CN103858017B - 配线缺陷检查方法和配线缺陷检查装置 - Google Patents

配线缺陷检查方法和配线缺陷检查装置 Download PDF

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Abstract

一种配线缺陷检查方法,进行半导体基板的配线短路部的检测,其特征在于,进行如下工序:预短路工序,使检查对象的配线的端子间短路;以及电阻值测量工序,在上述预短路工序之后,测量上述检查对象的配线的电阻值,由此判断有无上述配线短路部。

Description

配线缺陷检查方法和配线缺陷检查装置
技术领域
本发明涉及适于形成于液晶显示器、有机EL显示器中使用的TFT(Thin filmtransistor:薄膜晶体管)阵列基板或者太阳能电池面板等半导体基板的配线的缺陷检测的配线缺陷检查方法、配线缺陷检查装置、配线缺陷检查程序以及配线缺陷检查程序记录介质。
背景技术
一般地,在液晶面板的制造工序中,通过TFT阵列工序、单元工序以及模块工序等制造液晶面板。其中在TFT阵列工序中,在透明基板上,平行地配设有作为TFT的扫描线发挥功能的多条栅极线,并且与栅极线正交地配设有作为信号线发挥功能的多条源极线,用保护膜覆盖后,形成透明电极。然后,进行阵列检查,检查电极或者配线有无短路。
例如,在专利文献1中公开了关于使用红外线辐射源检测基板的短路缺陷的红外线检查的技术。图14是该文献中示出的薄膜晶体管基板缺陷检查/修正装置300的整体构成图。该薄膜晶体管基板缺陷检查/修正装置300能通过利用施加电压前后的检查对象基板301的差分图像,检测由于通电而发热的基板的配线部和短路缺陷部的红外线图像,根据线状或者点状的发热图案或缺陷的位置、缺陷的数量等切换施加电压、检测位置、透镜、红外线检测器303等而检测发热的配线,从而确定缺陷位置。
另外,在专利文献2中公开了通过以电的方式检查来检测配置在基板上的多种配线间的短路,在检测到短路的情况下实施红外线检查来确定短路位置的方法。以电的方式检查是指在配线间施加电压,测量电阻值。如果电阻值不是无限大,有电流流过,则判断为有短路。或者在配线间施加电压,测量电流值,如果电流不为0,则判断为有短路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本公开专利公报“特开平6-207914号公报(平成6年7月26日公开)”
专利文献2:日本公开专利公报“特开平2-64594号公报(平成2年3月5日公开)”
发明内容
发明要解决的问题
然而,在上述专利文献2中示出的通过测量配置在基板上的多种配线间的电阻来检查配线间的短路的方法中,在开始电阻测量后,测量值会发生变动,到稳定并结束为止会花费时间。这起因于在电子部件或者电子电路中存在由其物理结构产生的设计者不想要的电容成分即寄生电容。
例如,图15中示出电阻测量的情况的一般的等效电路。寄生电容作为与电容器312的电荷容量值相当的电容而被记载。电阻311的电阻值为与电容器312并联连接的电阻成分。电阻315的电阻值为与电容器312串联连接的电阻成分。在此,测量电阻311和电阻315的电阻的总值。于是,通过基板上的接近的配线、配线和配线之间的绝缘层能产生静电电容,对电阻测量的工作有影响。
具体地说,在图15中闭合开关313,电源314施加电压并开始电阻测量的情况下,在刚闭合开关313之后有寄生电容,因此尽管电阻311有电阻值,仍会以看起来电容器312的两端的节点316和节点317短路的方式流过电流。最初电流流过电容器312,接着电流流过电容器312和电阻311,当电容器312充电结束时,电流只流过电阻311。该现象称为介电吸收,介电吸收结束后,能准确地测量电阻311和电阻315的电阻的总值。
另外,由于另外的配线间的电阻测量或静电,电容器312事先都会稍微带电,因此,根据即将进行电阻测量之前的电容器312的充电量,有时到介电吸收结束为止的时间会发生变动,电阻测量所需要的总测量时间会产生偏差。当测量时间有偏差时,要么预计到介电吸收结束为止的时间较长而进行测量,要么必须基于过去的测量数据,按所花费的最长测量时间进行各个测量。因此,有1次所花费的检查时间较长,检查效率降低的问题。
本发明是鉴于上述问题点而完成的,其目的在于提供在TFT阵列基板等半导体基板的缺陷检测中,能抑制测量时间的偏差,以适当的测量时间准确且效率良好地检查缺陷的配线缺陷检查方法、配线缺陷检查装置、配线缺陷检查程序以及配线缺陷检查程序记录介质。
用于解决问题的方案
本发明的配线缺陷检查方法是进行半导体基板的配线短路部的检测的配线缺陷检查方法,其特征在于,进行如下工序:预短路工序,使检查对象的配线的端子间短路;以及电阻值测量工序,在上述预短路工序之后,测量上述检查对象的配线的电阻值,根据在该配线的电阻测量器的指示值稳定前根据上述指示值的变化率确定的该检查对象的配线的电阻值,判断有无上述配线短路部。
本发明的配线缺陷检查装置是进行半导体基板的配线短路部的检测的配线缺陷检查装置,其特征在于,具备:预短路部,其使检查对象的配线的端子间短路;电压施加部,其将电压施加给上述检查对象的配线;电阻测量部,其测量上述配线的电阻值;以及控制部,其控制上述电压施加部,上述配线缺陷检查装置基于由上述电阻测量部测量的电阻值判断有无上述配线短路部。
本发明的配线缺陷检查程序是使上述配线缺陷检查装置工作的配线缺陷检查程序,其特征在于,使计算机作为上述的各装置发挥功能。
本发明的配线缺陷检查程序记录介质的特征在于,记录有上述记载的配线缺陷检查程序。
发明效果
根据本发明,在TFT阵列基板等半导体基板的缺陷检测中,能抑制测量时间的偏差,以适当的测量时间准确且效率良好地检查缺陷。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式1的配线缺陷检查装置的构成的框图和示出具有液晶面板的母基板的构成的立体图。
图2是示出上述配线缺陷检查装置的构成的立体图。
图3是本发明的实施方式中使用的液晶面板和探测器的俯视图。
图4是示出本发明的实施方式1的配线缺陷检查方法的流程图。
图5是以等效电路示出本发明的实施方式的图。
图6是说明本发明的实施方式的经过时间和电流值的图。
图7是说明本发明的实施方式的电阻值测量工序的图。
图8是示出本发明的实施方式的电阻值测量工序中使用的变化率和电阻值的关系的图。
图9是示出本发明的实施方式中使用的像素部的缺陷的示意图。
图10是说明与本发明的实施方式1的3个缺陷模式对应的继电器的接线的图。
图11是示出本发明的实施方式1的继电器的开闭的表。
图12是示出本发明的实施方式2的配线缺陷检查装置的构成的框图。
图13是示出本发明的实施方式2的配线缺陷检查方法的流程图。
图14是说明以往的配线缺陷检测方法的图。
图15是说明以往的配线缺陷检测方法的图。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的实施方式。此外,在本发明的附图中,同一附图标记表示同一部分或者相当部分。
<实施方式1>
图1(a)是示出本实施方式的配线缺陷检查装置100的构成的框图,图1(b)是作为使用配线缺陷检查装置100进行配线缺陷检查的对象的母基板1的立体图。在此,如图1(b)所示,在母基板1上形成有P1~P8这8张液晶面板。
配线缺陷检查装置100能在图1(b)所示的形成在母基板1上的多个液晶面板2中检查配线等的缺陷。因此,配线缺陷检查装置100具备用于与液晶面板2导通的探测器3和使探测器3在各液晶面板2上移动的探测器移动单元4。另外配线缺陷检查装置100具备用于获取红外线图像的红外线照相机5和使红外线照相机5在液晶面板2上移动的照相机移动单元6。而且配线缺陷检查装置100具备控制探测器移动单元4和照相机移动单元6的主控制部7。
上述探测器3连接着用于测量液晶面板2的配线间的电阻的电阻测量部8和用于向液晶面板2的配线间施加电压的电压施加部9、作为预先使测量对象的端子间短路的开关的预短路部10。该电阻测量部8、电压施加部9以及预短路部10由主控制部7控制。
图2是示出本实施方式的配线缺陷检查装置100的构成的立体图。如图2所示,配线缺陷检查装置100构成为:在基台上设置有对准台11,在对准台11上能载置母基板1。载置有母基板1的对准台11与探测器移动单元4和照相机移动单元6的XY坐标轴平行地进行位置调整。此时,对准台11的位置调整使用设置在对准台11的上方的用于确认母基板1的位置的光学照相机12。
上述探测器移动单元4能滑动地设置在配置于对准台11的外侧的导轨13a上。另外,在探测器移动单元4的主体侧还设置有导轨13b和13c,安装部14a设置为能沿着该导轨13在XYZ的各坐标方向上移动。在该安装部14a上搭载有与液晶面板2对应的探测器3。
上述照相机移动单元6能滑动地设置在配置于探测器移动单元4的外侧的导轨13d上。另外,在照相机移动单元6的主体上还设置有导轨13e和13f,3个部位的安装部14b、14c以及14d能分别沿着该导轨13在XYZ的各坐标方向上移动。
宏观测量用的红外线照相机5a搭载于安装部14c,微观测量用的红外线照相机5b搭载于安装部14b,另外,光学照相机16搭载于安装部14d。
宏观测量用的红外线照相机5a是能实现视场大到520×405mm程度的宏观测量的红外线照相机。为了扩大视场,宏观测量用的红外线照相机5a例如由4台红外线照相机组合而构成。即,每1台宏观测量用的红外线照相机的视场为1张液晶面板2的大小的大致1/4。另外,微观测量用的红外线照相机5b是实现进行视场小到32×24mm程度的高分辨率的拍摄的微观测量的红外线照相机。
此外,在照相机移动单元6上,能通过追加安装部而搭载用于修正缺陷部位的激光照射装置。通过搭载激光照射装置,能在确定缺陷部的位置后通过对缺陷部照射激光而连续地进行缺陷修正。
探测器移动单元4和照相机移动单元6分别设置在各自的导轨13a和13d上。因此,能使其在对准台11的上方在X坐标方向上互不干扰地移动。由此,能在使探测器3与液晶面板2接触的状态下使红外线照相机5a、5b和光学照相机16在液晶面板2上移动。
图3(a)是形成于母基板1的多个液晶面板2中的1个液晶面板2的俯视图。如图3(a)所示,在各液晶面板2上形成有像素部17、周边配线部18、端子部19a~19d。在像素部17形成有栅极线和源极线,而且在栅极线和源极线交叉的各交点形成有TFT。在周边配线部18形成有连接栅极线和源极线与端子部19a~19d的配线。
图3(b)是用于与设置于液晶面板2的端子部19a~19d导通的探测器3的俯视图。探测器3形成为与图3(a)中示出的液晶面板2的大小大致相同的大小的框架形状,具备与设置于液晶面板2的端子部19a~19d对应的多个探针21a~21d。在多个探针21a~21d中,每次能将一根探针21经由继电器(未图示)单独地与图1的(a)中示出的电阻测量部8和电压施加部9连接。因此,探测器3能与连接到端子部19a~19d的多条配线选择性地连接,或者将多条配线集中在一起连接。另外,探测器3形成为与液晶面板2大致相同的大小的框架形状。此外,如上所述,通过使用光学照相机12进行母基板1的位置调整使端子部19a~19d和探针21a~21d的位置一致。
如上所述,本实施方式的配线缺陷检测装置100具备探测器3 和与探测器3连接的电阻测量部8,通过使探测器3与液晶面板2导通,能测量各配线的电阻值和相邻的配线间的电阻值等。
另外,本实施方式的配线缺陷检测装置100具备探测器3、与探测器3连接的电压施加部9以及红外线照相机5a和5b。并且,经由探测器3将电压施加到液晶面板2的配线或者配线间,使用红外线照相机5a和5b测量电流流过缺陷部而引起的发热,能确定缺陷部的位置。因此,根据本实施方式的配线缺陷检查装置100,能由1台检查装置兼用于电阻检查和红外线检查。
图4是使用本实施方式的配线缺陷检测装置100的配线缺陷检测方法的流程图。流程图中的S表示各步骤。如图4所示,在本实施方式的配线缺陷检查方法中,通过步骤S1~步骤S10的步骤按顺序对形成于母基板1的多个液晶面板2实施配线缺陷检查。
首先,在步骤S1中,将母基板1载置于图2中示出的配线缺陷检测装置100的对准台11,以与XY坐标轴平行的方式调整基板的位置。接着,在步骤S2中,利用探测器移动单元4使探测器3在作为检查对象的液晶面板2的上部移动,使探针21a~21d与液晶面板2的端子部19a~19d接触。在此,在步骤S3中,使作为测量对象的配线或者配线间的全部端子短路。该短路处理是通过使分别与探针21a~21d连接的继电器(未图示)闭合而使探针之间电短路。形成于液晶面板2的栅极线和源极线像本来不电连接,但是在该短路的操作中,作为测量对象的配线或者配线间成为电连接的状态。
一般地在液晶面板中,作为扫描线发挥功能的多条栅极线平行地配设,并且作为信号线发挥功能的多条源极线与栅极线正交地配设,而且,为了将像素的电压保持固定,还配设预先储存电荷的辅助电容线(以下称为Cs线)。另外,除此以外为了修复断线、短路的配线还配置预备配线。本发明也适用于测量这些配线中的任何配线的电阻。在本实施方式中,作为一个例子,测量栅极线、源极线、Cs线的配线或者配线间的电阻。在步骤S3中,使栅极线、源极线、Cs线的全部端子短路。
图5是以等效电路示出本实施方式的电阻测量的图。恒压电源59是内置于作为电阻测量部8的一部分的电阻测量器的电源。图5(a)中示出的等效电路为在测量对象的液晶面板2中有短路缺陷的情况下节点56和节点57之间经由电阻55、电阻53导通的状态。图5(b)中示出的等效电路为没有短路缺陷的合格品的液晶面板2的等效电路。由虚线58包围的电路部分表示液晶面板2。另外,没有被包围的电路部分,即比节点56、57靠纸面左侧的部分表示电阻测量部8和预短路部10。电容器54表示寄生电容,电阻53表示与电容器54并联连接的电阻值,电阻55表示与电容器54串联连接的电阻值。
闭合开关52的状态表示处于电阻测量中。通过闭合开关52,恒压电源59向与2个被测量配线连接的节点56和节点57之间施加电压。如果2个被测量配线间短路,则流过电流。电阻测量部8测量节点56和节点57间的电阻。
另外,也可以代替测量电阻而测量电流。在该情况下,测量电流,将恒压电源59的电压值除以电流值来求出电阻值。如果2个被测量配线间不短路,则不流过电流,因此电阻值无限大。
在步骤S3中,在断开开关52的状态下,闭合作为预短路部10的开关51,使作为测量对象的配线或者配线间的全部端子短路,放置规定时间而自然放电。放电后,断开开关51。把闭合该开关51,经过规定的时间后,断开开关51的操作称为预短路处理。接着,在步骤S4中,与各种缺陷的模式对应,选择用于电阻检查的配线或者配线间,进行导通的探针21的切换。下面说明缺陷模式。
在步骤S5中,图5中的开关52闭合,进行电阻检查。在步骤S5中,测量被选择的配线或者配线间的电阻值,通过比较该电阻值和没有缺陷的情况的电阻值来检查有无缺陷。
图6为开关52闭合后的电流值的变化的一例,图6(a)示出在液晶面板2中有短路缺陷的情况,图6(b)示出没有短路缺陷的情况。另外,纵轴为电流值I,横轴为时间t。开关52刚闭合之后,电流就流过电容器54和电阻53两者,电容器54的充电开始。在此在液晶面板2中有短路缺陷的情况下,如图6(a)所示,随着电容器54的充电接近完成,流过电容器54的电流慢慢减少,另一方面,流过电阻53即在此所说的短路缺陷部分的电流慢慢增加。电容器54的充电完成的时间t0不久以后固定的电流I0持续流过电阻53。
另一方面,在液晶面板2中没有短路缺陷,为合格品的情况下,如图6(b)所示,电容器54的充电完成的时间t0以后没有电流流过,测量的电阻值为无限大。
图6(c)示出不进行步骤S3中示出的在电阻测量前使作为测量对象的配线或者配线间的全部端子短路的工序即预短路处理,以以往的方法进行几次电阻测量的情况下的时间经过和电流值。电容器54的充电完成的时间不是固定的,与图6(a)、图6(b)中示出的电容器的充电完成的时间t0相比,既有时间长的情况又有时间短的情况。即,电阻测量所需要的时间产生偏差。
在本发明中,在步骤S3中,预先在电阻测量前使作为测量对象的配线或者配线间的全部端子短路,进行电容器54的放电,因此从电容器54的带电为零的状态开始测量。因此,电容器54的充电完成的时间t0总是固定的,到判断液晶面板2中是否有短路缺陷为止的时间也是固定的,能抑制测量时间的偏差。另外,由静电引起的带电也能除去。
图7是详细说明实施方式1的电阻值测量工序的图。在图7中,关于短路缺陷部的电阻值不同的R1~R4(电阻值为R4=∞,R3>R2>R1),以时间t的经过示出从测量开始的电阻测量器的指示值R的变化。
对于没有短路缺陷部的电阻值为无限大的R4,比配线间的电容器54的充电完成而能实现电阻测量的时间t0早地指示值R超过测量界限而成为过载(OL),判断为没有短路缺陷。在此,过载表示电阻测量部8测量到能够测量的最大电阻值的状态。该最大电阻值为充分大的电阻值,因此判断为过载状态而没有短路缺陷。另一方面,对于短路缺陷部的电阻值为有限的R1~R3,将指示值R稳定后,时间t0的指示值R作为短路缺陷部的电阻值,通过与规定的阈值TR比较,能判断有无短路缺陷。例如,如R3那样如果电阻值为在液晶面板2显示上没有问题的程度的高电阻,则判断为合格品,如R1、R2那样在电阻值为规定的阈值TR以下的情况下,则判断为有短路缺陷。
在实施方式1中,通过进行预短路处理,到电阻测量器的指示值R稳定为止的时间t0的偏差被抑制,因此能选择适当的时间t0进行测量,根据电阻值准确地检查缺陷。
然而,到指示值R稳定为止所需要的时间t0通常需要3秒程度。因此,例如,如液晶面板那样检查许多的配线的情况下,测量次数变多,因此电阻值测量工序的作业时间变长。
因此,希望无需等到指示值R稳定的时间t0,而能在指示值R稳定前的测量刚开始之后的过渡期判断有无短路缺陷。如图7所示,在测量刚开始之后的过渡期中,在时间t01和时间t02之间求出指示值R的变化率,对于电阻R1~R4为△r1~△r4。
当事先测量该变化率△r和时间t0的指示值R即短路缺陷部的电阻值,将测量数据汇集起来做成图表时,例如,如图8所示,变化率△r和短路缺陷部的电阻值的关系为正比关系。因此,通过求出该指示值R的变化率△r,能确定时间t0时预测的电阻值,判断有无短路缺陷。另外,即使在由于测量条件等变化率△r和短路缺陷部的电阻值不完全为正比关系的情况下,也能事先根据测量数据求出对应关系,能根据同样的方法判断有无短路缺陷。
具体地说,如图8所示,能将指示值R的变化率△r与规定的阈值Tr做比较,将比阈值Tr小的△r1、△r2的情况判断为有短路缺陷。能用测量开始后的时间t01和时间t02的至少2次的电阻测量值的差求出变化率△r。例如,最初的时间t01为从测量开始100ms后,其后的时间t02为从测量开始300ms后,两者都能设为比时间t0提早很多的测量时间。另外,规定的阈值Tr只要根据实际测量而汇集起来的变化率△r和电阻值的数据依经验选择适当的值即可。这样,在测量刚开始之后的过渡期求出指示值R的变化率△r而确定电阻值,由此即使检查许多的配线的情况下,也能缩短电阻值测量工序的作业时间。
此外,在实施方式1中,使用测量开始后的时间t01和时间t02的至少2次的电阻测量的指示值R的差求出变化率△r,但是当然可以使用进行3次以上的电阻测量,通过对得到的多个指示值R进行线性插值来求出变化率△r的电阻值测量工序,能进一步提高短路缺陷的检测精度。
另外,有时根据短路缺陷部的状态等,即使在过渡期的最初期的阶段也能检测与短路缺陷部的电阻值对应的变化率△r,在电阻值测量工序中,可以仅在时间t01测量1次指示值R的变化率△r,求出从时间0起的变化率△r。在该情况下,电阻测量在过渡期的最初期仅进行1次就结束,因此能进一步缩短测量时间。
此外,可以将恒压电源59替换为恒流电源。通过闭合开关52,在与2个被测量配线连接的节点56和节点57之间流过恒定电流。如果2个被测量配线间短路,则流过恒定电流。电阻测量部8测量节点56和节点57之间的电压,将测量到的电压值除以恒定电流值来求出电阻值。如果2个被测量配线间不短路,则不流过电流,因此电阻值无限大。
在此,假设不进行电阻测量的状态。即,开关52断开。在图5(a)中,电容器54和电阻53成为闭环,存储在电容器54中的电荷自然放电。另一方面,在图5(b)中,成为开环,存储在电容器54中的电荷不放电。因此,没有短路缺陷的合格品的液晶面板不会自然放电,大大地受到其它的配线间的电阻测量、静电的影响,到介电吸收结束为止的时间有很大变动。
在图9(a)~(c)中,作为一例,示意性地示出了在像素部17中产生的配线的短路部,即缺陷部23的位置。图9(a)示出了例如在如栅极线和源极线那样配线X和配线Y交叉的液晶面板中,在该交叉部分配线X和配线Y短路的缺陷部23。通过将导通的探针21切换到图3中示出的21a和21d的组或者21b和21c的组,关于配线X1~X10和配线Y1~Y10以1对1地测量配线间的电阻值,能确定缺陷部23的有无和位置。
图9(b)示出了例如在栅极线和Cs线这样的相邻的配线X的配线间短路的缺陷部23。对于这样的缺陷部23,通过将导通的探针21 切换到第奇数条21b和第偶数条21d的组,测量配线X1~X10的相邻的配线间的电阻值,能确定有缺陷部23的配线。
图9(c)示出了例如在源极线和Cs线这样的相邻的配线Y的配线间短路的缺陷部23。对于这样的缺陷部23,通过将导通的探针21切换到第奇数条21a和第偶数条21c的组,测量配线Y1~Y10的相邻的配线间的电阻值,能确定有缺陷部23的配线。
在步骤S6中,根据在步骤S5中检查的缺陷部23的有无,判断是否进行红外线检查。在有缺陷部23的情况下为了进行红外线检查而进入步骤S7,在没有缺陷部23的情况下不进行红外线检查而进入步骤S10。该步骤S6是电阻值测量工序的一部分。
例如,如图9(a)所示,在配线X和配线Y交叉的部位产生缺陷部23的情况下,通过配线间的电阻检查,检测到配线X4和配线Y4有异常,因此能确定缺陷部23的位置。因此,在图9(a)中示出的缺陷部23的情况下,在步骤S7中,不一定需要通过红外线检查确定其位置。也就是说,如果按配线X和配线Y的全部组合的每个进行电阻检查,也能确定位置,因此不需要红外线检查。但是,由于组合的数目庞大而需要很长时间。例如,在全高清用液晶面板的情况下,配线X为1080条,配线Y为1920条,因此全部组合大约为207万。按每个这样的组合进行电阻检查时,作业要花费很长时间,大幅度降低检测处理能力,这是不现实的。因此,通过将配线X和配线Y的全部组合归结为几个组合进行电阻检查,能削减电阻检查次数。例如,如果在归结为一个的配线X和归结为一个的配线Y之间进行电阻检查,该电阻检查次数仅为1次。然而,通过电阻检查能检测配线间的短路,但是不能确定位置。因此,需要通过红外线检查确定缺陷部23的位置。
另一方面,如图9(b)或者图9(c)所示,在相邻的配线间产生缺陷部23的情况下,能确定在一对配线,例如,配线X3和配线X4之间有缺陷部。但是,由于不能在该配线的长度方向确定缺陷部23的位置,因此需要通过红外线检查确定缺陷部23的位置。
由于相邻的配线间的电阻检查是庞大的数目,因此需要很长时间。例如,在全高清用液晶面板的情况下,相邻的配线X间的电阻检查次数为1079,相邻的配线Y间的电阻检查次数为1919。在图9(b)的情况这样的相邻的配线X间的电阻检查的情况下,如果在全部的第奇数条X和全部的第偶数条X之间进行电阻检查,该电阻检查次数仅为1次。在图9(c)的情况这样的相邻的配线Y间的电阻检查的情况下,如果在全部的第奇数条Y和全部的第偶数条Y之间进行电阻检查,该电阻检查次数仅为1次。然而,通过电阻检查能检测配线间的短路,但是不能确定位置。因此,需要通过红外线检查确定缺陷部23的位置。因此,在步骤S6中,对判断为需要红外线检查的液晶面板2进行红外线检查。
在步骤S8中,为了检测来自通过施加上述电压产生电流而发热的缺陷部23的红外光,使用红外线照相机拍摄缺陷部23,确定缺陷部23的位置。在本实施方式中,具备宏观测量用的红外线照相机5a和微观测量用的红外线照相机5b,首先使用能将液晶面板2的广大范围收在视场内的宏观测量用的红外线照相机5a,根据需要扫描宏观测量用的红外线照相机5a而确定缺陷部23的位置。接着,根据需要,也可以在发热部的附近使用微观测量用的红外线照相机5b进行测量。由于利用宏观测量用的红外线照相机5a确定了发热部的位置,因而能在微观测量用的红外线照相机5b的视场内移动照相机以使其位于发热部,能高精度地确定缺陷部23的坐标位置,或者能进行关于修正所需要的形状等信息的测量。此外,在本实施方式中,具备宏观测量用的红外线照相机5a和微观测量用的红外线照相机5b而进行2个阶段的拍摄,但是本发明不限于此,也可以为使用1个红外线照相机进行1个阶段的拍摄的构成。
另外,图2的光学照相机16由图1的主控制部7控制,为了将由微观测量用的红外线照相机5b检测的短路缺陷作为可见图像进行拍摄而使用。或者,也能设为兼用光学照相机16和上述激光照射装置的同轴光学单元。
在步骤S9中,对于检查中的液晶面板2,判断各种缺陷模式的全部检查是否结束,在有未检查的缺陷模式的情况下,返回步骤S3。并且,在使测量对象的全部端子预短路后,反复进行缺陷检查。在此,缺陷模式是指图9中示出的缺陷部23的种类。在图9中示出了3种缺陷模式。即,图9(a)的配线X和配线Y的短路缺陷模式、图9(b)的配线X间的短路缺陷模式、图9(c)的配线Y间的短路缺陷模式。
在步骤S10中,对于检查中的母基板1,判断全部的液晶面板2的缺陷检查是否结束,在残留有未检查的液晶面板2的情况下,返回步骤S2。并且,将探测器移动到作为下一检查对象的液晶面板2,反复进行缺陷检查。
图10是示出与使用图9说明的3种缺陷模式对应的继电器的接线的图。电阻测量器415是电阻测量部8的一部分,测量电阻。电源416是电压施加部9的一部分,将电压施加给液晶面板2的配线或者配线间。图10中的由虚线包围的虚线块401、404、407、410表示探针21a~21d。虚线块401表示与第奇数条配线X的端子部连接的探针,虚线块404表示与第偶数条配线X的端子部连接的探针,虚线块407表示与第奇数条配线Y的端子部连接的探针,虚线块410表示与第偶数条配线Y的端子部连接的探针。虚线块402、403、405、406、408、409、411、412、413、414表示继电器。虚线块402、403为与虚线块401对应的继电器,同样虚线块405、406为与虚线块404对应的继电器,虚线块408、409为与虚线块407对应的继电器,虚线块411、412为与虚线块410对应的继电器。以下,将虚线块N内的继电器设为继电器N。例如,将虚线块402内的继电器设为继电器402。
继电器402、405、408、411经由继电器413与电阻测量器415和电源416的正极性端子连接。继电器403、406、409、412经由继电器414与电阻测量器415和电源416的负极性端子连接。继电器413为与电阻测量器的端子连接的继电器。继电器414为与电源416的端子连接的继电器。通过切换该多个继电器,能分别实施在步骤S3中示出的短路处理、在步骤S4中示出的电阻测量以及在步骤S7中示出的电压施加。
图11是示出图10中示出的各继电器的开闭的表。在短路处理中,使虚线块401、404、407、410的各探测器的连接全部闭合,使配线或者配线间的全部端子短路。同时使继电器413、414全部断开,将电阻测量器415和电源416切断。
在电阻测量和电压施加中,根据缺陷模式,分别切换虚线块401、404、407、410的各探测器的连接。例如,在图9(a)示出的配线X和配线Y的短路缺陷模式的电阻测量中,闭合继电器402、405、409、412、413,断开继电器403、406、408、411、414,使奇数和偶数的配线X与电阻测量器415的正极性端子连接,使奇数和偶数的配线Y与电阻测量器415的负极性端子连接。另外,如图9(a)所示在配线X和配线Y的短路缺陷模式的电压施加中,闭合继电器402、405、409、412、414,断开继电器403、406、408、411、413,使奇数和偶数的配线X与电源416的正极性端子连接,使奇数和偶数的配线Y与电源416的负极性端子连接。
这样,通过切换多个继电器,能变更液晶面板2的配线、电阻测量器和电源之间的接线。此外,通过根据配线X、配线Y、Cs线以及预备配线的缺陷模式(例如,Cs线间缺陷模式、配线X和Cs线的缺陷模式、配线Y和Cs线的缺陷模式、配线X和预备配线的缺陷模式、配线Y和预备配线的缺陷模式)适当地追加继电器,能实施短路处理、电阻测量、电压施加。
根据本实施方式,在进行电阻检查前,使检查对象的端子预短路,使充电到端子间的电荷暂且归零,总是从带电为零的状态进行电阻测量,由此使初期状态固定,抑制结束时间的变动、偏差。从端子间判断有无缺陷,在判断为有缺陷的情况下获取液晶面板2的短路路径的电阻值。而且,将基于该电阻值确定的电压施加给液晶面板2,由此缺陷部23或者配线部中的一个充分地发热,因此在红外线检查时能容易地识别缺陷的位置。
此外,在本实施方式中,说明了如下方法:在测量栅极线、源极线、Cs线的配线或者配线间的电阻的情况下,在使栅极线、源极线、Cs线的配线或者配线间的全部端子预短路后,例如,进行栅极线和源极线的电阻测量,接着再次使栅极线、源极线、Cs线的配线或者配线间的全部端子预短路后,这次是栅极线和Cs线的电阻测量,这样,在即将进行电阻测量之前每次使作为测量对象的全部端子预短路。在该方法的情况下,优选每次使全部端子间短路、放电,因此电容器的带电对哪个配线都为0,并且静电也被除去,因此测量时间的偏差非常小。然而,该方法不限于此,例如,也可以为在测量栅极线和源极线的电阻前,以只使栅极线和源极线预短路,进行电阻测量的方式,每次只使测量的对象的配线彼此预短路的方法。
此外,可以在步骤S5或者步骤S8中的至少一个工序后,还实施使配线的端子间短路的工序。在结束步骤S5中实施的电阻值测量后的短路工序中,能将通过步骤S5中实施的电阻值测量而充电到液晶面板2的电荷放电。或者,在结束步骤S8中实施的缺陷位置确定后的短路工序中,能将通过步骤S8中实施的电压施加而充电到液晶面板2的电荷放电。通过该短路工序,配线缺陷检查装置100检查后搬出到装置外的母基板1成为放电的状态。其结果是,能防止母基板1的静电破坏、显示质量劣化等。
<实施方式2>
在实施方式1中,如图1所示,说明了设置有拍摄缺陷部23的红外照相机5的构成,但是也可以为只具备进行电阻测量而检查有无缺陷的功能的构成。图12为示出实施方式2的配线缺陷装置200的构成的框图。除了不具备图1中示出的用于获取红外线图像的红外线照相机5和使红外线照相机5在液晶面板2上移动的照相机移动单元6以外,构成与实施方式1相同。
图13为使用实施方式2的配线缺陷检查装置200的配线缺陷检查方法的流程图。在本实施方式的配线缺陷检查方法中,如图13所示,按照步骤S91~步骤S97的步骤对形成于母基板1的多个液晶面板2依次实施配线缺陷检查。
首先,在步骤S91中,将母基板1载置于配线缺陷检查装置200的对准台11,以与XY坐标轴平行的方式调整基板的位置。接着,在步骤S92中,利用探测器移动单元4使探测器3在作为检查对象的液晶面板2的上部移动,使探针21a~21d与液晶面板2的端子部19a~19d接触。在此,在步骤S93中,使作为测量对象的配线或者配线间的全部端子预短路。
接着,在步骤S94中,根据各种缺陷的模式,选择用于电阻检查的配线或者配线间,进行导通的探针21的切换。在步骤S95中,进行电阻检查。在步骤S95中,测量选择的配线或者配线间的电阻值,通过将该电阻值和没有缺陷的情况的电阻值做比较来检查有无缺陷。在步骤S96中,对于检查中的液晶面板2,判断各种缺陷模式的全部检查是否结束,在有未检查的缺陷模式的情况下,返回步骤S93。并且,在使测量对象的全部端子预短路后,反复进行缺陷检查。在步骤S97中,对于检查中的母基板1,判断全部的液晶面板2的缺陷检查是否结束,在残留有未检查的液晶面板2的情况下,返回步骤S92。并且,使探测器移动到作为下一检查对象的液晶面板2,反复进行缺陷检查。
根据这样构成,由于在另外的装置中实施电阻测量,能使电阻测量和红外线照相机拍摄并行地进行,能提高处理能力。
<实施方式3>
此外,当然通过将记录实现上述实施方式的功能的软件的程序代码的记录介质提供给另外的系统或者装置,该系统或者装置的计算机CPU读出并执行存储在记录介质中的程序代码,也能实现本发明。
在该情况下,从记录介质读出的程序代码本身实现上述实施方式的功能,由此记录该程序代码的记录介质构成本发明。另外,上述程序代码可以从另外的计算机系统经由通信网络这样的传输介质下载到记录装置等。
另外,当然包含如下情况:通过执行计算机读出的程序代码,不仅实现了上述实施方式的功能,而且在计算机上运转的OS(操作系统)等还基于该程序代码的指示进行一部分或者全部实际的处理,根据该处理实现上述实施方式的功能。
而且,当然让还包含如下情况:从记录介质读出的程序代码被写入插入计算机的功能扩展板、与计算机连接的功能扩展单元中所具备的存储器后,该功能扩展板、功能扩展单元中所具备的CPU等基于该程序代码的指示进行一部分或者全部实际的处理,根据该处理实现上述实施方式的功能。
在将本发明应用于上述记录介质的情况下,将与之前说明的流程图对应的程序代码存储在该记录介质中。
以上,说明了本发明的实施方式,但是本发明不限于上述实施方式。能在本权利要求示出的范围内做各种变更,将不同的实施方式中分别公开的技术方案适当组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围中。
(本发明总结)
本发明的配线缺陷检查方法是进行半导体基板的配线短路部的检测的配线缺陷检查方法,其特征在于,进行如下工序:预短路工序,使检查对象的配线的端子间短路;以及电阻值测量工序,在上述预短路工序之后,测量上述检查对象的配线的电阻值,由此判断有无上述配线短路部。
另外,可以是,其特征在于,在上述预短路工序中,使检查对象的全部端子间短路。另外,可以是,其特征在于,在上述电阻值测量工序中,在上述配线的电阻测量器的指示值稳定前确定上述电阻值。另外,可以是,其特征在于,在上述电阻值测量工序中,根据上述指示值的变化率确定上述电阻值。另外,可以是,其特征在于,在上述电阻值测量工序中,根据测量出的上述指示值和从测量开始起的测量时间算出上述变化率,可以是,其特征在于,根据不同时间的上述指示值算出上述变化率。另外,可以是,其特征在于,在上述电阻值测量工序中,当上述变化率比规定的值小时判断为有上述配线短路部。而且,可以是,其特征在于,包含如下工序:发热工序,将电压施加给在上述电阻值测量工序中判断为有上述配线短路部的上述半导体基板的包含该配线短路部的短路路径,使该短路路径发热;以及位置确定工序,利用红外线拍摄在上述发热工序中发热的短路路径,确定上述配线短路部的位置。另外,可以是,其特征在于,包含以下工序:在上述电阻值测量工序或者位置确定工序中的至少一个工序之后,使配线的端子间短路。
本发明的配线缺陷检查装置是进行半导体基板的配线短路部的检测的配线缺陷检查装置,其特征在于,具备:预短路部,其使检查对象的配线的端子间短路;电压施加部,其将电压施加给上述检查对象的配线;电阻测量部,其测量上述配线的电阻值;以及控制部,其控制上述电压施加部,上述配线缺陷检查装置基于由上述电阻测量部测量的电阻值判断有无上述配线短路部。另外,可以是,其特征在于,上述配线缺陷检查装置还具备拍摄部。
本发明的配线缺陷检查程序是使上述配线缺陷检查装置工作的配线缺陷检查程序,其特征在于,使计算机作为上述的各装置发挥功能。
本发明的配线缺陷检查程序记录介质的特征在于,记录有上述记载的配线缺陷检查程序。
工业上的可利用性
本发明能使用于液晶面板等具有配线的半导体基板的配线状态的检查。
附图标记说明
1 母基板
2 液晶面板
3 探测器
4 探测器移动单元
5a、5b 红外线照相机
6 照相机移动单元
7 主控制部
8 电阻测量部
9 电压施加部
10 预短路部
11 对准台
12、16 光学照相机
13a、13b、13c、13d、13e、13f 导轨
14a、14b、14d、14d 安装部
17 像素部
18 周边配线部
19a、19b、19c、19d 端子部
21a、21b、21c、21d 探测器部
23 缺陷部(配线短路部)
51、52 开关
53、55 电阻
54 电容器
56、57 节点
59 恒压电源
415 电阻测量器
416 电源

Claims (7)

1.一种配线缺陷检查方法,进行半导体基板的配线短路部的检测,其特征在于,进行如下工序:
预短路工序,使检查对象的配线的端子间短路;以及
电阻值测量工序,在上述预短路工序之后,测量上述检查对象的配线的电阻值,根据在该配线的电阻测量器的指示值稳定前根据上述指示值的变化率确定的该检查对象的配线的电阻值,判断有无上述配线短路部。
2.根据权利要求1所述的配线缺陷检查方法,其特征在于,
在上述预短路工序中,使检查对象的全部端子间短路。
3.根据权利要求1所述的配线缺陷检查方法,其特征在于,
在上述电阻值测量工序中,根据测量出的上述指示值和从测量开始起的测量时间算出上述变化率。
4.根据权利要求1所述的配线缺陷检查方法,其特征在于,
在上述电阻值测量工序中,根据不同时间的上述指示值算出上述变化率。
5.根据权利要求1所述的配线缺陷检查方法,其特征在于,
在上述电阻值测量工序中,当上述变化率比规定的值小时判断为有上述配线短路部。
6.根据权利要求1或2所述的配线缺陷检查方法,其特征在于,包含如下工序:
发热工序,将电压施加给在上述电阻值测量工序中判断为有上述配线短路部的上述半导体基板的包含该配线短路部的短路路径,使该短路路径发热;以及
位置确定工序,利用红外线拍摄在上述发热工序中发热的短路路径,确定上述配线短路部的位置。
7.根据权利要求6所述的配线缺陷检查方法,其特征在于,
包含以下工序:在上述电阻值测量工序或者位置确定工序中的至少一个工序之后,使配线的端子间短路。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10169370B2 (en) 2013-06-14 2019-01-01 Here Global B.V. Navigation database customization
WO2016103007A1 (fr) * 2014-12-24 2016-06-30 Arcelormittal Procédé de contrôle d'un support comprenant un substrat métallique, un revêtement diélectrique, et une couche conductrice
CN104569722A (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 江苏武进汉能光伏有限公司 一种薄膜电池微短路的测试方法
CN104820134A (zh) * 2015-04-29 2015-08-05 业成光电(深圳)有限公司 线路检测装置及方法及其所应用的线路
KR102409881B1 (ko) * 2016-03-21 2022-06-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 쇼트 검사 방법
CN109073695A (zh) * 2016-03-28 2018-12-21 堺显示器制品株式会社 基板的配线路径的检查方法及检查系统
TWI778072B (zh) * 2017-06-22 2022-09-21 以色列商奧寶科技有限公司 用於在超高解析度面板中偵測缺陷之方法
WO2019082514A1 (ja) * 2017-10-23 2019-05-02 アルプスアルパイン株式会社 異常検知装置及び異常検知方法
PH12018000384A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-24 Mi Equipment M Sdn Bhd Semiconductor die sorting and method thereof
WO2020065866A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置
CN111508858B (zh) * 2020-05-06 2022-11-08 中国电子科技集团公司第四十四研究所 Emccd倍增区电极短路的检测方法
JP7041716B2 (ja) * 2020-06-25 2022-03-24 本田技研工業株式会社 電解質膜の短絡検査方法及び電解質膜の短絡検査装置
TWI849845B (zh) * 2023-04-14 2024-07-21 連恩微電子股份有限公司 電池儲能感測裝置、系統及方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5019001A (en) * 1988-12-21 1991-05-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing liquid crystal display device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63241471A (ja) * 1987-03-30 1988-10-06 Mitsubishi Monsanto Chem Co 高抵抗半導体の電圧測定方法及び装置
JPH0778673B2 (ja) * 1988-08-31 1995-08-23 松下電器産業株式会社 マトリクス型画像表示装置用検査装置およびその短絡検査方法、短絡欠陥修正方法、点欠陥検査方法
JPH06308184A (ja) * 1993-04-22 1994-11-04 Hitachi Electron Eng Co Ltd 基板絶縁試験における浮遊電荷排出方法
JPH07301646A (ja) * 1994-05-02 1995-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd プリント基板検査装置
JP3634620B2 (ja) * 1998-04-17 2005-03-30 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP2001272430A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Oht Inc 検査装置及び検査方法
JP2006084249A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Hioki Ee Corp 絶縁検査方法および絶縁検査装置
JP4657758B2 (ja) * 2005-02-25 2011-03-23 日本電産リード株式会社 基板検査装置及び基板検査方法
JP2009210674A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2009210764A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Seiko Epson Corp 除電方法ならびに電気光学装置用基板および電気光学装置の検査方法および製造方法
JP5425709B2 (ja) * 2010-05-28 2014-02-26 日置電機株式会社 絶縁検査装置および絶縁検査方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5019001A (en) * 1988-12-21 1991-05-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing liquid crystal display device

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