JPS63241471A - 高抵抗半導体の電圧測定方法及び装置 - Google Patents
高抵抗半導体の電圧測定方法及び装置Info
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- JPS63241471A JPS63241471A JP7717587A JP7717587A JPS63241471A JP S63241471 A JPS63241471 A JP S63241471A JP 7717587 A JP7717587 A JP 7717587A JP 7717587 A JP7717587 A JP 7717587A JP S63241471 A JPS63241471 A JP S63241471A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 14
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
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- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高抵抗半導体の電圧測定に係わり、特に過渡現
象を表す関数を推定することにより飽和電圧を求め、測
定時間を短縮するようにした高抵抗半導体の電圧測定方
法及び装置に関するものである。
象を表す関数を推定することにより飽和電圧を求め、測
定時間を短縮するようにした高抵抗半導体の電圧測定方
法及び装置に関するものである。
高抵抗半導体結晶の抵抗測定においては、任意の２端子
間に微小直流電流を供給し、他の２端子間に誘起される
電圧を測定している。この場合、通常、試料の大きさは
５ｍＸ５ｍ程度、抵抗値は１０９Ωのオーダー又はそれ
以上、供給する直流電流はｌ Ｘ １０−’Ａのオーダ
ー又はそれ以下である。
間に微小直流電流を供給し、他の２端子間に誘起される
電圧を測定している。この場合、通常、試料の大きさは
５ｍＸ５ｍ程度、抵抗値は１０９Ωのオーダー又はそれ
以上、供給する直流電流はｌ Ｘ １０−’Ａのオーダ
ー又はそれ以下である。
第３図は高抵抗半導体の抵抗測定結果の一例を示ず図で
、２０ｓｅ（毎に、１ｏｓｅｃ離れた２点のサンプリン
グを行い、これをプロットしたもので、２点間のサンプ
リング値の差が小さくなったことにより飽和電圧に達し
たものとし、この状態で抵抗値の評価を行う。
、２０ｓｅ（毎に、１ｏｓｅｃ離れた２点のサンプリン
グを行い、これをプロットしたもので、２点間のサンプ
リング値の差が小さくなったことにより飽和電圧に達し
たものとし、この状態で抵抗値の評価を行う。
第３図から分かるように、高抵抗半導体を測定する際、
直流電流を供給してから飽和電圧に達するまでに３０分
もの時間がかかってしまうのが実情である。これは、測
定系に浮遊容険が存在し、しかも半導体の抵抗値が１０
９Ωオーダー又はそれ以上と極めて高いために時定数が
非常に大きくなってしまうことによる。
直流電流を供給してから飽和電圧に達するまでに３０分
もの時間がかかってしまうのが実情である。これは、測
定系に浮遊容険が存在し、しかも半導体の抵抗値が１０
９Ωオーダー又はそれ以上と極めて高いために時定数が
非常に大きくなってしまうことによる。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、高抵抗半
導体の抵抗測定を短時間に行うことが可能であり、その
結果短時間に数多くのサンプルを測定することができる
ようにした高抵抗半導体の電圧測定方法及び装置を提供
することを目的とする。
導体の抵抗測定を短時間に行うことが可能であり、その
結果短時間に数多くのサンプルを測定することができる
ようにした高抵抗半導体の電圧測定方法及び装置を提供
することを目的とする。
そのために本発明は、高抵抗半導体の２端子間に電流を
供給し、そのときの任意の端子間に誘起される電圧を測
定する電圧測定方法において、誘起電圧の変化率から飽
和電圧を推定すること、および高抵抗半導体に電流を供
給し、そのときの誘起電圧を測定する電圧測定装置にお
いて、誘起電圧をサンプリングする第１と第２のゲート
回路と、第１、第２のゲート回路出力が入力される増幅
器と、増幅器出力が入力される演算回路とを倫え、第１
と第２のゲート回路のゲート信号間の時間間隔を可変に
したことを特徴とする。
供給し、そのときの任意の端子間に誘起される電圧を測
定する電圧測定方法において、誘起電圧の変化率から飽
和電圧を推定すること、および高抵抗半導体に電流を供
給し、そのときの誘起電圧を測定する電圧測定装置にお
いて、誘起電圧をサンプリングする第１と第２のゲート
回路と、第１、第２のゲート回路出力が入力される増幅
器と、増幅器出力が入力される演算回路とを倫え、第１
と第２のゲート回路のゲート信号間の時間間隔を可変に
したことを特徴とする。
本発明は、高抵抗半導体の２端子間に電流を供給し、そ
のときの任意の端子間に誘起される電圧の変化率を求め
、この変化率から飽和電圧を推定することにより、短時
間で飽和電圧を測定することができる。
のときの任意の端子間に誘起される電圧の変化率を求め
、この変化率から飽和電圧を推定することにより、短時
間で飽和電圧を測定することができる。
以下、実施例を図面に基づき説明する。
第１図は本発明による高抵抗半導体の電圧測定の原理を
説明するための図で、同図（イ）は測定回路を示す図、
同図（ロ）は電圧波形を示す図である。図中、１は直流
電源、２は試料、３は電圧計である。
説明するための図で、同図（イ）は測定回路を示す図、
同図（ロ）は電圧波形を示す図である。図中、１は直流
電源、２は試料、３は電圧計である。
図において、高抵抗半導体試料２の端子ＡＢ間に直流電
流を供給したとき、端子ＣＤ間に生ずる電圧■は、 Ｖ”Ｖ６ （１ｅ−””） と表される。ここにＶｏは飽和電圧、Ｔはケーブル浮遊
容量、半導体抵抗などで決まる時定数である。そこで、
電圧Ｖの時間ｔに対する微分をとると、 ｄＶ／ｄ ｔ＝ （Ｖｏ ／Ｔ）ｅ−””となる。した
がって、例えば時刻１．．１２における微分値をＶＩ
、Ｖ２ とすると、Ａｏｇｖ、＝１ｏｇＶｏ −１ｏｇ
Ｔ−ｔ Ｉ／Ｔｎｏｇｖ２ ＝６ｏｇＶ６−ＲｏｇＴ−
ｔｚ ／Ｔとなる。したがって、 Ｔ＝ （ｔｚ −ｔ＋ ） ／ｊ！ｏｇ （Ｖｌ ／Ｖ
Ｚ ）として時定数が求まる。したがって上式から飽和
電圧■。を求めることができる。実際には、第１図（ロ
）に示すように１．．１．における電圧値Ｖ、 、Ｖ、
、及びｔ３、ｔ４における電圧値■３、■４を測定し
てそれぞれの差から２点における変化率を求めることに
より飽和電圧Ｖ０を推定すればよい。
流を供給したとき、端子ＣＤ間に生ずる電圧■は、 Ｖ”Ｖ６ （１ｅ−””） と表される。ここにＶｏは飽和電圧、Ｔはケーブル浮遊
容量、半導体抵抗などで決まる時定数である。そこで、
電圧Ｖの時間ｔに対する微分をとると、 ｄＶ／ｄ ｔ＝ （Ｖｏ ／Ｔ）ｅ−””となる。した
がって、例えば時刻１．．１２における微分値をＶＩ
、Ｖ２ とすると、Ａｏｇｖ、＝１ｏｇＶｏ −１ｏｇ
Ｔ−ｔ Ｉ／Ｔｎｏｇｖ２ ＝６ｏｇＶ６−ＲｏｇＴ−
ｔｚ ／Ｔとなる。したがって、 Ｔ＝ （ｔｚ −ｔ＋ ） ／ｊ！ｏｇ （Ｖｌ ／Ｖ
Ｚ ）として時定数が求まる。したがって上式から飽和
電圧■。を求めることができる。実際には、第１図（ロ
）に示すように１．．１．における電圧値Ｖ、 、Ｖ、
、及びｔ３、ｔ４における電圧値■３、■４を測定し
てそれぞれの差から２点における変化率を求めることに
より飽和電圧Ｖ０を推定すればよい。
第２図は本発明による高抵抗半導体の電圧測定装置の実
施例を示す図で、第１図と同一番号は同一内容を示して
いる。図中、４は抵抗、５．６はゲート回路、７は差動
増幅器、８は演算回路である。
施例を示す図で、第１図と同一番号は同一内容を示して
いる。図中、４は抵抗、５．６はゲート回路、７は差動
増幅器、８は演算回路である。
図において、半導体試料２に直流電流を流したときの検
出出力は抵抗４の両端に現れる。そこで、成る時刻ｔ、
にゲートＧ＋を開き、次に、時刻ｔ２にゲートＧ２を開
いて両出力の差をとり、同様に時刻１．．１４にそれぞ
れゲートを開いてこれらの差出力から２点における変化
率と飽和電圧を演算回路８で算出する。この場合、ゲー
トＧ ＋ とＧｔを開く時間間隔を可変にしておくこと
により、さまざまな波形に対する適切なサンプリング間
隔を選択することが可能となる。
出出力は抵抗４の両端に現れる。そこで、成る時刻ｔ、
にゲートＧ＋を開き、次に、時刻ｔ２にゲートＧ２を開
いて両出力の差をとり、同様に時刻１．．１４にそれぞ
れゲートを開いてこれらの差出力から２点における変化
率と飽和電圧を演算回路８で算出する。この場合、ゲー
トＧ ＋ とＧｔを開く時間間隔を可変にしておくこと
により、さまざまな波形に対する適切なサンプリング間
隔を選択することが可能となる。
なお、上記実施例ではＣＤ間の端子電圧を測定する例に
ついて説明したが、任意の端子間に通用してもよいこと
は言うまでもない。
ついて説明したが、任意の端子間に通用してもよいこと
は言うまでもない。
以上のように本発明によれば、半導体抵抗のように１１
（抗値が非常に大きく、したがって時定数の極めて大き
い試料の抵抗測定を極めて短時間に行うことが可能とな
り、測定能力を増大し、短時間に数多くのサンプルを測
定することが可能となる。
（抗値が非常に大きく、したがって時定数の極めて大き
い試料の抵抗測定を極めて短時間に行うことが可能とな
り、測定能力を増大し、短時間に数多くのサンプルを測
定することが可能となる。
また、サンプリング間隔を可変にできるようにしたので
、電圧上昇カーブがさまざまな各種の試料に対して適切
なサンプリング間隔を選択することが可能となる。
、電圧上昇カーブがさまざまな各種の試料に対して適切
なサンプリング間隔を選択することが可能となる。
第１図は本発明による高抵抗半導体の電圧測定の原理を
説明するための図、第２図は高抵抗半導体の電圧測定装
置を示す図、第３図は高抵抗半導体の抵抗測定における
測定電圧波形を示す図である。 ｌ・・・直流電源、２・・・試料、３・・・電圧計、４
・・・抵抗、５．６・・・ゲート回路、７・・・差動増
幅器、８・・・演算回路。 出 願 人 三菱モンサンド化成株式会社（外１名
） 代理人弁理士 蛭 川 昌 信（外２名）−幅（））
説明するための図、第２図は高抵抗半導体の電圧測定装
置を示す図、第３図は高抵抗半導体の抵抗測定における
測定電圧波形を示す図である。 ｌ・・・直流電源、２・・・試料、３・・・電圧計、４
・・・抵抗、５．６・・・ゲート回路、７・・・差動増
幅器、８・・・演算回路。 出 願 人 三菱モンサンド化成株式会社（外１名
） 代理人弁理士 蛭 川 昌 信（外２名）−幅（））
Claims (2)
- （１）高抵抗半導体の２端子間に電流を供給し、そのと
きの任意の端子間に誘起される電圧を測定する電圧測定
方法において、誘起電圧の変化率から飽和電圧を推定す
ることを特徴とする高抵抗半導体の電圧測定方法。 - （２）高抵抗半導体に電流を供給し、そのときの誘起電
圧を測定する電圧測定装置において、誘起電圧をサンプ
リングする第１と第２のゲート回路と、第１、第２のゲ
ート回路出力が入力される増幅器と、増幅器出力が入力
される演算回路とを備え、第１と第２のゲート回路のゲ
ート信号間の時間間隔を可変にしたことを特徴とする高
抵抗半導体の電圧測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7717587A JPS63241471A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 高抵抗半導体の電圧測定方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7717587A JPS63241471A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 高抵抗半導体の電圧測定方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63241471A true JPS63241471A (ja) | 1988-10-06 |
Family
ID=13626462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7717587A Pending JPS63241471A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 高抵抗半導体の電圧測定方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63241471A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013101089A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-23 | Sharp Corp | 配線欠陥検査方法、配線欠陥検査装置、配線欠陥検査プログラム及び配線欠陥検査プログラム記録媒体 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP7717587A patent/JPS63241471A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013101089A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-23 | Sharp Corp | 配線欠陥検査方法、配線欠陥検査装置、配線欠陥検査プログラム及び配線欠陥検査プログラム記録媒体 |
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