CN106291995A - 一种激光修补线缺陷的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种激光修补线缺陷的方法，该技术方案主要通过将显示器阵列基板上己破损的非导电层以激光施打溅镀的方式进行补回，进而再实施金属线路的修复，有效的完成了显示器阵列基板上线缺陷的修补，因此该发明技术方案可将线缺陷修补成无缺陷，进一步提升了修补成功率以及提升了产品良率。

Description

一种激光修补线缺陷的方法
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种激光修补线缺陷的方法。
背景技术
在实际显示器产品制造的过程中，常因为制造工艺或其它因素导致显示器的阵列基板(Array)上的某线路刮伤，进而导致最终产品的显示屏亮线或线缺陷(line defect)，从而衍生出无法修复造成产品报废的问题。例如，在Array制程中因上下金属线表面所包裹的非导电层(保护膜或绝缘膜)受到一定程度的破损而造成上下金属线路搭接短路，进而造成显示屏亮线以及产品报废；同时因非导电层受到破损可能导致Array的线缺陷的发生，一定程度上也增加了必要的维修成本。
如图1所示，显示器阵列基板上的导线M1和导线M2因非导电层(图中未具体示出)的破损导致导线M1和导线M2搭接(破损区如图1虚线区)。或者在导线制备过程中，因导线M1与导线M2间的隔离层(Isolator)破损，上层导线M2沉积至导线M1上，导致导线M2与导线M1搭接，进而衍出后续的显示屏亮线以及产品报废的问题。
针对上述问题，在传统的技术解决方案中，非导电层破损所造成的线缺陷未进行激光修复，原因为传统激光无法补回己破损非导电膜，因此可能导致线宽大小和爬坡风险，也无创新修补手法研修此类型缺陷。
因此，亟需一种新型的技术解决方案以克服上述技术难题成为本领域技术人员致力于研究的方向。
发明内容
鉴于现有技术中的不足，本发明提供了一种激光修补线缺陷的方法，该发明技术方案主要通过将己破损的非导电层以激光施打溅镀材料的方式进行补回，进而再实施金属线路的修复，完全修复因金属搭接造成的线缺陷问题。
本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案为：
一种激光修补线缺陷的方法，其中，所述方法包括：
步骤S1、提供一设置有若干搭接的导线的半导体衬底，且在搭接处的导线之间具有线缺陷区；
步骤S2、在所述线缺陷区去除暴露的导线，以将所述线缺陷区予以暴露；
步骤S3、于所述线缺陷区上制备绝缘膜；以及
步骤S4、对进行去除处理后的所述导线进行桥接处理；
其中，所述绝缘膜用于将搭接处的导线进行隔离。
较佳的，上述的激光修补线缺陷的方法，其中，所述步骤S2具体包括：
所述搭接处的导线包括第一导线和第二导线，所述第二导线搭接于所述第一导线之上；以及
去除部分所述第二导线，以将所述线缺陷区予以暴露。
较佳的，上述的激光修补线缺陷的方法，其中，采用激光施打溅镀工艺于所述线缺陷区上制备所述绝缘膜。
较佳的，上述的激光修补线缺陷的方法，其中，所述激光施打溅镀工艺通过激光头以及设置于所述激光头上的溅镀模块实现。
较佳的，上述的激光修补线缺陷的方法，其中，所述激光头为LCVD激光头。
较佳的，上述的激光修补线缺陷的方法，其中，步骤S3中，按暴露的导线的延伸方向制备所述绝缘膜，以将所述线缺陷区予以覆盖。
较佳的，上述的激光修补线缺陷的方法，其中，所述绝缘膜的材质为氧化硅。
较佳的，上述的激光修补线缺陷的方法，其中，所述氧化硅的厚度为
较佳的，上述的激光修补线缺陷的方法，其中，在步骤S3中，采用LCVD成膜工艺对进行去除处理后的所述导线进行桥接处理。
较佳的，上述的激光修补线缺陷的方法，其中，在步骤S3中，进行桥接处理步骤之后还包括对搭接处的导线进行驱动电位检测。
综上所述，本发明公开了一种激光修补线缺陷的方法，该发明技术方案主要通过采用激光施打溅镀的方式对绝缘层(非导电层)进行补回，进而再实施金属线路的修复，有效的完成了线缺陷的修补，因此该发明技术方案具有：
1、可将线缺陷修补成无缺陷，进一步提升了修补成功率以及提升了产品良率；
2、可在前层非导电层进行修补，提前预防后层金属线搭接造成缺陷；
3、具有可修复FHD(Full High Definition，即全高清屏幕)产品较复杂的电路设计等优点。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1是两条导线搭接导致线缺陷的结构示意图；
图2是本发明实施方式中对搭接的导线进行去除处理的结构示意图；
图3是本发明实施方式中对线缺陷区进行涂布绝缘膜的结构示意图；
图4是本发明实施方式中对导线进行桥接处理的结构示意图；
图5是本发明中激光修补线缺陷的方法流程示意图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
针对现有技术因传统的技术解决方案中，非导电层破损所造成的线缺陷并且通过传统激光无法补回己破损非导电层，也无创新修补手法研修此类型缺陷，本发明技术方案提供了一种新的分段式修补方法以针对此种缺陷进行修复，藉此提升产品良率增加产品良数。
本发明主要是通过将己破损的非导电层以激光施打溅镀的方式进行补回(补回绝缘膜)，进而再实施金属线路的修复，进而完成线缺陷的修复。
具体的，如图5所示的采用激光修补线缺陷的方法流程示意图，其主要包括如下步骤：
首先，本实施例修补方法主要针对显示器阵列基板(如LCD阵列基板、OLED阵列基板和AMOLED阵列基板等其他显示器阵列基板)，中的某一缺陷进行修复，在该实施例中以LCD阵列基板为例对该发明的技术方案进行详细的描述，然而并不以此为限。如LCD阵列基板上具有若干导线以及包覆导线的非导电层(即绝缘膜)，且若干导线中具有因非导电层破损导致两导线搭接的线缺陷。
在具体实施例中，参照图1所示，LCD阵列基板上的若干导线中，导线M1和导线M2因表面的非导电层(图中未示出)受到破损，导致导线M2搭接至导线M1上，导致LCD显示屏亮线，其中图1中的虚线区即为破损区或导线M2与导线M1的线缺陷区。
在本发明的实施例中，我们将在具有线缺陷区的搭接处的导线中，暴露的一条导线作断开处理，以将两导线的线缺陷区予以暴露，例如，对位于导线M1(即第一导线)之上的导线M2(即第二导线)进行断开处理，即将图2中的A区与M2断开，在进行移除A区之后，最终暴露出完整的线缺陷区。在该步骤中，优选的，导线M2的断开长度(A区的长度)要大于导线M1的宽度(实际为导线M1的截面孔径的长度)，这样即可将破损区完整暴露，如图2所示。当然本领域技术人员应当理解为本发明实施中对导线M2进行断开处理仅仅为一个较佳的实施方案，同样可根据具体的工艺需求(如电路的环境因素等)进行对导线M1进行断开处理，均未脱离本发明的实质点。
继续采用激光施打溅镀工艺在所暴露出的线缺陷区上沉积一层绝缘膜(B)，以将两导线进行隔离，如图3所示。
在本发明的实施例中，激光施打溅镀工艺可通过激光头以及增设于该激光头(D)上的溅镀模块(E)来实现，进而通过激光对溅镀模块所溅镀的材料的激发作用完成在破损区上沉积绝缘膜(B)的过程。
在本发明一可选但非限制性的实施例中，优选的，该激光头采用LCVD(laser chemical vapor deposition，激光化学沉积，即采用激光束的光子能量激发和促进化学反应的薄膜沉积方式)激光头；沉积的非导电膜的材质优选的为氧化硅(其他绝缘的硅化物如二氧化硅均可)，且氧化硅的沉积厚度为(如或以及在该范围内的其他厚度均可)。
另外，在本发明的实施例中，绝缘膜必须按照导线M2的延伸方向进行沉积，这样可以将线缺陷区完全覆盖，后续对导线M2桥接时可以有效避免导线M2与导线M1的直接电性接触。
再继续对作断开处理的导线M2进行桥接处理，以完成线缺陷的修补。
在本发明一可选但非限制性的实施例中，优选的，采用LCVD成膜工艺对作断开处理的导线M2极性桥接处理，具体可沉积一层导线(C)进行桥接导线M2，并且该导线(C)将绝缘膜(B)覆盖，如图4所示。
因绝缘膜按照导线M2的延伸方向进行沉积，在对导线M2桥接时可以避免导线M2与导线M1的直接电性接触。当然，在对导线M2桥接处理后还需对两导线进行驱动电位的验证，以检测导线是否正常。
藉此，本发明实施方式完成了对LCD阵列基板的线缺陷修补，一定程度提升了产品良率，同时针对其它具有较为复杂电路的产品(如FHD)同样具有适用。
综上所述，本发明公开了一种应用于对显示器阵列基板进行修补的激光修补线缺陷的方法，该发明技术方案主要通过采用激光施打溅镀的方式进行绝缘膜(非导电膜)的补回，进而再实施金属线路的修复，有效的完成了线缺陷的修复，因此该发明技术方案具有：
1、可将线缺陷修补成无缺陷，进一步提升了修补成功率以及提升了产品良率；
2、可在前层非导电层进行修补，提前预防后层金属线搭接造成缺陷；
3、具有可修复FHD产品较复杂的电路设计等优点。
本领域技术人员应该理解，本领域技术人员结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种激光修补线缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S1、提供一设置有若干搭接的导线的半导体衬底，且在搭接处的导线之间具有线缺陷区；
步骤S2、在所述线缺陷区去除暴露的导线，以将所述线缺陷区予以暴露；
步骤S3、于所述线缺陷区上制备绝缘膜；以及
步骤S4、对进行去除处理后的所述导线进行桥接处理；
其中，所述绝缘膜用于将搭接处的导线进行隔离。
2.如权利要求1所述的激光修补线缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：
所述搭接处的导线包括第一导线和第二导线，所述第二导线搭接于所述第一导线之上；以及
去除部分所述第二导线，以将所述线缺陷区予以暴露。
3.如权利要求1所述的激光修补线缺陷的方法，其特征在于，采用激光施打溅镀工艺于所述线缺陷区上制备所述绝缘膜。
4.如权利要求3所述的激光修补线缺陷的方法，其特征在于，
所述激光施打溅镀工艺通过激光头以及设置于所述激光头上的溅镀模块实现。
5.如权利要求4所述的激光修补线缺陷的方法，其特征在于，所述激光头为LCVD激光头。
6.如权利要求1所述的激光修补线缺陷的方法，其特征在于，步骤S3中，按暴露的导线的延伸方向制备所述绝缘膜，以将所述线缺陷区予以覆盖。
7.如权利要求1所述的激光修补线缺陷的方法，其特征在于，所述绝缘膜的材质为氧化硅。
8.如权利要求7所述的激光修补线缺陷的方法，其特征在于，所述氧化硅的厚度为
9.如权利要求1所述的激光修补线缺陷的方法，其特征在于，在步骤S3中，采用LCVD成膜工艺对进行去除处理后的所述导线进行桥接处理。
10.如权利要求1所述的激光修补线缺陷的方法，其特征在于，在步骤S3中，进行桥接处理步骤之后还包括对搭接处的导线进行驱动电位检测。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107329292A (zh) * 2017-08-18 2017-11-07 深圳市华星光电技术有限公司 镭射修复方法及镭射修复后基板
CN108364980A (zh) * 2018-01-31 2018-08-03 昆山国显光电有限公司 修复金属线路的方法和oled面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0642158A1 (en) * 1993-09-02 1995-03-08 General Electric Company Method of isolating vertical shorts in an electronic array
CN1936664A (zh) * 2005-09-23 2007-03-28 三星电子株式会社 用于柔性显示装置的显示面板的制造方法
CN101144946A (zh) * 2007-10-18 2008-03-19 上海广电光电子有限公司 易修复交叉点短路的液晶显示tft基板
CN101651129A (zh) * 2008-08-14 2010-02-17 三星移动显示器株式会社 修复有机发光显示器的线缺陷的结构及修复该缺陷的方法
CN101776808A (zh) * 2010-02-10 2010-07-14 深超光电（深圳）有限公司 一种液晶显示器阵列基板及其修补方法
CN102368478A (zh) * 2011-04-22 2012-03-07 友达光电股份有限公司 导线的修补方法以及显示面板的修补方法
CN102759829A (zh) * 2012-07-03 2012-10-31 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板的断线修补装置及修补方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0642158A1 (en) * 1993-09-02 1995-03-08 General Electric Company Method of isolating vertical shorts in an electronic array
CN1936664A (zh) * 2005-09-23 2007-03-28 三星电子株式会社 用于柔性显示装置的显示面板的制造方法
CN101144946A (zh) * 2007-10-18 2008-03-19 上海广电光电子有限公司 易修复交叉点短路的液晶显示tft基板
CN101651129A (zh) * 2008-08-14 2010-02-17 三星移动显示器株式会社 修复有机发光显示器的线缺陷的结构及修复该缺陷的方法
CN101776808A (zh) * 2010-02-10 2010-07-14 深超光电（深圳）有限公司 一种液晶显示器阵列基板及其修补方法
CN102368478A (zh) * 2011-04-22 2012-03-07 友达光电股份有限公司 导线的修补方法以及显示面板的修补方法
CN102759829A (zh) * 2012-07-03 2012-10-31 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板的断线修补装置及修补方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107329292A (zh) * 2017-08-18 2017-11-07 深圳市华星光电技术有限公司 镭射修复方法及镭射修复后基板
CN108364980A (zh) * 2018-01-31 2018-08-03 昆山国显光电有限公司 修复金属线路的方法和oled面板

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