を低下させる大きな要因とな
っている。
１３に示すようなバスライン抵抗測定装置１７のみを用
いたテスト結果により修正対象を決定する方法では、図
１４に示すように、不良モード分類データによってフィ
ルタリングすることによって修正対象外モード１８を除
外する程度であり、修正対象を充分に絞り込むことはで
きていない。修正対象欠陥２１はバスライン単位で検出
されるため、実際の修正箇所を見つけるためにはレーザ
ーシステムを用いてバスライン上をくまなく観察する必
要があり、修正処理の効率を低下させる大きな要因とな
っている。
【０００９】また、上記図１５に示すような電気特性検
査装置４のみを用いたテスト結果により修正対象を決定
する方法では、図１６に示すように、不良モード分類デ
ータによってフィルタリングすることによって修正対象
外モード１８を除外する程度であり、修正対象を充分に
絞り込むことはできていない。修正対象欠陥２１は、修
正対象としているレイヤよりも下層のレイヤからの引き
継ぎ欠陥等によって修正不可能な場合があり、修正処理
の効率を低下させる大きな要因となっている。
査装置４のみを用いたテスト結果により修正対象を決定
する方法では、図１６に示すように、不良モード分類デ
ータによってフィルタリングすることによって修正対象
外モード１８を除外する程度であり、修正対象を充分に
絞り込むことはできていない。修正対象欠陥２１は、修
正対象としているレイヤよりも下層のレイヤからの引き
継ぎ欠陥等によって修正不可能な場合があり、修正処理
の効率を低下させる大きな要因となっている。
【００１０】さらに、特開２０００−２６９２７６号公
報に開示されているように、複数種類の検査結果を照合
して、欠陥の解析・予測に用いるシステムでは、修正対
象欠陥を絞り込むために検査データを照合している訳で
はない。このため、修正装置によってその結果を利用し
て修正を行うことができず、修正効率を向上することは
できない。
報に開示されているように、複数種類の検査結果を照合
して、欠陥の解析・予測に用いるシステムでは、修正対
象欠陥を絞り込むために検査データを照合している訳で
はない。このため、修正装置によってその結果を利用し
て修正を行うことができず、修正効率を向上することは
できない。
【００１１】本発明は、このような従来技術の課題を解
決するためになされたものであり、バスライン抵抗測定
装置のみ、または電気的特性検査装置のみによるテスト
結果だけではなく、欠陥検査装置等の他の検査装置によ
る検査結果も照合して、修正箇所をより絞り込んで修正
効率を向上させることができるアクティブマトリクス型
表示装置の基板修正装置、基板修正対象絞り込み方法お
よび基板修正効率向上プログラムを提供することを目的
とする。
決するためになされたものであり、バスライン抵抗測定
装置のみ、または電気的特性検査装置のみによるテスト
結果だけではなく、欠陥検査装置等の他の検査装置によ
る検査結果も照合して、修正箇所をより絞り込んで修正
効率を向上させることができるアクティブマトリクス型
表示装置の基板修正装置、基板修正対象絞り込み方法お
よび基板修正効率向上プログラムを提供することを目的
とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス型表示装置の基板修正装置は、表示媒体を挟んで
対向配置される一対の基板のうちの一方の基板の表面
に、複数のデータ信号線と複数の走査信号線とが互いに
交差して設けられ、それぞれ相互に隣り合う一対のデー
タ信号線と一対の走査信号線とによって囲まれる領域の
それぞれに、アクティブ素子と該アクティブ素子を介し
て該データ信号線および該走査信号線に接続される絵素
とが配置されるアクティブマトリクス型表示装置を製造
する際に、該基板の欠陥を修正するために用いられる装
置であって、複数種類の検査装置から該基板上の欠陥位
置データを取得し、該複数種類の検査装置からの欠陥位
置データを互いに照合して修正対象を絞り込むデータ処
理部と、該データ処理部のデータに基づいて、修正対象
部への修正を行う修正部とを備え、そのことにより上記
目的が達成される。
リクス型表示装置の基板修正装置は、表示媒体を挟んで
対向配置される一対の基板のうちの一方の基板の表面
に、複数のデータ信号線と複数の走査信号線とが互いに
交差して設けられ、それぞれ相互に隣り合う一対のデー
タ信号線と一対の走査信号線とによって囲まれる領域の
それぞれに、アクティブ素子と該アクティブ素子を介し
て該データ信号線および該走査信号線に接続される絵素
とが配置されるアクティブマトリクス型表示装置を製造
する際に、該基板の欠陥を修正するために用いられる装
置であって、複数種類の検査装置から該基板上の欠陥位
置データを取得し、該複数種類の検査装置からの欠陥位
置データを互いに照合して修正対象を絞り込むデータ処
理部と、該データ処理部のデータに基づいて、修正対象
部への修正を行う修正部とを備え、そのことにより上記
目的が達成される。
【００１３】前記複数種類の検査装置には、外観検査に
より欠陥位置を検出する検査装置が少なくとも１つ含ま
れていてもよい。
より欠陥位置を検出する検査装置が少なくとも１つ含ま
れていてもよい。
【００１４】前記複数種類の検査装置は、外観検査によ
る検査装置以外の検査装置として、バスライン抵抗を測
定し、または絵素単位で電気的特性を検査することによ
って欠陥位置を検出する検査装置が含まれていてもよ
い。
る検査装置以外の検査装置として、バスライン抵抗を測
定し、または絵素単位で電気的特性を検査することによ
って欠陥位置を検出する検査装置が含まれていてもよ
い。
【００１５】前記データ処理部は、前記複数種類の検査
装置のうち、外観検査による検査装置以外の検査装置か
ら得られる欠陥位置データを、外観検査により得られる
欠陥位置データに合わせて座標変換することができる。
装置のうち、外観検査による検査装置以外の検査装置か
ら得られる欠陥位置データを、外観検査により得られる
欠陥位置データに合わせて座標変換することができる。
【００１６】前記外観検査により得られる欠陥位置デー
タは、基板上に作製される複数の表示画面に対する唯一
の原点を有し、前記外観検査による検査装置以外の検査
装置から得られる欠陥位置データは、基板上に作製され
る各表示画面の一角に原点を有し、該外観検査による検
査装置以外の検査装置から得られる欠陥位置データを座
標変換する際に、欠陥が存在する表示画面の一角に位置
する原点の位置を、複数の表示画面に対する唯一の原点
からの位置として縦および横の座標を算出した結果に、
該欠陥が存在する位置を、該表示画面の一角に位置する
原点からの位置として縦および横の座標を算出した結果
を加味することができる。
タは、基板上に作製される複数の表示画面に対する唯一
の原点を有し、前記外観検査による検査装置以外の検査
装置から得られる欠陥位置データは、基板上に作製され
る各表示画面の一角に原点を有し、該外観検査による検
査装置以外の検査装置から得られる欠陥位置データを座
標変換する際に、欠陥が存在する表示画面の一角に位置
する原点の位置を、複数の表示画面に対する唯一の原点
からの位置として縦および横の座標を算出した結果に、
該欠陥が存在する位置を、該表示画面の一角に位置する
原点からの位置として縦および横の座標を算出した結果
を加味することができる。
【００１７】前記外観検査により得られる欠陥位置デー
タと、前記外観検査による検査装置以外の検査装置から
得られる欠陥位置データを座標変換したデータとを用い
て、修正対象位置を絞り込むことができる。
タと、前記外観検査による検査装置以外の検査装置から
得られる欠陥位置データを座標変換したデータとを用い
て、修正対象位置を絞り込むことができる。
【００１８】本発明のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正対象絞り込み方法は、表示媒体を挟んで対向
配置される一対の基板のうちの一方の基板の表面に、複
数のデータ信号線と複数の走査信号線とが互いに交差し
て設けられ、それぞれ相互に隣り合う一対のデータ信号
線と一対の走査信号線とによって囲まれる領域のそれぞ
れに、アクティブ素子と該アクティブ素子を介して該デ
ータ信号線および該走査信号線に接続される絵素とが配
置されるアクティブマトリクス型表示装置を製造する際
に、該基板の欠陥修正対象を絞り込む方法であって、複
数種類の検査装置から該基板上の欠陥位置データを取得
するステップと、該複数種類の検査装置からの欠陥位置
データを互いに照合して修正対象を絞り込むステップと
を含み、そのことにより上記目的が達成される。
の基板修正対象絞り込み方法は、表示媒体を挟んで対向
配置される一対の基板のうちの一方の基板の表面に、複
数のデータ信号線と複数の走査信号線とが互いに交差し
て設けられ、それぞれ相互に隣り合う一対のデータ信号
線と一対の走査信号線とによって囲まれる領域のそれぞ
れに、アクティブ素子と該アクティブ素子を介して該デ
ータ信号線および該走査信号線に接続される絵素とが配
置されるアクティブマトリクス型表示装置を製造する際
に、該基板の欠陥修正対象を絞り込む方法であって、複
数種類の検査装置から該基板上の欠陥位置データを取得
するステップと、該複数種類の検査装置からの欠陥位置
データを互いに照合して修正対象を絞り込むステップと
を含み、そのことにより上記目的が達成される。
【００１９】前記複数種類の検査装置には、外観検査に
より欠陥位置を検出する検査装置が少なくとも１つ含ま
れていてもよい。
より欠陥位置を検出する検査装置が少なくとも１つ含ま
れていてもよい。
【００２０】前記複数種類の検査装置は、外観検査によ
る検査装置以外の検査装置として、バスライン抵抗を測
定し、または絵素単位で電気的特性を検査することによ
って欠陥位置を検出する検査装置が含まれていてもよ
い。
る検査装置以外の検査装置として、バスライン抵抗を測
定し、または絵素単位で電気的特性を検査することによ
って欠陥位置を検出する検査装置が含まれていてもよ
い。
【００２１】前記複数種類の検査装置のうち、外観検査
による検査装置以外の検査装置から得られる欠陥位置デ
ータを、外観検査により得られる欠陥位置データに合わ
せて座標変換することができる。
による検査装置以外の検査装置から得られる欠陥位置デ
ータを、外観検査により得られる欠陥位置データに合わ
せて座標変換することができる。
【００２２】前記外観検査により得られる欠陥位置デー
タは、基板上に作製される複数の表示画面に対する唯一
の原点を有し、前記外観検査による検査装置以外の検査
装置から得られる欠陥位置データは、基板上に作製され
る各表示画面の一角に原点を有し、該外観検査による検
査装置以外の検査装置から得られる欠陥位置データを座
標変換する際に、欠陥が存在する表示画面の一角に位置
する原点の位置を、複数の表示画面に対する唯一の原点
からの位置として縦および横の座標を算出した結果に、
該欠陥が存在する位置を、該表示画面の一角に位置する
原点からの位置として縦および横の座標を算出した結果
を加味することができる。
タは、基板上に作製される複数の表示画面に対する唯一
の原点を有し、前記外観検査による検査装置以外の検査
装置から得られる欠陥位置データは、基板上に作製され
る各表示画面の一角に原点を有し、該外観検査による検
査装置以外の検査装置から得られる欠陥位置データを座
標変換する際に、欠陥が存在する表示画面の一角に位置
する原点の位置を、複数の表示画面に対する唯一の原点
からの位置として縦および横の座標を算出した結果に、
該欠陥が存在する位置を、該表示画面の一角に位置する
原点からの位置として縦および横の座標を算出した結果
を加味することができる。
【００２３】前記外観検査により得られる欠陥位置デー
タと、前記外観検査による検査装置以外の検査装置から
得られる欠陥位置データを座標変換したデータとを用い
て、修正対象位置を絞り込むことができる。
タと、前記外観検査による検査装置以外の検査装置から
得られる欠陥位置データを座標変換したデータとを用い
て、修正対象位置を絞り込むことができる。
【００２４】本発明のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正効率向上プログラムは、本発明のアクティブ
マトリクス型表示装置の基板修正対象絞り込む方法の各
ステップ、および複数種類の検査装置からの欠陥位置デ
ータを照合して絞り込まれた修正対象を修正装置に送信
するステップを、コンピュータまたはワークステーショ
ンによって実行させ、そのことにより上記目的が達成さ
れる。
の基板修正効率向上プログラムは、本発明のアクティブ
マトリクス型表示装置の基板修正対象絞り込む方法の各
ステップ、および複数種類の検査装置からの欠陥位置デ
ータを照合して絞り込まれた修正対象を修正装置に送信
するステップを、コンピュータまたはワークステーショ
ンによって実行させ、そのことにより上記目的が達成さ
れる。
【００２５】以下に、本発明の作用について説明する。
【００２６】本発明のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正装置および基板修正対象絞り込み方法にあっ
ては、バスライン抵抗装置または電気的特性検査装置
と、物理的な外観検査による欠陥検査装置等、複数種類
の検査装置から欠陥位置データを取得して照合すること
によって、修正対象をより絞り込んだデータを作成する
ことができる。よって、バスライン抵抗または絵素の電
気的特性のみによって修正対象対象を決定する従来技術
に比べて、欠陥修正効率を向上させることができる。
の基板修正装置および基板修正対象絞り込み方法にあっ
ては、バスライン抵抗装置または電気的特性検査装置
と、物理的な外観検査による欠陥検査装置等、複数種類
の検査装置から欠陥位置データを取得して照合すること
によって、修正対象をより絞り込んだデータを作成する
ことができる。よって、バスライン抵抗または絵素の電
気的特性のみによって修正対象対象を決定する従来技術
に比べて、欠陥修正効率を向上させることができる。
【００２７】また、本発明のアクティブマトリクス型表
示装置の基板修正効率向上プログラムにあっては、バス
ライン抵抗装置または電気的特性検査装置と、物理的な
外観検査による欠陥検査装置等、複数種類の検査装置か
ら欠陥位置データを取得して照合することによって、修
正対象をより絞り込んだデータを作成し、そのデータを
修正装置にダウンロードする一連の処理を、コンピュー
タまたはワークステーションに実行させることができ
る。よって、従来から用いられている修正装置を利用し
て、表示装置の欠陥修正効率を向上させることができ
る。
示装置の基板修正効率向上プログラムにあっては、バス
ライン抵抗装置または電気的特性検査装置と、物理的な
外観検査による欠陥検査装置等、複数種類の検査装置か
ら欠陥位置データを取得して照合することによって、修
正対象をより絞り込んだデータを作成し、そのデータを
修正装置にダウンロードする一連の処理を、コンピュー
タまたはワークステーションに実行させることができ
る。よって、従来から用いられている修正装置を利用し
て、表示装置の欠陥修正効率を向上させることができ
る。
【００２８】なお、本発明において、電気的特性検査に
よって取得される電気的特性の不良モード分類データに
よるフィルタリング、および欠陥検査によって取得され
る欠陥サイズ・欠陥タイプ等の欠陥分類データによるフ
ィルタリング等、単純な絞り込み手法を併用してもよ
い。
よって取得される電気的特性の不良モード分類データに
よるフィルタリング、および欠陥検査によって取得され
る欠陥サイズ・欠陥タイプ等の欠陥分類データによるフ
ィルタリング等、単純な絞り込み手法を併用してもよ
い。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面に基づいて説明する。なお、以下の実施形態
では、表示媒体として液晶を用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の基板を修正する例について記載して
いるが、本発明は液晶表示装置に限らず、全てのアクテ
ィブマトリクス型表示装置に対して適用可能である。
いて、図面に基づいて説明する。なお、以下の実施形態
では、表示媒体として液晶を用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の基板を修正する例について記載して
いるが、本発明は液晶表示装置に限らず、全てのアクテ
ィブマトリクス型表示装置に対して適用可能である。
【００３０】（実施形態１）図１は、実施形態１のアク
ティブマトリクス型表示装置の基板修正装置および基板
修正対象絞り込み方法について説明するためのブロック
図である。
ティブマトリクス型表示装置の基板修正装置および基板
修正対象絞り込み方法について説明するためのブロック
図である。
【００３１】基板製造ライン２は、工程Ａ、Ｂおよび
Ｃ、・・・、欠陥検査工程、電気的特性工程および修正
工程を含んで構成されている。工程Ａ、Ｂ、Ｃ、・・・
は、ガラス等からなる基板上に、バスライン、アクティ
ブ素子であるトランジスタ、電極および絶縁膜等を作成
する工程であり、各工程毎に液晶製造装置が配置されて
いる。また、欠陥検査工程では欠陥検査装置３によって
検査が行われ、電気的特性検査工程では電気的特性検査
装置４によって検査が行われる。本実施形態では、上記
欠陥検査工程および電気的特性検査工程のテスト結果に
従って、修正装置１による基板１４の欠陥修正が行われ
る。修正は、基板表面に、複数のデータ信号線と複数の
走査信号線とが互いに交差して設けられ、隣り合う各デ
ータ信号線と各走査信号線とによって囲まれる領域のそ
れぞれに、アクティブ素子と、そのアクティブ素子を介
してデータ信号線および走査信号線に接続される絵素電
極とが形成されてなる１つの表示画面が、複数形成され
た状態（以下、液晶基板と称する）で行われる。修正が
行われた液晶基板は、各表示画面毎に、絵素電極の全て
と対向するように対向電極が設けられた対向基板と貼り
合わせられて、両基板の間に液晶が注入され、液晶基板
が分断されることによって複数の表示パネルが作製され
る。
Ｃ、・・・、欠陥検査工程、電気的特性工程および修正
工程を含んで構成されている。工程Ａ、Ｂ、Ｃ、・・・
は、ガラス等からなる基板上に、バスライン、アクティ
ブ素子であるトランジスタ、電極および絶縁膜等を作成
する工程であり、各工程毎に液晶製造装置が配置されて
いる。また、欠陥検査工程では欠陥検査装置３によって
検査が行われ、電気的特性検査工程では電気的特性検査
装置４によって検査が行われる。本実施形態では、上記
欠陥検査工程および電気的特性検査工程のテスト結果に
従って、修正装置１による基板１４の欠陥修正が行われ
る。修正は、基板表面に、複数のデータ信号線と複数の
走査信号線とが互いに交差して設けられ、隣り合う各デ
ータ信号線と各走査信号線とによって囲まれる領域のそ
れぞれに、アクティブ素子と、そのアクティブ素子を介
してデータ信号線および走査信号線に接続される絵素電
極とが形成されてなる１つの表示画面が、複数形成され
た状態（以下、液晶基板と称する）で行われる。修正が
行われた液晶基板は、各表示画面毎に、絵素電極の全て
と対向するように対向電極が設けられた対向基板と貼り
合わせられて、両基板の間に液晶が注入され、液晶基板
が分断されることによって複数の表示パネルが作製され
る。
【００３２】欠陥検査装置３では、物理的な外観検査
（光学検査）によって、液晶基板表面における異物およ
び欠陥等（以下、欠陥と総称する）が検出される。欠陥
検査装置３には、欠陥検査を行う検査部と、検査部から
の検査結果を演算処理する演算部とが設けられ、検出さ
れた欠陥の基板表面における位置を示す欠陥位置座標、
検出された欠陥の大きさにより分類される欠陥のサイ
ズ、および検出された欠陥の形・色等によって分類され
る欠陥タイプ等の欠陥データが得られる。さらに、欠陥
検査装置３には、これらの欠陥データを記憶する記憶装
置、およびその記憶装置を備えたデータ管理サーバー等
が設けられていてもよい。
（光学検査）によって、液晶基板表面における異物およ
び欠陥等（以下、欠陥と総称する）が検出される。欠陥
検査装置３には、欠陥検査を行う検査部と、検査部から
の検査結果を演算処理する演算部とが設けられ、検出さ
れた欠陥の基板表面における位置を示す欠陥位置座標、
検出された欠陥の大きさにより分類される欠陥のサイ
ズ、および検出された欠陥の形・色等によって分類され
る欠陥タイプ等の欠陥データが得られる。さらに、欠陥
検査装置３には、これらの欠陥データを記憶する記憶装
置、およびその記憶装置を備えたデータ管理サーバー等
が設けられていてもよい。
【００３３】電気的特性検査装置４では、例えば各絵素
に設けられたトランジスタ特性のテストを行うこと等に
よって、液晶基板の各絵素について電気的特性が計測さ
れる。電気的特性検査装置４には、電気的特性を測定す
る検査部と、検査部からの測定結果から絵素不良を判定
するための演算、および液晶基板・パネル品質を判定す
るための演算を行う演算部とが設けられ、測定された電
気的特性が正常値から外れている不良絵素が液晶基板に
おいてどの絵素に相当するかを示す絵素不良アドレス
（ｘ，ｙの絵素アドレス空間で表される）、測定された
電気的特性がどの程度正常値から外れているかという外
れ度合い・電気的特性の項目等によって分類される不良
モード分類データ、および不良絵素の位置・数・モード
等により総合的な判断を行った液晶基板・パネル自体の
品質判定結果等の絵素不良データが得られる。さらに、
電気的特性検査装置４には、これらの絵素不良データを
記憶する記憶装置、およびその記憶装置を備えたデータ
管理サーバー等が設けられていてもよい。
に設けられたトランジスタ特性のテストを行うこと等に
よって、液晶基板の各絵素について電気的特性が計測さ
れる。電気的特性検査装置４には、電気的特性を測定す
る検査部と、検査部からの測定結果から絵素不良を判定
するための演算、および液晶基板・パネル品質を判定す
るための演算を行う演算部とが設けられ、測定された電
気的特性が正常値から外れている不良絵素が液晶基板に
おいてどの絵素に相当するかを示す絵素不良アドレス
（ｘ，ｙの絵素アドレス空間で表される）、測定された
電気的特性がどの程度正常値から外れているかという外
れ度合い・電気的特性の項目等によって分類される不良
モード分類データ、および不良絵素の位置・数・モード
等により総合的な判断を行った液晶基板・パネル自体の
品質判定結果等の絵素不良データが得られる。さらに、
電気的特性検査装置４には、これらの絵素不良データを
記憶する記憶装置、およびその記憶装置を備えたデータ
管理サーバー等が設けられていてもよい。
【００３４】修正装置１には、欠陥検査装置３および電
気的特性検査装置４から欠陥位置のデータを取得して、
修正対象を絞り込むためのデータ処理を行い、修正部に
供給するためのデータ処理部５として、コンピュータ
（またはワークステーション）が設けられている。コン
ピュータまたはワークステーションによる修正対象の絞
り込み処理は、コンピュータまたはワークステーション
に搭載されたデータ処理プログラムに従って行われる。
気的特性検査装置４から欠陥位置のデータを取得して、
修正対象を絞り込むためのデータ処理を行い、修正部に
供給するためのデータ処理部５として、コンピュータ
（またはワークステーション）が設けられている。コン
ピュータまたはワークステーションによる修正対象の絞
り込み処理は、コンピュータまたはワークステーション
に搭載されたデータ処理プログラムに従って行われる。
【００３５】データ処理部５には、上記欠陥検査装置３
にて得られる欠陥位置座標、欠陥サイズおよび欠陥タイ
プ等の欠陥データが格納される格納部としての記憶装置
７と、上記電気的特性検査装置４にて得られる絵素不良
アドレスおよび不良モードデータ等の絵素不良データが
格納される格納部としての記憶装置８とが設けられてい
る。なお、記憶装置７に供給されるデータは、欠陥検査
装置３が有する記憶装置に一旦記憶されたデータであっ
てもよく、記憶装置８に供給されるデータは、電気的特
性検査装置４が有する記憶装置に一旦記憶されたデータ
であってもよい。記憶装置８に格納された絵素不良アド
レスは、座標変換演算部６によって、欠陥位置座標の座
標系に変換される。
にて得られる欠陥位置座標、欠陥サイズおよび欠陥タイ
プ等の欠陥データが格納される格納部としての記憶装置
７と、上記電気的特性検査装置４にて得られる絵素不良
アドレスおよび不良モードデータ等の絵素不良データが
格納される格納部としての記憶装置８とが設けられてい
る。なお、記憶装置７に供給されるデータは、欠陥検査
装置３が有する記憶装置に一旦記憶されたデータであっ
てもよく、記憶装置８に供給されるデータは、電気的特
性検査装置４が有する記憶装置に一旦記憶されたデータ
であってもよい。記憶装置８に格納された絵素不良アド
レスは、座標変換演算部６によって、欠陥位置座標の座
標系に変換される。
【００３６】記憶装置７に格納された欠陥位置座標デー
タと、座標変換演算部６によって変換された絵素不良ア
ドレスの座標データとは、データ処理部５に設けられた
修正対象演算部９に供給される。修正対象演算部９で
は、欠陥位置座標データと変換された絵素不良アドレス
の座標データとが照合されて、修正対象箇所が絞り込ま
れる。また、欠陥検査がレイヤ毎に行われている場合に
は、欠陥位置座標データ同士が照合されて、修正対象箇
所が絞りこまれてもよい。さらに、修正対象演算部９に
おいて、電気的特性検査装置４の不良モード分類データ
によるフィルタリング処理、および欠陥検査装置３の欠
陥サイズ・欠陥タイプデータによるフィルタリング処理
等が行われてもよい。
タと、座標変換演算部６によって変換された絵素不良ア
ドレスの座標データとは、データ処理部５に設けられた
修正対象演算部９に供給される。修正対象演算部９で
は、欠陥位置座標データと変換された絵素不良アドレス
の座標データとが照合されて、修正対象箇所が絞り込ま
れる。また、欠陥検査がレイヤ毎に行われている場合に
は、欠陥位置座標データ同士が照合されて、修正対象箇
所が絞りこまれてもよい。さらに、修正対象演算部９に
おいて、電気的特性検査装置４の不良モード分類データ
によるフィルタリング処理、および欠陥検査装置３の欠
陥サイズ・欠陥タイプデータによるフィルタリング処理
等が行われてもよい。
【００３７】修正対象演算部９による照合処理、フィル
タリング処理によって修正対象箇所として判断された欠
陥の欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タイプ等の欠陥デ
ータ、絵素不良の絵素不良アドレス・不良モード分離等
の絵素不良データは、修正対象箇所絞り込み後のデータ
として、データ処理部５に設けられた照合データ格納部
としての記憶装置１０に格納される。
タリング処理によって修正対象箇所として判断された欠
陥の欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タイプ等の欠陥デ
ータ、絵素不良の絵素不良アドレス・不良モード分離等
の絵素不良データは、修正対象箇所絞り込み後のデータ
として、データ処理部５に設けられた照合データ格納部
としての記憶装置１０に格納される。
【００３８】記憶装置１０に格納された修正対象箇所絞
り込み後のデータは、データ処理部５から修正処理部に
供給される。修正処理部は、表示装置１１、レーザーシ
ステム１２、ステージ１３、Ａ／Ｄ変換器１５およびコ
ントローラ１６を有している。表示装置１１には、デー
タ処理部５から供給された修正対象箇所絞り込み後のデ
ータが表示される。レーザーシステム１２は、レーザー
ヘッド・光学顕微鏡・照明・ＣＣＤカメラ等によって構
成されており、光学顕微鏡により観察される実際の欠陥
観察イメージがＣＣＤカメラからＡ／Ｄ変換器１５を介
して表示装置１１に供給され、表示装置１１に表示され
る。また、修正対象箇所絞り込み後のデータに従って、
液晶基板１４が搭載されるステージ１３およびレーザー
システム１２がコントローラ１６によってコントロール
される。修正処理部では、表示装置１１に表示される修
正対象箇所絞り込み後のデータ、および光学顕微鏡によ
って観察される実際の欠陥観察イメージを参照して修正
対象箇所が決定され、レーザーシステム１２のレーザー
ヘッドから発生するレーザ光により欠陥の微細加工を行
うことによって、液晶基板１４の修正処理が行われる。
り込み後のデータは、データ処理部５から修正処理部に
供給される。修正処理部は、表示装置１１、レーザーシ
ステム１２、ステージ１３、Ａ／Ｄ変換器１５およびコ
ントローラ１６を有している。表示装置１１には、デー
タ処理部５から供給された修正対象箇所絞り込み後のデ
ータが表示される。レーザーシステム１２は、レーザー
ヘッド・光学顕微鏡・照明・ＣＣＤカメラ等によって構
成されており、光学顕微鏡により観察される実際の欠陥
観察イメージがＣＣＤカメラからＡ／Ｄ変換器１５を介
して表示装置１１に供給され、表示装置１１に表示され
る。また、修正対象箇所絞り込み後のデータに従って、
液晶基板１４が搭載されるステージ１３およびレーザー
システム１２がコントローラ１６によってコントロール
される。修正処理部では、表示装置１１に表示される修
正対象箇所絞り込み後のデータ、および光学顕微鏡によ
って観察される実際の欠陥観察イメージを参照して修正
対象箇所が決定され、レーザーシステム１２のレーザー
ヘッドから発生するレーザ光により欠陥の微細加工を行
うことによって、液晶基板１４の修正処理が行われる。
【００３９】次に、このように構成された本実施形態１
の修正装置１によって、液晶基板の修正対象箇所を絞り
込む方法について、図２に示すフローチャートに基づい
て説明する。まず、ステップＳ１０１において、欠陥検
査装置３によって測定・演算された欠陥位置座標・欠陥
サイズ・欠陥タイプ等の欠陥データを、ステップＳ１０
２において、修正装置１のデータ処理部５に取得する。
ステップＳ１０３では、取得されたデータを、修正対象
を絞り込むための欠陥データとして記憶装置７に格納す
る。
の修正装置１によって、液晶基板の修正対象箇所を絞り
込む方法について、図２に示すフローチャートに基づい
て説明する。まず、ステップＳ１０１において、欠陥検
査装置３によって測定・演算された欠陥位置座標・欠陥
サイズ・欠陥タイプ等の欠陥データを、ステップＳ１０
２において、修正装置１のデータ処理部５に取得する。
ステップＳ１０３では、取得されたデータを、修正対象
を絞り込むための欠陥データとして記憶装置７に格納す
る。
【００４０】次に、ステップＳ１０４において、電気的
特性検査装置４によって測定・演算された液晶基板上の
絵素不良アドレス・不良モード分類等の絵素不良データ
を、ステップＳ１０５において、修正装置１のデータ処
理部５に取得する。ステップＳ１０６では、座標変換演
算部６によって、絵素単位のデータである絵素不良アド
レスを、絵素ピッチ（絵素の間隔）を基にして、欠陥位
置座標と同一の座標系に変換する。このとき、絵素不良
アドレスの原点と、欠陥位置座標の原点とは、一般的に
異なる場合が多いため、互いの原点が一致するように補
正を施す必要がある。
特性検査装置４によって測定・演算された液晶基板上の
絵素不良アドレス・不良モード分類等の絵素不良データ
を、ステップＳ１０５において、修正装置１のデータ処
理部５に取得する。ステップＳ１０６では、座標変換演
算部６によって、絵素単位のデータである絵素不良アド
レスを、絵素ピッチ（絵素の間隔）を基にして、欠陥位
置座標と同一の座標系に変換する。このとき、絵素不良
アドレスの原点と、欠陥位置座標の原点とは、一般的に
異なる場合が多いため、互いの原点が一致するように補
正を施す必要がある。
【００４１】図３を用いて、上記座標変換処理について
簡単に説明する。本実施形態において、不良絵素のアド
レスＢ３は、液晶基板１４上の各液晶表示領域（表示画
面）に原点Ｂ２を有し、これを絵素（１，１）として絵
素単位で座標が付された絵素アドレス座標系Ｂ１で表さ
れている。また、欠陥の位置座標Ａ３は、液晶基板上に
唯一の原点Ａ２を有し、これを（０，０）として原点Ａ
２から欠陥までの距離（ｘ，ｙ）と欠陥の大きさを表す
（ｄｘ，ｄｙ）という値を有する欠陥位置座標系Ａ１で
表されている。原点Ａ２から欠陥までの距離は、欠陥の
左上の角までの距離が表されている。座標変換演算部６
では、絵素アドレス座標系Ｂ１によって表された絵素不
良アドレスを、上記欠陥位置座標系Ａ１に変換する。
簡単に説明する。本実施形態において、不良絵素のアド
レスＢ３は、液晶基板１４上の各液晶表示領域（表示画
面）に原点Ｂ２を有し、これを絵素（１，１）として絵
素単位で座標が付された絵素アドレス座標系Ｂ１で表さ
れている。また、欠陥の位置座標Ａ３は、液晶基板上に
唯一の原点Ａ２を有し、これを（０，０）として原点Ａ
２から欠陥までの距離（ｘ，ｙ）と欠陥の大きさを表す
（ｄｘ，ｄｙ）という値を有する欠陥位置座標系Ａ１で
表されている。原点Ａ２から欠陥までの距離は、欠陥の
左上の角までの距離が表されている。座標変換演算部６
では、絵素アドレス座標系Ｂ１によって表された絵素不
良アドレスを、上記欠陥位置座標系Ａ１に変換する。
【００４２】まず、不良絵素アドレスＢ３の絵素アドレ
ス原点Ａ２からの距離および大きさを、ｘ方向およびＹ
方向の各絵素ピッチ（絵素の間隔）から、 距離＝（不良絵素アドレス−１）×絵素ピッチ 大きさ＝不良絵素サイズ×絵素ピッチ という計算式によって算出する。ここで、距離は原点Ａ
２から不良絵素の左上の角までの距離が表されている。
また、不良絵素サイズは不良絵素がｘ方向およびｙ方向
にそれぞれ何個つながっているかによって表されてい
る。
ス原点Ａ２からの距離および大きさを、ｘ方向およびＹ
方向の各絵素ピッチ（絵素の間隔）から、 距離＝（不良絵素アドレス−１）×絵素ピッチ 大きさ＝不良絵素サイズ×絵素ピッチ という計算式によって算出する。ここで、距離は原点Ａ
２から不良絵素の左上の角までの距離が表されている。
また、不良絵素サイズは不良絵素がｘ方向およびｙ方向
にそれぞれ何個つながっているかによって表されてい
る。
【００４３】次に、絵素アドレス座標系Ｂ５の原点Ｂ２
と欠陥位置座標系Ａ１の原点Ａ２とは、一般に異なって
いるため、絵素アドレス座標系Ｂ１の原点Ｂ２が欠陥位
置座標系Ａ１の原点Ａ２に一致するように、上記計算結
果の距離にＢ２の縦横座標を加えて補正を施すことによ
り、不良絵素の絵素アドレスＢ３を欠陥位置座標系Ａ１
のデータに変換することができる。なお、絵素ピッチお
よび原点位置を補正するための補正値は、液晶表示装置
の設計値として明確な値であるため、これらの値は座標
変換演算部６に予め登録しておくことができる。
と欠陥位置座標系Ａ１の原点Ａ２とは、一般に異なって
いるため、絵素アドレス座標系Ｂ１の原点Ｂ２が欠陥位
置座標系Ａ１の原点Ａ２に一致するように、上記計算結
果の距離にＢ２の縦横座標を加えて補正を施すことによ
り、不良絵素の絵素アドレスＢ３を欠陥位置座標系Ａ１
のデータに変換することができる。なお、絵素ピッチお
よび原点位置を補正するための補正値は、液晶表示装置
の設計値として明確な値であるため、これらの値は座標
変換演算部６に予め登録しておくことができる。
【００４４】ステップＳ１０７では、ステップＳ１０６
で得られた絵素不良アドレスの座標変換データと元の絵
素不良アドレス、および不良モード分類等の絵素不良デ
ータを、修正対象を絞り込むための絵素不良データとし
て記憶装置８に格納する。
で得られた絵素不良アドレスの座標変換データと元の絵
素不良アドレス、および不良モード分類等の絵素不良デ
ータを、修正対象を絞り込むための絵素不良データとし
て記憶装置８に格納する。
【００４５】ステップＳ１０８では、修正対象演算部９
によって、欠陥位置座標と絵素不良アドレスの座標変換
データとを照合して修正対象の絞り込みを行い、ステッ
プＳ１０９において照合結果を記憶装置１０に格納す
る。
によって、欠陥位置座標と絵素不良アドレスの座標変換
データとを照合して修正対象の絞り込みを行い、ステッ
プＳ１０９において照合結果を記憶装置１０に格納す
る。
【００４６】図４を用いて、上記欠陥位置座標と絵素不
良アドレスの座標変換データとの照合処理について、簡
単に説明する。
良アドレスの座標変換データとの照合処理について、簡
単に説明する。
【００４７】まず、修正対象演算部９は、修正対象であ
る液晶基板の絵素不良アドレス、不良モード分類データ
および絵素不良アドレスの座標変換データを記憶装置８
から取得する。このとき、不良モード分類に対してフィ
ルタリングを行うことにより、修正対象外モード１８を
除外してもよい。例えば、不良モード分類によって、２
つ以上の絵素が短絡しているという特性が表れているも
ののみを修正対象に絞り込むこと等ができる。
る液晶基板の絵素不良アドレス、不良モード分類データ
および絵素不良アドレスの座標変換データを記憶装置８
から取得する。このとき、不良モード分類に対してフィ
ルタリングを行うことにより、修正対象外モード１８を
除外してもよい。例えば、不良モード分類によって、２
つ以上の絵素が短絡しているという特性が表れているも
ののみを修正対象に絞り込むこと等ができる。
【００４８】次に、修正対象演算部９は、修正対象であ
る液晶基板の欠陥位置座標、欠陥サイズおよび欠陥タイ
プデータを複数レイヤ検査分、取得する。液晶表示装置
の製造においては、薄膜を何層も重ねることによりバス
ライン、トランジスタ等を形成するが、この１つの薄膜
を形成する工程を１レイヤと称する。複数レイヤ検査分
のデータ取得とは、それぞれの薄膜が形成された時点で
実施される検査データを１つだけではなく、複数取得す
るという意味である。複数レイヤ検査分の欠陥位置座標
データ同士の座標位置が一致するか否かの照合を行うこ
とにより、修正対象としているレイヤにて発生した新規
欠陥１９と、前レイヤからの引き継ぎ欠陥２０とを区別
して、新規欠陥１９のみを修正対象として絞り込むこと
ができる。位置照合の際には、欠陥の大きさを実際の大
きさよりも多少の余裕域（トレランス領域）を持たせた
ものとして照合を行う、このトレランス領域は、設定を
変更することが可能である。さらに、欠陥サイズおよび
欠陥タイプに対してフィルタリングを行うことにより、
修正対象を絞り込んでもよい。例えば、欠陥サイズが大
きいもののみを修正対象に絞り込むこと等ができる。
る液晶基板の欠陥位置座標、欠陥サイズおよび欠陥タイ
プデータを複数レイヤ検査分、取得する。液晶表示装置
の製造においては、薄膜を何層も重ねることによりバス
ライン、トランジスタ等を形成するが、この１つの薄膜
を形成する工程を１レイヤと称する。複数レイヤ検査分
のデータ取得とは、それぞれの薄膜が形成された時点で
実施される検査データを１つだけではなく、複数取得す
るという意味である。複数レイヤ検査分の欠陥位置座標
データ同士の座標位置が一致するか否かの照合を行うこ
とにより、修正対象としているレイヤにて発生した新規
欠陥１９と、前レイヤからの引き継ぎ欠陥２０とを区別
して、新規欠陥１９のみを修正対象として絞り込むこと
ができる。位置照合の際には、欠陥の大きさを実際の大
きさよりも多少の余裕域（トレランス領域）を持たせた
ものとして照合を行う、このトレランス領域は、設定を
変更することが可能である。さらに、欠陥サイズおよび
欠陥タイプに対してフィルタリングを行うことにより、
修正対象を絞り込んでもよい。例えば、欠陥サイズが大
きいもののみを修正対象に絞り込むこと等ができる。
【００４９】その後、修正対象演算部９によって、新規
欠陥１９のみに絞り込まれた欠陥位置座標データと、絵
素不良アドレスの座標変換データとの座標位置が一致す
るか否かの照合を行うことにより、修正対象としている
レイヤにて発生した新規欠陥１９を原因とする絵素不良
アドレスのみが修正対象欠陥２１のデータとして得られ
る。このとき、引き継ぎ欠陥２０を原因とする絵素不良
アドレスは除外されるため、修正装置による修正効率を
向上させることができる。位置照合の際には、欠陥の大
きさを実際の大きさよりも多少の余裕域（トレランス領
域）を持たせたものとして照合を行う、このトレランス
領域は、設定を変更することが可能である。
欠陥１９のみに絞り込まれた欠陥位置座標データと、絵
素不良アドレスの座標変換データとの座標位置が一致す
るか否かの照合を行うことにより、修正対象としている
レイヤにて発生した新規欠陥１９を原因とする絵素不良
アドレスのみが修正対象欠陥２１のデータとして得られ
る。このとき、引き継ぎ欠陥２０を原因とする絵素不良
アドレスは除外されるため、修正装置による修正効率を
向上させることができる。位置照合の際には、欠陥の大
きさを実際の大きさよりも多少の余裕域（トレランス領
域）を持たせたものとして照合を行う、このトレランス
領域は、設定を変更することが可能である。
【００５０】ステップＳ１１０では、ステップＳ１０９
で記憶装置１０に格納された照合結果を修正部に出力す
ることによって、修正対象の絞り込み結果を表示装置１
１によって参照することができ、絞り込まれた修正対象
に対して効率良く修正を行うことができる。
で記憶装置１０に格納された照合結果を修正部に出力す
ることによって、修正対象の絞り込み結果を表示装置１
１によって参照することができ、絞り込まれた修正対象
に対して効率良く修正を行うことができる。
【００５１】（実施形態２）図５は、実施形態２のアク
ティブマトリクス型表示装置の基板修正装置および基板
修正対象絞り込み方法について説明するためのブロック
図である。
ティブマトリクス型表示装置の基板修正装置および基板
修正対象絞り込み方法について説明するためのブロック
図である。
【００５２】本実施形態では、基板製造ライン２におい
て、電気的特性検査装置４による電気的特性検査の代り
に、バスライン抵抗測定装置１７によるバスライン抵抗
測定が行われる。欠陥検査装置３による欠陥検査工程
は、上記実施形態１と同様に行われる。
て、電気的特性検査装置４による電気的特性検査の代り
に、バスライン抵抗測定装置１７によるバスライン抵抗
測定が行われる。欠陥検査装置３による欠陥検査工程
は、上記実施形態１と同様に行われる。
【００５３】バスライン抵抗測定装置１７では、液晶基
板の各バスラインの抵抗が測定される。バスライン抵抗
測定装置１７には、各バスラインの抵抗を測定する検査
部と、検査部からの測定結果からバスライン不良を判定
するための演算、および液晶基板・パネル品質を判定す
るための演算を行う演算部とが設けられ、測定されたバ
スライン抵抗が正常値から外れている不良バスラインが
液晶基板においてどのバスラインに相当するかを示すバ
スライン不良アドレス（ｘ，ｙのバスラインアドレス空
間によって表される）、測定されたバスライン抵抗がど
の程度正常値から外れているかという外れ度合いや断線
・短絡等によって分類される不良モード分類データ、お
よび不良バスラインの位置・数・モード等により総合的
な判断を行った液晶基板・パネル自体の品質判定結果等
のバスライン不良データが得られる。さらに、バスライ
ン抵抗測定装置１７には、これらのバスライン不良デー
タを記憶する記憶装置、およびその記憶装置を備えたデ
ータ管理サーバー等が設けられていてもよい。
板の各バスラインの抵抗が測定される。バスライン抵抗
測定装置１７には、各バスラインの抵抗を測定する検査
部と、検査部からの測定結果からバスライン不良を判定
するための演算、および液晶基板・パネル品質を判定す
るための演算を行う演算部とが設けられ、測定されたバ
スライン抵抗が正常値から外れている不良バスラインが
液晶基板においてどのバスラインに相当するかを示すバ
スライン不良アドレス（ｘ，ｙのバスラインアドレス空
間によって表される）、測定されたバスライン抵抗がど
の程度正常値から外れているかという外れ度合いや断線
・短絡等によって分類される不良モード分類データ、お
よび不良バスラインの位置・数・モード等により総合的
な判断を行った液晶基板・パネル自体の品質判定結果等
のバスライン不良データが得られる。さらに、バスライ
ン抵抗測定装置１７には、これらのバスライン不良デー
タを記憶する記憶装置、およびその記憶装置を備えたデ
ータ管理サーバー等が設けられていてもよい。
【００５４】修正装置１には、欠陥検査装置３およびバ
スライン抵抗測定装置１７から欠陥位置のデータを取得
して、修正対象を絞り込むためのデータ処理を行い、修
正部に供給するためのデータ処理部５として、コンピュ
ータ（またはワークステーション）が設けられている。
コンピュータまたはワークステーションによる修正対象
の絞り込み処理は、コンピュータまたはワークステーシ
ョンに搭載されたデータ処理プログラムに従って行われ
る。
スライン抵抗測定装置１７から欠陥位置のデータを取得
して、修正対象を絞り込むためのデータ処理を行い、修
正部に供給するためのデータ処理部５として、コンピュ
ータ（またはワークステーション）が設けられている。
コンピュータまたはワークステーションによる修正対象
の絞り込み処理は、コンピュータまたはワークステーシ
ョンに搭載されたデータ処理プログラムに従って行われ
る。
【００５５】データ処理部５において、記憶装置７に
は、上記実施形態１と同様に、欠陥検査装置３にて得ら
れる欠陥位置座標、欠陥サイズおよび欠陥タイプ等の欠
陥データが格納される。また、記憶装置８には、上記バ
スライン抵抗測定装置１７にて得られるバスライン不良
アドレスおよび不良モードデータ等のバスライン不良デ
ータが格納される。なお、記憶装置７に供給されるデー
タは、欠陥検査装置３が有する記憶装置に一旦記憶され
たデータであってもよく、記憶装置８に供給されるデー
タは、バスライン抵抗測定装置１７が有する記憶装置に
一旦記憶されたデータであってもよい。記憶装置８に格
納されたバスライン不良アドレスは、座標変換演算部６
によって、欠陥位置座標の座標系に変換される。
は、上記実施形態１と同様に、欠陥検査装置３にて得ら
れる欠陥位置座標、欠陥サイズおよび欠陥タイプ等の欠
陥データが格納される。また、記憶装置８には、上記バ
スライン抵抗測定装置１７にて得られるバスライン不良
アドレスおよび不良モードデータ等のバスライン不良デ
ータが格納される。なお、記憶装置７に供給されるデー
タは、欠陥検査装置３が有する記憶装置に一旦記憶され
たデータであってもよく、記憶装置８に供給されるデー
タは、バスライン抵抗測定装置１７が有する記憶装置に
一旦記憶されたデータであってもよい。記憶装置８に格
納されたバスライン不良アドレスは、座標変換演算部６
によって、欠陥位置座標の座標系に変換される。
【００５６】記憶装置７に格納された欠陥位置座標デー
タと、座標変換演算部６によって変換されたバスライン
不良アドレスの座標データとは、データ処理部５に設け
られた修正対象演算部９に供給される。修正対象演算部
９では、欠陥位置座標データと変換されたバスライン不
良アドレスの座標データとが照合されて、修正対象箇所
が絞り込まれる。また、欠陥検査がレイヤ毎に行われて
いる場合には、欠陥位置座標データ同士が照合されて、
修正対象箇所が絞りこまれてもよい。さらに、修正対象
演算部９において、バスライン抵抗測定装置１７の不良
モード分類データによるフィルタリング処理、および欠
陥検査装置３の欠陥サイズ・欠陥タイプデータによるフ
ィルタリング処理等が行われてもよい。
タと、座標変換演算部６によって変換されたバスライン
不良アドレスの座標データとは、データ処理部５に設け
られた修正対象演算部９に供給される。修正対象演算部
９では、欠陥位置座標データと変換されたバスライン不
良アドレスの座標データとが照合されて、修正対象箇所
が絞り込まれる。また、欠陥検査がレイヤ毎に行われて
いる場合には、欠陥位置座標データ同士が照合されて、
修正対象箇所が絞りこまれてもよい。さらに、修正対象
演算部９において、バスライン抵抗測定装置１７の不良
モード分類データによるフィルタリング処理、および欠
陥検査装置３の欠陥サイズ・欠陥タイプデータによるフ
ィルタリング処理等が行われてもよい。
【００５７】修正対象演算部９による照合処理、フィル
タリング処理によって修正対象箇所として判断された欠
陥の欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タイプ等の欠陥デ
ータ、不良バスラインのバスライン不良アドレス・不良
モード分離等のバスライン不良データは、修正対象箇所
絞り込み後のデータとして、データ処理部５に設けられ
た照合データ格納部としての記憶装置１０に格納され
る。
タリング処理によって修正対象箇所として判断された欠
陥の欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タイプ等の欠陥デ
ータ、不良バスラインのバスライン不良アドレス・不良
モード分離等のバスライン不良データは、修正対象箇所
絞り込み後のデータとして、データ処理部５に設けられ
た照合データ格納部としての記憶装置１０に格納され
る。
【００５８】記憶装置１０に格納された修正対象箇所絞
り込み後のデータは、上記実施形態１と同様に、データ
処理部５から修正処理部に供給され、液晶基板１４の修
正処理が行われる。
り込み後のデータは、上記実施形態１と同様に、データ
処理部５から修正処理部に供給され、液晶基板１４の修
正処理が行われる。
【００５９】次に、このように構成された本実施形態２
の修正装置１によって、液晶基板の修正対象箇所を絞り
込む方法について、図６に示すフローチャートに基づい
て説明する。まず、ステップＳ２０１〜ステップＳ２０
３において、欠陥検査装置３によって測定・演算された
欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タイプ等の欠陥データ
を修正装置１のデータ処理部５に取得し、修正対象を絞
り込むための欠陥データとして記憶装置７に格納する。
これらの処理は、図２に示すステップＳ１０１〜ステッ
プＳ１０３と同様に行うことができる。
の修正装置１によって、液晶基板の修正対象箇所を絞り
込む方法について、図６に示すフローチャートに基づい
て説明する。まず、ステップＳ２０１〜ステップＳ２０
３において、欠陥検査装置３によって測定・演算された
欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タイプ等の欠陥データ
を修正装置１のデータ処理部５に取得し、修正対象を絞
り込むための欠陥データとして記憶装置７に格納する。
これらの処理は、図２に示すステップＳ１０１〜ステッ
プＳ１０３と同様に行うことができる。
【００６０】次に、ステップＳ２０４において、バスラ
イン抵抗測定装置１７によって測定・演算された液晶基
板上のバスライン不良アドレス・不良モード分類等のバ
スライン不良データを、ステップＳ２０５において、修
正装置１のデータ処理部５に取得する。ステップＳ２０
６では、座標変換演算部６によって、バスライン単位の
データであるバスライン不良アドレスを、バスラインピ
ッチ（バスラインの間隔）を基にして、欠陥位置座標と
同一の座標系に変換する。このとき、バスライン不良ア
ドレスの原点と、欠陥位置座標の原点とは、一般的に異
なる場合が多いため、互いの原点が一致するように補正
を施す必要がある。
イン抵抗測定装置１７によって測定・演算された液晶基
板上のバスライン不良アドレス・不良モード分類等のバ
スライン不良データを、ステップＳ２０５において、修
正装置１のデータ処理部５に取得する。ステップＳ２０
６では、座標変換演算部６によって、バスライン単位の
データであるバスライン不良アドレスを、バスラインピ
ッチ（バスラインの間隔）を基にして、欠陥位置座標と
同一の座標系に変換する。このとき、バスライン不良ア
ドレスの原点と、欠陥位置座標の原点とは、一般的に異
なる場合が多いため、互いの原点が一致するように補正
を施す必要がある。
【００６１】図７を用いて、上記座標変換処理について
簡単に説明する。本実施形態において、不良バスライン
のアドレスＣ３は、液晶基板１４上の各液晶表示領域
（表示画面）に原点Ｃ２を有し、これをバスライン１と
してバスライン単位で座標が付されたバスラインアドレ
ス座標系Ｃ１で表されている。ここでは不良バスライン
がｘ方向に延びている場合を示しているが、不良バスラ
インがｙ方向に延びている場合についても同様である。
また、欠陥の位置座標Ａ３は、実施形態１と同様に、液
晶基板上に唯一の原点Ａ２を有し、これを（０，０）と
して原点から欠陥までの距離（ｘ，ｙ）と欠陥の大きさ
を表す（ｄｘ，ｄｙ）という値を有する欠陥位置座標系
Ａ１で表されている。座標変換演算部６では、バスライ
ンアドレス座標系Ｃ１によって表されたバスライン不良
アドレスを、上記欠陥位置座標系Ａ１に変換する。
簡単に説明する。本実施形態において、不良バスライン
のアドレスＣ３は、液晶基板１４上の各液晶表示領域
（表示画面）に原点Ｃ２を有し、これをバスライン１と
してバスライン単位で座標が付されたバスラインアドレ
ス座標系Ｃ１で表されている。ここでは不良バスライン
がｘ方向に延びている場合を示しているが、不良バスラ
インがｙ方向に延びている場合についても同様である。
また、欠陥の位置座標Ａ３は、実施形態１と同様に、液
晶基板上に唯一の原点Ａ２を有し、これを（０，０）と
して原点から欠陥までの距離（ｘ，ｙ）と欠陥の大きさ
を表す（ｄｘ，ｄｙ）という値を有する欠陥位置座標系
Ａ１で表されている。座標変換演算部６では、バスライ
ンアドレス座標系Ｃ１によって表されたバスライン不良
アドレスを、上記欠陥位置座標系Ａ１に変換する。
【００６２】まず、不良バスラインアドレスＣ３のバス
ラインアドレス原点Ｃ２からの距離および大きさを、バ
スラインピッチ（バスラインの間隔）から、 距離＝（不良バスラインアドレス−１）×バスラインピ
ッチ 大きさ＝不良バスラインサイズ×バスラインピッチ という計算式によって算出する。ここで、距離は原点Ｃ
２から不良バスラインの左上の角までの距離が表されて
いる。また、不良バスラインサイズは不良バスラインが
ｘ方向に何本つながっているかによって表されている。
なお、バスラインがｘ方向に延びている場合には、不良
バスラインサイズは不良バスラインがｙ方向に何本つな
がっているかによって表される。
ラインアドレス原点Ｃ２からの距離および大きさを、バ
スラインピッチ（バスラインの間隔）から、 距離＝（不良バスラインアドレス−１）×バスラインピ
ッチ 大きさ＝不良バスラインサイズ×バスラインピッチ という計算式によって算出する。ここで、距離は原点Ｃ
２から不良バスラインの左上の角までの距離が表されて
いる。また、不良バスラインサイズは不良バスラインが
ｘ方向に何本つながっているかによって表されている。
なお、バスラインがｘ方向に延びている場合には、不良
バスラインサイズは不良バスラインがｙ方向に何本つな
がっているかによって表される。
【００６３】次に、バスラインアドレス座標系Ｃ１の原
点Ｃ２と欠陥位置座標系Ａ１の原点Ａ２とは、一般に異
なっているため、バスラインアドレス座標系Ｃ１の原点
Ｂ２が欠陥位置座標系Ａ１の原点Ａ２に一致するよう
に、上記計算結果の距離にＡ２とＣ２の縦横座標を加え
て補正を施すことにより、不良バスラインのバスライン
アドレスＣ３を欠陥位置座標系Ａ１のデータに変換する
ことができる。なお、バスラインピッチおよび原点位置
を補正するための補正値は、液晶表示装置の設計値とし
て明確な値であるため、これらの値は座標変換演算部６
に予め登録しておくことができる。
点Ｃ２と欠陥位置座標系Ａ１の原点Ａ２とは、一般に異
なっているため、バスラインアドレス座標系Ｃ１の原点
Ｂ２が欠陥位置座標系Ａ１の原点Ａ２に一致するよう
に、上記計算結果の距離にＡ２とＣ２の縦横座標を加え
て補正を施すことにより、不良バスラインのバスライン
アドレスＣ３を欠陥位置座標系Ａ１のデータに変換する
ことができる。なお、バスラインピッチおよび原点位置
を補正するための補正値は、液晶表示装置の設計値とし
て明確な値であるため、これらの値は座標変換演算部６
に予め登録しておくことができる。
【００６４】ステップＳ２０７では、ステップＳ２０６
で得られたバスライン不良アドレスの座標変換データと
元のバスライン不良アドレス、および不良モード分類等
のバスライン不良データを、修正対象を絞り込むための
バスライン不良データとして記憶装置８に格納する。
で得られたバスライン不良アドレスの座標変換データと
元のバスライン不良アドレス、および不良モード分類等
のバスライン不良データを、修正対象を絞り込むための
バスライン不良データとして記憶装置８に格納する。
【００６５】ステップＳ２０８では、修正対象演算部９
によって、欠陥位置座標とバスライン不良アドレスの座
標変換データとを照合して修正対象の絞り込みを行い、
ステップＳ２０９において照合結果を記憶装置１０に格
納する。
によって、欠陥位置座標とバスライン不良アドレスの座
標変換データとを照合して修正対象の絞り込みを行い、
ステップＳ２０９において照合結果を記憶装置１０に格
納する。
【００６６】図８を用いて、上記欠陥位置座標とバスラ
イン不良アドレスの座標変換データとの照合処理につい
て、簡単に説明する。
イン不良アドレスの座標変換データとの照合処理につい
て、簡単に説明する。
【００６７】まず、修正対象演算部９は、修正対象であ
る液晶基板のバスライン不良アドレス、不良モード分類
データおよびバスライン不良アドレスの座標変換データ
を記憶装置８から取得する。このとき、不良モード分類
に対してフィルタリングを行うことにより、修正対象外
モード１８を除外してもよい。例えば、不良モード分類
によって、２本のバスラインが短絡しているという抵抗
値が表れているもののみを修正対象に絞り込むこと等が
できる。
る液晶基板のバスライン不良アドレス、不良モード分類
データおよびバスライン不良アドレスの座標変換データ
を記憶装置８から取得する。このとき、不良モード分類
に対してフィルタリングを行うことにより、修正対象外
モード１８を除外してもよい。例えば、不良モード分類
によって、２本のバスラインが短絡しているという抵抗
値が表れているもののみを修正対象に絞り込むこと等が
できる。
【００６８】次に、修正対象演算部９は、修正対象であ
る液晶基板の欠陥位置座標、欠陥サイズおよび欠陥タイ
プデータを取得する。このとき、複数レイヤ検査分の欠
陥位置座標データ同士の座標位置が一致するか否かの照
合を行うことにより、修正対象としているレイヤにて発
生した新規欠陥と、前レイヤからの引き継ぎ欠陥とを区
別して、新規欠陥のみを修正対象として絞り込むことが
できる。位置照合の際には、欠陥の大きさを実際の大き
さよりも多少の余裕域（トレランス領域）を持たせたも
のとして照合を行う、このトレランス領域は、設定を変
更することが可能である。さらに、欠陥サイズおよび欠
陥タイプに対してフィルタリングを行うことにより、修
正対象を絞り込んでもよい。例えば、欠陥サイズが大き
いもののみを修正対象に絞り込むこと等ができる。
る液晶基板の欠陥位置座標、欠陥サイズおよび欠陥タイ
プデータを取得する。このとき、複数レイヤ検査分の欠
陥位置座標データ同士の座標位置が一致するか否かの照
合を行うことにより、修正対象としているレイヤにて発
生した新規欠陥と、前レイヤからの引き継ぎ欠陥とを区
別して、新規欠陥のみを修正対象として絞り込むことが
できる。位置照合の際には、欠陥の大きさを実際の大き
さよりも多少の余裕域（トレランス領域）を持たせたも
のとして照合を行う、このトレランス領域は、設定を変
更することが可能である。さらに、欠陥サイズおよび欠
陥タイプに対してフィルタリングを行うことにより、修
正対象を絞り込んでもよい。例えば、欠陥サイズが大き
いもののみを修正対象に絞り込むこと等ができる。
【００６９】その後、修正対象演算部９によって、上記
欠陥位置座標データと、バスライン不良アドレスの座標
変換データとの座標位置が一致するか否かの照合を行う
ことにより、バスライン単位でしか得ることができなか
った修正対象のデータが、照合された欠陥位置座標も合
わせて、修正対象欠陥２１のデータとして得られる。こ
れによって、バスライン上の修正ポイントが絞り込まれ
るため、修正装置による修正効率を向上させることがで
きる。位置照合の際には、欠陥の大きさを実際の大きさ
よりも多少の余裕域（トレランス領域）を持たせたもの
として照合を行う、このトレランス領域は、設定を変更
することが可能である。
欠陥位置座標データと、バスライン不良アドレスの座標
変換データとの座標位置が一致するか否かの照合を行う
ことにより、バスライン単位でしか得ることができなか
った修正対象のデータが、照合された欠陥位置座標も合
わせて、修正対象欠陥２１のデータとして得られる。こ
れによって、バスライン上の修正ポイントが絞り込まれ
るため、修正装置による修正効率を向上させることがで
きる。位置照合の際には、欠陥の大きさを実際の大きさ
よりも多少の余裕域（トレランス領域）を持たせたもの
として照合を行う、このトレランス領域は、設定を変更
することが可能である。
【００７０】ステップＳ２１０では、ステップＳ２０９
で記憶装置１０に格納された照合結果を修正部に出力す
ることによって、修正対象の絞り込み結果を表示装置１
１によって参照することができ、絞り込まれた修正対象
に対して効率良く修正を行うことができる。
で記憶装置１０に格納された照合結果を修正部に出力す
ることによって、修正対象の絞り込み結果を表示装置１
１によって参照することができ、絞り込まれた修正対象
に対して効率良く修正を行うことができる。
【００７１】（実施形態３）図９は、実施形態３のアク
ティブマトリクス型表示装置の基板修正効率向上プログ
ラムを搭載したコンピュータ（またはワークステーショ
ン）について説明するためのブロック図である。
ティブマトリクス型表示装置の基板修正効率向上プログ
ラムを搭載したコンピュータ（またはワークステーショ
ン）について説明するためのブロック図である。
【００７２】本実施形態では、実施形態１と同様に、基
板製造ライン２において、欠陥検査装置３による欠陥検
査、および電気的特性検査装置４による電気的特性検査
が行われる。
板製造ライン２において、欠陥検査装置３による欠陥検
査、および電気的特性検査装置４による電気的特性検査
が行われる。
【００７３】本実施形態では、修正装置１とは別に、欠
陥検査装置３および電気的特性検査装置４から欠陥位置
のデータを取得して、修正対象を絞り込むためのデータ
処理を行い、修正装置１に供給するためのコンピュータ
（またはワークステーション）５が設けられている。コ
ンピュータ（またはワークステーション）５による修正
対象の絞り込み処理は、および絞り込み処理後のデータ
を修正装置に送信する処理は、コンピュータ（またはワ
ークステーション）５に搭載された基板修正効率向上プ
ログラムに従って行われる。
陥検査装置３および電気的特性検査装置４から欠陥位置
のデータを取得して、修正対象を絞り込むためのデータ
処理を行い、修正装置１に供給するためのコンピュータ
（またはワークステーション）５が設けられている。コ
ンピュータ（またはワークステーション）５による修正
対象の絞り込み処理は、および絞り込み処理後のデータ
を修正装置に送信する処理は、コンピュータ（またはワ
ークステーション）５に搭載された基板修正効率向上プ
ログラムに従って行われる。
【００７４】コンピュータ（またはワークステーショ
ン）５において、記憶装置７には、上記実施形態１と同
様に、欠陥検査装置３にて得られる欠陥位置座標、欠陥
サイズおよび欠陥タイプ等の欠陥データが格納される。
また、記憶装置８には、上記実施形態１と同様に、電気
的特性検査装置４にて得られる絵素不良アドレスおよび
不良モードデータ等の絵素不良データが格納される。な
お、記憶装置７に供給されるデータは、欠陥検査装置３
が有する記憶装置に一旦記憶されたデータであってもよ
く、記憶装置８に供給されるデータは、電気的特性検査
装置４が有する記憶装置に一旦記憶されたデータであっ
てもよい。記憶装置８に格納された絵素不良アドレス
は、座標変換演算部６によって、欠陥位置座標の座標系
に変換される。
ン）５において、記憶装置７には、上記実施形態１と同
様に、欠陥検査装置３にて得られる欠陥位置座標、欠陥
サイズおよび欠陥タイプ等の欠陥データが格納される。
また、記憶装置８には、上記実施形態１と同様に、電気
的特性検査装置４にて得られる絵素不良アドレスおよび
不良モードデータ等の絵素不良データが格納される。な
お、記憶装置７に供給されるデータは、欠陥検査装置３
が有する記憶装置に一旦記憶されたデータであってもよ
く、記憶装置８に供給されるデータは、電気的特性検査
装置４が有する記憶装置に一旦記憶されたデータであっ
てもよい。記憶装置８に格納された絵素不良アドレス
は、座標変換演算部６によって、欠陥位置座標の座標系
に変換される。
【００７５】記憶装置７に格納された欠陥位置座標デー
タと、座標変換演算部６によって変換された絵素不良ア
ドレスの座標データとは、修正対象演算部９に供給され
る。修正対象演算部９では、欠陥位置座標データと変換
された絵素不良アドレスの座標データとが照合されて、
修正対象箇所が絞り込まれる。また、欠陥検査がレイヤ
毎に行われている場合には、欠陥位置座標データ同士が
照合されて、修正対象箇所が絞りこまれてもよい。さら
に、修正対象演算部９において、電気的特性検査装置４
の不良モード分類データによるフィルタリング処理、お
よび欠陥検査装置３の欠陥サイズ・欠陥タイプデータに
よるフィルタリング処理等が行われてもよい。
タと、座標変換演算部６によって変換された絵素不良ア
ドレスの座標データとは、修正対象演算部９に供給され
る。修正対象演算部９では、欠陥位置座標データと変換
された絵素不良アドレスの座標データとが照合されて、
修正対象箇所が絞り込まれる。また、欠陥検査がレイヤ
毎に行われている場合には、欠陥位置座標データ同士が
照合されて、修正対象箇所が絞りこまれてもよい。さら
に、修正対象演算部９において、電気的特性検査装置４
の不良モード分類データによるフィルタリング処理、お
よび欠陥検査装置３の欠陥サイズ・欠陥タイプデータに
よるフィルタリング処理等が行われてもよい。
【００７６】修正対象演算部９による照合処理、フィル
タリング処理によって修正対象箇所として判断された欠
陥の欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タイプ等の欠陥デ
ータ、不良絵素の絵素不良アドレス・不良モード分離等
の絵素不良データは、修正対象箇所絞り込み後のデータ
として、照合データ格納部としての記憶装置１０に格納
される。
タリング処理によって修正対象箇所として判断された欠
陥の欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タイプ等の欠陥デ
ータ、不良絵素の絵素不良アドレス・不良モード分離等
の絵素不良データは、修正対象箇所絞り込み後のデータ
として、照合データ格納部としての記憶装置１０に格納
される。
【００７７】記憶装置１０に格納された修正対象箇所絞
り込み後のデータは、コンピュータ（またはワークステ
ーション）５から、表示装置１１、レーザーシステム１
２、ステージ１３、Ａ／Ｄ変換器１５、コントローラ１
６およびコンピュータ２５を有する修正装置１のコンピ
ュータ２５に送信され、液晶基板１４の修正処理が行わ
れる。
り込み後のデータは、コンピュータ（またはワークステ
ーション）５から、表示装置１１、レーザーシステム１
２、ステージ１３、Ａ／Ｄ変換器１５、コントローラ１
６およびコンピュータ２５を有する修正装置１のコンピ
ュータ２５に送信され、液晶基板１４の修正処理が行わ
れる。
【００７８】次に、このように構成された本実施形態３
のコンピュータ（またはワークステーション）５によっ
て、液晶基板の修正対象箇所を絞り込む方法について、
図１０に示すフローチャートに基づいて説明する。ま
ず、ステップＳ３０２において、欠陥検査装置３によっ
て測定・演算された欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タ
イプ等の欠陥データを、コンピュータ（またはワークス
テーション）５にて受信し、ステップＳ３０３におい
て、修正対象を絞り込むための欠陥データとして記憶装
置７に格納する。
のコンピュータ（またはワークステーション）５によっ
て、液晶基板の修正対象箇所を絞り込む方法について、
図１０に示すフローチャートに基づいて説明する。ま
ず、ステップＳ３０２において、欠陥検査装置３によっ
て測定・演算された欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タ
イプ等の欠陥データを、コンピュータ（またはワークス
テーション）５にて受信し、ステップＳ３０３におい
て、修正対象を絞り込むための欠陥データとして記憶装
置７に格納する。
【００７９】次に、ステップＳ３０５において、電気的
特性検査装置４によって測定・演算された液晶基板上の
絵素不良アドレス・不良モード分類等の絵素不良データ
を、コンピュータ（またはワークステーション）５にて
受信する。ステップＳ３０６では、座標変換演算部６に
よって、絵素単位のデータである絵素不良アドレスを、
絵素ピッチ（絵素間隔）を基にして、以下のような処理
を行って、欠陥位置座標と同一の座標系に変換する。ま
た、絵素不良アドレスの原点と、欠陥位置座標の原点と
は、一般的に異なる場合が多いため、互いの原点が一致
するように補正を施す。
特性検査装置４によって測定・演算された液晶基板上の
絵素不良アドレス・不良モード分類等の絵素不良データ
を、コンピュータ（またはワークステーション）５にて
受信する。ステップＳ３０６では、座標変換演算部６に
よって、絵素単位のデータである絵素不良アドレスを、
絵素ピッチ（絵素間隔）を基にして、以下のような処理
を行って、欠陥位置座標と同一の座標系に変換する。ま
た、絵素不良アドレスの原点と、欠陥位置座標の原点と
は、一般的に異なる場合が多いため、互いの原点が一致
するように補正を施す。
【００８０】まず、実施形態１と同様に、絵素不良アド
レスの絵素アドレス原点からの距離および大きさを、
ｘ，ｙ方向の各絵素ピッチ（絵素の間隔）から、 距離＝（不良絵素アドレス−１）×絵素ピッチ 大きさ＝不良絵素サイズ×絵素ピッチ という計算式によって算出する。次に、絵素アドレス座
標系の原点が欠陥位置座標系の原点に一致するように、
補正を施すことにより、不良絵素の絵素アドレスを欠陥
位置座標系のデータに変換することができる。なお、絵
素ピッチおよび原点位置を補正するための補正値は、液
晶表示装置の設計値として明確な値であるため、これら
の値は基板修正効率向上プログラムに予め登録しておく
ことができる。
レスの絵素アドレス原点からの距離および大きさを、
ｘ，ｙ方向の各絵素ピッチ（絵素の間隔）から、 距離＝（不良絵素アドレス−１）×絵素ピッチ 大きさ＝不良絵素サイズ×絵素ピッチ という計算式によって算出する。次に、絵素アドレス座
標系の原点が欠陥位置座標系の原点に一致するように、
補正を施すことにより、不良絵素の絵素アドレスを欠陥
位置座標系のデータに変換することができる。なお、絵
素ピッチおよび原点位置を補正するための補正値は、液
晶表示装置の設計値として明確な値であるため、これら
の値は基板修正効率向上プログラムに予め登録しておく
ことができる。
【００８１】ステップＳ３０７では、ステップＳ３０６
で得られた絵素不良アドレスの座標変換データと元の絵
素不良アドレス、および不良モード分類等の絵素不良デ
ータを、修正対象を絞り込むための絵素不良データとし
て記憶装置８に格納する。
で得られた絵素不良アドレスの座標変換データと元の絵
素不良アドレス、および不良モード分類等の絵素不良デ
ータを、修正対象を絞り込むための絵素不良データとし
て記憶装置８に格納する。
【００８２】ステップＳ３０８では、修正対象演算部９
によって、以下のような処理を行って、欠陥位置座標と
絵素不良アドレスの座標変換データとを照合して修正対
象の絞り込みを行い、ステップＳ３０９において照合結
果を記憶装置１０に格納する。
によって、以下のような処理を行って、欠陥位置座標と
絵素不良アドレスの座標変換データとを照合して修正対
象の絞り込みを行い、ステップＳ３０９において照合結
果を記憶装置１０に格納する。
【００８３】まず、修正対象演算部９は、修正対象であ
る液晶基板の絵素不良アドレス、不良モード分類データ
および絵素不良アドレスの座標変換データを記憶装置８
から取得する。このとき、不良モード分類に対してフィ
ルタリングを行うことにより、修正対象外モードを除外
してもよい。例えば、不良モード分類によって、２つ以
上の絵素が短絡しているという特性が表れているものの
みを修正対象に絞り込むこと等ができる。
る液晶基板の絵素不良アドレス、不良モード分類データ
および絵素不良アドレスの座標変換データを記憶装置８
から取得する。このとき、不良モード分類に対してフィ
ルタリングを行うことにより、修正対象外モードを除外
してもよい。例えば、不良モード分類によって、２つ以
上の絵素が短絡しているという特性が表れているものの
みを修正対象に絞り込むこと等ができる。
【００８４】次に、修正対象演算部９は、修正対象であ
る液晶基板の欠陥位置座標、欠陥サイズおよび欠陥タイ
プデータを取得する。このとき、複数レイヤ検査分の欠
陥位置座標データ同士の座標位置が一致するか否かの照
合を行うことにより、修正対象としているレイヤにて発
生した新規欠陥と、前レイヤからの引き継ぎ欠陥とを区
別して、新規欠陥のみを修正対象として絞り込むことが
できる。位置照合の際には、欠陥の大きさを実際の大き
さよりも多少の余裕域（トレランス領域）を持たせたも
のとして照合を行う、このトレランス領域は、設定を変
更することが可能である。さらに、欠陥サイズおよび欠
陥タイプに対してフィルタリングを行うことにより、修
正対象を絞り込んでもよい。例えば、欠陥サイズが大き
いもののみを修正対象に絞り込むこと等ができる。
る液晶基板の欠陥位置座標、欠陥サイズおよび欠陥タイ
プデータを取得する。このとき、複数レイヤ検査分の欠
陥位置座標データ同士の座標位置が一致するか否かの照
合を行うことにより、修正対象としているレイヤにて発
生した新規欠陥と、前レイヤからの引き継ぎ欠陥とを区
別して、新規欠陥のみを修正対象として絞り込むことが
できる。位置照合の際には、欠陥の大きさを実際の大き
さよりも多少の余裕域（トレランス領域）を持たせたも
のとして照合を行う、このトレランス領域は、設定を変
更することが可能である。さらに、欠陥サイズおよび欠
陥タイプに対してフィルタリングを行うことにより、修
正対象を絞り込んでもよい。例えば、欠陥サイズが大き
いもののみを修正対象に絞り込むこと等ができる。
【００８５】その後、修正対象演算部９によって、上記
欠陥位置座標データと、絵素不良アドレスの座標変換デ
ータとの座標位置が一致するか否かの照合を行うことに
より、修正対象としているレイヤにて発生した新規欠陥
が原因の絵素不良アドレスのみが修正対象欠陥として得
られ、引き継ぎ欠陥が原因の修正不可能な絵素不良アド
レスが除外される。位置照合の際には、欠陥の大きさを
実際の大きさよりも多少の余裕域（トレランス領域）を
持たせたものとして照合を行う、このトレランス領域
は、設定を変更することが可能である。
欠陥位置座標データと、絵素不良アドレスの座標変換デ
ータとの座標位置が一致するか否かの照合を行うことに
より、修正対象としているレイヤにて発生した新規欠陥
が原因の絵素不良アドレスのみが修正対象欠陥として得
られ、引き継ぎ欠陥が原因の修正不可能な絵素不良アド
レスが除外される。位置照合の際には、欠陥の大きさを
実際の大きさよりも多少の余裕域（トレランス領域）を
持たせたものとして照合を行う、このトレランス領域
は、設定を変更することが可能である。
【００８６】ステップＳ３１０では、ステップＳ３０９
で記憶装置１０に格納された照合結果を修正装置１のコ
ンピュータ２５に送信することによって、修正対象の絞
り込み結果を表示装置１１によって参照することがで
き、絞り込まれた修正対象に対して効率良く修正を行う
ことができる。
で記憶装置１０に格納された照合結果を修正装置１のコ
ンピュータ２５に送信することによって、修正対象の絞
り込み結果を表示装置１１によって参照することがで
き、絞り込まれた修正対象に対して効率良く修正を行う
ことができる。
【００８７】（実施形態４）図１１は、実施形態４のア
クティブマトリクス型表示装置の基板修正効率向上プロ
グラムを搭載したコンピュータ（またはワークステーシ
ョン）について説明するためのブロック図である。
クティブマトリクス型表示装置の基板修正効率向上プロ
グラムを搭載したコンピュータ（またはワークステーシ
ョン）について説明するためのブロック図である。
【００８８】本実施形態では、実施形態２と同様に、基
板製造ライン２において、欠陥検査装置３による欠陥検
査、およびバスライン抵抗測定装置１７によるバスライ
ン抵抗測定が行われる。
板製造ライン２において、欠陥検査装置３による欠陥検
査、およびバスライン抵抗測定装置１７によるバスライ
ン抵抗測定が行われる。
【００８９】本実施形態では、修正装置１とは別に、欠
陥検査装置３およびバスライン抵抗測定装置１７から欠
陥位置のデータを取得して、修正対象を絞り込むための
データ処理を行い、修正装置１に供給するためのコンピ
ュータ（またはワークステーション）５が設けられてい
る。コンピュータ（またはワークステーション）５によ
る修正対象の絞り込み処理は、および絞り込み処理後の
データを修正装置１のコンピュータ２５に送信する処理
は、コンピュータ（またはワークステーション）５に搭
載された基板修正効率向上プログラムに従って行われ
る。
陥検査装置３およびバスライン抵抗測定装置１７から欠
陥位置のデータを取得して、修正対象を絞り込むための
データ処理を行い、修正装置１に供給するためのコンピ
ュータ（またはワークステーション）５が設けられてい
る。コンピュータ（またはワークステーション）５によ
る修正対象の絞り込み処理は、および絞り込み処理後の
データを修正装置１のコンピュータ２５に送信する処理
は、コンピュータ（またはワークステーション）５に搭
載された基板修正効率向上プログラムに従って行われ
る。
【００９０】コンピュータ（またはワークステーショ
ン）５において、記憶装置７には、上記実施形態２と同
様に、欠陥検査装置３にて得られる欠陥位置座標、欠陥
サイズおよび欠陥タイプ等の欠陥データが格納される。
また、記憶装置８には、上記実施形態２と同様に、バス
ライン抵抗測定装置１７にて得られるバスライン不良ア
ドレスおよび不良モードデータ等のバスライン不良デー
タが格納される。なお、記憶装置７に供給されるデータ
は、欠陥検査装置３が有する記憶装置に一旦記憶された
データであってもよく、記憶装置８に供給されるデータ
は、バスライン抵抗測定装置１７が有する記憶装置に一
旦記憶されたデータであってもよい。記憶装置８に格納
されたバスライン不良アドレスは、座標変換演算部６に
よって、欠陥位置座標の座標系に変換される。
ン）５において、記憶装置７には、上記実施形態２と同
様に、欠陥検査装置３にて得られる欠陥位置座標、欠陥
サイズおよび欠陥タイプ等の欠陥データが格納される。
また、記憶装置８には、上記実施形態２と同様に、バス
ライン抵抗測定装置１７にて得られるバスライン不良ア
ドレスおよび不良モードデータ等のバスライン不良デー
タが格納される。なお、記憶装置７に供給されるデータ
は、欠陥検査装置３が有する記憶装置に一旦記憶された
データであってもよく、記憶装置８に供給されるデータ
は、バスライン抵抗測定装置１７が有する記憶装置に一
旦記憶されたデータであってもよい。記憶装置８に格納
されたバスライン不良アドレスは、座標変換演算部６に
よって、欠陥位置座標の座標系に変換される。
【００９１】記憶装置７に格納された欠陥位置座標デー
タと、座標変換演算部６によって変換されたバスライン
不良アドレスの座標データとは、修正対象演算部９に供
給される。修正対象演算部９では、欠陥位置座標データ
と変換されたバスライン不良アドレスの座標データとが
照合されて、修正対象箇所が絞り込まれる。また、欠陥
検査がレイヤ毎に行われている場合には、欠陥位置座標
データ同士が照合されて、修正対象箇所が絞りこまれて
もよい。さらに、修正対象演算部９において、バスライ
ン抵抗測定装置１７の不良モード分類データによるフィ
ルタリング処理、および欠陥検査装置３の欠陥サイズ・
欠陥タイプデータによるフィルタリング処理等が行われ
てもよい。
タと、座標変換演算部６によって変換されたバスライン
不良アドレスの座標データとは、修正対象演算部９に供
給される。修正対象演算部９では、欠陥位置座標データ
と変換されたバスライン不良アドレスの座標データとが
照合されて、修正対象箇所が絞り込まれる。また、欠陥
検査がレイヤ毎に行われている場合には、欠陥位置座標
データ同士が照合されて、修正対象箇所が絞りこまれて
もよい。さらに、修正対象演算部９において、バスライ
ン抵抗測定装置１７の不良モード分類データによるフィ
ルタリング処理、および欠陥検査装置３の欠陥サイズ・
欠陥タイプデータによるフィルタリング処理等が行われ
てもよい。
【００９２】修正対象演算部９による照合処理、フィル
タリング処理によって修正対象箇所として判断された欠
陥の欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タイプ等の欠陥デ
ータ、不良バスラインのバスライン不良アドレス・不良
モード分離等のバスライン不良データは、修正対象箇所
絞り込み後のデータとして、照合データ格納部としての
記憶装置１０に格納される。
タリング処理によって修正対象箇所として判断された欠
陥の欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タイプ等の欠陥デ
ータ、不良バスラインのバスライン不良アドレス・不良
モード分離等のバスライン不良データは、修正対象箇所
絞り込み後のデータとして、照合データ格納部としての
記憶装置１０に格納される。
【００９３】記憶装置１０に格納された修正対象箇所絞
り込み後のデータは、コンピュータ（またはワークステ
ーション）５から、表示装置１１、レーザーシステム１
２、ステージ１３、Ａ／Ｄ変換器１５、コントローラ１
６およびコンピュータ２５を有する修正装置１のコンピ
ュータ２５に送信され、液晶基板１４の修正処理が行わ
れる。
り込み後のデータは、コンピュータ（またはワークステ
ーション）５から、表示装置１１、レーザーシステム１
２、ステージ１３、Ａ／Ｄ変換器１５、コントローラ１
６およびコンピュータ２５を有する修正装置１のコンピ
ュータ２５に送信され、液晶基板１４の修正処理が行わ
れる。
【００９４】次に、このように構成された本実施形態３
のコンピュータ（またはワークステーション）５によっ
て、液晶基板の修正対象箇所を絞り込む方法について、
図１２に示すフローチャートに基づいて説明する。ま
ず、ステップＳ４０２において、欠陥検査装置３によっ
て測定・演算された欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タ
イプ等の欠陥データを、コンピュータ（またはワークス
テーション）５にて受信し、ステップＳ４０３におい
て、修正対象を絞り込むための欠陥データとして記憶装
置７に格納する。
のコンピュータ（またはワークステーション）５によっ
て、液晶基板の修正対象箇所を絞り込む方法について、
図１２に示すフローチャートに基づいて説明する。ま
ず、ステップＳ４０２において、欠陥検査装置３によっ
て測定・演算された欠陥位置座標・欠陥サイズ・欠陥タ
イプ等の欠陥データを、コンピュータ（またはワークス
テーション）５にて受信し、ステップＳ４０３におい
て、修正対象を絞り込むための欠陥データとして記憶装
置７に格納する。
【００９５】次に、ステップＳ４０５において、バスラ
イン抵抗測定装置１７によって測定・演算された液晶基
板上のバスライン不良アドレス・不良モード分類等のバ
スライン不良データを、コンピュータ（またはワークス
テーション）５にて受信する。ステップＳ４０６では、
座標変換演算部６によって、バスライン単位のデータで
あるバスライン不良アドレスを、バスラインピッチ（バ
スライン間隔）を基にして、以下のような処理を行っ
て、欠陥位置座標と同一の座標系に変換する。また、バ
スライン不良アドレスの原点と、欠陥位置座標の原点と
は、一般的に異なる場合が多いため、互いの原点が一致
するように補正を施す。
イン抵抗測定装置１７によって測定・演算された液晶基
板上のバスライン不良アドレス・不良モード分類等のバ
スライン不良データを、コンピュータ（またはワークス
テーション）５にて受信する。ステップＳ４０６では、
座標変換演算部６によって、バスライン単位のデータで
あるバスライン不良アドレスを、バスラインピッチ（バ
スライン間隔）を基にして、以下のような処理を行っ
て、欠陥位置座標と同一の座標系に変換する。また、バ
スライン不良アドレスの原点と、欠陥位置座標の原点と
は、一般的に異なる場合が多いため、互いの原点が一致
するように補正を施す。
【００９６】まず、実施形態２と同様に、バスライン不
良アドレスのバスラインアドレス原点からの距離および
大きさを、バスラインピッチ（バスラインの間隔）か
ら、 距離＝（不良バスラインアドレス−１）×バスラインピ
ッチ 大きさ＝不良バスラインサイズ×バスラインピッチ という計算式によって算出する。次に、バスラインアド
レス座標系の原点が欠陥位置座標系の原点に一致するよ
うに、補正を施すことにより、不良バスラインのバスラ
インアドレスを欠陥位置座標系のデータに変換すること
ができる。なお、バスラインピッチおよび原点位置を補
正するための補正値は、液晶表示装置の設計値として明
確な値であるため、これらの値は基板修正効率向上プロ
グラムに予め登録しておくことができる。
良アドレスのバスラインアドレス原点からの距離および
大きさを、バスラインピッチ（バスラインの間隔）か
ら、 距離＝（不良バスラインアドレス−１）×バスラインピ
ッチ 大きさ＝不良バスラインサイズ×バスラインピッチ という計算式によって算出する。次に、バスラインアド
レス座標系の原点が欠陥位置座標系の原点に一致するよ
うに、補正を施すことにより、不良バスラインのバスラ
インアドレスを欠陥位置座標系のデータに変換すること
ができる。なお、バスラインピッチおよび原点位置を補
正するための補正値は、液晶表示装置の設計値として明
確な値であるため、これらの値は基板修正効率向上プロ
グラムに予め登録しておくことができる。
【００９７】ステップＳ４０７では、ステップＳ４０６
で得られたバスライン不良アドレスの座標変換データと
元のバスライン不良アドレス、および不良モード分類等
のバスライン不良データを、修正対象を絞り込むための
バスライン不良データとして記憶装置８に格納する。
で得られたバスライン不良アドレスの座標変換データと
元のバスライン不良アドレス、および不良モード分類等
のバスライン不良データを、修正対象を絞り込むための
バスライン不良データとして記憶装置８に格納する。
【００９８】ステップＳ４０８では、修正対象演算部９
によって、以下のような処理を行って、欠陥位置座標と
バスライン不良アドレスの座標変換データとを照合して
修正対象の絞り込みを行い、ステップＳ４０９において
照合結果を記憶装置１０に格納する。
によって、以下のような処理を行って、欠陥位置座標と
バスライン不良アドレスの座標変換データとを照合して
修正対象の絞り込みを行い、ステップＳ４０９において
照合結果を記憶装置１０に格納する。
【００９９】まず、修正対象演算部９は、修正対象であ
る液晶基板のバスライン不良アドレス、不良モード分類
データおよびバスライン不良アドレスの座標変換データ
を記憶装置８から取得する。このとき、不良モード分類
に対してフィルタリングを行うことにより、修正対象外
モードを除外してもよい。例えば、不良モード分類によ
って、２本のバスラインが短絡しているという抵抗値が
表れているもののみを修正対象に絞り込むこと等ができ
る。
る液晶基板のバスライン不良アドレス、不良モード分類
データおよびバスライン不良アドレスの座標変換データ
を記憶装置８から取得する。このとき、不良モード分類
に対してフィルタリングを行うことにより、修正対象外
モードを除外してもよい。例えば、不良モード分類によ
って、２本のバスラインが短絡しているという抵抗値が
表れているもののみを修正対象に絞り込むこと等ができ
る。
【０１００】次に、修正対象演算部９は、修正対象であ
る液晶基板の欠陥位置座標、欠陥サイズおよび欠陥タイ
プデータを取得する。このとき、複数レイヤ検査分の欠
陥位置座標データ同士の座標位置が一致するか否かの照
合を行うことにより、修正対象としているレイヤにて発
生した新規欠陥と、前レイヤからの引き継ぎ欠陥とを区
別して、新規欠陥のみを修正対象として絞り込むことが
できる。位置照合の際には、欠陥の大きさを実際の大き
さよりも多少の余裕域（トレランス領域）を持たせたも
のとして照合を行う、このトレランス領域は、設定を変
更することが可能である。さらに、欠陥サイズおよび欠
陥タイプに対してフィルタリングを行うことにより、修
正対象を絞り込んでもよい。例えば、欠陥サイズが大き
いもののみを修正対象に絞り込むこと等ができる。
る液晶基板の欠陥位置座標、欠陥サイズおよび欠陥タイ
プデータを取得する。このとき、複数レイヤ検査分の欠
陥位置座標データ同士の座標位置が一致するか否かの照
合を行うことにより、修正対象としているレイヤにて発
生した新規欠陥と、前レイヤからの引き継ぎ欠陥とを区
別して、新規欠陥のみを修正対象として絞り込むことが
できる。位置照合の際には、欠陥の大きさを実際の大き
さよりも多少の余裕域（トレランス領域）を持たせたも
のとして照合を行う、このトレランス領域は、設定を変
更することが可能である。さらに、欠陥サイズおよび欠
陥タイプに対してフィルタリングを行うことにより、修
正対象を絞り込んでもよい。例えば、欠陥サイズが大き
いもののみを修正対象に絞り込むこと等ができる。
【０１０１】その後、修正対象演算部９によって、上記
欠陥位置座標データと、バスライン不良アドレスの座標
変換データとの座標位置が一致するか否かの照合を行う
ことにより、バスライン単位でしか得ることができなか
った修正対象を、照合された欠陥位置座標も合わせて修
正対象欠陥として得ることができるようになるため、バ
スライン上の修正ポイントを絞り込むことができる。位
置照合の際には、欠陥の大きさを実際の大きさよりも多
少の余裕域（トレランス領域）を持たせたものとして照
合を行う、このトレランス領域は、設定を変更すること
が可能である。
欠陥位置座標データと、バスライン不良アドレスの座標
変換データとの座標位置が一致するか否かの照合を行う
ことにより、バスライン単位でしか得ることができなか
った修正対象を、照合された欠陥位置座標も合わせて修
正対象欠陥として得ることができるようになるため、バ
スライン上の修正ポイントを絞り込むことができる。位
置照合の際には、欠陥の大きさを実際の大きさよりも多
少の余裕域（トレランス領域）を持たせたものとして照
合を行う、このトレランス領域は、設定を変更すること
が可能である。
【０１０２】ステップＳ４１０では、ステップＳ４０９
で記憶装置１０に格納された照合結果を修正装置１のコ
ンピュータ２５に送信することによって、修正対象の絞
り込み結果を表示装置１１によって参照することがで
き、絞り込まれた修正対象に対して効率良く修正を行う
ことができる。
で記憶装置１０に格納された照合結果を修正装置１のコ
ンピュータ２５に送信することによって、修正対象の絞
り込み結果を表示装置１１によって参照することがで
き、絞り込まれた修正対象に対して効率良く修正を行う
ことができる。
【０１０３】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
バスライン抵抗もしくは絵素の電気的特性を測定して得
られる欠陥データと、外観検査による欠陥データ等、複
数種類の検査結果を照合することによって、修正対象を
絞り込んで基板の修正を行うことができる。よって、バ
スライン単位もしくは絵素単位の電気的特性を測定して
得られる欠陥データのみを用いて修正対象を絞り込む従
来技術に比べて、修正効率を向上させることができる。
また、本発明の基板修正効率向上プログラムをコンピュ
ータまたはワークステーションに搭載することによっ
て、従来からの修正装置に絞り込み結果を送信して、修
正効率を向上させることができる。
バスライン抵抗もしくは絵素の電気的特性を測定して得
られる欠陥データと、外観検査による欠陥データ等、複
数種類の検査結果を照合することによって、修正対象を
絞り込んで基板の修正を行うことができる。よって、バ
スライン単位もしくは絵素単位の電気的特性を測定して
得られる欠陥データのみを用いて修正対象を絞り込む従
来技術に比べて、修正効率を向上させることができる。
また、本発明の基板修正効率向上プログラムをコンピュ
ータまたはワークステーションに搭載することによっ
て、従来からの修正装置に絞り込み結果を送信して、修
正効率を向上させることができる。
【図１】実施形態１のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正装置および基板修正対象絞り込み方法につい
て説明するためのブロック図である。
の基板修正装置および基板修正対象絞り込み方法につい
て説明するためのブロック図である。
【図２】実施形態１のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正対象絞り込み方法について説明するためのフ
ローチャートである。
の基板修正対象絞り込み方法について説明するためのフ
ローチャートである。
【図３】実施形態１のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正対象絞り込み方法における、座標変換方法つ
いて説明するための模式図である。
の基板修正対象絞り込み方法における、座標変換方法つ
いて説明するための模式図である。
【図４】実施形態１のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正対象絞り込み方法について説明するための模
式図である。
の基板修正対象絞り込み方法について説明するための模
式図である。
【図５】実施形態２のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正装置および基板修正対象絞り込み方法につい
て説明するためのブロック図である。
の基板修正装置および基板修正対象絞り込み方法につい
て説明するためのブロック図である。
【図６】実施形態２のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正対象絞り込み方法について説明するためのフ
ローチャートである。
の基板修正対象絞り込み方法について説明するためのフ
ローチャートである。
【図７】実施形態２のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正対象絞り込み方法における、座標変換方法つ
いて説明するための模式図である。
の基板修正対象絞り込み方法における、座標変換方法つ
いて説明するための模式図である。
【図８】実施形態２のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正対象絞り込み方法について説明するための模
式図である。
の基板修正対象絞り込み方法について説明するための模
式図である。
【図９】実施形態３のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正効率向上プログラムを搭載したコンピュータ
またはワークステーションについて説明するためのブロ
ック図である。
の基板修正効率向上プログラムを搭載したコンピュータ
またはワークステーションについて説明するためのブロ
ック図である。
【図１０】実施形態３のアクティブマトリクス型表示装
置の基板修正対象絞り込み方法について説明するための
フローチャートである。
置の基板修正対象絞り込み方法について説明するための
フローチャートである。
【図１１】実施形態４のアクティブマトリクス型表示装
置の基板修正効率向上プログラムを搭載したコンピュー
タまたはワークステーションについて説明するためのブ
ロック図である。
置の基板修正効率向上プログラムを搭載したコンピュー
タまたはワークステーションについて説明するためのブ
ロック図である。
【図１２】実施形態４のアクティブマトリクス型表示装
置の基板修正対象絞り込み方法について説明するための
フローチャートである。
置の基板修正対象絞り込み方法について説明するための
フローチャートである。
【図１３】従来のアクティブマトリクス型表示装置の基
板修正装置および基板修正対象絞り込み方法について説
明するためのブロック図である。
板修正装置および基板修正対象絞り込み方法について説
明するためのブロック図である。
【図１４】従来のアクティブマトリクス型表示装置の基
板修正対象絞り込み方法について説明するための模式図
である。
板修正対象絞り込み方法について説明するための模式図
である。
【図１５】従来の他のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正装置および基板修正対象絞り込み方法につい
て説明するためのブロック図である。
の基板修正装置および基板修正対象絞り込み方法につい
て説明するためのブロック図である。
【図１６】従来の他のアクティブマトリクス型表示装置
の基板修正対象絞り込み方法について説明するための模
式図である。
の基板修正対象絞り込み方法について説明するための模
式図である。
１ 修正装置
２ 製造ライン
３ 欠陥検査装置
４ 電気的特性検査装置
５ データ処理部、コンピュータまたはワークステーシ
ョン ６ 座標変換演算部 ７、８、１０ 記憶装置 ９ 修正対象演算部 １１ 表示装置 １２ レーザーシステム １３ ステージ １４ 液晶基板 １５ Ａ／Ｄ変換器 １６ コントローラ １７ バスライン抵抗測定装置 １８ 修正対象外モード １９ 新規欠陥 ２０ 引き継ぎ欠陥 ２１ 修正対象欠陥 ２５ コンピュータ
ョン ６ 座標変換演算部 ７、８、１０ 記憶装置 ９ 修正対象演算部 １１ 表示装置 １２ レーザーシステム １３ ステージ １４ 液晶基板 １５ Ａ／Ｄ変換器 １６ コントローラ １７ バスライン抵抗測定装置 １８ 修正対象外モード １９ 新規欠陥 ２０ 引き継ぎ欠陥 ２１ 修正対象欠陥 ２５ コンピュータ
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ ５Ｃ０９４
9/35 9/35 ５Ｇ４３５
// Ｇ０１Ｎ 21/958 Ｇ０１Ｎ 21/958
Ｆターム(参考） 2G036 AA25 AA28 BA33 BB12 CA01
CA02 CA07 CA12
2G051 AA73 AB01 AB02 BA10 CA03
CA04 EA12 EA14 FA10
2G086 EE10
2H088 FA11 FA13 FA14 FA30 MA20
2H092 JB01 JB11 JB21 JB41 JB51
JB61 KB01 KB11 MA35 NA30
PA01 PA06
5C094 AA41 AA43 BA03 BA43 CA19
EA04 EA07 GB10
5G435 AA17 AA19 BB12 CC09 KK05
KK09 KK10
Claims (13)
- 【請求項１】 表示媒体を挟んで対向配置される一対の
基板のうちの一方の基板の表面に、複数のデータ信号線
と複数の走査信号線とが互いに交差して設けられ、それ
ぞれ相互に隣り合う一対のデータ信号線と一対の走査信
号線とによって囲まれる領域のそれぞれに、アクティブ
素子と該アクティブ素子を介して該データ信号線および
該走査信号線に接続される絵素とが配置されるアクティ
ブマトリクス型表示装置を製造する際に、該基板の欠陥
を修正するために用いられる装置であって、 複数種類の検査装置から該基板上の欠陥位置データを取
得し、該複数種類の検査装置からの欠陥位置データを互
いに照合して修正対象を絞り込むデータ処理部と、 該データ処理部のデータに基づいて、修正対象部への修
正を行う修正部とを備えるアクティブマトリクス型表示
装置の基板修正装置。 - 【請求項２】 前記複数種類の検査装置には、外観検査
により欠陥位置を検出する検査装置が少なくとも１つ含
まれる請求項１に記載のアクティブマトリクス表示装置
の基板修正装置。 - 【請求項３】 前記複数種類の検査装置は、外観検査に
よる検査装置以外の検査装置として、バスライン抵抗を
測定し、または絵素単位で電気的特性を検査することに
よって欠陥位置を検出する検査装置が含まれる請求項２
に記載のアクティブマトリクス表示装置の基板修正装
置。 - 【請求項４】 前記データ処理部は、前記複数種類の検
査装置のうち、外観検査による検査装置以外の検査装置
から得られる欠陥位置データを、外観検査により得られ
る欠陥位置データに合わせて座標変換する請求項２また
は請求項３に記載のアクティブマトリクス型表示装置の
基板修正装置。 - 【請求項５】 前記外観検査により得られる欠陥位置デ
ータは、基板上に作製される複数の表示画面に対する唯
一の原点を有し、 前記外観検査による検査装置以外の検査装置から得られ
る欠陥位置データは、基板上に作製される各表示画面の
一角に原点を有し、 該外観検査による検査装置以外の検査装置から得られる
欠陥位置データを座標変換する際に、 欠陥が存在する表示画面の一角に位置する原点の位置
を、複数の表示画面に対する唯一の原点からの位置とし
て縦および横の座標を算出した結果に、 該欠陥が存在する位置を、該表示画面の一角に位置する
原点からの位置として縦および横の座標を算出した結果
を加味する請求項４に記載のアクティブマトリクス型表
示装置の基板修正装置。 - 【請求項６】 前記外観検査により得られる欠陥位置デ
ータと、前記外観検査による検査装置以外の検査装置か
ら得られる欠陥位置データを座標変換したデータとを用
いて、修正対象位置を絞り込む請求項４または請求項５
に記載のアクティブマトリクス型表示装置の基板修正装
置。 - 【請求項７】 表示媒体を挟んで対向配置される一対の
基板のうちの一方の基板の表面に、複数のデータ信号線
と複数の走査信号線とが互いに交差して設けられ、それ
ぞれ相互に隣り合う一対のデータ信号線と一対の走査信
号線によって囲まれる領域のそれぞれに、アクティブ素
子と該アクティブ素子を介して該データ信号線および該
走査信号線に接続される絵素とが配置されるアクティブ
マトリクス型表示装置を製造する際に、該基板の欠陥修
正対象を絞り込む方法であって、 複数種類の検査装置から該基板上の欠陥位置データを取
得するステップと、 該複数種類の検査装置からの欠陥位置データを互いに照
合して修正対象を絞り込むステップとを含むアクティブ
マトリクス型表示装置の基板修正対象絞り込み方法。 - 【請求項８】 前記複数種類の検査装置には、外観検査
により欠陥位置を検出する検査装置が少なくとも１つ含
まれる請求項７に記載のアクティブマトリクス表示装置
の基板修正対象絞り込み方法。 - 【請求項９】 前記複数種類の検査装置は、外観検査に
よる検査装置以外の検査装置として、バスライン抵抗を
測定し、または絵素単位で電気的特性を検査することに
よって欠陥位置を検出する検査装置が含まれる請求項８
に記載のアクティブマトリクス表示装置の基板修正装
置。 - 【請求項１０】 前記複数種類の検査装置のうち、外観
検査による検査装置以外の検査装置から得られる欠陥位
置データを、外観検査により得られる欠陥位置データに
合わせて座標変換する請求項８または請求項９に記載の
アクティブマトリクス型表示装置の基板修正対象絞り込
み方法。 - 【請求項１１】 前記外観検査により得られる欠陥位置
データは、基板上に作製される複数の表示画面に対する
唯一の原点を有し、 前記外観検査による検査装置以外の検査装置から得られ
る欠陥位置データは、基板上に作製される各表示画面の
一角に原点を有し、 該外観検査による検査装置以外の検査装置から得られる
欠陥位置データを座標変換する際に、 欠陥が存在する表示画面の一角に位置する原点の位置
を、複数の表示画面に対する唯一の原点からの位置とし
て縦および横の座標を算出した結果に、 該欠陥が存在する位置を、該表示画面の一角に位置する
原点からの位置として縦および横の座標を算出した結果
を加味する請求項１０に記載のアクティブマトリクス型
表示装置の基板修正対象絞り込み方法。 - 【請求項１２】 前記外観検査により得られる欠陥位置
データと、前記外観検査による検査装置以外の検査装置
から得られる欠陥位置データを座標変換したデータとを
用いて、修正対象位置を絞り込む請求項１０または請求
項１１に記載のアクティブマトリクス型表示装置の基板
修正対象絞り込み方法。 - 【請求項１３】 請求項７乃至請求項１２のいずれかに
記載のアクティブマトリクス型表示装置の基板修正対象
絞り込み方法の各ステップ、および複数種類の検査装置
からの欠陥位置データを照合して絞り込まれた修正対象
を修正装置に送信するステップを、コンピュータまたは
ワークステーションによって実行させるアクティブマト
リクス型表示装置の基板修正効率向上プログラム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001292411A JP2003098547A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | アクティブマトリクス型表示装置の基板修正装置、基板修正対象絞り込み方法および基板修正効率向上プログラム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001292411A JP2003098547A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | アクティブマトリクス型表示装置の基板修正装置、基板修正対象絞り込み方法および基板修正効率向上プログラム |
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|---|---|
| JP2003098547A true JP2003098547A (ja) | 2003-04-03 |
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ID=19114380
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001292411A Withdrawn JP2003098547A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | アクティブマトリクス型表示装置の基板修正装置、基板修正対象絞り込み方法および基板修正効率向上プログラム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003098547A (ja) |
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