CN102428378B - 有源矩阵基板的制造装置和制造方法以及显示面板的制造装置和制造方法 - Google Patents

Abstract

一种检测矩阵状地设有多个像素的有源矩阵基板的短路缺陷，修正该短路缺陷的有源矩阵基板的制造装置，具备：台座(30a)，其载置成为有源矩阵基板的被检查基板(19)；缺陷像素检测部(40a)，其对载置于台座(30a)的被检查基板(19)输入检查用信号，电检测发生了短路缺陷的缺陷像素的坐标；以及缺陷位置确定部(50)，其对载置于台座(30a)的被检查基板(19)输入检查用信号，使由缺陷像素检测部(40a)检测出的缺陷像素发热，并且用远红外区热像感知该像素缺陷的发热，确定缺陷像素的短路缺陷的位置。

Description

有源矩阵基板的制造装置和制造方法以及显示面板的制造装置和制造方法

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板的制造装置和制造方法以及显示面板的制造装置和制造方法，特别涉及检测有源矩阵基板和显示面板的缺陷的技术。 

背景技术

具备有源矩阵基板的液晶显示面板在作为图像的最小单位的各个像素中，例如分别设有薄膜晶体管(下面，称为“TFT”)，因此，通过开、关各TFT来对各像素的液晶层稳健地施加规定的电压，由此可以进行精细的图像显示。 

近年来，在有源矩阵基板和具备其的液晶显示面板中，伴随着像素的高精细化，例如当制造有源矩阵基板时，在基板表面附着了被称为颗粒的异物的状态下进行成膜、蚀刻等，由此在像素中产生缺陷的可能性变高。 

例如，在专利文献1中，作为在集中多根配线的扫描线、信号线之间通电来发现两者之间的短路缺陷的方法，提出了确定红外线图像下的缺陷像素地址的检查方法。 

另外，在专利文献2中，提出了通过使电源和基板附加的阻抗匹配来使电力传送成为最大而提高加热效率，利用在缺陷像素和正常像素之间所看到的温度上升的过渡现象的缓和时间差，确定红外线图像下的缺陷像素地址的检查方法和装置。 

但是，在专利文献1和专利文献2公开的缺陷检测方法中，面对整个显示面板设有红外线摄像装置，因此，即使能够确定具有缺陷的像素，也有可能无法正确地确定在该异常像素中存在的缺陷部位的位置。 

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开平6-510111号公报 

专利文献2：特开2009-8687号公报 

发明内容

发明要解决的问题

图16是在各像素中作为例子设有分割为两个的一对保持电容电极的有源矩阵基板120的平面图。 

如图16所示，有源矩阵基板120具备：像素电极118，其矩阵状地设有多个；多个栅极线114a，其沿着各像素电极118的上边和下边相互平行地配设；多个源极线116a，其沿着各像素电极118的左边和右边相互平行地配设；多个电容线114b，其在各栅极线114a之间相互平行地配设；以及TFT 105，其与各像素电极118对应地设有1个或多个。 

TFT 105具备：半导体层112，其设置在基板上；栅极绝缘膜(未图示)，其覆盖半导体层112而设置；栅极电极114aa，其设置在该栅极绝缘膜上；第1层间绝缘膜(未图示)，其覆盖栅极电极114aa而设置；以及源极电极(源极线116a)和漏极电极116b，其设置在该第1层间绝缘膜上。在此，在第1层间绝缘膜上，覆盖源极电极(源极线116a)和漏极电极116b而设有第2层间绝缘膜(未图示)。另外，如图16所示，源极电极(源极线116a)和漏极电极116b通过贯穿栅极绝缘膜和第1层间绝缘膜的层叠膜而形成的接触孔115a和115b由半导体层112连接，漏极电极116b与半导体层112的漏极区域连接，并且通过贯穿第2层间绝缘膜而形成的接触孔117a与像素电极118连接。而且，如图16所示，例如半导体层112的漏极区域具有分割为两个的一对电容电极112da和112db，各电容电极112da和112db隔着栅极绝缘膜与电容线114b重叠，由此构成一对辅助电容。此外，在图16中，示例分割为两个的电容电极，在本发明的后面的说明中，也一贯地示例了分割为两个的电容电极，但是如果根据本发明的宗旨，即使是分割为三个以上，其作用和效果也不会发生变化。 

在此，在实际的有源矩阵基板的制造中，通过各像素的TFT， 对各像素的辅助电容写入电荷后，读出写入该辅助电容的电荷，进行检测各像素的短路缺陷或特性不良、连接不良等缺陷的有无的电荷检测法等电检查，并且单独或交叉地进行激光的照射所带来的切断、连接、装饰等操作来修正能够修正的缺陷，由此提高制造成品率。 

但是，在上述构成的有源矩阵基板120中，在栅极绝缘膜中形成直径为数μm程度的微小漏电缺陷，在电容电极112da或112db和电容线114b之间流过微弱电流，引起电荷泄漏而产生缺陷像素的情况下，根据上述电检查方法，即使能够判断为像素的一对辅助电容有短路缺陷，也无法确定该像素的一对辅助电容的短路缺陷的位置，具体地说，无法确定哪一对辅助电容发生了短路缺陷。在此，如果暂且不考虑装置、装备的制约，则可以用光学显微镜等观察该像素的一对辅助电容来光学地检测短路部位，但是在短时间内进行检测是困难的。另外，当检测细微的温度变化时，可以考虑优选应用于对该检测仪来说灵敏度较高的区域，以从维恩位移定律(λ＝2897/T[μm])求出的室温(300K附近)的辐射的峰值波长是9μm为基础，为了提高检测灵敏度，优选在1μm～3μm的远红外区域(下面，称为“远红外区”)求出波长作为观测波段，但是在专利文献1公开的检查方法中，从灵敏度和成像性的观点来看，可以说不是那么适合在远红外区进行的观测。另外，在专利文献1公开的检查方法中，通过目测来确定各像素的短路缺陷的位置，可以考虑对于漏电电流还不到数nA的微小漏电所造成的微小亮点等而言，缺陷原因是直径为数μm程度的针孔状，容易地视认短路缺陷是困难的。而且，在专利文献1公开的检查方法中，从电压施加状态的红外图像和无电压施加状态的红外图像的差(或商)提取示出阈值以上的异常值的坐标来判断短路缺陷，因此，为了确保检测精度，有可能被迫作出如下牺牲：需要该2个图像分别成为稳定状态为止的一定的待机时间，为了确保检测结果的正确性，检查所需时间变长。 

本发明是鉴于该点而完成的，其目的在于尽可能容易地确定缺陷像素的短路缺陷的位置。 

用于解决问题的方案

为了达到上述目的，本发明是在检测出缺陷像素的坐标后，对被检查基板或被检查面板输入检查用信号，使缺陷像素发热，并且用远红外区热像感知该像素缺陷的发热，确定作为造成缺陷像素的原因的短路缺陷的位置。 

具体地说，本发明的有源矩阵基板的制造装置的特征在于：是检测矩阵状地设有多个像素的有源矩阵基板的短路缺陷，修正该短路缺陷的有源矩阵基板的制造装置，具备：台座，其载置成为上述有源矩阵基板的被检查基板；缺陷像素检测部，其对载置于上述台座的被检查基板输入检查用信号，电检测发生了短路缺陷的缺陷像素的坐标；以及缺陷位置确定部，其对载置于上述台座的被检查基板输入上述检查用信号，使由上述缺陷像素检测部检测出的缺陷像素发热，并且用远红外区热像感知该像素缺陷的发热，确定该缺陷像素的上述短路缺陷的位置。 

根据上述构成，在缺陷像素检测部中，通过对被检查基板输入检查用信号来判明具有短路缺陷的缺陷像素的信号(源极)线编号和扫描(栅极)线编号，因此，例如算出被检查基板的缺陷像素的坐标。并且，在缺陷位置确定部中，通过再次对被检查基板输入检查用信号来使缺陷像素发热，并且通过用远红外区热像感知用缺陷像素检测部算出的坐标的缺陷像素的发热来确定缺陷像素的短路缺陷的位置。此时，根据维恩位移定律，室温下辐射的峰值波长是9μm，因此，与例如使用了专利文献1公开的检查方法预定使用的近红外区热像的情况相比，使用远红外区热像可以高灵敏度地感知缺陷像素的短路缺陷造成的发热，因此，可以尽可能容易地确定缺陷像素的短路缺陷的位置。 

也可以是，上述被检查基板具有：多个电容线，其相互平行地配设；薄膜晶体管，其与上述各像素对应地设置；以及多个电容电极，其在上述各像素中以隔着绝缘膜与上述各电容线重叠的方式分割而设置，与该薄膜晶体管连接，上述缺陷像素检测部构成为：通过电荷检测法检测上述缺陷像素的坐标。 

根据上述构成，在被检查基板的各像素中，由电容线、多个电容电极以及它们之间的绝缘膜构成多个辅助电容，因此，通过电荷检测法，通过各像素的薄膜晶体管，对各像素的多个辅助电容写入与检查用信号对应的电荷后，读出写入该辅助电容的电荷，进行统计处理后检测各像素的短路缺陷的有无。由此，电检测被检查基板的与发生了短路缺陷的缺陷像素对应的信号(源极)线编号和扫描(栅极)线编号，因此，例如具体地算出被检查基板的缺陷像素的坐标。 

也可以是，上述缺陷像素检测部具备高频信号发生器。 

根据上述构成，缺陷像素检测部具备高频信号发生器，因此，能够对各像素的多个辅助电容以任意的频率输入交流波形的检查信号，根据下面的原理，被检查基板的微弱漏电造成的短路缺陷的温度上升即使通过直流无法容易地感知，也可以通过交流更容易地感知。 

首先，说明对各辅助电容输入直流波形的检查信号的情况。此外，假定短路缺陷在设置在包括钽的电容线和包括硅的电容电极之间的绝缘层(例如，氧化硅)中发生。 

当对串联连接的电阻R1、R2(R1＞＞R2)施加恒定的电压E时，各电阻R₁、R₂的功耗P_R1、P_R2与各电阻值成比例[P_R1/R₁＝P_R2/R₂＝{E/(R₁+R₂)}²]，因此，偏向电阻值较大的电阻R₁发热。 

从热和温度的关系来看，是 

[发热收支量(ΔQ/J)]＝[温度T下的热电容(C(T)/JK^-1)]×[温度变化量(ΔT/K)] 

[焦耳发热量(ΔQ_J/J)]＝∫{[通电电流(I/A)]×[施加电压(E/V)]}d[通电时间(t/s)] 

因此，因施加直流而上升的温度上升，当不对外部做功时，成为下式。 

C(T)·ΔT＝∫(I·E)dt 

例如，当内部配线的电阻R₂是1MΩ，对与其串联连接的存在相 当于500GΩ电阻的针孔状短路缺陷的像素施加5V的直流电流时，流过的电流成为10pA，由各电阻体消耗的电力P_RX，在漏电电阻R₁中为50pW，在配线电阻R₂中为0.1fW，因此，大部分由漏电电阻R₁消耗。当漏电电阻R₁部是膜厚为(d＝1μm)、直径为 的圆柱状时，漏电部的发热量，根据硅的定容热容量C_V，Si(1.66Jcm^-3K^-1)、圆柱容积V(2.25π×10^-4×3cm³)，以4.26Ks^-1的温度上升速度被发热部的温度上升所消耗(在将下式第2项假设为0的情况)。 

{C_v(T)V)}dT/dt＝{I·E}-dQ_dis/dt 

但是，如果被检查基板的短路缺陷区域的温度局部地上升，则在实际的被检查基板中，因为短路缺陷而产生的热以与和其周边之间产生的温度梯度[grad(T)]成比例的量进行热交换。该热交换通过作为窗口的截面S(m²)，仅以热流速密度(J＝S^-1×dQ_dis/dt＝-κ×grad(T))的移动量进行扩散。例如，对漏电电阻R₁通电1μ秒所产生的热量Q_Joule(50a(阿托)J)根据因为发热源的瞬间温度上升而产生的温度梯度，以6fJ这样的产生量的数百倍的扩散量向周边扩散。因此，即使对各辅助电容输入直流波形的检查信号，因为被检查基板的短路缺陷的发热量与向周边的扩散量相比是微量的，所以感知温度变化是困难的。 

因此，在施加直流的检查中，发热量与整个电阻成反比例，因此。只要不是流过能够视认缺陷形状的数nA程度以上的电流的漏电缺陷，就无法检测。 

下面，说明对各辅助电容输入交流波形的检查信号的情况。 

如图8所示，电容电极和电容线的短路缺陷和配线电阻可以表示为与并联的CR电路串联连接了电阻R’的等价电路，从通电带来的功耗转化的热在短路的电阻R(参照图中Q)、配线电阻R’(参照图中Q’)以及电容C的内部电阻成分(能够忽视的程度)中产生。考虑在无漏电缺陷的正常部位，对于漏电电阻R将边界条件设为lim(R^-1→0)，另外，在直流通电时，对于角速度ω(＝2πf[f：频率])将边界条件设为lim(ω→0)即可。 

对于角速度为ω、有效电压为Ee的施加电压 可以从该等价电路的复数阻抗(Z’_CR)求出功耗P_Z’cr。 

当设为Z′_CR＝R′+(R^-1+ωCi)^-1

x＝ωCR、y＝ωCR′(＞0)时， 

Z′_CR/R′＝1+{xy(1+x^-2)}^-1-{y(1+x^-2)}^-1i 

(|Z′_CR|/R′)²＝{1+(x^-1+y^-1)²}/(1+x^-2) 

进行时间平均，电阻R’的功耗P_CR，R′可以从电流条件求出为(E_e/|Z′_CR|)²R′，电阻R的功耗P_CR，R可以从分压条件求出为(E_e-E_e，CRR′)2/R。 

下面，在相当于正常部位的等价电路的串联CR电路中，将边界条件设为lim(R^-1→0)[即，lim(x^-1→0)]，则可以从复数阻抗(Z′_C)导出。 

Z′_C/R′＝1-y^-1i 

(|Z′_C|/R′)²＝1+y^-2

电阻R′的功耗P_C，R′，根据电流条件，为(E_e/|Z′_C|)²R′。 

这样，施加直流时不清楚的电阻R’的发热，因为施加交流而明显化，可以通过热像进行检测。 

缺陷像素的异常部位的|Z′_CR|/R′和正常部位的|Z′_C|/R′的值相对于上述x(置换RCω)值和y(置换R′Cω)值，具体地如下面的表1那样发生变化。在此，在R＞＞R′的情况下，从表1来看也是清楚的，但是如果缺陷像素的异常部位和正常部位的C，R′完全无差异，则因为施加交流而由漏电电阻R带来的影响也不像施加直流时那样产生。 

[表1] 

但是，在现实中因为缺陷的生成而在C或R′中产生某种异常。由于因为产生缺陷而产生的C或R′，缺陷像素的异常部位的y_CR值与正常部位的y_C值产生一些差异。在表2中示出作为其差分率(1-y_CR/y_C)的α和y_C所对应的缺陷像素的异常部位的|Z′_CR|/R′以及正常部位的|Z′_C|/R′。 

[表2] 

缺陷像素的异常部位的全部阻抗|Z′_CR|和 以及正常部位的全部阻抗|Z′_C|和 相对于角速度ω的值，具体地如下面的表3的左栏那样发生变化。 

[表3] 

图9是在辅助电容发生了短路缺陷S的像素的部分放大图。图10是与其对应的等价电路图。在此，例如，在将电容电极分割为两个的情况下，设计为R′＞4R”，由此可以相对于R”而有优势地控制R’的发热，可以提高检测灵敏度。 

在各像素中，如图9所示，半导体层12的漏极区域在与电容线 14b重叠的区域产生分支，成为一对电容电极12da和12db，各电容电极12da和12db隔着栅极绝缘膜与电容线14b重叠，由此构成一对辅助电容。在此，在图9的像素中，在图中左侧的辅助电容发生了短路缺陷S，因此，图中左侧的辅助电容可以看作是与上述CR并联电路串联连接了电阻的CR电路。 

现在，例如设为：C＝1pF、R＝1TΩ、R′＝1MΩ、R”＝250kΩ，预测各电阻成分的发热量时，相对于角速度ω的值，具体地如表3的右栏那样发生变化。在此，在表3中，P_CR，R是发生了短路的辅助电容的CR电路的电阻R的发热量，P_CR，R′是与发生了短路的辅助电容的CR电路串联的电阻R′的发热量，P_C，R′是与未短路的辅助电容串联的电阻R′的发热量，P_R”是半导体层12的漏极区域的分支前的电阻R”的发热量。 

考虑作为发热源的平板状电热体(参照图11)的温度变化是发出的热传导到下方的情况。 

$C_v\left(T\right)\mathrm{Sx\ΔT}=\∫\{\left(P_{C,R^{\′}}\right)-\mathrm{S\κ}\·\∂\mathrm{\ΔT}/\∂x\}\mathrm{dt}$

在此，当R′＝1MΩ、C＝1pF时，设为y＝1，根据|Z′_C|＝√2MΩ，成为P_C，R′＝6.25μW。 

从发热源d₀离开距离d的位置的面d1的温度热的出入，使用下式的差分法所给出的热收支计算和能量守恒法则进行近似计算。 

$\mathrm{\Δ}{Q}_{d1}=C_v(S\·x)\mathrm{\Δ}{T}_1={\mathrm{\κ}}_{\mathrm{SiO}2}S\{(\mathrm{\Δ}{T}_2+\mathrm{\Δ}{T}_0-2\mathrm{\Δ}{T}_1)/x\}\∂t$

$\mathrm{\Δ}{Q}_{\mathrm{all}}=C_{v}S\∫\mathrm{\ΔT}\∂x=\∫P\∂t(x=0~\∞)$

在此，κ_SiO2(1.2Wm^-1K^-1)是SiO₂的热扩散系数，S(80μm²)是热扩散的通量的窗的截面，Cv(1.66Jcm^-3K^-1)是薄膜Si的定容热容量。 

在图12中将通过差分法模拟的结果示作一个例子。发热带来的温度分布瞬时传导到距离热源7μm程度为止的附近，平均的温度梯度成为0.04Kμm^-1的倾斜倾向，预测为从超过距离热源30μm的边起与距离的平方成反比例地衰减的倾向。 

当从现实来考虑时，如图13所示，发热体的温度变化量ΔT在栅极的打开期间Δt_gate，on内存在通电造成的发热，反复进行加热和冷却(热扩散)时发生温度变化，但是温度测量的时间常数与栅极周期 T_G相比较长，因此，考虑进行平均化即可。当将高精细液晶的栅极线的数量模拟为400根时，如下面的表4那样，按照在1.2秒为0.16K、在12秒为0.53K、在60秒为1.2K的情况，温度上升的速度缓慢地衰减，同时温度上升。此外，相对于用于促进发热的交流施加电压的角速度ω，另外设定对栅极线输入的扫描检查信号的周期T_G(参照图13)。 

可以预测，异常像素的各电阻成分的温度上升的倾向如对具体地模拟的结果加以总结所得的下面的表4那样发生变化。发热量随着角速度ω向高频侧的移动而增加，缺陷像素内的正常部位和异常部位之间的发热差在某频率(被称为截止频率)以上时可以看到有减少的倾向。 

[表4] 

如上面所说明的，在伴随着电容线和电容电极之间的微小的漏电的短路缺陷S中，仅在短路部位产生即使施加直流电压也无法热感知程度的微弱的发热，但是通过施加适当频率的交流电压，在整个电路的电流的流动方式中出现变化。例如，在将ω/rads^-1设定为 10⁶而使得成为y≈1的情况下，除了与发生了短路的辅助电容串联连接的电阻R′以外，在与未发生短路的辅助电容串联连接的电阻R′中也流过电流，根据截止条件的微妙的差异，在它们之间所产生的发热差成为最大。具体地说，当上述α是5％时，如图14所示，在半导体层12的分支部分(参照图中Q′)之间的温度差在1秒后成为8mK，在12秒后成为27mK，而且，在60秒后成为62mK，因此，能够从此时产生的温度分布来确定缺陷像素的短路缺陷的位置，能够决定修正对象。 

可以具备通过激光的照射来修正用上述缺陷位置确定部确定的短路缺陷的缺陷修正部。 

根据上述构成，具备通过激光的照射来修正短路缺陷的缺陷修正部，因此，在缺陷修正部中，能够具体地修正用缺陷位置确定部确定的短路缺陷。 

也可以是，上述缺陷位置确定部具有远红外线用第1物镜，上述缺陷修正部具有激光用第2物镜，上述第1物镜和第2物镜构成为能从离开上述台座的位置通过滑动方式相互切换的结构。 

根据上述构成，缺陷位置确定部的远红外线用第1物镜和缺陷修正部的激光用第2物镜能从离开上述台座的位置通过滑动方式相互切换，因此，能够抑制从第1物镜切换到第2物镜时透镜的位置偏差，能够用缺陷修正部可靠地修正用缺陷位置确定部确定了位置的短路缺陷。 

另外，本发明的有源矩阵基板的制造方法的特征在于：是检测矩阵状地设有多个像素的有源矩阵基板的短路缺陷，修正该短路缺陷的有源矩阵基板的制造方法，具备：缺陷像素检测工序，对成为上述有源矩阵基板的被检查基板输入检查用信号，电检测发生了短路缺陷的缺陷像素的坐标；和缺陷位置确定工序，对上述被检查基板输入上述检查用信号，使由上述缺陷像素检测部检测出的缺陷像素发热，并且用远红外区热像感知该缺陷像素的发热，确定该缺陷像素的上述短路缺陷的位置。 

根据上述方法，在缺陷像素检测工序中，通过对被检查基板输 入检查用信号来判明具有短路缺陷的缺陷像素的信号(源极)线编号和扫描(栅极)线编号，因此，例如算出被检查基板的缺陷像素的坐标。并且，在缺陷位置确定工序中，通过再次对被检查基板输入检查用信号来使缺陷像素发热，并且通过用远红外区热像感知用缺陷像素检测工序算出的坐标的缺陷像素的发热来确定缺陷像素的短路缺陷的位置。此时，根据维恩位移定律，室温下辐射的峰值波长是9μm，因此，与使用了例如专利文献1公开的检查方法预定使用的近红外区热像的情况相比，使用远红外区热像可以高灵敏度地感知缺陷像素的短路缺陷的发热，因此，可以尽可能容易地确定缺陷像素的短路缺陷的位置。 

也可以是，具备通过激光的照射来修正用上述缺陷位置确定工序确定的短路缺陷的缺陷修正工序。 

根据上述方法，具备通过激光的照射来修正短路缺陷的缺陷修正工序，因此，在缺陷修正工序中，能够具体地修正用缺陷位置确定工序确定的短路缺陷。 

也可以是，上述被检查基板具有：多个电容线，其相互平行地配设；薄膜晶体管，其与上述各像素对应地设置；以及多个电容电极，其在上述各像素中以隔着绝缘膜与上述各电容线重叠的方式分割而设置，与该薄膜晶体管连接，在上述缺陷像素检测工序中，检测上述各电容线和上述多个电容电极之间的短路缺陷，在上述缺陷修正工序中，解除与用上述缺陷位置确定工序确定的短路缺陷的位置对应的上述多个电容电极的至少1个与上述薄膜晶体管的连接。 

根据上述方法，在被检查基板的各像素中，由电容线、分割为多个的电容电极、以及它们之间的绝缘膜构成分割为多个的辅助电容，在缺陷像素检测工序中，检测在各电容线和分割为多个的电容电极之间发生了短路的缺陷像素，在缺陷位置确定工序中，使由缺陷像素检测工序检测出的缺陷像素发热，并且用远红外区热像感知该发热，确定缺陷像素的短路缺陷的位置，在缺陷修正工序中，将与用缺陷位置确定工序确定的短路缺陷的位置对应的分割为多个的电容电极的至少1个从薄膜晶体管分开，因此，可以具体地起到 本发明的作用效果。 

也可以是，上述被检查基板是形成多个像素电极和配置在该各像素电极的下层的绝缘膜之前的基板。 

根据上述方法，被检查基板是形成多个像素电极和配置在各像素电极的下层的绝缘膜之前的基板，因此，在进行了缺陷修正工序后，形成多个像素电极和配置在各像素电极的下层的绝缘膜。因此，因为对有源矩阵基板的表面照射激光而形成的修正痕迹的孔、表面状态的异常等通过在后面的工序中进行的绝缘膜的形成而被埋上并实现平坦化，因此，用以后的工序制造的有源矩阵基板的表面与用通常的制造方法制造的有源矩阵基板的表面同样地变得平坦。由此，在具备有源矩阵基板的液晶显示面板中，抑制在激光修正部位的液晶层的取向混乱，因此，可以进行不会因为修正工作而引起漏光的能够保持显示质量的缺陷修正。 

也可以是，上述被检查基板具有：多个电容线，其相互平行地配设；薄膜晶体管，其与上述各像素对应地设置；以及多个电容电极，其在上述各像素中以隔着绝缘膜与上述各电容线重叠的方式分割而设置，与该薄膜晶体管连接，在上述各像素中，上述多个电容电极分别构成电容C的辅助电容，电阻R’的配线电阻与该各辅助电容串联连接，在上述缺陷位置确定工序中，对上述各像素的多个辅助电容输入角速度为ω的高频信号，使得ωCR’为0.1～10，优选为0.3～3。 

在此，图15是示出与一对辅助电容串联连接的电阻R’的发热量P与频率(角速度ω)的关系的坐标图。并且，在有源矩阵基板中，当高频信号的角速度ω(2πf)变高时，像素内部的电阻造成的发热变得显著，但是如图15所示，正常部(P_C，R’)和异常部(P_CR，R’)的差异(差分值)以截止频率(y(＝ωCR’)＝1)附近为边界而变小。另外，根据图15和表4，从1nW程度能够检测温度差，因此，如果以成为截止频率的0.1倍～10倍的范围的方式输入高频信号的角速度，则可以检测发生了短路的辅助电容，可靠地确定缺陷像素的短路缺陷的位置。此外，如果以成为截止频率的0.3倍～3倍的范围的方式输入高频信号 的角速度，则可以更可靠地确定缺陷像素的短路缺陷的位置。 

另外，本发明的显示面板的制造装置的特征在于：是检测矩阵状地设有多个像素的显示面板的短路缺陷，修正该短路缺陷的显示面板的制造装置，具备：台座，其载置成为上述显示面板的被检查面板；缺陷像素检测部，其对载置于上述台座的被检查面板输入检查用信号，光学地检测发生了短路缺陷的缺陷像素的坐标；以及缺陷位置确定部，其对载置于上述台座的被检查面板输入上述检查用信号，使由上述缺陷像素检测部检测出的缺陷像素发热，并且用远红外区热像感知该缺陷像素的发热，确定该缺陷像素的上述短路缺陷的位置。 

根据上述构成，在缺陷像素检测部中，通过对被检查面板输入检查用信号来判明具有短路缺陷的缺陷像素的信号(源极)线编号和扫描(栅极)线编号，因此，例如算出被检查面板的缺陷像素的坐标。并且，在缺陷位置确定部中，通过再次对被检查面板输入检查用信号来使缺陷像素发热，并且通过用远红外区热像感知用缺陷像素检测部算出的坐标的缺陷像素的发热来确定缺陷像素的短路缺陷的位置。此时，根据维恩位移定律，室温下辐射的峰值波长是9μm，因此，与使用了例如专利文献1公开的检查方法预定使用的近红外区热像的情况相比，使用远红外区热像可以高灵敏度地感知缺陷像素的短路缺陷造成的发热，因此，可以尽可能容易地确定缺陷像素的短路缺陷的位置。 

另外，本发明的显示面板的制造方法的特征在于：是检测矩阵状地设有多个像素的显示面板的短路缺陷，修正该短路缺陷的显示面板的制造方法，具备：缺陷像素检测工序，对成为上述显示面板的被检查面板输入检查用信号，光学地检测发生了短路缺陷的缺陷像素的坐标；和缺陷位置确定工序，对上述被检查面板输入上述检查用信号，使由上述缺陷像素检测部检测出的缺陷像素发热，并且用远红外区热像感知该缺陷像素的发热，确定该缺陷像素的上述短路缺陷的位置。 

根据上述方法，在缺陷像素检测工序中，通过对被检查面板输 入检查用信号来判明具有短路缺陷的缺陷像素的信号(源极)线编号和扫描(栅极)线编号，因此，例如算出被检查面板的缺陷像素的坐标。并且，在缺陷位置确定工序中，通过再次对被检查面板输入检查用信号来使缺陷像素发热，并且通过用远红外区热像感知用缺陷像素检测工序算出的坐标的缺陷像素的发热来确定缺陷像素的短路缺陷的位置。此时，根据维恩位移定律，室温下辐射的峰值波长是9μm，因此，与使用了例如专利文献1公开的检查方法预定使用的近红外区热像的情况相比，使用远红外区热像可以高灵敏度地感知缺陷像素的短路缺陷造成的发热，因此，在显示面板中，可以尽可能容易地确定缺陷像素的短路缺陷的位置。 

发明效果

根据本发明，在检测出缺陷像素的坐标后，对被检查基板或被检查面板输入检查用信号，使缺陷像素发热，并且用远红外区热像感知该缺陷像素的发热，确定作为造成缺陷像素的原因的短路缺陷的位置，因此，可以尽可能容易地确定缺陷像素的短路缺陷的位置。 

附图说明

图1是实施方式1的基板修正装置80a的立体图。 

图2是用基板修正装置80a制造的有源矩阵基板20a的平面图。 

图3是沿着图2中的III-III线的有源矩阵基板20a的截面图。 

图4是示出使用了基板修正装置80a的有源矩阵基板20a的制造方法的流程图。 

图5是实施方式2的面板修正装置80b的立体图。 

图6是其它的实施方式的有源矩阵基板20c的平面图。 

图7是示出构成有源矩阵基板20c的源极线、与其正交的电阻R的电容线以及形成在它们的交叉部的电容C的平面图。 

图8是发生了短路缺陷的辅助电容的等价电路图。 

图9是在一方的辅助电容发生了短路缺陷S的像素的局部放大图。 

图10是在一方的辅助电容发生了短路缺陷S的像素的等价电路 

图11是示意地示出来自平板状热源的热的传导的立体图。 

图12是示出用差分法模拟与热源的距离和温度上升的关系的结果的坐标图。 

图13是示出向被检查基板的栅极线输入扫描信号的定时和发热/热的扩散造成的温度变化ΔT曲线的关系的示意图。 

图14是示出一对辅助电容的一方发生了短路缺陷S的像素的发热的局部放大图。 

图15是示出与一对辅助电容串联连接的电阻R’的发热量P和频率(角速度ω)的关系的坐标图。 

图16是对各像素设置了一对保持电容电极的有源矩阵基板120的平面图。 

具体实施方式

下面，根据附图详细地说明本发明的实施方式。此外，本发明不限于下面的各实施方式。 

《发明的实施方式1》 

图1～图4示出本发明的有源矩阵基板的制造装置和制造方法的实施方式1。 

具体地说，图1是本实施方式的基板修正装置80a的立体图。 

如图1所示，基板修正装置80a具备：台座30a，其用于载置成为后述的有源矩阵基板的被检查基板19；缺陷像素检测部40a，其用于对载置于台座30a的被检查基板19输入实际驱动的检查用信号，电检测发生了短路缺陷的缺陷像素的坐标；缺陷位置确定部50，其用于对载置于台座30a的被检查基板19输入实际驱动的检查用信号，使缺陷像素发热，并且确定该缺陷像素的短路位置；以及缺陷修正部60，其用于通过激光的照射来修正用缺陷位置确定部50确定的短路缺陷。 

如图1所示，台座30a构成为：与台座控制器31连接，在上面载置了被检查基板19的状态下，在X轴方向、Y轴方向、Z轴方向以及 作为台座转动轴的R轴方向上能够适当地移动。 

如图1所示，缺陷像素检测部40a具备：探测器42，其用于对被检查基板19输入检查用信号；阵列检查装置41a，其用于通过被检查基板19的各像素的TFT，对各像素的辅助电容写入电荷后，读出对该辅助电容写入的电荷，由此检测各像素的像素缺陷的有无来算出像素缺陷的坐标，并且对台座控制器31供给被检查基板19的缺陷像素的坐标；以及高频信号发生器43，其用于将从阵列检查装置41a对被检查基板19输入的检查用信号设为高频。 

如图1所示，缺陷位置确定部50具备：红外线用第1物镜51，其设于被检查基板19侧，由Si、Ge等形成；和热像的检测器52，其用于对被检查基板19检测缺陷像素，可以用监视器73观察用检测器52检测的热像。 

如图1所示，缺陷修正部60具备：第2物镜61a，其设于被检查基板19侧，用于可视观察，倍率相对低；第2物镜61b，其同样地设于被检查基板19侧，用于可视观察/激光修正，倍率相对高；激光光源66，其用于产生并供给激光；反射镜62、反射镜63、透镜64以及反射镜65，其在第2物镜61a/61b和激光光源66之间按顺序设置；以及激光电源67，其与激光光源66连接。在此，如图1所示，反射镜63通过透镜71连接着受光器72，可以通过监视器73确认/记录被检查基板19的表面的缺陷修正前/后的图像。 

如图1所示，第1物镜51和第2物镜61a/61b固定在滑动部74b，所述滑动部74b被安装为能够在细长框状的导轨74a上平行移动。 

下面，说明被检查基板19和以其制造的有源矩阵基板20a。在此，图2是用基板修正装置80a制造的有源矩阵基板20a的平面图，图3是沿着图2中的III-III线的有源矩阵基板20a的截面图。 

如图2和图3所示，有源矩阵基板20a具备：像素电极18，其矩阵状地设有多个；多个栅极线14a，其沿着各像素电极18的上边和下边相互平行地配设；多个源极线16a，其沿着各像素电极18的左边和右边相互平行地配设；多个电容线14b，其在各栅极线14a之间相互平行地配设；以及TFT5，其与各像素电极18对应地设有1个或 多个。 

如图2和图3所示，TFT5具备：半导体层12，其隔着基底膜11设于绝缘膜10；栅极绝缘膜13，其覆盖半导体层12而设置；栅极电极14aa，其设于栅极绝缘膜13上；第1层间绝缘膜15，其覆盖栅极电极14aa而设置；以及源极电极(源极线16a)和漏极电极16b，其设于第1层间绝缘膜15上。并且，在第1层间绝缘膜15上，如图3所示，以覆盖源极电极(源极线16a)和漏极电极16b的方式设有第2层间绝缘膜17。在此，如图2和图3所示，栅极电极14aa是各栅极线14a在各个像素P中分别向侧方突出的部分，与半导体层12的沟道区域12c重叠。另外，如图2和图3所示，上述源极电极是各源极线16a的一部分，通过形成于栅极绝缘膜13和第1层间绝缘膜15的层叠膜的接触孔15a与半导体层12的源极区域12s连接。而且，如图2和图3所示，漏极电极16b通过形成于栅极绝缘膜13和第1层间绝缘膜15的层叠膜的接触孔15b与半导体层12的漏极区域12d连接并且通过形成于第2层间绝缘膜17的接触孔17a与像素电极18连接。另外，半导体层12的漏极区域12d如在图2中将电容电极分割为两个的例子示出的那样，具有一对电容电极12da和12db，各电容电极12da和12db隔着栅极绝缘膜13与电容线14b重叠，由此构成一对辅助电容。 

如图3所示，被检查基板19是在有源矩阵基板20a中形成第2层间绝缘膜17和多个像素电极18之前的基板。 

下面，说明使用上述构成的基板修正装置80a制造有源矩阵基板20a的方法。在此，图4是示出使用了基板修正装置80a的有源矩阵基板20a的制造方法的流程图。此外，本实施方式的制造方法具备：准备工序，准备被检查基板19；缺陷像素检测工序，检测发生了短路缺陷的缺陷像素的坐标；缺陷位置确定工序，确定缺陷像素的短路缺陷的位置；缺陷修正工序，修正短路缺陷；以及像素电极形成工序，在被检查基板19中形成像素电极。 

<准备工序> 

首先，在玻璃基板等绝缘基板10的整个基板上，例如通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法形成氧化硅 膜等而形成基底膜11。 

接着，在形成了基底膜11的整个基板上，例如将乙硅烷等用作原料气体，通过等离子体CVD法形成非晶硅膜后，通过高输出脉冲激光的照射、加热处理等进行结晶化来变成多晶硅膜。之后，使用光刻法图案化该多晶硅膜，形成半导体层12。 

而且，在形成了半导体层12的整个基板上，例如通过等离子体CVD法形成氧化硅膜等而形成栅极绝缘膜13。 

并且，在形成了栅极绝缘膜13的整个基板上，通过溅射法例如形成钨膜等，之后，使用光刻法进行图案化，形成栅极线14a、栅极电极14aa以及电容线14b。 

接着，将栅极电极14aa作为掩模，隔着栅极绝缘膜13对半导体层12通过离子掺杂装置以磷或硼进行离子掺杂，在与栅极电极14aa重叠的部分形成沟道区域12c，在其外侧形成源极区域12s和漏极区域12d。之后，进行加热处理，进行所掺杂的磷或硼的活性化处理。 

而且，在形成了栅极线14a、栅极电极14aa以及电容线14b的整个基板上，通过等离子体CVD法，例如形成氧化硅膜等来形成第1层间绝缘膜115。 

之后，部分地除去第2栅极绝缘膜13和第1层间绝缘膜15的层叠膜，形成接触孔15a和15b。 

并且，在第1层间绝缘膜15上的整个基板上，通过溅射法，例如顺序形成钛膜、铝膜以及钛膜，之后，使用光刻法进行图案化，形成源极线(源极电极)16a和漏极电极16b。 

而且，进行加热处理，氢化半导体层12，使其悬挂键终端化。 

如上所述，能够准备被检查基板19。 

<缺陷像素检测工序> 

首先，在基板修正装置80a的台座30a上，载置用上述准备工序准备的被检查基板19。 

接着，在将探测器42的顶端按压到被检查基板19的多个输入端子(未图示)的状态下，对各输入端子输入检查用信号，由此通过各像素P的TFT5，对各像素P的一对辅助电容写入电荷后，读出写入 该辅助电容的电荷，检测各像素P的一对辅助电容的短路缺陷S(参照图9)的有无(参照图4中的St1)。并且，在存在短路缺陷S的情况下，确定被检查基板19的缺陷像素的坐标(参照图4中的St2)，对控制、解析处理系统发送该坐标(参照图4中的St3)。在此，在无缺陷像素的区域中，检测为在各像素P读出的电荷量大致均匀，另外，在存在缺陷像素的区域中，检测为缺陷像素的电荷量与其周围的各像素P的电荷量不同，因此，可以通过统计处理来发现异常缺陷。 

<缺陷位置确定工序> 

首先，使载置了用上述缺陷像素检测工序确定了缺陷像素的坐标的被检查基板19的台座30适当地移动，由此在第1物镜51的下方配置发生了短路缺陷S的缺陷像素，用显微镜放大该缺陷像素和其附近(参照图4中的St4)。 

接着，在将探测器42的顶端按压到被检查基板19的多个输入端子(未图示)的状态下，对各输入端子输入检查用信号，由此通过各像素P的TFT5，对各像素P的一对辅助电容写入电荷，并且对各电容线14b施加交流电压，提高其频率，由此使缺陷像素发热(参照图4中的St5)。此时，在缺陷像素的一对辅助电容中，在两者之间产生温度差，因此，用远红外区热像感知该缺陷像素的发热造成的温度差，由此确定缺陷像素的存在短路缺陷S一侧的辅助电容(参照图4中的St6)。 

<缺陷修正工序> 

首先，使滑动部74b在导轨74a内滑动，由此例如在第2物镜61b的下方配置用上述缺陷位置确定工序确定的缺陷像素的短路缺陷S，将光学系统从红外线系统切换到激光修正系统(参照图4中的St7a)。并且，用阵列检查装置41a以检查信号波形进行切换检查来对控制、解析处理系统发送缺陷像素的缺陷S的缺陷范畴，控制、解析处理系统将短路缺陷S的原因根据其位置、缺陷范畴等进行解析(参照图4中的St7b)，选择修正方法(参照图4中的St8)。 

接着，对被检查基板19照射激光，由此例如切断与和短路缺陷S的位置对应的电容电极12db连接的半导体层12的漏极区域12d的 分支部分的一方，修正短路缺陷S(参照图4中的St9)。 

而且，将光学系统从激光修正系统切换到红外线系统后，对被检查基板19的各输入端子输入检查用信号等，用远红外区热像确认修正缺陷像素的成功与否(参照图4中的St10)。 

<像素电极形成工序> 

首先，在用上述缺陷修正工序修正了短路缺陷S的被检查基板19的整个基板上，例如用旋涂法涂敷丙烯酸类树脂等，形成第2层间绝缘膜17。 

接着，部分地蚀刻除去第2层间绝缘膜17，形成接触孔17a。 

最后，在形成了具有接触孔17a的第2层间绝缘膜17的整个基板上，通过溅射法，例如形成ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)膜等透明导电膜后，使用光刻法进行图案化，形成像素电极18。 

如上所示，可以制造有源矩阵基板20a。 

如上面所说明的，根据本实施方式的有源矩阵基板20a的制造装置(基板修正装置80a)和制造方法，以缺陷像素检测部40a和缺陷像素检测工序，通过对被检查基板19输入检查用信号来判明具有短路缺陷S的缺陷像素的信号(源极)线编号和扫描(栅极)线编号，因此，算出被检查基板19的缺陷像素的坐标。并且，以缺陷位置确定部50和缺陷位置确定工序，通过再次对被检查基板19输入检查用信号来使缺陷像素发热，并且通过用远红外区热像感知用缺陷像素检测部40a算出的坐标的缺陷像素的发热来确定缺陷像素的短路缺陷S的位置。此时，根据维恩位移定律，室温下辐射的峰值波长是9μm，因此，与使用了例如专利文献1公开的检查方法预定使用的近红外区热像的情况相比，使用远红外区热像可以高灵敏度地感知在缺陷像素的短路缺陷S周边看到的发热，因此，可以尽可能容易地确定缺陷像素的短路缺陷的位置。 

另外，根据本实施方式的基板修正装置80a，缺陷像素检测部40a具备高频信号发生器43，因此，可以对各像素P的分割为多个的辅助电容以规定的频段中的任意的频率输入交流波形的检查信号，可以通过直接或间接的方法使温度上升来容易地感知因为被检查 基板19的短路缺陷S而带来的缺陷像素中应修正的位置。 

另外，根据本实施方式的基板修正装置80a，缺陷位置确定部50的远红外线用第1物镜51和缺陷修正部60的激光用第2物镜61a/61b可以从台座30a离开的位置通过滑动方式相互切换，因此，能够抑制从第1物镜51切换到第2物镜61a/61b时的透镜的位置偏差，能够用缺陷修正部60迅速且可靠地修正用缺陷位置确定部50确定了位置的短路缺陷S。 

另外，根据本实施方式的有源矩阵基板20a的制造方法，被检查基板19是形成多个像素电极18和配置在各像素电极18的下层的第2层间绝缘膜17之前的基板，因此，在进行缺陷修正工序后，形成多个像素电极18和配置在各像素电极18的下层的第2层间绝缘膜17。因此，因为对有源矩阵基板20a的表面照射激光而形成的修正痕迹的孔、表面状态的异常等通过第2层间绝缘膜17的形成而被埋上并实现平坦化，有源矩阵基板的表面与用通常的制造方法制造的有源矩阵基板的表面同样地变得平坦。由此，在具备有源矩阵基板20a的液晶显示面板中，在激光修正部位的液晶层的取向混乱被解除，因此，可以进行不发生有可能因为修正工作而引起的漏光的能够保持高显示质量的缺陷修正。 

此外，在本实施方式中，示例了通过电荷检测法来检测成为有源矩阵基板的被检查基板的缺陷像素的坐标的方法，但是本发明也可以通过像素电位成像等其它的电检查来检测缺陷像素的坐标。 

另外，在本实施方式中，示例了电检查形成像素电极之前的被检查基板的方法，但是本发明也可以对形成像素电极后的有源矩阵基板以提取像素电极的缺陷为目的进行电检查。 

而且，在本实施方式中，以将辅助电容电极分割为两个的方式进行了示例，但是在本发明中，分割数即使是3以上，其作用和效果也不会发生变化。 

《发明的实施方式2》 

图5是本实施方式的面板修正装置80b的立体图。此外，在下面的各实施方式中，对与图1～图4相同的部分附上相同的附图标记， 省略其详细的说明。 

在上述实施方式1中，示例了在基板状态下检测短路缺陷并修正短路缺陷的有源矩阵基板的制造装置和制造方法，但是在本实施方式中，示例在面板状态下检测短路缺陷并修正短路缺陷的液晶显示面板(下面，称为“被检查面板25”)的制造装置和制造方法。 

如图5所示，基板修正装置80b具备：台座30b，其用于载置后述的被检查面板25；缺陷像素检测部40b，其用于对从相对基板侧载置于台座30b的被检查基板25输入检查用信号，检测发生了短路缺陷的缺陷像素的坐标；缺陷位置确定部50，其用于对载置于台座30b的被检查基板25输入检查用信号，使缺陷像素发热，并且确定该缺陷像素的短路位置；以及缺陷修正部60，其用于通过激光的照射来修正用缺陷位置确定部50确定的短路缺陷。 

如图5所示，台座30b构成为：与台座控制器31连接，在上面载置了被检查面板25的状态下，在X轴方向、Y轴方向、Z轴方向以及作为台座转动轴的R轴方向上能够适当地移动。另外，台座30b包括来自背光源(未图示)的光可以透射到所载置的被检查面板25的显示区域(未图示)的透明材料。 

如图5所示，缺陷像素检测部40b具备：探测器42，其用于对被检查面板25输入检查用信号；点亮检查装置41b，其用于通过驱动被检查面板25，使其显示，检测各像素的短路缺陷的有无来算出缺陷像素的坐标，并且对台座控制器31供给被检查面板25的缺陷像素的坐标；以及高频信号发生器43，其用于将从点亮检查装置41b对被检查面板25输入的检查用信号设为高频。 

下面，说明被检查面板25，即液晶显示面板。 

被检查面板25具备相互相对地配置的有源矩阵基板和相对基板以及封入有源矩阵基板和相对基板之间的液晶层。 

上述有源矩阵基板的构成与在上述实施方式1中说明的有源矩阵基板20a在实质上是相同的。 

上述相对基板例如具备：黑矩阵，其在绝缘基板上框状地且在该框内格子状地设置；彩色滤色片，其包括在该黑矩阵的各格子之 间分别设置的红色层、绿色层以及蓝色层；以及共用电极，其以覆盖黑矩阵和彩色滤色片的方式设置。 

上述液晶层包括具有电光学特性的向列相的液晶材料等。 

在上述构成的被检查面板25中，在作为图像的最小单位的各个像素P中，当通过栅极线(14a)对栅极电极(14aa)发送栅极信号，TFT(5)成为导通状态时，通过源极线(16a)对源极电极发送源极信号，通过半导体层(12)和漏极电极(16b)对像素电极(18)写入规定的电荷。此时，在有源矩阵基板(20a)的各像素电极(18a)和相对基板的共用电极之间产生电位差，对液晶层施加规定的电压。并且，在被检查面板25中，根据对液晶层施加的电压的大小来改变液晶层的取向状态，由此调整液晶层的光透射率来显示色感丰富的图像。 

就使用上述构成的基板修正装置80b来制造液晶显示面板的方法而言，仅是在上述实施方式1的缺陷像素检测工序和缺陷位置确定工序中，将通过电荷检测法进行的基板检查置换为点亮检查，仅是在上述实施方式1的缺陷修正工序中，将照射激光的对象从被检查基板19置换为被检查面板25，因此，省略其说明。 

根据本实施方式的液晶显示面板的制造装置(面板修正装置80b)和制造方法，在缺陷像素检测部40b和缺陷像素检测工序中，通过对被检查面板25输入检查用信号来检测具有短路缺陷S的缺陷像素的位置，因此，可以算出被检查面板25的缺陷像素的坐标。并且，在缺陷位置确定部50和缺陷位置确定工序中，通过再次对被检查面板25输入检查用信号来使缺陷像素发热。在此，由缺陷像素发出的热向基板内部传导并到达里面，因此，即使朝向台座30b侧载置被检查面板25的相对基板，也可以用远红外区热像检测缺陷位置的温度变化。另外，通过用远红外区热像感知用缺陷像素检测部50算出的坐标的缺陷像素的发热来确定缺陷像素的短路缺陷的位置，但是根据维恩位移定律，室温下辐射的峰值波长是9μm，因此，与使用了例如专利文献1公开的检查方法预定使用的近红外区热像的情况相比，使用远红外区热像可以高灵敏度地感知缺陷像素的短路缺陷造成的发热，因此，在液晶显示面板中，可以尽可能容易地确 定缺陷像素的短路缺陷的位置。 

《其它的实施方式》 

图6是本实施方式的有源矩阵基板20c的平面图，图7是示出构成有源矩阵基板20c的源极线、与其正交的电阻R的电容线以及形成在它们的交叉部的电容C的平面图。 

在上述各实施方式中，示例了检测有源矩阵基板和液晶显示面板的短路缺陷并修正短路缺陷的制造装置和制造方法，但是本发明也可以在各电容线的断线的检测中使用。 

具体地说，如图6和图7所示，可以考虑在各像素中，由配线的电阻R和与其枝状地连接的电容C来形成CR电路。在此，当电容线14b在X部断线时，不会对比X部靠左侧的虚线部的电容线14b输入高频信号，因此，在沿着该虚线部的电容线14b的像素中，不会产生高频振动造成的发热，对其以外的实线部的各电容线14b输入高频信号，因此，在沿着该实线部的各电容线14b的像素中，产生高频振动造成的发热。因此，可以通过用热像感知各像素的发热造成的温度差来检测电容线14b的断线部位。 

在上述各实施方式中，示例了有源矩阵基板和具备其的液晶显示面板，但是本发明也可以在有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示面板等其它的显示面板和构成X线传感器等这种读取各像素电极所带的电荷的传感器基板的有源矩阵基板中使用。 

工业上的可利用性

如上面所说明的，本发明可以容易地确定有源矩阵基板的像素内的短路缺陷的位置，因此，对于有源矩阵基板和具备其的液晶显示面板的制造是有用的。 

附图标记说明

P像素 

S短路缺陷 

5 TFT 

12da、12db电容电极 

13栅极绝缘膜 

14b电容线 

17第2层间绝缘膜 

18像素电极 

19被检查基板 

20a、20c有源矩阵基板 

25液晶显示面板(被检查面板) 

30a、30b台座 

40a、40b缺陷像素检测部 

43高频信号发生部 

50缺陷位置确定部 

51第1物镜 

60缺陷修正部 

61a、61b第2物镜 

80a基板修正装置(有源矩阵基板的制造装置) 

80b面板修正装置(显示面板的制造装置) 

Claims (8)

1.一种有源矩阵基板的制造装置，其特征在于：

是检测矩阵状地设有多个像素的有源矩阵基板的短路缺陷，修正该短路缺陷的有源矩阵基板的制造装置，

具备：

台座，其载置成为上述有源矩阵基板的被检查基板；

缺陷像素检测部，其对载置于上述台座的被检查基板输入检查用信号，电检测发生了短路缺陷的缺陷像素的坐标；以及

缺陷位置确定部，其对载置于上述台座的被检查基板输入上述检查用信号，使由上述缺陷像素检测部检测出的缺陷像素发热，并且用远红外区热像感知该像素缺陷的发热，确定该缺陷像素的上述短路缺陷的位置，

上述被检查基板具有：多个电容线，其相互平行地配设；薄膜晶体管，其与上述各像素对应地设置；以及多个电容电极，其在上述各像素中以隔着绝缘膜与上述各电容线重叠的方式分割而设置，与该薄膜晶体管连接，

上述缺陷像素检测部构成为：通过电荷检测法检测上述缺陷像素的坐标，

上述缺陷像素检测部具备高频信号发生器。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板的制造装置，其特征在于：

具备缺陷修正部，上述缺陷修正部通过激光的照射来修正用上述缺陷位置确定部确定的短路缺陷。

3.一种有源矩阵基板的制造装置，其特征在于：

是检测矩阵状地设有多个像素的有源矩阵基板的短路缺陷，修正该短路缺陷的有源矩阵基板的制造装置，

具备：

台座，其载置成为上述有源矩阵基板的被检查基板；

缺陷像素检测部，其对载置于上述台座的被检查基板输入检查用信号，电检测发生了短路缺陷的缺陷像素的坐标；

缺陷位置确定部，其对载置于上述台座的被检查基板输入上述检查用信号，使由上述缺陷像素检测部检测出的缺陷像素发热，并且用远红外区热像感知该像素缺陷的发热，确定该缺陷像素的上述短路缺陷的位置；以及

缺陷修正部，上述缺陷修正部通过激光的照射来修正用上述缺陷位置确定部确定的短路缺陷，

上述缺陷位置确定部具有远红外线用第1物镜，

上述缺陷修正部具有激光用第2物镜，

上述第1物镜和第2物镜构成为能从离开上述台座的位置通过滑动方式相互切换的结构。

4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板的制造装置，其特征在于：

上述被检查基板具有：多个电容线，其相互平行地配设；薄膜晶体管，其与上述各像素对应地设置；以及多个电容电极，其在上述各像素中以隔着绝缘膜与上述各电容线重叠的方式分割而设置，与该薄膜晶体管连接，

上述缺陷像素检测部构成为：通过电荷检测法检测上述缺陷像素的坐标。

5.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：

是检测矩阵状地设有多个像素的有源矩阵基板的短路缺陷，修正该短路缺陷的有源矩阵基板的制造方法，

具备：

缺陷像素检测工序，对成为上述有源矩阵基板的被检查基板输入检查用信号，电检测发生了短路缺陷的缺陷像素的坐标；

缺陷位置确定工序，对上述被检查基板输入上述检查用信号，使由上述缺陷像素检测部检测出的缺陷像素发热，并且用远红外区热像感知该缺陷像素的发热，确定该缺陷像素的上述短路缺陷的位置；以及

通过激光的照射来修正用上述缺陷位置确定工序确定的短路缺陷的缺陷修正工序，

上述被检查基板具有：多个电容线，其相互平行地配设；薄膜晶体管，其与上述各像素对应地设置；以及多个电容电极，其在上述各像素中以隔着绝缘膜与上述各电容线重叠的方式分割而设置，与该薄膜晶体管连接，

在上述缺陷像素检测工序中，检测上述各电容线和上述多个电容电极之间的短路缺陷，

在上述缺陷修正工序中，解除与用上述缺陷位置确定工序确定的短路缺陷的位置对应的上述多个电容电极的至少1个与上述薄膜晶体管的连接，

在上述各像素中，上述多个电容电极分别构成电容C的辅助电容，电阻R’的配线电阻与该各辅助电容串联连接，

在上述缺陷位置确定工序中，对上述各像素的多个辅助电容输入角速度为ω的高频信号，使得ωCR’为0.1～10，优选为0.3～3。

6.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：

是检测矩阵状地设有多个像素的有源矩阵基板的短路缺陷，修正该短路缺陷的有源矩阵基板的制造方法，

具备：

缺陷像素检测工序，对成为上述有源矩阵基板的被检查基板输入检查用信号，电检测发生了短路缺陷的缺陷像素的坐标；以及

缺陷位置确定工序，对上述被检查基板输入上述检查用信号，使由上述缺陷像素检测部检测出的缺陷像素发热，并且用远红外区热像感知该缺陷像素的发热，确定该缺陷像素的上述短路缺陷的位置，

上述被检查基板具有：多个电容线，其相互平行地配设；薄膜晶体管，其与上述各像素对应地设置；以及多个电容电极，其在上述各像素中以隔着绝缘膜与上述各电容线重叠的方式分割而设置，与该薄膜晶体管连接，

在上述各像素中，上述多个电容电极分别构成电容C的辅助电容，电阻R’的配线电阻与该各辅助电容串联连接，

在上述缺陷位置确定工序中，对上述各像素的多个辅助电容输入角速度为ω的高频信号，使得ωCR’为0.1～10，优选为0.3～3。

7.根据权利要求6所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：

具备通过激光的照射来修正用上述缺陷位置确定工序确定的短路缺陷的缺陷修正工序。

8.根据权利要求6或7所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：

上述被检查基板是形成多个像素电极和配置在该各像素电极的下层的绝缘膜之前的基板。