CN111477658B - 一种oled显示器件及其修复方法 - Google Patents

一种oled显示器件及其修复方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111477658B
CN111477658B CN202010294779.8A CN202010294779A CN111477658B CN 111477658 B CN111477658 B CN 111477658B CN 202010294779 A CN202010294779 A CN 202010294779A CN 111477658 B CN111477658 B CN 111477658B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
laser
activated polymer
display device
polymer layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010294779.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111477658A (zh
Inventor
孙德瑞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanxi crossing Photoelectric Technology Co., Ltd
Original Assignee
Shanxi Crossing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanxi Crossing Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical Shanxi Crossing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN202010294779.8A priority Critical patent/CN111477658B/zh
Publication of CN111477658A publication Critical patent/CN111477658A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111477658B publication Critical patent/CN111477658B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种OLED显示器件及其修复方法，其在提高弯曲程度的基础上，设置线路层下的修复层，即激光活化聚合物层，其在主线路层因弯曲断裂开时，可以利用激光活化生成活化金属层以将断裂的主线路层与冗余线路层导通，实现线路的修复功能，方法极为简单，且不会影响顶面出光的像素单元。

Description

一种OLED显示器件及其修复方法
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，具体涉及一种OLED显示器件及其修复方法。
背景技术
随着柔性有机发光二极管(Organic Light-emitting Diode，OLED)面板因其广色域、高对比度、大视角、反应速率快、轻薄等优势。在手机、手表、Pad等应用领域，随着消费者对大屏的钟爱，屏幕的屏占比要求越来越高。
目前柔性弯折OLED面板主要有静态弯折和动态弯折。其中面板的弯折只能进行垂直方向或水平方向的弯折，其弯折的方向较为局限，且弯折半径较大。现有技术中，为了提高显示面板的弯曲程度，往往是利用在基板上的多层绝缘层(包括缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层等)中形成凹槽，并利用柔性的平坦层进行填充凹槽，来实现较大程度的弯曲。并且为了集成度的需要，走线往往需要在上述凹槽内进行，但是随着重复的弯曲操作，平坦层的材料对走线会造成应力，以使得走线断裂，其不利于OLED显示器件可靠性。
发明内容
基于解决上述问题，本发明提供了一种OLED显示器件，其包括：
柔性衬底；
激光活化聚合物层，形成于所述柔性衬底上；
堆叠的多层绝缘层，形成于所述柔性衬底上，且所述多层绝缘层中具有在薄膜晶体管之间的凹槽，所述凹槽的截面呈倒梯形且所述凹槽的底部至少露出所述激光活化聚合物层的一部分；
主线路层，位于所述凹槽中且连接所述薄膜晶体管的源/漏区；
冗余线路层，位于所述凹槽中且与所述主线路层并行但不承担电信号；
平坦层，覆盖所述多层绝缘层且填充所述凹槽；
其特征在于，所述主线路层和所述冗余线路层均与所述激光活化聚合物层直接接触，所述激光活化聚合物层包括金属络合物，所述金属络合物可通过激光活化形成导电金属。
其中，还包括透明保护层，形成于所述柔性衬底上；所述激光活化聚合物层覆盖所述透明保护层，所述多层绝缘层位于所述激光活化聚合物层上。
其中，所述主线路层和所述冗余线路层均形成于所述激光活化聚合物层上。
其中，所述主线路层和所述冗余线路层至少一者嵌入所述激光活化聚合物层中。
其中，还包括透明保护层，形成于所述柔性衬底上；所述多层绝缘层位于所述透明保护层上，而所述激光活化聚合物层仅形成于所述凹槽的底部。
其中，所述主线路层和所述冗余线路层均形成于所述激光活化聚合物层上。
其中，所述主线路层和所述冗余线路层至少一者嵌入所述激光活化聚合物层中。
其中，所述冗余线路层形成于所述激光活化聚合物层之上，所述冗余线路层具有弯折部分，在俯视所述OLED显示器件时，所述弯折部分与所述主线路层具有交叉部分。
根据上述OLED显示器件，本发明还提供了一种OLED显示器件的线路修复方法，其包括以下步骤：
(1)检测所述显示器件的坏点位置，根据所述坏点位置找到相应的断裂的主线路层；
(2)利用激光从所述柔性衬底的下表面对所述激光活化聚合物层进行激光活化以形成活化金属层，所述活化金属层使得所述断裂的主线路层的断裂处与所述冗余线路层并联。
根据上述方法，根据所述坏点位置找到相应的断裂的主线路层，具体包括：测试坏点位置处所有主线路层的电阻值，根据所述电阻值找到相应的断裂的主线路层的位置。
本发明在提高弯曲程度的基础上，设置线路层下的修复层，即激光活化聚合物层，其在主线路层因弯曲断裂开时，可以利用激光活化生成活化金属层以将断裂的主线路层与冗余线路层导通，实现线路的修复功能，方法极为简单，且不会影响顶面出光的像素单元。
附图说明
图1为本发明的OLED显示器件的剖面图；
图2、3为本发明的断裂的主线路层修复后的示意图；图2为垂直所述主线路层延伸方向的剖面图，图3为从激光活化聚合物层上表面观察的俯视图；
图4为本发明其他实施例的OLED显示器件的剖面图；
图5、6为本发明其他实施例的断裂的主线路层修复后的示意图；图5为垂直所述主线路层延伸方向的剖面图，图6为从激光活化聚合物层上表面观察的俯视图；
图7为本发明另一实施例的OLED显示器件的剖面图；
图8、9为本发明另一实施例的断裂的主线路层修复后的示意图；图8为垂直所述主线路层延伸方向的剖面图，图9为从缓冲层上表面观察的俯视图；
图10为本发明又一实施例的OLED显示器件的剖面图；
图11、12为本发明又一实施例的断裂的主线路层修复后的示意图；图11为垂直所述主线路层延伸方向的剖面图，图12为从缓冲层上表面观察的俯视图；
图13为本发明再一实施例的OLED显示器件的剖面图；
图14、15为本发明再一实施例的断裂的主线路层修复后的示意图；图14为垂直所述主线路层延伸方向的剖面图，图15为从缓冲层上表面观察的俯视图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本发明至少一个实施例公开了一种OLED显示器件，其设置线路层下的修复层，即第一激光活化聚合物层，其在线路层因完全断裂开时，可以利用激光活化生成活化金属层以将断裂的线路层导通，实现线路的修复功能，方法极为简单，且不会影响顶面出光的像素单元。
下面将结合附图对根据本发明公开实施例的OLED显示器件及其修复方法进行详细的描述。
请参照图1、图2和图3，图1为本发明的OLED显示器件(线路层部分)的剖面图，图2、3为本发明的断裂的线路层修复后的示意图；其中，图2为沿着所述线路层延伸方向的剖面图，图3为垂直所述线路层延伸方向的剖面图。
本申请第一实施例的一种OLED显示器件，其包括：柔性衬底10；位于所述柔性衬底10上的透明保护层11；位于透明保护层11上的激光活化聚合物层12；位于激光活化聚合物层12上的薄膜晶体管(TFT)层；位于薄膜晶体管层上的平坦层20；以及位于平坦层20上的发光结构(未示出)。可以理解的，本实施例所说的一些“上”可以理解为位于“远离所述柔性衬底10的一侧上”。
其中，柔性衬底10是柔性的，因而可伸展、可折替、可弯曲或可卷曲，使得OLED显示器件可以是可伸展的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。柔性衬底1可以由具有柔性的任意合适的绝缘材料形成。柔性衬底10用于阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过柔性基底扩散，并且在柔性基底的上表面上提供平坦的表面。例如，可以由聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成。在本发明中，柔性衬底1可以是透明的或半透明的，但是不能是不透明的。
所述透明保护层11用于缓冲所述激光活化聚合物层12，且可以防止在激光活化过程中损毁柔性衬底10，其可选材料为亚克力、聚酰亚胺(PI)或聚酯等有机材料。
所述薄膜晶体管层可以包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)以及由薄膜晶体管够构成像素电路，用于控制发光功能层中的发光结构，发光结构可以为有机发光二极管。所述薄膜晶体管层包括多层绝缘层，具体的依次包括位于激光活化聚合物层12上的缓冲层13、栅绝缘层15、层间绝缘层17。在所述多层绝缘层中还设有在缓冲层13上的有源层14、在栅极绝缘层15上的栅线14以及源/漏线18；所述源/漏线18从薄膜晶体管的源/漏区延伸至所述多层绝缘层和所述平坦层20之间。
所述缓冲层13可以覆盖柔性衬底10的整个上表面。例如，缓冲层13可以由从诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SioxNy)、氧化铝(AlOx)或氮化铝(AlNx)等无机材料中选择的材料。当然，在本发明其他可选实施例中，缓冲层可以由诸如亚克力、聚酰亚胺(PI)或聚酯等有机材料中选择的材料形成。缓冲层13可以包括单层或多个层。缓冲层13可以阻挡衬底基板中的杂质向其他膜层扩散。
所述有源层14可以是非晶硅材料、多晶硅材料或金属氧化物材料等。其中有源层14采用多晶硅材料时可以采用低温非晶硅技术形成，即将非晶硅材料通过该激光熔融形成多晶硅材料。此外，还可以利用诸如快速热退火(RTA)法、固相结晶(SPC)法、准分子激光退火(ELA)法、金属诱导结晶(MIC)法、金属诱导横向结晶(MILC)法或连续横向固化(SLS)法等各种方法。有源层14还包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源区和漏区，在源区和漏区之间区沟道区域。
位于有源层14上的栅绝缘层15包括诸如氧化硅、氮化硅的无机层，并且可以包括单层或多个层。
位于栅绝缘层15上的栅线16可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(MO)或铬(Cr)的单层或多层，或者诸如铝(Al)：钕(Nd)合金以及钼(MO):钨(W)合金的合金。
位于栅线16上的层间绝缘层17可以由氧化硅或氮化硅等的无机层绝缘形成。当然，在本发明其他可选实施例中，层间绝缘层可以由有机绝缘材料形成。
位于层间绝缘层17的源/漏线18通过接触孔电连接(或结合)到源区和漏区，接触孔是通过选择性地去除栅绝缘层15和层间绝缘层17而形成的。
OLED显示器件还可以包括平坦层20。可选的，平坦层20包括亚克力、聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)等的有机材料，平坦化层具有平坦化作用。
所述发光结构包括显示功能层和像素定义层等(未示出)，所述像素定义层可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚酰胺、苯并环丁烯(BCB)、压克力树脂或酚醛树脂等的有机材料形成，或由诸如SiNx的无机材料形成。
所述多层绝缘层中具有在薄膜晶体管之间的凹槽19，所述凹槽19的截面呈倒梯形且所述凹槽包括底面和至少两个斜面。所述凹槽19通过选择性蚀刻所述多层绝缘层，即缓冲层13、栅绝缘层15、层间绝缘层17，所述凹槽19底部露出所述激光活化聚合物层12。所述凹槽19填充所述平坦层20材料，其中该平坦层20为有机材料，可以实现弯曲。
所述激光活化聚合物层12包括金属络合物，例如可以包括铜络合物、银络合物、铝络合物等。所述激光活化聚合物层12包括改性的聚丙烯或改性的聚对苯二甲酸丁二酯，该激光活化聚合物层12在被激光照射达到既定激光能量时，可以被活化为金属，在本申请中其活化为一活化金属层23(参见图2或图3)。
在所述凹槽19的底面上具有主线路层21和冗余线路层22，所述主线路层21和冗余线路层22沿着所述凹槽19的延伸方向布置，所述凹槽19为布置在所述显示区域的网格状结构，所述主线路层21和冗余线路层22与所述激光活化聚合物层12直接接触。所述主线路层22为连接所述源/漏线9的线路层，其为传递电路信号。
所述主线路层21和冗余线路层22平行排布，且至少在凹槽19内并行间隔开一定的距离，在该实施例中，所述主线路层21和冗余线路层22均嵌入所述激光活化聚合物层12中。
在本发明中，由于弯曲的应力反复作用于所述凹槽19的位置，其导致所述主线路层21断裂而发生断路，会产生显示区域的坏点，因而影响了显示装置的可靠性。为此，本发明特地设置了激光活化聚合物层12，参见图2和3，当在主线路层21中出现断裂处A时，所述线路层21处于断路状态，此时，需要通过既定的激光能量从柔性衬底10的背面照射所述激光活化聚合物层12，以此形成活化金属层23、24。参见图3，所述活化金属层23、24可以是两部分，该两部分分别位于断裂处A的两边，且均连接所述主线路层21和冗余线路层22，所述活化金属层23、24使得至少所述断裂处A的主线路层21与冗余线路层22并联，以此实现所述主线路层21的二次导通，以修复所述主线路层21的断路。
本发明的其他实施例将结合图4-6进行说明，其中，图4为本发明其他实施例的OLED显示器件的剖面图；图5、6为本发明其他实施例的断裂的主线路层修复后的示意图；图5为垂直所述主线路层延伸方向的剖面图，图6为从激光活化聚合物层上表面观察的俯视图。
在所述凹槽19的底面上具有主线路层21和冗余线路层22，所述主线路层21和冗余线路层22沿着所述凹槽19的延伸方向布置，所述凹槽19为布置在所述显示区域的网格状结构，所述主线路层21和冗余线路层22与所述激光活化聚合物层12直接接触。所述主线路层22为连接所述源/漏线9的线路层，其为传递电路信号。
所述主线路层21和冗余线路层22平行排布，且至少在凹槽19内并行间隔开一定的距离，在该实施例中，所述主线路层21嵌入所述激光活化聚合物层12中，而冗余线路层22位于所述激光活化聚合物层12之上。
在本发明中，由于弯曲的应力反复作用于所述凹槽19的位置，其导致所述主线路层21断裂而发生断路，会产生显示区域的坏点，因而影响了显示装置的可靠性。为此，本发明特地设置了激光活化聚合物层12，参见图5和6，当在主线路层21中出现断裂处A时，所述线路层21处于断路状态，此时，需要通过既定的激光能量从柔性衬底10的背面照射所述激光活化聚合物层12，以此形成活化金属层23、24。参见图6，所述活化金属层23、24可以是两部分，该两部分分别位于断裂处A的两边，且均连接所述主线路层21和冗余线路层22，所述活化金属层23、24使得至少所述断裂处A的主线路层21与冗余线路层22并联，以此实现所述主线路层21的二次导通，以修复所述主线路层21的断路。
本发明的另一实施例将结合图7-9行说明，其中，图7为本发明其他实施例的OLED显示器件的剖面图；图8、9为本发明另一实施例的断裂的主线路层修复后的示意图；图8为垂直所述主线路层延伸方向的剖面图，图9为从缓冲层上表面观察的俯视图。
所述多层绝缘层位于所述透明保护层11上，而所述激光活化聚合物层12仅形成于所述凹槽19的底部。在所述凹槽19的底面上具有主线路层21和冗余线路层22，所述主线路层21和冗余线路层22沿着所述凹槽19的延伸方向布置，所述凹槽19为布置在所述显示区域的网格状结构，所述主线路层21和冗余线路层22与所述激光活化聚合物层12直接接触。所述主线路层22为连接所述源/漏线9的线路层，其为传递电路信号。
所述主线路层21和冗余线路层22平行排布，且至少在凹槽19内并行间隔开一定的距离，在该实施例中，所述主线路层21和冗余线路层22均位于所述激光活化聚合物层12之上。
在本发明中，由于弯曲的应力反复作用于所述凹槽19的位置，其导致所述主线路层21断裂而发生断路，会产生显示区域的坏点，因而影响了显示装置的可靠性。为此，本发明特地设置了激光活化聚合物层12，参见图8和9，当在主线路层21中出现断裂处A时，所述线路层21处于断路状态，此时，需要通过既定的激光能量从柔性衬底10的背面照射所述激光活化聚合物层12，以此形成活化金属层23、24。参见图9，所述活化金属层23、24可以是两部分，该两部分分别位于断裂处A的两边，且均连接所述主线路层21和冗余线路层22，所述活化金属层23、24使得至少所述断裂处A的主线路层21与冗余线路层22并联，以此实现所述主线路层21的二次导通，以修复所述主线路层21的断路。
本发明的又一实施例将结合图10-12行说明，其中，图10为本发明其他实施例的OLED显示器件的剖面图；图11、12为本发明又一实施例的断裂的主线路层修复后的示意图；图11为垂直所述主线路层延伸方向的剖面图，图12为从缓冲层上表面观察的俯视图。
所述多层绝缘层位于所述透明保护层11上，而所述激光活化聚合物层12仅形成于所述凹槽19的底部。在所述凹槽19的底面上具有主线路层21和冗余线路层22，所述主线路层21和冗余线路层22沿着所述凹槽19的延伸方向布置，所述凹槽19为布置在所述显示区域的网格状结构，所述主线路层21和冗余线路层22与所述激光活化聚合物层12直接接触。所述主线路层22为连接所述源/漏线9的线路层，其为传递电路信号。
所述主线路层21和冗余线路层22平行排布，且至少在凹槽19内并行间隔开一定的距离，在该实施例中，所述主线路层21和冗余线路层22嵌入所述激光活化聚合物层12中。
在本发明中，由于弯曲的应力反复作用于所述凹槽19的位置，其导致所述主线路层21断裂而发生断路，会产生显示区域的坏点，因而影响了显示装置的可靠性。为此，本发明特地设置了激光活化聚合物层12，参见图11和12，当在主线路层21中出现断裂处A时，所述线路层21处于断路状态，此时，需要通过既定的激光能量从柔性衬底10的背面照射所述激光活化聚合物层12，以此形成活化金属层23、24。参见图12，所述活化金属层23、24可以是两部分，该两部分分别位于断裂处A的两边，且均连接所述主线路层21和冗余线路层22，所述活化金属层23、24使得至少所述断裂处A的主线路层21与冗余线路层22并联，以此实现所述主线路层21的二次导通，以修复所述主线路层21的断路。
本发明的再一实施例将结合图13-15行说明，其中，图13为本发明其他实施例的OLED显示器件的剖面图；图14、15为本发明再一实施例的断裂的主线路层修复后的示意图；图14为垂直所述主线路层延伸方向的剖面图，图15为从缓冲层上表面观察的俯视图。
所述多层绝缘层位于所述透明保护层11上，而所述激光活化聚合物层12仅形成于所述凹槽19的底部。在所述凹槽19的底面上具有主线路层21和冗余线路层22，所述主线路层21和冗余线路层22沿着所述凹槽19的延伸方向布置，所述凹槽19为布置在所述显示区域的网格状结构，所述主线路层21和冗余线路层22与所述激光活化聚合物层12直接接触。所述主线路层22为连接所述源/漏线9的线路层，其为传递电路信号。
在该实施例中，所述冗余线路层22形成于所述激光活化聚合物层12之上，所述冗余线路层22具有弯折部分25，所述主线路层21嵌入所述激光活化聚合物层12中。在俯视所述OLED显示器件时，所述弯折部分25与所述主线路层21具有交叉部分26，而其他部分所述主线路层21与冗余线路层22平行排布。
在本发明中，由于弯曲的应力反复作用于所述凹槽19的位置，其导致所述主线路层21断裂而发生断路，会产生显示区域的坏点，因而影响了显示装置的可靠性。为此，本发明特地设置了激光活化聚合物层12，参见图14和15，当在主线路层21中出现断裂处A时，所述线路层21处于断路状态，此时，需要通过既定的激光能量从柔性衬底10的背面照射所述激光活化聚合物层12，以此形成活化金属层23、24。参见图15，所述活化金属层23、24可以是两部分，该两部分分别位于断裂处A的两边且均设置于所述交叉部分26，此外所述活化金属层23、24均连接所述主线路层21和冗余线路层22，所述活化金属层23、24使得至少所述断裂处A的主线路层21与冗余线路层22并联，以此实现所述主线路层21的二次导通，以修复所述主线路层21的断路。
该实施例中，具有交叉部分26可以减小所述主线路层21与冗余线路层22的寄生电容影响，且能够实现更容易的修复，使得修复后的线路层具有较小的电阻，其优于之前的实施例。
根据上述OLED显示器件，本发明还提供了一种OLED显示器件的线路修复方法，其包括以下步骤：
(1)检测所述显示器件的坏点位置，根据所述坏点位置找到相应的断裂的主线路层；
(2)利用激光从所述柔性衬底的下表面对所述激光活化聚合物层进行激光活化以形成活化金属层，所述活化金属层使得所述断裂的主线路层的断裂处与所述冗余线路层并联。
根据上述方法，根据所述坏点位置找到相应的断裂的主线路层，具体包括：测试坏点位置处所有主线路层的电阻值，根据所述电阻值找到相应的断裂的主线路层的位置。
本发明在提高弯曲程度的基础上，设置线路层下的修复层，即激光活化聚合物层，其在主线路层因弯曲断裂开时，可以利用激光活化生成活化金属层以将断裂的主线路层与冗余线路层导通，实现线路的修复功能，方法极为简单，且不会影响顶面出光的像素单元。
本发明中使用的表述“示例性实施例”、“示例”等不是指同一实施例，而是被提供来着重描述不同的特定特征。然而，上述示例和示例性实施例不排除他们与其他示例的特征相组合来实现。例如，即使在另一示例中未提供特定示例的描述的情况下，除非另有陈述或与其他示例中的描述相反，否则该描述可被理解为与另一示例相关的解释。
本发明中使用的术语仅用于示出示例，而无意限制本发明。除非上下文中另外清楚地指明，否则单数表述包括复数表述。
虽然以上示出并描述了示例实施例，但对本领域技术人员将明显的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的情况下，可做出变型和改变。

Claims (5)

1.一种OLED显示器件，其包括：
柔性衬底；
激光活化聚合物层，形成于所述柔性衬底上；
堆叠的多层绝缘层，形成于所述柔性衬底上，且所述多层绝缘层中具有在薄膜晶体管之间的凹槽，所述凹槽的截面呈倒梯形且所述凹槽的底部至少露出所述激光活化聚合物层的一部分；
主线路层，位于所述凹槽中且连接所述薄膜晶体管的源/漏区；
冗余线路层，位于所述凹槽中且与所述主线路层并行但不承担电信号；
平坦层，覆盖所述多层绝缘层且填充所述凹槽；
透明保护层，形成于所述柔性衬底上，所述激光活化聚合物层形成于所述透明保护层上；
其特征在于，所述主线路层和所述冗余线路层均与所述激光活化聚合物层直接接触，所述激光活化聚合物层包括金属络合物，所述金属络合物可通过激光活化形成导电金属；
所述主线路层和所述冗余线路层至少一者嵌入所述激光活化聚合物层中；所述冗余线路层形成于所述激光活化聚合物层之上，所述冗余线路层具有弯折部分，在俯视所述OLED显示器件时，所述弯折部分与所述主线路层具有交叉部分。
2.根据权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述多层绝缘层位于所述透明保护层上，而所述激光活化聚合物层仅形成于所述凹槽的底部。
3.根据权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述多层绝缘层位于所述激光活化聚合物层上，且所述激光活化聚合物层覆盖所述透明保护层。
4.一种OLED显示器件的线路修复方法，所述OLED显示器件为权利要求1所述的OLED显示器件，其包括以下步骤：
(1)检测所述显示器件的坏点位置，根据所述坏点位置找到相应的断裂的主线路层；
(2)利用激光从所述柔性衬底的下表面对所述激光活化聚合物层进行激光活化以形成活化金属层，所述活化金属层使得所述断裂的主线路层的断裂处与所述冗余线路层并联，且所述活化金属层至少形成于所述交叉部分。
5.根据权利要求4所述的OLED显示器件的线路修复方法，其特征在于，根据所述坏点位置找到相应的断裂的主线路层，具体包括：测试坏点位置处所有主线路层的电阻值，根据所述电阻值找到相应的断裂的主线路层的位置。
CN202010294779.8A 2020-04-15 2020-04-15 一种oled显示器件及其修复方法 Active CN111477658B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010294779.8A CN111477658B (zh) 2020-04-15 2020-04-15 一种oled显示器件及其修复方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010294779.8A CN111477658B (zh) 2020-04-15 2020-04-15 一种oled显示器件及其修复方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111477658A CN111477658A (zh) 2020-07-31
CN111477658B true CN111477658B (zh) 2021-06-04

Family

ID=71753283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010294779.8A Active CN111477658B (zh) 2020-04-15 2020-04-15 一种oled显示器件及其修复方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111477658B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105759522A (zh) * 2016-05-11 2016-07-13 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的断线修复方法
CN206711894U (zh) * 2017-02-28 2017-12-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板和显示装置
CN107436685A (zh) * 2017-07-31 2017-12-05 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、自发光的显示面板及手势识别方法
CN109192761A (zh) * 2018-08-31 2019-01-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103392381B (zh) * 2011-06-16 2016-05-25 株式会社日本有机雷特显示器 有机电致发光元件的制造方法以及有机电致发光元件
KR102285754B1 (ko) * 2015-01-08 2021-08-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105759522A (zh) * 2016-05-11 2016-07-13 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的断线修复方法
CN206711894U (zh) * 2017-02-28 2017-12-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板和显示装置
CN107436685A (zh) * 2017-07-31 2017-12-05 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、自发光的显示面板及手势识别方法
CN109192761A (zh) * 2018-08-31 2019-01-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111477658A (zh) 2020-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10431637B2 (en) Touch display panel and display apparatus
US10283575B2 (en) Display panel and display device
CN107863357B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN108198827B (zh) 一种柔性显示面板及显示装置
KR100560782B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치
KR20190041553A (ko) 표시 장치
CN112748613B (zh) 一种显示基板、显示面板及显示装置
CN108735789B (zh) 一种柔性有机发光显示面板及显示装置
US11342401B2 (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
KR20170060213A (ko) 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20180119192A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN108777258B (zh) 一种柔性有机发光显示面板及显示装置
CN111312781B (zh) 显示面板及显示装置
CN110277428B (zh) 一种柔性有机发光显示面板及显示装置
CN113097269A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN111987127B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN111477659B (zh) 一种柔性显示面板及其修复方法
CN109461764B (zh) 一种柔性显示面板及显示装置
CN111477658B (zh) 一种oled显示器件及其修复方法
CN113394350B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN110534544B (zh) 一种可抗图形畸变的柔性显示面板及显示装置
CN111540773B (zh) 一种触摸显示屏及其制造方法
CN111540713B (zh) 一种触摸显示面板及其制造方法
US20240032361A1 (en) Display device
CN115312681A (zh) 显示装置的制造装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210520

Address after: 044500 circular economy industrial park, Chengdong street, Yongji City, Yuncheng City, Shanxi Province

Applicant after: Shanxi crossing Photoelectric Technology Co., Ltd

Address before: 1506, Huiyuan Building, 38 Huaneng Road, Lixia District, Jinan City, Shandong Province

Applicant before: Shandong Aosheng Intelligent Technology Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant