CN113655647B - 阵列基板的断线的修补方法及修补装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种阵列基板的断线的修补方法及修补装置，在断线上断点的两侧形成长膜对断线进行修补，从而使断线连通。另外在形成长膜前，通过设置平坦层可以避免由于地势不平坦导致长膜爬坡而出现断线现象。

Description

阵列基板的断线的修补方法及修补装置

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板的断线的修补方法及修补装置。

背景技术

目前，液晶显示器是目前最广泛使用的平板显示器之一，液晶面板是液晶显示器的核心组成部分。传统的液晶面板通常由彩膜基板、阵列基板和液晶层组成。

其中，在制备阵列基板时，需要进行涂布、曝光、显影以及蚀刻等工艺。而当涂布、曝光、显影以及蚀刻等工艺出现异常时，会造成扫描线或数据线出现异常，从而形成断线，进而影响阵列基板中信号的传递。

因此，如何修补阵列基板制程中扫描线或数据线出现的断线是面板厂家需要攻克的难关。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板的断线的修补方法及修补装置，以解决现有技术中，如何修补阵列基板制程中扫描线或数据线出现的断线的技术问题。

本申请实施例提供一种阵列基板的断线的修补方法，所述修补方法包括获取阵列基板的断线上断点的位置；

去除位于所述断点周缘区域的色阻层，形成能够连通所述断点两侧的色阻凹槽，且使所述钝化层暴露；

在所述钝化层上形成平坦层，以使所述色阻凹槽底面平坦化；

对所述色阻凹槽底面与所述断线相交的位置进行处理，以暴露出所述断线所处的金属层；

在所述色阻凹槽底面以及所述断线所处的金属层上形成长膜，以使所述断线连通。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述获取阵列基板的断线上断点的位置的具体步骤，包括：

传送阵列基板至检测机台，并对所述阵列基板进行检测；

获取所述阵列基板的断线的位置坐标并存储；

获取所述断线上断点的位置坐标并存储。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述去除位于所述断点周缘区域的色阻层，形成能够连通所述断线上断点两端的色阻凹槽，且使所述钝化层暴露的具体步骤，包括：

传送所述阵列基板至修补机台；

提取所述断点的位置坐标；

采用激光去除位于所述断点周缘区域的色阻层，形成能够连通所述断点两端的断线的色阻凹槽，且使所述钝化层暴露。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述平坦层采用喷墨打印工艺形成。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述对所述色阻凹槽底面与所述断线相交的位置进行处理，以暴露出所述断线所处的金属层的具体步骤，包括：

在所述色阻凹槽底面与所述断线相交的位置进行激光打孔；

去除所述色阻凹槽底面与所述断线相交的位置的所述钝化层，以暴露出所述断线所处的金属层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述色阻凹槽底面以及所述断线所处的金属层上形成长膜，以使所述断线连通的具体步骤，包括:

传送所述阵列基板至激光化学沉积设备中；

采用激光照射所述色阻凹槽；

采用沉积工艺在所述色阻凹槽底面以及所述断线所处的金属层上形成长膜，以使所述断线连通。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述色阻凹槽底面以及所述断线所处的金属层上形成长膜，以使所述断线连通的步骤之后，还包括：

对所述长膜周缘的像素区域进行暗点化处理。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述对所述色阻凹槽周缘的像素区域进行暗点化处理的步骤之后，还包括：

在所述长膜上形成保护层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述获取所述阵列基板中的断线上断点的位置的步骤之前，还包括：

提供一阵列基板，所述阵列基板包括衬底、第一金属层、绝缘层、第二金属层、钝化层和色阻层，所述第一金属层设置在所述衬底上，所述绝缘层设置在所述第一金属层上，且覆盖所述第一金属层，所述第二金属层设置在所述绝缘层上、所述钝化层设置在第二金属层上，且覆盖所述第二金属层以及所述绝缘层，所述色阻层设置在所述钝化层上。

相应的，本申请实施例还提供一种阵列基板的断线的修补装置，包括：

获取单元，所述获取单元用于获取阵列基板的断线上断点的位置；

去除单元，所述去除单元用于去除位于所述断点周缘区域的色阻层，形成能够连通所述断点两侧的色阻凹槽，且使所述钝化层暴露；

第一形成单元，所述第一形成单元用于在所述钝化层上形成平坦层，以使所述色阻凹槽底面平坦化；

处理单元，所述处理单元用于对所述色阻凹槽底面与所述断线相交的位置进行处理，以暴露出所述断线所处的金属层；

第二形成单元，所述第二形成单元用于在所述色阻凹槽底面以及所述断线所处的金属层上形成长膜，以使所述断线连通。

本申请实施例采用一种阵列基板的断线的修补方法及修补装置，在断线上断点的两侧形成长膜对断线进行修补，从而使断线连通。另外在形成长膜前，通过设置平坦层可以避免由于地势不平坦导致长膜爬坡而出现断线现象。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的流程示意图。

图2为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤101的第一结构示意图。

图3为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤101的第二结构示意图。

图4为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的第一子流程示意图。

图5为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤102的第一结构示意图。

图6为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤102的第二结构示意图。

图7为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的第二子流程示意图。

图8为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤103对应的结构示意图。

图9为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤104的结构示意图。

图10为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的第三子流程示意图。

图11为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤105的第一结构示意图。

图12为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤105的第二结构示意图。

图13为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的第四子流程示意图。

图14为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第二种实施方式的流程示意图。

图15为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第三种实施方式的流程示意图。

图16为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第四种实施方式的流程示意图。

图17为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”和“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征，因此不能理解为对本申请的限制。

本申请实施例提供一种阵列基板的断线的修补方法及修补装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

请参阅图1-图13，图1为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的流程示意图。如图1所示，本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法包括以下步骤：

步骤101、获取阵列基板20的断线207上断点207a的位置。

其中，图2为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤101的第一结构示意图。图3为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤101的第二结构示意图。

需要说明的是，本申请实施例提供的阵列基板20包括衬底201、第一金属层202、绝缘层203、第二金属层204、钝化层205和色阻层206。第一金属层202设置在衬底201上。绝缘层203设置在第一金属层202上，且覆盖第一金属层202。第二金属层204设置在绝缘层203上。钝化层205设置在第二金属层204上，且覆盖第二金属层204以及绝缘层203。色阻层206设置在钝化层205上。

需要说明的是，断线207可以为第一金属层202中的金属线，也可以为第二金属层204中的金属线。具体地，断线207可以为第一金属层202中的栅极线或公共电极线，也可以为第二金属层204中的数据线、源极线或漏极线。其中，当第一金属层202中的金属线完全断线或被颗粒、异物等完全覆盖时，此时第一金属层202中的金属线可以被视为断线。当打开背光时，第二金属层204中的金属线有透光或变薄的情况或第二金属层204中的金属线残缺剩余最窄处只有原来的二分之一，此时第二金属层204中的金属线可以被视为断线。

其中，图4为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的第一子流程示意图。如图4所示，步骤101包括：

步骤1011、传送阵列基板20至检测机台，并对阵列基板20进行检测。

步骤1012、获取阵列基板20的断线207的位置坐标并存储。

步骤1013、获取断线207上断点207a的位置坐标并存储。

需要说明的是，采用定位断线207的位置后再定位断点207a的位置的方式，与直接定位断点207a的位置相比，花费时间更少以及准确度更高。因此，采用定位断线207的位置后再定位断点207a的位置的方式，可以提高获取断点207a的位置坐标的效率。

需要说明的是，将断线207的位置坐标和断点207a的位置坐标存储到相应的存储设备中，从而可以使得其他设备可以从存储设备中获取该位置坐标，快速且准确地找到断线207的位置和断点207a的位置。

步骤102、去除位于断点207a周缘区域的色阻层206，形成能够连通断点207a两侧的色阻凹槽206a，且使钝化层205暴露。

其中，图5为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤102的第一结构示意图。图6为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤102的第二结构示意图。

需要说明的是，当不去除色阻层206，而在色阻层206上直接进行打孔形成长膜用以使断线连接时，由于色阻层206的厚度过厚，会导致打孔处长膜过厚，从而导致在对应位置处出现发暗的圆点，进而影响显示面板的显示效果，因此需要在形成长膜前去除色阻层206。

另外，由于第一金属层202和第二金属层204需经图案化工艺处理，因此导致绝缘层203和钝化层205的表面呈现凹凸状，从而导致色阻凹槽206a的底面也呈现凹凸状。

其中，色阻凹槽206a可以位于如图6所示的位置，也可以位于与图6所示的位置对应的位置。具体地，色阻凹槽206a可以位于断点207a左右两侧的任一侧。

其中，图7为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的第二子流程示意图。如图7所示，步骤102包括：

1021、传送阵列基板20至修补机台。

1022、提取断点207a的位置坐标，并依据断点207a的位置坐标寻找断点207a的位置。

1023、采用激光去除位于断点207a周缘区域的色阻层206，形成能够连通断点307a两端的断线207的色阻凹槽206a，且使钝化层205暴露。

步骤103、在钝化层205上形成平坦层208，以使色阻凹槽206a底面平坦化。

其中，图8为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤103对应的结构示意图。

在现有技术中，由于色阻凹槽底面不平坦，因此在设置长膜用于连通断线时，会导致长膜存在金属爬坡现象，从而导致长膜在爬坡处易出现断线的现象。

需要说明的是，本申请实施例通过设置平坦层208，可以使色阻凹槽206a底面平坦化，从而在设置长膜用于连通断线207时，长膜不会存在金属爬坡现象，长膜也就不会在爬坡处出现断线现象。

其中，在一种实施方式中，平坦层208的材料为透明绝缘材料。具体地，平坦层208的材料为二氧化硅、二氧化氮以及氮氧化硅中的一种或多种的组合。

需要说明的是，由于平坦层208的材料为透明绝缘材料，因此平坦层208不会影响显示面板的显示效果，也不会造成金属走线之间发生短路现象。

其中，平坦层208采用喷墨打印工艺形成。需要说明的是，喷墨打印工艺稳定性好，因此，采用喷墨打印工艺形成平坦层208，有助于提高平坦层208表面的平整性，有助于消除金属爬坡。

其中，形成平坦层208采用的喷墨打印设备的喷口直径为0.5微米至10微米。具体地，形成平坦层208采用的喷墨打印设备的喷口直径为0.5微米、1.5微米、3微米、5微米、7微米或10微米。

步骤104、对色阻凹槽206a底面与断线207相交的位置进行处理，以暴露出断线207所处的金属层。

其中，图9为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤104的结构示意图。

其中，图10为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的第三子流程示意图。如图10所示，本申请实施例提供的步骤104包括：

1041、在色阻凹槽206a底面与断线207相交的位置进行激光打孔。

需要说明的是，当在色阻凹槽206a底面与断线207相交的位置处可见透光时，证明激光打孔所形成的孔洞已贯穿至所需位置。

1042、去除色阻凹槽206a底面与断线207相交的位置的钝化层205，以暴露出断线207所处的金属层。

需要说明的是，当断线位于第一金属层202时，还需要去除色阻凹槽206a底面与断线207相交的位置以及绝缘层203。

步骤105、在色阻凹槽206a底面以及断线207所处的金属层上形成长膜209，以使断线207连通。

其中，图11为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤105的第一结构示意图。图12为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的步骤105的第二结构示意图。

其中，图13为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的第四子流程示意图。如图13所示，本申请实施例提供的步骤105包括：

步骤1051、传送阵列基板20至激光化学沉积设备中。

步骤1052、采用激光照射色阻凹槽206a。

步骤1053、采用沉积工艺在色阻凹槽206a底面以及断线所处的金属层上形成长膜209，以使断线207连通。

请参阅图14，图14为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第二种实施方式的流程示意图。图14所示的阵列基板的断线的修补方法与图1所示的阵列基板的断线的修补方法的区别在于：步骤105之后还包括：

步骤106、对长膜周缘的像素区域进行暗点化处理。

需要说明的是，对长膜周缘的像素区域进行暗点化处理，可以防止长膜与其他走线短路。由于在进行阵列基板的断线的修补之前已经形成了像素电极，因此，需要在对长膜周缘的像素区域进行暗点化处理时，也需要去除长膜周缘区域的像素电极，从而防止长膜与像素电极短路。

请参阅图15，图15为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第三种实施方式的流程示意图。图15所示的阵列基板的断线的修补方法与图1所示的阵列基板的断线的修补方法的区别在于：步骤106之后还包括：

步骤107、在长膜上形成保护层。

需要说明的是，在长膜上形成保护层，可以避免长膜与外界直接接触，提高了长膜的耐腐蚀以及耐摩擦星，防止长膜在阵列基板后续的清洗制程脱落，能够有效提高阵列基板的断线的修补成功率，保证产品良率。

其中，在一种实施方式中，长膜是采用涂布的方式形成。长膜的材料为高分子材料。具体地，长膜的材料为亚克力树脂或紫外光感树脂。

请参阅图16，图16为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第四种实施方式的流程示意图。图15所示的阵列基板的断线的修补方法与图1所示的阵列基板的断线的修补方法的区别在于：步骤101之前还包括：

步骤108、提供一阵列基板，阵列基板包括衬底、第一金属层、绝缘层、第二金属层、钝化层和色阻层，第一金属层设置在衬底上，绝缘层设置在第一金属层上，且覆盖第一金属层，第二金属层设置在绝缘层上、钝化层设置在第二金属层上，且覆盖第二金属层以及绝缘层，色阻层设置在钝化层上。

在本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法中，在断线上断点的两侧形成长膜对断线进行修补，从而使断线连通。另外在形成长膜前，通过设置平坦层可以避免由于地势不平坦导致长膜爬坡而出现断线现象。

本申请实施例还提供一种阵列基板的断线的修补装置。请参阅图17，图17为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补装置的结构示意图。如图17所示，本申请实施了提供的阵列基板的断线的修补装置30包括获取单元301、去除单元302、第一形成单元303、处理单元304以及第二形成单元305。

其中，获取单元301用于获取阵列基板的断线上断点的位置。去除单元302用于去除位于所述断点周缘区域的色阻层，形成能够连通断点两侧的色阻凹槽，且使钝化层暴露。第一形成单元303用于在钝化层上形成平坦层，以使色阻凹槽底面平坦化。处理单元304用于对色阻凹槽底面与断线相交的位置进行处理，以暴露出断线所处的金属层。第二形成单元305用于在色阻凹槽底面以及断线所处的金属层上形成长膜，以使断线连通。

其中，上述实施例已经对阵列基板的断线的修补方法进行了详细描述，因此，本申请实施例中，对阵列基板的断线的修补方法不做过多赘述。

在本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补装置中，在断线上断点的两侧形成长膜对断线进行修补，从而使断线连通。另外在形成长膜前，通过设置平坦层可以避免由于地势不平坦导致长膜爬坡而出现断线现象。

以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板的断线的修补方法及修补装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板的断线的修补方法，其特征在于，所述修补方法包括

获取阵列基板的断线上断点的位置；

去除位于所述断点周缘区域的色阻层，形成能够连通所述断点两侧的色阻凹槽，且使所述钝化层暴露；

在所述钝化层上形成平坦层，以使所述色阻凹槽底面平坦化；

对所述色阻凹槽底面与所述断线相交的位置进行处理，以暴露出所述断线所处的金属层；

在所述色阻凹槽底面以及所述断线所处的金属层上形成长膜，以使所述断线连通；其中，所述阵列基板包括衬底，所述金属层在所述衬底上的正投影位于所述色阻凹槽在所述衬底的正投影中。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的断线的修补方法，其特征在于，所述获取阵列基板的断线上断点的位置的具体步骤，包括：

传送阵列基板至检测机台，并对所述阵列基板进行检测；

获取所述阵列基板的断线的位置坐标并存储；

获取所述断线上断点的位置坐标并存储。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的断线的修补方法，其特征在于，所述去除位于所述断点周缘区域的色阻层，形成能够连通所述断线上断点两端的色阻凹槽，且使所述钝化层暴露的具体步骤，包括：

传送所述阵列基板至修补机台；

提取所述断点的位置坐标，并依据所述断点的位置坐标寻找断点的位置；

采用激光去除位于所述断点周缘区域的色阻层，形成能够连通所述断点两端的断线的色阻凹槽，且使所述钝化层暴露。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的断线的修补方法，其特征在于，所述平坦层采用喷墨打印工艺形成。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的断线的修补方法，其特征在于，所述对所述色阻凹槽底面与所述断线相交的位置进行处理，以暴露出所述断线所处的金属层的具体步骤，包括：

在所述色阻凹槽底面与所述断线相交的位置进行激光打孔；

去除所述色阻凹槽底面与所述断线相交的位置的所述钝化层，以暴露出所述断线所处的金属层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的断线的修补方法，其特征在于，所述在所述色阻凹槽底面以及所述断线所处的金属层上形成长膜，以使所述断线连通的具体步骤，包括:

传送所述阵列基板至激光化学沉积设备中；

采用激光照射所述色阻凹槽；

采用沉积工艺在所述色阻凹槽底面以及所述断线所处的金属层上形成长膜，以使所述断线连通。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的断线的修补方法，其特征在于，所述在所述色阻凹槽底面以及所述断线所处的金属层上形成长膜，以使所述断线连通的步骤之后，还包括：

对所述长膜的像素区域进行暗点化处理。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的断线的修补方法，其特征在于，所述对所述色阻凹槽周缘的像素区域进行暗点化处理的步骤之后，还包括：

在所述长膜上形成保护层。

9.根据权利要求1所述的阵列基板的断线的修补方法，其特征在于，所述获取所述阵列基板中的断线上断点的位置的步骤之前，还包括：

提供一阵列基板，所述阵列基板包括衬底、第一金属层、绝缘层、第二金属层、钝化层和色阻层，所述第一金属层设置在所述衬底上，所述绝缘层设置在所述第一金属层上，且覆盖所述第一金属层，所述第二金属层设置在所述绝缘层上、所述钝化层设置在第二金属层上，且覆盖所述第二金属层以及所述绝缘层，所述色阻层设置在所述钝化层上。

10.一种阵列基板的断线的修补装置，其特征在于，包括：

获取单元，所述获取单元用于获取阵列基板的断线上断点的位置；

去除单元，所述去除单元用于去除位于所述断点周缘区域的色阻层，形成能够连通所述断点两侧的色阻凹槽，且使所述钝化层暴露；

第一形成单元，所述第一形成单元用于在所述钝化层上形成平坦层，以使所述色阻凹槽底面平坦化；

处理单元，所述处理单元用于对所述色阻凹槽底面与所述断线相交的位置进行处理，以暴露出所述断线所处的金属层；

第二形成单元，所述第二形成单元用于在所述色阻凹槽底面以及所述断线所处的金属层上形成长膜，以使所述断线连通；其中，所述阵列基板包括衬底，所述金属层在所述衬底上的正投影位于所述色阻凹槽在所述衬底的正投影中。

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