JP4791998B2 - パターン形状評価方法およびプログラム - Google Patents
パターン形状評価方法およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4791998B2 JP4791998B2 JP2007103849A JP2007103849A JP4791998B2 JP 4791998 B2 JP4791998 B2 JP 4791998B2 JP 2007103849 A JP2007103849 A JP 2007103849A JP 2007103849 A JP2007103849 A JP 2007103849A JP 4791998 B2 JP4791998 B2 JP 4791998B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- contour
- group
- evaluation
- procedure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Description
複数の要素パターンを含む評価対象パターンの画像を取得する手順と、
前記画像から前記評価対象パターンの輪郭を検出する手順と、
検出された前記評価対象パターンの輪郭を複数の評価対象パターン輪郭グループに分別する手順と、
前記要素パターンの評価基準となる参照パターンの輪郭を取得する手順と、
前記参照パターンの輪郭を複数の参照パターン輪郭グループに分別する手順と、
分別された前記参照パターン輪郭グループのうち、前記評価対象パターンの輪郭との間で位置合わせを行う参照パターン輪郭グループを選択する手順と、
選択された前記参照パターン輪郭グループの輪郭と前記評価対象パターンの輪郭との間で位置合せを行う手順と、
前記位置合せの結果を用いて前記評価対象パターンの形状評価を行う手順と、
を備えるパターン形状評価方法が提供される。
図1は、本発明にかかるパターン形状評価装置の実施の一形態の概略構成を示すブロック図である。図1に示すパターン形状評価装置1は、制御部10と、メモリMR1と、パターン画像取得部12と、パターン輪郭検出部14と、パターン輪郭ラベリング部16と、設計データ記憶部22と、設計データラベリング部24と、マッチング部30と、パターン形状評価部50とを備える。
図2は、本実施形態によるパターン形状評価方法の概略手順を示すフローチャートである。なお、以下では、SEM装置により取得されたSEM画像を用いてパターン形状を評価する場合を例として取り上げるが、これに限ることなく、光学式画像取得装置等、その他のどのような装置によって取得された画像についても本発明を適用することができる。しかしながら、半導体の微細パターンの形状を高精度に評価するためには、より高倍率でパターン画像を取得する必要があるため、現時点ではSEM画像を用いることが好ましい。
上述した実施形態では、位置合せに用いる参照パターン輪郭グループの指定をオペレータが行っていたが、本実施形態は、参照パターンと評価対象パターンとの間で対応する輪郭グループ同士で位置ずれ量を算出し、得られた位置ずれ量を用いてパターンの指定を自動的に行う方法を提供するものである。
図18は、本実施形態のパターン形状評価方法の概略手順を示すフローチャートである。
上述した第1の実施の形態では、評価対象パターン輪郭グループと参照パターン輪郭グループとの比較により、位置合せを行う参照パターン輪郭グループを選択したが、経験的に参照パターンデータだけで位置合せの精度を低減するおそれが高いと予め判断できる場合もある。例えば孤立ラインパターンの場合では特定の端部において著しい位置ずれが発生することが予測可能である。このような場合に、図2のステップS7に示すような輪郭グループ同士の比較を行うことなく、位置合せの精度を低減するおそれが高いと判断された参照パターングループを除外することにより、位置合せを行う参照パターングループを選択することができる。このような実施形態によるパターン形状評価方法の手順を図19のフローチャートに示す。図19に示す手順のうち図2の手順と異なる点は、図2のステップS7に対応する手順が存在せず、また、図2のステップS8に対応するステップS68の手順がステップS66とステップS69の間にのみ挿入されてステップS63のラベリングの結果を利用していない点である。図19のその他の手順は、図2の各手順の番号に60を加算したものであり実質的に図2の手順と同一である。
上述した実施形態のパターン形状評価方法の一連の手順は、コンピュータに実行させるプログラムに組み込み、レシピファイルとしてフレキシブルディスクやCD−ROM等の記録媒体に収納してコンピュータに読込ませて実行させても良い。これにより、本発明にかかるパターン形状評価方法を画像処理可能な汎用コンピュータを用いて実現することができる。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の携帯可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でも良い。また、上述したパターン形状評価方法の一連の手順を組込んだプログラムをインターネット等の通信回線(無線通信を含む)を介して頒布しても良い。さらに、上述したパターン形状評価方法の一連の手順を組込んだプログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、または記録媒体に収納して頒布しても良い。
上述したパターン形状評価方法を半導体装置の製造工程中で使用すれば、パターンの形状を高い精度で短時間に評価することができるので、より高い歩留まりおよびスループットで半導体装置を製造することができる。
前記位置合せの結果を用いて前記参照パターン輪郭グループの輪郭と前記評価対象パターンの輪郭とを対応づけることをさらに備え、
前記形状評価は、前記位置合せに選択されなかった参照パターン輪郭グループに対応する前記評価対象パターン輪郭グループについて行われることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のパターン形状評価方法。
前記対応する輪郭グループ毎に前記位置ずれの量を算出することは、
前記全輪郭グループの位置ずれ量の平均値を算出することと、
前記平均値からの偏差を各輪郭グループ毎に算出することと、
各輪郭グループの前記偏差を予め設定された閾値と比較することと、
その偏差が前記閾値を上回る輪郭グループを前記位置ずれの量が相対的に大きな輪郭グループとして規定することと、
を含むことを特徴とする請求項4に記載のパターン形状評価方法。
前記参照パターン輪郭グループは、前記評価対象パターンの設計データから位置合せの精度を低減する可能性が他の要素パターンと比較してより高い要素パターンの参照パターン輪郭グループを除外することにより選択されることを特徴とする請求項1に記載のパターン形状評価方法。
基板に形成された半導体装置形成用の被検査パターンがパターン形状評価方法による評価の結果、前記半導体装置の要求仕様を満たすと判定された場合に、前記基板に前記半導体装置の製造プロセスを実行することを備える半導体装置の製造方法であって、前記パターン形状評価方法は、
複数の要素パターンを含む評価対象パターンの画像を取得することと、
前記画像から前記評価対象パターンの輪郭を検出することと、
検出された前記評価対象パターンの輪郭を複数の評価対象パターン輪郭グループに分別することと、
前記要素パターンの評価基準となる参照パターンの輪郭を取得することと、
前記参照パターンの輪郭を複数の参照パターン輪郭グループに分別することと、
分別された前記参照パターン輪郭グループのうち、前記評価対象パターンの輪郭との間で位置合わせを行う参照パターン輪郭グループを選択することと、
選択された前記参照パターン輪郭グループの輪郭と前記評価対象パターンの輪郭との間で位置合せを行うことと、
前記位置合せの結果を用いて前記評価対象パターンの形状評価を行うことと、
を含む、半導体装置の製造方法。
10:制御部
12:パターン画像取得部
14:パターン輪郭検出部
16:パターン輪郭ラベリング部
22:設計データ記憶部
24:設計データラベリング部
30:マッチング部
32:輪郭グループ選択部
34:グループ対応付け部
36:位置合せ部
38:位置ずれ量算出部
42:重み付け部
50:パターン形状評価部
a,b,c,d:評価対象パターン輪郭グループ
α,β,γ,δ:参照パターンの輪郭グループ
GR2,GR4,GR6:参照画像
GT2,GT4,GT6:評価画像
MR1:メモリ
Claims (5)
- 複数の要素パターンを含む評価対象パターンの画像を取得する手順と、
前記画像から前記評価対象パターンの輪郭を検出する手順と、
検出された前記評価対象パターンの輪郭を複数の評価対象パターン輪郭グループに分別する手順と、
前記要素パターンの評価基準となる参照パターンの輪郭を取得する手順と、
前記参照パターンの輪郭を複数の参照パターン輪郭グループに分別する手順と、
分別された前記参照パターン輪郭グループのうち、前記評価対象パターンの輪郭との間で位置合わせを行う参照パターン輪郭グループを選択する手順と、
選択された前記参照パターン輪郭グループの輪郭と前記評価対象パターンの輪郭との間で位置合せを行う手順と、
前記位置合せの結果を用いて前記評価対象パターンの形状評価を行う手順と、
を備えるパターン形状評価方法。 - 各参照パターン輪郭グループに重み付けを行う手順をさらに備え、
前記位置合せは、前記重み付けを利用して行われることを特徴とする請求項1に記載のパターン形状評価方法。 - 前記参照パターン輪郭グループを選択する手順は、
分別された参照パターン輪郭グループの輪郭と分別された評価対象パターン輪郭グループの輪郭とを比較する手順と、
前記比較の結果、前記評価対象パターンと前記参照パターンとの位置合せの精度を低減する可能性が他の要素パターンと比較して高い要素パターンの参照パターン輪郭グループを除外する手順と、を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形状評価方法。 - 分別された全ての参照パターン輪郭グループの輪郭と分別された全ての評価対象パターン輪郭グループの輪郭との間で最初の位置合せを行う手順と、
前記最初の位置合せの結果を用いて前記参照パターン輪郭グループの輪郭と前記評価対象パターンの輪郭とを対応づける手順と、
前記参照パターン輪郭グループの輪郭と、前記評価対象パターン輪郭グループとの間の位置ずれの量を、対応する輪郭グループ毎に算出する手順と、をさらに備え、
前記参照パターン輪郭グループは、算出された前記位置ずれの量が全輪郭グループ中で相対的に大きな輪郭グループに属する参照パターン輪郭グループを除外することにより、選択され、
前記評価対象パターンの形状評価は、前記位置ずれの量が相対的に大きな輪郭グループを除外した輪郭グループ同士で再度の位置合せを行った結果を用いて行われることを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形状評価方法。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載のパターン形状評価方法をコンピュータに実行させるプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007103849A JP4791998B2 (ja) | 2006-04-12 | 2007-04-11 | パターン形状評価方法およびプログラム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006110120 | 2006-04-12 | ||
JP2006110120 | 2006-04-12 | ||
JP2007103849A JP4791998B2 (ja) | 2006-04-12 | 2007-04-11 | パターン形状評価方法およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007305118A JP2007305118A (ja) | 2007-11-22 |
JP4791998B2 true JP4791998B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=38838947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007103849A Expired - Fee Related JP4791998B2 (ja) | 2006-04-12 | 2007-04-11 | パターン形状評価方法およびプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4791998B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5391774B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-01-15 | 凸版印刷株式会社 | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
JP5438741B2 (ja) * | 2011-10-26 | 2014-03-12 | 株式会社アドバンテスト | パターン測定装置及びパターン測定方法 |
KR102278352B1 (ko) * | 2013-12-26 | 2021-07-19 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 화상 처리 방법, 화상 처리 장치, 화상 처리 프로그램 및 화상 처리 프로그램을 기억한 기억 매체 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0299805A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-11 | Sharp Corp | 印刷配線基板のパターン検査方式 |
JP2004212277A (ja) * | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Orbotech Ltd | パターンを検査するための方法 |
JP3857668B2 (ja) * | 2003-07-11 | 2006-12-13 | 日本アビオニクス株式会社 | パターンの位置合わせ方法 |
JP4103898B2 (ja) * | 2005-04-12 | 2008-06-18 | 株式会社日立製作所 | 地図情報更新方法及び地図更新装置 |
-
2007
- 2007-04-11 JP JP2007103849A patent/JP4791998B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007305118A (ja) | 2007-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101764658B1 (ko) | 결함 해석 지원 장치, 결함 해석 지원 장치에 의해 실행되는 프로그램 및 결함 해석 시스템 | |
US8885950B2 (en) | Pattern matching method and pattern matching apparatus | |
JP5444092B2 (ja) | 検査方法およびその装置 | |
US8547429B2 (en) | Apparatus and method for monitoring semiconductor device manufacturing process | |
JP5543872B2 (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 | |
US8311314B2 (en) | Pattern measuring method and pattern measuring device | |
US20150228063A1 (en) | Pattern Inspecting and Measuring Device and Program | |
JP2011017705A (ja) | パターン検査装置、パターン検査方法および記録媒体 | |
US9851714B2 (en) | Method of inspecting a specimen and system thereof | |
KR100598381B1 (ko) | 인-라인 타입의 자동 웨이퍼결함 분류장치 및 그 제어방법 | |
JP5556274B2 (ja) | パターン評価方法及びパターン評価装置 | |
WO2016172622A1 (en) | Outlier detection on pattern of interest image populations | |
US8090192B2 (en) | Pattern misalignment measurement method, program, and semiconductor device manufacturing method | |
TW201731004A (zh) | 減少配準及設計附近所引發之晶粒內檢查之雜訊 | |
US8977034B2 (en) | Pattern shape evaluation method and pattern shape evaluation apparatus | |
JP4791998B2 (ja) | パターン形状評価方法およびプログラム | |
WO2014103617A1 (ja) | 位置合せ装置、欠陥検査装置、位置合せ方法、及び制御プログラム | |
JP4843415B2 (ja) | パターン評価方法およびプログラム | |
JP3431567B2 (ja) | 欠陥検査装置及び検査方法 | |
JP4597509B2 (ja) | パターン検査装置およびパターン検査方法 | |
TW201727789A (zh) | 自定向計量和圖樣分類 | |
JP5391774B2 (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
US8126257B2 (en) | Alignment of semiconductor wafer patterns by corresponding edge groups | |
JPH11251377A (ja) | 欠陥検査方法およびその装置並びに欠陥の観察または分析方法およびそのシステム | |
CN113296369B (zh) | 用于光学临近修正的图形量测方法及装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110701 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110722 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |