CN113674694A - 显示基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板，包括：硅基衬底，硅基衬底内集成有像素驱动电路，像素驱动电路至少包括第一晶体管，第一晶体管为P型晶体管；第一晶体管的栅电极耦接于扫描信号线，第一晶体管的衬底接收第一电压，第一电压小于模拟工作电压。

Description

显示基板及显示装置
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及显示装置。
背景技术
微型有机发光二极管(Micro-OLED，Micro Organic Light-Emitting Diode)是近年来发展起来的微型显示器，硅基有机发光二极管(OLED，Organic Light-EmittingDiode)为其中一种。硅基OLED具有高像素密度(PPI，Pixels Per Inch)，体积小，高对比度的特点，采用成熟的集成电路互补金属氧化物半导体(CMOS，Complementary Metal OxideSemiconductor)工艺制成，实现了像素的有源寻址，可以实现在硅基衬底上制备包括时序控制(TCON)电路、过电流保护(OCP，Over Current Protection)电路等多种功能电路，有利于减小系统体积，实现轻量化。硅基OLED广泛应用于虚拟现实、增强现实近眼显示领域中，特别是增强现实(AR，Augmented Reality)/虚拟现实(VR，Virtual Reality)头戴显示装置中。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：硅基衬底，所述硅基衬底内集成有像素驱动电路，所述像素驱动电路至少包括第一晶体管，所述第一晶体管为P型晶体管；所述第一晶体管的栅电极耦接于扫描信号线，所述第一晶体管的衬底接收第一电压，所述第一电压小于模拟工作电压。
第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括上述的显示基板。
本公开实施例提供的显示基板，通过给第一晶体管的衬底提供第一电压，可以降低第一晶体管的PN结的漏电风险，减小由于漏电造成的显示亮点，从而提高显示效果。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为一示例中显示基板的结构示意图；
图2为一示例中显示基板连接柔性线路板的示意图；
图3为一示例中显示区域的剖视图；
图4为一示例中显示区域在显示基板上正投影的示意图；
图5为一示例中显示基板的像素驱动电路示意图；
图6为再一示例中显示基板的像素驱动电路示意图；
图7为又一示例中显示基板的像素驱动电路示意图；
图8为一种像素驱动电路的工作时序图。
具体实施方式
本申请描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或科学术语为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。本公开中，“多个”可以表示两个或两个以上的数目。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“耦接”、“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且可以包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏极)与源电极(源电极端子、源区域或源极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
OLED显示装置应用在近眼显示设备中，显示基板亮度的均一性决定着用户体验。一方面，硅基OLED显示装置应用在AR/VR装置中时，由于OLED器件需要与光机结构(例如AR/VR整机结构)相匹配，在光机结构的放大作用下，会把显示画面中的缺陷放大。另一方面，硅基OLED显示装置在使用过程中，当存在亮点不良，画面会出现斑点(mura)，在用户观看较低亮度下的画面时，这种显示缺陷会更加明显，影响用户的使用感受。
本公开实施例提供一种显示基板，包括：硅基衬底，硅基衬底内集成有像素驱动电路，像素驱动电路至少包括第一晶体管，第一晶体管为P型晶体管；第一晶体管的栅电极与扫描信号线耦接，第一晶体管的衬底接收第一电压，第一电压小于模拟工作电压。
在一些示例性实施方式中，第一电压的大小可调。
在一些示例性实施方式中，第一电压大于0伏(V)且小于6伏。
在一些示例性实施方式中，硅基衬底内集成有电流源电路，电流源电路配置为向第一晶体管的衬底提供第一电压。
在一些示例性实施方式中，像素驱动电路还包括：第二晶体管、第三晶体管和第一电容；
其中，第一晶体管的第一极与数据信号线耦接，第一晶体管的第二极与第二晶体管的栅电极耦接；第二晶体管的第一极与第一电源线耦接，第二晶体管的第二极与第三晶体管的第一极耦接；第三晶体管的栅电极与发光控制线耦接，第三晶体管的第二极与发光元件的第一极耦接；发光元件的第二极与第二电源线耦接；第一电容的第一极与第二晶体管的栅电极耦接，第一电容的第二极与第二电源线耦接。
在一些示例性实施方式中，第二晶体管为N型晶体管；第三晶体管为P型晶体管。
在一些示例性实施方式中，像素驱动电路还包括：第四晶体管；
第四晶体管的栅电极与第一信号线耦接，第一信号线配置为提供全局使能信号，第四晶体管的第一极与第三晶体管的第一极耦接，第四晶体管的第二极与参考电压线耦接。
在一些示例性实施方式中，第四晶体管为N型晶体管。
在一些示例性实施方式中，硅基衬底11上的像素驱动电路可以通过180nm或者110nm的半导体工艺进行制备。
在一些示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。
在一些示例性实施方式中，发光元件为OLED。
下面通过一个示例对本实施例的方案进行举例说明。
图1为一示例中显示基板的结构示意图。如图1所示，显示基板包括：硅基衬底11，硅基衬底11包括显示区域100、位于显示区域100周边的外围区域101以及绑定区域102，在绑定区域102设置有多个绑定电极103。
图2为一示例中显示基板连接柔性线路板的示意图。硅基衬底11通过绑定电极103与柔性线路板20绑定连接，柔性线路板20能够实现显示基板与外部电路的电连接。在硅基衬底11上设置有发光结构层，发光结构层包括多个发光元件，多个发光元件在各自对应的第一电极和第二电极的驱动下发光，发光元件可以为OLED。盖板玻璃18覆盖在发光结构层上，多个发光元件发出的光线能够透过盖板玻璃18后射出，盖板玻璃18具有保护发光元件的功能。盖板玻璃18的尺寸大于显示区域100的尺寸，盖板玻璃18的尺寸小于硅基衬底11的尺寸，且盖板玻璃18的四边与硅基衬底11预留有一定的距离，以便于连接光机结构。为实现光线透过，盖板玻璃18可以采用透明材料进行制备，例如：具有高透过率的素玻璃。
在本示例中，硅基衬底11的尺寸为11.1mm*9.5mm，盖板玻璃18比硅基板11单边内缩0.1mm，为10.9mm*9.3mm，显示区域的尺寸比盖板玻璃18单边内缩0.5mm。
图3为一示例中显示区域的剖视图。如图3所示，显示基板包括多层堆叠的结构，显示区域100的结构包括：发光元件的第一电极12、有机发光层13、发光元件的第二电极14、第一薄膜封装层15、彩色薄膜层16、第二薄膜封装层17。
如图3所示，在硅基衬底11的上方依次设置有发光元件的第一电极12、有机发光层13、发光元件的第二电极14、第一薄膜封装层15、彩色薄膜层16、第二薄膜封装层17以及盖板玻璃18。发光元件的第一电极12可以采用氧化铟锡(ITO)制备，从而具有较高的透过率、高功函数等特点。有机发光层13可以采用有机材料进行制备，在发光元件的第一电极12及发光元件的第二电极14施加的电压或者电流的作用下，有机材料中激发出空穴与电子形成激子，电子与空穴复合后实现发光。发光元件的第二电极14可以采用金属材料或者合金材料进行制备，例如镁、银等金属或合金。在发光元件的第二电极14的上侧设置有第一薄膜封装层15，彩色薄膜层16对应于有机发光层13设置，可以包括RGB彩色薄膜，实现发射光的彩色化显示。在彩色薄膜层16的上侧依次设置有第二薄膜封装层17和盖板玻璃18，能够起到保护彩色薄膜层16的作用。第二薄膜封装层17可以采用密封性好的材料进行制备，例如有机材料，或者如氧化硅，氮化硅等一种或多种无机材料形成的组合材料。第二薄膜封装层17与第一薄膜封装层15相配合，能够实现对水汽、氧气的有效阻挡，有助于延长显示基板的使用寿命。
图4为一示例中显示区域在显示基板上正投影的示意图，如图4所示，有机发光层13在显示基板11上的正投影覆盖于发光元件的第一电极12在显示基板11上的正投影。彩色薄膜层16在显示基板11上的正投影覆盖于有机发光层13在显示基板11上的正投影。盖板玻璃18在显示基板11上的正投影覆盖于彩色薄膜层16在显示基板11上的正投影。从正投影的关系上也可以看出，盖板玻璃18的四边与硅基衬底11预留有一定的距离，以便于连接光机结构。
图5为一示例中显示基板的像素驱动电路的结构示意图。如图5所示，像素驱动电路包括第一晶体管P1、第一电容Cst以及一个子驱动电路。第一电容Cst设置为存储第二晶体管P1第二电极的电位，子驱动电路设置为向发光元件提供驱动电流。第一晶体管P1的衬底是N型衬底，N型衬底上形成有第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区均为P型掺杂区，第一晶体管P1的衬底与电流源电路Q耦接，电流源电路Q集成在硅基衬底上，配置为向第一晶体管P1的衬底提供第一电压VN。第一晶体管P1的栅电极与扫描信号线SCAN耦接，第一晶体管P1的第一极与数据信号线DATA耦接，第一晶体管P1的第二极与子驱动电路耦接。子驱动电路与发光元件的第一极耦接，发光元件的第二极与第二电源线VSS耦接。第一电容Cst的第一极与第一晶体管P1的第二极耦接，第一电容Cst第二极与第二电源线VSS耦接。第一晶体管P1在扫描信号及衬底接收的第一电压VN的作用下导通，使数据信号传输到子驱动电路中，通过子驱动电路控制发光元件发光。第二电源线VSS用于提供低电平信号或者接地。
在一些技术中，是将第一晶体管P1的衬底连接到高电位，在第一晶体管P1的衬底与漏极之间(即图5中虚线箭头指示的两端)就会存在压差，该压差大约等于模拟工作电压AVDD，模拟工作电压是显示基板上的模拟电路部分的正常工作电压，一般的范围是4.5V到8V，可以根据需要设置模拟工作电压的大小。在发光元件的两极需要设置较大跨压的情况下，例如在6V制程中，需要把模拟工作电压设定到+6.0V(或者更高，比如+6.5V、+8.5V)，这使得第一电容Cst第一极的电压也将相应达到+6V，这种情况下，第一晶体管P1的衬底与漏极之间的压差较大，衬底与漏极之间的PN结就会导通，第一晶体管P1的衬底发生漏电，导致出现显示亮点，造成亮点不良。
本公开实施例中，通过设置第一晶体管P1的衬底接收第一电压，第一电压小于模拟工作电压，降低了第一晶体管P1的衬底与漏极之间的电压差，降低了第一晶体管P1的衬底发生漏电的风险。即便在高跨压如+8.5V的需求下，第一晶体管P1的衬底到漏极之间的电压差也不会过大，不会导通第一晶体管P1的衬底与漏极之间的PN结，就不会造成显示亮点。因此，本公开实施例的方案有助于减少画面中的亮点不良，提升画面显示的均一性。本公开实施例的方案，有效改善了由于漏电造成的显示亮点，改善了显示基板的显示效果，有助于延长显示基板的良率和使用寿命，提升了客户体验。
在本示例中，如图5所示，由电流源电路Q向第一晶体管P1的衬底提供第一电压VN，通过采用集成设计的方式将电流源电路Q集成在硅基衬底上，第一电压VN可以连接到金属层，不会占用像素驱动电路的面积，从而有助于减小像素驱动电路的尺寸，实现高像素密度的产品。
在本示例中，第一电压VN的大小可调。第一电压VN大于0伏且小于6伏。
通过设置第一电压VN的大小可调，使得显示基板能够更好的匹配不同的制备工艺，在制备过程中，每个芯片上可能包括有多个显示基板，这种设置有助于满足芯片的均一性。
而且，第一电压VN与扫描信号配合控制第一晶体管P1导通，通过设置第一晶体管P1衬底的电压不为零，使得第一晶体管P1的导通电压降低，可以降低功耗。在第一电压VN可调的情况下，扫描信号需要随第一电压VN的大小进行调整，才能保证实现第一晶体管P1的导通。因此，通过利用第一电压VN配合扫描信号，能够使第一晶体管P1在几乎没有电压损失的情况下，将数据信号传输到子驱动电路中。扫描信号的可调，也便于控制像素驱动电路中发光元件第一极的电压，能够实现通过输入不同灰阶的数据信号，控制发光元件输出相应灰阶的亮度。图6为再一示例中显示基板的像素驱动电路示意图，本示例中以3T1C结构的电路为例进行说明。如图6中的电路中，像素驱动电路至少包括第一晶体管P1、第一电容Cst、第二晶体管N1以及第三晶体管P2。发光元件设置为OLED。第一晶体管P1为P型晶体管，第一晶体管P1的衬底是N型衬底，N型衬底上形成有第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区均为P型掺杂区，第一晶体管P1的衬底与电流源电路Q耦接，由电流源电路Q向第一晶体管P1的衬底提供第一电压VN，该第一电压VN不为零且小于模拟工作电压AVDD。第一晶体管P1的栅电极与扫描信号线SCAN耦接，第一晶体管P1的第一极与数据信号线DATA耦接，第一晶体管P1的第二极与第二晶体管N1的栅电极耦接，第一晶体管P1设置为在扫描信号和第一电压VN的控制下导通，使数据信号传输至第二晶体管N1的栅电极。第二晶体管N1为N型晶体管，第二晶体管N1的栅电极与第一晶体管P1的第二极耦接，第二晶体管N1的第一极与第一电源线VDD耦接，第二晶体管N1的第二极与第三晶体管P2的第一极耦接，第二晶体管N1设置为在数据信号控制下，在第二极产生相应的电流。第三晶体管P2为P型晶体管，第三晶体管P2的栅电极与发光控制线EM耦接，第三晶体管P2的第一极与第二晶体管N1的第二极耦接，第三晶体管P2的第二极与OLED的第一极耦接，第三晶体管P2设置为在发光控制线EM发出的发光控制信号的控制下，控制OLED发光。OLED的第一极与第三晶体管P2的第二极耦接，OLED的第二极与第二电源线VSS耦接，OLED设置为响应第二晶体管N1的第二极的电流而发出相应亮度的光。第一电容Cst的第一极与第二晶体管N1的栅电极耦接，第一电容Cst的第二极与第二电源线VSS耦接，第一电容Cst设置为存储第二晶体管N1的栅电极的电位。本示例中，第一电源线VDD配置为提供高电平信号，第二电源线VSS配置为提供低电平信号或者接地。
图7为又一示例中显示基板的像素驱动电路示意图。图7所示的电路中，像素驱动电路至少包括第一晶体管P1、第一电容Cst、第二晶体管N1、第三晶体管P2以及第四晶体管N2。发光元件设置为OLED。第四晶体管N2为N型晶体管，第四晶体管N2的栅电极与第一信号线S1耦接，第一信号线S1配置为提供全局使能信号Discharge，第四晶体管N2的第一极与第三晶体管P2的第一极耦接，第四晶体管N2的第二极与参考电压线B耦接，参考电压线B配置为向第四晶体管N2的第二极提供参考电压Vbulk。当Discharge信号输出高电平时，第三晶体管P2的第一极被复位，可以快速泄放OLED的第一极存储的电荷，对像素驱动电路进行复位，从而实现较好的动态对比度。本示例中其余元件的连接及设置参见前一实施例，在此不再赘述。
本示例中，在每个像素驱动电路中均设置有第四晶体管N2。在其他实施方式中，也可以采用每行像素驱动电路共用一个第四晶体管N2、或者显示基板上的像素驱动电路共用一个第四晶体管N2等设置形式，从而有助于减小单个像素驱动电路的面积。可以根据需要选择第四晶体管N2的设置形式。
图8为一种像素驱动电路的工作时序图。下面通过图7示例的像素驱动电路的工作过程进行示例性说明。
在示例性实施方式中，像素驱动电路的工作过程可以包括：
准备阶段，该阶段发生在第一阶段A1之前，扫描信号线SCAN的信号为高电平，数据信号线DATA的信号为低电平，第一信号线S1的信号为高电平，像素驱动电路中只有第四晶体管N2导通，第三晶体管P2的第一极被复位，OLED的第一极存储的电荷被泄放。
第一阶段A1，扫描信号线SCAN的信号为高电平，数据信号线DATA的信号为低电平，第一电源线VDD的信号为低电平，第一信号线S1的信号为低电平。此阶段电路中的晶体管均未导通，OLED不发光。
第二阶段A2，扫描信号线SCAN的信号为高电平，数据信号线DATA的信号为高电平，第一电源线VDD的信号为低电平，第一信号线S1的信号为低电平。此阶段数据信号线DATA输出数据电压，电路中的晶体管均未导通，OLED不发光。
第三阶段A3，扫描信号线SCAN的信号为低电平，数据信号线DATA的信号为高电平，第一电源线VDD的信号为低电平，第一信号线S1的信号为低电平。此阶段第一晶体管P1导通，数据信号线DATA输出的数据电压充入第一电容Cst，第一电容Cst的第一极被拉至高电平，第二晶体管N1导通。此阶段OLED不发光。
第四阶段A4，扫描信号线SCAN的信号为高电平，数据信号线DATA的信号为高电平，第一电源线VDD的信号为低电平，第一信号线S1的信号为低电平。此阶段第一晶体管P1关闭，第二晶体管N1导通，OLED不发光。
发光阶段，在第四阶段A4之后，扫描信号线SCAN的信号为高电平，数据信号线DATA不再输出信号，第一信号线S1的信号为低电平，第一电源线VDD的信号为高电平。此阶段第一晶体管P1关闭，第二晶体管N1导通，第一电源线VDD输出的电源电压通过导通的第三晶体管P2向OLED的第一极提供驱动电压，驱动OLED发光。
在图8所示的像素驱动电路驱动过程中，发光控制线EM的信号持续为低电平。在其他实施方式中，发光控制线EM的信号可以设置为在发光阶段输出低电平，在其他阶段的输出信号可以根据需要进行设置。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例中的显示基板。在一些示例性实施方式中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。然而，本公开实施例对此并不限定。
在本公开实施例的描述中，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (9)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：硅基衬底，所述硅基衬底内集成有像素驱动电路，所述像素驱动电路至少包括第一晶体管，所述第一晶体管为P型晶体管；所述第一晶体管的栅电极与扫描信号线耦接，所述第一晶体管的衬底接收第一电压，所述第一电压小于模拟工作电压。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电压的大小可调。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电压大于0伏且小于6伏。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述硅基衬底内集成有电流源电路，所述电流源电路配置为向所述第一晶体管的衬底提供所述第一电压。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路还包括：第二晶体管、第三晶体管和第一电容；
其中，所述第一晶体管的第一极与数据信号线耦接，所述第一晶体管的第二极与第二晶体管的栅电极耦接；所述第二晶体管的第一极与第一电源线耦接，所述第二晶体管的第二极与所述第三晶体管的第一极耦接；所述第三晶体管的栅电极与发光控制线耦接，所述第三晶体管的第二极与所述发光元件的第一极耦接；所述发光元件的第二极与第二电源线耦接；所述第一电容的第一极与所述第二晶体管的栅电极耦接，所述第一电容的第二极与第二电源线耦接。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第二晶体管为N型晶体管；所述第三晶体管为P型晶体管。
7.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路还包括：第四晶体管；
所述第四晶体管的栅电极与第一信号线耦接，所述第一信号线配置为提供全局使能信号，所述第四晶体管的第一极与第三晶体管的第一极耦接，所述第四晶体管的第二极与参考电压线耦接。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第四晶体管为N型晶体管。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的显示基板。
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