JP5391774B2 - パターン検査装置及びパターン検査方法 - Google Patents
パターン検査装置及びパターン検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5391774B2 JP5391774B2 JP2009079348A JP2009079348A JP5391774B2 JP 5391774 B2 JP5391774 B2 JP 5391774B2 JP 2009079348 A JP2009079348 A JP 2009079348A JP 2009079348 A JP2009079348 A JP 2009079348A JP 5391774 B2 JP5391774 B2 JP 5391774B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- image
- defect
- feature point
- defect candidate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
従来、フォトマスク品質における重要項目として、欠陥・寸法精度・アライメントの3項目が特に重視されており、半導体の微細化が進む現在ではそれぞれの項目を計測するための高精度なフォトマスク専用検査装置が開発され使用されている(例えば特許文献1参照)。
しかしフォトマスクパターンの微細化による高精度化への要求は、前記3項目以外のあらゆる品質項目(パターン形状、パターンデータ保証、耐久性、クリーン度等)が重要視されるようになってきた。特にパターン形状の精度については、直接、LSI回路の精度および性能に関わる。
この違いはマスク上で数十〜数百nm(ナノメートル)程度の大きさであることがほとんどであるが、近年の超LSIの微細化の進展によって、これが半導体回路の特性に影響を与えることが懸念され始めている。すなわち、微細なパターンであるほど、パターン自体に対して前記のパターン形状の違いが相対的に大きくなり、特性値に影響するようになってきたということである。
この欠陥パターン検出処理(S3)では、リファレンスパターン画像131における所定の特徴点に対応した輝度分布情報と欠陥候補パターン探索処理(S2)で探索された欠陥候補パターンにおける所定の特徴点に対応した輝度分布情報とに基づいて、欠陥パターンを検出する処理などが行われる。
まず、パターン検査装置1では、リファレンスパターンの登録処理(図1のステップS1、図2のステップP1)を行う。最初にリファレンスパターンの基準となるSEM画像(リファレンスパターン画像131)を入力して、パターンの輪郭線抽出を実施する(図2のステップP2)。本例では、輪郭線の抽出方法として、本発明者が発明した「輪郭抽出方法及びその装置及びそのプログラム」(特許第04085635号明細書)を用いた。次に、抽出した輪郭線の曲率の変化から特徴点を見つける(図2のステップP3)。本実施例では特徴点を曲率の変化が大きくなるコーナー部分と、各コーナーの中間地点の合計8箇所とし、各特徴点の座標情報を取得した。また、元のSEM画像(リファレンスパターン画像131)において特徴点の位置を中心として法線方向に20個程度の輝度分布データを取得した。リファレンスパターンのSEM画像と特徴点を抽出した結果を図10に示す。
S2・・・欠陥候補パターン探索処理
S3・・・欠陥パターン検出処理
S4・・・重ね合せ比較計測処理
P1・・・リファレンス画像入力
P2・・・輪郭線抽出
P3・・・特徴点抽出
P4・・・特徴点の座標情報取得
P5・・・特徴点の輝度分布データ取得
P6・・・検査画像入力
P7・・・輪郭抽出処理
P8・・・膨張処理
P9・・・パターン探索
P10・・・パターン登録処理
P11・・・リファレンスパターンの特徴点の輝度分布をテンプレート入力
P12・・・欠陥候補パターンの特徴点での輝度分布データを取得
P13・・・相関計算処理
P14・・・欠陥パターンの抽出
1・・・パターン検査装置
11・・・処理装置
12・・・入力装置
13・・・記憶装置
14・・・表示装置
130・・・パターン検査プログラム
131・・・リファレンスパターン画像
132・・・検査対象画像
Claims (8)
- 比較基準となるリファレンスパターン画像における所定の特徴点の位置情報を登録するリファレンスパターン登録手段と、
検査対象画像から抽出された輪郭線の位置情報と前記所定の特徴点の位置情報とに基づいて前記検査対象画像に含まれる欠陥候補パターンを探索する欠陥候補パターン探索手段と、
前記リファレンスパターン画像における前記所定の特徴点に対応した輝度分布情報と前記欠陥候補パターンにおける前記所定の特徴点に対応した輝度分布情報とに基づいて、欠陥パターンを検出する欠陥パターン検出手段と
を備え、
前記所定の特徴点が、1つの前記リファレンスパターン画像に対して複数登録されていて、
前記欠陥候補パターン探索手段が、
前記検査対象画像に含まれる欠陥候補パターンを探索する際に、その探索処理の対象座標を移動させながら、各前記対象座標において前記特徴点毎に探索処理を行うものであって、1つの前記対象座標において、いずれかの前記特徴点と前記検査対象画像から抽出された輪郭線の画素とが重ならない場合に、他の前記特徴点で当該輪郭線の画素の探索処理を行わずに、前記探索処理の対象座標を移動させる
ことを特徴とするパターン検査装置。 - 前記リファレンスパターン画像と前記欠陥パターンとを重ね合せ表示しその差分を計測する重ね合せ計測手段を
さらに備えることを特徴とする請求項1に記載のパターン検査装置。 - 前記所定の特徴点が、前記リファレンスパターン画像から抽出された輪郭線の曲率変化が比較的大きな位置に対応するものである
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン検査装置。 - 前記輝度分布情報が、前記特徴点における法線方向の輝度分布に基づくものである
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のパターン検査装置。 - 前記欠陥パターン検出手段が、前記リファレンスパターン画像における前記所定の特徴点に対応した輝度分布情報と前記欠陥候補パターンにおける前記所定の特徴点に対応した輝度分布情報との相関係数を計算した結果に基づいて、前記欠陥パターンを検出する
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン検査装置。 - 前記欠陥候補パターン探索手段が、前記検査対象画像から抽出された輪郭線の各座標における有無を示す2値情報と、前記所定の特徴点の位置情報とに基づいて、前記検査対象画像に含まれる欠陥候補パターンを探索する
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のパターン検査装置。 - 前記輪郭画像の画素の近傍の近傍画素を、当該輪郭画像の画素と同じ色に塗り潰し、前記輪郭画像を膨張させる膨張手段をさらに備え、
前記膨張手段が、前記輪郭線画像の膨張の度合いを、検出対象とする前記欠陥パターンの大きさに対応して設定する
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のパターン検査装置。 - 比較基準となるリファレンスパターン画像における所定の特徴点の位置情報を登録するリファレンスパターン登録処理と、
検査対象画像から抽出された輪郭線の位置情報と前記所定の特徴点の位置情報とに基づいて前記検査対象画像に含まれる欠陥候補パターンを探索する欠陥候補パターン探索処理と、
前記リファレンスパターン画像における前記所定の特徴点に対応した輝度分布情報と前記欠陥候補パターンにおける前記所定の特徴点に対応した輝度分布情報とに基づいて、欠陥パターンを検出する欠陥パターン検出処理と
を行い、
前記欠陥候補パターン探索処理において、
前記検査対象画像に含まれる欠陥候補パターンを探索する際に、その探索処理の対象座標を移動させながら、各前記対象座標において前記特徴点毎に探索処理を行うものであって、1つの前記対象座標において、いずれかの前記特徴点と前記検査対象画像から抽出された輪郭線の画素とが重ならない場合に、他の前記特徴点で当該輪郭線の画素の探索処理を行わずに、前記探索処理の対象座標を移動させる
ことを特徴とするパターン検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009079348A JP5391774B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-03-27 | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009079348A JP5391774B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-03-27 | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010231044A JP2010231044A (ja) | 2010-10-14 |
JP5391774B2 true JP5391774B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=43046903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009079348A Active JP5391774B2 (ja) | 2009-03-27 | 2009-03-27 | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5391774B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5556274B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2014-07-23 | 凸版印刷株式会社 | パターン評価方法及びパターン評価装置 |
ES2415240B1 (es) * | 2011-12-21 | 2014-05-21 | Abengoa Solar New Technologies, S.A. | Método para la inspeccion automatizada de captadores solares fotovoltaicos instalados en plantas. |
US10628935B2 (en) * | 2017-01-30 | 2020-04-21 | Zhongke Jingyuan Electron Limited | Method and system for identifying defects of integrated circuits |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3964267B2 (ja) * | 2002-06-04 | 2007-08-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 欠陥検出装置、欠陥検出方法、およびプログラム |
JP2005158780A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
JP2006250845A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Topcon Corp | パターン欠陥検査方法とその装置 |
JP4791998B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2011-10-12 | 株式会社東芝 | パターン形状評価方法およびプログラム |
JP4943304B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2012-05-30 | 株式会社 Ngr | パターン検査装置および方法 |
JP2009036747A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-02-19 | Toray Ind Inc | 回路パターンの欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
-
2009
- 2009-03-27 JP JP2009079348A patent/JP5391774B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010231044A (ja) | 2010-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3524853B2 (ja) | パターン検査装置、パターン検査方法および記録媒体 | |
JP5556274B2 (ja) | パターン評価方法及びパターン評価装置 | |
US7660455B2 (en) | Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and recording medium | |
US20150110384A1 (en) | Image inspection method of die to database | |
US7760347B2 (en) | Design-based method for grouping systematic defects in lithography pattern writing system | |
JP4771714B2 (ja) | パターン検査装置および方法 | |
JP3668215B2 (ja) | パターン検査装置 | |
JP4787673B2 (ja) | パターン検査装置および方法 | |
EP1946372B1 (en) | Method of fabricating a semiconductor die | |
US20130010100A1 (en) | Image generating method and device using scanning charged particle microscope, sample observation method, and observing device | |
JP2020510864A (ja) | 2つのフォトマスクを比較することによるフォトマスクの検査 | |
CN106415807A (zh) | 使用高分辨率全裸片图像数据进行检验 | |
JP4950550B2 (ja) | パターン合わせずれ計測方法およびプログラム | |
JP2006284447A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
CN109491210A (zh) | 一种用于检测光刻图案的缺陷的方法 | |
JP2010268009A (ja) | パターン検査装置および方法 | |
JP5391774B2 (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JP2005259830A (ja) | 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置 | |
JP4597509B2 (ja) | パターン検査装置およびパターン検査方法 | |
JP2010164333A (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
US20100021040A1 (en) | Pattern evaluation apparatus and pattern evaluation method | |
JP2004030368A (ja) | マスクパターン外観検査方法及びそのプログラム及びマスクパターン外観検査装置 | |
Toyoda et al. | SEM-Contour shape analysis based on circuit structure for advanced systematic defect inspection | |
JP5212138B2 (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 | |
EP1146481A2 (en) | Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and recording medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130311 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130917 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130930 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5391774 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |