KR100986845B1 - 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법 - Google Patents

유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 제1 및 제2 배선 사이에서 발생된 쇼트결함을 수리하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조에 있어서, 상기 제1 배선과의 쇼트결함 부분이 절단되어 절단된 부분이 나머지 부분과 단절된 제2 배선과, 상기 제2 배선과 인접하게 배치되며 상기 쇼트결함 부분과 인접한 일 영역이 절단되어 절단된 부분이 나머지 부분과 단절된 제3 배선과, 상기 제2 배선이 상기 제3 배선의 절단된 부분을 통해 전기적인 연결상태를 유지하도록 상기 제2 배선의 나머지 부분과 상기 제3 배선의 절단된 부분을 전기적으로 연결하는 제1 리페어 패턴을 포함하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조를 제공한다.

Description

유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법{Repair structure for Repairing Line Defect of Organic Light Emitting Display Device and Method of Repairing the Same}
본 발명은 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법에 관한 것으로, 특히 배선들 간의 쇼트결함을 수리하기 위한 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법에 관한 것이다.
유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device)는 자발광소자인 유기발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시하는 평판표시장치의 일종으로, 휘도 및 색순도가 뛰어나 차세대 표시장치로 주목받고 있다.
단, 유기전계발광 표시장치는 주사신호 및 데이터 신호 등은 물론, 제1 및 제2 화소전원(ELVDD, ELVSS)을 공급받아 구동된다. 또한, 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 경우 각 화소들마다 다수의 트랜지스터들 및 커패시터를 포함하며, 화소구조에 따라서는 초기화 전원 등을 추가로 공급받아 구동된다.
따라서, 유기전계발광 표시장치는 액정표시장치 및 플라즈마 표시패널 등의 다른 평판표시장치에 비해 복잡한 배선구조를 갖는다.
이로 인해, 유기전계발광 표시장치의 배선들 간에 쇼트결함 등이 발생하는 경우, 이를 수리하기 위한 공간이 충분히 확보되지 못하여 배선수리가 어려운 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 배선들 간의 쇼트결함을 용이하게 수리할 수 있도록 한 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법을 제공하는 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면은, 제1 및 제2 배선 사이에서 발생된 쇼트결함을 수리하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조에 있어서, 상기 제1 배선과의 쇼트결함 부분이 절단되어 절단된 부분이 나머지 부분과 단절된 제2 배선과, 상기 제2 배선과 인접하게 배치되며 상기 쇼트결함 부분과 인접한 일 영역이 절단되어 절단된 부분이 나머지 부분과 단절된 제3 배선과, 상기 제2 배선이 상기 제3 배선의 절단된 부분을 통해 전기적인 연결상태를 유지하도록 상기 제2 배선의 나머지 부분과 상기 제3 배선의 절단된 부분을 전기적으로 연결하는 제1 리페어 패턴을 포함하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조를 제공한다.
본 발명의 다른 측면은, 제1 및 제2 배선 사이에서 발생된 쇼트결함을 상기 제2 배선과 인접한 제3 배선을 이용하여 수리하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리방법에 있어서, 상기 제1 배선과의 쇼트결함 부분이 나머지 부분과 단절되도록 상기 제2 배선을 절단하고, 상기 쇼트결함 부분과 인접한 상기 제3 배선의 일 영역을 절단하여 절단된 부분을 상기 제3 배선의 나머지 부분과 단절시키는 단계와, 상 기 쇼트결함 부분을 제외한 상기 제2 배선의 나머지 부분을 상기 제3 배선의 절단된 부분과 전기적으로 연결하는 제1 리페어 패턴을 형성하여 상기 제2 배선의 전기적인 연결상태를 수리하는 단계를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리방법을 제공한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 인접배선을 이용하여 결함이 발생된 배선을 수리함으로써, 수리공간의 확보여부에 관계없이 배선을 용이하게 수리할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 화소를 도시한 회로도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 화소(10)는 제1 및 제2 트랜지스터(M1, M2), 스토리지 커패시터(Cst) 및 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
제1 트랜지스터(M1)는 데이터선(Dm)과 제1 노드(N1)사이에 접속되며, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 주사선(Sn)에 접속된다. 이와 같은 제1 트랜지스 터(M1)는 주사선(Sn)으로부터 주사신호(SS)가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(Dm)으로부터 공급되는 데이터전압(Vdata)을 제1 노드(N1)에 공급한다.
제2 트랜지스터(M2)는 제1 화소전원(ELVDD)과 유기발광 다이오드(OLED) 사이에 접속되며, 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 제2 트랜지스터(M2)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여 유기발광 다이오드(OLED)로 공급되는 전류량을 조절한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제1 화소전원(ELVDD) 사이에 접속된다. 이와 같은 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)로 데이터전압(Vdata)이 공급될 때, 제1 화소전원(ELVDD)과 데이터전압(Vdata)의 차전압을 저장하고, 이를 한 프레임 동안 유지한다.
유기발광 다이오드(OLED)는 제2 트랜지스터(M2)와 제2 화소전원(ELVSS) 사이에 접속된다. 이와 같은 유기발광 다이오드(OLED)는 제2 트랜지스터(M2)로부터 공급되는 전류량에 대응하는 휘도로 발광한다.
이하에서는, 전술한 화소(10)의 구동방법을 설명하기로 한다. 편의상, 제2 트랜지스터(M2)의 문턱전압 등은 고려하지 않기로 한다.
우선, 주사선(Sn)으로 로우레벨의 주사신호(SS)가 공급되면, 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온된다. 이에 따라, 데이터선(Dm)으로부터 공급되는 데이터전압(Vdata)이 제1 노드(N1)로 공급된다.
데이터전압(Vdata)이 제1 노드(N1)로 공급되면, 스토리지 커패시터(Cst)에는 제1 화소전원(ELVDD)과 데이터전압(Vdata)의 차전압(ELVDD-Vdata)에 대응하는 전압 이 저장된다.
그러면, 제2 트랜지스터(M2)는 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 유지되는 게이트 전극과 소스전극 사이의 전압(Vgs)에 대응하여, 유기발광 다이오드(OLED)로 공급되는 전류량을 제어한다. 그리고, 유기발광 다이오드(OLED)는 제2 트랜지스터(M2)로부터 공급되는 전류량에 대응하는 휘도로 발광한다.
전술한 화소(10)의 예에서도 알 수 있는 바와 같이, 유기전계발광 표시장치의 경우, 데이터선(Dm)을 통해 공급되는 데이터전압(Vdata) 및 제1 전원선(PLm)을 통해 공급되는 제1 화소전원(ELVDD)의 전압값에 따라 화소(10)의 발광휘도가 결정될 수 있다.
따라서, 균일한 영상을 표시하기 위해서는 화소(10)가 배치되는 위치와 무관하게 균일한 데이터전압(Vdata) 및 제1 화소전원(ELVDD)을 공급받도록 해야한다.
하지만, 유기발광 다이오드(OLED)가 발광할 때, 제1 화소전원(ELVDD)으로부터 제2 트랜지스터(M2) 및 유기발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 화소전원(ELVSS)으로 전류패스(current path)가 형성되므로, 제1 전원선(PLm)에서 전압강하(IR Drop)가 발생하게 된다. 이와 같은 전압강하(IR Drop)는 제1 전원선(PLm)을 경유하는 거리가 길어질수록 심화되므로, 각 화소들은 그 위치에 따라 서로 다른 크기의 제1 화소전원(ELVDD)을 공급받을 수 있다. 특히, 유기전계발광 표시장치가 대형화될수록 제1 화소전원(ELVDD)의 전압강하에 따른 휘도편차로 인해 화질이 불균일해질 수 있다.
따라서, 유기전계발광 표시장치를 설계할 때, 제1 전원선(PLm)의 양측으로부 터 제1 화소전원(ELVDD)을 공급함으로써, 제1 화소전원(ELVDD)의 전압강하(IR Drop)를 완화시킬 수 있다.
또한, 데이터전압(Vdata)을 전달하는 데이터선(Dm)의 경우에도 복수의 데이터 구동부로부터 양방향으로 데이터전압(Vdata)을 공급하여 빠른 속도로 화소(10)에 데이터전압(Vdata)이 충전되도록 할 수도 있다.
즉, 유기전계발광 표시장치의 경우, 액정표시장치 등과 달리, 양방향으로부터 신호(또는 전원)를 공급받는 양방향 배선을 형성할 수 있다. 이와 같은 양방향 배선의 양 단부는 각각 패드 또는 구동회로와 연결되어 양방향으로 동시에 신호(또는 전원)를 공급받게 된다.
한편, 유기전계발광 표시장치는 비교적 복잡한 배선구조를 가져, 배선들 사이에 쇼트결함이 발생되기 쉽다.
하지만, 유기전계발광 표시장치의 경우, 배선들이 비교적 조밀하게 배치되기 때문에 배선수리에 필요한 신규배선을 형성하기 위한 공간 등 수리공간이 충분하지 못하여 배선수리에 어려움이 따를 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 후술하는 실시예들을 통해 수리공간이 충분히 확보되지 못하더라도 인접배선을 이용하여 쇼트결함을 용이하게 수리하는 배선수리구조 및 그 수리방법을 제시하기로 한다.
도 2는 배선들 간에 쇼트결함이 발생한 일례를 도시한 평면도이다. 편의상, 도 2에서는 서로 교차하는 배선들 간에 쇼트결함이 발생한 일례를 도시하기로 한 다.
도 2를 참조하면, 절연막(30)을 사이에 개재하고 서로 교차되도록 제1 배선(20)과 제2 내지 제4 배선(40, 50, 60)이 배치된다.
제1 배선(20)(하부배선)은 절연막(30)의 하부에 제1 방향(수평방향)으로 형성된다. 예를 들어, 제1 배선(20)은 게이트 금속으로 형성되는 주사선(Sn) 등으로 설정될 수 있다.
제2 내지 제4 배선(40, 50, 60)(상부배선)은 절연막(30)의 상부에 제1 방향과 교차하는 제2 방향(수직방향)으로 순차적으로 나란히 형성된다. 예를 들어, 제2 내지 제4 배선(40, 50, 60)은 소스/드레인 금속으로 형성되는 제1 전원선(PLm) 또는 데이터선(Dm) 등의 소스/드레인 배선으로 설정될 수 있다.
이와 같은 제1 내지 제4 배선들(20, 40, 50, 60)은 서로 절연상태를 유지하면서 안정적으로 주사신호, 제1 화소전원(ELVDD) 및/또는 데이터전압(Vdata) 등을 전달한다.
하지만, 만일 A와 같이 제1 배선(20)과 제2 배선(40)이 교차하는 교차부에서 절연막(30)이 부분적으로 유실되게 되면, 제1 배선(20)과 제2 배선(40) 사이에 쇼트결함이 발생하게 된다.
이와 같은 쇼트결함을 수리하기 위한 방법으로는, 상부에 배치된 제2 배선(40)을 절단하여 쇼트결함 부분을 제2 배선(40)으로부터 단절시킨 후, 별도의 리페어 패턴을 형성하여 제2 배선(40)의 연결상태를 수리하는 방법이 있을 수 있다.
하지만, 배선들 사이에 리페어 패턴을 형성하기 위한 공간이 충분히 확보되 지 않는 경우, 제2 배선(40)의 연결상태를 수리하는 데에 어려움이 따른다. 이 경우에는 제2 배선(40)과 인접한 제3 배선(50)을 이용해 제2 배선(40)의 연결상태를 수리할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법을 도시한 평면도이다. 본 실시예에서는 도 2에 도시된 제3 배선(50)이 양방향 배선인 경우, 제1 및 제2 배선(20, 40)의 교차부에서 발생한 쇼트결함을 수리하는 경우를 가정하여 설명하기로 한다. 여기서, 도면 상의 화살표는 신호가 인가되는 방향을 나타낸다.
우선, 도 3a를 참조하면, 제1 배선(20)과의 쇼트결함 부분이 나머지 부분과 단절되도록 제2 배선(40)을 절단한다. 이때, 미세 조정이 가능한 레이저 등을 이용하면 제2 배선(40)을 용이하게 절단할 수 있다.
그리고, 쇼트결함 부분과 인접한 제3 배선(50)의 일 영역을 레이저 등에 의해 절단하여 절단된 부분이 제3 배선(50)의 나머지 부분과 단절되도록 한다. 이때, 제3 배선(50)은 인접하도록 나란히 배치된 제2 배선(40)의 연결상태를 수리하기 위하여 절단되는 것으로, 제3 배선(50)의 절단 범위는 제2 배선(40)의 절단범위보다 넓게 설정된다.
이후, 도 3b에 도시된 바와 같이, 쇼트결함 부분을 제외한 제2 배선(40)의 나머지 부분을 제3 배선(50)의 절단된 부분과 전기적으로 연결하는 제1 리페어 패턴(RP1)을 형성한다.
여기서, 제1 리페어 패턴(RP1)은 제2 배선(40)의 나머지 부분 및 제3 배선(50)의 절단된 부분과 직접적으로 접촉되는 도전체로 형성될 수 있다. 여기서, 제1 리페어 패턴(RP1)에 이용되는 도전체의 종류는 일반적인 배선 형성물질 등에서 다양하게 선택될 수 있다. 한편, 제2 내지 제4 배선(40, 50, 60)의 상부에 도시되지 않은 절연막 등이 형성된 상태에서 배선의 결함이 수리되는 경우에는 컨택홀 등에 의해 제1 리페어 패턴(RP1)을 제2 배선(40)의 나머지 부분 및 제3 배선(50)의 절단된 부분과 전기적으로 연결시킬 수도 있음은 물론이다.
이와 같이 제1 리페어 패턴(RP1)을 형성함에 의하여, 쇼트결함 부분과 단절된 제2 배선(40)의 나머지 부분이 제1 리페어 패턴(RP1) 및 제3 배선(50)의 절단된 부분을 통하여 서로 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 제2 배선(40)의 전기적인 연결상태가 수리된다.
한편, 제3 배선(50)의 경우, 절단된 부분을 중심으로 일 영역이 오픈되더라도, 양측으로부터 절단된 부분 방향으로 신호를 인가받으므로 제3 배선(50)의 오픈으로 인한 구동문제는 발생하지 않는다. 이때, 제3 배선(50)이 절단되는 범위는 제3 배선(50)이 전달하는 전원 및/또는 신호가 패널 내부의 구성요소, 예컨대, 화소들에 원활히 신호를 전달할 수 있도록 하는 소정 범위 내에서 설정될 수 있다.
전술한 실시예에 의하면, 인접하게 배치된 양방향 배선(즉, 제3 배선(50))을 이용함으로써, 수리공간의 확보여부에 관계없이 제1 및 제2 배선(20, 40) 사이에 발생한 쇼트결함을 용이하게 수리할 수 있다.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법을 도시한 평면도이다. 본 실시예에서는 도 2에 도시된 제1 내지 제3 배선(특히, 제2 내지 제3 배선)이 단방향 배선이고, 제4 배선이 양방향 배선인 경우를 가정하여 설명하기로 한다. 편의상, 도 4a 내지 도 4b에서는 도 3a 내지 도 3b와 동일한 부분에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
우선, 도 4a를 참조하면, 제2 및 제3 배선(40, 50)을 절단함은 물론, 제3 배선(50)의 절단된 부분과 인접한 제4 배선(60)의 일 영역을 절단하여 절단된 부분이 제4 배선(60)의 나머지 부분과 단절되도록 한다. 이때, 제4 배선(60)은 제3 배선(50)의 연결상태를 수리하기 위하여 절단되는 것으로, 제4 배선(60)의 절단 범위는 제3 배선(50)의 절단범위보다 넓게 설정된다.
이후, 도 4b에 도시된 바와 같이, 쇼트결함 부분을 제외한 제2 배선(40)의 나머지 부분을 제3 배선(50)의 절단된 부분과 전기적으로 연결하는 제1 리페어 패턴(RP1)과, 제3 배선(50)의 나머지 부분과 제4 배선(60)의 절단된 부분을 전기적으로 연결하는 제2 리페어 패턴(RP2)을 형성한다.
여기서, 제2 리페어 패턴(RP2)은 제1 리페어 패턴(RP1)과 같이 그 형성물질이 특정물질에 국한되는 것은 아니며, 일반적인 배선 형성물질 등에서 선택된 도전체로 형성될 수 있다. 이와 같은 제2 리페어 패턴(PR2)은 제1 리페어 패턴(RP1)과 동일한 물질로 동시에 형성될 수도 있음은 물론이다.
이와 같이 제1 및 제2 리페어 패턴(RP1, RP2)을 형성함에 의하여, 절단에 의하여 일 영역이 오픈된 제2 및 제3 배선(40, 50)의 전기적인 연결상태가 수리된다.
한편, 제4 배선(60)의 경우, 양측으로부터 절단된 부분 방향으로 신호를 인가받으므로, 제4 배선(60)의 오픈으로 인한 구동문제는 발생하지 않는다. 이때, 제4 배선(60)이 절단되는 범위는 제4 배선(60)이 전달하는 전원 및/또는 신호가 패널 내부의 구성요소, 예컨대, 화소들에 원활히 신호를 전달할 수 있도록 하는 소정 범위 내에서 설정될 수 있다.
전술한 실시예에 의하면, 양방향 배선(즉, 제4 배선(60))이 직접적으로 인접 배치되지 않더라도 인접배선을 이용해 차례로 연결상태를 수리해 나가면서 수리공간의 확보여부에 관계없이 제1 및 제2 배선(20, 40) 사이에 발생한 쇼트결함을 용이하게 수리할 수 있다.
한편, 인접배선을 이용해 차례로 연결상태를 수리해 나가는 단계에서, 수리를 위한 신규배선이 형성될 공간이 확보되는 경우에는 양방향 배선을 이용하지 않고도 쇼트결함을 수리할 수 있다.
예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 제4 배선(60)이 단방향 배선이더라도 제4 배선(60)의 옆에 신규배선이 형성될 공간이 확보되는 경우에는, 확보된 공간에 제4 배선(60)의 절단된 부분을 제외한 나머지 부분을 서로 전기적으로 연결하는 제3 리페어 패턴(RP3)을 형성함으로써, 제4 배선(60)의 전기적인 연결상태를 수리할 수 있다.
한편, 전술한 실시예들에서는 서로 교차하는 제1 및 제2 배선(20, 40)의 교차부에서 발생된 쇼트결함을 수리하는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 동일한 레이어에 인접하게 배치된 배선들 사이에 쇼트결함이 발생된 경우에도, 본 발명의 기술사상을 적용하여 쇼트결함을 수리할 수 있다. 이 경우에는, 쇼트결함이 발생된 배선의 다른 측에 배치된 인접배선을 이용하여 쇼트결함을 수리하는 것이 가능하다.
또한, 쇼트결함이 아니라 오픈결함이 발생된 경우에는 처음 결함이 발생된 배선을 절단하는 공정을 제외하곤 전술한 실시예들과 동일한 과정으로 배선의 연결상태를 수리할 수도 있다.
또한, 쇼트결함이 발생된 배선 주위의 단방향 배선들 중 적어도 하나의 배선에 양방향으로 신호가 공급되도록 설계 변경이 가능하다면 도 3a 내지 도 4b에 도시된 실시예들을 이용해 본 발명을 적용할 수 있음은 물론이다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 화소를 도시한 회로도이다.
도 2는 배선들 간에 쇼트결함이 발생한 일례를 도시한 평면도이다.
도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법을 도시한 평면도이다.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법을 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조 및 그 수리방법을 도시한 평면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
20: 제1 배선(하부배선) 30: 절연막
40, 50, 60: 제2, 제3, 제4 배선(상부배선) RP: 리페어 패턴

Claims (12)

  1. 제1 및 제2 배선 사이에서 발생된 쇼트결함을 수리하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조에 있어서,
    상기 제1 배선과의 쇼트결함 부분이 절단되어 절단된 부분이 나머지 부분과 단절된 제2 배선과,
    상기 제2 배선과 인접하게 배치되며, 상기 쇼트결함 부분과 인접한 일 영역이 절단되어 절단된 부분이 나머지 부분과 단절된 제3 배선과,
    상기 제2 배선이 상기 제3 배선의 절단된 부분을 통해 전기적인 연결상태를 유지하도록 상기 제2 배선의 나머지 부분과 상기 제3 배선의 절단된 부분을 전기적으로 연결하며, 상기 제1 내지 제3 배선의 상부에 위치되는 제1 리페어 패턴을 포함하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제3 배선은 양방향으로부터 신호를 공급받는 양방향 배선인 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배선과 상기 제2 및 제3 배선은 절연막을 사이에 개재하고 서로 교차되도록 배치되며,
    상기 제1 배선은 상기 절연막의 하부에 배치되고, 상기 제2 및 제3 배선은 상기 절연막의 상부에 나란히 배치되는 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제3 배선과 인접하게 배치되며, 상기 제3 배선의 절단된 부분과 인접한 일 영역이 절단되어 절단된 부분이 나머지 부분과 단절된 제4 배선과,
    상기 제3 배선이 상기 제4 배선의 절단된 부분을 통해 전기적인 연결상태를 유지하도록 상기 제4 배선의 절단된 부분과 상기 제3 배선의 나머지 부분을 전기적으로 연결하는 제2 리페어 패턴을 더 포함하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제4 배선은 양방향으로부터 신호를 공급받는 양방향 배선인 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제4 배선이 전기적인 연결상태를 유지하도록 상기 제4 배선의 나머지 부분을 서로 전기적으로 연결하는 제3 리페어 패턴을 더 포함하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리구조.
  7. 제1 및 제2 배선 사이에서 발생된 쇼트결함을 상기 제2 배선과 인접한 제3 배선을 이용하여 수리하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리방법에 있어서,
    상기 제1 배선과의 쇼트결함 부분이 나머지 부분과 단절되도록 상기 제2 배선을 절단하고, 상기 쇼트결함 부분과 인접한 상기 제3 배선의 일 영역을 절단하여 절단된 부분을 상기 제3 배선의 나머지 부분과 단절시키는 단계와,
    상기 제1 내지 제3 배선의 상부에, 상기 쇼트결함 부분을 제외한 상기 제2 배선의 나머지 부분을 상기 제3 배선의 절단된 부분과 전기적으로 연결하는 제1 리페어 패턴을 형성하여 상기 제2 배선의 전기적인 연결상태를 수리하는 단계를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제3 배선의 양측으로부터 상기 절단된 부분 방향으로 신호를 인가하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제3 배선과 인접한 제4 배선을 이용하여 상기 제3 배선의 전기적인 연결상태를 수리하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제3 배선의 연결상태를 수리하는 단계는,
    상기 제3 배선의 절단된 부분과 인접한 상기 제4 배선의 일 영역을 절단하여 절단된 부분을 상기 제4 배선의 나머지 부분과 단절시키는 단계와,
    상기 제3 배선의 나머지 부분과 상기 제4 배선의 절단된 부분을 전기적으로 연결하는 제2 리페어 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제4 배선의 양측으로부터 상기 절단된 부분 방향으로 신호를 인가하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제4 배선의 나머지 부분을 서로 전기적으로 연결하는 제3 리페어 패턴을 형성하여 상기 제4 배선의 전기적인 연결상태를 수리하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광 표시장치의 배선수리방법.
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JP2009026419A JP5038341B2 (ja) 2008-08-14 2009-02-06 有機電界発光表示装置の配線修理構造及びその修理方法
TW098126345A TWI409945B (zh) 2008-08-14 2009-08-05 用於修補有機發光顯示器的線缺陷之結構以及修補缺陷的方法
US12/540,634 US8227977B2 (en) 2008-08-14 2009-08-13 Structure for repairing a line defect of an organic light emitting display and a method of repairing the defect
CN2009101667219A CN101651129B (zh) 2008-08-14 2009-08-14 修复有机发光显示器的线缺陷的结构及修复该缺陷的方法

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9711585B2 (en) 2015-03-04 2017-07-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US9741285B2 (en) 2013-05-31 2017-08-22 Samsung Display Co., Ltd. Repairable organic light-emitting display apparatus and method of repairing the same
US9818343B2 (en) 2015-04-30 2017-11-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method for repairing the same
US10090369B2 (en) 2014-11-27 2018-10-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013068645A (ja) * 2010-01-28 2013-04-18 Sharp Corp 表示装置の欠陥修正方法、表示装置およびその製造方法
TWI409558B (zh) * 2010-07-30 2013-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 顯示面板及其訊號線修補方法
KR101878333B1 (ko) * 2012-01-09 2018-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법
US8779592B2 (en) * 2012-05-01 2014-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Via-free interconnect structure with self-aligned metal line interconnections
KR101976066B1 (ko) * 2012-06-08 2019-08-29 삼성디스플레이 주식회사 쇼트 불량 리페어 방법, 상기 리페어 방법에 의해 제조된 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR101990550B1 (ko) 2012-10-26 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
KR102117614B1 (ko) * 2013-10-18 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 기판의 신호선 리페어 방법
CN104733490A (zh) * 2013-12-19 2015-06-24 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
KR102183494B1 (ko) * 2014-08-21 2020-11-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102430876B1 (ko) * 2015-04-30 2022-08-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법
CN106291995A (zh) * 2015-05-12 2017-01-04 上海和辉光电有限公司 一种激光修补线缺陷的方法
TWI574394B (zh) * 2016-02-05 2017-03-11 友達光電股份有限公司 自發光型顯示器及其修補方法
US10955947B2 (en) 2016-07-29 2021-03-23 Apple Inc. RC tuning of touch electrode connections on a touch sensor panel
EP3526643B1 (en) * 2016-10-14 2021-08-11 BOE Technology Group Co., Ltd. Array substrate and repairing method thereof
TWI619225B (zh) 2017-08-15 2018-03-21 元太科技工業股份有限公司 顯示裝置及其周圍線路結構
CN107565054B (zh) * 2017-08-25 2020-04-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled像素结构及其修复方法
KR102622348B1 (ko) * 2019-02-11 2024-01-10 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치
CN111933826B (zh) * 2020-08-31 2022-06-17 苏州迈为科技股份有限公司 基于不同子像素各自配方进行oled屏体修复的方法及设备
US11887862B2 (en) 2021-09-14 2024-01-30 Deca Technologies Usa, Inc. Method for redistribution layer (RDL) repair by mitigating at least one defect with a custom RDL
KR20230110396A (ko) * 2022-01-14 2023-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000060802A (ko) * 1999-03-19 2000-10-16 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법
KR20020077968A (ko) * 2001-04-03 2002-10-18 삼성전자 주식회사 수리 구조를 갖추고 있는 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 그 수리 방법
JP2005043639A (ja) 2003-07-22 2005-02-17 Nec Kagoshima Ltd スイッチング素子アレイ基板、それを用いたアクティブマトリクス型表示装置およびその修復方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63263743A (ja) * 1987-04-22 1988-10-31 Alps Electric Co Ltd 薄膜トランジスタアレイおよびその製法
KR100213603B1 (ko) * 1994-12-28 1999-08-02 가나이 쯔또무 전자회로기판의 배선수정방법 및 그 장치와 전자회로기판
JP3272625B2 (ja) * 1997-02-21 2002-04-08 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置および画素欠陥修正方法
US6441401B1 (en) * 1999-03-19 2002-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for repairing the same
KR100318539B1 (ko) * 1999-03-24 2001-12-22 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100628680B1 (ko) * 1999-12-17 2006-09-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100382456B1 (ko) * 2000-05-01 2003-05-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 리페어 패턴 형성방법
KR100623989B1 (ko) * 2000-05-23 2006-09-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 수리 방법
JP2002097914A (ja) 2000-07-18 2002-04-05 Fuji Oozx Inc チタン合金製エンジンバルブ及びその製造方法
KR100587366B1 (ko) * 2000-08-30 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4076356B2 (ja) * 2002-02-22 2008-04-16 シャープ株式会社 表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその欠陥修復方法
TW594161B (en) * 2003-02-18 2004-06-21 Au Optronics Corp Flat panel display with repairable defects for data lines and the repairing method
TWI236838B (en) * 2004-04-22 2005-07-21 Avision Inc Image acquisition device and method capable of rotating document images
JP4627065B2 (ja) * 2004-05-27 2011-02-09 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その画素欠陥修正方法及び製造方法
KR101090253B1 (ko) * 2004-10-06 2011-12-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP4992205B2 (ja) * 2005-06-27 2012-08-08 ソニー株式会社 加工方法、表示装置及び半導体装置
US7265386B2 (en) * 2005-08-29 2007-09-04 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Thin film transistor array substrate and method for repairing the same
JP4760270B2 (ja) * 2005-09-29 2011-08-31 ソニー株式会社 配線基板の製造方法及び表示装置の製造方法
JP5107546B2 (ja) * 2006-09-15 2012-12-26 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 表示装置
US7884364B2 (en) * 2006-12-12 2011-02-08 Lg Display Co., Ltd. Array substrate, method of manufacturing the same, and method of repairing line in the same
JP4851545B2 (ja) * 2007-02-09 2012-01-11 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネルの製造方法
JP4374552B2 (ja) * 2007-04-12 2009-12-02 ソニー株式会社 基板の製造方法および基板製造システム、並びに表示装置の製造方法
TWI331247B (en) * 2007-12-13 2010-10-01 Au Optronics Corp Pixel sturctur and repairing method thereof
JP5245879B2 (ja) * 2008-03-26 2013-07-24 ソニー株式会社 画像表示装置及び短絡事故の修復方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000060802A (ko) * 1999-03-19 2000-10-16 윤종용 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법
KR20020077968A (ko) * 2001-04-03 2002-10-18 삼성전자 주식회사 수리 구조를 갖추고 있는 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 그 수리 방법
JP2005043639A (ja) 2003-07-22 2005-02-17 Nec Kagoshima Ltd スイッチング素子アレイ基板、それを用いたアクティブマトリクス型表示装置およびその修復方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9741285B2 (en) 2013-05-31 2017-08-22 Samsung Display Co., Ltd. Repairable organic light-emitting display apparatus and method of repairing the same
US10090369B2 (en) 2014-11-27 2018-10-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US9711585B2 (en) 2015-03-04 2017-07-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US9818343B2 (en) 2015-04-30 2017-11-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method for repairing the same

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