CN108122519A - Amoled像素修补方法 - Google Patents

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CN108122519A CN201711354877.0A CN201711354877A CN108122519A CN 108122519 A CN108122519 A CN 108122519A CN 201711354877 A CN201711354877 A CN 201711354877A CN 108122519 A CN108122519 A CN 108122519A
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陈彩琴
王伊
王一伊
王少波
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Abstract

本发明提供一种AMOLED像素修补方法，通过同时切断第二薄膜晶体管(T2)的源极、漏极的其中之一及所述第五薄膜晶体管(T5)的源极、漏极的其中之一或通过切断驱动薄膜晶体管(T1)的源极来将数据信号(Data)向出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管(T1)的传送路径切断及将电源电压(Vdd)向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管(T1)的传送路径切断，实现了对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补，能够减少修补所需的激光能量，节省修补时间。

Description

AMOLED像素修补方法
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素修补方法。
背景技术
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛地应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。
OLED显示器件由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面显示器的新兴应用技术。
OLED显示器件按照驱动类型可分为无源OLED(PMOLED)和有源OLED(AMOLED)。AMOLED显示器件属于主动显示类型，在其显示区域内设有多个呈矩阵式分布的像素。传统的AMOLED像素结构通常为两个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)之间夹着一个存储电容，俗称2T1C像素电路，但这种2T1C像素电路对TFT的阈值电压(Vth)、TFT的沟道迁移率、OLED的启动电压和量子效率以及供电电源的瞬变过程等因素都很敏感，容易导致显示亮度不足等影响显示质量的问题，因此，AMOLED显示器件一般采用具有补偿功能的像素驱动电路来降低影响，例如7T1C结构的像素驱动电路、6T1C结构的像素驱动电路、6T2C结构的像素驱动电路等。
请同时参阅图1与图2，具有补偿功能的7T1C结构的AMOLED像素驱动电路的工作过程分为三个阶段：
放电阶段t1、上一扫描信号Scan(n-1)提供低电位，扫描信号Scan(n)与发光控制信号EM均提供高电位，第四P型薄膜晶体管T4打开，初始低电位Vi送入第一节点A，电容C1放电。
数据送入阶段t2、扫描信号Scan(n)提供低电位，上一扫描信号Scan(n-1)与发光控制信号EM均提供高电位，第二P型薄膜晶体管T2、第三P型薄膜晶体管T3与第七P型薄膜晶体管T7均打开，数据信号Data的电位Vdata送入P型驱动薄膜晶体管T1的源极，P型驱动薄膜晶体管T1的栅极与漏极短接，且第一节点A的电位|VA|>|Vth|(Vth为P型驱动薄膜晶体管T1的阈值电压)，即此时P型驱动薄膜晶体管T1变成二极管并打开，直到第一节点A的电位即P型驱动薄膜晶体管T1的栅极电位变成Vdata-|Vth|截止；初始低电位Vi送入有机发光二极管D的阳极，有机发光二极管D复位。
发光阶段t3、发光控制信号EM提供低电位，扫描信号Scan(n)与上一扫描信号Scan(n-1)均提供高电位，第五P型薄膜晶体管T5与第六P型薄膜晶体管T6打开，电源电压Vdd送入P型驱动薄膜晶体管T1的源极，此时，P型驱动薄膜晶体管的栅源极电压Vgs＝Vdd‐(Vdata‐|Vth|)，流经P型驱动薄膜晶体管T1的电流Ids＝(1/2)K[Vdd‐(Vdata‐|Vth|)‐|Vth|]2＝(1/2)K[Vdd‐Vdata]2，其中，K为P型驱动薄膜晶体管T1的本征导电因子；电流Ids流过有机发光二极管D，有机发光二极管D发光，且P型驱动薄膜晶体管T1的阈值电压Vth对电流Ids无影响。
AMOLED显示器件制程完成后会进行检测，若检测到有显示异常的AMOLED像素需进行修补，常用的修补方法是使用激光将有机发光二极管D击穿，从而使得显示异常的像素暗点化，但由于有机发光二极管D在像素区中占据的面积较大，完全击穿有机发光二极管D所用的激光能量较大，修补所用的时间也较长。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED像素修补方法，能够减少修补所需的激光能量，节省修补时间。
为实现上述目的，本发明首先提供一种AMOLED像素修补方法，包括将数据信号向出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管的传送路径切断及将电源电压向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管的传送路径切断的步骤，实现对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。
所述AMOLED像素修补方法具体包括以下步骤：
步骤S1、提供AMOLED显示器件，所述AMOLED显示器件在其显示区域内设有多个呈矩阵式分布的AMOLED像素，每一AMOLED像素包括：驱动薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、电容及有机发光二极管；
所述驱动薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，源极电线连接第二节点，漏极电性连接第三节点；
所述第二薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接第二节点；
所述第三薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极电性连接第一节点，漏极电性连接第三节点；
所述第四薄膜晶体管的栅极接入上一扫描信号，源极电性连接第一节点，漏极接入初始低电位；
所述第五薄膜晶体管的栅极接入发光控制信号，源极接入电源电压，漏极电性连接第二节点；
所述第六薄膜晶体管的栅极接入发光控制信号，源极电性连接第三节点，漏极电性连接有机发光二极管的阳极；
所述电容的一端接入电源电压，另一端电性连接第一节点；
所述有机发光二极管的阴极接地；
步骤S2、对所述AMOLED显示器件进行检测，找到出现显示异常的AMOLED像素；
步骤S3、通过同时切断所述第二薄膜晶体管的源极、漏极的其中之一及所述第五薄膜晶体管的源极、漏极的其中之一或通过切断所述驱动薄膜晶体管的源极来实现对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。
可选的，所述每一AMOLED像素还包括第七薄膜晶体管，所述第七薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极接入初始低电位，漏极电性连接有机发光二极管的阳极。
可选的，所述步骤S3通过同时切断所述第二薄膜晶体管的源极及所述第五薄膜晶体管的源极来实现对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。
可选的，所述步骤S3通过同时切断所述第二薄膜晶体管的源极及所述第五薄膜晶体管的漏极来实现对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。
可选的，所述步骤S3通过同时切断所述第二薄膜晶体管的漏极及所述第五薄膜晶体管的源极来实现对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。
可选的，所述步骤S3通过同时切断所述第二薄膜晶体管的漏极及所述第五薄膜晶体管的漏极来实现对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。
所述步骤S3使用激光进行切断。
可选的，所述驱动薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管。
可选的，所述驱动薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管。
本发明的有益效果：本发明提供的一种AMOLED像素修补方法，通过同时切断所述第二薄膜晶体管的源极、漏极的其中之一及所述第五薄膜晶体管的源极、漏极的其中之一或通过切断所述驱动薄膜晶体管的源极来将数据信号向出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管的传送路径切断及将电源电压向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管的传送路径切断，实现了对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补，能够减少修补所需的激光能量，节省修补时间。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的具有补偿功能的7T1C结构的AMOLED像素驱动电路的电路图；
图2为现有的具有补偿功能的7T1C结构的AMOLED像素驱动电路的时序图；
图3为本发明的AMOLED像素修补方法的流程图；
图4为本发明的AMOLED像素修补方法中步骤S3的第一实施例的电路示意图；
图5为本发明的AMOLED像素修补方法中步骤S3的第二实施例的电路示意图；
图6为本发明的AMOLED像素修补方法中步骤S3的第三实施例的电路示意图；
图7为本发明的AMOLED像素修补方法中步骤S3的第四实施例的电路示意图；
图8为本发明的AMOLED像素修补方法中步骤S3的第五实施例的电路示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3，本发明提供一种AMOLED像素修补方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供AMOLED显示器件，所述AMOLED显示器件在其显示区域内设有多个呈矩阵式分布的AMOLED像素。每一AMOLED像素均为具有补偿功能的7T1C或6T1C等结构。
请参照图1，以7T1C结构为例，所述每一AMOLED像素包括：驱动薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7、电容C1及有机发光二极管D。
具体地：所述驱动薄膜晶体管T1的栅极电性连接第一节点A，源极电线连接第二节点B，漏极电性连接第三节点K；所述第二薄膜晶体管T2的栅极接入扫描信号Scan(n)，源极接入数据信号Data，漏极电性连接第二节点B；所述第三薄膜晶体管T3的栅极接入扫描信号Scan(n)，源极电性连接第一节点A，漏极电性连接第三节点K；所述第四薄膜晶体管T4的栅极接入上一扫描信号Scan(n-1)，源极电性连接第一节点A，漏极接入初始低电位Vi；所述第五薄膜晶体管T5的栅极接入发光控制信号EM，源极接入电源电压Vdd，漏极电性连接第二节点B；所述第六薄膜晶体管T6的栅极接入发光控制信号EM，源极电性连接第三节点K，漏极电性连接有机发光二极管D的阳极；所述第七薄膜晶体管T7的栅极接入扫描信号Scan(n)，源极接入初始低电位Vi，漏极电性连接有机发光二极管D的阳极；所述电容C1的一端接入电源电压Vdd，另一端电性连接第一节点A；所述有机发光二极管D的阴极接地。
请参照图1并结合图2，所述驱动薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7可均为P型薄膜晶体管。正常的AMOLED像素的工作过程分为三个阶段：
放电阶段t1、上一扫描信号Scan(n-1)提供低电位，扫描信号Scan(n)与发光控制信号EM均提供高电位，第四薄膜晶体管T4打开，初始低电位Vi送入第一节点A，电容C1放电。
数据送入阶段t2、扫描信号Scan(n)提供低电位，上一扫描信号Scan(n-1)与发光控制信号EM均提供高电位，第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3与第七薄膜晶体管T7均打开，数据信号Data的电位Vdata经由打开的第二薄膜晶体管T2送入驱动薄膜晶体管T1的源极，驱动薄膜晶体管T1的栅极与漏极通过打开的第三薄膜晶体管T3短接，且第一节点A的电位|VA|>|Vth|(Vth为驱动薄膜晶体管T1的阈值电压)，即此时驱动薄膜晶体管T1变成二极管并打开，直到第一节点A的电位即驱动薄膜晶体管T1的栅极电位变成Vdata-|Vth|截止；初始低电位Vi经由打开的第七薄膜晶体管T7送入有机发光二极管D的阳极，有机发光二极管D复位。
发光阶段t3、发光控制信号EM提供低电位，扫描信号Scan(n)与上一扫描信号Scan(n-1)均提供高电位，第五薄膜晶体管T5与第六薄膜晶体管T6打开，电源电压Vdd经由打开的第五薄膜晶体管T5送入驱动薄膜晶体管T1的源极，此时，驱动薄膜晶体管T1的栅源极电压Vgs＝Vdd‐(Vdata‐|Vth|)，流经驱动薄膜晶体管T1的电流Ids＝(1/2)K[Vdd‐(Vdata‐|Vth|)‐|Vth|]2＝(1/2)K[Vdd‐Vdata]2，其中，K为驱动薄膜晶体管T1的本征导电因子；电流Ids经打开的第六薄膜晶体管T6流过有机发光二极管D，有机发光二极管D发光，且驱动薄膜晶体管T1的阈值电压Vth对电流Ids无影响。
当然，所述驱动薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7也可均为N型薄膜晶体管，只要分别将所述上一扫描信号Scan(n-1)、扫描信号Scan(n)与发光控制信号EM的高低电位调换即可使得所述AMOLED像素执行同样的工作过程。
若所述AMOLED像素为6T1C结构，则省略掉上述7T1C结构的AMOLED像素中的第七薄膜晶体管T7，相应在所述数据送入阶段t2省略将初始低电位Vi送入有机发光二极管D的阳极。
步骤S2、对所述AMOLED显示器件进行检测，找到出现显示异常的AMOLED像素。
步骤S3、如图4所示，第一实施例为：使用激光切断所述出现显示异常的AMOLED像素内第二薄膜晶体管T2的源极，从而切断了在所述数据送入阶段t2所述数据信号Data向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1的传送路径；同时使用激光切断所述出现显示异常的AMOLED像素内第五薄膜晶体管T5的源极，从而切断了在所述发光阶段t3所述电源电压Vdd向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1的传送路径；这样，所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1始终无法正常工作，无法驱动相应的有机发光二级管D，从而实现了对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。相比现有的通过将有机发光二极管击穿来实现暗点化修补的方法，该步骤S3的第一实施例能够减少修补所需的激光能量，节省修补时间。
如图5所示，第二实施例为：使用激光切断所述出现显示异常的AMOLED像素内第二薄膜晶体管T2的源极，从而切断了在所述数据送入阶段t2所述数据信号Data向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1的传送路径；同时使用激光切断所述出现显示异常的AMOLED像素内第五薄膜晶体管T5的漏极，从而切断了在所述发光阶段t3所述电源电压Vdd向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1的传送路径；这样，所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1始终无法正常工作，无法驱动相应的有机发光二级管D，从而实现了对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。相比现有的通过将有机发光二极管击穿来实现暗点化修补的方法，该步骤S3的第二实施例能够减少修补所需的激光能量，节省修补时间。
如图6所示，第三实施例为：使用激光切断所述出现显示异常的AMOLED像素内第二薄膜晶体管T2的漏极，从而切断了在所述数据送入阶段t2所述数据信号Data向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1的传送路径；同时使用激光切断所述出现显示异常的AMOLED像素内第五薄膜晶体管T5的漏极，从而切断了在所述发光阶段t3所述电源电压Vdd向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1的传送路径；这样，所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1始终无法正常工作，无法驱动相应的有机发光二级管D，从而实现了对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。相比现有的通过将有机发光二极管击穿来实现暗点化修补的方法，该步骤S3的第三实施例能够减少修补所需的激光能量，节省修补时间。
如图7所示，第四实施例为：使用激光切断所述出现显示异常的AMOLED像素内第二薄膜晶体管T2的漏极，从而切断了在所述数据送入阶段t2所述数据信号Data向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1的传送路径；同时使用激光切断所述出现显示异常的AMOLED像素内第五薄膜晶体管T5的源极，从而切断了在所述发光阶段t3所述电源电压Vdd向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1的传送路径；这样，所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1始终无法正常工作，无法驱动相应的有机发光二级管D，从而实现了对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。相比现有的通过将有机发光二极管击穿来实现暗点化修补的方法，该步骤S3的第四实施例能够减少修补所需的激光能量，节省修补时间。
如图8所示，第五实施例为：使用激光切断所述出现显示异常的AMOLED像素内驱动薄膜晶体管T1的源极，从而既切断了在所述数据送入阶段t2所述数据信号Data向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1的传送路径，又切断了在所述发光阶段t3所述电源电压Vdd向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1的传送路径；这样，所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管T1始终无法正常工作，无法驱动相应的有机发光二级管D，从而实现了对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。相比现有的通过将有机发光二极管击穿来实现暗点化修补的方法，该步骤S3的第五实施例能够减少修补所需的激光能量，节省修补时间。
综上所述，本发明的AMOLED像素修补方法，通过同时切断所述第二薄膜晶体管的源极、漏极的其中之一及所述第五薄膜晶体管的源极、漏极的其中之一或通过切断所述驱动薄膜晶体管的源极来将数据信号向出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管的传送路径切断及将电源电压向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管的传送路径切断，实现了对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补，能够减少修补所需的激光能量，节省修补时间。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种AMOLED像素修补方法，其特征在于，包括将数据信号(Data)向出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管(T1)的传送路径切断及将电源电压(Vdd)向所述出现显示异常的AMOLED像素内的驱动薄膜晶体管(T1)的传送路径切断的步骤，实现对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素修补方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
步骤S1、提供AMOLED显示器件，所述AMOLED显示器件在其显示区域内设有多个呈矩阵式分布的AMOLED像素，每一AMOLED像素包括：驱动薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)及有机发光二极管(D)；
所述驱动薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(A)，源极电线连接第二节点(B)，漏极电性连接第三节点(K)；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入扫描信号(Scan(n))，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第二节点(B)；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入扫描信号(Scan(n))，源极电性连接第一节点(A)，漏极电性连接第三节点(K)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入上一扫描信号(Scan(n-1))，源极电性连接第一节点(A)，漏极接入初始低电位(Vi)；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极接入电源电压(Vdd)，漏极电性连接第二节点(B)；
所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极电性连接第三节点(K)，漏极电性连接有机发光二极管(D)的阳极；
所述电容(C1)的一端接入电源电压(Vdd)，另一端电性连接第一节点(A)；
所述有机发光二极管(D)的阴极接地；
步骤S2、对所述AMOLED显示器件进行检测，找到出现显示异常的AMOLED像素；
步骤S3、通过同时切断所述第二薄膜晶体管(T2)的源极、漏极的其中之一及所述第五薄膜晶体管(T5)的源极、漏极的其中之一或通过切断所述驱动薄膜晶体管(T1)的源极来实现对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。
3.如权利要求2所述的AMOLED像素修补方法，其特征在于，所述每一AMOLED像素还包括第七薄膜晶体管(T7)，所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极接入扫描信号(Scan(n))，源极接入初始低电位(Vi)，漏极电性连接有机发光二极管(D)的阳极。
4.如权利要求2或3所述的AMOLED像素修补方法，其特征在于，所述步骤S3通过同时切断所述第二薄膜晶体管(T2)的源极及所述第五薄膜晶体管(T5)的源极来实现对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。
5.如权利要求2或3所述的AMOLED像素修补方法，其特征在于，所述步骤S3通过同时切断所述第二薄膜晶体管(T2)的源极及所述第五薄膜晶体管(T5)的漏极来实现对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。
6.如权利要求2或3所述的AMOLED像素修补方法，其特征在于，所述步骤S3通过同时切断所述第二薄膜晶体管(T2)的漏极及所述第五薄膜晶体管(T5)的源极来实现对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。
7.如权利要求2或3所述的AMOLED像素修补方法，其特征在于，所述步骤S3通过同时切断所述第二薄膜晶体管(T2)的漏极及所述第五薄膜晶体管(T5)的漏极来实现对所述出现显示异常的AMOLED像素的暗点化修补。
8.如权利要求2或3所述的AMOLED像素修补方法，其特征在于，所述步骤S3使用激光进行切断。
9.如权利要求3所述的AMOLED像素修补方法，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)均为P型薄膜晶体管。
10.如权利要求3所述的AMOLED像素修补方法，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)均为N型薄膜晶体管。
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