JP2000082729A5 - - Google Patents
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Description
【書類名】 明細書
【発明の名称】 統合補修システム及び自動不良検出システムとその制御方法
【特許請求の範囲】
【請求項1】
所定のパターンが形成される基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、
前記複数の検査機と連結され、前記検査機によって保存されたファイルを取得及び統合し、統合されたファイルを参照して補修作業を一括的に遂行する補修機と、
を含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項2】
前記複数の検査機にネットワークで連結され、前記検査機の前記ファイルを保存し、前記補修機が要求したとき前記ファイルを提供するファイルサーバーをさらに含む、請求項1に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項3】
ホストによって制御され、複数の検査機間及び検査機と補修機との間で前記基板を自動運送する自動運送装置をさらに含む、請求項1に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項4】
前記ホストと連結され、前記ホストからの命令を受けて前記自動運送装置の運送を制御する自動運送装置コントローラをさらに含む、請求項3に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項5】
前記基板は薄膜トランジスタ基板である、請求項1に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項6】
前記ファイルには、
前記基板に不良が発生した位置を示す不良座標と、
前記基板の不良内容を示す不良コードと、
前記基板に発生した不良程度を示すセルグレードと、
が記録される請求項1に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項7】
重複する不良座標に対して、前記ファイルを統合し、前記ファイルの重複するデータを削除する請求項6に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項8】
所定のパターンが形成される基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、前記検査結果を利用して補修を遂行する補修機とを含む統合補修システムの制御方法であって、
各工程において前記基板に対して所定のパターンを形成する第1段階と、
前記各工程後、前記基板に形成した所定のパターンに対して光学的または電気的検査を遂行し、前記基板に不良が発生した場合、検査の結果を一定形式で複数のファイルに保存する第2段階と、
前記ファイルに保存された前記検査の結果を統合して重複する部分を削除した後、基板に発生した不良を一括的に補修する第3段階と、
を含む統合補修システムの制御方法。
【請求項9】
前記第2段階は、
前記ピクセルが不良の場合、前記ピクセルの位置を示す不良座標、不良内容を示す不良コード及び不良程度を示すセルグレードを前記ファイルに保存する段階と、
ファイルサーバーか前記複数の検査機内のハードディスクに前記ファイルを保存する段階と、
を含む請求項8に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項10】
前記第3段階は、
前記複数のファイルをネットワークを介して取得する段階と、
前記複数のファイル内に保存された不良データにおいて、前記基板のそれぞれのピクセルが補修可能であるかどうかを判断し、補修できなければリジェクトとして処理する段階と、
前記複数のファイルを統合するかどうかを判断し、統合する場合には前記複数のファイルを特定の座標を基準に統合して重複データを削除し、統合しない場合には特定の検査機と補修機とを接続する段階と、
を含む請求項8に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項11】
前記第3段階は、
前記複数のファイルにある重複したデータが一つのファイルに不良座標を基準に統合して記録され、その他のファイルで統合された部分は削除する段階をさらに含む、請求項10に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項12】
基板にゲートパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第1段階と、
前記第1段階で第1不良が発生すると、第1不良のデータを第1ファイルに保存する第2段階と、
前記基板にアクティブパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査を遂行する第3段階と、
前記第3段階において第2不良が発生すると、第2不良のデータを第2ファイルに保存する第4段階と、
前記基板にデータパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第5段階と、
前記第5段階で第3不良が発生すると、第3不良のデータを第3ファイルに保存する第6段階と、
前記基板に画素電極を形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第7段階と、
前記第7段階で第4不良が発生すると、第4不良のデータを第4ファイルに保存する第8段階と、
前記第1ファイル乃至第4ファイルを統合し、前記第1ファイル乃至第4ファイルで重複する部分を削除する第9段階と、
前記統合ファイルを参照して一括的に補修する第10段階と、を含む統合補修システムの制御方法。
【請求項13】
前記基板に対して自動光学検査が実行されることを特徴とする請求項12に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項14】
前記第5段階で前記基板に対して遂行される電気的検査は、断線/短絡検査機を用いることを特徴とする、請求項12に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項15】
前記第7段階で前記基板に対して遂行される電気的検査は、アレー検査機を用いることを特徴とする、請求項12に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項16】
前記第1不良のデータ〜第4不良のデータは、前記基板で不良が発生した座標値、不良コード及びセルグレードを含むことを特徴とする、請求項12に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項17】
基板を検査し、検査の結果、基板の不良を検出して一定形式でファイルに保存する不良検出装置と、
前記不良データファイルを前記不良検出装置から受け付け、それぞれの工程からその直後の工程までの間に生じた基板の不良のデータをファイル形式に保存するファイルサーバーと、を含み、
前記自動不良検出システムは、前記ファイルサーバーに連結され、前記ファイルサーバーに保存されている以前の工程までの基板の不良と当該工程までの基板の不良とを比較する比較機をさらに含む、自動不良検出システム。
【請求項18】
基板のIDを認識し、その結果を前記比較機に送る基板ID判読装置をさらに含む、請求項17に記載の自動不良検出システム。
【請求項19】
前記比較機は、
前記基板ID判読装置から判読された基板IDと、前記ファイルサーバーに保存されている前記対応工程の基板のIDとが一致するかどうかを比較する、請求項18に記載の自動不良検出システム。
【請求項20】
基板を検査し、検査結果に従い前記基板上の不良を検出し、一定の形式で不良データをファイルに保存する不良検出器と、
前記不良データファイルを前記不良検出装置から受け付け、それぞれの工程からその直後の工程までの間に生じた基板の不良のデータをファイル形式に保存するファイルサーバーと、を含み、
前記不良検出器は、前記基板上の不良箇所のデータを不良座標として出力する、自動不良検出システム。
【請求項21】
前記比較機は、
前記ファイルサーバーに保存された基板のIDの1つと前記基板のID判読装置から判読される当該基板のIDとを比較して基板が一致するかどうかを比較し、一致すると、ファイルサーバーに保存されている当該基板の以前の工程までの不良と前記検査機で検査した当該工程までの不良とを比較し、以前特定した不良データを除外した当該工程での不良データと当該工程までの不良データとを、前記ファイルサーバーに伝送する請求項20に記載の自動不良検出システム。
【請求項22】
前記ファイルサーバーは、それぞれの工程にある基板のIDと、前記比較機から入力を受けた当該工程までの不良データと、当該工程の不良データとを保存する、請求項21に記載の自動不良検出システム。
【請求項23】
それぞれの工程が遂行された後、基板をローディングする第1段階と、
前記基板の不良を検出する第2段階と、
前記基板の検出された不良を当該工程の以前までの基板の不良と比較する第3段階と、
前記比較の結果、当該工程の不良と当該工程までの不良とを保存する第4段階と、を含む自動不良検出システムの制御方法。
【請求項24】
前記第1段階と第2段階との間に前記基板のIDを認識し、保存された基板のIDと比較する第5段階をさらに含む、請求項23に記載の自動不良検出システムの制御方法。
【請求項25】
所定のパターン及びピクセルが形成される薄膜トランジスタ(TFT)基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、
前記検査結果を利用して不良を補修する補修機と、
を含む統合補修システムが実行する液晶表示装置の製造方法であって、
それぞれの工程において基板上に一定のパターンを形成する第1段階と、
前記各工程後、パターンに対して光学的または電気的検査を遂行し、基板に不良が発生した場合、検査の結果を一定形式で複数のファイルに保存する第2段階と、
前記ファイルに保存された前記検査の結果を統合して重複する部分を削除する第3段階と、
基板に発生した不良を一括的に補修する第4段階と、
を含む液晶表示装置の製造方法。
【請求項26】
前記第2段階は、
前記ピクセルが不良の場合、前記ピクセルの位置を示す不良座標、不良内容を示す不良コード及び不良程度を示すセルグレードを前記ファイルに保存する段階と、
ファイルサーバーまたは前記複数の検査機内のハードディスクに、前記ファイルを保存する段階と、
を含む請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項27】
前記第3段階は、
前記複数のファイルをネットワークを介して取得する段階と、
前記複数のファイル内に保存された不良データにおいて、前記基板のそれぞれのピクセルが補修可能であるかどうかを判断し、補修できなければリジェクトとして処理する段階と、
前記複数のファイルを統合するかどうかを判断し、統合する場合には前記複数のファイルを特定の座標を基準に統合して重複データを削除し、統合しない場合には特定の検査機と補修機とを接続する段階と、
を含む請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項28】
前記第3段階は、不良座標を基準にファイルに統合された重複するデータを削除する段階をさらに含む、請求項27に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は統合補修システム及び自動不良検出システムとその制御方法とに関する。さらに詳しくは、半導体または薄膜トランジスター液晶表示装置(thin fil−m transistor liquid crystal displa−y :以下TFT−LCDとする)などのマイクロエレクトロニクス装置(mi−cro−electronic device)製造工程で用いられる統合補修システム及び自動不良検出システムとその制御方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】
以下、薄膜トランジスター液晶表示装置の一般的な製造工程について説明する。
先ず、図1(a)に示したように、透明な絶縁基板100の上に金属を蒸着してパターニングし、ゲートパターンであるゲート電極110及びゲート線(図示せず)を形成する。その後、図1(b)に示したようにゲートパターン110の上に窒化珪素などからなるゲート絶縁膜120を蒸着し、ゲート絶縁膜120の上に非晶質珪素膜130とドーピングされた非晶質珪素膜140とを積層した後パターニングして、非晶質珪素層アクティブパターン130、140を形成する。
【0003】
次に、図2(a)に示したように金属を蒸着してパターニングし、ドーピングされた非晶質珪素層140の上の両側にソース電極151とドレーン電極152とを形成し、ゲート絶縁膜120の上にデータ線(図示せず)を形成する。
その後、図2(b)のように、ソース及びドレーン電極151、152をマスクとして用いてドーピングされた非晶質珪素層140をエッチングする。
【0004】
最後に、図3(a)及び(b)にそれぞれ示したように、ソース及びドーレン電極151、152の上に窒化珪素などからなる保護膜160を形成し、ドレーン電極152が現れる接触孔C1を形成した後、ITO(indium tin ox−ide)などの透明導電物質を蒸着してパターニングし、画素電極170を形成する。
【0005】
図4及び図5は、図1〜図3に示したような製造工程を遂行する従来のフローチャートである。
図4に示したように、従来の製造工程ではゲートパターンであるゲート電極とゲート線とを形成した後(段階S2)、ゲートパターンを検査するために自動光学検査(Automatic Optical Inspection:以下AOI検査とする)または断線/短絡検査(Open/Short Test:以下O/S検査とする)を遂行する。この時、AOI検査とO/S検査とはそれぞれAOI検査機とO/S検査機とを通じて遂行される(S4)。
【0006】
AOI検査機は、製品に直接接触せずに光を照射してその反射される光をレンズを通じてセンサーに伝達して、その光量の差を利用して欠陥発生の有無を検査する検査機である。したがって、電気的な検査から検出することができない視覚的な不良を検出して、各工程の安定有無及び環境性の問題を検出することができる。
【0007】
AOI検査機から検出される不良は目に見えるものはすべて検出することができ、感度の設定によって目で感知できないグラス表面の微細な不良や反射度の差異が微妙に現れるパターンも検出できる。
不良の例としては膜残留、膜剥離、粒子(particle)、グラスチップ(g−lass chip)、浸蝕、染み、フォトレジスト(photo resist)不良またはマスク(mask)不良などがある。
【0008】
AOI検査(またはO/S検査)が遂行されると、ゲートパターンが形成された基板にAOI検査(またはO/S検査)を遂行する過程で前述したような不良が発生するかどうかを判断して(S6)、その内容をファイルに保存する。この時、ファイルには不良が発生した部分の座標値及び不良内容などが保存される。
不良が発生して該当の内容が保存されたファイルが生じると、検査を進めた基板とファイルとは補修工程に運ばれる。この時、ファイルは補修機に入力されて不良が発生した基板に対する補修作業データとして用いられる(S7)。
【0009】
前記過程で、ゲートパターンが形成された基板に不良がなかったり、補修工程が完了した基板は次の工程に運ばれる。
次の工程はゲート電極の上に非晶質シリコン層を蒸着するアクティブパターンの形成工程が遂行される(S8)。アクティブパターン工程は非金属を蒸着させることであるので、電気的検査が不可能でAOI検査だけができる。
【0010】
したがって、AOI検査機において視覚的な検査を遂行して(段階S10)、不良が発生した場合に不良の内容をファイルに保存する。基板に不良があるかどうかを判断して(段階S12)不良が発生すると基板とファイルとは補修機に運ばれて不良が補修され(段階S13)、不良がないか補修工程が完了すると次の工程であるデータパターン形成工程に運ばれる。
【0011】
ソース電極、ドレーン電極とデータ線とを形成する工程であるデータパターン形成工程を遂行した後(段階S14)、AOI検査を遂行して前記のような過程を繰り返して遂行する(段階S15〜S17)。データパターン形成工程後にはAOI検査とともにO/S検査が遂行される。したがって、AOI検査を遂行した後、不良がなかったり補修工程を完了した基板はO/S検査機に運ばれてO/S検査が遂行される(段階S18)。
【0012】
O/S検査はTFT−LCD基板にデータラインがパターン化されると、それぞれのデータラインに電気的な信号を印加して各ラインの断線及び短絡の有無を検出する検査を言う。O/S検査の検査結果からデータラインの断線/短絡の有無を判断して(段階S20)断線/短絡が発生した場合にデータ断線ラインの番号をファイルに保存した後、不良基板とともに補修工程に送る。
【0013】
補修工程では補修機(repairer)がデータ断線ラインの番号を含むファイルを参照して基板を補修する(段階S21)。補修が完了した基板は画素電極形成工程に運ばれる。また、O/S検査機の検査結果に不良が発生しないと、基板はすぐ画素電極工程に運ばれる。
画素電極が形成された後(段階S24)、基板はAOI検査機に運ばれて前述した順に検査または補修される(段階S24〜段階S27)。画素電極形成後には基盤に対してAOI検査だけでなくアレー(arrary) 検査をするようになる。
【0014】
アレー検査はTFTピクセルの一つ一つが電気的に異常がないかどうかを検査する工程を言い、大体透明伝導物質(たとえば、ITO)を形成されたTFT組み立て最終段階で検査を実施する。アレー検査を遂行するアレー検査機には多様な種類があるが、この中でIPT(In Process Tester)はピクセルの電気的不良を光学的に検査する装備であって、TFT組み立て完了の前にセルアセンブリ(cell assembly)をせずにそれぞれのTFTピクセルの電気的特性を検査することができる。
【0015】
したがって、液晶組み立ての後、ディスプレー時に発生するピクセル欠陥及びライン欠陥を早期に検出することによって、数率改善と生産費減少に寄与することができる。このようなアレー検査機において検出することができる不良はたとえば、ピクセル不良、ライン断線またはライン短絡などである。
アレー検査が遂行されると(段階S28)、それぞれの基板に対して不良を判断して(S30)、前述した不良が発生すると該当の内容がファイルに保存されて基板とともに補修工程に運ばれる。
【0016】
補修工程でファイルを参照して補修作業を遂行すると(S31)、TFT基板に対する全ての製造工程、検査及び補修行程が終了するようになる。
図6は図4及び図5の製造工程で一つのTFT基板が運ばれる工程ラインの構成図である。図6は図4及び図5の製造工程で一つのTFT基板に工程が進むことによって検出できる全ての不良が発生する場合にこのTFT基板が運ばれる経路を示した。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
図6のように、従来のTFT−LCDの補修システムによると各工程別に検査と補修とを遂行したので検査及び補修に長時間がかかる問題点があった。
したがって、本発明は前記のような従来の問題点を解決するためのものであって、その目的はそれぞれの検査機で発生した不良の内容を含んだファイルを統合し、全ての検査機が遂行された後に製造工程の最終段階で補修機が統合されたファイルを参照して一度に補修する統合補修システム及びその制御方法を提供することにある。
【0018】
また、本発明の他の目的は各製造工程で発生する不良を自動的に検出することができる自動不良検出システムを提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明の特徴による統合補修システムはマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムであって、複数の検査機と補修機とを含む。
すなわち、本願第1発明は、所定のパターンが形成される基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、前記複数の検査機と連結され、前記検査機によって保存されたファイルを取得及び統合し、統合されたファイルを参照して補修作業を一括的に遂行する補修機と、を含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
【0020】
本願第2発明は、前記第1発明において、前記複数の検査機にネットワークで連結され、前記検査機の前記ファイルを保存し、前記補修機が要求したとき前記ファイルを提供するファイルサーバーをさらに含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
本願第3発明は、前記第1発明において、ホストによって制御され、複数の検査機間及び検査機と補修機との間で前記基板を自動運送する自動運送装置をさらに含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
【0021】
本願第4発明は、前記第3発明において、前記ホストと連結され、前記ホストからの命令を受けて前記自動運送装置の運送を制御する自動運送装置コントローラをさらに含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
本願第5発明は、前記第1発明において、前記基板は薄膜トランジスタ基板であるマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
【0022】
本願第6発明は、前記第1発明において、前記ファイルには、前記基板に不良が発生した位置を示す不良座標と、前記基板の不良内容を示す不良コードと、前記基板に発生した不良程度を示すセルグレードと、が記録されるマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
本願第7発明は、前記第6発明において、重複する不良座標に対して、前記ファイルを統合し、前記ファイルの重複するデータを削除することを特徴とする、マイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
【0023】
本願第8発明は、所定のパターンが形成される基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、前記検査結果を利用して補修を遂行する補修機とを含む統合補修システムの制御方法であって、
A;各工程において前記基板に対して所定のパターンを形成する第1段階と、
B;前記各工程後、前記基板に形成した所定のパターンに対して光学的または電気的検査を遂行し、前記基板に不良が発生した場合、検査の結果を一定形式で複数のファイルに保存する第2段階と、
C;前記ファイルに保存された前記検査の結果を統合して重複する部分を削除した後、基板に発生した不良を一括的に補修する第3段階と、
を含む統合補修システムの制御方法を提供する。
【0024】
本願第9発明は、前記第8発明において、前記第2段階が、
・前記ピクセルが不良の場合、前記ピクセルの位置を示す不良座標、不良内容を示す不良コード及び不良程度を示すセルグレードを前記ファイルに保存する段階と、
・ファイルサーバーか前記複数の検査機内のハードディスクに前記ファイルを保存する段階と、
を含む統合補修システムの制御方法を提供する。
【0025】
本願第10発明は、前記第8発明において、前記第3段階が、
・前記複数のファイルをネットワークを解して取得する段階と、
・前記複数のファイル内に保存された不良データにおいて、前記基板のそれぞれのピクセルが補修可能であるかどうかを判断し、補修できなければリジェクトとして処理する段階と、
・前記複数のファイルを統合するかどうかを判断し、統合する場合には前記複数のファイルを特定の座標を基準に統合して重複データを削除し、統合しない場合には特定の検査機と補修機とを接続する段階と、
を含む統合補修システムの制御方法を提供する。
【0026】
本願第11発明は、前記第10発明において、前記第3段階が、
3E;前記複数のファイルにある重複したデータが一つのファイルに不良座標を基準に統合して記録され、その他のファイルで統合された部分は削除する段階をさらに含む統合補修システムの制御方法を提供する。
本願第12発明は、
A;基板にゲートパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第1段階と、
B;前記第1段階で第1不良が発生すると、第1不良のデータを第1ファイルに保存する第2段階と、
C;前記基板にアクティブパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査を遂行する第3段階と、
D;前記第3段階において第2不良が発生すると、第2不良のデータを第2ファイルに保存する第4段階と、
E;前記基板にデータパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第5段階と、
F;前記第5段階で第3不良が発生すると、第3不良のデータを第3ファイルに保存する第6段階と、
G;前記基板に画素電極を形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第7段階と、
H;前記第7段階で第4不良が発生すると、第4不良のデータを第4ファイルに保存する第8段階と、
I;前記第1ファイル乃至第4ファイルを統合し、前記第1ファイル乃至第4ファイルで重複する部分を削除する第9段階と、
J;前記統合ファイルを参照して一括的に補修する第10段階と、
を含む統合補修システムの制御方法を提供する。
【0027】
本願第13発明は、前記第12発明において、前記基板に対して自動光学検査が実行されることを特徴とする統合補修システムの制御方法を提供する。
本願第14発明は、前記第12発明において、前記第5段階で前記基板に対して遂行される電気的検査が、断線/短絡検査機を用いることを特徴とする統合補修システムの制御方法を提供する。
【0028】
本願第15発明は、前記第12発明において、前記第7段階で前記基板に対して遂行される電気的検査が、アレー検査機を用いることを特徴とする統合補修システムの制御方法を提供する。
本願第16発明は、前記第12発明において、前記第1不良のデータ〜第4不良のデータが、前記基板で不良が発生した座標値、不良コード及びセルグレードを含むことを特徴とする統合補修システムの制御方法を提供する。
【0029】
本願第17発明は、基板を、検査し、検査の結果、基板の不良を検出して一定形式でファイルに保存する不良検出装置と、前記不良データファイルを前記不良検出装置から受け付け、それぞれの工程からその直後の工程までの間に生じた基板の不良のデータをファイル形式に保存するファイルサーバーとを含む自動不良検出システムを提供する。この自動不良検出システムは、前記ファイルサーバーに連結され、前記ファイルサーバーに保存されている以前の工程までの基板の不良と当該工程までの基板の不良とを比較する比較機をさらに含む。
【0030】
本願第18発明は、前記第17発明において、基板のIDを認識し、その結果を前記比較機に送る基板ID判読装置をさらに含む自動不良検出システムを提供する。
本願第19発明は、前記第18発明において、前記比較機が、前記基板ID判読装置から判読された基板IDと、前記ファイルサーバーに保存されている前記対応工程の基板のIDとが一致するかどうかを比較する自動不良検出システムを提供する。
【0031】
本願第20発明は、
・基板を検査し、検査結果に従い前記基板上の不良を検出し、一定の形式で不良データをファイルに保存する不良検出器、
・前記不良データファイルを前記不良検出装置から受け付け、それぞれの工程からその直後の工程までの間に生じた基板の不良のデータをファイル形式に保存するファイルサーバーと、を含み、
・前記不良検出器は、前記基板上の不良箇所のデータを不良座標として出力する、自動不良検出システムを提供する。
自動不良検出システムを提供する。
【0032】
本願第21発明は、前記第20発明において、前記比較機が、前記ファイルサーバーに保存された基板のIDの1つと前記基板のID判読装置から判読される当該基板のIDとを比較して基板が一致するかどうかを比較し、一致するとファイルサーバーに保存されている当該基板の以前の工程までの不良と前記検査機で検査した当該工程までの不良とを比較し、以前特定した不良データを除外した当該工程での不良データと当該工程までの不良データとを、前記ファイルサーバーに伝送する自動不良検出システムを提供する。
【0033】
本願第22発明は、前記第21発明において、前記ファイルサーバーが、それぞれの工程にある基板のIDと、前記比較機から入力を受けた当該工程までの不良データと、当該工程の不良データとを保存する自動不良検出システムを提供する。
本願第23発明は、
A;それぞれの工程が遂行された後、基板をローディングする第1段階と、
B;前記基板の不良を検出する第2段階と、
C;前記基板の検出された不良を当該工程の以前までの基板の不良と比較する第3段階と、
D;前記比較の結果、当該工程の不良と当該工程までの不良とを保存する第4段階と、
を含む自動不良検出システムの制御方法を提供する。
【0034】
本願第24発明は、前記第23発明において、前記第1段階と第2段階との間に前記基板のIDを認識し、保存された基板のIDと比較する第5段階をさらに含む、自動不良検出システムの制御方法を提供する。
本願第25発明は、所定のパターン及びピクセルが形成される薄膜トランジスタ(TFT)基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、前記検査結果を利用して不良を補修する補修機と、を含む統合補修システムが実行する液晶表示装置の製造方法を提供する。この方法は、以下の段階を含む。
・それぞれの工程において基板上に一定のパターンを形成する第1段階、
・前記各工程後、パターンに対して光学的または電気的検査を遂行し、基板に不良が発生した場合、検査の結果を一定形式で複数のファイルに保存する第2段階、
・前記ファイルに保存された前記検査の結果を統合して重複する部分を削除する第3段階、
・基板に発生した不良を一括的に補修する第4段階。
【0035】
本願第26発明は、前記第25発明において、前記第2段階が以下の段階を含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
・前記ピクセルが不良の場合、前記ピクセルの位置を示す不良座標、不良内容を示す不良コード及び不良程度を示すセルグレードを前記ファイルに保存する段階、
・ファイルサーバーまたは前記複数の検査機内のハードディスクに、前記ファイルを保存する段階。
【0036】
本願第27発明は、前記第25発明において、前記第3段階が以下の段階を含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
・前記複数のファイルをネットワークを介して取得する段階、
・前記複数のファイル内に保存された不良データにおいて、前記基板のそれぞれのピクセルが補修可能であるかどうかを判断し、補修できなければリジェクトとして処理する段階、
・前記複数のファイルを統合するかどうかを判断し、統合する場合には前記複数のファイルを特定の座標を基準に統合して重複データを削除し、統合しない場合には特定の検査機と補修機とを接続する段階。
【0037】
本願第28発明は、前記第27発明において、前記第3段階が、不良座標を基準にファイルに統合された重複するデータを削除する段階をさらに含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
【0038】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態例によるシステムについて説明する。また、説明の便宜のためにTFT−LCD工程に用いられる統合補修システムを具体的な例として説明する。
図7は本発明の実施形態例による統合補修システムの構成図である。図7に示したように、本発明実施形態例の統合補修システムによると、TCP/IPを利用したネットワークに多数の検査機500と補修機600とが連結される。これら検査機500は、AOI検査機T100、O/S検査機T110、アレー検査機T120及び補修機600を含む。
【0039】
また、TFT−LCD製造工程を全体的に管理するホスト200、自動運送装置(automatic guide vehicle:以下AGVとする)を制御するAGVコントローラ400及びファイルサーバー300が、前記ネットワークに連結されている。ファイルサーバー300のデータは、多数の検査機と補修機とが共有することができる
AOI検査機T100、O/S検査機T110、アレー検査機T120及び補修機600は運営体制としてユニックスを用いるが、必ずこれに限られるわけではない。それぞれの検査機T100〜T120及び補修機600から生成されたファイルは、ネットワークに連結されたファイルサーバー300に保存されて用いられる。または、前記ファイルは、それぞれの検査機T100〜T120から補修機600に直接伝送されて用いられる。
【0040】
本発明の実施形態例では、それぞれの検査機T100〜T120及び補修機600が運営体制としてユニックスを用いるので、ユニックスが提供するファイル伝送方法が用いられる。
図8及び図9は、本発明の実施形態例による統合補修システムを含んだTFT基板の製造工程を示すフローチャートである。
【0041】
TFT基板にゲートパターンが形成されると(段階S102)、AOI検査機またはO/S検査機に運ばれ(段階S104)、ゲートパターンに不良があるか否かが判定される(段階S106)。この時、不良が発生するとファイルAが生成されるが、このファイルAには基板に対する不良座標、不良コード及び不良程度を示すセルグレードが保存される。具体的に、不良座標はTFT基板で不良が発生したピクセルの位置を示し、X軸とY軸とを基準にして(X座標値、Y座標値)表される。
【0042】
不良コードはそれぞれの検査機が検出することができる項目を言う。たとえば、AOI検査機である場合、不良コードは前述した膜残留、膜剥離、粒子、グラスチップ、浸蝕、染み、フォトレジストまたはマスク不良などである。また、O/S検査である場合、不良コードは断線または短絡不良などである。アレー検査である場合、不良コードはピクセルまたはライン不良などである。
【0043】
セルグレードは、例えばR、X、Oとして表示される。RはTFT基板で不良が発生したピクセルが補修できることを示す。Xは該当ピクセルがリジェクトされることを示し、これによってXに示されたTFT基板に対しては補修作業が遂行されない。
正常なピクセルはOで示される。ここで、AOI検査機で生成されたファイルをファイルAをすると、このファイルはネットワークに連結されたファイルサーバーまたはAOI検査機自体のハードディスクに保存することができる(段階S108)。
【0044】
AOI検査またはO/S検査を終えたTFT基板にアクティブパターン形成工程が遂行された後(段階S110)、再度AOI検査機に運ばれて前述したような順に検査が遂行されて(段階S112〜S114)ファイルが生成される(段階S116)。この過程で生成されたファイルをファイルBとする。ファイルBもファイルAと同様にファイルサーバーまたはAOI検査機内のハードディスクに保存される。
【0045】
次に、TFT基板はデータパターン形成工程が遂行された後(段階S118)、AOI検査機とO/S検査機とで順次検査が進む(段階S120〜S130)。この過程で前述したようにファイルCとファイルDとが生成され、それぞれはファイルサーバーに保存されたり検査機自体のハードディスクに保存される。
最後に、TFT基板には画素電極が形成されて(段階S132)、AOI検査機とアレー検査機とにおける検査が行われ、ファイルEとファイルFとが生成される(段階S134〜S144)。
【0046】
ここまで生成されたファイルA〜Fにはそれぞれの検査結果である不良座標、不良コード及びセルグレードが記録されている。ファイルA〜Fには、補修工程が進むに先だち、統合処理が施されれる(段階S146)。
図10は図8及び図9でファイル統合及び補修過程を示すフローチャートである。
【0047】
図10に示した過程は補修工程で補修機が補修作業を遂行する前に行われる。
それぞれの工程を遂行した後、AOI検査機、O/S検査機及びアレー検査機で生成されたファイルA〜Fが集められる(段階S200)。ここでは二つの方法が可能である。
先ず、検査機でそれぞれのファイルが生成された後、ファイルサーバーに共通に保存されている場合にはファイルサーバーに接続して該当ファイルを全部持ってくる。
【0048】
検査機でそれぞれのファイルが生成された後、自体ハードディスクに保存されている場合には、該当検査機に直接接続してファイルを持ってくる。
補修機は集めたファイルA〜Fのセルグレードを調べてそれぞれのセルが補修可能であるかどうかを判断する(段階S210)。ここで、Xと示されたセルはリジェクトされ、Oと示されたセルは正常であるので補修作業を遂行しない(段階S270)。
【0049】
次に、集めたファイルを統合するかどうかを判断する(段階S220)。この時、統合するかどうかを示すプラグを設定し、このプラグがセットされないと補修機を特定検査機と直接連結する(段階S240)。そして、補修機は連結された検査機で発生したファイルだけを参照してTFT基板に対する補修作業を遂行する。
【0050】
プラグがセットされているとファイル統合作業を遂行する。ファイル統合作業は次の通りに遂行される。たとえば、ゲートパターン工程後にAOI検査機で発生したファイルA内に不良座標(0、0)、不良コードがフォトレジストで、セルグレードがRであるとする。また、アクティブパターン工程後にAOI検査機で発生したファイルB内にも不良座標(0、0)、不良コードがマスクであり、セルグレードをRとする。最後に、画素電極形成後にアレー検査機で発生したファイルFに不良座標(0、0)、不良コードがピクセルで、セルグレードがRである場合があるとする。この場合、ファイルA、ファイルB及びファイルFの内容は統合されてファイルAに不良座標(0、0)と、不良コードがAOI検査機で検出されたフォトレジスト及びマスク並びにアレー検査機で検出されたピクセルとが記録され、セルグレードがRと記録される。
【0051】
一方、ファイルBとファイルFにあった不良座標(0、0)の記録は削除される。このような方法で多数のファイルに記録された内容が不良座標を基準に重複した不良座標無しに統合される(段階S230)。
補修工程で補修機は統合されたファイル内のセルグレードを参照して補修可能であるかどうかを判断する(段階S250)。セルグレードがRである場合には補修作業を遂行する。成功裡に補修作業が終わるとセルグレードをOに変換し、補修作業が失敗するとセルグレードをXに変換する(段階S260)。
【0052】
図11は図8及び図9の製造過程で一つのTFT基板が運ばれる工程ラインの構成図である。
TFT基板がそれぞれの製造工程と検査工程とに順次運ばれて遂行され、最後に補修工程に運ばれる。したがって、図6と比べるとAGVがTFT基板を毎回検査機を遂行して補修機に運ぶ過程が省略される。
【0053】
一方、前記に説明した本発明の実施形態例による統合補修システムで、各検査機は各工程の段階で発生した不良データを検出しなければならない。しかし、多数の工程を過ぎたTFT−LCD基板には各工程毎に発生した不良が累積して存在するので、各工程段階で発生した不良データを検出するためには以下に説明するような不良検出システムが必要である。
【0054】
図12は本発明の実施形態例による自動不良検出システムを示した図面である。
図12のように、本発明の実施形態例による自動不良検出システムはファイルサーバー300及び検査機500から構成されている。検査機500は、比較機520、基板ID判読装置530及び不良検出装置540を含む。
【0055】
基板ID判読装置530は工程進行中である基板のIDを判読し、その結果を比較機520に伝送する。不良検出装置540は、現在工程で遂行された基板の不良を検出し、その結果を比較機520を通じてファイルサーバー300に伝送する。
比較機520は、ファイルサーバー300から以前の工程で検出した累積不良データと、不良検出装置540を通じて検出した現在工程の累積不良データとを比較し、現在工程で発生した不良データを検出する。
【0056】
図13は本実施形態例の不良検出装置540を詳細に示した図面である。
図13に示したように、本発明の実施形態例による不良検出装置540はカメラ542と不良検出機543とからなる。図13において、カメラ541は基板を撮影し、不良検出機543はカメラ542が撮影した基板の不良をデータ化して比較機520に伝送する。
【0057】
以下、図12〜図14を参照しながら本実施形態例の動作を説明する。
本実施形態例の自動不良検出システムは液晶表示装置の各製造工程が終わった後に基板の不良を検出する。
先ず、工程が終わった後、当該工程を過ぎた基板はID判読装置540にローディングされる(S300)。基板ID判読装置540は、基板のIDを識別後、基板のIDを比較機520に伝送する(S310)。
【0058】
比較機520は、ID認識機531から伝送された当該基板のIDと、ファイルサーバー300に保存されている工程に投入されている基板のIDとを比較する(S320)。ここで、ファイルサーバー300には、工程に投入された基板のIDが保存されている。
比較の結果、当該基板とIDとが一致する基板がないと、当該基板は次の工程に送られる(S330)。比較の結果、当該基板とIDとが一致する基板があれば、不良検出動作が行われる(S340)。
【0059】
つまり、基板ID判読装置530から判読した基板のIDとファイルサーバー300に保存された投入された基板とでIDが一致すると、カメラ542は基板の不良を撮影し、検出された不良を不良検出機543に伝送する。不良検出機543はカメラ542から伝送される不良の内容をデータ化し、そのデータを比較機520に伝送する。この時、不良検出機543を通じて比較機520に伝送される基板不良データは、当該工程までの全ての不良がカメラ542で撮影されるので、累積したデータ(accumulated data)である。
【0060】
一方、この時のデータは、不良の位置に関するデータ、不良の内容に関するデータ、不良の程度に関するデータとを含む。
比較機520は、ファイルサーバー300に既に保存されている前記基板に対する不良データを取り出す。この時の不良データは、当該工程の以前の工程までの不良に関する累積データである。比較機520はサーバーから取り出した累積データと、不良検出機542から伝送された当該工程での累積データとを比較する(S350)。比較の結果、差異点がないと当該基板は次の工程に送られる(S360)。比較の結果、差異点があるとその差異をデータ化するが、この時のデータをスタックデータ(stack data)という。
【0061】
図15(a)〜(c)は工程で基板の不良の例を示したものである。図11(a)はファイルサーバーに保存されている当該工程以前までの工程の不良を示したものであり、図11(b)は当該工程から検出された不良を示したものである。当該工程で発生した不良は結局図11(b)と図11(a)との差異である図11(c)になり、結局図11(c)に関するデータがスタックデータである。
【0062】
前記スタックデータと累積データ(total data)とはファイルサーバー300に再度伝送されて保存される(S370)。このスタックデータによって当該工程での基板の不良に関する情報を正確に把握することができる。
以上の過程が終わると、当該基板は次の工程に復帰する(S370)。
【0063】
【発明の効果】
以上、本発明の実施形態例について説明したが、本発明は前記実施形態例に限られるわけではなく、その他の多様な変更や変形が可能である。
たとえば、本発明の実施形態例に用いられるそれぞれの検査機の運営体制としては、ユニックス以外にウィンドーNTなどを用いて具現することができる。また、以上では統合されたファイルを用いた補修システムを説明したが、本発明の統合されたファイルは補修機にだけに限られるわけではない。
【0064】
また、本発明の実施形態例においてはTFT−LCDの製造を例に挙げて説明したが、本発明は前記TFT−LCDの製造に限られるものではなく、半導体、プラズマディスプレーパネル、印刷回路基板などのようなマイクロエレクトロニクスデバイスの製造にも適用可能であるのは当然のことであり、この他にも多数の設備作業の結果がファイルに保存されて、これらファイルが統合されて最終設備に用いられる全ての産業分野に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】
(a),(b);薄膜トランジスター基板の製造方法を示した断面図。
【図2】
(a),(b);薄膜トランジスター基板の製造方法を示した断面図。
【図3】
(a),(b);薄膜トランジスター基板の製造方法を示した断面図。
【図4】
図1(a)〜図3(b)に示したような従来の製造工程を遂行するフローチャート。
【図5】
図1(a)〜図3(b)に示したような従来の製造工程を遂行するフローチャート。
【図6】
図4及び図5の製造工程で一つの薄膜トランジスター基板が運ばれる工程ライン構成図。
【図7】
本発明の実施形態例による統合補修システムの構成図である。
【図8】
本発明の実施形態例による統合補修システムを含んだ薄膜トランジスター基板の製造工程を示すフローチャート。
【図9】
本発明の実施形態例による統合補修システムを含んだ薄膜トランジスター基板の製造工程を示すフローチャート(1)。
【図10】
本発明の実施形態例による統合補修システムを含んだ薄膜トランジスター基板の製造工程を示すフローチャート(2)。
【図11】
図8及び図9の製造工程で一つの薄膜トランジスター基板が運ばれる工程ライン構成図。
【図12】
本発明の実施形態例による不良検出システムの全体構成図。
【図13】
図12における不良検出装置の構成図。
【図14】
本発明の実施形態例にかかる不良検出システムの動作を示すフローチャート。
【図15】
基板の不良の例を示した説明概念図。
【発明の名称】 統合補修システム及び自動不良検出システムとその制御方法
【特許請求の範囲】
【請求項1】
所定のパターンが形成される基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、
前記複数の検査機と連結され、前記検査機によって保存されたファイルを取得及び統合し、統合されたファイルを参照して補修作業を一括的に遂行する補修機と、
を含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項2】
前記複数の検査機にネットワークで連結され、前記検査機の前記ファイルを保存し、前記補修機が要求したとき前記ファイルを提供するファイルサーバーをさらに含む、請求項1に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項3】
ホストによって制御され、複数の検査機間及び検査機と補修機との間で前記基板を自動運送する自動運送装置をさらに含む、請求項1に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項4】
前記ホストと連結され、前記ホストからの命令を受けて前記自動運送装置の運送を制御する自動運送装置コントローラをさらに含む、請求項3に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項5】
前記基板は薄膜トランジスタ基板である、請求項1に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項6】
前記ファイルには、
前記基板に不良が発生した位置を示す不良座標と、
前記基板の不良内容を示す不良コードと、
前記基板に発生した不良程度を示すセルグレードと、
が記録される請求項1に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項7】
重複する不良座標に対して、前記ファイルを統合し、前記ファイルの重複するデータを削除する請求項6に記載のマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システム。
【請求項8】
所定のパターンが形成される基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、前記検査結果を利用して補修を遂行する補修機とを含む統合補修システムの制御方法であって、
各工程において前記基板に対して所定のパターンを形成する第1段階と、
前記各工程後、前記基板に形成した所定のパターンに対して光学的または電気的検査を遂行し、前記基板に不良が発生した場合、検査の結果を一定形式で複数のファイルに保存する第2段階と、
前記ファイルに保存された前記検査の結果を統合して重複する部分を削除した後、基板に発生した不良を一括的に補修する第3段階と、
を含む統合補修システムの制御方法。
【請求項9】
前記第2段階は、
前記ピクセルが不良の場合、前記ピクセルの位置を示す不良座標、不良内容を示す不良コード及び不良程度を示すセルグレードを前記ファイルに保存する段階と、
ファイルサーバーか前記複数の検査機内のハードディスクに前記ファイルを保存する段階と、
を含む請求項8に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項10】
前記第3段階は、
前記複数のファイルをネットワークを介して取得する段階と、
前記複数のファイル内に保存された不良データにおいて、前記基板のそれぞれのピクセルが補修可能であるかどうかを判断し、補修できなければリジェクトとして処理する段階と、
前記複数のファイルを統合するかどうかを判断し、統合する場合には前記複数のファイルを特定の座標を基準に統合して重複データを削除し、統合しない場合には特定の検査機と補修機とを接続する段階と、
を含む請求項8に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項11】
前記第3段階は、
前記複数のファイルにある重複したデータが一つのファイルに不良座標を基準に統合して記録され、その他のファイルで統合された部分は削除する段階をさらに含む、請求項10に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項12】
基板にゲートパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第1段階と、
前記第1段階で第1不良が発生すると、第1不良のデータを第1ファイルに保存する第2段階と、
前記基板にアクティブパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査を遂行する第3段階と、
前記第3段階において第2不良が発生すると、第2不良のデータを第2ファイルに保存する第4段階と、
前記基板にデータパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第5段階と、
前記第5段階で第3不良が発生すると、第3不良のデータを第3ファイルに保存する第6段階と、
前記基板に画素電極を形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第7段階と、
前記第7段階で第4不良が発生すると、第4不良のデータを第4ファイルに保存する第8段階と、
前記第1ファイル乃至第4ファイルを統合し、前記第1ファイル乃至第4ファイルで重複する部分を削除する第9段階と、
前記統合ファイルを参照して一括的に補修する第10段階と、を含む統合補修システムの制御方法。
【請求項13】
前記基板に対して自動光学検査が実行されることを特徴とする請求項12に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項14】
前記第5段階で前記基板に対して遂行される電気的検査は、断線/短絡検査機を用いることを特徴とする、請求項12に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項15】
前記第7段階で前記基板に対して遂行される電気的検査は、アレー検査機を用いることを特徴とする、請求項12に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項16】
前記第1不良のデータ〜第4不良のデータは、前記基板で不良が発生した座標値、不良コード及びセルグレードを含むことを特徴とする、請求項12に記載の統合補修システムの制御方法。
【請求項17】
基板を検査し、検査の結果、基板の不良を検出して一定形式でファイルに保存する不良検出装置と、
前記不良データファイルを前記不良検出装置から受け付け、それぞれの工程からその直後の工程までの間に生じた基板の不良のデータをファイル形式に保存するファイルサーバーと、を含み、
前記自動不良検出システムは、前記ファイルサーバーに連結され、前記ファイルサーバーに保存されている以前の工程までの基板の不良と当該工程までの基板の不良とを比較する比較機をさらに含む、自動不良検出システム。
【請求項18】
基板のIDを認識し、その結果を前記比較機に送る基板ID判読装置をさらに含む、請求項17に記載の自動不良検出システム。
【請求項19】
前記比較機は、
前記基板ID判読装置から判読された基板IDと、前記ファイルサーバーに保存されている前記対応工程の基板のIDとが一致するかどうかを比較する、請求項18に記載の自動不良検出システム。
【請求項20】
基板を検査し、検査結果に従い前記基板上の不良を検出し、一定の形式で不良データをファイルに保存する不良検出器と、
前記不良データファイルを前記不良検出装置から受け付け、それぞれの工程からその直後の工程までの間に生じた基板の不良のデータをファイル形式に保存するファイルサーバーと、を含み、
前記不良検出器は、前記基板上の不良箇所のデータを不良座標として出力する、自動不良検出システム。
【請求項21】
前記比較機は、
前記ファイルサーバーに保存された基板のIDの1つと前記基板のID判読装置から判読される当該基板のIDとを比較して基板が一致するかどうかを比較し、一致すると、ファイルサーバーに保存されている当該基板の以前の工程までの不良と前記検査機で検査した当該工程までの不良とを比較し、以前特定した不良データを除外した当該工程での不良データと当該工程までの不良データとを、前記ファイルサーバーに伝送する請求項20に記載の自動不良検出システム。
【請求項22】
前記ファイルサーバーは、それぞれの工程にある基板のIDと、前記比較機から入力を受けた当該工程までの不良データと、当該工程の不良データとを保存する、請求項21に記載の自動不良検出システム。
【請求項23】
それぞれの工程が遂行された後、基板をローディングする第1段階と、
前記基板の不良を検出する第2段階と、
前記基板の検出された不良を当該工程の以前までの基板の不良と比較する第3段階と、
前記比較の結果、当該工程の不良と当該工程までの不良とを保存する第4段階と、を含む自動不良検出システムの制御方法。
【請求項24】
前記第1段階と第2段階との間に前記基板のIDを認識し、保存された基板のIDと比較する第5段階をさらに含む、請求項23に記載の自動不良検出システムの制御方法。
【請求項25】
所定のパターン及びピクセルが形成される薄膜トランジスタ(TFT)基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、
前記検査結果を利用して不良を補修する補修機と、
を含む統合補修システムが実行する液晶表示装置の製造方法であって、
それぞれの工程において基板上に一定のパターンを形成する第1段階と、
前記各工程後、パターンに対して光学的または電気的検査を遂行し、基板に不良が発生した場合、検査の結果を一定形式で複数のファイルに保存する第2段階と、
前記ファイルに保存された前記検査の結果を統合して重複する部分を削除する第3段階と、
基板に発生した不良を一括的に補修する第4段階と、
を含む液晶表示装置の製造方法。
【請求項26】
前記第2段階は、
前記ピクセルが不良の場合、前記ピクセルの位置を示す不良座標、不良内容を示す不良コード及び不良程度を示すセルグレードを前記ファイルに保存する段階と、
ファイルサーバーまたは前記複数の検査機内のハードディスクに、前記ファイルを保存する段階と、
を含む請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項27】
前記第3段階は、
前記複数のファイルをネットワークを介して取得する段階と、
前記複数のファイル内に保存された不良データにおいて、前記基板のそれぞれのピクセルが補修可能であるかどうかを判断し、補修できなければリジェクトとして処理する段階と、
前記複数のファイルを統合するかどうかを判断し、統合する場合には前記複数のファイルを特定の座標を基準に統合して重複データを削除し、統合しない場合には特定の検査機と補修機とを接続する段階と、
を含む請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項28】
前記第3段階は、不良座標を基準にファイルに統合された重複するデータを削除する段階をさらに含む、請求項27に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は統合補修システム及び自動不良検出システムとその制御方法とに関する。さらに詳しくは、半導体または薄膜トランジスター液晶表示装置(thin fil−m transistor liquid crystal displa−y :以下TFT−LCDとする)などのマイクロエレクトロニクス装置(mi−cro−electronic device)製造工程で用いられる統合補修システム及び自動不良検出システムとその制御方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】
以下、薄膜トランジスター液晶表示装置の一般的な製造工程について説明する。
先ず、図1(a)に示したように、透明な絶縁基板100の上に金属を蒸着してパターニングし、ゲートパターンであるゲート電極110及びゲート線(図示せず)を形成する。その後、図1(b)に示したようにゲートパターン110の上に窒化珪素などからなるゲート絶縁膜120を蒸着し、ゲート絶縁膜120の上に非晶質珪素膜130とドーピングされた非晶質珪素膜140とを積層した後パターニングして、非晶質珪素層アクティブパターン130、140を形成する。
【0003】
次に、図2(a)に示したように金属を蒸着してパターニングし、ドーピングされた非晶質珪素層140の上の両側にソース電極151とドレーン電極152とを形成し、ゲート絶縁膜120の上にデータ線(図示せず)を形成する。
その後、図2(b)のように、ソース及びドレーン電極151、152をマスクとして用いてドーピングされた非晶質珪素層140をエッチングする。
【0004】
最後に、図3(a)及び(b)にそれぞれ示したように、ソース及びドーレン電極151、152の上に窒化珪素などからなる保護膜160を形成し、ドレーン電極152が現れる接触孔C1を形成した後、ITO(indium tin ox−ide)などの透明導電物質を蒸着してパターニングし、画素電極170を形成する。
【0005】
図4及び図5は、図1〜図3に示したような製造工程を遂行する従来のフローチャートである。
図4に示したように、従来の製造工程ではゲートパターンであるゲート電極とゲート線とを形成した後(段階S2)、ゲートパターンを検査するために自動光学検査(Automatic Optical Inspection:以下AOI検査とする)または断線/短絡検査(Open/Short Test:以下O/S検査とする)を遂行する。この時、AOI検査とO/S検査とはそれぞれAOI検査機とO/S検査機とを通じて遂行される(S4)。
【0006】
AOI検査機は、製品に直接接触せずに光を照射してその反射される光をレンズを通じてセンサーに伝達して、その光量の差を利用して欠陥発生の有無を検査する検査機である。したがって、電気的な検査から検出することができない視覚的な不良を検出して、各工程の安定有無及び環境性の問題を検出することができる。
【0007】
AOI検査機から検出される不良は目に見えるものはすべて検出することができ、感度の設定によって目で感知できないグラス表面の微細な不良や反射度の差異が微妙に現れるパターンも検出できる。
不良の例としては膜残留、膜剥離、粒子(particle)、グラスチップ(g−lass chip)、浸蝕、染み、フォトレジスト(photo resist)不良またはマスク(mask)不良などがある。
【0008】
AOI検査(またはO/S検査)が遂行されると、ゲートパターンが形成された基板にAOI検査(またはO/S検査)を遂行する過程で前述したような不良が発生するかどうかを判断して(S6)、その内容をファイルに保存する。この時、ファイルには不良が発生した部分の座標値及び不良内容などが保存される。
不良が発生して該当の内容が保存されたファイルが生じると、検査を進めた基板とファイルとは補修工程に運ばれる。この時、ファイルは補修機に入力されて不良が発生した基板に対する補修作業データとして用いられる(S7)。
【0009】
前記過程で、ゲートパターンが形成された基板に不良がなかったり、補修工程が完了した基板は次の工程に運ばれる。
次の工程はゲート電極の上に非晶質シリコン層を蒸着するアクティブパターンの形成工程が遂行される(S8)。アクティブパターン工程は非金属を蒸着させることであるので、電気的検査が不可能でAOI検査だけができる。
【0010】
したがって、AOI検査機において視覚的な検査を遂行して(段階S10)、不良が発生した場合に不良の内容をファイルに保存する。基板に不良があるかどうかを判断して(段階S12)不良が発生すると基板とファイルとは補修機に運ばれて不良が補修され(段階S13)、不良がないか補修工程が完了すると次の工程であるデータパターン形成工程に運ばれる。
【0011】
ソース電極、ドレーン電極とデータ線とを形成する工程であるデータパターン形成工程を遂行した後(段階S14)、AOI検査を遂行して前記のような過程を繰り返して遂行する(段階S15〜S17)。データパターン形成工程後にはAOI検査とともにO/S検査が遂行される。したがって、AOI検査を遂行した後、不良がなかったり補修工程を完了した基板はO/S検査機に運ばれてO/S検査が遂行される(段階S18)。
【0012】
O/S検査はTFT−LCD基板にデータラインがパターン化されると、それぞれのデータラインに電気的な信号を印加して各ラインの断線及び短絡の有無を検出する検査を言う。O/S検査の検査結果からデータラインの断線/短絡の有無を判断して(段階S20)断線/短絡が発生した場合にデータ断線ラインの番号をファイルに保存した後、不良基板とともに補修工程に送る。
【0013】
補修工程では補修機(repairer)がデータ断線ラインの番号を含むファイルを参照して基板を補修する(段階S21)。補修が完了した基板は画素電極形成工程に運ばれる。また、O/S検査機の検査結果に不良が発生しないと、基板はすぐ画素電極工程に運ばれる。
画素電極が形成された後(段階S24)、基板はAOI検査機に運ばれて前述した順に検査または補修される(段階S24〜段階S27)。画素電極形成後には基盤に対してAOI検査だけでなくアレー(arrary) 検査をするようになる。
【0014】
アレー検査はTFTピクセルの一つ一つが電気的に異常がないかどうかを検査する工程を言い、大体透明伝導物質(たとえば、ITO)を形成されたTFT組み立て最終段階で検査を実施する。アレー検査を遂行するアレー検査機には多様な種類があるが、この中でIPT(In Process Tester)はピクセルの電気的不良を光学的に検査する装備であって、TFT組み立て完了の前にセルアセンブリ(cell assembly)をせずにそれぞれのTFTピクセルの電気的特性を検査することができる。
【0015】
したがって、液晶組み立ての後、ディスプレー時に発生するピクセル欠陥及びライン欠陥を早期に検出することによって、数率改善と生産費減少に寄与することができる。このようなアレー検査機において検出することができる不良はたとえば、ピクセル不良、ライン断線またはライン短絡などである。
アレー検査が遂行されると(段階S28)、それぞれの基板に対して不良を判断して(S30)、前述した不良が発生すると該当の内容がファイルに保存されて基板とともに補修工程に運ばれる。
【0016】
補修工程でファイルを参照して補修作業を遂行すると(S31)、TFT基板に対する全ての製造工程、検査及び補修行程が終了するようになる。
図6は図4及び図5の製造工程で一つのTFT基板が運ばれる工程ラインの構成図である。図6は図4及び図5の製造工程で一つのTFT基板に工程が進むことによって検出できる全ての不良が発生する場合にこのTFT基板が運ばれる経路を示した。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
図6のように、従来のTFT−LCDの補修システムによると各工程別に検査と補修とを遂行したので検査及び補修に長時間がかかる問題点があった。
したがって、本発明は前記のような従来の問題点を解決するためのものであって、その目的はそれぞれの検査機で発生した不良の内容を含んだファイルを統合し、全ての検査機が遂行された後に製造工程の最終段階で補修機が統合されたファイルを参照して一度に補修する統合補修システム及びその制御方法を提供することにある。
【0018】
また、本発明の他の目的は各製造工程で発生する不良を自動的に検出することができる自動不良検出システムを提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明の特徴による統合補修システムはマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムであって、複数の検査機と補修機とを含む。
すなわち、本願第1発明は、所定のパターンが形成される基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、前記複数の検査機と連結され、前記検査機によって保存されたファイルを取得及び統合し、統合されたファイルを参照して補修作業を一括的に遂行する補修機と、を含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
【0020】
本願第2発明は、前記第1発明において、前記複数の検査機にネットワークで連結され、前記検査機の前記ファイルを保存し、前記補修機が要求したとき前記ファイルを提供するファイルサーバーをさらに含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
本願第3発明は、前記第1発明において、ホストによって制御され、複数の検査機間及び検査機と補修機との間で前記基板を自動運送する自動運送装置をさらに含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
【0021】
本願第4発明は、前記第3発明において、前記ホストと連結され、前記ホストからの命令を受けて前記自動運送装置の運送を制御する自動運送装置コントローラをさらに含むマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
本願第5発明は、前記第1発明において、前記基板は薄膜トランジスタ基板であるマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
【0022】
本願第6発明は、前記第1発明において、前記ファイルには、前記基板に不良が発生した位置を示す不良座標と、前記基板の不良内容を示す不良コードと、前記基板に発生した不良程度を示すセルグレードと、が記録されるマイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
本願第7発明は、前記第6発明において、重複する不良座標に対して、前記ファイルを統合し、前記ファイルの重複するデータを削除することを特徴とする、マイクロエレクトロニクスデバイスの統合補修システムを提供する。
【0023】
本願第8発明は、所定のパターンが形成される基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、前記検査結果を利用して補修を遂行する補修機とを含む統合補修システムの制御方法であって、
A;各工程において前記基板に対して所定のパターンを形成する第1段階と、
B;前記各工程後、前記基板に形成した所定のパターンに対して光学的または電気的検査を遂行し、前記基板に不良が発生した場合、検査の結果を一定形式で複数のファイルに保存する第2段階と、
C;前記ファイルに保存された前記検査の結果を統合して重複する部分を削除した後、基板に発生した不良を一括的に補修する第3段階と、
を含む統合補修システムの制御方法を提供する。
【0024】
本願第9発明は、前記第8発明において、前記第2段階が、
・前記ピクセルが不良の場合、前記ピクセルの位置を示す不良座標、不良内容を示す不良コード及び不良程度を示すセルグレードを前記ファイルに保存する段階と、
・ファイルサーバーか前記複数の検査機内のハードディスクに前記ファイルを保存する段階と、
を含む統合補修システムの制御方法を提供する。
【0025】
本願第10発明は、前記第8発明において、前記第3段階が、
・前記複数のファイルをネットワークを解して取得する段階と、
・前記複数のファイル内に保存された不良データにおいて、前記基板のそれぞれのピクセルが補修可能であるかどうかを判断し、補修できなければリジェクトとして処理する段階と、
・前記複数のファイルを統合するかどうかを判断し、統合する場合には前記複数のファイルを特定の座標を基準に統合して重複データを削除し、統合しない場合には特定の検査機と補修機とを接続する段階と、
を含む統合補修システムの制御方法を提供する。
【0026】
本願第11発明は、前記第10発明において、前記第3段階が、
3E;前記複数のファイルにある重複したデータが一つのファイルに不良座標を基準に統合して記録され、その他のファイルで統合された部分は削除する段階をさらに含む統合補修システムの制御方法を提供する。
本願第12発明は、
A;基板にゲートパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第1段階と、
B;前記第1段階で第1不良が発生すると、第1不良のデータを第1ファイルに保存する第2段階と、
C;前記基板にアクティブパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査を遂行する第3段階と、
D;前記第3段階において第2不良が発生すると、第2不良のデータを第2ファイルに保存する第4段階と、
E;前記基板にデータパターンを形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第5段階と、
F;前記第5段階で第3不良が発生すると、第3不良のデータを第3ファイルに保存する第6段階と、
G;前記基板に画素電極を形成し、前記基板に対して光学的検査または電気的検査を遂行する第7段階と、
H;前記第7段階で第4不良が発生すると、第4不良のデータを第4ファイルに保存する第8段階と、
I;前記第1ファイル乃至第4ファイルを統合し、前記第1ファイル乃至第4ファイルで重複する部分を削除する第9段階と、
J;前記統合ファイルを参照して一括的に補修する第10段階と、
を含む統合補修システムの制御方法を提供する。
【0027】
本願第13発明は、前記第12発明において、前記基板に対して自動光学検査が実行されることを特徴とする統合補修システムの制御方法を提供する。
本願第14発明は、前記第12発明において、前記第5段階で前記基板に対して遂行される電気的検査が、断線/短絡検査機を用いることを特徴とする統合補修システムの制御方法を提供する。
【0028】
本願第15発明は、前記第12発明において、前記第7段階で前記基板に対して遂行される電気的検査が、アレー検査機を用いることを特徴とする統合補修システムの制御方法を提供する。
本願第16発明は、前記第12発明において、前記第1不良のデータ〜第4不良のデータが、前記基板で不良が発生した座標値、不良コード及びセルグレードを含むことを特徴とする統合補修システムの制御方法を提供する。
【0029】
本願第17発明は、基板を、検査し、検査の結果、基板の不良を検出して一定形式でファイルに保存する不良検出装置と、前記不良データファイルを前記不良検出装置から受け付け、それぞれの工程からその直後の工程までの間に生じた基板の不良のデータをファイル形式に保存するファイルサーバーとを含む自動不良検出システムを提供する。この自動不良検出システムは、前記ファイルサーバーに連結され、前記ファイルサーバーに保存されている以前の工程までの基板の不良と当該工程までの基板の不良とを比較する比較機をさらに含む。
【0030】
本願第18発明は、前記第17発明において、基板のIDを認識し、その結果を前記比較機に送る基板ID判読装置をさらに含む自動不良検出システムを提供する。
本願第19発明は、前記第18発明において、前記比較機が、前記基板ID判読装置から判読された基板IDと、前記ファイルサーバーに保存されている前記対応工程の基板のIDとが一致するかどうかを比較する自動不良検出システムを提供する。
【0031】
本願第20発明は、
・基板を検査し、検査結果に従い前記基板上の不良を検出し、一定の形式で不良データをファイルに保存する不良検出器、
・前記不良データファイルを前記不良検出装置から受け付け、それぞれの工程からその直後の工程までの間に生じた基板の不良のデータをファイル形式に保存するファイルサーバーと、を含み、
・前記不良検出器は、前記基板上の不良箇所のデータを不良座標として出力する、自動不良検出システムを提供する。
自動不良検出システムを提供する。
【0032】
本願第21発明は、前記第20発明において、前記比較機が、前記ファイルサーバーに保存された基板のIDの1つと前記基板のID判読装置から判読される当該基板のIDとを比較して基板が一致するかどうかを比較し、一致するとファイルサーバーに保存されている当該基板の以前の工程までの不良と前記検査機で検査した当該工程までの不良とを比較し、以前特定した不良データを除外した当該工程での不良データと当該工程までの不良データとを、前記ファイルサーバーに伝送する自動不良検出システムを提供する。
【0033】
本願第22発明は、前記第21発明において、前記ファイルサーバーが、それぞれの工程にある基板のIDと、前記比較機から入力を受けた当該工程までの不良データと、当該工程の不良データとを保存する自動不良検出システムを提供する。
本願第23発明は、
A;それぞれの工程が遂行された後、基板をローディングする第1段階と、
B;前記基板の不良を検出する第2段階と、
C;前記基板の検出された不良を当該工程の以前までの基板の不良と比較する第3段階と、
D;前記比較の結果、当該工程の不良と当該工程までの不良とを保存する第4段階と、
を含む自動不良検出システムの制御方法を提供する。
【0034】
本願第24発明は、前記第23発明において、前記第1段階と第2段階との間に前記基板のIDを認識し、保存された基板のIDと比較する第5段階をさらに含む、自動不良検出システムの制御方法を提供する。
本願第25発明は、所定のパターン及びピクセルが形成される薄膜トランジスタ(TFT)基板を、光学的または電気的に検査し、検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機と、前記検査結果を利用して不良を補修する補修機と、を含む統合補修システムが実行する液晶表示装置の製造方法を提供する。この方法は、以下の段階を含む。
・それぞれの工程において基板上に一定のパターンを形成する第1段階、
・前記各工程後、パターンに対して光学的または電気的検査を遂行し、基板に不良が発生した場合、検査の結果を一定形式で複数のファイルに保存する第2段階、
・前記ファイルに保存された前記検査の結果を統合して重複する部分を削除する第3段階、
・基板に発生した不良を一括的に補修する第4段階。
【0035】
本願第26発明は、前記第25発明において、前記第2段階が以下の段階を含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
・前記ピクセルが不良の場合、前記ピクセルの位置を示す不良座標、不良内容を示す不良コード及び不良程度を示すセルグレードを前記ファイルに保存する段階、
・ファイルサーバーまたは前記複数の検査機内のハードディスクに、前記ファイルを保存する段階。
【0036】
本願第27発明は、前記第25発明において、前記第3段階が以下の段階を含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
・前記複数のファイルをネットワークを介して取得する段階、
・前記複数のファイル内に保存された不良データにおいて、前記基板のそれぞれのピクセルが補修可能であるかどうかを判断し、補修できなければリジェクトとして処理する段階、
・前記複数のファイルを統合するかどうかを判断し、統合する場合には前記複数のファイルを特定の座標を基準に統合して重複データを削除し、統合しない場合には特定の検査機と補修機とを接続する段階。
【0037】
本願第28発明は、前記第27発明において、前記第3段階が、不良座標を基準にファイルに統合された重複するデータを削除する段階をさらに含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
【0038】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態例によるシステムについて説明する。また、説明の便宜のためにTFT−LCD工程に用いられる統合補修システムを具体的な例として説明する。
図7は本発明の実施形態例による統合補修システムの構成図である。図7に示したように、本発明実施形態例の統合補修システムによると、TCP/IPを利用したネットワークに多数の検査機500と補修機600とが連結される。これら検査機500は、AOI検査機T100、O/S検査機T110、アレー検査機T120及び補修機600を含む。
【0039】
また、TFT−LCD製造工程を全体的に管理するホスト200、自動運送装置(automatic guide vehicle:以下AGVとする)を制御するAGVコントローラ400及びファイルサーバー300が、前記ネットワークに連結されている。ファイルサーバー300のデータは、多数の検査機と補修機とが共有することができる
AOI検査機T100、O/S検査機T110、アレー検査機T120及び補修機600は運営体制としてユニックスを用いるが、必ずこれに限られるわけではない。それぞれの検査機T100〜T120及び補修機600から生成されたファイルは、ネットワークに連結されたファイルサーバー300に保存されて用いられる。または、前記ファイルは、それぞれの検査機T100〜T120から補修機600に直接伝送されて用いられる。
【0040】
本発明の実施形態例では、それぞれの検査機T100〜T120及び補修機600が運営体制としてユニックスを用いるので、ユニックスが提供するファイル伝送方法が用いられる。
図8及び図9は、本発明の実施形態例による統合補修システムを含んだTFT基板の製造工程を示すフローチャートである。
【0041】
TFT基板にゲートパターンが形成されると(段階S102)、AOI検査機またはO/S検査機に運ばれ(段階S104)、ゲートパターンに不良があるか否かが判定される(段階S106)。この時、不良が発生するとファイルAが生成されるが、このファイルAには基板に対する不良座標、不良コード及び不良程度を示すセルグレードが保存される。具体的に、不良座標はTFT基板で不良が発生したピクセルの位置を示し、X軸とY軸とを基準にして(X座標値、Y座標値)表される。
【0042】
不良コードはそれぞれの検査機が検出することができる項目を言う。たとえば、AOI検査機である場合、不良コードは前述した膜残留、膜剥離、粒子、グラスチップ、浸蝕、染み、フォトレジストまたはマスク不良などである。また、O/S検査である場合、不良コードは断線または短絡不良などである。アレー検査である場合、不良コードはピクセルまたはライン不良などである。
【0043】
セルグレードは、例えばR、X、Oとして表示される。RはTFT基板で不良が発生したピクセルが補修できることを示す。Xは該当ピクセルがリジェクトされることを示し、これによってXに示されたTFT基板に対しては補修作業が遂行されない。
正常なピクセルはOで示される。ここで、AOI検査機で生成されたファイルをファイルAをすると、このファイルはネットワークに連結されたファイルサーバーまたはAOI検査機自体のハードディスクに保存することができる(段階S108)。
【0044】
AOI検査またはO/S検査を終えたTFT基板にアクティブパターン形成工程が遂行された後(段階S110)、再度AOI検査機に運ばれて前述したような順に検査が遂行されて(段階S112〜S114)ファイルが生成される(段階S116)。この過程で生成されたファイルをファイルBとする。ファイルBもファイルAと同様にファイルサーバーまたはAOI検査機内のハードディスクに保存される。
【0045】
次に、TFT基板はデータパターン形成工程が遂行された後(段階S118)、AOI検査機とO/S検査機とで順次検査が進む(段階S120〜S130)。この過程で前述したようにファイルCとファイルDとが生成され、それぞれはファイルサーバーに保存されたり検査機自体のハードディスクに保存される。
最後に、TFT基板には画素電極が形成されて(段階S132)、AOI検査機とアレー検査機とにおける検査が行われ、ファイルEとファイルFとが生成される(段階S134〜S144)。
【0046】
ここまで生成されたファイルA〜Fにはそれぞれの検査結果である不良座標、不良コード及びセルグレードが記録されている。ファイルA〜Fには、補修工程が進むに先だち、統合処理が施されれる(段階S146)。
図10は図8及び図9でファイル統合及び補修過程を示すフローチャートである。
【0047】
図10に示した過程は補修工程で補修機が補修作業を遂行する前に行われる。
それぞれの工程を遂行した後、AOI検査機、O/S検査機及びアレー検査機で生成されたファイルA〜Fが集められる(段階S200)。ここでは二つの方法が可能である。
先ず、検査機でそれぞれのファイルが生成された後、ファイルサーバーに共通に保存されている場合にはファイルサーバーに接続して該当ファイルを全部持ってくる。
【0048】
検査機でそれぞれのファイルが生成された後、自体ハードディスクに保存されている場合には、該当検査機に直接接続してファイルを持ってくる。
補修機は集めたファイルA〜Fのセルグレードを調べてそれぞれのセルが補修可能であるかどうかを判断する(段階S210)。ここで、Xと示されたセルはリジェクトされ、Oと示されたセルは正常であるので補修作業を遂行しない(段階S270)。
【0049】
次に、集めたファイルを統合するかどうかを判断する(段階S220)。この時、統合するかどうかを示すプラグを設定し、このプラグがセットされないと補修機を特定検査機と直接連結する(段階S240)。そして、補修機は連結された検査機で発生したファイルだけを参照してTFT基板に対する補修作業を遂行する。
【0050】
プラグがセットされているとファイル統合作業を遂行する。ファイル統合作業は次の通りに遂行される。たとえば、ゲートパターン工程後にAOI検査機で発生したファイルA内に不良座標(0、0)、不良コードがフォトレジストで、セルグレードがRであるとする。また、アクティブパターン工程後にAOI検査機で発生したファイルB内にも不良座標(0、0)、不良コードがマスクであり、セルグレードをRとする。最後に、画素電極形成後にアレー検査機で発生したファイルFに不良座標(0、0)、不良コードがピクセルで、セルグレードがRである場合があるとする。この場合、ファイルA、ファイルB及びファイルFの内容は統合されてファイルAに不良座標(0、0)と、不良コードがAOI検査機で検出されたフォトレジスト及びマスク並びにアレー検査機で検出されたピクセルとが記録され、セルグレードがRと記録される。
【0051】
一方、ファイルBとファイルFにあった不良座標(0、0)の記録は削除される。このような方法で多数のファイルに記録された内容が不良座標を基準に重複した不良座標無しに統合される(段階S230)。
補修工程で補修機は統合されたファイル内のセルグレードを参照して補修可能であるかどうかを判断する(段階S250)。セルグレードがRである場合には補修作業を遂行する。成功裡に補修作業が終わるとセルグレードをOに変換し、補修作業が失敗するとセルグレードをXに変換する(段階S260)。
【0052】
図11は図8及び図9の製造過程で一つのTFT基板が運ばれる工程ラインの構成図である。
TFT基板がそれぞれの製造工程と検査工程とに順次運ばれて遂行され、最後に補修工程に運ばれる。したがって、図6と比べるとAGVがTFT基板を毎回検査機を遂行して補修機に運ぶ過程が省略される。
【0053】
一方、前記に説明した本発明の実施形態例による統合補修システムで、各検査機は各工程の段階で発生した不良データを検出しなければならない。しかし、多数の工程を過ぎたTFT−LCD基板には各工程毎に発生した不良が累積して存在するので、各工程段階で発生した不良データを検出するためには以下に説明するような不良検出システムが必要である。
【0054】
図12は本発明の実施形態例による自動不良検出システムを示した図面である。
図12のように、本発明の実施形態例による自動不良検出システムはファイルサーバー300及び検査機500から構成されている。検査機500は、比較機520、基板ID判読装置530及び不良検出装置540を含む。
【0055】
基板ID判読装置530は工程進行中である基板のIDを判読し、その結果を比較機520に伝送する。不良検出装置540は、現在工程で遂行された基板の不良を検出し、その結果を比較機520を通じてファイルサーバー300に伝送する。
比較機520は、ファイルサーバー300から以前の工程で検出した累積不良データと、不良検出装置540を通じて検出した現在工程の累積不良データとを比較し、現在工程で発生した不良データを検出する。
【0056】
図13は本実施形態例の不良検出装置540を詳細に示した図面である。
図13に示したように、本発明の実施形態例による不良検出装置540はカメラ542と不良検出機543とからなる。図13において、カメラ541は基板を撮影し、不良検出機543はカメラ542が撮影した基板の不良をデータ化して比較機520に伝送する。
【0057】
以下、図12〜図14を参照しながら本実施形態例の動作を説明する。
本実施形態例の自動不良検出システムは液晶表示装置の各製造工程が終わった後に基板の不良を検出する。
先ず、工程が終わった後、当該工程を過ぎた基板はID判読装置540にローディングされる(S300)。基板ID判読装置540は、基板のIDを識別後、基板のIDを比較機520に伝送する(S310)。
【0058】
比較機520は、ID認識機531から伝送された当該基板のIDと、ファイルサーバー300に保存されている工程に投入されている基板のIDとを比較する(S320)。ここで、ファイルサーバー300には、工程に投入された基板のIDが保存されている。
比較の結果、当該基板とIDとが一致する基板がないと、当該基板は次の工程に送られる(S330)。比較の結果、当該基板とIDとが一致する基板があれば、不良検出動作が行われる(S340)。
【0059】
つまり、基板ID判読装置530から判読した基板のIDとファイルサーバー300に保存された投入された基板とでIDが一致すると、カメラ542は基板の不良を撮影し、検出された不良を不良検出機543に伝送する。不良検出機543はカメラ542から伝送される不良の内容をデータ化し、そのデータを比較機520に伝送する。この時、不良検出機543を通じて比較機520に伝送される基板不良データは、当該工程までの全ての不良がカメラ542で撮影されるので、累積したデータ(accumulated data)である。
【0060】
一方、この時のデータは、不良の位置に関するデータ、不良の内容に関するデータ、不良の程度に関するデータとを含む。
比較機520は、ファイルサーバー300に既に保存されている前記基板に対する不良データを取り出す。この時の不良データは、当該工程の以前の工程までの不良に関する累積データである。比較機520はサーバーから取り出した累積データと、不良検出機542から伝送された当該工程での累積データとを比較する(S350)。比較の結果、差異点がないと当該基板は次の工程に送られる(S360)。比較の結果、差異点があるとその差異をデータ化するが、この時のデータをスタックデータ(stack data)という。
【0061】
図15(a)〜(c)は工程で基板の不良の例を示したものである。図11(a)はファイルサーバーに保存されている当該工程以前までの工程の不良を示したものであり、図11(b)は当該工程から検出された不良を示したものである。当該工程で発生した不良は結局図11(b)と図11(a)との差異である図11(c)になり、結局図11(c)に関するデータがスタックデータである。
【0062】
前記スタックデータと累積データ(total data)とはファイルサーバー300に再度伝送されて保存される(S370)。このスタックデータによって当該工程での基板の不良に関する情報を正確に把握することができる。
以上の過程が終わると、当該基板は次の工程に復帰する(S370)。
【0063】
【発明の効果】
以上、本発明の実施形態例について説明したが、本発明は前記実施形態例に限られるわけではなく、その他の多様な変更や変形が可能である。
たとえば、本発明の実施形態例に用いられるそれぞれの検査機の運営体制としては、ユニックス以外にウィンドーNTなどを用いて具現することができる。また、以上では統合されたファイルを用いた補修システムを説明したが、本発明の統合されたファイルは補修機にだけに限られるわけではない。
【0064】
また、本発明の実施形態例においてはTFT−LCDの製造を例に挙げて説明したが、本発明は前記TFT−LCDの製造に限られるものではなく、半導体、プラズマディスプレーパネル、印刷回路基板などのようなマイクロエレクトロニクスデバイスの製造にも適用可能であるのは当然のことであり、この他にも多数の設備作業の結果がファイルに保存されて、これらファイルが統合されて最終設備に用いられる全ての産業分野に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】
(a),(b);薄膜トランジスター基板の製造方法を示した断面図。
【図2】
(a),(b);薄膜トランジスター基板の製造方法を示した断面図。
【図3】
(a),(b);薄膜トランジスター基板の製造方法を示した断面図。
【図4】
図1(a)〜図3(b)に示したような従来の製造工程を遂行するフローチャート。
【図5】
図1(a)〜図3(b)に示したような従来の製造工程を遂行するフローチャート。
【図6】
図4及び図5の製造工程で一つの薄膜トランジスター基板が運ばれる工程ライン構成図。
【図7】
本発明の実施形態例による統合補修システムの構成図である。
【図8】
本発明の実施形態例による統合補修システムを含んだ薄膜トランジスター基板の製造工程を示すフローチャート。
【図9】
本発明の実施形態例による統合補修システムを含んだ薄膜トランジスター基板の製造工程を示すフローチャート(1)。
【図10】
本発明の実施形態例による統合補修システムを含んだ薄膜トランジスター基板の製造工程を示すフローチャート(2)。
【図11】
図8及び図9の製造工程で一つの薄膜トランジスター基板が運ばれる工程ライン構成図。
【図12】
本発明の実施形態例による不良検出システムの全体構成図。
【図13】
図12における不良検出装置の構成図。
【図14】
本発明の実施形態例にかかる不良検出システムの動作を示すフローチャート。
【図15】
基板の不良の例を示した説明概念図。
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