JPH10247245A - パターン欠陥検査装置 - Google Patents
パターン欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPH10247245A JPH10247245A JP9050321A JP5032197A JPH10247245A JP H10247245 A JPH10247245 A JP H10247245A JP 9050321 A JP9050321 A JP 9050321A JP 5032197 A JP5032197 A JP 5032197A JP H10247245 A JPH10247245 A JP H10247245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- inspection
- pattern
- size
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大きな欠陥の存在を比較的早い段階で確認す
ることができ、検査システムの効率向上を図ることを可
能とする。 【解決手段】 半導体素子を製作するときに使用される
フォトマスク或いは半導体ウエハのパターンの欠陥や液
晶基板のパターンの欠陥等を検査するパターン欠陥検査
装置において、設計データに基づいて作成された設計パ
ターンイメージデータと試料に照射された光の透過光又
は反射光に基づいて得られる観測データとを比較する比
較回路３２と、この比較回路における比較結果に基づい
てパターンの欠陥の有無を判定するとともにパターンの
欠陥のサイズが予め設定されたサイズよりも大きいか否
かを判定する判定回路３３及び３６とを有し、この判定
回路により検査実行中に検出された欠陥のサイズが予め
設定された欠陥のサイズよりも大きいと判定された場合
に検査を一時停止させる。
ることができ、検査システムの効率向上を図ることを可
能とする。 【解決手段】 半導体素子を製作するときに使用される
フォトマスク或いは半導体ウエハのパターンの欠陥や液
晶基板のパターンの欠陥等を検査するパターン欠陥検査
装置において、設計データに基づいて作成された設計パ
ターンイメージデータと試料に照射された光の透過光又
は反射光に基づいて得られる観測データとを比較する比
較回路３２と、この比較回路における比較結果に基づい
てパターンの欠陥の有無を判定するとともにパターンの
欠陥のサイズが予め設定されたサイズよりも大きいか否
かを判定する判定回路３３及び３６とを有し、この判定
回路により検査実行中に検出された欠陥のサイズが予め
設定された欠陥のサイズよりも大きいと判定された場合
に検査を一時停止させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン欠陥検査
装置、特に半導体素子を製作するときに使用されるフォ
トマスク或いは半導体ウエハのパターンの欠陥や液晶基
板のパターンの欠陥等を検査するパターン欠陥検査装置
に関する。
装置、特に半導体素子を製作するときに使用されるフォ
トマスク或いは半導体ウエハのパターンの欠陥や液晶基
板のパターンの欠陥等を検査するパターン欠陥検査装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】大規模集積回路（ＬＳＩ）の製造におけ
る歩留まり低下の大きな原因の一つとして、デバイスを
フォトリソグラフィ技術で製造する際に使用されるフォ
トマスクに生じている欠陥があげられる。このため、こ
のような欠陥を検査する装置の開発が盛んに行われ、実
用化されている。
る歩留まり低下の大きな原因の一つとして、デバイスを
フォトリソグラフィ技術で製造する際に使用されるフォ
トマスクに生じている欠陥があげられる。このため、こ
のような欠陥を検査する装置の開発が盛んに行われ、実
用化されている。
【０００３】従来のマスク欠陥検査装置は大きく分け
て、同じパターンが描かれた二つのチップをそれぞれ独
立に検出・観察し、その両者の違いを適当な欠陥検出手
段によって比較して欠陥を検出する方法と、パターンが
描かれたチップを適当な検出手段で観察し、これとパタ
ーンの設計データとを欠陥検出手段によって比較して欠
陥を検出する方法の２種類がある。前者の場合、同じパ
ターンが描かれた二つのチップをそれぞれ別の検出手段
で観察し比較しているため、設計データが必要ではない
などの利点はあるが、一つのマスク上に二つ以上の同じ
パターンが必要となり、同じ欠陥が発生している場合に
欠陥を検出できない等の欠点がある。一方、後者の場
合、比較のため設計パターンが必要で回路構成が複雑に
なるが、設計パターンとの比較によって欠陥を検出して
いるため、より厳密な検査が可能であり、一つのマスク
に一つのパターンでも検査可能であるなどの利点があ
る。
て、同じパターンが描かれた二つのチップをそれぞれ独
立に検出・観察し、その両者の違いを適当な欠陥検出手
段によって比較して欠陥を検出する方法と、パターンが
描かれたチップを適当な検出手段で観察し、これとパタ
ーンの設計データとを欠陥検出手段によって比較して欠
陥を検出する方法の２種類がある。前者の場合、同じパ
ターンが描かれた二つのチップをそれぞれ別の検出手段
で観察し比較しているため、設計データが必要ではない
などの利点はあるが、一つのマスク上に二つ以上の同じ
パターンが必要となり、同じ欠陥が発生している場合に
欠陥を検出できない等の欠点がある。一方、後者の場
合、比較のため設計パターンが必要で回路構成が複雑に
なるが、設計パターンとの比較によって欠陥を検出して
いるため、より厳密な検査が可能であり、一つのマスク
に一つのパターンでも検査可能であるなどの利点があ
る。
【０００４】このような装置では、欠陥が見つかった場
合、欠陥箇所とその座標位置等の情報を何等かの方法で
記憶し（例えば磁気ディスクなどに記憶する）、全面の
検査が終了した後にレビュー処理することが行われてい
る。オペレータは、欠陥部分を目視検査し、再修正を必
要とするかどうかを判断し、必要に応じて修正工程に被
検査物を回す。修正を行う場合には、欠けた欠陥を埋め
る白欠陥修正にするか、はみ出た欠陥を削る黒欠陥修正
するか等を決める。
合、欠陥箇所とその座標位置等の情報を何等かの方法で
記憶し（例えば磁気ディスクなどに記憶する）、全面の
検査が終了した後にレビュー処理することが行われてい
る。オペレータは、欠陥部分を目視検査し、再修正を必
要とするかどうかを判断し、必要に応じて修正工程に被
検査物を回す。修正を行う場合には、欠けた欠陥を埋め
る白欠陥修正にするか、はみ出た欠陥を削る黒欠陥修正
するか等を決める。
【０００５】図５は、模擬的なマスクパターンとその欠
陥の例を示したものである。図５では短冊状の検査スト
ライプの中の一部分を拡大したイメージで表現してあ
る。斜線の部分はマスク２のクロム部（遮光部）、白地
の部分はマスク２のガラス部（透過部）である。Ａ部及
びＢ部は標準的な大きさ（例えば０．２〜２μｍ程度）
の欠陥で、欠陥修正が可能なものであり、欠陥の多くが
このような欠陥で占められている。Ｃ部は大きくクロム
が欠けた欠陥（例えば１０μｍオーダーから１００μｍ
オーダー）であり、欠陥修正が困難なものを示してい
る。このような修正困難な巨大な欠陥は滅多に発生しな
いものの、マスク上に１個でもあると全く使い道はな
く、不良品扱いとなる。
陥の例を示したものである。図５では短冊状の検査スト
ライプの中の一部分を拡大したイメージで表現してあ
る。斜線の部分はマスク２のクロム部（遮光部）、白地
の部分はマスク２のガラス部（透過部）である。Ａ部及
びＢ部は標準的な大きさ（例えば０．２〜２μｍ程度）
の欠陥で、欠陥修正が可能なものであり、欠陥の多くが
このような欠陥で占められている。Ｃ部は大きくクロム
が欠けた欠陥（例えば１０μｍオーダーから１００μｍ
オーダー）であり、欠陥修正が困難なものを示してい
る。このような修正困難な巨大な欠陥は滅多に発生しな
いものの、マスク上に１個でもあると全く使い道はな
く、不良品扱いとなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】通常マスクの検査は自
動で行われ、一枚のマスク全面を検査した後、欠陥の有
無や欠陥の種類（クロムの欠け、クロム残り、付着等）
等を確認して修正するかどうかの判断を行う（レビュー
処理）が、これら一連の作業は簡単な場合でも１時間程
度、場合によっては５〜６時間以上かかることもある。
もし運悪く確認作業の終盤にきて修正不可能な大きな欠
陥が見つかった場合、それまでに費やした時間は全く無
駄になってしまう。
動で行われ、一枚のマスク全面を検査した後、欠陥の有
無や欠陥の種類（クロムの欠け、クロム残り、付着等）
等を確認して修正するかどうかの判断を行う（レビュー
処理）が、これら一連の作業は簡単な場合でも１時間程
度、場合によっては５〜６時間以上かかることもある。
もし運悪く確認作業の終盤にきて修正不可能な大きな欠
陥が見つかった場合、それまでに費やした時間は全く無
駄になってしまう。
【０００７】このように、従来のパターン欠陥検査装置
では、マスク全面を検査してからレビュー処理を行うの
で、不良品扱いとなる大きな欠陥も全面の検査が終了す
るまでその存在を知ることができなかった。この種の最
先端マスクの製造においては、ターンアラウンドタイム
をいかに短くできるかが重要である。したがって、大き
な欠陥の存在を早い段階で確認できれば、早急に欠陥対
策を行ったり再製作に踏み切れるなど、トータルでのタ
ーンアラウンドタイムを短くすることができる。また、
検査のシステムとしても余計な処理をせずに効率よく稼
働できるため、生産性の向上に役立つ。
では、マスク全面を検査してからレビュー処理を行うの
で、不良品扱いとなる大きな欠陥も全面の検査が終了す
るまでその存在を知ることができなかった。この種の最
先端マスクの製造においては、ターンアラウンドタイム
をいかに短くできるかが重要である。したがって、大き
な欠陥の存在を早い段階で確認できれば、早急に欠陥対
策を行ったり再製作に踏み切れるなど、トータルでのタ
ーンアラウンドタイムを短くすることができる。また、
検査のシステムとしても余計な処理をせずに効率よく稼
働できるため、生産性の向上に役立つ。
【０００８】本発明の目的は、大きな欠陥の存在を比較
的早い段階で確認することができ、検査システムの効率
向上を図ることが可能なパターン欠陥検査装置を提供す
ることにある。
的早い段階で確認することができ、検査システムの効率
向上を図ることが可能なパターン欠陥検査装置を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明におけるパターン
欠陥検査装置は、パターンが形成された試料に光を照射
する照射手段と、この照射手段によって前記試料に照射
された光の透過光又は反射光を集光する集光手段と、こ
の集光手段によって集光された光を受光して前記試料に
形成されたパターンに対応する観測データを取得する観
測データ取得手段と、前記試料に形成されたパターンに
対応する設計データに基づいて作成された設計パターン
イメージデータと前記観測データとを比較する又は同一
設計データに基づいて前記試料に形成された複数のパタ
ーンに対応する前記観測データ同士を比較する比較手段
と、この比較手段における比較結果に基づいてパターン
の欠陥の有無を判定するとともにパターンの欠陥のサイ
ズが予め設定されたサイズよりも大きいか否かを判定す
る判定手段と、この判定手段により検査実行中に検出さ
れた欠陥のサイズが予め設定された欠陥のサイズよりも
大きいと判定された場合に検査を一時停止させる停止手
段とを有することを特徴とする。
欠陥検査装置は、パターンが形成された試料に光を照射
する照射手段と、この照射手段によって前記試料に照射
された光の透過光又は反射光を集光する集光手段と、こ
の集光手段によって集光された光を受光して前記試料に
形成されたパターンに対応する観測データを取得する観
測データ取得手段と、前記試料に形成されたパターンに
対応する設計データに基づいて作成された設計パターン
イメージデータと前記観測データとを比較する又は同一
設計データに基づいて前記試料に形成された複数のパタ
ーンに対応する前記観測データ同士を比較する比較手段
と、この比較手段における比較結果に基づいてパターン
の欠陥の有無を判定するとともにパターンの欠陥のサイ
ズが予め設定されたサイズよりも大きいか否かを判定す
る判定手段と、この判定手段により検査実行中に検出さ
れた欠陥のサイズが予め設定された欠陥のサイズよりも
大きいと判定された場合に検査を一時停止させる停止手
段とを有することを特徴とする。
【００１０】前記パターン欠陥検査装置には、前記停止
手段によって検査が一時停止された後に検出された欠陥
を観察する観察手段と、この観察手段による観察結果に
基づいて次に行うべき操作を指示する指示手段とをさら
に設けることが好ましい。
手段によって検査が一時停止された後に検出された欠陥
を観察する観察手段と、この観察手段による観察結果に
基づいて次に行うべき操作を指示する指示手段とをさら
に設けることが好ましい。
【００１１】前記指示手段は、前記観察手段による観察
結果に基づいて検査を途中終了させるか又は検査を再開
させるかを指示するものであることが好ましい。前記判
定手段は、前記比較手段における比較結果に基づいてパ
ターンの欠陥の種類を判定する機能をさらに有し、欠陥
の種類に応じて予め複数の欠陥のサイズが設定されるも
のであってもよい。
結果に基づいて検査を途中終了させるか又は検査を再開
させるかを指示するものであることが好ましい。前記判
定手段は、前記比較手段における比較結果に基づいてパ
ターンの欠陥の種類を判定する機能をさらに有し、欠陥
の種類に応じて予め複数の欠陥のサイズが設定されるも
のであってもよい。
【００１２】前記判定手段に対して予め設定される欠陥
のサイズは、欠陥の修正が可能か否かに基づいて定めら
れるものであることが好ましい。前記発明によれば、パ
ターンの欠陥のサイズが予め設定された欠陥のサイズよ
りも大きいと判定された場合に検査を一時停止させるよ
うにしたので、大きな欠陥の存在を比較的早い段階で確
認することができ、検査システムの効率向上を図ること
が可能となる。
のサイズは、欠陥の修正が可能か否かに基づいて定めら
れるものであることが好ましい。前記発明によれば、パ
ターンの欠陥のサイズが予め設定された欠陥のサイズよ
りも大きいと判定された場合に検査を一時停止させるよ
うにしたので、大きな欠陥の存在を比較的早い段階で確
認することができ、検査システムの効率向上を図ること
が可能となる。
【００１３】すなわち、検査実行中においても、検出し
た欠陥が修正不可能な大きなものかどうかがわかり、も
し修正不可能な大きなものであった場合にはその時点で
検査を一時的に停止することができる。つまり、試料全
面の検査をしなくても、検査途中の段階でそのような致
命的な欠陥の存在を把握することができる。また、欠陥
がどのようなものであるかを知りたければ、一時的停止
後にレビュー処理を行えば、目視観察によって欠陥のよ
り詳細な情報を早い段階で知ることができる。さらに、
複数枚の試料を連続で検査する場合などは、予め即時検
査を終了するようにしておけば、無駄な時間を使わずに
効率よく次の試料の検査を行うんことが可能となる。
た欠陥が修正不可能な大きなものかどうかがわかり、も
し修正不可能な大きなものであった場合にはその時点で
検査を一時的に停止することができる。つまり、試料全
面の検査をしなくても、検査途中の段階でそのような致
命的な欠陥の存在を把握することができる。また、欠陥
がどのようなものであるかを知りたければ、一時的停止
後にレビュー処理を行えば、目視観察によって欠陥のよ
り詳細な情報を早い段階で知ることができる。さらに、
複数枚の試料を連続で検査する場合などは、予め即時検
査を終了するようにしておけば、無駄な時間を使わずに
効率よく次の試料の検査を行うんことが可能となる。
【００１４】また、仮に欠陥のサイズが予め設定された
欠陥のサイズよりも大きいと判定された場合でも、欠陥
を観察した結果、例えばそれがゴミ等の除去可能な欠陥
である場合には、一時停止した検査を再開するよう指示
することにより、試料の無駄な廃棄処分等を行わないで
すむ。
欠陥のサイズよりも大きいと判定された場合でも、欠陥
を観察した結果、例えばそれがゴミ等の除去可能な欠陥
である場合には、一時停止した検査を再開するよう指示
することにより、試料の無駄な廃棄処分等を行わないで
すむ。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施形態について説明する。まず、本発明の理解を容易
にするため、マスク・レチクル検査装置の一例につい
て、文献（超ＬＳＩ用高精度全自動マスク・レチクル検
査装置、電子材料、１９８３年９月、Ｐ４７）に記載さ
れた装置等の説明を行う。図１は装置の全体構成を示し
たものであり、図２は試料内におけるパターンの検査単
位等を示したものである。
実施形態について説明する。まず、本発明の理解を容易
にするため、マスク・レチクル検査装置の一例につい
て、文献（超ＬＳＩ用高精度全自動マスク・レチクル検
査装置、電子材料、１９８３年９月、Ｐ４７）に記載さ
れた装置等の説明を行う。図１は装置の全体構成を示し
たものであり、図２は試料内におけるパターンの検査単
位等を示したものである。
【００１６】通常のマスク製作には電子ビーム露光装置
が使用されており、マスク製作に用いたデータと同じデ
ータを用いてマスクのクロム部の欠陥検査が行われる。
検査は、顕微鏡等を用いてマスク２に描かれたマスクパ
ターンを拡大して行われ、図２に示すように幅Ｗ＝２０
０〜１０００μｍ程度の細い短冊状の部分を連続的（実
際にはテーブルが連続的に動く）に測定して実行され
る。
が使用されており、マスク製作に用いたデータと同じデ
ータを用いてマスクのクロム部の欠陥検査が行われる。
検査は、顕微鏡等を用いてマスク２に描かれたマスクパ
ターンを拡大して行われ、図２に示すように幅Ｗ＝２０
０〜１０００μｍ程度の細い短冊状の部分を連続的（実
際にはテーブルが連続的に動く）に測定して実行され
る。
【００１７】まず、図１に示すように、ＸＹθテーブル
１上にマスク２を設置し、光源３からの光を光学系４を
通してマスク２に描かれたパターンに照射する。マスク
２を透過した光は、光学系５を通してフォトダイオード
アレイ６に達し、フォトダイオードアレイ６上にパター
ン像が結像される。フォトダイオードアレイ６からはパ
ターン像に対応した出力がセンサ回路７に送られ、セン
サ回路７でＡ／Ｄ変換される。センサ回路７でＡ／Ｄ変
換された観測データは、レーザ測長システム８からのデ
ータに基づいて位置回路９から出力される位置データと
共に比較判定回路１０に送られる。
１上にマスク２を設置し、光源３からの光を光学系４を
通してマスク２に描かれたパターンに照射する。マスク
２を透過した光は、光学系５を通してフォトダイオード
アレイ６に達し、フォトダイオードアレイ６上にパター
ン像が結像される。フォトダイオードアレイ６からはパ
ターン像に対応した出力がセンサ回路７に送られ、セン
サ回路７でＡ／Ｄ変換される。センサ回路７でＡ／Ｄ変
換された観測データは、レーザ測長システム８からのデ
ータに基づいて位置回路９から出力される位置データと
共に比較判定回路１０に送られる。
【００１８】一方、マスク２に描かれたパターンに対応
する設計データは、磁気デスク装置１１からＣＰＵ１２
（制御計算機）を通してビット展開回路１３に送られ、
ここで図形データがビットデータに展開され比較判定回
路１０に送られる。比較判定回路１０内ではビットパタ
ーンデータに適当なフィルター処理を施して多値化す
る。これは、観測データが光学系５の解像特性やフォト
ダイオードアレイ６のアパーチャ効果によってフィルタ
ーが作用した状態として得られるため、設計データから
得られるビットパターンデータに対しても等価なフィル
ター処理を施して観測データに合わせるためである。こ
のようにして得られた両データを適当なアルゴリズムに
したがって比較し、両データが一致しない所を欠陥と判
定する。
する設計データは、磁気デスク装置１１からＣＰＵ１２
（制御計算機）を通してビット展開回路１３に送られ、
ここで図形データがビットデータに展開され比較判定回
路１０に送られる。比較判定回路１０内ではビットパタ
ーンデータに適当なフィルター処理を施して多値化す
る。これは、観測データが光学系５の解像特性やフォト
ダイオードアレイ６のアパーチャ効果によってフィルタ
ーが作用した状態として得られるため、設計データから
得られるビットパターンデータに対しても等価なフィル
ター処理を施して観測データに合わせるためである。こ
のようにして得られた両データを適当なアルゴリズムに
したがって比較し、両データが一致しない所を欠陥と判
定する。
【００１９】このような装置で欠陥が検出された場合、
図２に示すような検査幅（Ｗ＝２００〜１０００μｍ程
度の細い短冊状の部分）単位ごとに欠陥情報がメモリに
蓄えられる。
図２に示すような検査幅（Ｗ＝２００〜１０００μｍ程
度の細い短冊状の部分）単位ごとに欠陥情報がメモリに
蓄えられる。
【００２０】本発明では、図１に示した比較判定回路１
０の構成に主要な特徴があり、以下、図３を参照して、
比較判定回路１０の構成について詳細に説明する。図３
において、画像処理回路３１は図１のセンサー回路７か
らの観測データとビット展開回路１３からの設計パター
ンイメージデータとを入力して二つの画像データを作製
するものであり、データ比較回路３２はこれら二つのデ
ータを比較するものである。すなわち、所定のアルゴリ
ズムにより二つのデータを画像処理回路３１で画像処理
した後、データ比較回路３２で両データを所定のアルゴ
リズムによって比較処理する。アルゴリズムの例として
は、直接両データを比較する方式や位置に対する勾配
（微分値）同士を比較する方式等がある。
０の構成に主要な特徴があり、以下、図３を参照して、
比較判定回路１０の構成について詳細に説明する。図３
において、画像処理回路３１は図１のセンサー回路７か
らの観測データとビット展開回路１３からの設計パター
ンイメージデータとを入力して二つの画像データを作製
するものであり、データ比較回路３２はこれら二つのデ
ータを比較するものである。すなわち、所定のアルゴリ
ズムにより二つのデータを画像処理回路３１で画像処理
した後、データ比較回路３２で両データを所定のアルゴ
リズムによって比較処理する。アルゴリズムの例として
は、直接両データを比較する方式や位置に対する勾配
（微分値）同士を比較する方式等がある。
【００２１】欠陥有無判定回路３３はデータ比較回路３
２からの出力が予め設定されたしきい値Ａよりも大きい
場合に欠陥有りと判定するものであり、欠陥サイズ判定
回路３６はデータ比較回路３２からの出力が予め設定さ
れたしきい値Ｂよりも大きい場合に大欠陥と判定するも
のである。すなわち、欠陥有無判定回路３３と欠陥サイ
ズ判定回路３６との違いは、欠陥と判定する基準（しき
い値）が異なることにある。欠陥の大きさと欠陥判定の
しきい値とは相関関係があり、一般にしきい値を下げる
と検出される欠陥のサイズは小さくなる。欠陥有無判定
回路３３ではしきい値Ａを小さな値に設定し、大きな欠
陥から小さな欠陥まで検出できるようにしておく。一
方、欠陥サイズ判定回路３６ではしきい値Ｂを大きな値
に設定し、大きな欠陥だけを検出できるようにしてお
く。具体的には、しきい値Ｂは欠陥の大きさが修正可能
な大きさか否かに基づいて定めておけばよい。
２からの出力が予め設定されたしきい値Ａよりも大きい
場合に欠陥有りと判定するものであり、欠陥サイズ判定
回路３６はデータ比較回路３２からの出力が予め設定さ
れたしきい値Ｂよりも大きい場合に大欠陥と判定するも
のである。すなわち、欠陥有無判定回路３３と欠陥サイ
ズ判定回路３６との違いは、欠陥と判定する基準（しき
い値）が異なることにある。欠陥の大きさと欠陥判定の
しきい値とは相関関係があり、一般にしきい値を下げる
と検出される欠陥のサイズは小さくなる。欠陥有無判定
回路３３ではしきい値Ａを小さな値に設定し、大きな欠
陥から小さな欠陥まで検出できるようにしておく。一
方、欠陥サイズ判定回路３６ではしきい値Ｂを大きな値
に設定し、大きな欠陥だけを検出できるようにしてお
く。具体的には、しきい値Ｂは欠陥の大きさが修正可能
な大きさか否かに基づいて定めておけばよい。
【００２２】欠陥記録処理回路３４は欠陥有無判定回路
３３で欠陥を検出した際に欠陥に関する諸情報をメモリ
３５に格納するものであり、欠陥記録処理回路３７は欠
陥サイズ判定回路３６で大欠陥を検出した際に大欠陥に
関する諸情報をメモリ３８に格納するものである。
３３で欠陥を検出した際に欠陥に関する諸情報をメモリ
３５に格納するものであり、欠陥記録処理回路３７は欠
陥サイズ判定回路３６で大欠陥を検出した際に大欠陥に
関する諸情報をメモリ３８に格納するものである。
【００２３】なお、欠陥サイズ判定回路３６、欠陥記録
処理回路３７及びメモリ３８を除いた構成は、基本的に
は従来（先の文献等に示されたもの）と同様である。次
に、図４のフローチャートを参照して、本実施形態にお
ける具体的な検査処理の流れを説明する。
処理回路３７及びメモリ３８を除いた構成は、基本的に
は従来（先の文献等に示されたもの）と同様である。次
に、図４のフローチャートを参照して、本実施形態にお
ける具体的な検査処理の流れを説明する。
【００２４】まず、一枚のマスクを検査するための前処
理を行う。このマスク検査前処理とは、検査するマスク
に関する情報等の処理であり、例えば使用するマスクデ
ータを選択する処理、マスク検査の条件設定処理、アラ
イメント処理等が含まれる。アライメント処理では、マ
スクがセットされた際のマスク面内のＸＹ位置と回転の
ずれを読み取りそのずれ量を補正する（ａ）。
理を行う。このマスク検査前処理とは、検査するマスク
に関する情報等の処理であり、例えば使用するマスクデ
ータを選択する処理、マスク検査の条件設定処理、アラ
イメント処理等が含まれる。アライメント処理では、マ
スクがセットされた際のマスク面内のＸＹ位置と回転の
ずれを読み取りそのずれ量を補正する（ａ）。
【００２５】マスク検査前処理の後にマスク検査処理を
行う。マスク検査処理では、図２に示したように、マス
ク面内の検査領域をある検査幅Ｗ（検査ストライプ）で
短冊状に区切り、検査を進めていく。そして、この検査
ストライプ単位で比較検査のデータ処理を行い、順次次
のストライプへと検査領域を移して検査領域全面を検査
する。すなわち、基本的な流れとしては、各検査ストラ
イプ単位毎に、ストライプ検査前処理（ｂ）、ストライ
プ検査処理（ｃ）及びストライプ検査後処理（ｇ）を行
う。
行う。マスク検査処理では、図２に示したように、マス
ク面内の検査領域をある検査幅Ｗ（検査ストライプ）で
短冊状に区切り、検査を進めていく。そして、この検査
ストライプ単位で比較検査のデータ処理を行い、順次次
のストライプへと検査領域を移して検査領域全面を検査
する。すなわち、基本的な流れとしては、各検査ストラ
イプ単位毎に、ストライプ検査前処理（ｂ）、ストライ
プ検査処理（ｃ）及びストライプ検査後処理（ｇ）を行
う。
【００２６】１検査ストライプに対するストライプ検査
処理を行った後（ｃ）、欠陥有無判定回路３３により欠
陥の有無が判定される（ｄ）。欠陥がないと判定された
場合には、ストライプ検査後処理が行われる（ｇ）。欠
陥があると判定された場合には、欠陥サイズ判定回路３
６により欠陥のサイズが予め設定されたサイズよりも大
きいか否か、すなわち大欠陥であるか否かが判定される
（ｅ）。大欠陥ではないと判定された場合には、欠陥デ
ータ処理（欠陥の位置等の欠陥に関する情報をメモリに
記憶等する処理）を行った後（ｆ）、ストライプ検査後
処理が行われる（ｇ）。大欠陥であると判定された場合
には、大欠陥処理へと進む。
処理を行った後（ｃ）、欠陥有無判定回路３３により欠
陥の有無が判定される（ｄ）。欠陥がないと判定された
場合には、ストライプ検査後処理が行われる（ｇ）。欠
陥があると判定された場合には、欠陥サイズ判定回路３
６により欠陥のサイズが予め設定されたサイズよりも大
きいか否か、すなわち大欠陥であるか否かが判定される
（ｅ）。大欠陥ではないと判定された場合には、欠陥デ
ータ処理（欠陥の位置等の欠陥に関する情報をメモリに
記憶等する処理）を行った後（ｆ）、ストライプ検査後
処理が行われる（ｇ）。大欠陥であると判定された場合
には、大欠陥処理へと進む。
【００２７】大欠陥処理においては、大欠陥処理フラグ
がオンであるか否かが判断される（ｈ）。大欠陥処理フ
ラグがオンでない場合には、欠陥データ処理を行った後
（ｆ）、ストライプ検査後処理へと進む（ｇ）。大欠陥
処理フラグがオンの場合には、検査を一時停止した後、
レビュー実行フラグがオンであるか否かが判断される
（ｉ）。レビュー実行フラグがオンでない場合には、レ
ビュー処理は行わず、即座に不良品扱い処理を行い
（ｌ）、マスク検査終了処理（ｏ）へと進む。レビュー
実行フラグがオンの場合には、レビュー処理へと進む
（ｊ）。
がオンであるか否かが判断される（ｈ）。大欠陥処理フ
ラグがオンでない場合には、欠陥データ処理を行った後
（ｆ）、ストライプ検査後処理へと進む（ｇ）。大欠陥
処理フラグがオンの場合には、検査を一時停止した後、
レビュー実行フラグがオンであるか否かが判断される
（ｉ）。レビュー実行フラグがオンでない場合には、レ
ビュー処理は行わず、即座に不良品扱い処理を行い
（ｌ）、マスク検査終了処理（ｏ）へと進む。レビュー
実行フラグがオンの場合には、レビュー処理へと進む
（ｊ）。
【００２８】レビュー処理では、オペレータが図１に示
した観察スコープ１４によって欠陥を観察し、その観察
結果に基づいてオペレータが次に行うべき処理を所定の
指示手段によって指示する。欠陥サイズ判定回路３６に
対して設定されているしきい値は、欠陥が修正可能な大
きさか否かに基づいて定められているため、大欠陥と判
定されたものは一般的には不良品として処理されるもの
である。しかしながら、大欠陥と判定された場合であっ
ても、例えばそれがマスクに付着したゴミ等の除去可能
な欠陥である場合には、不良品として処理しなくてもよ
い。オペレータは、このような観点から、一時停止した
検査をそのまま途中終了するか、一時停止した検査を再
開して検査を続行するかの、いずれかの指示を行う。検
査を再開せず検査をそのまま途中終了すべきと判断され
た場合には（ｋ）、不良品扱い処理を行った後（ｌ）、
マスク検査終了処理（ｏ）へと進む。検査を再開して検
査を続行すべきと判断された場合には（ｋ）、欠陥デー
タ処理を行った後（ｆ）、ストライプ検査後処理へと進
み（ｇ）、通常は次の検査ストライプの検査へと移行す
る。
した観察スコープ１４によって欠陥を観察し、その観察
結果に基づいてオペレータが次に行うべき処理を所定の
指示手段によって指示する。欠陥サイズ判定回路３６に
対して設定されているしきい値は、欠陥が修正可能な大
きさか否かに基づいて定められているため、大欠陥と判
定されたものは一般的には不良品として処理されるもの
である。しかしながら、大欠陥と判定された場合であっ
ても、例えばそれがマスクに付着したゴミ等の除去可能
な欠陥である場合には、不良品として処理しなくてもよ
い。オペレータは、このような観点から、一時停止した
検査をそのまま途中終了するか、一時停止した検査を再
開して検査を続行するかの、いずれかの指示を行う。検
査を再開せず検査をそのまま途中終了すべきと判断され
た場合には（ｋ）、不良品扱い処理を行った後（ｌ）、
マスク検査終了処理（ｏ）へと進む。検査を再開して検
査を続行すべきと判断された場合には（ｋ）、欠陥デー
タ処理を行った後（ｆ）、ストライプ検査後処理へと進
み（ｇ）、通常は次の検査ストライプの検査へと移行す
る。
【００２９】ストライプ検査後処理では所定の後処理が
行われ（ｇ）、その検査ストライプが最終検査ストライ
プか否かが判断される（ｍ）。最終検査ストライプでな
い場合には、ストライプカウンタをアップさせ（ｎ）、
次の検査ストライプの検査へと移行する。最終検査スト
ライプである場合には、マスク検査終了処理が行われ
（ｏ）、マスク全面の検査が終了する。
行われ（ｇ）、その検査ストライプが最終検査ストライ
プか否かが判断される（ｍ）。最終検査ストライプでな
い場合には、ストライプカウンタをアップさせ（ｎ）、
次の検査ストライプの検査へと移行する。最終検査スト
ライプである場合には、マスク検査終了処理が行われ
（ｏ）、マスク全面の検査が終了する。
【００３０】上記実施形態によれば、検査実行中におい
ても、検出した欠陥が修正不可能な大きなものかどうか
がわかり、もし修正不可能な大きなものであった場合に
はその時点で検査を一時的に停止することができる。つ
まり、試料全面の検査をしなくても、検査途中の段階で
そのような致命的な欠陥の存在を把握することができ
る。その結果、無駄な時間を使わずに効率よく次の試料
の検査が可能となる。また、欠陥がどのようなものであ
るかを知りたければ、一時的停止後にレビュー処理を行
えば、目視観察によって欠陥のより詳細な情報を早い段
階で知ることができる。さらに、複数枚の試料を連続で
検査する場合などは、予め即時検査を終了するようにし
ておけば、無駄な時間を使わずに効率よく次の試料の検
査が可能となる。
ても、検出した欠陥が修正不可能な大きなものかどうか
がわかり、もし修正不可能な大きなものであった場合に
はその時点で検査を一時的に停止することができる。つ
まり、試料全面の検査をしなくても、検査途中の段階で
そのような致命的な欠陥の存在を把握することができ
る。その結果、無駄な時間を使わずに効率よく次の試料
の検査が可能となる。また、欠陥がどのようなものであ
るかを知りたければ、一時的停止後にレビュー処理を行
えば、目視観察によって欠陥のより詳細な情報を早い段
階で知ることができる。さらに、複数枚の試料を連続で
検査する場合などは、予め即時検査を終了するようにし
ておけば、無駄な時間を使わずに効率よく次の試料の検
査が可能となる。
【００３１】このように、修正不可能な大きな欠陥があ
った場合に、その存在やその欠陥がどのようなものであ
るか等の情報を早い段階で知ることができ、欠陥対策や
マスクの再製作等を早い段階で行うことができる。した
がって、トータルでのターンアラウンドタイムを短くす
ることが可能となる。
った場合に、その存在やその欠陥がどのようなものであ
るか等の情報を早い段階で知ることができ、欠陥対策や
マスクの再製作等を早い段階で行うことができる。した
がって、トータルでのターンアラウンドタイムを短くす
ることが可能となる。
【００３２】また、仮に大欠陥と判断された場合でも、
レビュー処理の結果、例えばそれが試料に付着したゴミ
等の除去可能な欠陥である場合には、不良品として処理
せずに、所定の指示手段によって一時停止した検査を続
行することもでき、試料の無駄な廃棄処分等を行わない
ですむ。
レビュー処理の結果、例えばそれが試料に付着したゴミ
等の除去可能な欠陥である場合には、不良品として処理
せずに、所定の指示手段によって一時停止した検査を続
行することもでき、試料の無駄な廃棄処分等を行わない
ですむ。
【００３３】なお、上記実施形態では、欠陥判定手段と
して欠陥有無判定回路３３及び欠陥サイズ判定回路３６
を設けたが、これら以外に、データ比較回路３２の比較
結果に基づいてパターンの欠陥の種類（例えば白欠陥と
黒欠陥）を判定する欠陥種類判定回路を設けてもよい。
そして、欠陥サイズ判定回路３６に、欠陥の種類に応じ
て互いに異なった複数のしきい値を予め設定しておけ
ば、欠陥の種類毎に最適なしきい値を設定することがで
きる。
して欠陥有無判定回路３３及び欠陥サイズ判定回路３６
を設けたが、これら以外に、データ比較回路３２の比較
結果に基づいてパターンの欠陥の種類（例えば白欠陥と
黒欠陥）を判定する欠陥種類判定回路を設けてもよい。
そして、欠陥サイズ判定回路３６に、欠陥の種類に応じ
て互いに異なった複数のしきい値を予め設定しておけ
ば、欠陥の種類毎に最適なしきい値を設定することがで
きる。
【００３４】また、上記実施形態では、設計データに基
づいて作成された設計パターンイメージデータと観測デ
ータとの比較を行う所謂ｄｉｅ−ｔｏ−ｄａｔａｂａｓ
ｅ比較方式について説明したが、同一設計データに基づ
いて試料内に描かれたパターンの観測データ同士を比較
する所謂ｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ比較方式に対しても、上
記実施形態と同様の方法を適用することができる。
づいて作成された設計パターンイメージデータと観測デ
ータとの比較を行う所謂ｄｉｅ−ｔｏ−ｄａｔａｂａｓ
ｅ比較方式について説明したが、同一設計データに基づ
いて試料内に描かれたパターンの観測データ同士を比較
する所謂ｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ比較方式に対しても、上
記実施形態と同様の方法を適用することができる。
【００３５】さらに、検査対象となる試料としては、レ
チクル等のフォトマスクの他に、半導体ウエハや液晶表
示装置用基板等でもよい。レチクル等のマスク上に描か
れたパターンに対して検査を行う場合には、上記実施形
態のように試料に照射された光の透過光を用いて検査を
行うことになるが、半導体ウエハ上に描かれたのパター
ンに対して検査を行う場合には、試料に照射された光の
反射光を用いて検査を行うことになる。その他、本発明
はその趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実
施可能である。
チクル等のフォトマスクの他に、半導体ウエハや液晶表
示装置用基板等でもよい。レチクル等のマスク上に描か
れたパターンに対して検査を行う場合には、上記実施形
態のように試料に照射された光の透過光を用いて検査を
行うことになるが、半導体ウエハ上に描かれたのパター
ンに対して検査を行う場合には、試料に照射された光の
反射光を用いて検査を行うことになる。その他、本発明
はその趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実
施可能である。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、パターンの欠陥のサイ
ズが予め設定された欠陥のサイズよりも大きいと判定さ
れた場合に検査を一時停止させるようにしたので、大き
な欠陥の存在を比較的早い段階で確認することができ、
検査システムの効率向上を図ることが可能となる。
ズが予め設定された欠陥のサイズよりも大きいと判定さ
れた場合に検査を一時停止させるようにしたので、大き
な欠陥の存在を比較的早い段階で確認することができ、
検査システムの効率向上を図ることが可能となる。
【００３７】また、仮に欠陥のサイズが予め設定された
欠陥のサイズよりも大きいと判定された場合でも、欠陥
を観察した結果、例えばそれがゴミ等の除去可能な欠陥
である場合には、一時停止した検査を再開するよう指示
することにより、試料の無駄な廃棄処分等を防止するこ
とができる。
欠陥のサイズよりも大きいと判定された場合でも、欠陥
を観察した結果、例えばそれがゴミ等の除去可能な欠陥
である場合には、一時停止した検査を再開するよう指示
することにより、試料の無駄な廃棄処分等を防止するこ
とができる。
【図１】本発明に係るパターン欠陥検査装置の一実施形
態についてその全体構成を示した図。
態についてその全体構成を示した図。
【図２】図１に示した装置でパターン欠陥検査を行うと
きの試料内における検査単位等について示した図。
きの試料内における検査単位等について示した図。
【図３】図１に示した装置における比較判定回路の詳細
な構成を示したブロック図。
な構成を示したブロック図。
【図４】本発明に係るパターン欠陥検査装置の検査処理
の流れの一例を示したフローチャート。
の流れの一例を示したフローチャート。
【図５】パターンの欠陥の例について示した図。
２…マスク（試料） ３…光源（照射手段） ５…光学系（集光手段） ６…フォトダイオードアレイ（観測データ取得手段） ７…センサ回路（観測データ取得手段） ３２…データ比較回路（比較手段） ３３…欠陥有無判定回路（判定手段） ３６…欠陥サイズ判定回路（判定手段）
Claims (5)
- 【請求項１】 パターンが形成された試料に光を照射す
る照射手段と、この照射手段によって前記試料に照射さ
れた光の透過光又は反射光を集光する集光手段と、この
集光手段によって集光された光を受光して前記試料に形
成されたパターンに対応する観測データを取得する観測
データ取得手段と、前記試料に形成されたパターンに対
応する設計データに基づいて作成された設計パターンイ
メージデータと前記観測データとを比較する又は同一設
計データに基づいて前記試料に形成された複数のパター
ンに対応する前記観測データ同士を比較する比較手段
と、この比較手段における比較結果に基づいてパターン
の欠陥の有無を判定するとともにパターンの欠陥のサイ
ズが予め設定されたサイズよりも大きいか否かを判定す
る判定手段と、この判定手段により検査実行中に検出さ
れた欠陥のサイズが予め設定された欠陥のサイズよりも
大きいと判定された場合に検査を一時停止させる停止手
段とを有することを特徴とするパターン欠陥検査装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のパターン欠陥検査装置
において、前記停止手段によって検査が一時停止された
後に検出された欠陥を観察する観察手段と、この観察手
段による観察結果に基づいて次に行うべき操作を指示す
る指示手段とをさらに設けたことを特徴とするパターン
欠陥検査装置。 - 【請求項３】 前記指示手段は、前記観察手段による観
察結果に基づいて検査を途中終了させるか又は検査を再
開させるかを指示するものであることを特徴とする請求
項２に記載のパターン欠陥検査装置。 - 【請求項４】前記判定手段は、前記比較手段における比
較結果に基づいてパターンの欠陥の種類を判定する機能
をさらに有し、欠陥の種類に応じて予め複数の欠陥のサ
イズが設定されるものであることを特徴とする請求項１
乃至３のいずれかに記載のパターン欠陥検査装置。 - 【請求項５】前記判定手段に対して予め設定される欠陥
のサイズは、欠陥の修正が可能か否かに基づいて定めら
れるものであることを特徴とする請求項１乃至４のいず
れかに記載のパターン欠陥検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9050321A JPH10247245A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | パターン欠陥検査装置 |
| US09/035,268 US5995219A (en) | 1997-03-05 | 1998-03-05 | Pattern defect inspection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9050321A JPH10247245A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | パターン欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247245A true JPH10247245A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=12855649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9050321A Pending JPH10247245A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | パターン欠陥検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5995219A (ja) |
| JP (1) | JPH10247245A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040048543A (ko) * | 2002-12-03 | 2004-06-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조에서의 결점 분석 방법 |
| JP2010021511A (ja) * | 2008-06-10 | 2010-01-28 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、及び半導体装置の製造方法 |
| WO2014129307A1 (ja) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置、及び半導体計測システム |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1183753A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-03-26 | Toshiba Corp | 光学式基板検査装置 |
| JPH11214462A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Hitachi Ltd | 回路パターン検査における欠陥致命性判定方法、レビュー対象とする欠陥選択方法、およびそれらに関連する回路パターンの検査システム |
| US6466314B1 (en) * | 1998-09-17 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Reticle design inspection system |
| JP4206192B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2009-01-07 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及び装置 |
| US6456951B1 (en) * | 1999-01-06 | 2002-09-24 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing inspection data |
| FR2802643B1 (fr) * | 1999-12-15 | 2002-03-08 | Sgcc | Procede de controle de la qualite d'un article notamment en verre |
| JP3443083B2 (ja) * | 2000-09-12 | 2003-09-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置のパターンの危険箇所情報の評価方法 |
| US6621573B2 (en) * | 2001-02-27 | 2003-09-16 | Emhart Glass, S.A. | Glass container inspection machine |
| JP2004012779A (ja) * | 2002-06-06 | 2004-01-15 | Sony Corp | マスクの検査方法およびマスク欠陥検査装置 |
| US6850321B1 (en) * | 2002-07-09 | 2005-02-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Dual stage defect region identification and defect detection method and apparatus |
| JP3721147B2 (ja) * | 2002-07-29 | 2005-11-30 | 株式会社東芝 | パターン検査装置 |
| US7271891B1 (en) | 2003-08-29 | 2007-09-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for providing selective defect sensitivity |
| US20050255611A1 (en) * | 2004-05-14 | 2005-11-17 | Patterson Oliver D | Defect identification system and method for repairing killer defects in semiconductor devices |
| JP4143084B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2008-09-03 | アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 | 試料検査装置、画像位置合わせ方法及びプログラム |
| JP2007178144A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | パターン検査装置、パターン検査方法、検査対象試料、及び検査対象試料の管理方法 |
| JP5390215B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2014-01-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法および欠陥観察装置 |
| JP5543872B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | パターン検査方法およびパターン検査装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58223328A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Toshiba Corp | マスク欠陥検査装置 |
| JPS59192944A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | パタ−ン欠陥分類方法 |
| US5410400A (en) * | 1991-06-26 | 1995-04-25 | Hitachi, Ltd. | Foreign particle inspection apparatus |
| US5814829A (en) * | 1995-07-11 | 1998-09-29 | Qc Optics, Inc. | Multistation surface inspection system |
| JP2822937B2 (ja) * | 1995-07-17 | 1998-11-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造システム及び欠陥検査方法 |
-
1997
- 1997-03-05 JP JP9050321A patent/JPH10247245A/ja active Pending
-
1998
- 1998-03-05 US US09/035,268 patent/US5995219A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040048543A (ko) * | 2002-12-03 | 2004-06-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조에서의 결점 분석 방법 |
| JP2010021511A (ja) * | 2008-06-10 | 2010-01-28 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、及び半導体装置の製造方法 |
| WO2014129307A1 (ja) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置、及び半導体計測システム |
| JPWO2014129307A1 (ja) * | 2013-02-20 | 2017-02-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置、及び半導体計測システム |
| US9990708B2 (en) | 2013-02-20 | 2018-06-05 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern-measuring apparatus and semiconductor-measuring system |
| US10445875B2 (en) | 2013-02-20 | 2019-10-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern-measuring apparatus and semiconductor-measuring system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5995219A (en) | 1999-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6326465B2 (ja) | ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の１つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのための方法 | |
| JPH10247245A (ja) | パターン欠陥検査装置 | |
| TWI760437B (zh) | 檢測一光微影倍縮光罩之方法及系統，以及電腦可讀媒體 | |
| US10402461B2 (en) | Virtual inspection systems for process window characterization | |
| JP2021182162A (ja) | デバイスの特性の予測方法及びシステム | |
| US8041106B2 (en) | Methods and systems for detecting defects on a reticle | |
| JP6609568B2 (ja) | 差分ダイおよび差分データベースを利用した検査 | |
| KR20140141648A (ko) | 체계적 결함 필터를 갖는 레티클 결함 검사 | |
| CN109659245B (zh) | 监测光掩模缺陷率的改变 | |
| CN109564883B (zh) | 用于自动视觉缺陷检查之后的电子裸片覆墨的系统和方法 | |
| KR20180030249A (ko) | 반도체 마스크 검사를 위한 다각형 기반 지오메트리 분류 | |
| JP2007192652A (ja) | パターン検査装置、パターン検査方法、及び検査対象試料 | |
| US7243331B2 (en) | Method and system for controlling the quality of a reticle | |
| TWI546534B (zh) | 用於資料庫驅動之單元間十字線檢視之檢視設備、電腦設備及方法 | |
| KR100274594B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 검사장치 및 검사방법. | |
| JP2000067243A (ja) | 自動欠陥情報収集制御方法及び自動欠陥情報収集制御プログラムを記録した記録媒体 | |
| US20070053578A1 (en) | Pattern inspection apparatus and method and reticle for use therein | |
| CN111426701B (zh) | 一种晶圆缺陷检测方法及其装置 | |
| US7855088B2 (en) | Method for manufacturing integrated circuits by guardbanding die regions | |
| JPS61207953A (ja) | 自動外観検査装置 | |
| JP2000330261A (ja) | レーザー修正装置及びフォトマスク欠陥保証方法 | |
| JPH0643110A (ja) | レジストパターン欠陥の検出方法 | |
| JP2001236493A (ja) | 外観検査装置 | |
| Zhang et al. | New method of identification of false or nuisance defects using defect imaging system DIS-05 | |
| JP2004258384A (ja) | 欠陥検査方法及びその装置、並びに露光用マスクの前処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040622 |