JP3361945B2 - 平面ディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
パネル（以下、ＴＦＴ或いはＳＴＮと称する）、プラズ
マディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）に代表
される平面ディスプレイ・パネルにおいて、特に基板に
形成されたパターンの検査・修正を製造一貫ラインの中
に含めた平面ディスプレイパネルの製造方法およびプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＴＦＴやＰＤＰなどの平面ディス
プレイは画面の大型化、画素の微細化が進み、欠陥のな
い製品を製造することが極めて難しく、歩留まりの確保
が大きな課題になっている。このため、製造工程の中に
検査・修正を含めることで、本来なら廃棄するしかない
欠陥パネルを再生させ、歩留まりの向上を図ることが一
般的になってきた。ＴＦＴを対象としたドレイン線の断
線を検査・修正する従来技術としては、特開平８−２４
６２８号公報に記載されている。この従来技術には、全
てのドレイン線に対してその電気的導通を試験すること
によって断線欠陥の有無を検査し、断線欠陥のない基板
については次の工程に送られ、断線欠陥のある基板に対
しては静電特性の変化に基いて欠陥位置の検出が行わ
れ、その欠陥位置に対して修正装置を位置合わせし、欠
陥の修正が行われ、修正された欠陥に対して再度電気的
導通が検査され、欠陥が発見されない場合には基板を次
の工程に送り、もし欠陥が再度発見された場合には欠陥
位置に戻って修正処理が繰り返されることが記載されて
いる。

【０００３】またドレイン線の断線欠陥を修正すること
については、特開平７−２９９８２号公報、特開平８−
１８４８４２号公報、特開平８−２０３８９８号公報に
記載されている。即ち、これらの従来技術には、ドレイ
ン線の断線欠陥部に有機金属錯体溶液を塗布し、レーザ
を照射して有機錯体溶液を熱分解すると共に金属膜を析
出させて修正することが記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術には、工
程管理用のコンピュータにおいて、欠陥検査に関する情
報や欠陥修正に関する情報を基板単位またはロット単位
で管理することによって欠陥が異常に多く発生するのを
抑制し、欠陥が発生した基板に対しては効率良く検査・
修正を施して全体として歩留まりを向上させて低コスト
化を実現しようとする点について十分考慮されていなか
った。

【０００５】本発明の目的は、欠陥が異常に多く発生す
るのを抑制し、欠陥が発生した基板に対しては効率良く
検査・修正を施して全体として歩留まりを向上させて低
コスト化を実現する平面ディスプレイパネルの製造方法
を提供することにある。また本発明の他の目的は、前面
板ガラス基板または背面板ガラス基板上に形成される直
線状の配線パターン（電極パターン）に生じた断線また
は短絡の欠陥に対して効率良く検査・修正を施して全体
として歩留まりを向上させて低コスト化を実現するプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法を提供することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、複数の配線パターンを基板上に並設形成
する配線パターン形成工程と、該配線パターン形成工程
から搬入される基板について、該基板上に並設形成され
た複数の配線パターンの各々について導通試験をするこ
とによって断線または短絡の欠陥が存在するか否かと欠
陥が存在する配線パターンを特定する第一の検査工程
と、該第一の検査工程から搬入される基板について、前
記第一の検査工程で特定された配線パターンについての
み該配線パターン上に存在する欠陥の位置座標を算出す
る第二の検査工程と、該第二の検査工程から搬入される
基板について、前記第二の検査工程で算出された欠陥の
位置座標に基いて該欠陥が存在する領域を光学系の視野
内に位置付けし、該位置付けされた光学系で撮像される
画像信号に基いて設定される前記領域の所望の個所に前
記光学系によりレーザ光束を照射して前記欠陥を修正す
る修正工程とを有することを特徴とする平面ディスプレ
イパネルの製造方法である。

【０００７】また本発明は、複数の配線パターンを基板
上に並設形成する配線パターン形成工程と、該配線パタ
ーン形成工程から搬入される基板について、該基板上に
並設形成された複数の配線パターンの各々について導通
試験をすることによって断線または短絡の欠陥が存在す
るか否かと欠陥が存在する配線パターンを特定する第一
の検査工程と、該第一の検査工程から搬入される基板に
ついて、前記第一の検査工程で特定された配線パターン
のみについて該配線パターン上に存在する欠陥の位置座
標を算出する第二の検査工程と、該第二の検査工程から
搬入される基板について、前記第二の検査工程で算出さ
れた欠陥の位置座標に基いて該欠陥が存在する領域を光
学系の視野内に位置付けし、該位置付けされた光学系で
撮像される画像信号に基いて設定される前記領域の所望
の個所に前記光学系によりレーザ光束を照射して前記欠
陥を修正し、該欠陥が修正された配線パターンについて
導通試験をすることによって修正されたか否かを確認す
る修正工程とを有することを特徴とする平面ディスプレ
イパネルの製造方法である。

【０００８】また本発明は、複数の配線パターンを基板
上に並設形成する配線パターン形成工程と、該配線パタ
ーン形成工程から搬入される基板について、該基板上に
並設形成された複数の配線パターンの各々について導通
試験をすることによって断線または短絡の欠陥が存在す
るか否かと欠陥が存在する配線パターンを特定する第一
の検査工程と、該第一の検査工程から搬入される基板に
ついて、前記第一の検査工程で特定された配線パターン
についてのみ該配線パターン上に存在する欠陥の位置座
標を算出し、該算出された欠陥の位置座標に基いて該欠
陥が存在する領域を光学系の視野内に位置付けし、該位
置付けされた光学系で撮像される画像信号に基いて設定
される前記領域の所望の個所に前記光学系によりレーザ
光束を照射して前記欠陥を修正する第二の検査・修正工
程とを有することを特徴とする平面ディスプレイパネル
の製造方法である。

【０００９】また本発明は、複数の配線パターンを基板
上に並設形成する配線パターン形成工程と、該配線パタ
ーン形成工程から搬入される基板について、該基板上に
並設形成された複数の配線パターンの各々について導通
試験をすることによって断線または短絡の欠陥が存在す
るか否かと欠陥が存在する配線パターンを特定する第一
の検査工程と、該第一の検査工程から搬入される基板に
ついて、前記第一の検査工程で特定された配線パターン
のみについて該配線パターン上に存在する欠陥の位置座
標を算出し、該算出された欠陥の位置座標に基いて該欠
陥が存在する領域を光学系の視野内に位置付けし、該位
置付けされた光学系で撮像される画像信号に基いて設定
される前記領域の所望の個所に前記光学系によりレーザ
光束を照射して前記欠陥を修正し、該欠陥が修正された
配線パターンについて導通試験をすることによって修正
されたか否かを確認する第二の検査・修正工程とを有す
ることを特徴とする平面ディスプレイパネルの製造方法
である。

【００１０】また本発明は、複数の配線パターンを基板
上に並設形成する配線パターン形成工程と、該配線パタ
ーン形成工程から搬入される基板について、該基板上に
並設形成された複数の配線パターンの各々について導通
試験をすることによって断線または短絡の欠陥が存在す
るか否かと欠陥が存在する配線パターンを特定する第一
の検査工程と、該第一の検査工程から搬入される基板に
ついて、前記第一の検査工程で特定された配線パターン
上に存在する欠陥の位置座標を算出する第二の検査工程
と、該第二の検査工程から搬入される基板について、前
記第二の検査工程で算出された欠陥の位置座標に基いて
該欠陥が存在する領域を光学系の視野内に位置付けし、
該位置付けされた光学系で撮像される画像信号に基いて
設定される前記領域の所望の個所に前記光学系によりレ
ーザ光束を照射して前記欠陥を修正し、該欠陥が修正さ
れた配線パターンについて導通試験をすることによって
修正されたか否かを確認する修正工程とを有し、少なく
とも前記第一の検査工程で得られる検査結果に関する情
報と前記修正工程で得られる修正結果に関する情報とを
ネットワークを介して記憶手段に記憶してコンピュータ
によって基板単位またはロット単位で管理することを特
徴とする平面ディスプレイパネルの製造方法である。

【００１１】また本発明は、複数の配線パターンを基板
上に並設形成する配線パターン形成工程と、該配線パタ
ーン形成工程から搬入される基板について、該基板上に
並設形成された複数の配線パターンの各々について導通
試験をすることによって断線または短絡の欠陥が存在す
るか否かと欠陥が存在する配線パターンを特定する第一
の検査工程と、該第一の検査工程から搬入される基板に
ついて、前記第一の検査工程で特定された配線パターン
上に存在する欠陥の位置座標を算出し、該算出された欠
陥の位置座標に基いて該欠陥が存在する領域を光学系の
視野内に位置付けし、該位置付けされた光学系で撮像さ
れる画像信号に基いて設定される前記領域の所望の個所
に前記光学系によりレーザ光束を照射して前記欠陥を修
正し、該欠陥が修正された配線パターンについて導通試
験をすることによって修正されたか否かを確認する第二
の検査・修正工程とを有し、少なくとも前記第一の検査
工程で得られる検査結果に関する情報と前記第二の検査
・修正工程で得られる修正結果に関する情報とをネット
ワークを介して記憶手段に記憶してコンピュータによっ
て基板単位またはロット単位で管理することを特徴とす
る平面ディスプレイパネルの製造方法である。

【００１２】また本発明は、製造工程の中で全製品を対
象にして配線パターン上に存在する欠陥の有無および欠
陥がある場合には配線パターンを特定する第一の検査工
程と、該第一の検査工程で欠陥有りと判定された基板に
おいて特定された配線パターンのみについて詳細に検査
して欠陥位置を算出する第二の検査工程と、該第二の検
査工程で位置が算出された欠陥を修正する修正工程とを
有し、前記第一の検査工程および修正工程から得られる
情報をネットワークを介して工程管理用のコンピュータ
に送信して記憶させることを特徴とするものである。ま
た本発明は、プラズマディスプレイパネルを構成する前
面板ガラス基板または背面板ガラス基板上に形成される
直線状の配線パターンについて検査して断線または短絡
の欠陥を検出し、この検出された断線または短絡の欠陥
に対してエネルギービームを照射して前記欠陥を修正す
ることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造
方法である。

【００１３】以上説明したように、前記構成によれば、
平面ディスプレイパネルを製造する際、工程管理用のコ
ンピュータにおいて、欠陥検査に関する情報や欠陥修正
に関する情報を基板単位またはロット単位で管理するこ
とによって欠陥が異常に多く発生するのを抑制し、欠陥
が発生した基板に対しては効率良く検査・修正を施して
全体として歩留まりを向上させて低コスト化を実現する
ことができる。また前記構成によれば、平面ディスプレ
イパネルの内のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前面板ガラス基板または背面板ガラス基板上に形成され
る直線状の配線パターン（電極パターン）に生じた断線
または短絡の欠陥に対して効率良く検査・修正を施して
全体として歩留まりを向上させて低コスト化を実現する
ことができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明に係る平面ディスプレイ製
造方法の実施の形態について、ＴＦＴ液晶ディスプレイ
を例に図を参照して具体的に説明する。ＴＦＴパネルの
製造工程は、図１及び図７に示すように大きく分けて、
「ゲート配線形成工程４１」「透明電極形成工程４２」
「ａ−Ｓｉパターン形成工程４３」「ドレイン・ソース
電極形成工程４４」「検査・修正工程４５」「絶縁膜形
成工程４６」「ゲート・ドレインショート検査工程４
７」などからなるＴＦＴアレイ製作工程４０と、「配向
膜形成工程」「ラビング工程」「シール印刷工程」「カ
ラーフィルタ重ね合わせ工程」「液晶注入工程」「切断
工程」「検査工程」等からなるパネル製作工程４８と、
「端子接続工程」「プリント板実装工程」「シャーシ組
立工程」「検査工程」などからなるモジュール製作工程
（図示せず）からなっている。この中で、ＴＦＴアレイ
製作工程４０の実施の形態について詳細に説明する。

【００１５】図１は本発明に係るＴＦＴ液晶ディスプレ
イについてのＴＦＴアレイ製作工程の一実施の形態と、
コンピュータ２１において処理する情報の送受信の関係
とを説明するための図である。図２は、本発明に係るＴ
ＦＴ基板における１画素近傍を示す図で、（ａ）はその
平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’矢視断面図で
ある。ゲート配線形成工程４１は、図２に示すようにガ
ラス基板２上にＡｌ等のゲート配線３を形成し、その上
をゲート絶縁膜（Ａｌ₂Ｏ₃）４で被覆する工程である。
透明電極形成工程４２は、図２に示すようにガラス基板
２の上及びゲート絶縁膜４の上をＣＶＤによって絶縁膜
（ＳｉＮ）５で被覆し、この絶縁膜５上に透明な画素電
極７を形成する工程である。半導体パターン形成工程４
３は、図２に示すようにＴＦＴ部に半導体パターン（ａ
−Ｓｉ）６を形成する工程である。ドレイン・ソース電
極形成工程４４は、図２に示すように上記ゲート配線３
とクロスするように上記半導体パターン６と接続される
ドレイン線９、および上記半導体パターン６と画素電極
７とを接続するソース電極（Ａｌ／Ｃｒ）８を形成する
工程である。検査・修正工程４５は、ドレイン線９の断
線または半断線等を検査して断線または半断線個所が存
在した場合それの位置を算出して修正する工程である。
絶縁膜形成工程４６は、上記検査・修正工程で修正され
たドレイン線９の上や画素電極（透明電極）７の上等を
保護膜（ＳｉＮ）１０で被覆する工程である。ゲート・
ドレインショート検査工程４７は、ゲート配線３とドレ
イン線１０との間のクロス部における短絡（ショート）
を検査する工程である。以上がＴＦＴアレイ製作工程４
０を構成する具体的工程を示す。

【００１６】ＴＦＴアレイ製作工程４０の次にパネル製
作工程４８があり、このパネル製作工程４８は、「上記
保護膜１０上にポリイミド等の配向膜を形成する配向膜
形成工程」「ラビング工程」「シール印刷工程」「カラ
ーフィルタ重ね合わせ工程」「液晶注入工程」「切断工
程」「検査工程」等から構成される。次にＴＦＴアレイ
製作工程４０の内の検査・修正工程４５について具体的
に説明する。図１及び図７で示すようにゲート配線形成
工程４１、透明電極形成工程４２、半導体パターン形成
工程４３、およびドレイン・ソース電極形成工程４４を
経て得られた基板１は、カセット（図示せず）に一定枚
数、例えば２０枚が格納され、矢印６１で示すように自
動搬送車（図示せず）で第一の検査ステーションである
断線検査装置５１に搬送される。ここで、基板１は、１
パネル、或いは小さなパネルであれば複数パネル分が形
成されることになる。ドレイン・ソース電極形成後のガ
ラス基板２上には、図２に示すように、画素部にはゲー
ト電極（配線）３、半導体パターン（ａ−Ｓｉ膜）６、
画素電極（透明電極）７、ソース電極８、ドレイン電極
（配線）９が形成されている。尚、ゲート配線３とドレ
イン線９の層間には、層間絶縁膜５が形成されている。
そして、１パネルに対するドレイン線９の数は、ＶＧＡ
（Video Graphics Array）と呼ばれる普通のもので１９
２０本、ＳＶＧＡ（Super Video Graphics Array）と呼
ばれる高精細品で２４００本、ＸＧＡ（Extended Graph
ics Array）では３０００本以上で構成される。

【００１７】第一の検査ステーションである断線検査装
置５１は、矢印６１で示すように搬送されてきたカセッ
トから基板１を順に取り出して、読取手段４５ａによっ
て製造番号を読みとると共に、約２０００本以上の多数
のドレイン線に亘って各ドレイン線９に断線または半断
線があるか否かの第一の検査を行い、この第一の検査結
果の情報（断線欠陥の有無の情報、および断線欠陥があ
る場合には断線（半断線も含む）のある特定されたドレ
イン線の番号と一つのパネルを形成する部分に亘る断線
（半断線も含む）の数などの情報）を得る。この結果、
断線検査装置５１は、各基板の製造番号に対応させて第
一の検査結果の情報を得ることができる。ここで、各ド
レイン線９はＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ或いはそれらの多層薄膜
で形成された配線で、膜厚は０．１〜０．５μｍ程度、
配線幅は概ね５〜１０μｍ程度である。

【００１８】第一の検査ステーションである断線検査装
置５１において、特開平８−２４０６２８号公報に記載
されているように、先ず、図３に示す如く、搬入されて
ステージ上に載置された基板１上に各パネル毎に形成さ
れた約２０００本以上の多数のドレイン線に亘って各ド
レイン線９の両端にプローブ１１、１２を位置決めして
下降させて接触させる。基板１上に形成された各ドレイ
ン線に対するプローブ１１、１２の位置決めは、基板上
に形成された基準マークを光学的に検出し、設計情報か
ら得られる上記基準マークに対する各ドレイン線の位置
座標によって行われる。図３においては、ドレイン線９
以外は省略してある。この時、図３（ａ）に示すよう
に、多数のドレイン線に亘って各ドレイン線９の両端に
プローブ１１、１１’、１１”および１２、１２’、１
２”を接触させるか、あるいは図３（ｂ）に示すよう
に、多数のドレイン線９の一端が電気的に共通電極１３
に接続されている場合には共通電極１３にプローブ１１
を、多数のドレイン線９の各々の他端にプローブ１２、
１２’、１２”を接触させる。この時、各ドレイン線９
に接触するプローブ１１、１２を多数設け、これら多数
のプローブ群を、一度に全ドレイン線５に接触させても
良いし、いくつかのブロックに分けて接触させても良
い。即ち、多数のプローブ群を、一度に全ドレイン線５
に接触させる場合には、プローブの数をドレイン数と同
じにして設置する必要がある。またいくつかのブロック
に分ける場合には、多数のプローブからなるプローブ群
と基板１を載置するステージとを相対的に所定のピッチ
で送ることを繰り返す必要がある。しかし、この場合、
プローブの数を大幅に低減することができる。そして、
断線検査装置５１において、基板１上に各パネル毎に形
成された多数のドレイン線に亘って、マイクロコンピュ
ータ１０７からの選択指令信号１１０に基いて切り換え
回路１０４により電気的に切り換えながら、順次各ドレ
イン線５の両端に接触したプローブ１１、１２間に、電
源１０１により抵抗１０３を介して一定電圧を印加して
電流計１０２により電流を測定するか、または定電流電
源により一定電流を流して電圧計により抵抗間の電圧を
測定する。この測定された電流または電圧を増幅器１０
５で増幅し、Ａ／Ｄ変換器１０６でディジタル信号に変
換し、マイクロコンピュータ１０７に入力する。マイク
ロコンピュータ１０７は、上記選択指令信号１１０毎に
Ａ／Ｄ変換器１０６から得られるディジタル信号に基い
て、各ドレイン線９の抵抗値を短時間で測定し、この測
定された抵抗値が規定値以上であれば、断線または半断
線のある特定されたドレイン線として判定する。そして
マイクロコンピュータ１０７は、読取手段５４ａで製造
番号を読み取った基板１毎に第一の検査結果の情報（断
線欠陥の有無の情報、および断線欠陥がある場合には断
線（半断線も含む）のある特定されたドレイン線の番号
と一つのパネルを形成する部分における断線（半断線も
含む）のドレイン本数などの情報）を得る。なお、マイ
クロコンピュータ１０７は、断線のある特定されたドレ
イン線の番号については、Ａ／Ｄ変換器１０６から得ら
れるディジタル信号に基いて測定される抵抗値が規定値
以上であったときの切り換え回路１０４に与える選択指
令信号１１０から算出することができる。またマイクロ
コンピュータ１０７は、一つのパネルを形成する部分に
おける断線のドレイン本数については、検出された断線
のあるドレイン線の数を一つのパネルを形成する部分に
亘って計数することによって求めることができる。そし
て、マイクロコンピュータ１０７から出力される制御信
号１０９は、基板１を載置したステージとプローブ１
１、１２との間の相対的位置を制御するためのものであ
り、プローブが固定で、ステージを移動させる場合に
は、ステージ駆動制御回路に入力される。マイクロコン
ピュータ１０７に入力される信号は、基板１を載置した
ステージとプローブ１１、１２との間の相対的位置を示
す信号であり、プローブが固定で、ステージを移動させ
る場合には、ステージの変位を計測する変位計から得ら
れる。特に多数のドレイン線に対してプローブ群をいく
つかのブロックに分けて接触させる場合には、プローブ
群と基板１を載置するステージとを相対的に所定のピッ
チで送ることを繰り返すことが必要であるため、上記制
御信号１０９、および信号１１０が必要となる。このよ
うに断線検査装置５１は、単に各ドレイン線９の配線抵
抗を測定して行くだけであり、安価な構成で高速に測定
可能であり、極めて短時間で第一の検査を完了させるこ
とができる。

【００１９】ここで、断線検査装置５１において、基板
１に形成された全てのドレイン線についての断線または
半断線の有無の検査が終了すると、該基板１の製造番号
に対応させて基板毎の第一の検査結果の情報（断線欠陥
の有無の情報、および断線欠陥がある場合には断線のあ
る特定されたドレイン線の番号と一つのパネルを形成す
る部分における断線のドレイン本数などの情報）７１
を、断線検査装置５１のマイクロコンピュータ１０７か
らネットワークにより上位の工程管理用のコンピュータ
２１に送信してコンピュータ２１に接続された記憶装置
２２に記憶する。上記基板毎の第一の検査結果の情報の
内、断線欠陥がある場合における一つのパネルを形成す
る部分における断線のドレイン線数が、所定の数より大
きい場合には該部分に存在する断線したドレイン線にお
ける断線位置の算出およびこの算出された断線の修正を
行わないためである。即ち、一つのパネルを形成する部
分において、断線したドレイン本数が極端に多い場合に
は、実質的に修正が不可能と考えて修正するのをやめる
ためである。なお、断線検査装置５１のマイクロコンピ
ュータ１０７と上位の工程管理用のコンピュータ２１と
の間の情報の授受は、記録媒体を介して行っても良い。
断線検査装置５１において、搬入されたカセット内の全
基板、全パネルに対して上記した検査が終了すると、断
線欠陥がなかった基板についてはカセットに収納して矢
印６２で示すように次の保護絶縁膜形成工程４６へ搬送
し、断線欠陥がある基板についてはカセットに収納して
矢印６３で示すように次の第二の検査ステーションであ
る断線位置算出装置５２へ搬送する。尚、上記第一の検
査を終了した基板を全て元のカセットに戻す場合には、
断線欠陥のない基板についても矢印６３で示すように次
の第二の検査ステーションである断線位置算出装置５２
へ搬送されることになる。この場合、断線位置算出装置
５２には、断線欠陥がある基板も断線欠陥のない基板も
カセットに収納されて搬送されてくることになる。

【００２０】次に、第二の検査ステーションである断線
位置算出装置５２について説明する。即ち、第二の検査
ステーションである断線位置算出装置５２は、矢印６３
で示すように搬送されてきたカセットから順次基板１を
取り出して読取手段５４ｂで製造番号を読みとり、この
読み取られた製造番号に関する情報７２を、ネットワー
クを介して上位の工程管理用のコンピュータ２１に送信
する。工程管理用のコンピュータ２１は、断線位置算出
装置５２から送信される基板の製造番号に対応して記憶
装置２２に記憶された第一の検査ステーション５１での
第一の検査結果の情報と照合し、断線ありと判定された
基板については、上記第一の検査結果の情報に含まれる
断線のある特定されたドレイン線の番号と一つのパネル
を形成する部分における断線のドレイン本数などの情報
７２を断線位置算出装置５２へ送信する。断線位置算出
装置５２において、コンピュータ２１から受信される断
線欠陥ありで、且つ何れかのパネル部分において断線の
ドレイン本数が所定の数より少ないという情報７２に基
いて、該当する基板１をステージ上に載置し、送信した
基板の製造番号に対応してコンピュータ２１から受信さ
れる断線のあるドレイン線の番号の情報７２に基いて、
該当するドレイン線について詳細に検査し、断線位置を
算出してその算出位置座標に関する情報７３を、基板の
製造番号および断線のあるドレイン線の番号に対応させ
てコンピュータ２１に送信して該当する基板の製造番号
における断線のある特定されたドレイン線の番号に、上
記算出位置座標に関する情報を追記して記憶装置２２に
記憶する。なお、断線位置算出装置５２は、読取手段５
４ｂで読み取られた製造番号に対応してコンピュータ２
１から受信される断線欠陥なしの情報７２に基いて、搬
入された基板に断線欠陥が存在しないと判断して、その
基板をカセットに戻すように制御する。

【００２１】断線位置算出装置５２における断線位置算
出方法としては、特開平８−２４０６２８号公報に記載
されているように、図４に示す如く近接して配置された
放射電極との静電結合容量によって発生する信号強度が
断線部の前後で変化することを電気的に検出し、この検
出された変化に基づいて断線位置を算出する方法が優れ
ている。まず、マイクロコンピュータ１２５は、読取手
段５４ｂで製造番号が読み取られて放電電極基板２５が
備えられたステージ上に載置された基板１に対応してコ
ンピュータ２１から受信される断線されたドレイン線の
番号の情報７２に基いて、上位のコンピュータ２１から
ネットワークを介して入力された設計情報（ＣＡＤ情
報）７８から断線されたドレイン線の位置座標を算出
し、該算出された断線されたドレイン線の位置座標に基
いて制御信号１２６を上記ステージを駆動制御するステ
ージ制御系に対して出力して断線欠陥３１を有するドレ
イン線３２の一端に信号検出用プローブ３３を位置付け
し、下降させて接触させる。なお、１２７は、上記ステ
ージ制御系に備えられた変位計で検出されるステージの
位置信号である。次に、マイクロコンピュータ１２５か
ら選択信号１２８を切り換え回路１２２に与え、電源１
２１から所定の周波数を有するパルス信号を、被検査対
象である基板１の下に置かれた放射電極基板２５上の放
射電極２６、２７、２８、２９に対して順番に切り換え
回路１２２により切り換え接続して印加する。すると、
信号検出用プローブ３３は、所定の周波数のパルス信号
が印加された放射電極２６、２７、２８、２９と断線さ
れたドレイン線３２との間の結合容量の変化に起因して
ドレイン線３２に発生する図５に示す信号を検出する。
このようにパルス信号を印加する放射電極を順次切り換
えることによって、信号検出用プローブ３３から検出さ
れた信号をアンプ３４で増幅し、この増幅された信号に
ついて強度変化検出回路１２４により強度変化を検出す
る。マイクロコンピュータ１２５は、切り換え回路１２
２に与える選択信号１２８によって決まる放電電極が設
置された位置と上記強度変化検出回路１２４から得られ
る強度変化を検出した信号との関係から断線したドレイ
ン線上における断線個所の位置を算出し、その２次元の
位置座標を求める。なお、基板上における断線したドレ
イン線の座標については、マイクロコンピュータ１２５
において、断線したドレイン線の番号から入力された設
計情報（ＣＡＤ情報）７８に基いて算出することができ
る。なお、この設計情報（ＣＡＤ情報）７８は、入力手
段１２９を用いて入力してもよい。

【００２２】図５には、放射電極が設置された位置（放
電電極の番号）と、信号検出用プローブ３３から得られ
た信号強度との関係を示す。即ち、信号検出用プローブ
３３から得られた信号強度は、断線部３１を境にして信
号検出プローブ側に相当する放射電極２８、２９にパル
ス信号を印加した場合には高く、反対側の放射電極２
６、２７にパルス信号を印加した場合には低くなり、大
きく変化する位置、即ち放射電極２７と２８の間に断線
欠陥３１があることがわかる。図４には原理を説明する
ため、放射電極を４本しか示していないが、本数を増や
すことで、マイクロコンピュータ１２５は、上記強度変
化検出回路１２４から得られる強度変化を検出した信号
に対して、切り換え回路１２２に与える選択信号１２８
によって決まる放電電極が設置された位置座標に基いて
演算処理することによって、断線したドレイン線上にお
ける断線位置の検出精度を向上させることができる。通
常のＴＦＴ基板に対しては２００〜５００本の放射電極
を設けることで、±１００ミクロン程度の精度で断線欠
陥位置を算出することができる。また、パルス信号を印
加する放射電極の選択・切り替えは、電気的に行うこと
が出来、断線位置の算出を極めて高速に実現できる。そ
の他、断線位置の算出方法として、光学的に画像を取り
込み、設計データと比較する方法でも良いし、欠陥有り
と判定されたドレイン線の光学画像を隣接するドレイン
線の光学画像と比較しても良い。或いは電気光学素子を
用いて配線の電位を画像データとして取り込み、画像の
明暗から欠陥を検出する方法を用いることもできる。

【００２３】以上説明したように、断線検査装置５１に
おいて断線欠陥があると判定されたドレイン線について
のみ、断線位置算出装置５２において検査すればよいの
で、パネル全面を検査する場合に比較して極めて短時間
で検査することができる。即ち、断線位置算出装置５２
のマイクロコンピュータ１２５は、断線のあるドレイン
線上の断線位置を算出してその算出位置座標に関する情
報７３を、基板の製造番号および断線のあるドレイン線
の番号に対応させて上位のコンピュータ２１に送信して
該当する基板の製造番号における断線欠陥のあるドレイ
ン線の番号に、算出された断線個所の２次元の位置座標
に関する情報を追記して記憶装置２２に記憶する。当
然、記憶装置２２には、断線検査装置５１によって検査
された基板毎の第一の検査情報（基板の製造番号、断線
欠陥の有無の情報、および断線欠陥がある場合には断線
のある特定されたドレイン線の番号と一つのパネルを形
成する部分において発生した断線のドレイン本数などの
情報）が記憶されている。従って、記憶装置２２には、
断線検査装置５１によって検査された基板毎の第一の検
査情報に、断線位置算出装置５２によって算出された断
線欠陥のあるドレイン線上の断線個所の２次元の位置座
標が追加して記憶されることになる。即ち、記憶装置２
２には、第二の検査ステーション（断線検査装置５１）
での検査結果である断線欠陥の２次元の位置座標等につ
いての情報が記憶されることになる。なお、断線位置算
出装置５２のマイクロコンピュータ１２５と上位のコン
ピュータ２１との間の情報の授受は、記録媒体を介して
行っても良い。

【００２４】ところで、断線位置算出装置５２のマイク
ロコンピュータ１２５は、断線検査装置５１において判
定した断線したドレイン線上において断線欠陥位置が算
出できなかった場合は、そのパネルは不良と判定し、そ
の旨の情報をネットワークを介して上位のコンピュータ
２１に送信して記憶装置２２に記憶させる。なお、ドレ
イン線上において画素電極７に隣接した部分以外の周辺
の端子部等は位置の算出が難しいので、作業者が断線位
置算出装置５２に設置された光学系で観察して位置を算
出し、その概略位置座標をマイクロコンピュータ１２５
に接続された入力手段１２９を用いて入力し、この入力
された算出の位置の座標情報をマイクロコンピュータ１
２５からネットワークを介して上位のコンピュータ２１
に送信して記憶装置２２に記憶させることができる。ま
たディスプレイ等の表示手段１３０をマイクロコンピュ
ータ１２９に接続して、断線のあるドレイン線上の断線
位置を算出してその算出位置座標に関する情報７３や、
光学系で観察した画像を出力して表示することができ
る。以上説明したように、断線位置算出装置５２におい
て、カセット内の全基板、全パネルについて断線位置の
算出を終了したら、これら基板を収納したカセットを矢
印６４で示すように修正ステーション５３に搬送する。

【００２５】次に、修正ステーションである修正装置５
３において、搬入されたカセットから基板を取り出して
その基板上において断線し、断線位置が算出されたドレ
イン線に対して修正を行う。即ち、修正装置５３は、矢
印６４で示すように搬送されてきたカセットから順次基
板を取り出して読取手段５４ｃで製造番号を読み取り、
この読み取られた製造番号に関する情報７４をネットワ
ークを介して上位の工程管理用のコンピュータ２１に送
信する。工程管理用のコンピュータ２１は、修正装置５
３から送信される基板の製造番号に対応して記憶装置２
２に記憶された第一の検査情報と照合し、断線ありと判
定された基板については、断線のあるドレイン線の番号
に追記された２次元の断線位置座標などの情報７４を修
正装置５３へ送信する。修正装置５３において、コンピ
ュータ２１から受信される断線欠陥ありで、且つ何れか
のパネル部分において断線のドレイン本数が所定の数よ
り少ないという情報７４に基いて、該当する基板１をス
テージ２０３上に載置し、送信した基板の製造番号に対
応してコンピュータ２１から受信される断線個所の２次
元の位置座標などの情報７４に基いて、断線個所を修正
光学系２０８の視野内に位置付けて再現する。なお、修
正装置５３が、読取手段４５ｃで読み取ってコンピュー
タ２１へ送信した製造番号の基板１上には断線欠陥が存
在するドレイン線がないという情報がコンピュータ２１
から得られた場合には、その基板をカセットに戻すこと
になる。 次に修正装置５３の構成について、図６を用
いて説明する。

【００２６】まず、修正装置５３の主要部について説明
する。溶媒で溶解された金属溶液（金属イオンまたは金
属原子を含む液体材料）としては、例えば、Ｐｄ、Ａ
ｕ、Ｐｔなどの金属錯体を有機溶媒に溶解させた金属錯
体溶液を使用する。この微量の金属溶液を、先端内径１
〜２μｍに形成したガラスピペット２０９の内部に充填
し、そしてピペット２０９をマニピュレータ２１１で移
動させることによって微量の金属溶液を移送してピペッ
ト２０９の先端を基板１の表面に断線部３１における必
要部分に接触させた状態でピペット２０９の内部に窒素
などの不活性ガスを供給して圧力を印加し、ピペット２
０９の先端から金属溶液（例えば金属錯体溶液）２５１
を微量吐出させ、基板１上の断線部３１における必要部
分のみに供給塗布する。この塗布に先立って、ピペット
２０９の先端を金属錯体溶液中に浸漬させておくことに
より、ピペット先端部の金属溶液から溶媒が蒸発して粘
度が変化したり、先端が固まって材料の吐出が阻害され
ることがない。即ち、被修正基板（基板）１のステージ
２０３上への載置、位置決め、確認等の作業が終了して
からガラスピペット２０９の先端を金属溶液から取り出
し、ほぼ一定時間後、例えば３０秒後（マニピュレータ
２１１によってピペット２０９を移動させてるのに要す
る時間経過後）から塗布を開始することで、ピペット２
０９の先に充填された微量の金属溶液を、常に電子回路
基板上においてほぼ一定の幅に供給、塗布することがで
きる。供給後は当然、ガラスピペット２０９の先端を金
属溶液中に浸漬する。

【００２７】また、この方法を実現するためには塗布す
る量（通常は１ｐｌ（ピコリットル）程度）よりも十分
に多い量の金属溶液（例えば１ｍｌ）を収納した蓋付き
の容器を、ガラスピペットの位置決め駆動範囲内に設置
するだけで良い。容器の蓋は溶媒の蒸発を防止するため
のもので、ガラスピペット２０９を出し入れするときだ
け開閉できる機構を有している。即ち、大気と実質的に
閉ざされた雰囲気または容器内に存在する溶媒で溶解さ
れた金属溶液から、微量の金属溶液をマニピュレータ２
１１で移動されるガラスピペット２０９等の移送手段に
よって基板１上の断線部３１に移送して供給（塗布）す
ることによって、微量の金属溶液を上記移送手段によっ
て移送を開始するまでの待ち時間に関係なく、上記移送
手段により微量の金属溶液を移送して常に基板上におい
てほぼ一定の幅に供給、塗布することができる。塗布が
終了した後、Ａｒレーザ光等のレーザ光を照射して溶媒
を蒸発させると同時に、電子回路基板上に残留した金属
合成物（金属錯体）を熱分解して、金属（例えばＰｄ、
金、白金等の貴金属）膜を形成する。その後、窒素など
の不活性ガス雰囲気中で再度レーザ光を照射して、膜質
を向上させる。

【００２８】このように、待機時にはガラスピペット２
０９等の移送手段の先端を金属溶液（金属錯体溶液）に
浸漬しておく（金属溶液が大気に実質的に閉ざされた雰
囲気または容器内に存在する）ため、ガラスピペット２
０９等の移送手段の先端の状態が一定に保たれ、塗布さ
れる金属溶液（金属錯体溶液）の幅は常にほぼ一定とな
り、最終的に得られる導電性膜からなる配線の幅もほぼ
一定となる。このため、信頼度の高い修正部が得られ
る。更には、パルスレーザ光のよる加工を組み合わせる
ことにより、異物の除去、短絡した回路の切断、剥離起
因のクラックなどの除去と、金属錯体への連続発振レー
ザ光照射による局所的な金属膜形成を組み合わせて、種
々の原因で発生した種々の形態の欠陥を修正することが
できる。

【００２９】図６は修正装置５３の一実施の形態の構成
を示す図である。本装置は定盤２０１、定盤２０１上に
固定された門型フレーム２０２、被修正物である基板１
を載置しＸＹに駆動するためのステージ２０３、Ａｒレ
ーザ発振器２０４およびＹＡＧレーザ発振器２０５から
発振されたレーザ光２０６、２０７の照射と基板１の観
察、位置決めを行うための門型フレーム２０２に固定さ
れた光学系２０８、液体材料２５１を塗布するためのガ
ラスピペット２０９とそれを保持固定するホルダ２１
０、ガラスピペット２０９をＸＹＺ方向に駆動するため
のマニピュレータ２１１、ガラスピペット２０９内に窒
素などの不活性ガスを用いて圧力を印加するためインジ
ェクタ２１２と配管２１３、液体材料２５１を格納した
容器（図示せず）と開閉自在に設けられた蓋、窒素など
の不活性ガスを吹き付けるための配管２２２とノズル２
２３、および全体の制御を行う制御装置２２５から構成
されている。また、光学系２０８は落射照明装置２１
４、Ａｒレーザ光２０６とＹＡＧレーザ光２０７とを結
合するための結合プリズム２１５、レーザ光２０６、２
０７を任意の大きさの矩形に成形するための可変スリッ
ト２１６、レーザ光２０６、２０７と照明光を結合する
ためのミラー２４２、対物レンズ２１８、対物レンズ２
１８による基板１からの光を反射させるハーフミラー２
１７、位置決め、観察するためのＴＶカメラ２１９、モ
ニタ２２１、およびＴＶカメラ２１６からの画像信号を
処理する画像処理装置２２０から構成されている。

【００３０】ここで、主な部分の機能を説明する。定盤
２０１はその上に設置するものを固定するためのもの
で、実施に当たっては十分な剛性を有するフレームでも
良く、床からの振動を遮断するために防振装置（図示せ
ず）を設置することが望ましい。また、門型フレーム２
０２は主に光学系２０８を固定保持するためのもので、
十分な剛性を有する。ステージ２０３は上に載置する基
板１の全面を走査できるストロークを有し、必要に応じ
て基板１を搬送ロボット等で自動的に着脱する位置へ搬
送できるストロークを有する。Ａｒレーザ発振器２０４
は、基板１上に塗布した液体材料（金属溶液）を熱分解
したり、レーザアニールするための熱源として使用す
る。ＹＡＧレーザ発振器２０５は、基板１上に残留して
いる異物の除去、修正部の形状トリミング、透明電極の
切欠き等に使用する。それぞれの発振器から発振したレ
ーザ光２０６、２０７は光学系２０８で集光・照射され
るが、制御装置２２５によって制御される矩形スリット
２１６で任意の大きさの矩形に成形され、対物レンズ２
１８により基板１の表面上に、対物レンズ２１８の倍率
の逆数の大きさで投影照射される。

【００３１】マニュピレータ２１１はガラスピペット２
０９の先端を、修正すべき欠陥位置に位置決めしたり、
液体材料を格納した容器内の液体材料に浸漬させたりす
るために用いる。そして、ステージ２０３およびマニュ
ピレータ２１１の駆動、レーザ発振器２０４、２０５の
ｏｎ、ｏｆｆ、矩形スリット２１６の駆動、インジェク
タ２１２による窒素ガス圧の印加、ノズル２２３からの
不活性ガス吹き付け等の制御を行う。このように、先端
内径が数ミクロンのガラスピペット２０９から押し出さ
れた液体材料２５１を基板１に付着させ、液体材料の表
面張力と濡れの釣り合いで決まる領域に塗布するもので
あるため、溶媒（有機溶媒）の種類と量あるいはガラス
ピペット２０９の内径、印加するガス圧などによって塗
布寸法を制御可能となる。即ち、基板１に濡れやすい溶
媒を選択することにより幅が広く膜厚は薄くなり、濡れ
にくい溶媒を選択することにより幅が小さく膜厚は厚く
なる。また、溶媒の量が少ない程粘度が高くなり、膜厚
が厚くなる。従って、錯体を塗布する部分に溝を形成す
る前処理など付加プロセスを必要とせずに、膜厚や幅の
制御が可能となる。

【００３２】修正ステーションである修正装置５３のマ
イクロコンピュータ２３８において、搬入されたカセッ
トから基板を取り出してステージ２０３上に載置してそ
の基板の製造番号を読取手段５４ｃで読みとり、この製
造番号に関する情報７４をコノネットワークを介してコ
ンピュータ２１に送信する。工程管理用のコンピュータ
２１は、修正装置５３から送信された基板の製造番号に
対応して記憶装置２２に記憶された情報と照合し、断線
ありと判定された基板については、第二の検査ステーシ
ョンでの検査結果である断線欠陥の２次元の位置座標等
についての情報（断線欠陥の存在するドレイン線におけ
る欠陥個所の２次元の位置座標についての情報）７４
を、修正装置５３に送信する。修正装置５３は、コンピ
ュータ２１からネットワークを介して断線なしという基
板の情報７４を受信すると、その基板をカセットに戻
し、新たな基板をステージ２０３上に載置することにな
る。修正ステーションである修正装置５３は、断線欠陥
のある基板の場合には、受信された第二の検査ステーシ
ョンでの検査結果である断線欠陥の２次元の位置座標等
についての情報７４に基いて制御情報２３９を制御装置
２２５に送信し、制御装置２２５によりステージ２０３
を駆動する駆動手段２２４を駆動制御して、断線欠陥３
１の２次元位置を修正光学系２０８の視野内に再現す
る。すると、ＴＶカメラ２１９は、断線欠陥３１も含め
たドレイン線３２の画像を撮像して画像信号を出力す
る。画像処理装置２２０はこの画像信号に対して微分処
理等することによってドレイン線３２のエッジ部を抽出
処理することによって断線欠陥３１となっているドレイ
ン線の端の位置を算出することができる。もし、画像処
理装置２２０において、断線欠陥３１となっているドレ
イン線の端の位置を算出することが不可能な場合、断線
欠陥３１が見つからなかったとして、その後の修正は行
わない。ただし、モニタ２２１には、ＴＶカメラ２１９
で撮像した画像や、画像処理装置２２０で画像処理され
た断線欠陥３１となっているドレイン線の端の位置を表
示することができるので、画像処理装置２２０における
画像処理について確認をすることができる。またモニタ
２２１には、修正されたドレイン線からＴＶカメラ２１
９によって撮像させる画像も表示することができる。こ
れによって、作業者が修正も正常に行われたかについて
も確認することができる。

【００３３】以下、修正装置５３における断線欠陥の修
正手順について図７を用いて説明する。図７（ａ）には
断線欠陥３１を有するドレイン線３２の断面を示してい
る。先端内径を１〜５ミクロン、先端外径を１０〜２０
ミクロンに形成したガラスピペット２０９内に有機金属
錯体溶液２５１を充填し、この充填されたガラスピペッ
ト２０９の先端を、制御装置２２５によりマニュピレー
タ２１１を駆動制御して断線欠陥３１の近傍にもってい
く。画像処理装置２２０は、ＴＶカメラ２１９によって
撮像される断線欠陥３１の近傍の画像からガラスピペッ
ト２０９の先端位置とドレイン線３２との相対的位置を
算出し、この相対的位置情報を制御装置２２５にフィー
ドバックする。制御装置２２５は、この相対的位置情報
に基いてマニュピレータ２１１を駆動制御してガラスピ
ペット２０９の先端を断線欠陥部３１近くのドレイン線
３２上に接触させる。ここで、有機金属錯体溶液として
トリフロロ酢酸パラジウムをＮ−メチル−２−ピロリド
ンとアセトニトリルの混合液に溶解したものが適してい
る。特に、トリフロロ酢酸パラジウムとＮ−メチル−２
−ピロリドンとアセトニトリルの重量比が５０：２５：
２５のものが最適である。

【００３４】次に、制御装置２２５からインジェクタ２
１２への制御により、ガラスピペット２０９のドレイン
線３２に接触している反対の端から窒素圧をパルス的に
印加して有機金属錯体溶液２５１を微量ずつ押し出しな
がら、制御装置２２５からの制御によりマニュピレータ
２１１を駆動制御してガラスピペット２０９を相対的に
断線欠陥３１方向に移動させ、図７（ｂ）に示すように
断線欠陥３１とその両端のドレイン線３２上に有機金属
錯体溶液膜２５２を形成し、ガラスピペット２０９を待
避させる。このように有機金属錯体溶液膜２５２を形成
した後、制御装置２２５からの発振制御信号によりＡｒ
レーザ発振器２０４を連続発振させながら、制御装置２
２５により駆動手段２２４を駆動制御してステージ２０
３を移動させて、連続発振Ａｒレーザ光２５３を図７
（ｃ）に示すように有機金属錯体溶液膜２５２の一端か
ら他端まで走査しながら照射する。この時の照射領域
は、塗布した有機金属錯体溶液膜を十分にカバーするよ
うに設定する。このレーザ照射は、有機金属錯体膜中の
有機物を効率的に除去するために、大気中で行うことが
望ましい。レーザ照射により、有機金属錯体溶液膜２５
２から溶媒が気化すると共に、有機金属錯体が熱分解
し、有機成分が気体として脱離するため、金属のみが金
属薄膜２５４として残る。有機金属錯体としてトリフロ
ロ酢酸パラジウムを使用した場合は、パラジウム薄膜が
形成される。これにより、ドレイン線３２の断線欠陥部
３１は金属薄膜（パラジウム薄膜）２５４で被覆される
ため、電気的に接続され、断線欠陥が修正されたことに
なる。尚、レーザ照射の条件によって金属薄膜２５４が
酸化し、修正部の抵抗が高くなる場合があるが、図７
（ｃ）に示すように形成された金属膜２５４に制御装置
２２５からの制御によりノズル２２３から不活性ガス、
窒素ガス等を吹き付けて不活性ガス、窒素ガス等の雰囲
気にし、再度制御装置２２５からの発振制御信号により
Ａｒレーザ発振器２０４を連続発振させて連続発振Ａｒ
レーザ２５３を照射すること（レーザアニール）によ
り、酸化物の酸素を遊離させ、金属薄膜２５５のみを残
留させることで、修正部の抵抗値を低減することができ
る。なお、上記雰囲気を真空雰囲気にしてもよい。しか
し、真空雰囲気にするには、装置構成が複雑になる。

【００３５】ここで、有機金属錯体溶液としてトリフロ
ロ酢酸パラジウムをアセトニチリルとＮーメチルー２ー
ピロリドンに溶解した溶液を用いる場合について説明し
てきたが、これに限定されるものではなく、金、白金、
パラジウムなどの貴金属の錯体を有機溶媒に溶解したも
のを使用することが出来、溶媒としてトルエン、キシレ
ン、ブチロニトリル、プロピオニトリル等の有機溶媒を
使用することが出来る。その他、金属の超微粒子を有機
溶媒中に分散させた液体材料についても同様に使用する
ことが出来る。金属超微粒子の分散液を使用した場合に
は、レーザ照射により有機溶媒が気化すると共に、接触
している超微粒子同士の表面で相互拡散が生じ、電気的
に連続した金属膜が残留する。また、有機金属錯体の分
解およびレーザアニールのためのレーザ光として連続発
振のＡｒレーザを使用した場合について説明してきた
が、ＹＡＧレーザ、半導体レーザ、或いはこれらのレー
ザ光を機械的、音響光学的、電気光学的手段でパルス化
したレーザ光を使用することが出来る。

【００３６】修正方法として、上記の有機金属錯体溶液
を使用する方法以外に、レーザＣＶＤを適用することが
できる。これは、ガラス基板を真空チャンバ内に入れる
か、カップ上の容器を開口部を基板表面に対向して近接
させ、真空チャンバ内或いはカップ状容器内を、モリブ
デンカルボニル、タングステンカルボニル等の金属カル
ボニル化合物、フッ化タングステン等の金属フッ化物等
のＣＶＤ材料ガス雰囲気とし、真空チャンバ或いはカッ
プ状容器の外からレーザ光を照射して、レーザ光照射部
のみに金属膜を析出させる方法である。ＣＶＤガス雰囲
気で、断線欠陥に接するドレイン線の上から、断線部を
経由して反対側のドレイン線上にレーザを走査するか、
或いは断線部とその両端のドレイン線上に一括してレー
ザ光を照射することで、断線欠陥を修正することが出来
る。ここで、レーザ光として連続発振のＡｒレーザ、Ｙ
ＡＧレーザ、半導体レーザ、或いはこれらのレーザ光を
機械的、音響光学的、電気光学的手段でパルス化したレ
ーザ光を使用することが出来る。

【００３７】修正が終了すると、修正装置５３における
導通チェック機構で断線欠陥のあったドレイン線を電気
的に検査し、修正が出来たか否かを確認する。具体的に
は、図３で説明した要領で修正したドレイン線の両端に
プローブ２３１、２３２を接触させ、ドレイン線の配線
抵抗を測定することで確認できる。即ち、画像処理装置
２２０は、ＴＶカメラ２１９によって撮像される断線欠
陥３１の近傍の画像から修正したドレイン線３２の位置
を算出する。制御装置２２５は、この算出された修正し
たドレイン線３２の位置情報に基づいてステージ２０３
を制御してプローブ２３１、２３２に対して修正したド
レイン線３２を位置決めすると共にプローブ２３１、２
３２とステージ２０３との間において相対的に降下して
プローブ２３１、２３２を修正したドレイン線３２の両
端に接触させる。そして、修正したドレイン線３２の両
端に接触したプローブ２３１、２３２間に、電源２３３
により抵抗２３５を介して一定電圧を印加して電流計２
３４により電流を測定するか、または定電流電源により
一定電流を流して電圧計により抵抗間の電圧を測定す
る。この測定された電流または電圧を増幅器２３６で増
幅し、Ａ／Ｄ変換器２３７でディジタル信号に変換し、
マイクロコンピュータ２３８に入力する。マイクロコン
ピュータ２３８は、Ａ／Ｄ変換器２３７から得られるデ
ィジタル信号に基いて、修正したドレイン線３２の抵抗
値を短時間で測定し、この測定された抵抗値が、規定値
以下であれば修正でき、規定値以上であれば修正できて
いないとして判定し、この修正結果についての情報７５
をネットワークを介して上位のコンピュータ２１に送信
して第一の検査ステーションでの検査結果の情報に付記
して記憶装置２２に記憶させる。このように修正後の確
認は別装置を設けて実施しても良いが、搬送・アライメ
ント時間の短縮、製造ライン床面積の削減等の観点から
修正装置５３内で実施する方が望ましい。

【００３８】以上説明したように、位置が確認された全
ての断線欠陥を修正後、基板１を格納したカセットは、
矢印６５で示すように、次工程、例えば図１に示す絶縁
膜形成工程４６に搬送される。この時、断線欠陥がある
にもかかわらず、画像処理装置２２０で断線欠陥の位置
が認識できなかったり、修正に失敗した基板１は、不良
としてカセットから除外しても良い。しかし、基板１
は、複数のパネルで構成される場合には、良品のパネル
を有することになるので、次工程、例えば図１に示す絶
縁膜形成工程４６に搬送される。当然、１パネル内に複
数の欠陥があった場合、１ケ所でも修正に失敗した場合
は、そのパネルは不良と判定される。矢印６２および６
５で示すように、カセットに収納されて絶縁膜形成工程
４６に搬送された基板１は、カセットから取り出され、
上記修正装置５３で修正されたドレイン線９の上や画素
電極（透明電極）７の上等を保護膜（ＳｉＮ）１０で被
覆され、カセットに戻される。このようにして基板１上
には、保護膜１０からなる絶縁膜が形成される。

【００３９】次に、矢印６６で示すように基板を収納し
たカセットがゲート・ドレインショート検査工程４７へ
搬送される。ゲート・ドレインショート検査工程４７
は、カセットから取りだした基板の製造番号を読取手段
５４ｄで読み取り、該読み取った製造番号に対応した上
位の工程管理用のコンピュータ２１から得られる第一の
検査結果情報７１および修正結果情報７５によってパネ
ル単位でゲート配線とドレイン線との間のショート検査
を行うかを決定する。即ち、パネル単位で、断線のドレ
イン本数が非常に多く発生した場合および修正できなか
ったドレイン線が存在する場合は、修正が行われなかっ
たため、ショート検査を行わないようにして、ショート
検査の時間短縮をはかることができる。以上により、Ｔ
ＦＴアレイ製作工程４０は終了することになる。ＴＦＴ
製造におけるドレイン線の断線欠陥発生率は、通常は
０．１〜数％の範囲であり、第二の検査工程および修正
工程を実施する必要があるパネルは、全体から見れば少
数であり、工程時間の増加およびコストの上昇はわずか
である。

【００４０】以上説明したように、検査・修正工程４５
によって、パターン形成後に安価でかつ高速に検査でき
る第一の検査ステーションで断線欠陥の有無と断線があ
る場合にはどの配線かまでを検査し、第二の検査ステー
ションで断線欠陥のある配線のみを詳細に検査して、断
線位置を算出し、修正ステーションで位置の算出された
断線欠陥を修正することで、全体として安価で高速に検
査・修正を行うことが出来、結果として製品の製造歩留
まりを向上することができる。

【００４１】ＴＦＴアレイ製作工程４０が終了した基板
は、カセットに収納されてパネル製作工程４８へ移行す
ることになる。パネル製作工程４８では、上位の工程管
理用のコンピュータ２１から得られる第一の検査結果情
報７１および修正結果情報７５によって基板を形成して
いる全てのパネルにおいて不良と判断される場合には、
パネル製作工程を経ずに廃棄される。良品のパネルにつ
いては、切断後使用するようにモジュール製作工程へ進
ませることになる。以上説明したように、上位の工程管
理用のコンピュータ２１の記憶装置２２には、第一の検
査結果情報７１、第二の検査結果情報７３および修正結
果情報７５が基板の製造番号に対応させて記憶されるの
で、これら記憶された情報を上位のコンピュータ２１に
接続された端末２３に出力することによって、ＴＦＴア
レイ製作工程４０についての製造管理を行なうことがで
きる。また製造工程４１〜４４において、使用したスパ
ッタ装置、ＣＶＤ装置、露光装置、エッチング装置等に
ついてのメンテナンスも含めて製造条件に関する来歴情
報を、基板の製造番号に対応させて入力手段２４を用い
て上位のコンピュータ２１に入力させることによって、
上位のコンピュータ２１は記憶装置２２に記憶された情
報に基いて、不良原因を推定することができ、その不良
原因等を端末装置２３に出力することもできる。また上
位のコンピュータ２１は、記憶装置２２に記憶された情
報を常時監視することにより、断線欠陥の発生が異常に
増加したことを検出してアラームとして端末装置２３に
出力することもできる。即ち、上位のコンピュータ２１
は、断線欠陥の発生状況および断線欠陥の修正状況につ
いて、基板単位またはロット単位で把握して管理するこ
とができるので、断線欠陥の発生率を最低限に、例えば
０．１〜数％の範囲以下に抑制して修正が必要なパネル
数をごく少数にして、ほぼ全てのパネルを使用すること
を可能にして大幅に歩留まり向上を図って、省資源化を
はかることができると共に、大幅な原価低減を実現する
ことができる。

【００４２】次に、図１に示す第二の検査ステーション
である断線位置算出装置５２と修正ステーションである
修正装置５３とを一つの検査・修正ステーションにおい
て実行する断線位置算出・修正装置について説明する。
図８は図１とは異なる本発明に係るＴＦＴ液晶ディスプ
レイについてのＴＦＴアレイ製作工程の他の一実施の形
態と、コンピュータ２１において処理する情報の送受信
の関係とを説明するための図である。図１と同様に、ド
レイン・ソース電極形成工程４４の後の検査・修正工程
４５を対象にしている。ドレイン・ソース電極形成工程
４４を経た基板１はカセット（図示せず）に格納され、
矢印６１で示すように自動搬送車（図示せず）で第一の
検査ステーションである断線検査装置５１に搬入され
る。断線検査装置５１は、前の実施の形態と同様に、基
板１を順にカセットから取り出して、読取手段５４ａで
製造番号を読みとると共に、各ドレイン線９に断線があ
るか否かの判定を行う。ここで、図３に示すように、基
板１上に形成されたドレイン線９の両端にプローブ１
１、１２を接触させる。図３において、ドレイン線９以
外は省略してある。この時、図３（ａ）に示すように、
各ドレイン線９の両端にプローブ１１、１１’、１１”
および１２、１２’、１２”を接触させるか、あるいは
図３（ｂ）に示すように、ドレイン線９の一端が電気的
に共通電極１３に接続されている場合には共通電極１３
にプローブ１１を、ドレイン線９の他端にプローブ１
２、１２’、１２”を接触させる。この時、ドレイン線
９に接触するプローブ１１、１２は全ドレイン線９に一
度に接触させても良いし、いくつかのブロックに分けて
接触させても良い。電気的に切り替えながら、順次ドレ
イン線９の両端に接触したプローブ１１、１２間に、一
定電圧を印加して電流を測定するか、または一定電流を
流して電圧を測定することで、マイクロコンピュータ１
０７においてドレイン線９の抵抗値を測定し、この測定
された抵抗値が規定値以上であれば、断線のある特定さ
れたドレイン線と判定する。ここでは、単に各ドレイン
線９の配線抵抗を測定して行くだけであり、安価な装置
で高速に測定可能であり、極めて短時間で検査は完了す
る。ここで、もし断線があれば、マイクロコンピュータ
１０７は、基板の製造番号、一つのパネルにおいての断
線のドレイン本数、断線のある特定されたドレイン線の
番号などの情報をネットワークにより上位のコンピュー
タ２１に送り、基板の製造番号に対応させて記憶装置２
２に記憶する。また、これらの情報の授受を磁気媒体を
介して行う場合には、それらの情報を磁気媒体に記録す
る。このように第一の検査ステーションである断線検査
装置５１において、カセット内の全基板、全パネルに対
して検査を終了すると、断線欠陥がなかった場合には矢
印６２で示すようにカセットを次の工程である保護絶縁
膜形成工程４６へ搬送する。

【００４３】第一の検査ステーションである断線検査装
置５１のマイクロコンピュータ１０７において断線欠陥
が発見された場合には、矢印６３で示すようにカセット
を、検査・修正ステーションである断線位置算出・修正
装置５５に搬送する。ここで、断線位置算出・修正装置
５５は、具体的な実施の形態として図９に示すように、
装置架台２４９、定盤２４７、ステージ２４６、ステー
ジ２４６上に設置された放射電極基板２５、ＴＦＴ基板
１上に形成されたドレイン線に接触するためのプローブ
３３、検査部光学系２４５、金属錯体溶液を塗布するた
めのガラスピペット２０９を駆動するためのマニピュレ
ータ２１１、ＹＡＧレーザ発振器２０５から発信したレ
ーザ光とＡｒレーザ発振器２０４で発振したレーザ光２
０６を結合する光学系２０８、各光学系を固定するため
の門形フレーム２４８、各光学系で撮像した観察画像を
処理する画像処理装置２２０、表示するためのモニタ２
２１等から構成される。２１８は対物レンズを示す。２
１９は、光学系２０８で得られる画像を撮像するＴＶカ
メラである。検査部光学系２４５においても、基板１上
に形成された基準マークを撮像するＴＶカメラ等の撮像
手段を有している。

【００４４】断線位置算出・修正装置５５に送られてき
たカセットから基板１を順次ステージ２４６上（正確に
は放射電極基板２５上）に載置し、読取手段４５ｂで読
み取った製造番号を、マイクロコンピュータ２６１は、
ネットワークを介して上位のコンピュータ２１に送り、
記憶装置２２に記憶された第一の検査ステーション５１
での検査結果の情報と照合し、該当する製造番号のパネ
ルに関する断線検査装置５１での検査結果の情報（断線
ありと判定された基板については、断線のあるドレイン
線の番号と一つのパネルを形成する部分における断線の
ドレイン本数などの情報）７２をネットワークを介して
受け取る。磁気媒体を介して行う場合には、磁気媒体に
記録してある情報を参照する。該当する基板に断線欠陥
が存在しない場合には、その基板をカセットに戻し、次
の基板を載置する。断線欠陥の存在する基板について
は、必要な情報７２をネットワークを介して受け取り、
一つのパネルを形成する部分における断線のドレイン本
数が所定の本数以下で、且つ断線有りと判断されたドレ
イン線５についてのみ、マイクロコンピュータ２６１は
詳細に検査し、２次元の断線位置を算出する。

【００４５】断線位置算出・修正装置５５における断線
位置算出方法としては、特開平８−２４０６２８号公報
に記載されているように、図４に示す如く近接して配置
された放射電極との静電結合容量によって発生する信号
強度が断線部の前後で変化することを電気的に検出し、
この検出された変化に基づいて断線位置を算出する方法
が優れている。まず、マイクロコンピュータ２６１は、
読取手段５４ｂで製造番号が読み取られて放電電極基板
２５が備えられたステージ２４６上に載置された基板１
に対応してコンピュータ２１から受信される断線された
ドレイン線の番号の情報７２に基いて、上位のコンピュ
ータ２１からネットワークを介して入力された設計情報
（ＣＡＤ情報）７８から断線されたドレイン線の位置座
標を算出し、該算出された断線されたドレイン線の位置
座標に基いて制御信号２６５を制御装置２６４を介して
上記ステージ２４６を駆動制御するステージ制御系２６
７に対して出力して断線欠陥３１を有するドレイン線３
２の一端に信号検出用プローブ３３を位置付けし、下降
させて接触させる。なお、２６９は、上記ステージ制御
系２６７に備えられた変位計２６８で検出されるステー
ジの位置信号である。次に、マイクロコンピュータ２６
１から選択信号１２８を切り換え回路１２２に与え、電
源１２１から所定の周波数を有するパルス信号を、被検
査対象である基板１の下に置かれた放射電極基板２５上
の放射電極２６、２７、２８、２９に対して順番に切り
換え回路１２２により切り換え接続して印加する。する
と、信号検出用プローブ３３は、所定の周波数のパルス
信号が印加された放射電極２６、２７、２８、２９と断
線されたドレイン線３２との間の結合容量の変化に起因
してドレイン線３２に発生する図５に示す信号を検出す
る。このようにパルス信号を印加する放射電極を順次切
り換えることによって、信号検出用プローブ３３から検
出された信号をアンプ３４で増幅し、この増幅された信
号について強度変化検出回路１２４により強度変化を検
出する。マイクロコンピュータ２６１は、切り換え回路
１２２に与える選択信号１２８によって決まる放電電極
が設置された位置と上記強度変化検出回路１２４から得
られる強度変化を検出した信号との関係から断線したド
レイン線上における断線個所の位置を算出し、その２次
元の位置座標を求める。なお、基板上における断線した
ドレイン線の座標については、マイクロコンピュータ２
６１において、断線したドレイン線の番号から入力され
た設計情報（ＣＡＤ情報）７８に基いて算出することが
できる。なお、この設計情報（ＣＡＤ情報）７８は、入
力手段２６２を用いて入力してもよい。

【００４６】図４には原理を説明するため、放射電極を
４本しか示していないが、本数を増やすことで、マイク
ロコンピュータ２６１は、上記強度変化検出回路１２４
から得られる強度変化を検出した信号に対して、切り換
え回路１２２に与える選択信号１２８によって決まる放
電電極が設置された位置座標に基いて演算処理すること
によって、断線したドレイン線上における断線位置の検
出精度を向上させることができる。通常のＴＦＴ基板に
対しては２００〜５００本の放射電極を設けることで、
±１００ミクロン程度の精度で断線欠陥位置を算出する
ことができる。また、パルス信号を印加する放射電極の
選択・切り替えは、電気的に行うことが出来、断線位置
の算出を極めて高速に実現できる。その他、断線位置の
算出方法として、光学的に画像を取り込み、設計データ
と比較する方法でも良いし、欠陥有りと判定されたドレ
イン線の光学画像を隣接するドレイン線の光学画像と比
較しても良い。或いは電気光学素子を用いて配線の電位
を画像データとして取り込み、画像の明暗から欠陥を検
出する方法を用いることもできる。以上説明したよう
に、断線位置算出・修正装置５５において断線欠陥があ
ると判定されたドレイン線についてのみ、検査すればよ
いので、パネル全面を検査する場合に比較して極めて短
時間で検査することができる。

【００４７】即ち、断線位置算出・修正装置５５のマイ
クロコンピュータ２６１は、断線のあるドレイン線上の
断線位置を算出してその算出位置座標に関する情報７３
を、基板の製造番号および断線のあるドレイン線の番号
に対応させて内部メモリまたは接続された記憶装置２７
０に記憶する。当然、記憶装置２７０には、読取手段４
５ｂで読み取られた基板の製造番号に対応して上位のコ
ンピュータ２１から受信される第一の検査情報（基板の
製造番号、および断線欠陥がある場合には断線のあるド
レイン線の番号などの情報）が記憶されることになる。
従って、記憶装置２７０には、算出された断線欠陥のあ
るドレイン線上の断線個所の２次元の位置座標等が記憶
されることになる。ところで、マイクロコンピュータ２
６１は、断線検査装置５１において判定した断線したド
レイン線上において断線欠陥位置が算出できなかった場
合は、そのパネルは不良と判定し、その旨の情報をネッ
トワークを介して上位のコンピュータ２１に送信して記
憶装置２２に記憶させる。なお、ドレイン線上において
画素電極７に隣接した部分以外の周辺の端子部等は位置
の算出が難しいので、作業者が断線位置算出・修正装置
５５に設置された検出光学系２４５で撮像してモニタ２
２１に表示するなどして観察して断線欠陥の位置を算出
し、その概略位置座標をマイクロコンピュータ２６１に
接続された入力手段２６２を用いて入力して記憶装置２
７０に記憶させることができる。またディスプレイ等の
表示手段２６３をマイクロコンピュータ２６１に接続し
て、断線のあるドレイン線上の断線位置を算出してその
算出位置座標に関する情報７３を出力して表示すること
ができる。

【００４８】次に、マイクロコンピュータ２６１からの
指令に基いて、制御装置２６４を介してステージ２４６
を修正部へ移動すると共に、マクロコンピュータ２６１
で算出されて内部メモリまたは記憶装置２７０に記憶さ
れた断線欠陥位置座標に従った制御信号２６５に基いて
制御装置２６４からの駆動制御によりステージ２４６を
駆動して断線欠陥位置を修正部光学系２０８の視野内に
再現する。すると、ＴＶカメラ２１９は、断線欠陥３１
も含めたドレイン線３２の画像を撮像して画像信号を出
力する。画像処理装置２２０はこの画像信号に対して微
分処理等することによってドレイン線３２のエッジ部を
抽出処理することによって断線欠陥３１となっているド
レイン線の端の位置を算出することができる。もし、画
像処理装置２２０において、断線欠陥３１となっている
ドレイン線の端の位置を算出することが不可能な場合、
断線欠陥３１が見つからなかったとして、その後の修正
は行わない。ただし、モニタ２２１には、ＴＶカメラ２
１９で撮像した画像や、画像処理装置２２０で画像処理
された断線欠陥３１となっているドレイン線の端の位置
を表示することができるので、画像処理装置２２０にお
ける画像処理について確認をすることができる。またモ
ニタ２２１には、修正されたドレイン線からＴＶカメラ
２１９によって撮像させる画像も表示することができ
る。これによって、作業者が修正も正常に行われたかに
ついても確認することができる。

【００４９】以下、修正部における断線欠陥の修正手順
について説明する。先端内径を１〜５ミクロン、先端外
径を１０〜２０ミクロンに形成したガラスピペット２０
９内に有機金属錯体溶液２５１を充填し、この充填され
たガラスピペット２０９の先端を、制御装置２２５によ
りマニュピレータ２１１を駆動制御して断線欠陥３１の
近傍にもっていく。画像処理装置２２０は、ＴＶカメラ
２１９によって撮像される断線欠陥３１の近傍の画像か
らガラスピペット２０９の先端位置とドレイン線３２と
の相対的位置を算出し、この相対的位置情報を制御装置
２２５にフィードバックする。制御装置２２５は、この
相対的位置情報に基いてマニュピレータ２１１を駆動制
御してガラスピペット２０９の先端を断線欠陥部３１近
くのドレイン線３２上に接触させる。次に、制御装置２
２５からインジェクタ２１２への制御により、ガラスピ
ペット２０９のドレイン線３２に接触している反対の端
から窒素圧をパルス的に印加して有機金属錯体溶液２５
１を微量ずつ押し出しながら、制御装置２２５からの制
御によりマニュピレータ２１１を駆動制御してガラスピ
ペット２０９を相対的に断線欠陥３１方向に移動させ、
断線欠陥３１とその両端のドレイン線３２上に有機金属
錯体溶液膜２５２を形成し、ガラスピペット２０９を待
避させる。

【００５０】このように有機金属錯体溶液膜２５２を形
成した後、制御装置２２５からの発振制御信号によりＡ
ｒレーザ発振器２０４を連続発振させながら、制御装置
２２５により駆動手段２２４を駆動制御してステージ２
４６を移動させて、連続発振Ａｒレーザ光２５３を有機
金属錯体溶液膜２５２の一端から他端まで走査しながら
照射する。この時の照射領域は、塗布した有機金属錯体
溶液膜を十分にカバーするように設定する。レーザ照射
により、有機金属錯体溶液膜２５２から溶媒が気化する
と共に、有機金属錯体が熱分解し、有機成分が気体とし
て脱離するため、金属のみが金属薄膜２５４として残
る。有機金属錯体としてトリフロロ酢酸パラジウムを使
用した場合は、パラジウム薄膜が形成される。これによ
り、ドレイン線３２の断線欠陥部３１は金属薄膜（パラ
ジウム薄膜）２５４で被覆されるため、電気的に接続さ
れ、断線欠陥が修正されたことになる。尚、レーザ照射
の条件によって金属薄膜２５４が酸化し、修正部の抵抗
が高くなる場合があるが、金属膜２５４に制御装置２２
５からの制御によりノズル２２３から不活性ガス、窒素
ガス等を吹き付けて不活性ガス、窒素ガス等の雰囲気に
し、再度制御装置２２５からの発振制御信号によりＡｒ
レーザ発振器２０４を連続発振させて連続発振Ａｒレー
ザ２５３を照射すること（レーザアニール）により、酸
化物の酸素を遊離させ、金属薄膜２５５のみを残留させ
ることで、修正部の抵抗値を低減することができる。

【００５１】修正が終了すると、修正部における導通チ
ェック機構で断線欠陥のあったドレイン線を電気的に検
査し、修正が出来たか否かを確認する。具体的には、修
正したドレイン線の両端にプローブ２３１、２３２を接
触させ、ドレイン線の配線抵抗を測定することで確認で
きる。即ち、画像処理装置２２０は、ＴＶカメラ２１９
によって撮像される断線欠陥３１の近傍の画像から修正
したドレイン線３２の位置を算出する。制御装置２２５
は、この算出された修正したドレイン線３２の位置情報
に基づいてステージ２０３を制御してプローブ２３１、
２３２に対して修正したドレイン線３２を位置決めする
と共にプローブ２３１、２３２とステージ２０３との間
において相対的に降下してプローブ２３１、２３２を修
正したドレイン線３２の両端に接触させる。そして、修
正したドレイン線３２の両端に接触したプローブ２３
１、２３２間に、電源２３３により抵抗２３５を介して
一定電圧を印加して電流計２３４により電流を測定する
か、または定電流電源により一定電流を流して電圧計に
より抵抗間の電圧を測定する。この測定された電流また
は電圧を増幅器２３６で増幅し、Ａ／Ｄ変換器２３７で
ディジタル信号に変換し、マイクロコンピュータ２６１
に入力する。マイクロコンピュータ２６１は、Ａ／Ｄ変
換器２３７から得られるディジタル信号に基いて、修正
したドレイン線３２の抵抗値を短時間で測定し、この測
定された抵抗値が、規定値以下であれば修正でき、規定
値以上であれば修正できていないとして判定し、この修
正結果についての情報７５をネットワークを介して上位
のコンピュータ２１に送信して第一の検査ステーション
での検査結果の情報に付記して記憶装置２２に記憶させ
る。このように修正の確認を修正部で行ったが、断線位
置を算出する検査部で行っても良いことは明らかであ
る。

【００５２】通常のパネルでは、１画素あたりのドレイ
ン線の長さは２００〜３００ミクロンで、極端に長い断
線欠陥の修正は困難である。

【００５３】ここで、有機金属錯体溶液として第一の実
施の形態で述べたトリフロロ酢酸パラジウムをアセトニ
チリルとＮーメチルー２ーピロリドンに溶解した溶液を
用いることが出来るが、これに限定されるものではな
く、金、白金、パラジウムなどの貴金属の錯体を有機溶
媒に溶解したものを使用することが出来、溶媒としてト
ルエン、キシレン、ブチロニトリル、プロピオニトリル
等の有機溶媒を使用することが出来る。その他、金属の
超微粒子を有機溶媒中に分散させた液体材料についても
同様に使用することが出来る。また、レーザ光として連
続発振のＡｒレーザを使用する場合について説明してき
たが、ＹＡＧレーザ、半導体レーザ，或いはこれらのレ
ーザ光を機械的、音響光学的、電気光学的手段でパルス
化したレーザ光を使用することが出来る。修正が終了し
たドレイン線についての断線欠陥の修正の確認が行わ
れ、マイクロコンピュータ２６１において断線なしと判
定された場合、修正に成功したことになるので、マイク
ロコンピュータ２６１は、次のドレイン線の断線欠陥位
置の算出を行うように制御装置２６４等に指令を出す。
修正したにもかかわらず、断線ありと判定された場合に
は、二通りが考えられる。一つは修正に失敗した場合
で、再度検査部において断線位置の算出を行うとマイク
ロコンピュータ２６１は前回と同じ位置を検出するの
で、制御装置２６４等に再度修正を行うように指令をだ
す。その結果修正部は再度修正を行う。もう一つは同じ
ドレイン線上に他の断線欠陥が存在した場合で、再度検
査部において断線位置の算出を行うと、マイクロコンピ
ュータ２６１は前回と異なる位置を検出するので、検出
座標に従って制御装置２６４等に改めて修正を行うよう
に指令をだす。その結果修正部は改めて断線欠陥の修正
を行う。

【００５４】修正が終了した後、マイクロコンピュータ
２６１は、修正結果に関する情報７５をネットワークに
より上位のコンピュータ２１に送り、記憶装置２２に記
憶する。また、情報の授受を磁気媒体を介して行う場合
には、それらの情報を磁気媒体に記録する。修正を終え
た基板を格納したカセットは、矢印６５で示すように搬
送車で次の工程である保護絶縁膜形成工程４６へ搬送さ
れる。以上説明した実施の形態においては、断線位置の
算出と修正を共通のステージ２４７上に基板を搭載した
まま実施できるので、基板の搬送、ステージへの転載、
アライメント、製造番号の読みとり等の手順を一度で済
ますことが出来、また修正後の確認、修正に失敗した場
合の再修正もすぐに行うことが出来る長所も有してい
る。

【００５５】次に、本発明に係る平面ディスプレイとし
てのプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Dis
play Panel）の実施の形態について説明する。プラズマ
ディスプレイパネルは、図１０に示すように、ガラス基
板１５１上にバス電極と称される金属膜１５２と透明電
極膜（ＩＴＯ膜）１５３からなる直線状のパターンが形
成され、その上に誘電体膜１５４と保護膜１５５が形成
された前面板１５６と、ガラス基板１５７上にアドレス
電極と称される金属膜１５８の直線状パターンが前面板
と直交する方向に形成された背面板１５９とが、リブと
称せられるガラスの隔壁１６０で形成される小空間を挟
み込むように貼り合わされた構造を有する。尚、図１０
は構造を示すため、前面板１５６と背面板１５９を、離
した状態で示している。また、小空間にネオンとキセノ
ンの混合ガスを閉じこめ、バス電極１５２とアドレス電
極１５８に電圧を印加した時に発生するプラズマから放
出される紫外光により、可視光、具体的には三原色が発
光するように、隔壁１６０の側面と背面板１５９表面に
は緑色を発光する蛍光体１６１、赤色を発光する蛍光体
１６２、青色を発光する蛍光体１６３が交互に塗布され
ている。例えば、前面板ガラス基板１５１或いは背面板
ガラス基板１５７上に直線状電極パターンが形成された
あとの検査・修正に本発明を適用することが出来る。こ
こでは背面板ガラス基板１５７上にアドレス電極１５８
が形成された後の検査・修正を例に説明する。先ず、断
線欠陥の有無、断線欠陥がある場合の欠陥位置の算出、
修正、修正後の確認を行う。これらの工程は図１に示し
た工程及び基板の流れと同じである。ＴＦＴの検査修正
に関しては、基板はカセットに格納して搬送する旨を述
べてきたが、カセット内の基板の内に一枚でも欠陥があ
れば、カセットは第二の検査ステーション５２及び修正
ステーション５３に搬送される。しかし、プラズマディ
スプレイパネルの場合には、基板が大きいこともあり、
基板単独で搬送する場合の方が多く、欠陥のある基板の
みが第二の検査ステーション５２及び修正ステーション
５３に搬送される。このため、スループット低下を防ぐ
意味で、本発明の効果がより大きい。

【００５６】第一の検査工程５１としてガラス基板１５
７上に形成されたアドレス電極（配線）１５８の断線の
有無を検査する。アドレス電極１５８はＡｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｃｒなどの単独または多層の金属薄膜、或いはこれ
らの金属のペーストを焼成して形成した厚膜で形成され
ており、膜厚は２〜１０μｍ、配線幅は５０〜１００μ
ｍである。基板１５７上の配線１５８に対して、図３に
示した方法と同様に、配線１５８の両端、或いはそれぞ
れの配線１５８の一端が共通電極に接続されている場合
は共通電極と各配線の他端に、プローブを接触させ、順
次各配線に一定電流を印加して降下電圧を測定するか、
一定電圧を印加して電流を測定することで、配線抵抗を
測定する。配線抵抗が一定値以上である場合を断線あり
と判定する。この動作を全配線に対して実施すること
で、断線欠陥の有無と断線欠陥が存在する場合にどの配
線に断線が存在するかがわかる。第一の検査工程５１で
の検査結果の情報は、マイクロコンピュータ１０７から
ネットワークを介して上位のコンピュータ２１に送信
し、記憶される。あるいは、磁気媒体を介して記録の授
受を行う場合には、磁気媒体に記録する。ここで、断線
欠陥がない基板については、次の工程に搬送し、断線欠
陥があると判定された基板についてのみ第二の検査工程
５２を実施する。

【００５７】第二の検査工程５２では、ネットワークを
介して、あるいは磁気媒体より第一の検査工程での検査
結果を受け取り、断線欠陥ありと判定された配線につい
てのみ、詳細に検査する。配線パターンを光学的に撮像
しながら基板を配線方向に相対的に走査（移動）し、隣
接する配線（断線欠陥がないと判定された配線）と比較
することで、断線部分は不一致部として検出できる。あ
るいは、断線欠陥ありと判定された配線についてのみ、
光学的に撮像しながら基板を配線方向に相対的に移動さ
せ、欠陥のない配線についてのデータ（テンプレート）
と比較することで、断線部分は不一致部として検出でき
る。検出された不一致部の座標が欠陥部の座標であり、
この座標を知ることで欠陥位置が算出できたことにな
る。断線欠陥の形状は種々あるが、そのひとつを図１１
に示す。アドレス電極１５８をパターニングするときの
フォトレジストに発生したピンホールなどが原因で、断
線部（欠落部）１６５が出来たものである。断線欠陥あ
りと判定された配線全てについて２次元の位置座標の算
出が終了すると、その結果をマイクロコンピュータ１２
５からネットワークを介して送信するか、磁気媒体に記
録すると共に、基板を修正工程５３に搬送する。修正工
程５３では、ネットワークを介して第二の検査工程５２
での検査結果を受け取り、その情報に従って修正装置光
学系の視野内に断線欠陥位置を再現する。ここで、図６
に示した方法で、ガラスピペット等の液体材料吐出手段
により、金属錯体溶液、超微粒子分散液、或いは金属ペ
ーストなどの液体材料を断線部とその両端の配線上に塗
布し、塗布膜上に連続発振レーザ光を照射して金属膜を
析出させ、接続・修正する。図１２に修正した配線の形
状を示すが、分離していたアドレス電極がレーザにより
析出した金属膜１６６により接続され、修正が完了す
る。修正後、配線１５８の両端にプローブを接触させ、
電気的に抵抗値を測定して修正が成功したか否かをチェ
ックする。修正に失敗したと判定された場合には、再修
正を行う。修正に成功した場合には、同一基板上の次の
欠陥の修正を行い、全ての欠陥を修正した後、基板を次
の工程に搬送すると共に、修正結果をネットワークを介
して送信するか、あるいは磁気媒体に記録する。

【００５８】短絡欠陥についても、同様に検査・修正を
行う。この場合、図１における第一の検査ステーション
５１を短絡検査装置とし、第二の検査ステーション５２
を短絡位置算出装置としたことに相当する。先ず、第一
の検査工程５１として、配線間の短絡の有無および短絡
欠陥のある配線の算出を行う。各配線が独立している場
合には、各配線の一端にプローブを接触させる。マイク
ロコンピュータ１０７は、隣接する配線間に一定電圧を
印加して電流を測定するか、或いは一定電流を印加して
降下電圧を測定することにより、配線間の抵抗を求め、
一定抵抗値以下であれば短絡ありと判定する。マイクロ
コンピュータ１０７において短絡欠陥がない場合には、
その旨をネットワークを介して上位のコンピュータ２１
へ送信すると共に、基板を次の工程に搬送する。マイク
ロコンピュータ１０７において短絡欠陥ありと判定され
た場合には、その結果をネットワークを介して上位のコ
ンピュータ２１へ送信すると共に、基板を第二の検査工
程５２に搬送する。結果の記録は磁気媒体に行っても良
い。

【００５９】第二の検査工程５２では、マイクロコンピ
ュータ１２５はネットワークを介して第一の検査工程で
の検査結果を受け取り、短絡欠陥ありと判定された二本
の配線についてのみ、詳細に検査する。配線パターンを
光学的に撮像しながら基板を配線方向に相対的に走査
（移動）し、隣接する二本の配線（短絡欠陥がないと判
定された配線）と比較することで、短絡部分は不一致部
として検出できる。あるいは、短絡欠陥ありと判定され
た二本の配線についてのみ、光学的に撮像しながら基板
を配線方向に相対的に移動させ、欠陥のない二本の配線
についてのデータ（テンプレート）と比較することで、
短絡部分は不一致部として検出できる。検出された不一
致部の座標が欠陥部の座標であり、これを知ることで欠
陥位置が算出できたことになる。短絡欠陥の典型的な例
を図１３に示す。アドレス電極１５８、１５８’がパタ
ーニングの際に、余分なフォトレジストの残留、或いは
付着異物のためにエッチングされずに残った金属膜が短
絡欠陥１６７を形成している。

【００６０】マイクロコンピュータ１２５において、短
絡欠陥ありと判定された配線全てについて位置の算出が
終了すると、その結果をネットワークを介して上位のコ
ンピュータ２１ヘ送信する、あるいは磁気媒体に記録す
ると共に、基板を修正工程５３に搬送する。修正工程５
３では、マイクロコンピュータ２３８はネットワークを
介して、あるいは磁気媒体から第二の検査項での検査結
果を受け取り、その情報に従って修正装置光学系の視野
内に短絡欠陥１６７位置を再現する。短絡欠陥部にパル
スレーザを照射することにより、短絡している配線膜を
除去・修正することが出来る。この時、レーザ光路中に
設けた矩形開口部２１６を対物レンズ２１８で縮小投影
して、矩形形状に一括加工しても良いし、一定の大きさ
の集光スポットを短絡欠陥１６７の大きさに応じて走査
しても良い。これにより、図１４に示すように、短絡欠
陥は除去・修正される。修正部１６８にはバリ状の溶融
残留物１６９や加工飛散物１７０が発生することもある
が、極力発生しないレーザ加工条件を選択する。短絡欠
陥の修正に適したレーザとしては、パルス励起ＹＡＧレ
ーザ２０５の基本波及び高調波が適しており、溶融残留
物１６９、加工飛散物１７０を低減する観点から、パル
ス幅が数１０ｎｓ以下の短パルスレーザが望ましい。ま
た、レーザ出力は加工閾値の２倍以下で、複数パルスで
除去する方が、溶融残留物１６９、加工飛散物１７０共
に少ない。修正後、短絡していた両配線のそれぞれ一端
にプローブ２３１、２３２を接触させ、電気的に抵抗を
測定することで、修正が成功したか否かをチェックす
る。修正に失敗した場合には、再度パルスレーザによる
修正を行う。全ての短絡欠陥を修正した後、マイクロコ
ンピュータ２３８は修正結果をネットワークを介して上
位のコンピュータ２１へ送信する、あるいは磁気媒体に
記録すると共に、基板を次の工程に搬送する。

【００６１】以上に述べた方法により、第一の検査工程
５１で断線欠陥、或いは短絡欠陥の有無およびそれらの
欠陥がある場合のおよその位置、即ちどの配線に欠陥が
あるかまでを知ることができ、第二の検査工程５２でそ
れらの欠陥位置を詳細に算出することができる。また、
修正工程５３で、検査工程で算出できた欠陥を修正し、
修正の成功の可否をチェックすることで確実に修正を行
うことができる。また、上記した断線欠陥を検査・修正
する工程と短絡欠陥を検査・修正する工程を個別の工程
として説明したが、同時に行うことも本発明の趣旨に含
まれる。これは、図１における第一の検査ステーション
５１を断線・短絡検査装置とし、第二の検査ステーショ
ン５２を断線位置・短絡位置算出装置としたことに相当
する。

【００６２】即ち、第一の検査ステーション５１で配線
の両端にプローブを接触させて同一配線の両端の抵抗、
および隣接配線間の抵抗を順次測定することにより、断
線欠陥と短絡欠陥の有無と、欠陥がある場合にはどの配
線にあるかまでを検査する。ついで、第二の検査ステー
ション５２で欠陥があると判定された配線についてのみ
詳細に検査して、それぞれの欠陥の位置を算出する。そ
の後、修正ステーション５３において断線欠陥にはレー
ザ光の照射で金属膜を析出する液体材料を塗布し、レー
ザ光を照射して金属膜を析出させて修正する。また、短
絡欠陥にはパルスレーザを照射して短絡部を除去するこ
とにより修正する。これにより、断線欠陥と短絡欠陥を
同時に検査・修正することが出来る。更に、修正ステー
ション５３において、断線欠陥を修正した配線の両端に
プローブを接触させて配線抵抗を測定することにより、
または、短絡欠陥を修正した配線の一端同士にプローブ
を接触させて配線間の抵抗を測定することにより、それ
ぞれの修正が成功したか否かをチェックすることができ
る。これらの工程により、プラズマディスプレイパネル
の背面板ガラス１５７基板上にアドレス電極１５８を形
成した後の検査・修正が完了する。なお、上記実施の形
態ではレーザ光を照射して短絡部を除去するように構成
したが、レーザ光のほかイオンビームを照射しても可能
である。即ち、欠陥部に照射するものとして、レーザ光
やイオンビーム等のエネルギービームを用いても良い。

【００６３】

【発明の効果】本発明によれば、平面ディスプレイパネ
ルを製造する際、工程管理用のコンピュータにおいて、
欠陥検査に関する情報や欠陥修正に関する情報を基板単
位またはロット単位で管理することによって欠陥が異常
に多く発生するのを抑制し、欠陥が発生した基板に対し
ては効率良く検査・修正を施して全体として歩留まりを
向上させて低コスト化を実現することができる効果を奏
する。また本発明によれば、平面ディスプレイパネルの
内のプラズマディスプレイパネルにおいて、前面板ガラ
ス基板または背面板ガラス基板上に形成される直線状の
配線パターン（電極パターン）に生じた断線または短絡
の欠陥に対して効率良く検査・修正を施して全体として
歩留まりを向上させて低コスト化を実現することができ
る効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＴＦＴ液晶ディスプレイについて
のＴＦＴアレイ製作工程の一実施の形態と、工程管理用
のコンピュータパネルにおいて処理する情報の送受信の
関係とを説明するための図である。

【図２】本発明に係るＴＦＴ基板について説明するため
の図で、（ａ）は部分平面図、（ｂ）は（ａ）における
Ａ−Ａ’矢視断面図である。

【図３】図１に示す第一の検査ステーションにおける断
線検査装置の一実施の形態を示す構成図である。

【図４】図１に示す第二の検査ステーションにおける断
線位置算出装置の一実施の形態を示す構成図である。

【図５】図４に示す装置において検出される放射電極位
置と検出信号強度との関係を示す図である。

【図６】図１に示す修正ステーションにおける修正装置
の一実施の形態を示す構成図である。

【図７】図６に示す装置によって修正していく状況を示
す図である。

【図８】本発明に係るＴＦＴ液晶ディスプレイについて
のＴＦＴアレイ製作工程の他の一実施の形態と、工程管
理用のコンピュータパネルにおいて処理する情報の送受
信の関係とを説明するための図である。

【図９】図８に示す検査・修正ステーションにおける断
線位置算出・修正装置の一実施の形態を示す構成図であ
る。

【図１０】本発明に係るＰＤＰの概略構造を示す斜視図
である。

【図１１】図１０に示すＰＤＰにおける検査・修正の対
象となる断線欠陥を示す斜視図である。

【図１２】図１０に示すＰＤＰにおける検査・修正の対
象となる断線欠陥の修正後を示す斜視図である。

【図１３】図１０に示すＰＤＰにおける検査・修正の対
象となる短絡欠陥を示す斜視図である。

【図１４】図１０に示すＰＤＰにおける検査・修正の対
象となる短絡欠陥の修正後を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…ＴＦＴ基板、 ３…ゲート配線、 ６…半導体パタ
ーン（ａ−Ｓｉ膜）、７…画素電極、 ８…ソース電
極、 ９…ドレイン線、 ２１…工程管理用のコンピュ
ータ、 ２２…記憶装置、 ２３…端末装置、 ３１…
断線欠陥、 ３２…ドレイン線 ４０…ＴＦＴアレイ製作工程、 ４１…ゲート電極形成
工程、 ４２…透明電極形成工程、 ４３…半導体パタ
ーン形成工程、 ４４…ドレイン線・ソース電極形成工
程、 ４５…検査・修正工程、 ４６…絶縁膜形成工
程、 ４７…ゲート・ドレインショート検査工程、 ４
８…パネル製作工程 ５１…第一の検査ステーション（断線検査装置）、 ５
２…第二の検査ステーション（断線位置算出装置）、
５３…修正ステーション（修正装置）、 ５４ａ〜５４
ｄ…読取手段、 ５５…検査・修正ステーション（断線
位置算出・修正装置） １０７…マイクロコンピュータ、 １２５…マイクロコ
ンピュータ、 ２０４…Ａｒレーザ発振器、 ２０５…
ＹＡＧレーザ発振器、 ２０８…修正光学系、２１９…
ＴＶカメラ、 ２２０…画像処理装置、 ２２１…モニ
タ、 ２２５…制御装置、 ２６１…マイクロコンピュ
ータ、 ２６４…制御装置 １５１…前面板ガラス基板、 １５２…バス電極、 １
５３…透明電極膜、１５６…前面板、 １５７…背面板
ガラス基板、 １５８…アドレス電極、 １５９…背面
板、 １６０…隔壁、 １６１〜１６３…螢光体、 １
６５…断線欠陥、 １６６…析出金属膜、 １６７…短
絡欠陥

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮田 一史 千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立 製作所 電子デバイス事業部内 (72)発明者 松崎 英夫 千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立 製作所 電子デバイス事業部内 (72)発明者 佐藤 政志 千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立 製作所 電子デバイス事業部内 (72)発明者 轟 悟 千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立 製作所 電子デバイス事業部内 (72)発明者 吉村 和士 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所 生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 平８−240628（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−203898（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−270476（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−89285（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−20604（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−333370（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−179029（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 9/42 G02F 1/13 101 H01J 9/02 H01J 11/02 G02F 1/1333 G01R 31/00 G01N 21/88

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の配線パターンを基板上に並設形成す
   る配線パターン形成工程と、 該配線パターン形成工程から搬入される基板について、
   該基板上に並設形成された複数の配線パターンの各々に
   ついて導通試験をすることによって断線または短絡の欠
   陥が存在するか否かと欠陥が存在する配線パターンを特
   定する第一の検査工程と、 該第一の検査工程から搬入される基板について、前記第
   一の検査工程で特定された配線パターンについてのみ該
   配線パターン上に存在する欠陥の位置座標を算出する第
   二の検査工程と、 該第二の検査工程から搬入される基板について、前記第
   二の検査工程で算出された欠陥の位置座標に基いて該欠
   陥が存在する領域を光学系の視野内に位置付けし、該位
   置付けされた光学系で撮像される画像信号に基いて設定
   される前記領域の所望の個所に前記光学系によりレーザ
   光束を照射して前記欠陥を修正する修正工程とを有し、 上位のコンピュータは、前記基板の製造番号に対応させ
   て入力された前記配線パターン形成工程における製造条
   件に関する来歴情報と、前記基板の製造番号に対応させ
   て記憶手段に記憶された前記第一及び第二の検査工程か
   ら得られる検査結果情報とに基いて、前記欠陥の不良原
   因を推定し、該推定した欠陥の不良原因を出力すること
   を特徴とする平面ディスプレイパネルの製造方法。
2. 【請求項２】前記上位のコンピュータは、更に、前記基
   板の製造番号に対応させて記憶手段に記憶された前記第
   一及び第二の検査工程から得られる検査結果情報を監視
   することにより、前記欠陥の発生状況を、基板単位また
   はロット単位で把握して管理することを特徴とする請求
   項１記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
3. 【請求項３】前記修正工程は、欠陥を修正した後で該欠
   陥を修正した配線パターンについて動通試験を行うこと
   によって前記欠陥が修正されたか否かを確認する工程を
   含むことを特徴とする請求項１または２記載の平面ディ
   スプレイパネルの製造方法。
4. 【請求項４】前記第二の検査工程と前記修正工程とを各
   々の欠陥に対して連続して行うことを特徴とする請求項
   １または２記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。
5. 【請求項５】請求項１乃至４の何れか一つに記載の平面
   ディスプレイパネルの製造方法において、基板がプラズ
   マディスプレイパネルを構成する前面板ガラス基板また
   は背面板ガラス基板であることを特徴とするプラズマデ
   ィスプレイパネルの製造方法。