JP2011114346A - 発光表示装置 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 317
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 56
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 36
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
【解決手段】発光表示装置10は、基板210と、基板210の上方に設けられた半導体層220、半導体層220上に設けられたゲート絶縁膜230、ゲート絶縁膜230上に設けられたゲート電極103g、並びに、ソース電極103s及びドレイン電極103dを含む駆動トランジスタ103と、ゲート電極103g上に設けられた層間絶縁膜240と、駆動トランジスタ103gを用いて構成される駆動回路によって発光駆動される有機EL素子104と、ゲート電極103gの上方領域内であって、層間絶縁膜240上に配置されたキャパシタ電極102bとを備え、キャパシタ電極102bは、ゲート電極103gとの間でキャパシタ102を構成している。
【選択図】図5
Description
実施の形態1に係る発光表示装置は、駆動トランジスタとキャパシタとを備え、駆動トランジスタのゲート電極が、キャパシタを構成する2つのキャパシタ電極のうち一方の電極である。したがって、キャパシタは、駆動トランジスタのゲート電極を含む領域であって、駆動トランジスタの上方の領域に形成される。
図6は、実施の形態1の変形例に係る発光画素300の回路構成を示す図である。図6に示す発光画素300は、スイッチングトランジスタ101、313、314及び315と、駆動トランジスタ103と、キャパシタ311及び312と、有機EL素子104と、信号線105と、走査線106、316、317及び318と、高電圧側電源線107と、低電圧側電源線108と、参照電圧電源線319とを備える。なお、図3に示す発光画素100と同じ構成については同じ符号を付し、以下では説明を省略する。
図8は、実施の形態1の別の変形例に係る発光画素400の回路構成を示す図である。図8に示す発光画素400は、図6に示す発光画素300と比較して、キャパシタ311の代わりにキャパシタ411を備え、スイッチングトランジスタ313の代わりにスイッチングトランジスタ413を備える点が異なっている。以下では、図6に示す発光画素300と同じ構成については同じ符号を付し、以下では説明を省略する。
実施の形態2に係る発光表示装置は、スイッチングトランジスタと駆動トランジスタとキャパシタとを備え、スイッチングトランジスタのゲート電極が、キャパシタを構成する2つのキャパシタ電極の一方の電極である。したがって、キャパシタは、スイッチングトランジスタの上方の領域に形成される。
20 制御回路
40 走査線駆動回路
50 信号線駆動回路
60 表示部
100、300、400、500、700 発光画素
101、313、314、315、413、501、506、507、508、701 スイッチングトランジスタ
102、311、312、411、502、505 キャパシタ
102a、102b、311a、311b、312a、312b、411a、411b、502a、502b、505a、505b キャパシタ電極
103、503、703 駆動トランジスタ
103d、508d ドレイン電極
103g、508g ゲート電極
103s、508s ソース電極
104、504 有機EL素子
105、509、705 信号線
106、316、317、318、510、511、512、513、706 走査線
107、514 高電圧側電源線
108、515 低電圧側電源線
110 駆動回路領域
120 発光領域
210、610 基板
220、620 半導体層
221、621 チャネル領域
222、622 ソース領域
223、623 ドレイン領域
230、630 ゲート絶縁膜
240、640 層間絶縁膜
250、650 平坦化膜
319、516 参照電圧電源線
504a 陽極
504b 発光層
504c 透明陰極
702 保持キャパシタ
704 発光素子
707 電源線
708 第1キャパシタ
Claims (14)
- 基板と、
該基板の上方に設けられ、チャネル領域、ソース領域、及びドレイン領域を含む半導体層、該半導体層上に設けられたゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極、並びに、前記半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
前記ゲート電極上に設けられた層間絶縁膜と、
前記薄膜トランジスタを用いて構成される駆動回路によって発光駆動される発光素子と、
前記ゲート電極の上方領域内であって、前記層間絶縁膜上に配置された第1キャパシタ電極とを備え、
該第1キャパシタ電極は、前記ゲート電極との間で第1キャパシタを構成している
発光表示装置。 - 前記発光素子は、下部電極と、有機発光層と、上部電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記下部電極は、前記第1キャパシタ電極上に設けられた平坦化膜の上方に形成されている、
請求項1記載の発光表示装置。 - 前記発光表示装置は、複数の前記第1キャパシタ電極を備え、
複数の前記第1キャパシタ電極は、前記ゲート電極との間でそれぞれ第1キャパシタを構成している
請求項1記載の発光表示装置。 - 前記ソース電極またはドレイン電極が、前記第1キャパシタ電極と同一の層を構成し、
該ソース電極及びドレイン電極のいずれか一方は、該第1キャパシタ電極と電気的に接続されている
請求項1記載の発光表示装置。 - 前記発光素子は、前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続されており、
前記薄膜トランジスタは、前記発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタであり、
前記第1キャパシタは、前記駆動トランジスタに流れる電流値を設定するためのキャパシタである
請求項4記載の発光表示装置。 - 前記薄膜トランジスタは、前記発光素子への駆動電流を供給するタイミングを決定するスイッチングトランジスタであり、
前記第1キャパシタは、前記駆動電流の電流値を設定するためのキャパシタを初期化するためのキャパシタである
請求項1記載の発光表示装置。 - 前記第1キャパシタ電極は、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極には接続されていない
請求項1記載の発光表示装置。 - 前記第1キャパシタ電極は、前記薄膜トランジスタ以外の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極のいずれか一方に接続されている
請求項1記載の発光表示装置。 - 前記薄膜トランジスタ以外の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極のいずれか他方は、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極のいずれか一方に接続されている
請求項8記載の発光表示装置。 - 前記第1キャパシタを構成する前記第1キャパシタ電極下面の、前記ゲート電極の上方領域内における面積は、前記ゲート電極上面の面積の30%〜100%である
請求項1記載の発光表示装置。 - 前記半導体層は、ポリシリコンで形成されている
請求項1記載の発光表示装置。 - 前記第1キャパシタの静電容量は、0.1〜10pFである
請求項1記載の発光表示装置。 - 前記発光表示装置は、トップエミッション型であり、
前記発光素子は、前記第1キャパシタ電極の上層に形成される
請求項1記載の発光表示装置。 - 前記発光表示装置は、ボトムエミッション型であり、
前記薄膜トランジスタと前記第1キャパシタとは、前記発光素子が形成される発光領域以外の領域に形成される
請求項1記載の発光表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011008286A JP5508301B2 (ja) | 2011-01-18 | 2011-01-18 | 発光表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011008286A JP5508301B2 (ja) | 2011-01-18 | 2011-01-18 | 発光表示装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010521255A Division JP4801794B2 (ja) | 2009-11-27 | 2009-11-27 | 発光表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011114346A true JP2011114346A (ja) | 2011-06-09 |
JP5508301B2 JP5508301B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=44236403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011008286A Active JP5508301B2 (ja) | 2011-01-18 | 2011-01-18 | 発光表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5508301B2 (ja) |
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---|---|
JP5508301B2 (ja) | 2014-05-28 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5508301 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |