CN111524911A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置,该阵列基板包括:衬底基板以及设于衬底基板上的薄膜晶体管开关;薄膜晶体管开关包括:依次设于衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅极和第一绝缘层;依次设于第一绝缘层上的第一平坦层和第二绝缘层,第一绝缘层覆盖栅极;设于第二绝缘层上的源、漏极,源、漏极中的漏极通过第一过孔与有源层电连接,在平行于衬底基板的方向上,漏极位于栅极的一侧。该阵列基板中,在栅极与漏极之间的第一绝缘层上设置第一平坦层,第一平坦层的延展性较好,可以降低栅极边缘爬坡位置的第一绝缘层断裂的风险,有效避免栅极与漏极之间发生短路,从而避免显示产品的多亮点不良的现象,提高产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
在高PPI显示屏产品中,由于ILD膜层(绝缘介质膜层)材料受工艺和产品性能限制,整个ILD膜层不能太厚,导致栅极上的ILD膜层不能完全覆盖栅极层,在栅极边缘位置出现爬坡,导致膜层材料断裂,从而栅极与漏极容易发生短路,当源极充电时,漏极处电压与栅极电压之间产生微弱电场,导致像素电压不稳定,出现多亮点不良的现象。
发明内容
本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置,上述阵列基板中,在栅极与漏极之间的第一绝缘层上设置第一平坦层,第一平坦层的延展性较好,可以降低栅极边缘爬坡位置的第一绝缘层断裂的风险,有效避免栅极与漏极之间发生短路,从而避免显示产品的多亮点不良的现象,提高产品良率。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种阵列基板,包括:衬底基板以及设于所述衬底基板上的薄膜晶体管开关;
所述薄膜晶体管开关包括:
依次设于所述衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅极和第一绝缘层;
依次设于所述第一绝缘层上的第一平坦层和第二绝缘层,其中,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度,所述第一绝缘层覆盖所述栅极;
设于所述第二绝缘层上的源、漏极,所述源、漏极中的漏极通过第一过孔与所述有源层电连接,在平行于所述衬底基板的方向上,所述漏极位于所述栅极的一侧。
上述阵列基板中包括衬底基板和设于衬底基板上的薄膜晶体管开关,薄膜晶体管包括有依次设置在衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅极和第一绝缘层,第一绝缘层上设置有第一平坦层,第一平坦层上设置有第二绝缘层,源、漏极设于第二绝缘层上,源、漏极中的漏极通过贯穿上述第二绝缘层、第一平坦层、第一绝缘层以及栅绝缘层的第一过孔与有源层电连接,且在平行于衬底基板的方向上,漏极位于栅极的一侧,其中,第一绝缘层的厚度可以比现有技术中的位于栅极之上的绝缘层稍微厚一点,以保证可以完全覆盖栅极,第二绝缘层的厚度小于第一绝缘层的厚度,第二绝缘层的厚度可以远小于第一绝缘层,第二绝缘层可以很薄的一层,避免阵列基板中整体绝缘层的总厚度过厚,第二绝缘层设置在第一平坦层上,可以对第一平坦层形成保护作用,在第一平坦层上进行其它金属电极或其它金属图案化制备时,第二绝缘层可以对第一平坦层产生保护作用,避免第一平坦层被损坏,其中,第一绝缘层位于漏极和栅极之间,第一绝缘层可以覆盖栅极,可以隔绝漏极与栅极,不过,在现有技术中,位于栅极边缘爬坡位置的第一绝缘层容易断裂,尤其是栅极朝向漏极的边侧,栅极朝向漏极的边缘爬坡位置的第一绝缘层断裂,会使栅极与漏极之间产生微弱电场,造成栅极与漏极短路,而本实施例中,第一绝缘层覆盖栅极,且在第一绝缘层上设置有第一平坦层,由于平坦层是平坦材料形成,且平坦材料具有较高的延展性和比较好的平坦性,也就是,第一平坦层的延展性、平坦性比较好,第一平坦层的延展性比第一绝缘层的延展性要高,将第一平坦层设置在第一绝缘层上,可以降低栅极边缘爬坡位置的第一绝缘层断裂的风险,可以有效避免栅极与漏极之间发生短路,从而避免显示产品的多亮点不良的现象,提高产品良率。
因此,上述阵列基板中,在栅极与漏极之间的第一绝缘层上设置第一平坦层,第一平坦层的延展性较好,可以降低栅极边缘爬坡位置的第一绝缘层断裂的风险,有效避免栅极与漏极之间发生短路,从而避免显示产品的多亮点不良的现象,提高产品良率。
可选地,所述第一平坦层的材料包括亚克力材料。
可选地,所述第一绝缘层的材料包括氧化硅或氮化硅,所述第二绝缘层的材料包括氧化硅或氮化硅。
可选地,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的材料相同。
可选地,设于所述第二绝缘层上的数据线层,所述数据线层包括数据线,所述数据线中与所述有源层对应的部位通过第二过孔与所述有源层电连接以构成所述薄膜晶体管开关的源极。
可选地,所述阵列基板还包括:
设于所述数据线层和所述第二绝缘层上的第二平坦层,所述第二平坦层中与所述漏极对应的部位形成有凹陷;
设于所述凹陷内的像素电极,且所述像素电极沿所述凹陷内壁设置,所述像素电极通过第三过孔与所述漏极电连接;
设于所述像素电极和所述第二平坦层上的钝化层;
设于所述钝化层上且与所述像素电极相对的公共电极。
可选地,所述第二平坦层与所述第一平坦层的材料相同。
基于相同的发明构思,本技术方案还提供了一种显示面板,包括如上述技术方案中提供的任意一种阵列基板。
本技术方案还提供了一种显示装置,包括如上述技术方案提供的任意一种显示面板。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板上的部分膜层结构分布示意图;
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板上的部分膜层结构分布示意图;
图3为图2中阵列基板沿B-B向的局部截面示意图;
图标:1-衬底基板;2-遮光层;3-缓冲层;4-有源层;5-栅绝缘层;6-栅极;7-第一绝缘层;8-漏极;9-第一平坦层;10-第二绝缘层;11-源极;12-第二平坦层;13-像素电极;14-钝化层;15-公共电极;16-第一过孔;17-第二过孔;18-数据线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1至图3所示,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:衬底基板1以及设于衬底基板上的薄膜晶体管开关;薄膜晶体管开关包括:依次设于衬底基板上的有源层4、栅绝缘层5、栅极6和第一绝缘层7,栅极6在垂直于衬底基板1上的投影与有源层4在垂直于衬底基板1上的投影部分交叠;依次设于第一绝缘层7上的第一平坦层9和第二绝缘层10,其中,沿垂直于衬底基板1的方向上,第二绝缘层10的厚度小于第一绝缘层7的厚度,第一绝缘层7覆盖栅极6;设于第二绝缘层10上的源、漏极,源、漏极中的漏极8通过第一过孔16与有源层4电连接,在平行于衬底基板1的方向上,漏极8位于栅极6的一侧。
上述阵列基板中包括衬底基板和设于衬底基板上的薄膜晶体管开关,薄膜晶体管包括有依次设置在衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅极和第一绝缘层,第一绝缘层上设置有第一平坦层,第一平坦层上设置有第二绝缘层,源、漏极设于第二绝缘层上,源、漏极中的漏极通过贯穿上述第二绝缘层、第一平坦层、第一绝缘层以及栅绝缘层的第一过孔与有源层电连接,且在平行于衬底基板的方向上,漏极位于栅极的一侧,其中,第一绝缘层的厚度可以比现有技术中的位于栅极之上的绝缘层稍微厚一点,以保证可以完全覆盖栅极,第二绝缘层的厚度小于第一绝缘层的厚度,第二绝缘层的厚度可以远小于第一绝缘层,第二绝缘层可以很薄的一层,避免阵列基板中整体绝缘层的总厚度过厚,第二绝缘层设置在第一平坦层上,可以对第一平坦层形成保护作用,在第一平坦层上进行其它金属电极或其它金属图案化制备时,第二绝缘层可以对第一平坦层产生保护作用,避免第一平坦层被损坏,其中,第一绝缘层位于漏极和栅极之间,第一绝缘层可以覆盖栅极,可以隔绝漏极与栅极,不过,在现有技术中,位于栅极边缘爬坡位置的第一绝缘层容易断裂,尤其是栅极朝向漏极的边侧,栅极朝向漏极的边缘爬坡位置的第一绝缘层断裂,会使栅极与漏极之间产生微弱电场,造成栅极与漏极短路,而本实施例中,第一绝缘层覆盖栅极,且在第一绝缘层上设置有第一平坦层,由于平坦层是平坦材料形成,且平坦材料具有较高的延展性和比较好的平坦性,也就是,第一平坦层的延展性、平坦性比较好,第一平坦层的延展性比第一绝缘层的延展性要高,将第一平坦层设置在第一绝缘层上,可以降低栅极边缘爬坡位置的第一绝缘层断裂的风险,可以有效避免栅极与漏极之间发生短路,从而避免显示产品的多亮点不良的现象,提高产品良率。
因此,上述阵列基板中,在栅极与漏极之间的第一绝缘层上设置第一平坦层,第一平坦层的延展性较好,可以降低栅极边缘爬坡位置的第一绝缘层断裂的风险,有效避免栅极与漏极之间发生短路,从而避免显示产品的多亮点不良的现象,提高产品良率。
具体地,上述阵列基板中,第一平坦层的材料包括亚克力材料,亚克力材料的延展性、平坦性较好,有利于保证栅极和漏极之间不易短路。其中,需要说明的是,第一平坦层的材料也可以是其它延展性、平坦性较好的绝缘材料,本实施例不做局限。
具体地,第一绝缘层的材料包括氧化硅或氮化硅,第二绝缘层的材料包括氧化硅或氮化硅。第一绝缘层的材料和第二绝缘层的材料设置为氧化硅或氮化硅,绝缘性和稳定性较好,且具有耐高温性,在其上进行其它需要高温制备的膜层是,不会被损坏,有利于保证阵列基板的稳定性。
具体地,可以设置第一绝缘层与第二绝缘层的材料相同,或者,第一绝缘层的材料与第二绝缘层的材料不相同,可以根据实际需求进行设置,本实施例不做局限。
具体地,如图1、图2和图3所示,设于第二绝缘层10上的数据线层,数据线层包括数据线18,数据线中与有源层对应的部位通过第二过孔17与有源层4电连接以构成薄膜晶体管开关的源极11,数据线用于向源极输入电压信号以给薄膜晶体管开关充电;具体地,薄膜晶体管开关的源、漏极可以与数据线同层制备形成,简化制备工艺。
具体地,如图3所示,上述阵列基板还包括:设于数据线层和第二绝缘层10上的第二平坦层12,第二平坦层12中与漏极8对应的部位形成有凹陷;设于凹陷内的像素电极13,且像素电极沿凹陷内壁设置,像素电极13通过第三过孔与漏极8电连接;设于像素电极13和第二平坦层12上的钝化层14;设于钝化层14上且与像素电极13相对的公共电极15。其中,为使像素电极与漏极充分搭接,可以使漏极在第一绝缘层的表面形成连接盘,像素电极通过第三过孔与连接盘搭接以实现电连接,连接盘在第一绝缘层的面积大于第一过孔的孔径,有效增大了漏极用于与像素电极搭接的连接端的面积,可以使像素电极与漏极充分搭接,保证像素电极与漏极的电连接稳定性。
如图3所示,上述阵列基板中,在有源层和衬底基板之间还设置有遮光层2和缓冲层3,缓冲层3位于遮光层2背离衬底基板1的一侧,且遮光层2与有源层4对应设置,用于遮光,避免光线对有源层产生影响,避免对薄膜晶体管开关造成不良影响。
具体地,第二平坦层可以与第一平坦层的材料相同,第二平坦层的材料也可以与第一平坦层的材料不同,可以根据实际需求设置,本实施例不做局限。
基于相同的发明构思,本实施例还提供了一种显示面板,包括如上述实施例中提供的任意一种阵列基板以及与阵列基板相对设置的彩膜基板,所述阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶层。
本实施例还提供了一种显示装置,包括如上述实施例提供的任意一种显示面板。
显然,本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板以及设于所述衬底基板上的薄膜晶体管开关;
所述薄膜晶体管开关包括:
依次设于所述衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅极和第一绝缘层;
依次设于所述第一绝缘层上的第一平坦层和第二绝缘层,其中,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度,所述第一绝缘层覆盖所述栅极;
设于所述第二绝缘层上的源、漏极,所述源、漏极中的漏极通过第一过孔与所述有源层电连接,在平行于所述衬底基板的方向上,所述漏极位于所述栅极的一侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一平坦层的材料包括亚克力材料。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层的材料包括氧化硅或氮化硅,所述第二绝缘层的材料包括氧化硅或氮化硅。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,设于所述第二绝缘层上的数据线层,所述数据线层包括数据线,所述数据线中与所述有源层对应的部位通过第二过孔与所述有源层电连接以构成所述薄膜晶体管开关的源极。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
设于所述数据线层和所述第二绝缘层上的第二平坦层,所述第二平坦层中与所述漏极对应的部位形成有凹陷;
设于所述凹陷内的像素电极,且所述像素电极沿所述凹陷内壁设置,所述像素电极通过第三过孔与所述漏极电连接;
设于所述像素电极和所述第二平坦层上的钝化层;
设于所述钝化层上且与所述像素电极相对的公共电极。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第二平坦层与所述第一平坦层的材料相同。
8.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8所述的显示面板。
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