JP3443083B2 - 半導体装置のパターンの危険箇所情報の評価方法 - Google Patents
半導体装置のパターンの危険箇所情報の評価方法Info
- Publication number
- JP3443083B2 JP3443083B2 JP2000277125A JP2000277125A JP3443083B2 JP 3443083 B2 JP3443083 B2 JP 3443083B2 JP 2000277125 A JP2000277125 A JP 2000277125A JP 2000277125 A JP2000277125 A JP 2000277125A JP 3443083 B2 JP3443083 B2 JP 3443083B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- information
- dangerous
- semiconductor device
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、部分的太り、細り
といった形状を有するパターンの検査に有効な半導体装
置のパターンの危険箇所情報の評価方法に関する。
といった形状を有するパターンの検査に有効な半導体装
置のパターンの危険箇所情報の評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のパターンの欠陥の特定や解
析に必要な情報（欠陥情報）の一つとして、欠陥検査装
置等から得られる欠陥座標がある。欠陥１個に１座標が
与えられる。欠陥解析の際は欠陥解析装置にパターンと
それに対応する欠陥座標を入力し、欠陥座標を基にパタ
ーン上の欠陥を検索する。
析に必要な情報（欠陥情報）の一つとして、欠陥検査装
置等から得られる欠陥座標がある。欠陥１個に１座標が
与えられる。欠陥解析の際は欠陥解析装置にパターンと
それに対応する欠陥座標を入力し、欠陥座標を基にパタ
ーン上の欠陥を検索する。
【０００３】一般的な欠陥は、周囲のパターンと異なる
状況（パターンのオープン／ショート、パーティクル付
着等）が生じているため、異常箇所の特定が容易であ
る。したがって、一般的な欠陥の場合、欠陥画像の取
得、寸法の測定を容易に行え、その結果として欠陥解析
も容易に行える。
状況（パターンのオープン／ショート、パーティクル付
着等）が生じているため、異常箇所の特定が容易であ
る。したがって、一般的な欠陥の場合、欠陥画像の取
得、寸法の測定を容易に行え、その結果として欠陥解析
も容易に行える。
【０００４】しかしながら、欠陥座標を基にサンプル上
を検索しても、部分的太り、細りといったショートニン
グのある配線パターンは、発生状況が極端な場合を除き
目視では、危険箇所の特定および解析が困難であるとい
う問題がある。
を検索しても、部分的太り、細りといったショートニン
グのある配線パターンは、発生状況が極端な場合を除き
目視では、危険箇所の特定および解析が困難であるとい
う問題がある。
【０００５】危険箇所とは、パターンのオープン／ショ
ート等の異常欠陥とは異なり、最初から欠陥であると判
断することが困難な箇所であって、実際にパターンを形
成してみないと、欠陥であるか否かの判断が困難な箇所
である。
ート等の異常欠陥とは異なり、最初から欠陥であると判
断することが困難な箇所であって、実際にパターンを形
成してみないと、欠陥であるか否かの判断が困難な箇所
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、長方形の
右側の変形部分的太り、細りといったショートニングの
ある配線パターンは、欠陥座標（欠陥情報）を基に欠陥
を検索しても、危険箇所を容易に特定することができな
いという問題があった。
右側の変形部分的太り、細りといったショートニングの
ある配線パターンは、欠陥座標（欠陥情報）を基に欠陥
を検索しても、危険箇所を容易に特定することができな
いという問題があった。
【０００７】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、危険箇所の特定や解析
を容易に行うことを可能にする半導体装置のパターンの
危険箇所情報の評価方法を提供することにある。
ので、その目的とするところは、危険箇所の特定や解析
を容易に行うことを可能にする半導体装置のパターンの
危険箇所情報の評価方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。すなわち、上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置のパターンの危険箇所情報
の評価方法は、半導体装置の同じパターンについて、第
１のパターンデータとしてのＣＡＤデータと第２のパタ
ーンデータとしてのシミュレーションデータとを比較す
る工程と、第１のパターンデータと第２のパターンデー
タとにずれがある箇所について、当該危険箇所の特徴を
示す特徴情報および当該危険箇所の座標を示す座標情報
を抽出する工程と、前記特徴情報を用いて前記ずれの大
きさおよび方向の少なくとも一方と前記危険箇所の座標
情報と前記第１のパターンデータに対応する第１のパタ
ーンとを可視的に表示する工程と、前記危険箇所の座標
情報に基づき顕微鏡により実際のパターンの画像を得る
工程と、前記第１のパターンと前記実際のパターンの画
像とを重ね合わせる工程と、前記危険箇所における前記
第１のパターンと前記実際のパターンの画像との乖離距
離を測定し、乖離距離が規定値内にあるか否かを判別す
る工程と、を有することを特徴とする。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。すなわち、上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置のパターンの危険箇所情報
の評価方法は、半導体装置の同じパターンについて、第
１のパターンデータとしてのＣＡＤデータと第２のパタ
ーンデータとしてのシミュレーションデータとを比較す
る工程と、第１のパターンデータと第２のパターンデー
タとにずれがある箇所について、当該危険箇所の特徴を
示す特徴情報および当該危険箇所の座標を示す座標情報
を抽出する工程と、前記特徴情報を用いて前記ずれの大
きさおよび方向の少なくとも一方と前記危険箇所の座標
情報と前記第１のパターンデータに対応する第１のパタ
ーンとを可視的に表示する工程と、前記危険箇所の座標
情報に基づき顕微鏡により実際のパターンの画像を得る
工程と、前記第１のパターンと前記実際のパターンの画
像とを重ね合わせる工程と、前記危険箇所における前記
第１のパターンと前記実際のパターンの画像との乖離距
離を測定し、乖離距離が規定値内にあるか否かを判別す
る工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】このような構成であれば、特徴情報を利用
することによって、目視での検出が困難な危険箇所の特
定や解析を容易に行うことが可能となる。
することによって、目視での検出が困難な危険箇所の特
定や解析を容易に行うことが可能となる。
【００１０】また、本発明の危険箇所情報の評価方法で
抽出した情報を用いることで、従来よりも効果的な定点
モニタ方法、パターンの危険箇所解析方法、危険箇所対
策方法等の評価方法を実現することができるようにな
る。
抽出した情報を用いることで、従来よりも効果的な定点
モニタ方法、パターンの危険箇所解析方法、危険箇所対
策方法等の評価方法を実現することができるようにな
る。
【００１１】本発明の上記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明ら
かになるであろう。
な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明ら
かになるであろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
【００１３】図１及び図２は、本発明の一実施形態に係
る半導体装置のパターンの危険箇所情報の評価方法を説
明するためのフローチャートであり、図１は危険箇所情
報の生成方法を示し、図２は危険箇所対策方法を示して
いる。
る半導体装置のパターンの危険箇所情報の評価方法を説
明するためのフローチャートであり、図１は危険箇所情
報の生成方法を示し、図２は危険箇所対策方法を示して
いる。
【００１４】まず、図１を用いて、パターン危険箇所情
報の生成方法を説明する。部分的太り、細りといった形
状を有する配線パターンは、欠陥検査装置による検査が
困難なパターンの一つである。本実施形態では、このよ
うなパターンから危険箇所情報を抽出するために、形状
シミュレーションを行う。そのために、まず、モチーフ
となるデバイスのＣＡＤデータ（第１のパターンデー
タ）と、より実際の形状に近い形状プロファイルを再現
するためのシミュレーションパラメータをシミュレータ
に入力する（ステップＳ１，Ｓ２）。上記ＣＡＤデータ
は、理想パターン形状に対応したＣＡＤデータである。
ＣＡＤデータおよびシミュレーションパラメータの入力
の順序は逆でも、あるいは同時でも良い。
報の生成方法を説明する。部分的太り、細りといった形
状を有する配線パターンは、欠陥検査装置による検査が
困難なパターンの一つである。本実施形態では、このよ
うなパターンから危険箇所情報を抽出するために、形状
シミュレーションを行う。そのために、まず、モチーフ
となるデバイスのＣＡＤデータ（第１のパターンデー
タ）と、より実際の形状に近い形状プロファイルを再現
するためのシミュレーションパラメータをシミュレータ
に入力する（ステップＳ１，Ｓ２）。上記ＣＡＤデータ
は、理想パターン形状に対応したＣＡＤデータである。
ＣＡＤデータおよびシミュレーションパラメータの入力
の順序は逆でも、あるいは同時でも良い。
【００１５】次にシミュレーションを実行するパターン
を指定し（ステップＳ３）、その後形状シミュレーショ
ンを実行する（ステップＳ４）。
を指定し（ステップＳ３）、その後形状シミュレーショ
ンを実行する（ステップＳ４）。
【００１６】次に形状シミュレーションによって生成さ
れたシミュレーションパターンデータ（第２のパターン
データ）とＣＡＤデータとを比較し、シミュレーション
パターンデータに対応したパターン（形状シミュレーシ
ョンパターン）の寸法とＣＡＤデータに対応した理想パ
ターン（ＣＡＤパターン）の寸法との差が、規定寸法内
に収まっている否かを判定する（ステップＳ５）。
れたシミュレーションパターンデータ（第２のパターン
データ）とＣＡＤデータとを比較し、シミュレーション
パターンデータに対応したパターン（形状シミュレーシ
ョンパターン）の寸法とＣＡＤデータに対応した理想パ
ターン（ＣＡＤパターン）の寸法との差が、規定寸法内
に収まっている否かを判定する（ステップＳ５）。
【００１７】形状シミュレーションパターンの寸法が規
定寸法内に収まっていない場合、危険箇所情報として、
識別情報、座標情報、第１および第２の特徴情報を記録
する（ステップＳ６）。
定寸法内に収まっていない場合、危険箇所情報として、
識別情報、座標情報、第１および第２の特徴情報を記録
する（ステップＳ６）。
【００１８】ここで、識別情報は、ＣＡＤパターンを他
のＣＡＤパターンと識別するための番号である。座標情
報は、規定寸法内に収まっていない部分（危険箇所）が
存在する箇所を示す座標である。第１の特徴情報は、形
状シミュレーションパターンのうち、ＣＡＤパターンか
らずれた箇所に関しての、そのずれの大きさ（寸法違反
の度合い）である。第２の特徴情報は、形状シミュレー
ションパターンのうち、ＣＡＤパターンからずれた箇所
に関しての、そのずれの方向である。
のＣＡＤパターンと識別するための番号である。座標情
報は、規定寸法内に収まっていない部分（危険箇所）が
存在する箇所を示す座標である。第１の特徴情報は、形
状シミュレーションパターンのうち、ＣＡＤパターンか
らずれた箇所に関しての、そのずれの大きさ（寸法違反
の度合い）である。第２の特徴情報は、形状シミュレー
ションパターンのうち、ＣＡＤパターンからずれた箇所
に関しての、そのずれの方向である。
【００１９】一方、形状シミュレーションパターンの寸
法が規定寸法内に収まっている場合には、問題なくパタ
ーンが形成されていることを記録し（ステップＳ７）、
シミュレーションを終了する。
法が規定寸法内に収まっている場合には、問題なくパタ
ーンが形成されていることを記録し（ステップＳ７）、
シミュレーションを終了する。
【００２０】このような方法により生成された危険箇所
情報は、危険箇所の座標情報等の他に危険箇所の特徴を
示す特徴情報として、可視化して表現することができ
る、寸法違反の度合いおよび寸法違反を示す方向を含ん
でいる。したがって、上記危険箇所情報を用いれば、シ
ョートニングといった目視での検出が困難な危険箇所を
有する配線パターン等のパターンの特定や解析を視覚的
に容易に行うことが可能となる。このような危険箇所情
報を用いることにより、製造工程のパターン形状モニタ
（定点モニタ）、パターンの危険箇所解析、危険箇所対
策等の評価方法を従来よりも効果的に実施することが可
能になる。
情報は、危険箇所の座標情報等の他に危険箇所の特徴を
示す特徴情報として、可視化して表現することができ
る、寸法違反の度合いおよび寸法違反を示す方向を含ん
でいる。したがって、上記危険箇所情報を用いれば、シ
ョートニングといった目視での検出が困難な危険箇所を
有する配線パターン等のパターンの特定や解析を視覚的
に容易に行うことが可能となる。このような危険箇所情
報を用いることにより、製造工程のパターン形状モニタ
（定点モニタ）、パターンの危険箇所解析、危険箇所対
策等の評価方法を従来よりも効果的に実施することが可
能になる。
【００２１】次に、パターンの危険箇所対策方法を説明
する。パターンの危険箇所情報は、前記図１のフローチ
ャートに示すような危険箇所情報の作成方法によって予
め作成されているとする。ここでは、配線パターン等の
細りというパターン形状の場合について説明する。
する。パターンの危険箇所情報は、前記図１のフローチ
ャートに示すような危険箇所情報の作成方法によって予
め作成されているとする。ここでは、配線パターン等の
細りというパターン形状の場合について説明する。
【００２２】まず、対策するべきパターンのＣＡＤデー
タおよび図１のフローチャートで得られた危険箇所情報
をディスプレイ上に可視化して同時に表示する（ステッ
プＳ１１）。図３に、可視化されたＣＡＤデータおよび
危険箇所情報（ＣＡＤデータおよび危険箇所情報の表示
方法）を示す。
タおよび図１のフローチャートで得られた危険箇所情報
をディスプレイ上に可視化して同時に表示する（ステッ
プＳ１１）。図３に、可視化されたＣＡＤデータおよび
危険箇所情報（ＣＡＤデータおよび危険箇所情報の表示
方法）を示す。
【００２３】図３において、１は可視化されたＣＡＤデ
ータ（矩形パターン）、２〜５は可視化された座標情
報、６〜９は可視化された危険箇所情報（矢印）を示し
ている。各矢印２〜５の向きはシミュレーションによっ
て示された寸法違反する方向（ここでは、細りの方向）
を示し、方向２〜５の長さは寸法違反の程度（ここでは
細りの程度）を示している。
ータ（矩形パターン）、２〜５は可視化された座標情
報、６〜９は可視化された危険箇所情報（矢印）を示し
ている。各矢印２〜５の向きはシミュレーションによっ
て示された寸法違反する方向（ここでは、細りの方向）
を示し、方向２〜５の長さは寸法違反の程度（ここでは
細りの程度）を示している。
【００２４】一方、図１のフローチャートで得られた危
険箇所情報の危険箇所位置に基づき、走査形電子顕微鏡
（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）により、実
際のサンプルであるウェハ上に形成した実際のパターン
の画像（ＳＥＭ画像）を収得する（ステップＳ１２）。
なお、ステップＳ１１とステップＳ１２の順序は逆でも
良い。
険箇所情報の危険箇所位置に基づき、走査形電子顕微鏡
（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）により、実
際のサンプルであるウェハ上に形成した実際のパターン
の画像（ＳＥＭ画像）を収得する（ステップＳ１２）。
なお、ステップＳ１１とステップＳ１２の順序は逆でも
良い。
【００２５】次に上記ＣＡＤデータと上記ＳＥＭ画像と
を他のパラメータとのバランスが取れるように重ね合わ
せ（ステップＳ１３）、危険箇所情報の座標情報に対応
した箇所（危険箇所）において、危険箇所情報の寸法違
反を示す方向（ここでは、横方法および縦方向）に関し
て、ＣＡＤデータとＳＥＭ画像との乖離分の寸法（乖離
寸法）を測定し、規定値を超える乖離寸法が存在する否
か、すなわち危険箇所が存在するか否かを判定する（ス
テップＳ１４）。
を他のパラメータとのバランスが取れるように重ね合わ
せ（ステップＳ１３）、危険箇所情報の座標情報に対応
した箇所（危険箇所）において、危険箇所情報の寸法違
反を示す方向（ここでは、横方法および縦方向）に関し
て、ＣＡＤデータとＳＥＭ画像との乖離分の寸法（乖離
寸法）を測定し、規定値を超える乖離寸法が存在する否
か、すなわち危険箇所が存在するか否かを判定する（ス
テップＳ１４）。
【００２６】図４に、図３の可視化されたＣＡＤデータ
および危険箇所情報と、ＳＥＭ画像とを重ね合わせした
状態を示す。図中、１０はＳＥＭ画像、Ｌ１およびＬ２
はＣＡＤデータとＳＥＭ画像との横方向の乖離寸法、Ｌ
３およびＬ４はＣＡＤデータとＳＥＭ画像との縦方向の
乖離寸法を示している。
および危険箇所情報と、ＳＥＭ画像とを重ね合わせした
状態を示す。図中、１０はＳＥＭ画像、Ｌ１およびＬ２
はＣＡＤデータとＳＥＭ画像との横方向の乖離寸法、Ｌ
３およびＬ４はＣＡＤデータとＳＥＭ画像との縦方向の
乖離寸法を示している。
【００２７】規定値を超える乖離寸法が存在する場合、
図４で説明すれば、矢印２〜５の長さを越える乖離があ
る場合、その箇所のＣＡＤデータや、実際のパターンを
形成するときに使用したマスクデータのパターン寸法の
見直しを行い、乖離寸法が規定値内に収まるまで、すな
わち危険箇所が無くなるまで、ステップＳ１１〜Ｓ１４
を繰り返す。
図４で説明すれば、矢印２〜５の長さを越える乖離があ
る場合、その箇所のＣＡＤデータや、実際のパターンを
形成するときに使用したマスクデータのパターン寸法の
見直しを行い、乖離寸法が規定値内に収まるまで、すな
わち危険箇所が無くなるまで、ステップＳ１１〜Ｓ１４
を繰り返す。
【００２８】一方、乖離分の寸法が規定値内に収まって
いる場合、すなわち危険個所がない場合、実際のパター
ンを形成するときに使用したマスクデータを採用し（ス
テップＳ１５）、対策を終了する。ここでは、本発明の
危険箇所情報を対策方法に適用したが、同様に定点モニ
タ方法、パターンの危険箇所解析方法にも適用できる。
すなわち、従来用いていた情報の代わりに本発明の危険
箇所情報を用いるか、もしくは併用する。
いる場合、すなわち危険個所がない場合、実際のパター
ンを形成するときに使用したマスクデータを採用し（ス
テップＳ１５）、対策を終了する。ここでは、本発明の
危険箇所情報を対策方法に適用したが、同様に定点モニ
タ方法、パターンの危険箇所解析方法にも適用できる。
すなわち、従来用いていた情報の代わりに本発明の危険
箇所情報を用いるか、もしくは併用する。
【００２９】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。実施形態では、配線パターン等の細り
の場合について説明したが、本発明は、目視では特定や
解析が困難な危険箇所を有する他のパターン（ショート
ニングを有するパターン）、例えば部分的太りなどを有
する配線パターン等に対しても効果を発揮する。
るものではない。実施形態では、配線パターン等の細り
の場合について説明したが、本発明は、目視では特定や
解析が困難な危険箇所を有する他のパターン（ショート
ニングを有するパターン）、例えば部分的太りなどを有
する配線パターン等に対しても効果を発揮する。
【００３０】また、上記実施形態では、表示属性とし
て、図形の大きさ（矢印の大きさ）、図形の向き（矢印
の向き）を用いた場合について説明したが、この組合せ
に限定されるものではなく、例えば図形の大きさ、図形
の向き、図形の色および図形の形からなる表示属性群の
中から選ばれた互いに異なる表示属性であれば良い。具
体的には、ずれの大きさを図形の面積（図形としては例
えば長方形）、ずれの方向を図形の色で可視化する方法
ほうがあげられる。
て、図形の大きさ（矢印の大きさ）、図形の向き（矢印
の向き）を用いた場合について説明したが、この組合せ
に限定されるものではなく、例えば図形の大きさ、図形
の向き、図形の色および図形の形からなる表示属性群の
中から選ばれた互いに異なる表示属性であれば良い。具
体的には、ずれの大きさを図形の面積（図形としては例
えば長方形）、ずれの方向を図形の色で可視化する方法
ほうがあげられる。
【００３１】さらに、上記実施形態には種々の段階の発
明が含まれており、開示される複数の構成要件における
適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例
えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成
要件が削除されても、発明が解決しようとする課題を解
決できる場合には、この構成要件が削除された構成が発
明として抽出され得る。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施できる。
明が含まれており、開示される複数の構成要件における
適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例
えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成
要件が削除されても、発明が解決しようとする課題を解
決できる場合には、この構成要件が削除された構成が発
明として抽出され得る。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施できる。
【００３２】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、目
視での危険箇所の特定が困難である危険箇所の特定や解
析を容易に行うことを可能にする半導体装置のパターン
の危険箇所情報の評価方法を実現できるようになる。
視での危険箇所の特定が困難である危険箇所の特定や解
析を容易に行うことを可能にする半導体装置のパターン
の危険箇所情報の評価方法を実現できるようになる。
【図１】本発明の一実施形態に係る危険箇所情報の生成
方法を示すフローチャート
方法を示すフローチャート
【図２】本発明の一実施形態に係るパターンの危険箇所
対策方法を示すフローチャート
対策方法を示すフローチャート
【図３】可視化されたＣＡＤデータおよび危険箇所情報
を示す図
を示す図
【図４】可視化されたＣＡＤデータおよび危険箇所情報
とＳＥＭ画像とを重ね合わせした状態を示す図
とＳＥＭ画像とを重ね合わせした状態を示す図
１…可視化されたＣＡＤデータ
２〜５…可視化された座標情報
６〜９…可視化された危険箇所情報
１０…ＳＥＭ画像
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/66
G01B 21/20
G01N 23/225
Claims (6)
- 【請求項１】半導体装置の同じパターンについて、第１
のパターンデータとしてのＣＡＤデータと第２のパター
ンデータとしてのシミュレーションデータとを比較する
工程と、 第１のパターンデータと第２のパターンデータとにずれ
がある危険箇所について、当該危険箇所の特徴を示す特
徴情報および当該危険箇所の座標を示す座標情報を抽出
する工程と、 前記特徴情報を用いて前記ずれの大きさおよび方向の少
なくとも一方と前記危険箇所の座標情報と前記第１のパ
ターンデータに対応する第１のパターンとを可視的に表
示する工程と、前記危険箇所の座標情報に基づき顕微鏡により実際のパ
ターンの画像を得る工程と 、前記第１のパターンと前記実際のパターンの画像とを重
ね合わせる工程と、 前記危険箇所における前記第１のパターンと前記実際の
パターンの画像との乖離距離を測定し、乖離距離が規定
値内にあるか否かを判別する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置のパターンの危険
箇所情報の評価方法。 - 【請求項２】前記特徴情報を用いて、前記ずれの大きさ
を第１の表示属性により可視化し、前記ずれの方向を第
２の表示属性により可視化して表示することを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装置のパターンの危険箇所情
報の評価方法。 - 【請求項３】前記第１および第２の表示属性として、図
形の大きさ、図形の向き、図形の色および図形の形から
なる表示属性群の中から選択された互いに異なる表示属
性を用いることを特徴とする請求項２に記載の半導体装
置のパターンの危険箇所情報の評価方法。 - 【請求項４】前記第１の表示属性として印の大きさ、前
記第２の表示属性として印の向きを用いることを特徴と
する請求項２に記載の半導体装置のパターンの危険箇所
情報の評価方法。 - 【請求項５】前記第１の表示属性として矢印の長さ、前
記第２の表示属性として矢印の向きを用いることを特徴
とする請求項２に記載の半導体装置のパターンの危険箇
所情報の評価方法。 - 【請求項６】前記シミュレーションデータは、シミュレ
ーションパラメータをシミュレータに入力し、シミュレ
ーションを実行する対象のパターンを指定し、シミュレ
ーションすることによって得られることを特徴とする請
求項１に記載の半導体装置のパターンの危険箇所情報の
評価方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000277125A JP3443083B2 (ja) | 2000-09-12 | 2000-09-12 | 半導体装置のパターンの危険箇所情報の評価方法 |
| US09/931,091 US6657735B2 (en) | 2000-09-12 | 2001-08-17 | Method of evaluating critical locations on a semiconductor apparatus pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000277125A JP3443083B2 (ja) | 2000-09-12 | 2000-09-12 | 半導体装置のパターンの危険箇所情報の評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002093875A JP2002093875A (ja) | 2002-03-29 |
| JP3443083B2 true JP3443083B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=18762504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000277125A Expired - Fee Related JP3443083B2 (ja) | 2000-09-12 | 2000-09-12 | 半導体装置のパターンの危険箇所情報の評価方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6657735B2 (ja) |
| JP (1) | JP3443083B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3881521B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2007-02-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造プロセス評価方法 |
| JP4068541B2 (ja) | 2003-09-25 | 2008-03-26 | 株式会社東芝 | 集積回路パターン検証装置と検証方法 |
| JP2005172920A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Toshiba Corp | 危険パターン抽出方法及び危険パターン抽出プログラム |
| JP2005258080A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レイアウトデータ検証方法、マスクパターン検証方法および回路動作検証方法 |
| JP4887062B2 (ja) | 2006-03-14 | 2012-02-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置 |
| JP4943304B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2012-05-30 | 株式会社 Ｎｇｒ | パターン検査装置および方法 |
| JP5065943B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-11-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 製造プロセスモニタリングシステム |
| CN103063152B (zh) * | 2012-12-28 | 2015-06-17 | 上海烟草集团有限责任公司 | 滤棒香料线中心距的定量检测方法 |
| JP2017096625A (ja) * | 2014-02-21 | 2017-06-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置、及びコンピュータープログラム |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3187827B2 (ja) * | 1989-12-20 | 2001-07-16 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法および装置 |
| JP3154802B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2001-04-09 | 株式会社東芝 | パターン欠陥検査装置 |
| JPH0612249A (ja) | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Nec Corp | プログラム情報編集システム |
| JP3376082B2 (ja) * | 1994-03-31 | 2003-02-10 | 株式会社東芝 | パターン欠陥検査装置 |
| JPH10247245A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-09-14 | Toshiba Corp | パターン欠陥検査装置 |
| JPH1174326A (ja) | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Hitachi Ltd | 半導体断面観察装置 |
| JP3913879B2 (ja) | 1998-02-03 | 2007-05-09 | 富士通株式会社 | 移動速度に基づく通信制御装置および方法 |
| US6452677B1 (en) * | 1998-02-13 | 2002-09-17 | Micron Technology Inc. | Method and apparatus for detecting defects in the manufacture of an electronic device |
| JP2000261411A (ja) | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スペクトル拡散受信機、スペクトル拡散受信方法および記録媒体 |
-
2000
- 2000-09-12 JP JP2000277125A patent/JP3443083B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-17 US US09/931,091 patent/US6657735B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020030187A1 (en) | 2002-03-14 |
| US6657735B2 (en) | 2003-12-02 |
| JP2002093875A (ja) | 2002-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8115169B2 (en) | Method and apparatus of pattern inspection and semiconductor inspection system using the same | |
| US7681159B2 (en) | System and method for detecting defects in a semiconductor during manufacturing thereof | |
| JP6629934B2 (ja) | 試験方策を生成する方法およびそのシステム | |
| US20120257041A1 (en) | Method for defect inspection and apparatus for defect inspection | |
| JP5556274B2 (ja) | パターン評価方法及びパターン評価装置 | |
| TW201517192A (zh) | 晶片對資料庫的影像檢測方法 | |
| TWI524079B (zh) | 晶片對資料庫的接觸窗檢測方法 | |
| JP2016058465A (ja) | 欠陥定量化方法、欠陥定量化装置、および欠陥評価値表示装置 | |
| JP3443083B2 (ja) | 半導体装置のパターンの危険箇所情報の評価方法 | |
| CN107038697A (zh) | 用于诊断半导体晶圆的方法和系统 | |
| KR101615843B1 (ko) | 반도체 계측 장치 및 기록 매체 | |
| JP3699949B2 (ja) | パターン計測方法、このパターン計測方法を用いる半導体装置の製造方法、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにパターン計測装置 | |
| JP2003243470A (ja) | 異常検出システム、プログラムおよび記録媒体 | |
| KR20160105082A (ko) | 기판 검사 장치 및 그 검사 방법 | |
| KR100792687B1 (ko) | 반도체 기판 패턴 결함 검출 방법 및 장치 | |
| US7079966B2 (en) | Method of qualifying a process tool with wafer defect maps | |
| JP2001236500A (ja) | 画像判定方法および欠陥検査装置 | |
| JP3575512B2 (ja) | パターン検査方法及び装置 | |
| JP3808575B2 (ja) | 歩留まり解析方法及びその装置 | |
| JPH1174326A (ja) | 半導体断面観察装置 | |
| JP4723124B2 (ja) | ポジションデータの生成方法 | |
| JP3237601B2 (ja) | メモリｌｓｉ検査装置及びメモリｌｓｉ検査方法 | |
| JPH01131470A (ja) | Ｌｓｉ故障解析装置 | |
| JP2005277247A (ja) | 処理装置、表示方法および表示プログラム | |
| KR100533705B1 (ko) | 탭 또는 씨오에프의 외형 검사 속도 향상 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |