JP6734396B2 - Tft基板の断線修復方法 - Google Patents
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Description
ベース基板と、前記ベース基板に設置されるパターニングされた第一金属層と、前記ベース基板及び第一金属層に被覆される絶縁層と、前記絶縁層に設置されるパターニングされた第二金属層と、前記絶縁層及び第二金属層に被覆されるパッシベーション層と、を含むTFT基板を提供するステップ1と、
前記TFT基板における断線及び該断線における断線点の位置を特定するステップ2と、
前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させるステップ3と、
前記パッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆するステップ4と、
前記中間材料層に長金属膜を形成することにより、前記断線点の両端の前記断線を連通させるステップ5と、を含む。
前記ステップ3において、該断線点に隣接する領域内のカラーレジスト層の一部を除去し、断線における断線点の両端を連通できるカラーレジスト溝を形成し、前記カラーレジスト溝には前記カラーレジスト層の下方に位置する前記パッシベーション層が露出し、前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させ、
前記TFT基板の断線修復方法は更に前記カラーレジスト溝を有するサブピクセル領域に対して暗点化処理を行うステップ6を含む。
前記長金属膜と空間的に交差する記憶コンデンサの電極線を切断し、暗点化すべきサブピクセル領域のソース電極とデータ線との接続、又は、ドレイン電極とピクセル電極との接続を切断するステップ61と、
暗点化すべきサブピクセル領域のピクセル電極と記憶コンデンサの電極線とを一体に溶接するステップ62と、を含む。
ベース基板と、前記ベース基板に設置されるパターニングされた第一金属層と、前記ベース基板及び第一金属層に被覆される絶縁層と、前記絶縁層に設置されるパターニングされた第二金属層と、前記絶縁層及び第二金属層に被覆されるパッシベーション層と、を含むTFT基板を提供するステップ1と、
前記TFT基板における断線及び該断線における断線点の位置を特定するステップ2と、
前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させるステップ3と、
前記パッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆するステップ4と、
前記中間材料層に長金属膜を形成することにより、前記断線点の両端の前記断線を連通させるステップ5と、を含み、
前記ステップ2は、具体的に、前記TFT基板をアレイテストサイトにて検出し、前記TFT基板における断線及び該断線における断線点の位置座標を検索して、該断線点の座標を記録することを含み、
前記ステップ3は、具体的に、前記TFT基板を修復装置本体に搬送し、前記修復装置本体が断線点の座標に基づいて対応する断線点を位置特定し、次に、レーザ溶接によって前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置に加工することにより、前記金属層を露出させることを含む。
前記第一金属層200は間隔を置いて平行に配列される複数の駆動線210を含み、前記第二金属層400は間隔を置いて平行に配列される複数のデータ線410を含み、前記駆動線210及びデータ線410が空間的に垂直に交差してアレイ状に配列される複数のサブピクセル領域を形成する。
まず、加工によって修復対象金属線の上方のパッシベーション層領域を露出させ、前記加工方法は、従来の物理又は化学的方法でパッシベーション層の上方の他の構造(上記実施例における表示領域に対応するカラーレジスト層)を除去することにより、修復対象金属線の断線点近傍の上方のパッシベーション層を露出させることを含み、ここでパッシベーション層が絶縁層と称されてもよく、
次に、レーザ溶接によってパッシベーション層を加工することにより、断線点の両端の修復対象断線とパッシベーション層とが交差する位置に該断線の位置する金属層を露出させ、
最後に、順に該パッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層700及び長金属膜800を被覆することにより、断線点の両端の修復対象断線を中間材料層700及び長金属膜800によって導通させる本発明に係る中間材料層を追加する修復方法も非表示領域等の他の同様の位置にも適用すると理解される。ここで中間材料層の材料が上記実施例と同様であり、詳細な説明は省略する。
Claims (16)
- TFT基板の断線修復方法であって、
ベース基板と、前記ベース基板に設置されるパターニングされた第一金属層と、前記ベース基板及び第一金属層に被覆される絶縁層と、前記絶縁層に設置されるパターニングされた第二金属層と、前記絶縁層及び第二金属層に被覆されるパッシベーション層と、を含むTFT基板を提供するステップ1と、
前記TFT基板における断線及び該断線における断線点の位置を特定するステップ2と、
前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させるステップ3と、
前記パッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆するステップ4と、
前記中間材料層に金属膜を形成することにより、前記断線点の両端の前記断線を連通させるステップ5と、
該断線点に隣接する領域内のサブピクセル領域に対して暗点化処理を行うステップ6と、を含み、
前記ステップ6における暗点化処理ステップは、具体的に、
前記金属膜と空間的に交差する記憶コンデンサの電極線を切断し、暗点化すべきサブピクセル領域のソース電極とデータ線との接続、又は、ドレイン電極とピクセル電極との接続を切断するステップ61と、
暗点化すべきサブピクセル領域のピクセル電極と記憶コンデンサの電極線とを一体に溶接するステップ62と、を含むTFT基板の断線修復方法。 - 前記ステップ4における中間材料層の材料がクロム、カドミウム、又は錫である請求項1に記載のTFT基板の断線修復方法。
- 前記ステップ2は、具体的に、前記TFT基板をアレイテストサイトにて検出し、前記TFT基板における断線及び該断線における断線点の位置座標を検索して、該断線点の座標を記録することを含む請求項1に記載のTFT基板の断線修復方法。
- 前記ステップ3は、具体的に、前記TFT基板を修復装置本体に搬送し、前記修復装置本体が断線点の座標に基づいて対応する断線点を位置特定し、次に、レーザ照射によって前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置に加工することにより、前記金属層を露出させることを含む請求項3に記載のTFT基板の断線修復方法。
- 前記ステップ4における中間材料層の材料が樹脂酸材料である請求項1に記載のTFT基板の断線修復方法。
- 前記ステップ4における中間材料層の材料がC19H29COOHであり、前記中間材料層が金属膜の形成に従って次々と気化する請求項5に記載のTFT基板の断線修復方法。
- 前記ステップ4は、具体的に、前記TFT基板を中間材料サイトに搬送することにより、前記パッシベーション層及び金属層に前記中間材料層を形成することを含む請求項1に記載のTFT基板の断線修復方法。
- 前記TFT基板は更に前記パッシベーション層に設置されるカラーレジスト層を含み、
前記ステップ3において、該断線点に隣接する領域内のカラーレジスト層の一部を除去し、断線における断線点の両端を連通できるカラーレジスト溝を形成し、前記カラーレジスト溝には前記カラーレジスト層の下方に位置する前記パッシベーション層が露出し、前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させ、
前記ステップ6は、前記カラーレジスト溝を有するサブピクセル領域に対して暗点化処理を行う請求項1に記載のTFT基板の断線修復方法。 - 前記ステップ4において、前記カラーレジスト溝の内部のパッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆する請求項8に記載のTFT基板の断線修復方法。
- TFT基板の断線修復方法であって、
ベース基板と、前記ベース基板に設置されるパターニングされた第一金属層と、前記ベース基板及び第一金属層に被覆される絶縁層と、前記絶縁層に設置されるパターニングされた第二金属層と、前記絶縁層及び第二金属層に被覆されるパッシベーション層と、を含むTFT基板を提供するステップ1と、
前記TFT基板における断線及び該断線における断線点の位置を特定するステップ2と、
前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させるステップ3と、
前記パッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆するステップ4と、
前記中間材料層に金属膜を形成することにより、前記断線点の両端の前記断線を連通させるステップ5と、
該断線点に隣接する領域内のサブピクセル領域に対して暗点化処理を行うステップ6と、を含み、
前記ステップ2は、具体的に、前記TFT基板をアレイテストサイトにて検出し、前記TFT基板における断線及び該断線における断線点の位置座標を検索して、該断線点の座標を記録することを含み、
前記ステップ3は、具体的に、前記TFT基板を修復装置本体に搬送し、前記修復装置本体が断線点の座標に基づいて対応する断線点を位置特定し、次に、レーザ照射によって前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置に加工することにより、前記金属層を露出させることを含み、
前記ステップ6における暗点化処理ステップは、具体的に、
前記金属膜と空間的に交差する記憶コンデンサの電極線を切断し、暗点化すべきサブピクセル領域のソース電極とデータ線との接続、又は、ドレイン電極とピクセル電極との接続を切断するステップ61と、
暗点化すべきサブピクセル領域のピクセル電極と記憶コンデンサの電極線とを一体に溶接するステップ62と、を含むTFT基板の断線修復方法。 - 前記ステップ4における中間材料層の材料がクロム、カドミウム、又は錫である請求項10に記載のTFT基板の断線修復方法。
- 前記ステップ4における中間材料層の材料が樹脂酸材料である請求項10に記載のTFT基板の断線修復方法。
- 前記ステップ4における中間材料層の材料がC19H29COOHであり、前記中間材料層が金属膜の形成に従って次々と気化する請求項12に記載のTFT基板の断線修復方法。
- 前記ステップ4は、具体的に、前記TFT基板を中間材料サイトに搬送することにより、前記パッシベーション層及び金属層に前記中間材料層を形成することを含む請求項10に記載のTFT基板の断線修復方法。
- 前記TFT基板は更に前記パッシベーション層に設置されるカラーレジスト層を含み、
前記ステップ3において、該断線点に隣接する領域内のカラーレジスト層の一部を除去し、断線における断線点の両端を連通できるカラーレジスト溝を形成し、前記カラーレジスト溝には前記カラーレジスト層の下方に位置する前記パッシベーション層が露出し、前記パッシベーション層と前記断線点の両端に位置する前記断線とが交差する位置にそれぞれ加工することにより、前記断線の位置する金属層を露出させ、
前記ステップ6は、前記カラーレジスト溝を有するサブピクセル領域に対して暗点化処理を行う請求項10に記載のTFT基板の断線修復方法。 - 前記ステップ4において、前記カラーレジスト溝の内部のパッシベーション層及び断線点の両端に露出する金属層に中間材料層を被覆する請求項15に記載のTFT基板の断線修復方法。
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