JP2002093875A - 半導体装置のパターンの危険箇所情報の評価方法 - Google Patents
半導体装置のパターンの危険箇所情報の評価方法Info
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- JP2002093875A JP2002093875A JP2000277125A JP2000277125A JP2002093875A JP 2002093875 A JP2002093875 A JP 2002093875A JP 2000277125 A JP2000277125 A JP 2000277125A JP 2000277125 A JP2000277125 A JP 2000277125A JP 2002093875 A JP2002093875 A JP 2002093875A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】目視での危険箇所の特定が困難である細りとい
ったパターンの特定や解析に有効な情報を提供する 【解決手段】半導体装置のパターンに関しての危険箇所
情報であって、同じパターンについて、危険な箇所がな
い場合に対応した第１のパターンデータと、危険箇があ
る場合に対応した第２のパターンデータとの差を、前記
危険箇所の特徴を示す特徴情報として可視化して表示す
る。パターンずれ箇所を危険箇所として表示する際に、
そのずれの大きさおよび方向を印の向きとして表示す
る。
ったパターンの特定や解析に有効な情報を提供する 【解決手段】半導体装置のパターンに関しての危険箇所
情報であって、同じパターンについて、危険な箇所がな
い場合に対応した第１のパターンデータと、危険箇があ
る場合に対応した第２のパターンデータとの差を、前記
危険箇所の特徴を示す特徴情報として可視化して表示す
る。パターンずれ箇所を危険箇所として表示する際に、
そのずれの大きさおよび方向を印の向きとして表示す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、部分的太り、細り
といった形状を有するパターンの検査に有効な半導体装
置のパターンの危険箇所情報に関する。
といった形状を有するパターンの検査に有効な半導体装
置のパターンの危険箇所情報に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のパターンの欠陥の特定や解
析に必要な情報（欠陥情報）の一つとして、欠陥検査装
置等から得られる欠陥座標がある。欠陥１個に１座標が
与えられる。欠陥解析の際は欠陥解析装置にパターンと
それに対応する欠陥座標を入力し、欠陥座標を基にパタ
ーン上の欠陥を検索する。
析に必要な情報（欠陥情報）の一つとして、欠陥検査装
置等から得られる欠陥座標がある。欠陥１個に１座標が
与えられる。欠陥解析の際は欠陥解析装置にパターンと
それに対応する欠陥座標を入力し、欠陥座標を基にパタ
ーン上の欠陥を検索する。
【０００３】一般的な欠陥は、周囲のパターンと異なる
状況（パターンのオープン／ショート、パーティクル付
着等）が生じているため、異常箇所の特定が容易であ
る。したがって、一般的な欠陥の場合、欠陥画像の取
得、寸法の測定を容易に行え、その結果として欠陥解析
も容易に行える。
状況（パターンのオープン／ショート、パーティクル付
着等）が生じているため、異常箇所の特定が容易であ
る。したがって、一般的な欠陥の場合、欠陥画像の取
得、寸法の測定を容易に行え、その結果として欠陥解析
も容易に行える。
【０００４】しかしながら、欠陥座標を基にサンプル上
を検索しても、部分的太り、細りといったショートニン
グのある配線パターンは、発生状況が極端な場合を除き
目視では、危険箇所の特定および解析が困難であるとい
う問題がある。
を検索しても、部分的太り、細りといったショートニン
グのある配線パターンは、発生状況が極端な場合を除き
目視では、危険箇所の特定および解析が困難であるとい
う問題がある。
【０００５】危険箇所とは、パターンのオープン／ショ
ート等の異常欠陥とは異なり、最初から欠陥であると判
断することが困難な箇所であって、実際にパターンを形
成してみないと、欠陥であるか否かの判断が困難な箇所
である。
ート等の異常欠陥とは異なり、最初から欠陥であると判
断することが困難な箇所であって、実際にパターンを形
成してみないと、欠陥であるか否かの判断が困難な箇所
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、長方形の
右側の変形部分的太り、細りといったショートニングの
ある配線パターンは、欠陥座標（欠陥情報）を基に欠陥
を検索しても、危険箇所を容易に特定することができな
いという問題があった。
右側の変形部分的太り、細りといったショートニングの
ある配線パターンは、欠陥座標（欠陥情報）を基に欠陥
を検索しても、危険箇所を容易に特定することができな
いという問題があった。
【０００７】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、危険箇所の特定や解析
を容易に行うことを可能にする半導体装置のパターンの
危険箇所情報を提供することにある。
ので、その目的とするところは、危険箇所の特定や解析
を容易に行うことを可能にする半導体装置のパターンの
危険箇所情報を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。すなわち、上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置のパターンの危険箇所情報
は、半導体装置のパターンに関しての危険箇所情報であ
って、同じパターンについて、危険箇所がない場合に対
応した第１のパターンデータと、危険箇所がある場合に
対応した第２のパターンデータとの差を、前記危険箇所
の特徴を示す特徴情報として有することを特徴とする半
導体装置のパターンの危険箇所情報。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。すなわち、上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置のパターンの危険箇所情報
は、半導体装置のパターンに関しての危険箇所情報であ
って、同じパターンについて、危険箇所がない場合に対
応した第１のパターンデータと、危険箇所がある場合に
対応した第２のパターンデータとの差を、前記危険箇所
の特徴を示す特徴情報として有することを特徴とする半
導体装置のパターンの危険箇所情報。
【０００９】このような構成であれば、特徴情報を利用
することによって、目視での検出が困難な危険箇所の特
定や解析を容易に行うことが可能となる。
することによって、目視での検出が困難な危険箇所の特
定や解析を容易に行うことが可能となる。
【００１０】また、本発明の危険箇所情報を用いること
で、従来よりも効果的な定点モニタ方法、パターンの危
険箇所解析方法、危険箇所対策方法等の評価方法を実現
することができるようになる。
で、従来よりも効果的な定点モニタ方法、パターンの危
険箇所解析方法、危険箇所対策方法等の評価方法を実現
することができるようになる。
【００１１】本発明の上記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明ら
かになるであろう。
な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明ら
かになるであろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
【００１３】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係る危険箇所情報の生成方法を示すフロー
チャートである。
の実施形態に係る危険箇所情報の生成方法を示すフロー
チャートである。
【００１４】部分的太り、細りといった形状を有する配
線パターンは、欠陥検査装置による検査が困難なパター
ンの一つである。本実施形態では、このようなパターン
から危険箇所情報を抽出するために、形状シミュレーシ
ョンを行う。そのために、まず、モチーフとなるデバイ
スのＣＡＤデータ（第１のパターンデータ）と、より実
際の形状に近い形状プロファイルを再現するためのシミ
ュレーションパラメータをシミュレータに入力する（ス
テップＳ１，Ｓ２）。上記ＣＡＤデータは、理想パター
ン形状に対応したＣＡＤデータである。ＣＡＤデータお
よびシミュレーションパラメータの入力の順序は逆で
も、あるいは同時でも良い。
線パターンは、欠陥検査装置による検査が困難なパター
ンの一つである。本実施形態では、このようなパターン
から危険箇所情報を抽出するために、形状シミュレーシ
ョンを行う。そのために、まず、モチーフとなるデバイ
スのＣＡＤデータ（第１のパターンデータ）と、より実
際の形状に近い形状プロファイルを再現するためのシミ
ュレーションパラメータをシミュレータに入力する（ス
テップＳ１，Ｓ２）。上記ＣＡＤデータは、理想パター
ン形状に対応したＣＡＤデータである。ＣＡＤデータお
よびシミュレーションパラメータの入力の順序は逆で
も、あるいは同時でも良い。
【００１５】次にシミュレーションを実行するパターン
を指定し（ステップＳ３）、その後形状シミュレーショ
ンを実行する（ステップＳ４）。
を指定し（ステップＳ３）、その後形状シミュレーショ
ンを実行する（ステップＳ４）。
【００１６】次に形状シミュレーションによって生成さ
れたシミュレーションパターンデータ（第２のパターン
データ）とＣＡＤデータとを比較し、シミュレーション
パターンデータに対応したパターン（形状シミュレーシ
ョンパターン）の寸法とＣＡＤデータに対応した理想パ
ターン（ＣＡＤパターン）の寸法との差が、規定寸法内
に収まっている否かを判定する（ステップＳ５）。
れたシミュレーションパターンデータ（第２のパターン
データ）とＣＡＤデータとを比較し、シミュレーション
パターンデータに対応したパターン（形状シミュレーシ
ョンパターン）の寸法とＣＡＤデータに対応した理想パ
ターン（ＣＡＤパターン）の寸法との差が、規定寸法内
に収まっている否かを判定する（ステップＳ５）。
【００１７】形状シミュレーションパターンの寸法が規
定寸法内に収まっていない場合、危険箇所情報として、
識別情報、座標情報、第１および第２の特徴情報を記録
する（ステップＳ６）。
定寸法内に収まっていない場合、危険箇所情報として、
識別情報、座標情報、第１および第２の特徴情報を記録
する（ステップＳ６）。
【００１８】ここで、識別情報は、ＣＡＤパターンを他
のＣＡＤパターンと識別するための番号である。座標情
報は、規定寸法内に収まっていない部分（危険箇所）が
存在する箇所を示す座標である。第１の特徴情報は、形
状シミュレーションパターンのうち、ＣＡＤパターンか
らずれた箇所に関しての、そのずれの大きさ（寸法違反
の度合い）である。第２の特徴情報は、形状シミュレー
ションパターンのうち、ＣＡＤパターンからずれた箇所
に関しての、そのずれの方向である。
のＣＡＤパターンと識別するための番号である。座標情
報は、規定寸法内に収まっていない部分（危険箇所）が
存在する箇所を示す座標である。第１の特徴情報は、形
状シミュレーションパターンのうち、ＣＡＤパターンか
らずれた箇所に関しての、そのずれの大きさ（寸法違反
の度合い）である。第２の特徴情報は、形状シミュレー
ションパターンのうち、ＣＡＤパターンからずれた箇所
に関しての、そのずれの方向である。
【００１９】一方、形状シミュレーションパターンの寸
法が規定寸法内に収まっている場合には、問題なくパタ
ーンが形成されていることを記録し（ステップＳ７）、
シミュレーションを終了する。
法が規定寸法内に収まっている場合には、問題なくパタ
ーンが形成されていることを記録し（ステップＳ７）、
シミュレーションを終了する。
【００２０】このような方法により生成された危険箇所
情報は、危険箇所の座標情報等の他に危険箇所の特徴を
示す特徴情報として、可視化して表現することができ
る、寸法違反の度合いおよび寸法違反を示す方向を含ん
でいる。したがって、上記危険箇所情報を用いれば、シ
ョートニングといった目視での検出が困難な危険箇所を
有する配線パターン等のパターンの特定や解析を視覚的
に容易に行うことが可能となる。このような危険箇所情
報を用いることにより、製造工程のパターン形状モニタ
（定点モニタ）、パターンの危険箇所解析、危険箇所対
策等の評価方法を従来よりも効果的に実施することが可
能になる。
情報は、危険箇所の座標情報等の他に危険箇所の特徴を
示す特徴情報として、可視化して表現することができ
る、寸法違反の度合いおよび寸法違反を示す方向を含ん
でいる。したがって、上記危険箇所情報を用いれば、シ
ョートニングといった目視での検出が困難な危険箇所を
有する配線パターン等のパターンの特定や解析を視覚的
に容易に行うことが可能となる。このような危険箇所情
報を用いることにより、製造工程のパターン形状モニタ
（定点モニタ）、パターンの危険箇所解析、危険箇所対
策等の評価方法を従来よりも効果的に実施することが可
能になる。
【００２１】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係るパターンの危険箇所対策方法を示すフ
ローチャートである。パターンの危険箇所情報は、第１
の実施形態の危険箇所情報の作成方法によって予め容易
にされているとする。ここでは、配線パターン等の細り
というパターン形状の場合について説明する。
の実施形態に係るパターンの危険箇所対策方法を示すフ
ローチャートである。パターンの危険箇所情報は、第１
の実施形態の危険箇所情報の作成方法によって予め容易
にされているとする。ここでは、配線パターン等の細り
というパターン形状の場合について説明する。
【００２２】まず、対策するべきパターンのＣＡＤデー
タおよび第１の実施形態で得られた危険箇所情報をディ
スプレイ上に可視化して同時に表示する（ステップＳ１
１）。図３に、可視化されたＣＡＤデータおよび危険箇
所情報（ＣＡＤデータおよび危険箇所情報の表示方法）
を示す。
タおよび第１の実施形態で得られた危険箇所情報をディ
スプレイ上に可視化して同時に表示する（ステップＳ１
１）。図３に、可視化されたＣＡＤデータおよび危険箇
所情報（ＣＡＤデータおよび危険箇所情報の表示方法）
を示す。
【００２３】図３において、１は可視化されたＣＡＤデ
ータ（矩形パターン）、２〜５は可視化された座標情
報、６〜９は可視化された危険箇所情報（矢印）を示し
ている。各矢印２〜５の向きはシミュレーションによっ
て示された寸法違反する方向（ここでは、細りの方向）
を示し、方向２〜５の長さは寸法違反の程度（ここでは
細りの程度）を示している。
ータ（矩形パターン）、２〜５は可視化された座標情
報、６〜９は可視化された危険箇所情報（矢印）を示し
ている。各矢印２〜５の向きはシミュレーションによっ
て示された寸法違反する方向（ここでは、細りの方向）
を示し、方向２〜５の長さは寸法違反の程度（ここでは
細りの程度）を示している。
【００２４】一方、第１の実施形態で得られた危険箇所
情報の危険箇所位置に基づき、走査形電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ：Scanning Electron Microscope）により、実際のサ
ンプルであるウェハ上に形成した実際のパターンの画像
（ＳＥＭ画像）を収得する（ステップＳ１２）。なお、
ステップＳ１１とステップＳ１２の順序は逆でも良い。
情報の危険箇所位置に基づき、走査形電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ：Scanning Electron Microscope）により、実際のサ
ンプルであるウェハ上に形成した実際のパターンの画像
（ＳＥＭ画像）を収得する（ステップＳ１２）。なお、
ステップＳ１１とステップＳ１２の順序は逆でも良い。
【００２５】次に上記ＣＡＤデータと上記ＳＥＭ画像と
を他のパラメータとのバランスが取れるように重ね合わ
せ（ステップＳ１３）、危険箇所情報の座標情報に対応
した箇所（危険箇所）において、危険箇所情報の寸法違
反を示す方向（ここでは、横方法および縦方向）に関し
て、ＣＡＤデータとＳＥＭ画像との乖離分の寸法（乖離
寸法）を測定し、規定値を超える乖離寸法が存在する否
か、すなわち危険箇所が存在するか否かを判定する（ス
テップＳ１４）。
を他のパラメータとのバランスが取れるように重ね合わ
せ（ステップＳ１３）、危険箇所情報の座標情報に対応
した箇所（危険箇所）において、危険箇所情報の寸法違
反を示す方向（ここでは、横方法および縦方向）に関し
て、ＣＡＤデータとＳＥＭ画像との乖離分の寸法（乖離
寸法）を測定し、規定値を超える乖離寸法が存在する否
か、すなわち危険箇所が存在するか否かを判定する（ス
テップＳ１４）。
【００２６】図４に、図３の可視化されたＣＡＤデータ
および危険箇所情報と、ＳＥＭ画像とを重ね合わせした
状態を示す。図中、１０はＳＥＭ画像、Ｌ１およびＬ２
はＣＡＤデータとＳＥＭ画像との横方向の乖離寸法、Ｌ
３およびＬ４はＣＡＤデータとＳＥＭ画像との縦方向の
乖離寸法を示している。
および危険箇所情報と、ＳＥＭ画像とを重ね合わせした
状態を示す。図中、１０はＳＥＭ画像、Ｌ１およびＬ２
はＣＡＤデータとＳＥＭ画像との横方向の乖離寸法、Ｌ
３およびＬ４はＣＡＤデータとＳＥＭ画像との縦方向の
乖離寸法を示している。
【００２７】規定値を超える乖離寸法が存在する場合、
図４で説明すれば、矢印２〜５の長さを越える乖離があ
る場合、その箇所のＣＡＤデータや、実際のパターンを
形成するときに使用したマスクデータのパターン寸法の
見直しを行い、乖離寸法が規定値内に収まるまで、すな
わち危険箇所が無くなるまで、ステップＳ１１〜Ｓ１４
を繰り返す。
図４で説明すれば、矢印２〜５の長さを越える乖離があ
る場合、その箇所のＣＡＤデータや、実際のパターンを
形成するときに使用したマスクデータのパターン寸法の
見直しを行い、乖離寸法が規定値内に収まるまで、すな
わち危険箇所が無くなるまで、ステップＳ１１〜Ｓ１４
を繰り返す。
【００２８】一方、乖離分の寸法が規定値内に収まって
いる場合、すなわち危険個所がない場合、実際のパター
ンを形成するときに使用したマスクデータを採用し（ス
テップＳ１５）、対策を終了する。ここでは、本発明の
危険箇所情報を対策方法に適用したが、同様に定点モニ
タ方法、パターンの危険箇所解析方法にも適用できる。
すなわち、従来用いていた情報の代わりに本発明の危険
箇所情報を用いるか、もしくは併用する。
いる場合、すなわち危険個所がない場合、実際のパター
ンを形成するときに使用したマスクデータを採用し（ス
テップＳ１５）、対策を終了する。ここでは、本発明の
危険箇所情報を対策方法に適用したが、同様に定点モニ
タ方法、パターンの危険箇所解析方法にも適用できる。
すなわち、従来用いていた情報の代わりに本発明の危険
箇所情報を用いるか、もしくは併用する。
【００２９】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、第２の実施形態では、配線パ
ターン等の細りの場合について説明したが、本発明は、
目視では特定や解析が困難な危険箇所を有する他のパタ
ーン（ショートニングを有するパターン）、例えば部分
的太りなどを有する配線パターン等に対しても効果を発
揮する。
るものではない。例えば、第２の実施形態では、配線パ
ターン等の細りの場合について説明したが、本発明は、
目視では特定や解析が困難な危険箇所を有する他のパタ
ーン（ショートニングを有するパターン）、例えば部分
的太りなどを有する配線パターン等に対しても効果を発
揮する。
【００３０】また、上記実施形態では、表示属性とし
て、図形の大きさ（矢印の大きさ）、図形の向き（矢印
の向き）を用いた場合について説明したが、この組合せ
に限定されるものではなく、例えば図形の大きさ、図形
の向き、図形の色および図形の形からなる表示属性群の
中から選ばれた互いに異なる表示属性であれば良い。具
体的には、ずれの大きさを図形の面積（図形としては例
えば長方形）、ずれの方向を図形の色で可視化する方法
ほうがあげられる。
て、図形の大きさ（矢印の大きさ）、図形の向き（矢印
の向き）を用いた場合について説明したが、この組合せ
に限定されるものではなく、例えば図形の大きさ、図形
の向き、図形の色および図形の形からなる表示属性群の
中から選ばれた互いに異なる表示属性であれば良い。具
体的には、ずれの大きさを図形の面積（図形としては例
えば長方形）、ずれの方向を図形の色で可視化する方法
ほうがあげられる。
【００３１】さらに、上記実施形態には種々の段階の発
明が含まれており、開示される複数の構成要件における
適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例
えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成
要件が削除されても、発明が解決しようとする課題を解
決できる場合には、この構成要件が削除された構成が発
明として抽出され得る。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施できる。
明が含まれており、開示される複数の構成要件における
適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例
えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成
要件が削除されても、発明が解決しようとする課題を解
決できる場合には、この構成要件が削除された構成が発
明として抽出され得る。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施できる。
【００３２】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、目
視での危険箇所の特定が困難である危険箇所の特定や解
析を容易に行うことを可能にする半導体装置のパターン
の危険箇所情報を実現できるようになる。
視での危険箇所の特定が困難である危険箇所の特定や解
析を容易に行うことを可能にする半導体装置のパターン
の危険箇所情報を実現できるようになる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る危険箇所情報の
生成方法を示すフローチャート
生成方法を示すフローチャート
【図２】本発明の第２の実施形態に係るパターンの危険
箇所対策方法を示すフローチャート
箇所対策方法を示すフローチャート
【図３】可視化されたＣＡＤデータおよび危険箇所情報
を示す図
を示す図
【図４】可視化されたＣＡＤデータおよび危険箇所情報
とＳＥＭ画像とを重ね合わせした状態を示す図
とＳＥＭ画像とを重ね合わせした状態を示す図
１…可視化されたＣＡＤデータ ２〜５…可視化された座標情報 ６〜９…可視化された危険箇所情報 １０…ＳＥＭ画像
【手続補正書】
【提出日】平成１３年７月１６日（２００１．７．１
６）
６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 半導体装置のパターンの危険
箇所情報の評価方法
箇所情報の評価方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、部分的太り、細り
といった形状を有するパターンの検査に有効な半導体装
置のパターンの危険箇所情報の評価方法に関する。
といった形状を有するパターンの検査に有効な半導体装
置のパターンの危険箇所情報の評価方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、危険箇所の特定や解析
を容易に行うことを可能にする半導体装置のパターンの
危険箇所情報の評価方法を提供することにある。
ので、その目的とするところは、危険箇所の特定や解析
を容易に行うことを可能にする半導体装置のパターンの
危険箇所情報の評価方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。すなわち、上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置のパターンの危険箇所情報
の評価方法は、半導体装置の同じパターンについて、危
険箇所がない場合に対応した第１のパターンデータと、
危険箇所がある場合に対応した第２のパターンデータと
を比較する工程と、第１のパターンデータと第２のパタ
ーンデータとに差がある個所について、当該差を危険箇
所の特徴を示す情報として抽出する工程とを有すること
を特徴とする。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。すなわち、上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置のパターンの危険箇所情報
の評価方法は、半導体装置の同じパターンについて、危
険箇所がない場合に対応した第１のパターンデータと、
危険箇所がある場合に対応した第２のパターンデータと
を比較する工程と、第１のパターンデータと第２のパタ
ーンデータとに差がある個所について、当該差を危険箇
所の特徴を示す情報として抽出する工程とを有すること
を特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】また、本発明の危険箇所情報の評価方法で
抽出した情報を用いることで、従来よりも効果的な定点
モニタ方法、パターンの危険箇所解析方法、危険箇所対
策方法等の評価方法を実現することができるようにな
る。
抽出した情報を用いることで、従来よりも効果的な定点
モニタ方法、パターンの危険箇所解析方法、危険箇所対
策方法等の評価方法を実現することができるようにな
る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、目
視での危険箇所の特定が困難である危険箇所の特定や解
析を容易に行うことを可能にする半導体装置のパターン
の危険箇所情報の評価方法を実現できるようになる。
視での危険箇所の特定が困難である危険箇所の特定や解
析を容易に行うことを可能にする半導体装置のパターン
の危険箇所情報の評価方法を実現できるようになる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F069 AA17 AA31 AA64 BB14 BB15 CC06 GG04 GG08 GG72 GG75 HH30 QQ02 2G001 AA03 BA07 CA03 FA01 GA01 GA06 HA07 HA13 HA20 JA13 KA03 LA11 MA05 4M106 AA01 BA20 CA40 DB05 DB21 DJ23
Claims (6)
- 【請求項１】半導体装置のパターンに関しての危険箇所
情報であって、同じパターンについて、危険箇所がない
場合に対応した第１のパターンデータと、危険箇所があ
る場合に対応した第２のパターンデータとの差を、前記
危険箇所の特徴を示す特徴情報として有することを特徴
とする半導体装置のパターンの危険箇所情報。 - 【請求項２】前記特徴情報は、前記第１のパターンデー
タと前記第２のパターンデータとの差を、可視化して表
示するためのものであることを特徴とする請求項１に記
載の危険箇所情報。 - 【請求項３】前記特徴情報は、前記第２のパターンデー
タに対応したパターンのうち、前記第１のパターンデー
タに対応したパターンからずれた箇所を危険箇所として
表示する際に、そのずれの大きさおよび方向の少なくと
も一方を可視化して表示するためのものであることを特
徴とする請求項１に記載の半導体装置のパターンの危険
箇所情報。 - 【請求項４】前記特徴情報は、前記ずれの大きさを第１
の表示属性により可視化し、前記ずれの方向を第２の表
示属性により可視化して表示するためのものであること
を特徴とする請求項３に記載の半導体装置のパターンの
危険箇所情報。 - 【請求項５】前記第１および第２の表示属性は、図形の
大きさ、図形の向き、図形の色および図形の形からなる
表示属性群の中から選ばれた互いに異なる表示属性であ
ることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置のパタ
ーンの危険箇所情報。 - 【請求項６】前記第１の表示属性は印の大きさ、前記第
２の表示属性は印の向きであることを特徴とする請求項
４に記載の半導体装置のパターンの危険箇所情報。
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