CN112466255A - 一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法,一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法,其特征在于,像素电路包括多个薄膜晶体管,修复方法包括:步骤S1,获取矩阵中亮点位置对应的像素;步骤S2,于像素对应的像素电路中获取控制像素电源的薄膜晶体管;步骤S3,断开步骤S2中获取的薄膜晶体管,使像素电路形成断路。使用激光设备将亮点不良的像素电极的薄膜晶体管断开,使阳极电流不能提供到亮点不良的像素电极,从而使得亮点不良的像素电极被修成为暗点,带少量暗点的面板基本不影响屏幕观感。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光显示器的缺陷修复技术领域,尤其涉及一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法。
背景技术
AMOLED(有源矩阵有机发光显示器)的基本结构为有机发光层夹在阴极和阳极之间,阴阳极之间有电流通过时,有机材就会发光。阴阳极的电压变换需要依赖复杂的TFT(薄膜晶体管)驱动电路;且显示面板的每一个发光Pixel(像素)都由2~8个TFT独立控制,显示面板上一般具有千万到亿数量级的TFT。假如有一颗TFT发生异常,则显示屏就会出现点亮不良,特别是出现亮点,显示面板上亮点非常容易察觉,而且直接影响屏幕观感。
发明内容
本发明提供一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法,旨在解决现有技术中显示器出现亮点不良而影响屏幕观感的技术问题。
一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法,其特征在于,像素电路包括多个薄膜晶体管,修复方法包括:
步骤S1,获取矩阵中亮点位置对应的像素;
步骤S2,于像素对应的像素电路中获取控制像素电源的薄膜晶体管;
步骤S3,断开步骤S2中获取的薄膜晶体管,使像素电路形成断路。
进一步的,在步骤S3中,使用激光将步骤S2中获取的薄膜晶体管于像素电路上的走线打断。
进一步的,在步骤S3中使用激光将步骤S2中获取的薄膜晶体管的其中一个薄膜晶体管的沟道打断。
进一步的,像素电路包括:
第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的栅极端连接发光控制信号线,第一薄膜晶体管的第一端连接供电电源端;
第二薄膜晶体管,第二薄膜晶体管的栅极端通过一电容与供电电源端连接,第二薄膜晶体管的第一端连接第一薄膜晶体管的第二端;
第三薄膜晶体管,第三薄膜晶体管的栅极端连接发光控制信号线,第三薄膜晶体管的第一端连接第二薄膜晶体管的二端,第三薄膜晶体管的第二端连接有机发光二极管的阳极。
进一步的,在步骤S3中,使用激光将第一薄膜晶体管的沟道打断。
进一步的,使用激光将第二薄膜晶体管的沟道打断。
进一步的,将使用激光第三薄膜晶体管的沟道打断。
进一步的,使用激光将第一薄膜晶体管的第一端和供电电源端之间的连接走线打断;或者
使用激光将第二薄膜晶体管的第一端和第一薄膜晶体管的第二端之间的连接走线打断;或者
使用激光将第三薄膜晶体管的第一端和第二薄膜晶体管的第二端之间的连接走线打断;或者
使用激光将第三薄膜晶体管的第二端和有机发光二极管的阳极之间的连接走线打断。
进一步的,像素电路还包括:
第四薄膜晶体管,第四薄膜晶体管的栅极端连接第一控制信号线,第四薄膜晶体管的第一端连接第二薄膜晶体管的第一端,第四薄膜晶体管的第二端连接数据线。
进一步的,像素电路还包括:
第五薄膜晶体管,第五薄膜晶体管的栅极端连接第二控制信号线,第五薄膜晶体管的第一端连接第三薄膜晶体管的第二端,第五薄膜晶体管的第二端连接初始化电压线。
本发明的有益技术效果是:通过将驱动电路断开,将不让电流流过亮点的像素电极使得该像素变成暗点,以减少亮点对屏幕观感的影响。
附图说明
图1为本发明一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法的驱动电路走线示意图。
图2为本发明一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法的像素电路在一个周期内控制信号示意图。
图3为本发明一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法将第二薄膜晶体管的沟道打断的示意图。
图4为本发明一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法亮点变成暗点之前的屏幕观感示意图。
图5为本发明一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法亮点变成暗点之后的屏幕观感示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,但不作为本发明的限定。
一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的具体结构如图1所示,像素电路包括驱动电路,驱动电路包括:
第一薄膜晶体管(T1),第一薄膜晶体管(T1)的栅极端连接发光控制信号线,第一薄膜晶体管(T1)的第一端连接供电电源端(ELVDD);
第二薄膜晶体管(T2),第二薄膜晶体管(T2)的栅极端通过一电容(Cst)与供电电源端(ELVDD)连接,第二薄膜晶体管(T2)的第一端连接第一薄膜晶体管(T1)的第二端;
第三薄膜晶体管(T3),第三薄膜晶体管(T3)的栅极端连接发光控制信号线(En),第三薄膜晶体管(T3)的第一端连接第二薄膜晶体管(T2)的二端,第三薄膜晶体管(T3)的第二端连接有机发光二极管(OLED)的阳极。
其中,有机发光二极管(OLED)的阴极连接参考电压端(ELVSS),参考电压端(ELVSS)为低电平端。
像素电路还包括:
像素电路还包括第四薄膜晶体管(T4),第四薄膜晶体管(T4)的栅极端连接栅极扫描信号线(Sn),第四薄膜晶体管(T4)的第一端连接第二薄膜晶体管(T2)的第一端,第四薄膜晶体管(T4)的第二端连接数据线(DATA)。
像素电路还包括第五薄膜晶体管(T5),第五薄膜晶体管(T5)的栅极端连接下一级栅极扫描信号线(Sn+1),第五薄膜晶体管(T5)的第一端连接第三薄膜晶体管(T3)的第二端,第五薄膜晶体管(T5)的第二端连接初始化电压线(Vint)。
像素电路还包括第七薄膜晶体管(T7),第七薄膜晶体管(T7)为双栅薄膜晶体管,第七薄膜晶体管(T7)的第一端连接在第二薄膜晶体管(T2)和电容(Cst)之间,形成连接节点N2。
第七薄膜晶体管(T7)的第二端连接在第二薄膜晶体管(T2)和第三薄膜晶体管(T3)的连接走线上。
第七薄膜晶体管(T7)的栅极与第四薄膜晶体管(T4)的栅极共同连接至栅极扫描信号线(Sn)。
像素电路还包括第六薄膜晶体管(T6),第六薄膜晶体管(T6)为双栅薄膜晶体管,第六薄膜晶体管(T6)的第一端连接在第二薄膜晶体管(T2)和电容(Cst)之间的连接走线上,第六薄膜晶体管(T6)的第二端与第五薄膜晶体管(T5)的第二端共同连接至初始化电压线(Vint),形成一个连接节点。
第六薄膜晶体管(T6)的两个栅极彼此连接并连接至上一级扫描信号线(Sn-1)。
参见图2,OLED器件的发光原理如下,在Sn-1处于有效时,第六薄膜晶体管(T6)打开,连接节点(N2)的电位开始初始化。在Sn处于有效时,第四薄膜晶体管(T4)、第七薄膜晶体管(T7)打开,对第二薄膜晶体管(T2)进行电位补偿。Sn+1信号有效时,第五薄膜晶体管(T5)打开,对OLED器件的阳极进行初始化。En信号有效时,第一薄膜晶体管(T1)和第三薄膜晶体管(T3)打开,电流经供电电源端(ELVDD)流过第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)和第三薄膜晶体管(T3),再到参考电压端(ELVSS),使OLED开始发光。
参见图1,本发明提供一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法,像素电路包括多个薄膜晶体管,修复方法包括:
步骤S1,获取矩阵中亮点位置对应的像素;
步骤S2,于像素对应的像素电路中获取控制像素电源的薄膜晶体管;
步骤S3,断开步骤S2中获取的薄膜晶体管,使像素电路形成断路。
上述像素即像素电路中连接的有机发光二极管(OLED),当出现亮点时,对应的有机发光二极管(OLED)处于常亮的状态,在显示深色画面时常亮的像素会严重影响屏幕观感。
进一步的,上述技术方案中,断开薄膜晶体管使像素电路形成断路的方法包括以下两种:
一种为,在步骤S3中,使用激光将步骤S2中获取的薄膜晶体管于像素电路上的走线打断。
另一种为,在步骤S3中使用激光将步骤S2中获取的薄膜晶体管的其中一个薄膜晶体管的沟道打断。
进一步的,像素电路包括:
第一薄膜晶体管(T1),第一薄膜晶体管(T1)的栅极端连接发光控制信号线,第一薄膜晶体管(T1)的第一端连接供电电源端;
第二薄膜晶体管(T2),第二薄膜晶体管(T2)的栅极端通过一电容与供电电源端连接,第二薄膜晶体管(T2)的第一端连接第一薄膜晶体管(T2)的第二端;
第三薄膜晶体管(T3),第三薄膜晶体管(T3)的栅极端连接发光控制信号线,第三薄膜晶体管(T3)的第一端连接第二薄膜晶体管(T2)的二端,第三薄膜晶体管(T3)的第二端连接有机发光二极管的阳极。
在一优选的实施方式中,在步骤S3中,可使用激光将第一薄膜晶体管(T1)的沟道打断。打断第一薄膜晶体管(T1)的沟道可使供电电源端与像素电路的连接断开,从而无法再给有机发光二极管(OLED)供电,使常亮的有机发光二极管(OLED)变成暗点。
在一优选的实施方式中,参见图3,可使用激光将第二薄膜晶体管(T2)的沟道进行打断。打断第二薄膜晶体管(T2)的沟道,可断开供电电源端与有机发光二极管(OLED)之间的连接通路,从而无法再给有机发光二极管(OLED)供电,使常亮的有机发光二极管(OLED)变成暗点。
在一优选的实施方式中,可使用激光将第三薄膜晶体管(T3)的沟道打断。打断第三薄膜晶体管(T3)的沟道,可断开供电电源端与有机发光二极管(OLED)之间的连接通路,从而无法再给有机发光二极管(OLED)供电,使常亮的有机发光二极管(OLED)变成暗点。
在一优选的实施方式中,可使用激光将第一薄膜晶体管(T1)的第一端和供电电源端之间的连接走线打断,打断第一薄膜晶体管(T1)和供电电源端之间的连接走线,使第一薄膜晶体管(T1)与供电电源端之间形成断路,从而无法再给有机发光二极管(OLED)供电,使常亮的有机发光二极管(OLED)变成暗点。
在一优选的实施方式中,可使用激光将第二薄膜晶体管(T2)的第一端和第一薄膜晶体管(T1)的第二端之间的连接走线打断,打断第二薄膜晶体管(T2)和第一薄膜晶体管(T1)之间的连接走线,使第二薄膜晶体管(T2)和第一薄膜晶体管(T1)之间形成断路,从而无法再给有机发光二极管(OLED)供电,使常亮的有机发光二极管(OLED)变成暗点。
在一优选的实施方式中,可使用激光将第三薄膜晶体管(T3)的第一端和第二薄膜晶体管(T2)的第二端之间的连接走线打断;打断第三薄膜晶体管(T3)和第二薄膜晶体管(T2)之间的连接走线,使第三薄膜晶体管(T3)和第二薄膜晶体管(T2)之间形成断路,从而无法再给有机发光二极管(OLED)供电,使常亮的有机发光二极管(OLED)变成暗点。
在一优选的实施方式中,可使用激光将第三薄膜晶体管(T3)的第二端和有机发光二极管的阳极之间的连接走线打断,打断第三薄膜晶体管(T3)和有机发光二极管之间的连接走线,使第三薄膜晶体管(T3)和有机发光二极管之间形成断路,从而无法再给有机发光二极管(OLED)供电,使常亮的有机发光二极管(OLED)变成暗点。
进一步的,像素电路还包括:
第四薄膜晶体管(T4),第四薄膜晶体管(T4)的栅极端连接第一控制信号线,第四薄膜晶体管(T4)的第一端连接第二薄膜晶体管(T2)的第一端,第四薄膜晶体管(T4)的第二端连接数据线。
进一步的,像素电路还包括:
第五薄膜晶体管(T5),第五薄膜晶体管(T5)的栅极端连接第二控制信号线,第五薄膜晶体管(T5)的第一端连接第三薄膜晶体管(T3)的第二端,第五薄膜晶体管(T5)的第二端连接初始化电压线。
参见图4和图5,显示面板上亮点非常容易察觉,而且直接影响屏幕观感;但是少量(几颗)暗点,由于其不发光且尺寸较小,不容易被人眼所察觉。
因此,本发明采用激光设备,把对应亮点异常相关的TFT驱动电路中的关键TFT或走线打断,造成断路,使电流不能供应到OLED,从而该亮点无法点亮成为暗点。在上述实施例中可造成暗点的TFT包含:T1、T2、T3,可造成暗点的走线为ELVDD-T4-T2-T5-ELVSS之间的走线,多条打断路径可以选择,使得带少量暗点的面板基本不影响屏幕观感,而可以被消费者所接受。需要说明的是,本发明的目的切断亮点像素的电源供应使亮点变成暗点,因此,不应将本发明局限于上述实施例中描述的像素电路,任何OELD像素电路中通过打断像素电路中控制像素电源的线路或者薄膜晶体管沟道来实现断开薄膜晶体管使像素电路形成断路无法继续对像素进行供电的方法均应包含在本发明的范畴内。
以上仅为本发明较佳的实施例,并非因此限制本发明的实施方式及保护范围,对于本领域技术人员而言,应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案,均应当包含在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种有源矩阵有机发光显示器的像素电路的修复方法,其特征在于,所述像素电路包括多个薄膜晶体管,所述修复方法包括:
步骤S1,获取矩阵中亮点位置对应的像素;
步骤S2,于所述像素对应的像素电路中获取控制像素电源的薄膜晶体管;
步骤S3,断开所述步骤S2中获取的所述薄膜晶体管,使所述像素电路形成断路。
2.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,在所述步骤S3中,使用激光将所述步骤S2中获取的所述薄膜晶体管于所述像素电路上的走线打断。
3.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,在所述步骤S3中使用激光将所述步骤S2中获取的所述薄膜晶体管的其中一个所述薄膜晶体管的沟道打断。
4.如权利要求3所述的修复方法,其特征在于,所述像素电路包括:
第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极端连接发光控制信号线,所述第一薄膜晶体管的第一端连接供电电源端;
第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的栅极端通过一电容与所述供电电源端连接,所述第二薄膜晶体管的第一端连接所述第一薄膜晶体管的第二端;
第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管的栅极端连接发光控制信号线,所述第三薄膜晶体管的第一端连接所述第二薄膜晶体管的二端,所述第三薄膜晶体管的第二端连接有机发光二极管的阳极。
5.如权利要求4所述的修复方法,其特征在于,在所述步骤S3中,使用激光将所述第一薄膜晶体管的沟道打断。
6.如权利要求4所述的修复方法,其特征在于,使用激光将所述第二薄膜晶体管的沟道打断。
7.如权利要求4所述的修复方法,其特征在于,将使用激光所述第三薄膜晶体管的沟道打断。
8.如权利要求4所述的修复方法,其特征在于,使用激光将所述第一薄膜晶体管的第一端和供电电源端之间的连接走线打断;或者
使用激光将所述第二薄膜晶体管的第一端和所述第一薄膜晶体管的第二端之间的连接走线打断;或者
使用激光将所述第三薄膜晶体管的第一端和所述第二薄膜晶体管的第二端之间的连接走线打断;或者
使用激光将所述第三薄膜晶体管的第二端和有机发光二极管的阳极之间的连接走线打断。
9.如权利要求4所述的修复方法,其特征在于,所述像素电路还包括:
第四薄膜晶体管,所述第四薄膜晶体管的栅极端连接第一控制信号线,所述第四薄膜晶体管的第一端连接所述第二薄膜晶体管的第一端,所述第四薄膜晶体管的第二端连接数据线。
10.如权利要求4所述的修复方法,其特征在于,所述像素电路还包括:
第五薄膜晶体管,所述第五薄膜晶体管的栅极端连接第二控制信号线,所述第五薄膜晶体管的第一端连接所述第三薄膜晶体管的第二端,所述第五薄膜晶体管的第二端连接初始化电压线。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210309 |
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