TW201727789A

TW201727789A - 自定向計量和圖樣分類

Info

Publication number: TW201727789A
Application number: TW105127595A
Authority: TW
Inventors: 艾倫派克; 艾潔古普傑; 珍勞勃
Original assignee: 美商克萊譚克公司
Priority date: 2015-08-28
Filing date: 2016-08-26
Publication date: 2017-08-01
Also published as: JP6914249B2; IL257205A; TWI684225B; KR102340756B1; KR20180037055A; WO2017040351A1; IL257205B; CN107924850B; CN107924850A; JP2018530911A

Abstract

本發明提供用於判定將對一樣本執行之一程序之(若干)參數之方法及系統。一個系統包含經組態用於判定一樣本上偵測到之一缺陷之一區域之一或多個電腦子系統。該(等)電腦子系統亦經組態用於將該缺陷之該區域與該樣本之一設計之資訊相互關聯且基於該相互關聯之結果判定該缺陷之該區域與該設計之該資訊之間的一空間關係。另外，該(等)電腦子系統經組態用於基於該空間關係自動產生待在針對該樣本執行之一程序期間使用一量測子系統量測之一所關注區。

Description

自定向計量和圖樣分類

本發明大體上係關於用於準確特性化包含但不限於局部臨界尺寸(CD)改變、線或空間寬度改變及曲率之圖樣形態學之自動化圖樣計量位點放置及最佳化。某些實施例係關於用於判定將對一樣本執行之一計量程序之一或多個參數之方法及系統。

下列描述及實例不憑藉其包含於此章節中而被視為係先前技術。在一半導體製造程序期間之各個步驟使用檢測程序以偵測晶圓上之缺陷以驅動製造程序中之更高良率及因此更高利潤。檢測始終係製造半導體裝置之一重要部分。然而，隨著半導體裝置之尺寸減小，檢測對於成功製造可接受半導體裝置變得更加重要，此係因為更小缺陷可導致裝置故障。缺陷再檢測通常涉及再偵測藉由一檢測程序偵測之缺陷且使用一高放大率光學系統或一掃描式電子顯微鏡(SEM)以按一更高解析度產生關於缺陷之額外資訊。因此，在晶圓上之離散位置(其中已藉由檢測偵測缺陷)處執行缺陷再檢測。藉由缺陷再檢測產生之缺陷之更高解析度資料更適用於判定缺陷之屬性(諸如輪廓、粗糙度、更準確大小資訊等)。由於針對藉由檢測在晶圓上偵測之缺陷執行缺陷再檢測，故可基於藉由檢測程序判定之缺陷屬性判定用於一經偵測缺陷之一位置處之缺陷再檢測之參數。然而，用於一經偵測缺陷之一位置處之缺陷再檢測之輸出獲取參數(例如，光學、電子束等參數)通常不基於關於缺陷位置中或附近之設計之部分之資訊加以判定，此係因為此資訊通常與在缺陷再檢測期間針對所偵測缺陷執行之輸出獲取功能無關。在一半導體製造程序期間之各種步驟中亦使用計量學程序來監測且控制程序。計量程序與檢測程序不同之處在於，不同於其中在一晶圓上偵測缺陷之檢測程序，計量程序用於量測無法使用當前所使用之檢測工具判定之晶圓之一或多個特性。舉例而言，計量程序用於量測一晶圓之一或多個特性(諸如在一程序期間形成於該晶圓上之特徵之一尺寸(例如，線寬、厚度等))，使得可自該一或多個特性判定程序之效能。另外，若晶圓之一或多個特性係不可接受的(例如，在該(等)特性之一預定範圍之外)，則可使用該晶圓之一或多個特性之量測以更改程序之一或多個參數，使得由該程序製造之額外晶圓具有(若干)可接受特性。計量程序與缺陷再檢測程序不同之處亦在於，不同於其中在缺陷再檢測中再訪問藉由檢測偵測之缺陷之缺陷再檢測程序，計量程序可在未偵測到缺陷之位置處執行。換言之，不同於缺陷再檢測，在一晶圓上執行一計量程序之位置可獨立於對晶圓執行之一檢測程序之結果。特定言之，可獨立於檢測結果選擇執行一計量程序之位置。另外，由於可獨立於檢測結果選擇在晶圓上執行計量之位置，故不同於無法判定晶圓上待執行缺陷再檢測之位置直至晶圓之檢測結果產生且可用於使用之缺陷再檢測，可在已對晶圓執行一檢測程序之前判定執行計量程序之位置。用於實施計量程序之當前方法具有數個缺點。舉例而言，使用一SEM之圖樣計量(包含(例如)臨界尺寸(CD)及疊對量測)之習知配方設置需要待量測位置之先驗知識。另外，習知配方設置程序通常包含設計之使用。此外，若發現使用者希望量測一次或持續量測之一新所關注圖樣(POI)，則需要更新計量工具配方。因此，開發不具有上述缺點之一或多者之用於判定將對一樣本執行之一計量程序之一或多個參數之系統及方法將係有利的。

各種實施例之下列描述不應以任何方式解釋為限制隨附發明申請專利範圍之標的物。一項實施例係關於一種經組態以判定將對一樣本執行之一程序之一或多個參數之系統。該系統包含一量測子系統，該量測子系統包含至少一能量源及一偵測器。該能量源經組態以產生經引導至一樣本之能量。該偵測器經組態以偵測來自該樣本之能量且回應於該經偵測之能量產生輸出。該系統亦包含一或多個電腦子系統，其(等)經組態用於：判定該樣本上偵測到之一缺陷之一區域；使該缺陷之該區域與該樣本之一設計之資訊關聯；基於該關聯之結果判定該缺陷之該區域與該設計之該資訊之間的一空間關係；及基於該空間關係自動產生待在針對該樣本執行之一程序期間使用該量測子系統量測之一所關注區(ROI)。可如本文中描述般進一步組態該系統。另一實施例係關於一種用於判定將對一樣本執行之一程序之一或多個參數之電腦實施方法。該方法包含上文描述之判定一區域、關聯、判定一空間關係及自動產生一ROI之步驟。該方法之該等步驟係藉由一或多個電腦系統執行。可如本文中進一步描述般進一步實行上文描述之該方法之該等步驟之各者。另外，上文描述之該方法之該實施例可包含本文中描述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。此外，可藉由本文中描述之該等系統之任一者執行上文描述之該方法。另一實施例係關於一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統上實行以執行用於判定將對一樣本執行之一程序之一或多個參數之一電腦實施方法之程式指令。該電腦實施方法包含上文描述之該方法之該等步驟。該電腦可讀媒體可如本文中描述般進一步組態。可如本文中進一步描述般執行該電腦實施方法之該等步驟。另外，該電腦實施方法(可針對其執行該等程式指令)可包含本文中描述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。

如本文中使用之術語「設計」及「設計資料」通常係指一IC之實體設計(佈局)及透過複雜模擬或簡單幾何及布林運算自實體設計導出之資料。實體設計可儲存於一資料結構中，諸如一圖形資料串流(GDS)檔案、任何其他標準機器可讀檔案、此項技術中已知之任何其他適合檔案及一設計資料庫。一GDSII檔案係用於設計佈局資料之表示之一類檔案之一者。此等檔案之其他實例包含GL1及OASIS檔案及專屬檔案格式(諸如RDF資料)，其專屬於加利福尼亞州，米爾皮塔斯市(Milpitas)，KLA-Tencor。另外，藉由一倍縮光罩檢測系統擷取之一倍縮光罩之一影像及/或其之導出物可用作用於設計之一「代理」或「若干代理」。此一倍縮光罩影像或其之一導出物可在使用一設計之本文中描述之任何實施例中充當對於設計佈局之一取代物。設計可包含2009年8月4日頒予Zafar等人之共同擁有之美國專利第7,570,796號及2010年3月9日頒予Kulkarni等人之共同擁有之美國專利第7,676,077號中描述之任何其他設計資料或設計資料代理，該兩個專利以宛如全文陳述引用之方式併入本文中。另外，設計資料可係標準單元庫資料、整合佈局資料、一或多個層之設計資料、設計資料之導出物及完全或部分晶片設計資料。在一些例項中，來自一晶圓或倍縮光罩之模擬或擷取影像可用作用於設計之一代理。影像分析亦可用作用於設計分析之一代理。舉例而言，可自印刷於一晶圓及/或倍縮光罩上之一設計之一影像提取設計中之多邊形，假定以足夠解析度擷取晶圓及/或倍縮光罩之影像以使設計之多邊形充分成像。另外，本文中描述之「設計」及「設計資料」係指由半導體裝置設計者在一設計程序中產生且因此可在將設計印刷於任何實體晶圓上之前良好地用於本文中描述之實施例中之資訊及資料。較佳地，如本文中所使用之術語「設計」或「實體設計」係指如將理想地形成於晶圓上之設計。以此方式，本文中描述之一設計或實體設計較佳將不包含將不印刷於晶圓上之設計之特徵(諸如光學接近校正(OPC)特徵)，其等經添加至設計以增強將特徵印刷於晶圓上而不實際印刷其等自身。以此方式，在一些實施例中，用於本文中進一步描述之自動產生及自動判定步驟之樣本之設計不包含不會印刷於樣本上之設計之特徵。本文中描述之一「設計」及「設計資料」可包含與形成於晶圓上之裝置之實體意圖相關之資料及資訊，其等可包含上文描述之設計及設計資料之各種類型之任一者。一「設計」及「設計資料」亦可或替代地包含與形成於晶圓上之裝置之電意圖相關之資料及資訊。此資訊及資料可包含(例如)接線對照表及SPICE命名法及/或一「註釋佈局」(例如，其中設計包含電接線對照表參數標記)。此資料及資訊可用於判定一佈局或晶圓影像之哪些部分在一或多個電子態樣中係關鍵的。現參考圖式，應注意，圖未按比例繪製。特定言之，在很大程度上放大圖之一些元件之尺度以強調元件之特性。亦應注意，該等圖未按相同比例繪製。已使用相同元件符號指示可經類似組態之展示於一個以上圖中之元件。除非本文中另有說明，否則所描述且展示之任何元件可包含任何適合市售元件。一項實施例係關於一種經組態以判定將對一樣本執行之一計量程序之一或多個參數之系統。在一項實施例中，樣本包含一晶圓。在另一實施例中，樣本包含一倍縮光罩。晶圓及倍縮光罩可包含此項技術中已知之任何晶圓及倍縮光罩。在圖1中展示此一系統之一項實施例。該系統包含一量測子系統，該量測子系統包含至少一能量源及一偵測器。能量源經組態以產生引導至一樣本之能量。偵測器經組態以從樣本偵測能量且回應於該所偵測之能量產生輸出。在一項實施例中，引導至樣本之能量包含光，且從樣本偵測之能量包含光。例如，在圖1中展示之系統之實施例中，量測子系統10包含經組態以將光引導至樣本14之一照明子系統。該照明子系統包含至少一個光源。例如，如圖1中所展示，照明子系統包含光源16。在一項實施例中，照明子系統經組態以按可包含一或多個傾斜角及/或一或多個法向角之一或多個入射角將光引導至樣本。例如，如圖1中所展示，來自光源16之光被引導穿過光學元件18及接著穿過透鏡20至光束分離器21，該光束分離器21按一法向入射角將光引導至樣本14。入射角可包含任何適當入射角，其可取決於(例如)樣本及待在樣本上偵測之缺陷之特性而變化。照明子系統可經組態以在不同時間按不同入射角將光引導至樣本。例如，量測子系統可經組態以更改照明子系統之一或多個元件之一或多個特性，使得光可按不同於圖1中展示之入射角之一入射角引導至樣本。在一個此實例中，量測子系統可經組態以移動光源16、光學元件18及透鏡20，使得光以一不同入射角引導至樣本。在一些例項中，量測子系統可經組態以在相同時間按一個以上入射角將光引導至樣本。例如，照明子系統可包含一個以上照明通道，該等照明通道之一者可包含如圖1中展示之光源16、光學元件18及透鏡20，且該等照明通道之另一者(未展示)可包含可不同或相同組態之類似元件，或可包含至少一光源及可能一或多個其他組件(諸如本文中進一步描述之組件)。若在與其他光相同之時間將此光引導至樣本，則按不同入射角引導至樣本之光之一或多個特性(例如，波長、偏光等等)可不同，使得可在(若干)偵測器處將源自按不同入射角照明樣本之光彼此區分。在另一實例中，照明子系統可包含僅一個光源(例如，圖1中展示之源16)且來自該光源之光可藉由照明子系統之一或多個光學元件(未展示)而分成不同光學路徑(例如，基於波長、偏光等等)。接著，可將不同光學路徑之各者中之光引導至樣本。多個照明通道可經組態以在相同時間或不同時間(例如，當使用不同照明通道以依序照明樣本時)將光引導至樣本。在另一例項中，相同照明通道可經組態以在不同時間將具有不同特性之光引導至樣本。舉例而言，在一些例項中，光學元件18可經組態為一光譜濾光器且可以多種不同方式(例如，藉由改變光譜濾光器)改變光譜濾光器之性質使得可在不同時間將不同波長之光引導至樣本。照明子系統可具有此項技術中已知之用於依序或同時按不同或相同入射角將具有不同或相同特性之光引導至樣本之任何其他適合組態。在一項實施例中，光源16可包含一寬頻電漿(BBP)光源。以此方式，由光源產生且引導至樣本之光可包含寬頻光。然而，光源可包含任何其他適合光源(諸如一雷射)。雷射可包含此項技術中已知之任何適合雷射且可經組態以產生任何適合波長或此項技術中已知之波長之光。另外，雷射可經組態以產生單色或近單色光。以此方式，雷射可係一窄頻雷射。光源亦可包含產生多個離散波長或波帶之光之一多色光源。來自光學元件18之光可藉由透鏡20聚焦至光束分離器21。雖然透鏡20在圖1中展示為一單折射光學元件，但應理解，實務上，透鏡20可包含將來自光學元件之光組合地聚焦至樣本之若干折射及/或反射光學元件。圖1中展示且本文中描述之照明子系統可包含任何其他適合光學元件(未展示)。此等光學元件之實例包含(但不限於) (若干)偏光組件、(若干)光譜濾光器、(若干)空間濾光器、(若干)反射光學元件、(若干)變跡器、(若干)光束分離器、(若干)孔徑及可包含此項技術中已知之任何此等適合光學元件之類似者。另外，系統可經組態以基於用於計量之照明之類型而更改照明子系統之元件之一或多者。量測子系統亦可包含經組態以引起光掃描遍及樣本之一掃描子系統。舉例而言，量測子系統可包含在量測期間在其上安置樣本14之載物台22。掃描子系統可包含可經組態以移動樣本使得光可掃描遍及樣本之任何適合機械及/或機器人總成(包含載物台22)。另外或替代地，量測子系統可經組態使得量測子系統之一或多個光學元件執行光遍及樣本之某一掃描。可以任何適合方式使光掃描遍及樣本。量測子系統進一步包含一或多個偵測通道。一或多個偵測通道之至少一者包含一偵測器，該偵測器經組態以偵測歸因於藉由量測子系統照明樣本而來自樣本之光且回應於所偵測光產生輸出。舉例而言，圖1中展示之量測子系統包含兩個偵測通道，一偵測通道由集光器24、元件26及偵測器28形成且另一偵測通道由集光器30、元件32及偵測器34形成。如圖1中展示，兩個偵測通道經組態以按不同收集角收集且偵測光。在一些例項中，一偵測通道經組態以偵測鏡面反射光且另一偵測通道經組態以偵測並非自樣本鏡面反射(例如，散射、繞射等)之光。然而，兩個或兩個以上偵測通道可經組態以偵測來自樣本之相同類型之光(例如，鏡面反射光)。雖然圖1展示包含兩個偵測通道之量測子系統之一實施例，但量測子系統可包含不同數目個偵測通道(例如，僅一個偵測通道或兩個或兩個以上偵測通道)。雖然在圖1中將各集光器展示為單折射光學元件，但應理解，各集光器可包含一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件。一或多個偵測通道可包含此項技術中已知之任何適合偵測器。舉例而言，偵測器可包含光電倍增管(PMT)、電荷耦合裝置(CCD)及延時積分(TDI)相機。偵測器亦可包含此項技術中已知之任何其他適合偵測器。偵測器亦可包含非成像偵測器或成像偵測器。以此方式，若偵測器係非成像偵測器，則各偵測器可經組態以偵測散射光之某些特性(諸如強度)但不可經組態以偵測依據成像平面內之位置而變化之此等特性。因而，由包含於量測系統之各偵測通道中之各偵測器產生之輸出可係信號或資料，而非影像信號或影像資料。在此等例項中，一電腦子系統(諸如系統之電腦子系統36)可經組態以自偵測器之非成像輸出產生樣本之影像。然而，在其他例項中，偵測器可經組態為經組態以產生成像信號或影像資料之成像偵測器。因此，系統可經組態以依若干方式產生本文中描述之影像。應注意，本文中提供圖1以大體上繪示可包含於本文中描述之系統實施例中之一量測子系統之一組態。顯然，可更改本文中描述之量測子系統組態以如在設計一商業計量系統時通常執行般最佳化系統之效能。另外，可使用諸如商業上可購自KLA-Tencor之SpectraShape系列工具及Archer系列工具之一現有計量系統(例如，藉由將本文中描述之功能性添加至一現有計量系統)實施本文中描述之系統。對於一些此等系統，本文中描述之方法可提供為計量系統之選用功能性(例如，除了計量系統之其他功能性之外)。替代地，可「從頭開始」設計本文中描述之計量系統以提供一全新計量系統。系統之電腦子系統36可以任何適合方式(例如，經由一或多個傳輸媒體，該一或多個傳輸媒體可包含「有線」及/或「無線」傳輸媒體)耦合至量測子系統之偵測器使得電腦子系統可接收在樣本之掃描期間由偵測器產生之輸出。電腦子系統36可經組態以使用如本文中描述之偵測器之輸出執行若干功能及本文中進一步描述之任何其他功能。可如本文中描述般進一步組態此電腦子系統。此電腦子系統(以及本文中描述之其他電腦子系統)在本文中亦可稱為(若干)電腦系統。本文中描述之(若干)電腦子系統或系統之各者可採取多種形式，包含一個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路設備、網際網路設備或其他裝置。一般言之，術語「電腦系統」可經廣泛定義以涵蓋具有執行來自一記憶體媒體之指令之一或多個處理器之任何裝置。(若干)電腦子系統或系統亦可包含此項技術中已知之任何適合處理器(諸如一平行處理器)。另外，(若干)電腦子系統或系統可包含具有高速處理及軟體之一電腦平台(作為一獨立工具或一網路工具)。若系統包含一個以上電腦子系統，則不同電腦子系統可彼此耦合，使得如本文中進一步描述般可在該等電腦子系統之間發送影像、資料、資訊、指令等等。例如，電腦子系統36可藉由可包含此項技術中已知之任何適合有線及/或無線傳輸媒體之任何適合傳輸媒體耦合至(若干)電腦子系統102 (如藉由圖1中之虛線所展示)。兩個或兩個以上此等電腦子系統亦可藉由一共用電腦可讀儲存媒體(未展示)而有效耦合。雖然量測子系統在上文描述為一光學或基於光之量測子系統，但該量測子系統可為一基於電子束之量測子系統。例如，在一項實施例中，引導至樣本之能量包含電子，且從樣本偵測之能量包含電子。以此方式，能量源可為一電子束源。在圖2中展示之一項此實施例中，量測子系統包含耦合至電腦子系統124之電子柱122。亦如圖2中展示，電子柱包含經組態以產生由一或多個元件130聚焦至樣本128之電子之電子束源126。電子束源可包含(例如)一陰極源或射極尖端，且一或多個元件130可包含(例如)一槍透鏡、一陽極、一限束孔徑、一閘閥、一束電流選擇孔徑、一物鏡及一掃描子系統，其等全部可包含此項技術中已知之任何此等適合元件。從樣本返回之電子(例如，二次電子)可藉由一或多個元件132聚焦至偵測器134。一或多個元件132可包含(例如)一掃描子系統，該掃描子系統可為包含在(若干)元件130中之相同掃描子系統。電子柱可包含此項技術中已知之任何其他適合元件。另外，可如2014年4月4日頒予Jiang等人之美國專利第8,664,594號、2014年4月8日頒予Kojima等人之美國專利第8,692,204號、2014年4月15日頒予Gubbens等人之美國專利第8,698,093號及2014年5月6日頒予MacDonald等人之美國專利第8,716,662號中描述般進一步組態電子柱，該等專利以宛如全文陳述引用的方式併入本文中。雖然電子柱在圖2中展示為經組態使得電子按一傾斜入射角引導至樣本且按另一傾斜角自樣本散射，但應瞭解，電子束可以任何適合角引導至樣本且自樣本散射。另外，基於電子束之量測子系統可經組態以使用多個模式來產生樣本之影像(例如，運用不同照明角、收集角等等)。基於電子束之量測子系統之多個模式可在量測子系統之任何影像產生參數方面不同。如上文所描述，電腦子系統124可耦合至偵測器134。偵測器可偵測從樣本之表面返回之電子，藉此形成該樣本之電子束影像。該等電子束影像可包含任何適合電子束影像。電腦子系統124可經組態以使用偵測器之輸出及/或電子束影像執行本文中描述之任何功能。電腦子系統124可經組態以執行本文中描述之(若干)任何額外步驟。可如本文中描述般進一步組態包含圖2中展示之量測子系統之一系統。注意，本文中提供圖2以大體上繪示可包含在本文中描述之實施例中之一基於電子束之量測子系統之一組態。如同上文描述之光學量測子系統，可更改本文中描述之基於電子束之量測子系統組態以如在設計一商業計量系統時通常執行般最佳化量測子系統之效能。另外，可使用諸如商業上可購自KLA-Tencor之eDR-xxxx系列之工具之一現有計量或高解析度缺陷再檢測系統(例如，藉由將本文中描述之功能性添加至一現有計量系統)來實施本文中描述之系統。對於一些此等系統，本文中描述之方法可提供為系統之選用功能性(例如，除系統之其他功能性之外)。替代地，可「從頭開始」設計本文中描述之系統以提供一全新系統。雖然量測子系統在上文描述為一基於光或基於電子束之量測子系統，但該量測子系統可為一基於離子束之量測子系統。可如圖2中展示般組態此一量測子系統，惟可使用此項技術中已知之任何適合離子束源替換電子束源除外。另外，量測子系統可為任何其他適合基於離子束之量測子系統，諸如包含在市售聚焦離子束(FIB)系統、氦離子顯微鏡(HIM)系統及二次離子質譜儀(SIMS)系統中之量測子系統。包含於本文中描述之系統實施例中之一或多個電腦子系統經組態用於基於樣本之一設計自動產生待在針對樣本執行之一計量程序期間使用量測子系統量測之所關注區(ROI)。由於基於樣本之設計判定ROI，故ROI可稱為「基於設計之ROI」。另外，計量程序(如本文中描述般針對其判定一或多個參數)可稱為一「設計驅動之計量程序」。圖3提供本文中使用之各種術語(包含ROI)之一些內容背景。舉例而言，圖3展示以量測位點302為中心之一量測子系統(諸如本文中描述之該等量測子系統之一者)之視場(FOV) 300。量測位點可係一經偵測缺陷(藉由檢測及/或再檢測偵測)之一位點或一取樣位點。在一計量程序期間晶圓上之各FOV位置可與量測位點(將針對其等執行計量程序)之僅一者相關聯。舉例而言，在一計量程序期間，一掃描電子顯微鏡(SEM)或其他量測子系統可以從量測位點至量測位點之方式驅動。如在圖3中亦展示，在FOV 300內，可定位多個ROI 304、306及308。儘管在圖3中展示三個ROI，但任何一個FOV中可存在任何數目個ROI (即，一或多個ROI)。如在圖3中進一步展示，ROI可定位於FOV內之各種位置中，且儘管三個ROI展示為在FOV中不重疊，但在一些例項中，ROI可在FOV中在某種程度上重疊。在ROI之各者內，可選擇執行至少一個量測，此可如本文進一步描述般進行自動選擇或判定。儘管圖3未展示將形成於定位在圖3中展示之FOV中之晶圓之區域中之任何圖案化特徵，但量測一般將針對圖案化特徵之一或多個特性。為繪示可在不同ROI中執行之不同量測，圖3將此等不同量測抽象地繪示為展示尺寸之範圍及方向之雙頭箭頭，可跨該尺寸執行此等量測。舉例而言，如在圖3中展示，可在ROI 304中在一個方向上跨ROI在該方向上之一整個尺寸之僅一部分執行量測310。可在ROI 306中在一不同方向上跨ROI在該方向上之一整個尺寸執行量測312。另外，可在垂直方向上跨ROI 308執行量測314及316。量測314可跨ROI在該量測方向上之一整個尺寸之僅一部分執行，而量測316可跨ROI在該量測方向上之一整個尺寸執行。因此，如本文進一步描述，不同量測可在不同ROI中執行，且在任一個ROI中執行之量測可如本文進一步描述般選擇或判定。一或多個電腦子系統亦經組態用於基於分別定位於ROI之第一及第二子集中之樣本之設計之部分自動判定在使用量測子系統之計量程序期間在ROI之第一及第二子集中執行之一或多個量測之一或多個參數。在第一子集中執行之一或多個量測之一或多個參數單獨地且獨立於在第二子集中執行之一或多個量測之一或多個參數而判定。換言之，可基於僅定位於第一子集中之設計之部分針對ROI之第一子集判定一或多個參數，可基於僅定位於第二子集中之設計之部分針對ROI之第二子集判定一或多個參數等等。另外，儘管本文中關於第一及第二子集描述一些實施例，但應理解，可針對ROI之兩個以上子集(例如，ROI之兩個或兩個以上子集)執行藉由(若干)電腦子系統執行之(若干)步驟。此外，ROI之子集之各者可包含一或多個ROI。舉例而言，ROI之第一子集可包含僅一個ROI，而ROI之第二子集可包含一個以上ROI。以此方式，本文中描述之實施例經組態用於自動化圖樣保真度量測計劃產生。本文中描述之實施例亦可經組態用於執行所產生之圖樣保真度量測計劃。在一項實施例中，在計量程序之設置期間執行自動產生及自動判定。以此方式，方法可包含在設置期間使用晶圓之實體設計之自動ROI產生。另外，可使圖樣保真度量測之配方設置完全自動化，此係由於數千個獨有位點之ROI可在設置期間自動產生。在另一實施例中，在計量程序之運行時間期間即時執行自動產生及自動判定。以此方式，本文中描述之實施例可經組態用於自動化即時圖樣保真度量測計劃產生。另外，方法可包含在運行時間期間使用晶圓之實體設計之自動ROI產生。本文中描述之實施例亦可產生一計量量測計劃而無需待量測結構之先驗知識。舉例而言，本文中描述之實施例不必使用藉由另一系統或方法針對待量測結構產生之資訊執行功能。因此，本文中描述之實施例針對量測計劃產生提供優於當前使用之方法及系統之數個優點。舉例而言，在新的程序節點，藉由檢測工具偵測之圖樣偏差將需要定量分析來判定其等是否滿足係一「缺陷」之準則。吾人無法提前預測此等缺陷候選者可能在何處出現，因此，需要即時自動化計量計劃產生。在一些實施例中，自動產生包含在計量程序之設置期間執行設計之基於規則之搜尋。舉例而言，可使圖樣保真度量測之配方設置完全自動化，此係由於可在設置期間使用晶圓之實體設計之一基於規則搜尋來自動產生數千個獨有位點之ROI。以此方式，本文中描述之實施例可經組態用於基於規則之自動ROI產生。將ROI產生之規則應用於一設計可以數個不同方式執行。舉例而言，一基於規則之方法可係一非影像處理方法，其中將規則應用於設計資料以產生ROI。可使用CAD軟體來執行此等應用。在另一實例中，可使用一基於影像處理之方法，其可包含將設計資料呈現為一影像且接著使用規則作為輸入以使用影像處理演算法產生ROI。以此方式，設計資料可藉由設計分析軟體及/或演算法之各種類型消費以便使用規則作為輸入而產生ROI。在用於自動產生ROI之一基於規則之搜尋之一項實施例中，可針對各不同量測類型產生一個規則。換言之，規則1可用於量測類型1，規則2可用於量測類型2等等。另外，各規則不可用於一個以上量測類型。以此方式，各規則可定義待形成於晶圓上之設計中之圖樣之特性，該等特性將做出對適用於該圖樣之其量測類型之一量測。舉例而言，可設計用於一線寬量測類型之一規則以將跨圖樣之一相對大區段具有一實質上均勻尺寸之圖樣或圖樣之部分識別為用於線寬量測類型之候選者。在一些此等例項中，可針對包含於任何一個FOV中之圖樣之任一者及/或所有者執行各規則。因此，可在每一FOV基礎上執行所有規則。由於各規則可識別該規則針對其寫入之類型之量測之可能位置，故各規則可識別該FOV之數個可能ROI，其中一量測類型之各潛在位置對應於ROI之一者。因此，將各規則應用於各FOV之結果可包含FOV中之一或多個ROI位置。因而，將多個規則應用於各FOV可在各FOV中產生一或多個ROI位置，一些該等位置可對應於不同量測類型。在一些此等例項中，FOV內之ROI位置之各者可對應於僅一個類型之僅一個量測。然而，一FOV內之多個ROI位置可在FOV內彼此(部分或完全)重疊(例如，當適合在FOV之相同部分中執行兩個不同類型之兩個不同量測時)係可能的。在此等例項中，重疊ROI之各個別ROI可對應於僅一個類型之僅一個量測。換言之，每一ROI可存在僅一個量測類型。因此，為執行針對一給定ROI位置之多個量測，可產生多個ROI，其中各ROI具有相同ROI界限(或位置、座標等)但各具有不同量測類型。總而言之，因此，對於一晶圓上之任何一個量測位點，可針對該量測位點指定一個FOV。所有規則可針對各FOV運行。由於運行所有規則，每一FOV每一規則之一或多個ROI可憑藉每一ROI一個量測產生。可針對各FOV/量測位點重複相同步驟，直至已處理所有FOV/量測位點。在一項實施例中，一或多個電腦子系統包含一電子設計自動化(EDA)工具之一電腦子系統。舉例而言，針對在運行時間之ROI產生，方法可使用EDA實體設計分析工具或將客製演算法應用至實體設計。在一些此等例項中，一設計縮略形式(design clip)或設計之另一表示可藉由實體設計分析軟體自動分析以判定設計縮略形式或設計之另一表示內之有效量測。在一個此實例中，針對在運行時間之ROI產生，一演算法可基於圖樣之一給定段是否筆直/平行(即，一結構/圖樣之兩個邊緣彼此平行)、彎曲(例如，在一隅角上)或在一線之端部處而對設計自動分段。EDA工具可包含任何適當市售EDA工具。在一些此等實施例中，本文中描述之一或多個電腦子系統(例如，(若干)電腦子系統102)可經組態為一EDA工具。在另一實施例中，針對ROI之第一子集自動判定之一或多個參數導致在ROI之第一子集中執行之一第一類型之(若干)量測，針對ROI之第二子集自動判定之一或多個參數導致在ROI之第二子集中執行之一第二類型之(若干)量測，且第一及第二類型之(諸)量測彼此不同。以此方式，方法可包含在ROI產生程序期間自動判定量測類型。每一ROI可存在一個量測類型且可在ROI產生程序期間自動判定。因而，本文中描述之實施例可經組態用於自動產生具有針對各ROI之適當量測類型之計量計劃。舉例而言，計量計劃產生可包含針對各FOV自實體設計自動定義ROI及量測類型。自動定義ROI及量測類型可使用設計分析演算法及軟體來執行。一或多個參數亦可包含在ROI中待執行量測類型之位置。ROI中待執行量測類型之位置可如本文中進一步描述般判定。可執行本文中描述之計量程序來判定一晶圓上之圖樣與設計中之圖樣不同之處。特定言之，當圖樣經設計以印刷於一晶圓上時，其等幾乎從未如其等經設計般確切地印刷於晶圓上。如所設計圖樣與如所印刷圖樣之此等差異可係歸因於用來將圖樣印刷於晶圓上之程序、工具及材料之固有限制以及該等程序、工具及材料中之任何誤差。在圖4及圖5中展示印刷於一晶圓上之圖樣可如何不同於如所設計圖樣之一個實例。特定言之，如在圖4中展示，一晶圓(在圖4中未展示)之一設計之部分400可包含三個不同圖樣402、404及406。圖樣402係可包含於一晶圓之一設計中之一線結構之一實例。圖樣404係可包含於一晶圓之一設計中之一接點結構之一實例，且圖樣406係可包含於一晶圓之一設計中之一多邊形結構之一實例。儘管在圖4 (及本文中描述之其他圖)中展示包含於一晶圓之一設計中之結構之一些實例，但該等實例並不意在表示任何特定晶圓之任何特定設計。代替地，如一般技術者將瞭解，晶圓之設計可包含呈許多不同配置且呈許多不同數目之許多不同類型結構。圖4(及本文中描述之其他圖)中展示之結構僅意在繪示一些假設晶圓結構來進一步理解本文中描述之各種實施例。歸因於用來印刷設計之部分400中展示之結構之工具、材料及程序之固有限制，該等結構在其等包含於設計中時未必印刷於晶圓上。舉例而言，如在圖5中展示，代替部分400中具有如設計中展示之尖銳90度隅角之圖樣402、404及406，圖樣將具有至少某種程度修圓隅角。另外，結構之任一者可具有尺寸(諸如跨結構之各種點處之寬度)變動。舉例而言，如在圖5中展示，相較於跨此結構之多個點處之結構之設計特性，圖樣406具有一些線寬變動。因此可基於如所設計圖樣之特性(可能結合關於圖樣之潛在問題之一些先驗知識)如本文中描述般自動選擇ROI及每一ROI之量測類型。在圖6中展示針對圖5中展示之圖樣之數個可能ROI。儘管關於圖5中展示之圖樣展示此等可能ROI，但ROI可實際上基於對應於圖5中展示之圖樣之設計(即，基於圖4中展示之圖樣)而判定。在圖6中展示之實施例中，可針對經設計以具有跨特徵之一部分之實質上均勻尺寸之該特徵之該部分判定ROI 600、602及604。舉例而言，可針對經設計以具有跨特徵402之一部分之實質上均勻尺寸之該部分產生ROI 600，且可針對經設計以具有跨特徵406之部分之實質上均勻尺寸之該等部分產生ROI 602及604。針對此等ROI自動選擇之量測類型可係一線寬量測，其可用於偵測圖案化特徵中之頸縮或膨脹問題。可針對該等特徵之兩者(特徵402及406)之間的一空間自動產生另一ROI (ROI 606)，該空間經設計以具有跨ROI之實質上相同尺寸。藉由本文中描述之實施例針對此ROI自動選擇之量測類型可包含一間隙量測(或兩個特徵之間的一距離或距離之某一統計量度)。可執行間隙量測以偵測兩個圖案化特徵之間的橋接問題。本文中描述之實施例亦可經組態以在一或多個特徵之端部處及/或附近自動產生數個ROI。舉例而言，如在圖6中展示，可針對特徵402之端部自動產生ROI 608及610，而可針對特徵406之端部自動產生ROI 612及614。針對此等ROI選擇之量測類型可係線端位置、線端拉回、線端距離(例如，一直線之兩個線端之間的距離)或可用於描述如所設計特徵對如所印刷特徵之端部之相對位置之某一其他量測類型。亦可針對設計中之一或多個圖案化特徵之隅角自動產生一或多個ROI。舉例而言，如在圖6中展示，可針對特徵406之隅角產生ROI 616及618。針對此等ROI選擇之量測類型可係曲率、半徑、距離、弧面積或可用於描述隅角之形狀之某一其他量測類型。可藉由本文中描述之實施例針對設計中之接點圖案化特徵自動產生另一ROI。舉例而言，如在圖6中展示，可針對接點特徵404產生ROI 620。針對此ROI選擇之量測類型可係直徑、寬度、高度、半徑、面積或可用來描述如所印刷接點如何不同於如所設計接點之另一量測類型。可針對一計量程序判定之其他量測類型包含尖端至尖端(兩個線端之間的間隙之一量測)、尖端-線(一線端與一線之間的間隙之一量測)、線長度(一直線之長度之一量測)及隅角至隅角量測。因此，如上文描述，本文中描述之實施例可經組態以執行基於設計將一晶圓之一設計之至少一部分分段為針對一計量程序之ROI。另外，一些段可包含直線段、筆直間隙段、線端段、隅角段及接點段。可在設計中以本文中描述之數個不同方式判定不同段及對應ROI。舉例而言，可藉由將一或多個規則應用於設計而判定段或ROI。在另一實例中，可如本文進一步描述般識別穿過設計中之圖案化特徵之假想中心線(在其等不係設計之部分或不印刷於晶圓上之意義上係假想的)，且接著，該等中心線可用於將圖案化特徵分段為段及/或ROI。舉例而言，穿過一圖案化特徵之一筆直中心線可用於將筆直中心線延伸穿過之圖案化特徵之部分識別為一直線段。在另一實例中，穿過兩個圖案化特徵之間的一空間之一筆直中心線可用於將筆直中心線延伸穿過之空間之部分識別為一直間隙段。在一額外實例中，其中兩個直線按一90度角會合之一圖案化特徵之一部分可識別為一隅角段。可使用假想中心線以一類似方式識別本文中描述之其他段。一旦已判定用於計量程序之各種位置(例如，量測位點位置、對準位點位置、自動聚焦位點位置等)，計量配方設置可包含各種額外步驟，可使用一實體晶圓對計量工具執行該等額外步驟之一些步驟。舉例而言，一或多個位置可定位於量測子系統之一FOV中。一旦一或多個位置定位於量測子系統之FOV中，便可使用量測子系統之參數(例如，光學、電子束或成像參數)之不同值產生量測子系統之輸出。接著，可比較使用參數之不同值產生之不同輸出以判定哪些參數最適用於針對一或多個位置之計量程序中。另外，可針對將在相同計量程序中量測之不同位置選擇不同量測子系統參數。舉例而言，可判定最佳(且因此選擇)用於一種類型之ROI中之一個量測類型之一組量測子系統參數，同時可判定最佳(且因此選擇)用於另一不同類型之ROI中之另一不同量測類型之另一不同組量測子系統參數。以一類似方式，可在一逐位置類型基礎上判定藉由(若干)電腦子系統應用於藉由量測子系統產生之輸出之一或多個方法及/或演算法之一或多個參數(使得不同方法及/或演算法及/或(若干)相同方法及/或(若干)演算法之不同參數可應用於在晶圓上之不同類型之位置處產生之輸出)。在一些實施例中，(若干)電腦子系統可經組態用於藉由將偵測器之輸出與ROI之第一子集及第二子集之樣本之設計對準而在計量程序期間判定該樣本上之位置。舉例而言，電腦子系統可經組態用於自動SEM至設計精細對準(例如，使用SEM之FOV中之幾何形狀)。由於全域對準不確保藉由一量測子系統產生之影像中之結構之中心線與設計結構之對準，因此可執行SEM至設計精細對準。在將量測子系統之輸出與設計對準之一些實施例中，經繪製穿過輸出及設計中之圖案化特徵之假想中心線可用於精細對準(而本文中進一步描述之對準標記可用於一晶圓或一或多個FOV之全域對準)。圖7及圖8繪示當使用輸出及設計中之特徵之邊緣以用於對準時可出現之一些問題。舉例而言，如在圖7中展示，一設計之一部分可包含兩個特徵(線700及多邊形702)。另外，對應於設計之部分之藉由量測子系統產生之輸出之一部分可包含針對兩個特徵(線704及多邊形706)之輸出。設計中之特徵及量測子系統之輸出歸因於如上文進一步描述般將設計印刷於晶圓上而看似不同。可在一所關注圖樣之上邊緣或下邊緣處使用邊緣至邊緣方法來對準量測子系統之輸出(例如，一SEM影像)與一設計。舉例而言，如在圖7中展示，若多邊形702及706之水平部分之下邊緣708用於對準，則針對多邊形之區域710及712中之多邊形706執行之線端量測將產生一個量測。然而，如在圖8中展示，若多邊形702及706之水平部分之上邊緣800用於對準，則針對多邊形之區域710及712中之多邊形706執行之線端量測將產生一不同的量測。以此方式，取決於多邊形之哪一邊緣用於設計至輸出之對準，線端量測將產生不同結果，此由於數個明顯原因(例如，線端拉回量測係不一致的)而係不利的。因此，代替使用邊緣至邊緣對準，本文中描述之實施例可使用輸出中及設計中之特徵之中心來執行量測子系統輸出至設計之對準。舉例而言，如在圖9中展示，若多邊形702及706之中心用於對準，則將產生不同於使用上文描述之邊緣對準方法之任一者之情況之一量測以用於針對多邊形之區域710及712中之多邊形706執行之線端量測。然而，使用特徵之中心來將量測子系統之輸出與設計對準將產生從ROI至ROI之一更一致對準，藉此提供ROI之實質上一致量測(例如，隅角量測、線端拉回量測及寬度量測)。使用特徵之中心而非其等邊緣進行對準亦可改良針對嚴重失真圖樣且在FOV不具有用於對準所關注圖樣之許多特徵時之對準穩健性。圖10至圖12繪示一設計之一部分中及量測子系統輸出中之圖案化特徵之中心可如何用於對準設計與輸出。舉例而言，如在圖10中展示，一樣本之一設計之一部分可包含四個不同特徵(線1000、1002及1004之部分及多邊形1006)。如在圖10中進一步展示，可透過包含於設計之部分中之各特徵之部分之整體判定一假想中心線。舉例而言，可針對線1000、1002及1004之部分判定假想中心線1008、1010及1012。另外，可針對多邊形1006判定假想中心線1014。可以任何適當方式判定假想中心線。亦可針對如在量測子系統輸出中出現之圖案化特徵判定假想中心線。舉例而言，如在圖11中展示，量測子系統輸出中之一設計之一部分可包含對應於圖10中展示該等部分之四個不同特徵(例如，線1100、1102及1104之部分及多邊形1106)。如在圖11中進一步展示，可透過包含於設計之此部分中之各特徵之部分之整體判定一假想中心線。舉例而言，可針對線1100、1102及1104之部分判定假想中心線1108、1110及1112。另外，可針對多邊形1106判定假想中心線1114。可如本文中進一步描述般判定假想中心線。由於可再現地判定設計中之經圖案化特徵之中心線且由於應能夠實質上可再現地判定輸出中之經圖案化特徵之中心線，故假想中心線可用以相對可再現地對準設計中之經圖案化特徵與輸出中之經圖案化特徵。舉例而言，如在圖12中所展示，中心線1008與1108之對準1200可用以可再現地對準設計中之線1000與輸出中之線1100。在另一實例中，中心線1010與1110之對準1202可用以可再現地對準設計中之線1002與輸出中之線1102。另外，中心線1012與1112之對準1204可用以可再現地對準設計中之線1004與輸出中之線1104。此外，中心線1014與1114之對準1206可用以可再現地對準設計中之多邊形1006與輸出中之多邊形1106。當然，為對準設計之一部分中之特徵與量測子系統之輸出中之設計之相同部分中之特徵，並非為產生所有特徵之彼此對準而必須使該部分中之所有特徵之所有中心線彼此對準。舉例而言，在圖12中展示之實例中，設計中之多邊形之中心線與輸出中之多邊形之中心線之對準可用以產生針對多邊形以及設計之此部分中之剩餘特徵之精細設計至輸出對準。可再現地能夠對準設計中之特徵與量測子系統輸出中之特徵將改良使用對準之結果執行之量測之一致性。在一進一步實施例中，(若干)量測之(若干)參數包含跨其等執行(若干)量測之一或多個尺寸之邊界。舉例而言，(若干)電腦子系統可經組態以用於量測界限之自動產生。可在運行時間時(在設置期間無需參數)針對各獨有位點自動判定量測界限。在一些實施例中，可使用本文中進一步描述之中心線判定跨其等執行量測之尺寸之邊界。舉例而言，如在圖13中所展示，形成於一晶圓上之一設計之一部分可包含四個經圖案化特徵1300、1302、1304及1306，其等在圖13中展示為其等可形成於晶圓上且接著藉由量測子系統進行成像。可針對本文中進一步描述之特徵之每一者產生假想中心線1308、1310、1312及1314。亦可針對經圖案化特徵之間的空間產生假想中心線。可藉由設計中之兩個鄰近特徵之間的中點來界定針對該等空間之中心線。舉例而言，可基於特徵1300與任何其他鄰近特徵(例如，特徵1302)之中心線之間的中點而界定中心線1316。可基於特徵1302與此特徵之左側上且延伸超過特徵1300之任何其他鄰近特徵(在圖13中未展示)之中心線之間的中點而界定中心線1318。可基於特徵1304與任何其他鄰近特徵(例如，特徵1302及1306)之中心線之間的中點而界定中心線1320。可基於特徵1302與1306之中心線之間的中點而界定中心線1322。另外，可基於特徵1306與此特徵之右側上之任何鄰近特徵(在圖13中未展示)之中心線之間的中點而界定中心線1324。儘管圖13中展示之中心線描述為關於如在量測子系統輸出中出現之經圖案化特徵而界定，但中心線亦可或替代地基於如在設計本身中出現之經圖案化特徵而界定。另外，儘管經圖案化特徵之間的空間中之中心線在上文描述為基於經圖案化特徵中之中心線而界定，但該等空間中之中心線可基於經圖案化特徵之一些其他特性(例如，經圖案化特徵之邊緣)而界定。經圖案化特徵之間的空間中之中心線接著可用作用於執行之經圖案化特徵之任何量測之邊界。舉例而言，如在圖13中所展示，若將針對經圖案化特徵1304量測此經圖案化特徵之一臨界尺寸(CD)，則可沿著線1326之一者自經圖案化特徵之一側上之中心線1320之位置至經圖案化特徵之另一側上之中心線1320之位置且在實質上垂直於經圖案化特徵1304內之中心線1312之一方向上執行量測。以此方式，可沿正交於穿過經圖案化特徵之中心線之一方向上執行量測。儘管三個線1326在圖13中展示為表示可跨其等執行針對經圖案化特徵1304之不同量測之尺寸，但可在沿著經圖案化特徵內之中心線之任何適合位置處執行任適合數目個此等量測。另外，可在實質上平行於該等特徵之中心線之一方向上執行量測。舉例而言，如在圖13中所展示，可沿著線1328之一者執行量測，且儘管未在圖13中展示，但亦可藉由經圖案化特徵之間的空間中之中心線判定此等量測之邊界，如本文中進一步描述。此外，儘管在圖13中未展示，但跨其等執行量測之尺寸可與經圖案化特徵及/或經圖案化特徵之間的空間之中心線以除了正交以外之某一角度相交(例如，對於量測半徑、對於線端拉回量測、對於線端距離量測等)。使用經圖案化特徵之間的空間中之中心線作為對經圖案化特徵執行之任何量測之邊界可有利地確保量測在經圖案化特徵之外部開始及結束，藉此確保跨經圖案化特徵之一整個尺寸執行量測且確保量測之邊界充分地在經圖案化特徵外部使得可以充分準確性及/或信心判定在量測期間產生之輸出中之經圖案化特徵之邊緣。例如，若一量測開始所處之邊界太靠近於一經圖案化特徵之邊緣，則輸出內之經圖案化特徵之邊緣之位置可容易與量測邊界混淆且/或可在量測邊界雜訊中丟失。然而，如本文所描述般使用經圖案化特徵之間的空間中之中心線來判定量測之邊界將實質上消除經圖案化特徵邊緣偵測中之任何此等誤差。以一類似方式，若將針對兩個經圖案化特徵之間的一空間執行本文中所描述之量測(例如，欲量測兩個特徵之間的間隙)，則可基於圍繞該空間之經圖案化特徵內之中心線而判定該量測之邊界。以此方式，該量測可在充分地超過該空間之邊緣之位置處開始及結束，藉此確保跨該空間之一整個尺寸執行該量測且確保可以相對高準確性及/或可信度判定該空間之邊緣。在一項實施例中，該(等)量測包含自動判定在形成於樣本上之一或多個結構之一或多個邊緣之該(等)量測期間藉由偵測器產生之輸出中之位置。以此方式，本文中所描述之實施例可經組態以用於SEM邊緣位置之自動判定。在一些例項中，可使用本文中進一步描述之1D梯度量變曲線判定邊緣位置。舉例而言，可藉由發現一1D梯度量變曲線內之最強正或負梯度峰值而自動判定邊緣位置。換言之，可選擇1D梯度量變曲線中之峰值點作為邊緣位置。接著可基於邊緣位置判定特徵之一CD或其他屬性。舉例而言，可藉由使用正交於經繪製穿過結構之中心之一線之1D梯度量變曲線之正/負梯度峰值、零交叉或負/正梯度峰值定位頂部、中間或底部邊緣位置而判定頂部、中間或底部CD。然而，除了使用梯度量變曲線以外，亦可使用其他量測演算法來定位邊緣。在另一實施例中，該(等)電腦子系統經組態以用於基於該(等)量測之結果而自動產生用於ROI之第一子集及第二子集之一者之一或多個屬性。以此方式，本文中所描述之實施例可經組態以用於自動產生用於每一ROI之量測統計及屬性。每一ROI之量測統計可獨立於每一其他ROI之計量結果而判定。可使用對一ROI之多個量測產生各種量測統計(例如，最大值(Max)、最小值(Min)、均值(Mean)、平均值(Average)、中值(Median)、標準偏差(Standard Deviation)、範圍(Range)及總和(Sum))。在另一實例中，該(等)電腦子系統可經組態以用於自動產生其他屬性，諸如形成於一晶圓上之一經圖案化結構之一維(1D)灰階量變曲線。1D灰階量變曲線可藉由沿著正交於穿過經圖案化結構之一中心線或平行於穿過經圖案化結構之中心線之一線產生之輸出而自動產生。該(等)電腦子系統亦可經組態以用於自動產生1D梯度量變曲線，該1D梯度量變曲線可藉由採取如上文所描述般判定之一1D灰階量變曲線之一梯度而自動產生。在一些例項中，一ROI內之多個量測可包含每個1D灰階或梯度量變曲線一個量測。量測統計可係關於實際CD、正△CD及負△CD，其中△CD提供相對於設計之CD量測。另外，可使用平行或正交於穿過一結構之一中心線之1D灰階量變曲線判定各種類型之基於灰階或梯度之屬性(諸如峰值局部灰度差、峰值正或負梯度等)。可使用本文中所描述之實施例判定之量測統計及/或屬性亦不限於本文中所描述者。在一額外實施例中，一或多個電腦子系統經組態以用於基於一或多個量測之結果而自動產生用於第一子集及第二子集之一者中之ROI之多個例項之一或多個屬性，且比較用於多個例項之兩者或兩者以上之一或多個屬性之至少一者以識別多個例項之兩者或兩者以上中之離群點。以此方式，本文中所描述之實施例可經組態以用於跨一晶圓上之各個位點之量測統計及屬性之相對比較以判定離群點。可跨一晶圓上之各個位點比較用於ROI之各者之量測統計及屬性以判定離群點以用於缺陷偵測。在一進一步實施例中，一或多個電腦子系統經組態以用於自動選擇設計中之一或多個對準位點，且計量程序包含判定在計量程序期間樣本上之一或多個對準位點之至少一者之一或多個位置，且基於樣本上之至少一個對準位點之一或多個位置而判定樣本上之第一子集及第二子集中之ROI之一或多者之一或多個位置。舉例而言，本文中所描述之實施例可經組態以用於利用實體設計分析自動產生對準位點(用於粗略對準)。在一此實例中，在計量計劃產生期間，對於每一FOV，該(等)電腦子系統可經組態以使用實體設計自動判定針對每一量測位點之(若干)獨有對準位點及(若干)自動聚焦位點。可使用設計分析演算法及軟體執行自動判定(若干)獨有對準位點及(若干)自動聚焦位點。在一些實施例中，本文中所描述之系統可經組態以對包含量測子系統及電腦子系統中之至少一者之一計量工具執行每一FOV之計量計劃。在一項此實施例中，該系統可執行每一FOV之自動聚焦且接著每一FOV之錨定點對準。在一些此等例項中，該系統可自一設計資料庫提取針對錨定點及量測位點之設計縮略形式以用於自動聚焦及/或錨定點對準。該系統可進一步經組態以用於每一FOV之量測位點對準且執行用於量測位點之計量計劃，諸如在FOV內之(若干)ROI中執行選定類型之量測。該(等)電腦子系統接著可產生每一ROI之量測資料。在一些實施例中，該計量程序包含僅基於在第一子集及第二子集中之ROI之一者中執行之一或多個量測而判定在該一個ROI中是否存在一缺陷。換言之，一ROI中之缺陷偵測可不基於在任何其他ROI中產生之輸出(在與ROI相同之晶粒中或在與該ROI所在之晶粒不同之一晶粒中)或使用此輸出產生之任何量測。舉例而言，可比較僅使用在一ROI中產生之輸出針對該ROI產生之一量測結果與一臨限值，且可將高於臨限值之任何量測結果判定為一缺陷，而可將低於臨限值之任何量測結果不判定為一缺陷(或反之亦然)。另外，可使用一個以上臨限值(例如，上臨限值及下臨限值)及/或任何其他適合缺陷偵測方法及/或演算法執行此類缺陷偵測。以此方式，判定用於其之一或多個參數之計量程序可包含基於ROI之單個晶粒缺陷偵測。可執行此缺陷偵測以藉由在ROI位置處產生各種類型之屬性(例如，CD量測、梯度量值、局部灰度對比度等)而偵測各種缺陷類型(例如，圖案缺陷、缺失及/或欠填充磊晶層、矽鍺(SiGe)缺陷等)。與本文中所描述之實施例相比，當前使用之用於基於ROI之單個晶粒缺陷偵測之方法使用一參考影像或參考輪廓(所獲取或產生)以用於缺陷偵測。與基於ROI之單個晶粒缺陷偵測相比，所獲取影像方法具有一半產出量。所產生影像或輪廓方法經受產生參考之複雜性及不準確性。在一項實施例中，在ROI之第一及第二子集之一者中執行之一或多個量測包含ROI之一者相對於ROI之其他者之CD量測之CD量測。以此方式，針對其等判定一或多個參數之量測可係相對CD量測，其中可比較一給定晶圓上之一給定所關注圖樣(POI)之多個例項之CD。換言之，CD量測可係一相對量測而非一絕對量測。與本文中所描述之實施例相比，當前使用之用於相對CD量測之方法使用一CD-SEM工具，其中定義每一位點之多個ROI之配方設置係一非常費力且費時之程序，且故可針對CD量測量測每一位點之實質上有限數目個ROI及每一晶粒之有限數目個獨有位點。在一額外實施例中，在ROI之第一子集及第二子集之一者中執行之一或多個量測包含ROI之一者相對於ROI之其他者之疊對量測之疊對量測。以此方式，判定用於其之一或多個參數之量測可係相對疊對量測。換言之，疊對量測可係一相對量測，而非一絕對量測。可在多重圖案化製造程序(例如，雙重圖案化、三重圖案化或四重圖案化)、間隔物間距分割製造程序等期間量測疊對誤差。另外，可量測形成於晶圓上之一當前層與形成於晶圓上之一先前層之間的疊對誤差。與本文中所描述之實施例相比，當前使用之用於相對疊對量測之方法使用一CD-SEM工具，其中用以定義每一位點之多個ROI之配方設置係一非常費力且費時之程序且因此可針對疊對量測而量測每一位點之實質上有限數目個ROI以及每一晶粒之有限數目個獨有位點。在一些實施例中，該樣本包含一程序窗檢定(PWQ)晶圓，且該自動地產生包含基於設計及對樣本執行之一檢測程序之結果而自動地產生將在計量程序期間量測之ROI。以此方式，判定用於其之一或多個參數之量測可包含對PWQ晶圓上之圖案缺陷之自動化再檢測(例如，使用CD量測)，可藉由一檢測工具(諸如商業上可購自KLA-Tencor之檢測工具之一者)執行之對晶圓之一PWQ檢測偵測該等圖案缺陷。在一些例項中，藉由PWQ檢測所偵測之缺陷可用作計量之熱點，且在計量熱點處執行之量測及偵測可用於改善PWQ窗(例如，針對其執行PWQ之程序參數之窗)。當前使用之用於圖案缺陷之自動化PWQ再檢測之方法執行藉由一PWQ檢測發現之圖案缺陷之手動或自動化基於設計之再檢測。手動方法係不準確且不可靠的(例如，一使用者可錯失完全圖案故障或可能無法辨別實質上細微(例如，3nm至7nm) CD變動)，且基於設計之方法需要發現與計量步驟之間的配方設置。可如在以下美國專利中所描述般執行PWQ檢測：2005年6月7日頒予Peterson等人之美國專利第6,902,855號、2008年8月26日頒予Peterson等人之美國專利第7,418,124號、2010年8月3日頒予Kekare等人之美國專利第7,769,225號、2011年10月18日頒予Pak等人之美國專利第8,041,106號以及2012年7月3日頒予Peterson等人之美國專利第8,213,704號，該等美國專利宛如全文陳述引用之方式併入本文中。本文中所描述之實施例可包含在此等專利中描述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟且可如在此等專利中所描述般進一步組態。可如在此等專利中所描述般印刷一PWQ晶圓。在一進一步實施例中，在對樣本執行之一製造程序之線內監測期間對該樣本執行計量程序。以此方式，判定用於其之一或多個參數之計量程序可包含在線內監測期間執行之一計量程序(亦即，對藉由一生產製造程序產生之一晶圓執行之量測)。可針對諸如閘臨界尺寸均勻性(CDU)量測、線邊緣粗糙度(LER)/線寬粗糙度(LWR)量測、CD/疊對量測等之量測執行此等計量程序。在另一實施例中，自動地產生包含基於設計及對樣本執行之一檢測程序之結果而自動地產生將在計量程序期間量測之ROI。舉例而言，亦可針對藉由檢測所偵測之缺陷之位置執行線內監測，使得所偵測缺陷之位置基本上用作檢測導引之計量之「熱點」。在一些此等實施例中，計量之結果可與檢測之結果相關。舉例而言，在一些例項中，藉由檢測產生之一圖案保真度圖徵可與在計量期間執行之量測相關。與本文中所描述之實施例相比，當前使用之用於線內監測期間之計量之方法使用一CD-SEM工具在特定計量目標(例如，印刷於晶圓上之刻劃線中)處執行CD/疊對量測，且由於配方設置在定義ROI中係相當費力的，因此不能夠自動地量測一晶圓上之數千個獨有位點。一些其他當前使用之用於線內監測之方法包含使用一SEM再檢測工具以自數百萬個熱點位置隨機地取樣若干位置以使用一晶粒至晶粒模式執行臨界點檢測(CPI)。然而，由於隨機取樣熱點位置，當前使用之方法可錯失實質上大數目個熱點缺陷。在一額外實施例中，一或多個電腦子系統經組態以用於比較在ROI之第一子集及第二子集之一者中執行之一或多個量測與ROI之第一子集及第二子集之該一者之設計意圖且基於該比較之結果而修改一光學接近校正(OPC)模型。以此方式，可針對設計意圖之OPC模型驗證執行判定用於其之一或多個參數之計量程序。與本文中所描述之實施例相比，當前使用之用於對設計意圖之OPC模型驗證之方法使用一CD-SEM工具，其中用以定義每一位點之多個ROI之配方設置係一非常費力且費時之程序且因此可針對CD量測而量測每一位點之實質上有限數目個ROI以及每一晶粒之有限數目個獨有位點。對於OPC，需要自動地發現弱結構且立即及/或自動地設置及量測每一晶粒之數千個獨有位點。在另一實施例中，一或多個電腦子系統經組態以用於基於一或多個量測而偵測ROI之第一子集及第二子集之一者中之缺陷且報告一或多個量測作為所偵測缺陷之缺陷屬性。以此方式，計量程序可包含報告圖案保真度量測作為藉由一再偵測演算法報告之缺陷位置處之缺陷屬性。與本文中所描述之實施例相比，當前使用之方法不報告量測統計作為缺陷屬性之部分且因此無法量化一圖案失真是否係一妨害、部分斷裂、完全斷裂、部分橋接或完全橋接。本文中所描述之實施例具有優於當前使用之用於判定一計量程序之一或多個參數之方法之數個優點。舉例而言，本文中所描述之實施例提供一實質上快速自動化即時機構以產生數千個獨有位點之ROI且接著自動地產生用於跨各個位點之每一ROI之各個量測統計及屬性(使用一給定位點之SEM影像及實體設計縮略形式)，其接著可用以服務本文中所描述之各個使用情形。另一實施例係關於一種用於判定將對一樣本執行之一計量程序之一或多個參數之電腦實施方法。該方法包含上文描述之自動地產生及自動地判定步驟。可如本文中進一步描述般執行該方法之步驟之各者。該方法亦可包含可由本文中所描述之量測子系統及/或(若干)電腦子系統或系統執行之(若干)任何其他步驟。自動地產生及自動地判定步驟係由一或多個電腦系統執行，該一或多個電腦系統可根據本文中所描述之實施例之任一者而組態。另外，可藉由本文中所描述之系統實施例之任一者來執行上文所描述之方法。一額外實施例係關於一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統中執行以用於執行用於判定將對一樣本執行之一計量程序之一或多個參數之一電腦實施方法之程式指令。在圖14中展示一此實施例。特定言之，如圖14中所示，非暫時性電腦可讀媒體1400包含可在電腦系統1404上執行之程式指令1402。電腦實施之方法可包含本文中描述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟。實施諸如本文中描述之該等方法之方法之程式指令1402可儲存於電腦可讀媒體1400上。電腦可讀媒體可為一儲存媒體，諸如一磁碟或光碟、一磁帶或此項技術中已知的任何其他適當非暫時性電腦可讀媒體。可以各種方式之任一者實施程式指令，包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向技術等等。舉例而言，可視需要使用ActiveX控件、C++對象、JavaBeans、微軟基礎類別(「MFC」)、SSE (SIMD串流擴展)或其他技術或方法實施程式指令。電腦系統1404可根據本文中描述之實施例之任一者組態。本文中描述之額外實施例包含經組態以判定將對一樣本執行之一程序之一或多個參數之一系統。系統包含一量測子系統，該量測子系統可根據本文中描述之實施例之任一者組態。在一項實施例中，樣本包含一晶圓。在另一實施例中，樣本包含一倍縮光罩。晶圓及倍縮光罩可包含此項技術中已知之任何適當晶圓及倍縮光罩。本文中進一步描述之實施例經組態用於用於自動化圖樣保真度評估及監測之區域(或ROI)產生。本文中描述之實施例可用於自動產生計量及/或檢測位點以用於半導體操作中之熱點監測。圖樣保真度及疊對問題對於裝置良率變得愈加關鍵。傳統上，手動產生量測位點。舉例而言，當前及先前使用之用於熱點監測之方法已藉由手動努力驅動。在一個此實例中，針對給定熱點位置，出於計量目的，一使用者將必須手動繪製區域之一子集。雖然此方法可對有限數目個位點(例如，數十個位點)有效，但當將監測在熱點內具有數十個位點之數百個熱點位置時係不可行的。舉例而言，待監測之位點數目及圖樣類型正增大，且設置計量及檢測位點之手動方法係不夠的。特定言之，設置此數百個區域實質上費時且低效的。在一個此實例中，繪製數十個位點之計量位點(或定界框)可花費一小時。然而，繪製數百個位點之此等計量位點產生使用者疲勞且需要過多時間來產生計量配方。因此，現有手動方法具有限制。此外，SEM影像之視覺再檢測通常不足以從損壞圖樣中判定良好圖樣且亦缺乏量化能力來做出一目標決策。需要監測實質上大量位點及需要圖樣保真度量化之SEM影像之組合推進本文中描述之新方法。另外，產品開發及監測需要實質上準確、自動化之計量位點放置及量測度量。系統包含一或多個電腦子系統，其等可包含本文中描述之電腦子系統及電腦系統實施例之任一者。一或多個電腦子系統經組態用於判定一樣本上偵測到之一缺陷之一區域。可藉由檢測在樣本上偵測缺陷，檢測可包含光學檢測(例如，寬頻光學檢測或基於光散射之光學檢測)或基於電子束之檢測(例如，使用一SEM執行)。亦可藉由對樣本之一實體版本執行之其他程序(諸如計量)偵測缺陷。然而，可藉由對設計執行之一或多個程序偵測缺陷，諸如藉由模擬設計將如何形成於晶圓上(例如，微影模擬、蝕刻模擬等)。另外，缺陷可係樣本上之一使用者定義之位置，一使用者懷疑一缺陷可存在於該位置處或已知一缺陷存在於該位置處。判定在樣本上偵測之缺陷之區域可包含缺陷中心之自動化識別，該缺陷可係本文中描述之缺陷之任一者，諸如藉由實體樣本之檢測偵測之一缺陷或藉由模擬識別之一熱點。接著可圍繞缺陷之經識別中心且以其為中心判定缺陷之區域。以此方式，該(等)電腦子系統可經組態用於一故障位點及其受影響區之自動區域定義。可如本文中描述般進一步判定缺陷之區域。在一項實施例中，缺陷之區域藉由在缺陷之一影像中圍繞缺陷繪製之一定界框界定。舉例而言，一定界框可基於設計空間中之一缺陷位置而繪製。在一個此實例中，定界框可基於缺陷區域(例如，缺陷像素)判定。另外，可使用一技術(諸如設計規則檢查(DRC))來計算定界框。在另一實施例中，缺陷之區域藉由在缺陷之一基於電子束影像中圍繞缺陷繪製之一自由形式區域界定。舉例而言，缺陷之區域可係一SEM影像之一「斑點」或受影響區域。類似「斑點」可基於其他類型之影像(諸如光學影像)判定。可藉由本文中描述之該(等)電腦子系統且以此項技術中已知之任何適當方式自動繪製自由形式區域。一或多個電腦子系統亦經組態用於將缺陷之區域與樣本之一設計之資訊相互關聯。用於本文中描述之實施例中之樣本之設計可包含本文中描述之設計或設計資料之任一者。另外，用於本文中描述之實施例中之設計可包含適用於自動量測區域產生之任何設計佈局資料格式。此等格式包含開放格式(諸如GDS、OSASIS、文字)或專屬格式(諸如RDF (可購自KLA-Tencor))。可將適當資料格式或轉換格式饋送至本文中描述之自動計量/檢測區域產生器實施例中。在一項實施例中，設計之資訊包含設計之一個以上層之資訊。舉例而言，設計之資訊可包含在其上偵測到缺陷之設計之層上方及/或下方之一層之資訊。以此方式，本文中描述之步驟或功能可相對於樣本之一設計之一個以上層執行。設計之一個以上層之資訊可包含本文中描述之設計資訊之任一者。在另一實施例中，設計之資訊不包含不會印刷於樣本上之設計之特徵之資訊。舉例而言，設計之資訊較佳不包含包含於樣本之設計資料中但實際上不印刷於樣本上之特徵，諸如光學接近校正(OPC)特徵。以此方式，該設計之資訊可比在設計資訊包含OPC特徵及不會印刷於樣本上之其他特徵之資訊之情況下更準確地反映希望設計如何印刷於樣本上。在一些實施例中，設計之資訊包含設計中之圖案化特徵之資訊，且相互關聯包含將缺陷之區域與設計中之圖案化特徵疊對。舉例而言，該(等)電腦子系統可經組態用於將一光學或基於SEM斑點與設計之資訊疊對以如本文中進一步描述般自動判定ROI且如本文中進一步描述般自動判定ROI之度量。將缺陷之區域與樣本之設計之資訊相互關聯可藉由以某一方式將設計對準於藉由量測子系統之偵測器產生之輸出而執行。在2010年3月9日頒予Kulkarni等人之美國專利案第7,676,077號中描述可用於將一量測子系統之輸出對準於一設計之方法及系統之實例，該案以宛如全文闡述引用的方式倂入本文中。將缺陷之區域與設計之資訊相互關聯亦可涉及判定設計中之缺陷之區域之設計資料空間座標。在一項實施例中，設計之資訊包含藉由一或多個電腦子系統基於設計而非缺陷判定之設計中之額外ROI之資訊。以此方式，額外ROI可稱為「無監督ROI」，其中額外ROI僅基於設計判定且不藉由任何其他資訊(諸如缺陷資訊)「監督」或更改。舉例而言，該(等)電腦子系統可經組態以使用一設計佈局檔案而基於給定位置自動產生ROI。在無監督模式中，可基於設計節點判定臨界區。另外，可針對無監督模式中之一多邊形群組中之最弱點自動識別額外ROI。ROI類型可包含(但不限於)與空間、線及鄰近圖樣相關聯之位點。另外，判定藉由該(等)電腦子系統執行之額外ROI可包含用於疊對計量之自動化位點選擇。額外ROI可使用若干設計分析工具(諸如本文中進一步描述者)之一或多者(或其等之一組合)來自動判定。雖然本文中進一步描述之設計分析工具當前未以此方式使用，但可修改工具及資料流以如本文中進一步描述般執行自動化計量位點產生。因此，本文中描述之實施例提供之前未嘗試自動化之一基本上新方法。舉例而言，作為本文中描述之實施例之一替代例，使用者可配備工具以容許針對給定熱點手動繪製所關注區域。然而，此係一實質上費時程序且實質上容易出錯。在另一實施例中，設計之資訊包含藉由一或多個電腦子系統憑藉基於設計而非缺陷執行之圖樣匹配判定之設計中之額外ROI之資訊。舉例而言，實體圖樣匹配可包含使用設計中之多邊形之一些資訊來匹配設計中之其他多邊形之資訊。可如本文中進一步描述般執行此匹配。接著可基於圖樣匹配結果以任何適當方式判定額外ROI之資訊。在一額外實施例中，設計之資訊包含藉由一或多個電腦子系統憑藉基於設計而非缺陷執行之幾何匹配判定之設計中之額外ROI之資訊。舉例而言，幾何匹配可包含使用一或多個規則來尋找設計之特定基於幾何形狀之特性之例項。一或多個規則可具有此項技術中已知之任何適當格式且可以此項技術中已知之任何方式產生或獲取。基於幾何形狀之特性可包含樣本之設計之任何基於幾何形狀之特性，諸如具有一特定形狀之幾何形狀或具有一特定尺寸、間距、週期、定向等之特定類型的幾何形狀。接著可基於幾何匹配以任何適當方式判定額外ROI之資訊。在一些實施例中，設計之資訊包含藉由一或多個電腦子系統基於設計(而非缺陷)之單元資訊判定之設計中之額外ROI之資訊。可基於單元資訊藉由使用關於單元內之多邊形或結構之一些資訊判定額外ROI以識別額外ROI。單元資訊可包含於本文中描述之設計資料之任一者中或自設計資料之任一者獲取。接著可基於單元資訊以任何適當方式判定額外ROI之資訊。在另一實施例中，設計之資訊包含藉由一或多個電腦子系統基於設計(而非缺陷)之一圖形表示之影像處理判定之設計中之額外ROI之資訊。設計資料可以任何適當方式轉換為設計之一圖形表示，且圖形表示可具有任何適當格式。接著可對圖形表示執行影像處理以識別具有特定影像特性之圖形表示之特定部分。接著可基於圖形表示以任何適當方式判定額外ROI之資訊。該(等)電腦子系統亦可經組態以使用本文中描述之技術(諸如圖樣匹配、幾何匹配、單元資訊及影像處理)之兩者或兩者以上之一組合來界定ROI。在一項實施例中，設計之資訊包含基於設計(而非缺陷)之熱點資訊判定之設計中之額外ROI之資訊。可以此項技術中已知之任何適當方式產生或獲取熱點資訊。在2010年3月9日頒予Kulkarni等人之美國專利案第7,676,077號中描述可用於產生或獲取熱點資訊之方法及系統之實例，該案以宛如全文闡述引用的方式倂入本文中。接著可基於熱點資訊以任何適當方式判定額外ROI之資訊。在一進一步實施例中，設計之資訊包含基於設計(而非缺陷)中之熱點之資訊判定之設計中之額外ROI之資訊，且僅針對熱點之一者判定一個以上額外ROI。圖18繪示包含一個以上額外ROI之一熱點之一項實施例。舉例而言，如在圖18中展示，熱點1800可包含兩個較寬特徵1804之間的相對窄空間1802。因而，空間1802可係CD中之臨界空間。熱點1800亦包含與熱點中之其他特徵間隔開之相對窄線1806。因而，線1806可係CD中之臨界線。因此，此熱點可包含至少三個不同額外ROI。可僅針對空間1802產生一個額外ROI 1808。可僅針對線1806產生另一額外ROI 1810。可根據本文中描述之實施例之任一者判定額外ROI。如本文中進一步描述，在一些例項中，該(等)電腦子系統可經組態以自動判定額外ROI。因此，本文中描述之實施例之一個優點在於一熱點(或有時稱為一設計中之一弱點)之子區域可出於計量監測目的而自動識別。換言之，本文中描述之實施例可經組態用於無監督監測一設計中之潛在較弱或最弱位點。針對可需要監測之一給定熱點可存在數十個區域，且本文中描述之該(等)電腦子系統可經組態以執行一自動化基於演算法之方法來識別此等區域。一或多個電腦子系統進一步經組態用於基於相互關聯之結果判定缺陷之區域與設計之資訊之間的一空間關係。在一些實施例中，設計之資訊包含基於設計而非缺陷判定之設計中之額外ROI之資訊，且判定空間關係包含判定哪些額外ROI與缺陷之區域在空間上重疊。舉例而言，一旦缺陷之區域已與設計資訊相關聯，則可判定一空間關係，諸如設計資訊之哪些元素或哪一(些)額外ROI與缺陷之區域(至少部分)重疊，設計資訊之哪些元素或哪一(些)額外ROI最靠近缺陷之區域，設計之一或多個元素與缺陷之區域之間的一或多個距離，額外ROI之一或多者與缺陷之區域之間的一或多個距離等。空間關係可以任何適當格式表達，例如，表達為指示哪些設計元素或哪一(些)額外ROI與缺陷之區域(至少部分)重疊或最靠近缺陷之區域之一或多個識別符、缺陷之區域與設計資訊之一或多個特徵或一或多個額外ROI之間的一或多個尺寸等。一或多個電腦子系統亦經組態用於基於空間關係自動產生待在針對樣本執行之一程序期間使用量測子系統量測之一ROI。以此方式，藉由該(等)電腦子系統執行之步驟之輸入資料可係設計佈局、缺陷位置(例如，故障圖樣位置)、熱點、已知及未知位置及對設計資訊執行之程序(例如，一基於影像之演算法)，且接著可自動識別及產生量測區域或所關注區域。因而，該(等)電腦子系統可經組態以執行一監督模式，其中基於缺陷、故障圖樣位點或規定位置自動判定ROI。因此，本文中描述之ROI可稱為「經監督」ROI。以此方式，本文中描述之實施例可經組態用於判定用於檢測導引之計量(或本文中描述之另一程序)之ROI，且視情況執行檢測導引之計量(或本文中描述之另一程序)。經監督ROI類型包含(但不限於)與空間、線及鄰近圖樣相關聯之位點。因此，本文中描述之實施例之輸出可包含需要量測及/或檢測之ROI或監測區。接著，此等輸出可經變換以進行本文中描述之操作之一者(例如，計量、檢測或再檢測操作)。產生ROI步驟之結果可包含可用於識別樣本或另一樣本上之ROI之任何資訊(例如，一ROI名稱、數字或其他識別符、ROI之設計或樣本座標等)。在一項實施例中，自動產生ROI包含選擇與缺陷之區域在空間上重疊之額外ROI之一者作為待針對缺陷量測之ROI。圖15繪示此自動產生ROI之一項實施例。舉例而言，如在圖15中展示，可將一設計(諸如設計縮略形式1500)之資訊輸入至(若干)電腦子系統。如在圖15中展示，設計縮略形式可包含表示設計中之特徵之數個不同多邊形。設計縮略形式1500中展示之陰影多邊形表示形成於樣本上之特徵，而非陰影區域表示特徵之間的空間。該(等)電腦子系統可使用設計縮略形式中之資訊(及可能設計縮略形式自身)以基於已知圖樣保真度度量預定義額外ROI。換言之，可在任何給定程序中執行之量測類型可用於搜尋此等量測之潛在候選者之設計資訊。舉例而言，基於設計縮略形式資訊，可藉由該(等)電腦子系統基於線端拉回、寬度、空間、隅角等預定義ROI。在一個此實例中，若量測之類型包含寬度量測，則可搜尋經設計以具有低於一特定值之一寬度之特徵之設計資訊，此使其等比更寬之特徵更易於出現缺陷(例如，開口)。在圖15中展示之實施例中，可基於此等度量判定數個不同ROI。此等ROI可包含(例如)線端拉回ROI 1502、寬度ROI 1504、空間ROI 1506及隅角ROI 1508。由於在無用以監督ROI判定之任何其他資訊的情況下基於設計判定ROI，故ROI可係無監督的。在一項實施例中，缺陷之區域藉由在缺陷之一基於電子束影像中圍繞缺陷繪製之一自由形式區域界定(例如，如本文進一步描述之一SEM斑點)，設計之資訊包含基於設計而非缺陷判定之設計中之額外ROI之資訊(其可包含本文中描述之任何此資訊)，判定空間關係包含判定哪一額外ROI與缺陷之區域在空間上重疊或最靠近缺陷之區域(此可如本文進一步描述般執行)，且自動產生ROI包含將與缺陷之區域在空間上重疊或最靠近缺陷之區域之額外ROI之一者選擇或優先化為待針對缺陷量測之ROI。以此方式，可基於SEM位置(斑點)重選或優先化潛在計量位點，使得量測最可能的缺陷位點。舉例而言，關於ROI之資訊可與本文中描述之缺陷之區域(諸如來自樣本檢測或模擬之一缺陷區域或一SEM斑點)之一者組合。在一個此實例中，如在圖15中展示，SEM斑點1510可與上文描述之ROI (例如，ROI 1502、1504、1506及1508)之資訊疊對。如在圖15中進一步展示，其上疊對SEM斑點之設計之資訊可包含ROI之資訊而非設計縮略形式之圖案化特徵之資訊。然而，其上疊對SEM斑點之設計之資訊亦可包含圖案化特徵之資訊(諸如在設計縮略形式1500中展示之圖案化特徵)。與SEM斑點在空間上重疊或最靠近SEM斑點之ROI可接著經選擇或優先化為用於針對ROI執行之程序(例如，計量、檢測等)中之對應於SEM斑點之缺陷之ROI。舉例而言，如在圖15中展示，由於SEM斑點1510與寬度ROI 1504之一者重疊，故該ROI可經選擇用於或優先化為待針對對應於SEM斑點之缺陷執行之一量測。因此，可匯出僅該ROI 1504a之資訊作為ROI資訊1512以用於諸如本文中進一步描述之該等程序之一者之一程序中。然而，在將針對無監督ROI執行該程序之例項中，亦可匯出所有ROI之資訊用於該程序中。在另一實施例中，自動產生ROI包含基於缺陷之區域與設計之資訊之間的空間關係更改缺陷之區域及將缺陷之經更改區域指定為ROI。舉例而言，該(等)電腦子系統可經組態用於藉由利用一規定位置與設計佈局之間的互動而自調整ROI之大小(校正ROI)。在一個此實例中，量測位點可藉由疊對設計佈局而自校正。舉例而言，該(等)電腦子系統可經組態用於藉由將一潛在缺陷點與設計佈局中之一線或空間疊對而自調整一ROI之大小。基於一缺陷或規定位點，可基於設計自動校正一計量區域。在一項實施例中，設計之資訊包含設計中之圖案化特徵之資訊，且自動產生ROI包含基於缺陷之區域及鄰近於缺陷之區域之圖案化特徵判定ROI之一區域。鄰近於缺陷之區域之圖案化特徵可包含與缺陷之區域(部分或完全)重疊、與缺陷之區域間隔開但鄰近於該區域、係最靠近缺陷之區域之圖案化特徵、圍繞缺陷之區域等之圖案化特徵。舉例而言，本文中描述之實施例不僅可自動判定計量位點之放置，而且可基於缺陷位置及圍繞其之緊鄰多邊形重調計量區域之大小。基本上，使用檢測以識別圖樣變動或其他缺陷，使用SEM或其他量測子系統輸出以改良缺陷之確切位置，且藉由將設計納入考量而改良計量區域，其中基於多邊形自身之線、空間等之確切尺寸最佳化計量位點。可如本文中描述般進一步執行此判定ROI之區域。在另一實施例中，設計之資訊包含設計中之圖案化特徵之資訊(其可包含本文中描述之任何此資訊)，且自動產生ROI包含基於缺陷之區域或缺陷之區域附近之圖案化特徵之一或多者之一最小者判定ROI之一區域。舉例而言，本文中描述之實施例可經組態用於重調計量位點之大小至缺陷區域或缺陷附近之多邊形或空間之一最小者。可如本文中進一步描述般執行此重調計量位點之大小。圖16繪示自校正ROI大小之一項實施例。舉例而言，諸如本文中描述之一樣本之檢測可偵測位置1600處之一橋接缺陷。接著，可針對該缺陷判定區域1602。在此例項中，可藉由基於設計空間中之一缺陷位置判定之一定界框界定區域。可如本文中描述般判定定界框。接著，可使定界框與設計之資訊疊對。舉例而言，如在圖16中展示，可使定界框與設計縮略形式1604疊對。在此設計縮略形式中，非陰影區域對應於包含於設計縮略形式中之圖案化特徵，而陰影區域對應於圖案化特徵之間的空間。接著，可執行一布林運算以自校正缺陷之區域之大小以配合圖案化特徵之間的空間(該區域與之重疊)之寬度。舉例而言，如在圖16中展示，可藉由減小區域1602之大小使得其在圖案化特徵之間的空間上方及下方不延伸超出該空間而將該區域之大小自校正至ROI 1606之大小。以此方式，藉由將設計資訊用作一「切割器」，缺陷之區域可經自校正以精確界定量測之區域，其接著可用作本文中描述之程序中之缺陷之ROI。圖17繪示自校正ROI之大小之一項實施例。舉例而言，諸如本文中描述之一樣本之檢測可偵測位置1700處之一開口缺陷及位置1702處之一線端短路缺陷。接著，可針對位置1700處之缺陷判定區域1704，且可針對位置1702處之缺陷判定區域1706。在此例項中，可藉由基於設計空間中之缺陷位置判定之一定界框單獨界定各缺陷位置之區域。可如本文中描述般判定定界框。接著，可使邊界框與設計之資訊疊對。舉例而言，如在圖17中展示，可使定界框與設計縮略形式1710疊對。在此設計縮略形式中，陰影區域對應於包含於設計縮略形式中之圖案化特徵，而非陰影區域對應於圖案化特徵之間的空間。接著可執行一布林運算以自校正缺陷之區域之大小以配合與其等在空間上重疊之圖案化特徵之寬度。舉例而言，如在圖17中展示，可藉由減小區域1704之大小使得其不延伸超出與其在空間上重疊之圖案化特徵而將該區域之大小自校正至ROI 1712之大小。另外，如在圖17中展示，可藉由減小區域1706之大小使得其不延伸超出與其在空間上重疊之圖案化特徵而將該區域之大小自校正至ROI 1714之大小。以此方式，藉由將設計資訊用作一「切割器」，缺陷之區域可經自校正以精確界定量測之區域，其接著可用作本文中描述之程序中之缺陷之ROI。在一些實施例中，設計之資訊包含藉由一或多個電腦子系統基於設計而非缺陷判定之設計中之額外ROI之資訊，且在程序期間量測額外區之一或多者。舉例而言，如在本文中進一步描述，該(等)電腦子系統可經組態用於無監督ROI產生，其中僅基於設計資訊判定額外ROI。另外，該(等)電腦子系統經組態用於經監督ROI產生，其中基於與缺陷資訊組合之設計資訊判定該(等) ROI。以此方式，可自動識別(若干)已知缺陷區域(經監督)及所有潛在弱位點(無監督)之兩個位置。可在對樣本執行之相同程序中量測兩個類型之ROI。在一些此等例項中，該(等) ROI及額外ROI之資訊可包含可用於判定任何給定ROI是否係一經監督ROI或一無監督ROI之一些標記(例如，標籤、ID等)。該(等) ROI及額外ROI可取決於ROI自身以任何適當方式量測。舉例而言，該(等)電腦子系統可經組態以判定待在該(等) ROI以及額外ROI中獨立且單獨執行之量測之一或多個參數。在一個此實例中，該(等) ROI之量測之該(等)參數可基於接近該(等) ROI之設計之(若干)部分之資訊(可能與缺陷之資訊組合)而判定，而額外ROI之量測之該(等)參數可僅基於接近額外ROI之設計之部分之資訊而判定。以此方式，用於(若干) ROI之量測之(若干)參數可不同於用於額外ROI之量測之(若干)參數。在另一實施例中，一或多個電腦子系統經組態用於自動判定在使用量測子系統之程序期間在ROI中執行之一或多個量測之一或多個參數。該(等)電腦子系統可使用設計佈局及層感知區域來識別量測類型(或量測方法)。另外，該(等)電腦子系統可經組態以自動設置度量或如何量測各ROI。該(等)電腦子系統亦可經組態用於將計量指派至各自ROI以自動執行所有選定ROI之量測。一或多個參數可包含(若干)量測之任何參數，諸如量測方向、量測類型等。若針對一個以上ROI判定(若干)參數，則可基於ROI之量測類型(或量測方法)對ROI自動分組且可針對各類型產生一索引(例如，ID)。舉例而言，若使用相同量測類型量測兩個ROI，則此兩個ROI可獨立於其他ROI而分為一組，其他ROI可分組為一不同組之ROI。以此方式，本文中描述之實施例可經組態以使用用於搜尋(例如，設計、光學影像、SEM影像、圖樣匹配、幾何搜尋、單元資訊等)來識別ROI及將ROI指派至ROI類型以用於自動化產生度量之技術之一組合。在一項實施例中，在線內監測對樣本執行之一製造程序期間對樣本執行程序。另外，系統可經組態用於基於本文中描述之ROI執行程序。以此方式，本文中描述之實施例可經組態以執行一自動化程序以識別ROI且基於ROI執行一程序(諸如本文中進一步描述之程序之一者)。因而，本文中描述之實施例可經組態用於完全自動化設置(例如，識別區域以監測等)及量化圖樣化保真度及變動。因此，本文中描述之實施例實現在半導體處理環境中監測圖樣保真度之總流程之一關鍵部分。亦可在各步驟使用一或多個演算法及工具平台調諧資料。在另一實施例中，程序包含一計量程序，且系統經組態為一計量工具。以此方式，如本文中描述般識別之(若干) ROI可包含自動識別之計量位點。計量程序及計量工具可如本文中描述般進一步組態。在一額外實施例中，程序包含一檢測程序，且系統經組態為一檢測工具。以此方式，如本文中描述般識別之(若干) ROI可包含自動識別之檢測位點。檢測程序及檢測工具可如本文中描述般進一步組態。舉例而言，圖1及圖2中展示之系統可經組態以藉由更改系統之一或多個參數而用於檢測而非計量。特定言之，圖1及圖2中展示之系統可經組態以使能量掃描遍及樣本且回應於偵測能量按低於將用於計量之解析度之一解析度及/或按高於將用於計量之速度之一速度產生輸出。更改圖1及圖2中展示之系統之參數(諸如解析度、速度等)可以此項技術中已知之任何適當方式執行。以此方式，圖1及圖2中展示之系統可經組態以在一相對短時間段內產生樣本之實質部分之輸出，其接著可藉由一或多個電腦子系統使用而以任何適當方式(例如，藉由將一或多個缺陷偵測演算法應用至輸出，其等可包含此項技術中已知之任何適當缺陷偵測演算法)偵測樣本上之缺陷。檢測程序及檢測工具可經組態用於樣本之基於光之檢測、樣本之基於電子束之檢測或系統之其他基於帶電顆粒之檢測。特定言之，如本文中進一步描述，圖1及圖2中展示之系統可經組態以產生具有光、電子或其他帶電顆粒之一樣本之輸出。在一進一步實施例中，程序包含一缺陷再檢測程序，且系統經組態為一缺陷再檢測工具。程序亦可包含此項技術中已知之任何其他樣本分析程序。缺陷再檢測或其他分析程序及工具可如本文中描述般進一步組態。舉例而言，圖1及圖2中展示之系統可經組態以藉由更改系統之一或多個參數以用於缺陷檢視或其他分析而非計量，此可如上文進一步描述般執行，惟可執行更改以使系統適用於缺陷再檢測或其他分析而非更改圖1及圖2中展示之系統以用於檢測除外。缺陷再檢測或其他分析程序及工具可經組態用於樣本之基於光之缺陷再檢測或其他分析、樣本之基於電子束之缺陷再檢測或其他分析或系統之其他基於帶電顆粒之缺陷再檢測或其他分析。特定言之，如本文中進一步描述，圖1及圖2中展示之系統可經組態以產生具有光、電子或其他帶電顆粒之一樣本之輸出。另一實施例係關於一種用於判定將對一樣本執行之一程序之一或多個參數之電腦實施方法。該方法包含判定上文描述之判定區域、使區域相互關聯、判定空間關係及自動產生ROI步驟之步驟。可如本文中進一步描述般執行該方法之該等步驟之各者。該方法亦可包含可藉由本文中描述之量測子系統及/或(若干)電腦子系統或系統執行之(若干)任何其他步驟。藉由一或多個電腦系統執行判定區域、使區域相互關聯、判定空間關係及自動產生ROI步驟，該一或多個電腦電腦系統可根據本文中描述之實施例之任一者組態。儘管該一或多個電腦子系統在本文中描述為包含一量測子系統之一系統之部分，然該一或多個電腦子系統亦可經組態為並非包含處置樣本之一實體版本且對樣本之實體版本執行量測之能力之一計量、檢測、再檢測或其他系統之部分之(若干)獨立電腦子系統。另外，可藉由本文中描述之系統實施例之任一者執行上文描述之方法。一額外實施例係關於一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統中執行以執行用於判定將對一樣本執行之一程序之一或多個參數之一電腦實施方法之程式指令。此實施例可如本文中進一步描述且如圖14中展示般組態。該電腦實施方法可包含本文中描述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟。在一些實施例中，藉由偵測器產生之輸出包含樣本之影像，藉由偵測器針對樣本上之不同區域產生不同影像，且使樣本上之多個圖案化特徵在不同影像中成像。如本文中進一步描述，偵測器可產生樣本之不同區域之影像。多個圖案化特徵可包含經設計以形成於一樣本(諸如一倍縮光罩或一晶圓)上之任何圖案化特徵。舉例而言，如本文中進一步描述，多個圖案化特徵可包含接點或線/空間對。在一個此實施例中，一或多個電腦子系統經組態用於：自動定位不同影像中之多個圖案化特徵；判定不同影像中之經定位多個圖案化特徵之一或多個特性；及判定針對不同影像中之經定位多個圖案化特徵所判定之一或多個特性之一或多個統計資料。舉例而言，本文中描述之實施例可使用一演算法對一影像處理工具執行，該影像處理工具在SEM再檢測影像中讀取且輸出此等影像中之圖案化特徵之經判定CD或其他特性之量測及統計資料。取決於待量化之圖樣類型及/或缺陷類型(諸如接點陣列或線-空間圖樣)，可使用任何若干方法來處理影像。儘管在本文中關於CD描述一些實施例，但應理解，CD可用圖案化特徵之任何其他適當特性取代且該等實施例可以與本文中描述相同之方式起作用。可如本文中進一步描述般(藉由將影像中之圖案化特徵對準於一參考中之圖案化特徵)或以任何其他方式執行自動定位不同影像中之多個圖案化特徵。可如本文中進一步描述般或以此項技術中已知之任何其他適當方式判定不同影像中之經定位多個圖案化特徵之一或多個特性。可如本文中進一步描述般或以此項技術中已知之任何其他適當方式執行判定一或多個特性之一或多個統計資料。一或多個統計資料可包含本文中描述之統計資料之任一者(諸如平均值)或任何其他適當統計資料(諸如中位數、標準差、平均值及類似物)。在一個此實例中，可依序讀取影像。一影像處理演算法可自動定位任何所關注特徵。舉例而言，影像中之每一接點之位置或每一線空間對之位置可藉由該(等)電腦子系統自動定位。接著，演算法可量測每一特徵之CD且可顯示每一影像之結果。在量化所有影像結束時，CD量測之詳細統計資料可經保存以供使用者進一步分析。在接點陣列之實例中，待量測之量可係影像中之每一接點之X及Y中之直徑以及所有接點之間的距離(即，單元大小)。該(等)電腦子系統接著可透過影像中之接點之一者產生一影像強度量變曲線，自此可量測接點孔之直徑。舉例而言，一個接點孔之影像中之灰度可根據跨接點孔之一個直徑之位置繪製。量變曲線之半高全寬(FWHM)接著可經量測且判定為接點孔之直徑。當需要一新的圖樣類型或控制量時，本文中描述之實施例實質上係靈活的且可容易添加新的演算法。將影像以及任何相關量測圖樣屬性顯示給使用者。接著可保存此等量測及屬性以供進一步使用。可藉由新的缺陷屬性對影像分類且可將所得統計分佈併入至初始光學檢測之結果檔案中。在一些實施例中，不同區域包含樣本上之區域(在樣本上偵測且針對缺陷再檢測選擇之缺陷定位於該等區域中)，且在針對缺陷執行之一缺陷再檢測程序期間藉由量測子系統產生不同影像。舉例而言，在晶圓檢測期間，可在樣本上偵測缺陷。接著，針對缺陷再檢測選擇缺陷之一樣品。缺陷再檢測涉及僅在樣本上一缺陷所處之區域處獲取樣本之影像。因此，在缺陷再檢測中，針對包含於一樣品中之各缺陷，可在樣本上之離散位置處(一次一個缺陷位置)獲取一系列影像。本文中描述之實施例可使用如本文中進一步描述之該等影像來判定不同影像中之圖案化特徵之一或多個特性。因而，本文中描述之實施例可僅使用在缺陷再檢測期間僅在先前在樣本上偵測之缺陷之位置處產生之影像(而不產生或獲取任何額外影像)來判定影像中之圖案化特徵之(若干)特性。在一項實施例中，多個圖案化特徵包含接點。接點可包含用於製造樣本上任何類型裝置之任何類型設計之任何類型接點。在另一實施例中，量測子系統經組態為一電子束顯微鏡。以此方式，本文中描述之實施例可經組態用於使用藉由一SEM或其他適當電子束顯微鏡(其可如本文中進一步描述般組態)產生之影像來量測接點。在一些實施例中，一或多個特性包含接點之一臨界尺寸(CD)。接點之CD可包含接點之一直徑或接點之任何其他適當CD。在一個此實例中，使用一實質上高解析度SEM再檢測工具再檢測藉由一光學缺陷尋找設備尋找之缺陷。在此等再檢測影像中，可實質上準確地量測缺陷大小及其他影像特徵及CD。本文中描述之實施例容許使用者有效地掃描遍及實質上大量此等SEM再檢測影像且自動量測此等影像內之許多CD，從而將回饋給予光學檢測工具。舉例而言，在含有數百個接點之SEM影像中，可量測所有接點之直徑以量化程序步驟之一致性，以及量測所有接點之間的距離，此可在雙重或多重圖案化程序步驟的情況中量化疊對之準確度。雙重或多重圖案化步驟一般涉及在不同程序步驟中將一單一層之不同部分印刷於一樣本上。因此，可使用本文中描述之實施例有效且準確地判定在一個程序步驟中印刷於樣本之一個層上之第一特徵相對於在另一程序步驟中印刷於樣本之相同層上之特徵之定位之定位。本文中描述之實施例顯著縮短在初始光學缺陷尋找設備上產生結果之時間。在一特定實例中，本文中描述之實施例應用於具有程式化缺陷之一接點層。在一散佈圖中量測且繪製所有接點直徑。特定言之，產生一影像中之所有接點之X及Y維度之一散佈圖。由一收縮接點構成之一程式化缺陷容易突出。舉例而言，接點直徑之「雲」之大小給出對接點大小之準確度及可重複性之一即時視覺回饋。任何統計離群點(例如，一收縮接點)可以某一方式(例如)使用一色彩(諸如紅色)標記，且可在光學檢測中偵測為一缺陷。直徑正常接點之展開度(標準差)設定哪些缺陷大小可在自然發生之程序變動外部偵測之一限制。另外，產生1000個影像中之所有接點大小之一直方圖分佈。可在一實質上短時間量內實質上準確地執行100,000個量測。 SEM再檢測影像通常已用於量化先前藉由一檢測工具偵測之一缺陷。本文中描述之實施例提供特徵及CD (諸如SEM再檢測影像中之實質上大量接點直徑及單元大小)作為缺陷偵測程序之一整合部分。此能力在程序控制中係有價值的，從而將CD量測資訊回饋至光學檢測工具之缺陷偵測程序。此能力可擴展至SEM影像中之許多不同特徵量測。此能力顯著縮短缺陷偵測程序產生結果之時間。與本文中所描述之實施例相比，潛在缺陷區域之相對大量SEM影像可從一晶圓上之許多位置收集。應用工程師接著可在一電腦螢幕上顯示此等影像之各者且判定影像中是否存在一缺陷。藉由圍繞一缺陷繪製一框而量測該缺陷之大小且計數兩個維度上之像素係簡單的，但以此方式量測影像中之許多(數百個)特徵之CD係不切實際的。通常，量測僅執行至整數個像素之一精確度。因此，關於CD之統計資料保持稀疏且並非相對準確。因此，相較於本文中所描述之實施例，上文描述之當前使用之方法具有數個缺點。舉例而言，SEM音訊之手動分類係實質上勞動密集型且耗時的。隨著設計規則收縮，一給定層之程序變動變為關鍵變量。在分配時間內，工程師可僅量測一影像中或一組影像中之實質上有限數目個CD。量測之準確度可係使用者相依的，且在存在影像雜訊的情況下，此等量測可係主觀的且反復變化。在一進一步實施例中，多重圖案化特徵包含線及空間對。舉例而言，可藉由沿著溝槽量測每一像素處之線-間距而檢查具有垂直線-空間圖樣之影像。可產生針對線-空間圖樣判定之尺寸之一散佈圖。使用此一散佈圖，可如上文描述般識別任何離群點線-空間。可針對溝槽寬度或深度(諸如平均寬度、最小深度、最大深度、最小寬度及最大寬度)之各種統計資料根據溝槽寬度產生溝槽深度/對比度之另一圖，其等可基於針對實質上大量影像(例如，1000個影像)中之線-空間量測之尺寸而判定。在一額外實施例中，一或多個電腦子系統進一步經組態用於基於經判定之一或多個統計資料而對多個圖案化特徵自動分類。舉例而言，本文中描述之實施例可經組態用於使用SEM再檢測影像進行自動接點分類。接點可自動分類為缺陷(例如，收縮接點、放大接點、錯位接點等)或可基於經判定之一或多個統計資料以某一其他方式分類。本文中描述之實施例具有優於用於量測圖案化特徵之特性之其他方法及系統之數個優點。舉例而言，隨著設計規則收縮，印刷特徵中之實質上小像差(諸如線邊緣粗糙度(LER)或接點大小)變為關鍵量測，其等(並非僅缺陷自身)在程序控制中係重要的。本文中描述用於量測CD之實施例不需要一專用CD工具且係比SEM再檢測影像中之CD之人為量測更快且更準確之數量級。因此，本文中描述之實施例相對於使用SEM再檢測工具成像之圖樣中之CD之手動量測及分類可節省大量時間。結果係更可重複的且並非使用者相依。因此，量測係更準確且可重複。由於可在實質上短時間量內量測缺陷及特徵，故實施例可係缺陷偵測程序及程序限定之一整合部分。另外，給予使用者關於一給定程序步驟之一致性之更佳統計資料，可處理更大樣品。另外，可將藉由本文中描述之實施例產生之結果回饋至光學檢測工具以用於進一步調諧檢測配方。此一組態可在特性化PWQ或FEM晶圓方面具有特定優點。鑑於此描述，熟習此項技術者將瞭解本發明之多種態樣之進一步修改及替代實施例。舉例而言，提供用於判定將對一樣本執行之一程序之一或多個參數之方法及系統。因此，將此描述理解為僅係闡釋性且係用於教示熟習此項技術者執行本發明之一般方式之目的。應瞭解，應將本文中展示且描述之本發明之形式視為目前較佳實施例。在受益於本發明之此描述之後，如熟習此項技術者將瞭解，元件及材料可取代本文中繪示且描述之彼等元件及材料，可顛倒部分及程序且可獨立利用本發明之某些特徵。可對本文中描述之元件做出改變而不脫離如以下發明申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇。

10‧‧‧量測子系統
14‧‧‧樣本
16‧‧‧光源
18‧‧‧光學元件
20‧‧‧透鏡
21‧‧‧光束分離器
22‧‧‧載物台
24‧‧‧集光器
26‧‧‧元件
28‧‧‧偵測器
30‧‧‧集光器
32‧‧‧元件
34‧‧‧偵測器
36‧‧‧電腦子系統
102‧‧‧電腦子系統
122‧‧‧電子柱
124‧‧‧電腦子系統
126‧‧‧電子束源
128‧‧‧樣本
130‧‧‧元件
132‧‧‧元件
134‧‧‧偵測器
300‧‧‧視場(FOV)
302‧‧‧量測位點
304‧‧‧所關注區(ROI)
306‧‧‧所關注區(ROI)
308‧‧‧所關注區(ROI)
310‧‧‧量測
312‧‧‧量測
314‧‧‧量測
316‧‧‧量測
400‧‧‧部分
402‧‧‧圖樣/特徵
404‧‧‧圖樣/特徵
406‧‧‧圖樣/特徵
600‧‧‧所關注區(ROI)
602‧‧‧所關注區(ROI)
604‧‧‧所關注區(ROI)
606‧‧‧所關注區(ROI)
608‧‧‧所關注區(ROI)
610‧‧‧所關注區(ROI)
612‧‧‧所關注區(ROI)
614‧‧‧所關注區(ROI)
616‧‧‧所關注區(ROI)
618‧‧‧所關注區(ROI)
620‧‧‧所關注區(ROI)
700‧‧‧線
702‧‧‧多邊形
704‧‧‧線
706‧‧‧多邊形
708‧‧‧下邊緣
710‧‧‧區域
712‧‧‧區域
800‧‧‧上邊緣
1000‧‧‧線
1002‧‧‧線
1004‧‧‧線
1006‧‧‧多邊形
1008‧‧‧假想中心線
1010‧‧‧假想中心線
1012‧‧‧假想中心線
1014‧‧‧假想中心線
1100‧‧‧線
1102‧‧‧線
1104‧‧‧線
1106‧‧‧多邊形
1108‧‧‧假想中心線
1110‧‧‧假想中心線
1112‧‧‧假想中心線
1114‧‧‧假想中心線
1200‧‧‧對準
1202‧‧‧對準
1204‧‧‧對準
1206‧‧‧對準
1300‧‧‧圖案化特徵
1302‧‧‧圖案化特徵
1304‧‧‧圖案化特徵
1306‧‧‧圖案化特徵
1308‧‧‧假想中心線
1310‧‧‧假想中心線
1312‧‧‧假想中心線
1314‧‧‧假想中心線
1316‧‧‧中心線
1318‧‧‧中心線
1320‧‧‧中心線
1322‧‧‧中心線
1324‧‧‧中心線
1326‧‧‧線
1328‧‧‧線
1400‧‧‧非暫時性電腦可讀媒體
1402‧‧‧程式指令
1404‧‧‧電腦系統
1500‧‧‧設計縮略形式
1502‧‧‧線端拉回所關注區(ROI)
1504‧‧‧寬度所關注區(ROI)
1504a‧‧‧所關注區(ROI)
1506‧‧‧空間所關注區(ROI)
1508‧‧‧隅角所關注區(ROI)
1510‧‧‧SEM斑點
1512‧‧‧所關注區(ROI)資訊
1600‧‧‧位置
1602‧‧‧區域
1604‧‧‧設計縮略形式
1606‧‧‧所關注區(ROI)
1700‧‧‧位置
1702‧‧‧位置
1704‧‧‧區域
1706‧‧‧區域
1710‧‧‧設計縮略形式
1712‧‧‧所關注區(ROI)
1714‧‧‧所關注區(ROI)
1800‧‧‧熱點
1802‧‧‧空間
1804‧‧‧特徵
1806‧‧‧線
1808‧‧‧所關注區(ROI)
1810‧‧‧所關注區(ROI)

熟習此項技術者在獲益於較佳實施例之以下詳細描述之情況下且在參考隨附圖式之後將變得明白本發明之進一步優點，其中：圖1及圖2係繪示如本文中描述般組態之一系統之實施例之側視圖之示意圖；圖3係繪示本文使用之各種術語(包含量測位點、視場及所關注區)之間的關係之一項實施例之一平面視圖之一示意圖；圖4係繪示一晶圓之一設計之一部分在其出現於設計空間中時之一個實例之一平面視圖之一示意圖；圖5係繪示圖4中展示之設計之部分在其可印刷於一晶圓上時之一個實例之一平面視圖之一示意圖；圖6係繪示在圖5中展示之設計之部分內具有潛在所關注區之該設計之部分之一項實施例之一平面視圖之一示意圖；圖7至圖8係繪示用於將設計空間中之一晶圓之一設計之一部分與晶圓空間中之晶圓之設計之部分對準之當前使用方法之結果之不同實例之平面視圖之示意圖；圖9係繪示用於將設計空間中之一晶圓之一設計之一部分與晶圓空間中之晶圓之設計之部分對準之一實施例之結果之一個實例之一平面視圖之一示意圖；圖10至圖12係繪示設計及晶圓空間中之一晶圓之一設計之一部分之平面視圖及其等如何可藉由本文中描述之實施例對準之示意圖；圖13係繪示晶圓空間中之一晶圓之一設計之一部分之一平面視圖及可如何藉由本文中描述之實施例判定可跨其執行一量測之尺寸之一示意圖；圖14係繪示儲存用於引起一電腦系統執行本文中描述之一電腦實施方法之程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體之一項實施例之一方塊圖；圖15至圖17係繪示一樣本之一設計之資訊、樣本上偵測到之一缺陷之一區域及使用設計之資訊及缺陷之區域藉由本文中描述之實施例執行之各種步驟之結果之各種實施例之平面視圖之示意圖；及圖18係繪示針對一樣本之一設計中之僅一個熱點判定之一個以上額外所關注區之一項實施例之一平面視圖之一示意圖。雖然本發明易受各種修改及替代形式影響，但其特定實施例在圖式中係藉由實例展示且將在本文中詳細描述。圖式可不按比例繪製。然而，應理解，圖式及其等之實施方式並不旨在將本發明限於所揭示之特定形式，而相反地，意欲涵蓋落於如藉由隨附發明申請專利範圍所界定之本發明之精神及範疇內之所有修改、等效物及替代方案。

10‧‧‧量測子系統

14‧‧‧樣本

16‧‧‧光源

18‧‧‧光學元件

20‧‧‧透鏡

21‧‧‧光束分離器

22‧‧‧載物台

24‧‧‧集光器

26‧‧‧元件

28‧‧‧偵測器

30‧‧‧集光器

32‧‧‧元件

34‧‧‧偵測器

36‧‧‧電腦子系統

102‧‧‧電腦子系統

Claims

一種經組態以判定將對一樣本執行之一程序之一或多個參數之系統，其包括：一量測子系統，其包括至少一能量源及一偵測器，其中該能量源經組態以產生引導至一樣本之能量，且其中該偵測器經組態以偵測來自該樣本之能量且回應於該偵測之能量產生輸出；及一或多個電腦子系統，其等經組態用於：判定在該樣本上偵測之一缺陷之一區域；將該缺陷之該區域與該樣本之一設計之資訊相互關聯；基於該相互關聯之結果判定該缺陷之該區域與該設計之該資訊之間的一空間關係；及基於該空間關係自動產生待在針對該樣本執行之一程序期間使用該量測子系統量測之一所關注區。
如請求項1之系統，其中該缺陷之該區域係藉由在該缺陷之一影像中圍繞該缺陷繪製之一定界框界定。
如請求項1之系統，其中該缺陷之該區域係藉由在該缺陷之一基於電子束影像中圍繞該缺陷繪製之一自由形式區域界定。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括該設計之一個以上層之資訊。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊未包含不會印刷於該樣本上之該設計之特徵之資訊。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括該設計中之圖案化特徵之資訊，且其中該相互關聯包括將該缺陷之該區域與該設計中之該等圖案化特徵疊對。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括藉由該一或多個電腦子系統基於該設計而非該缺陷判定之該設計中之額外所關注區之資訊。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括藉由該一或多個電腦子系統憑藉基於該設計而非該缺陷執行之圖樣匹配來判定之該設計中之額外所關注區之資訊。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括藉由該一或多個電腦子系統憑藉基於該設計而非該缺陷執行之幾何匹配來判定之該設計中之額外所關注區之資訊。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括藉由該一或多個電腦子系統基於該設計而非該缺陷之單元資訊來判定之該設計中之額外所關注區之資訊。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括藉由該一或多個電腦子系統基於該設計而非該缺陷之一圖形表示之影像處理來判定之該設計中之額外所關注區之資訊。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括基於該設計而非該缺陷之熱點資訊判定之該設計中之額外所關注區之資訊。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括基於該設計而非該缺陷中之熱點之資訊來判定之該設計中之額外所關注區之資訊，且其中僅針對該等熱點之一者判定一個以上該等額外所關注區。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括基於該設計而非該缺陷判定之該設計中之額外所關注區之資訊，其中該判定該空間關係包括判定哪些該等額外所關注區與該缺陷之該區域在空間上重疊，且其中該自動產生包括選擇與該缺陷之該區域在空間上重疊之該等額外所關注區之一者作為待針對該缺陷量測之該所關注區。
如請求項1之系統，其中該自動產生包括基於該缺陷之該區域與該設計之該資訊之間的該空間關係更改該缺陷之該區域及將該缺陷之該經更改區域指定為該所關注區。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括該設計中之圖案化特徵之資訊，且其中該自動產生包括基於該缺陷之該區域及鄰近於該缺陷之該區域之該等圖案化特徵判定該所關注區之一區域。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括該設計中之圖案化特徵之資訊，且其中該自動產生包括基於該缺陷之該區域或該缺陷附近之該等圖案化特徵之一或多者之一最小者判定該所關注區之一區域。
如請求項1之系統，其中該缺陷之該區域係藉由在該缺陷之一基於電子束影像中圍繞該缺陷繪製之一自由形式區域界定，其中該設計之該資訊包括基於該設計而非該缺陷判定之該設計中之額外所關注區之資訊，其中該判定該空間關係包括判定該等額外所關注區之哪一者與該缺陷之該區域在空間上重疊或最靠近該缺陷之該區域，且其中該自動產生包括將與該缺陷之該區域在空間上重疊或最靠近該缺陷之該區域之該等額外所關注區之一者選擇或優先化為待針對該缺陷量測之該所關注區。
如請求項1之系統，其中該設計之該資訊包括藉由該一或多個電腦子系統基於該設計而非該缺陷判定之該設計中之額外所關注區之資訊，且其中在該程序期間量測該等額外區之一或多者。
如請求項1之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態用於自動判定在該程序期間使用該量測子系統在該所關注區中執行之一或多個量測之一或多個參數。
如請求項1之系統，其中藉由該偵測器產生之該輸出包括該樣本之影像，其中藉由該偵測器針對該樣本上之不同區域產生不同影像，其中該樣本上之多個圖案化特徵在該等不同影像中成像，且其中該一或多個電腦子系統進一步經組態用於自動定位該等不同影像中之該多個圖案化特徵，判定該等不同影像中之該經定位多個圖案化特徵之一或多個特性，及判定針對該等不同影像中之該經定位多個圖案化特徵判定之該一或多個特性之一或多個統計資料。
如請求項21之系統，其中該等不同區域包括該樣本上之區域，在該樣本上偵測且針對缺陷再檢測選擇之缺陷定位於該等區域中，且其中在針對該等缺陷執行之一缺陷再檢測程序期間藉由該量測子系統產生該等不同影像。
如請求項21之系統，其中該多個圖案化特徵包括接點。
如請求項23之系統，其中該量測子系統進一步經組態為一電子束顯微鏡。
如請求項23之系統，其中該一或多個特性包括該等接點之一臨界尺寸。
如請求項21之系統，其中該多個圖案化特徵包括線及空間對。
如請求項21之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態用於基於該經判定之一或多個統計資料而對該多個圖案化特徵自動分類。
如請求項1之系統，其中在線內監測對該樣本執行之一製造程序期間對該樣本執行該程序。
如請求項1之系統，其中該程序包括一計量程序，且其中該系統進一步經組態為一計量工具。
如請求項1之系統，其中該程序包括一檢測程序，且其中該系統進一步經組態為一檢測工具。
如請求項1之系統，其中該程序包括一缺陷再檢測程序，且其中該系統進一步經組態為一缺陷再檢測工具。
如請求項1之系統，其中該樣本包括一晶圓。
如請求項1之系統，其中該樣本包括一倍縮光罩。
如請求項1之系統，其中經引導至該樣本之該能量包括光，且其中自該樣本偵測之該能量包括光。
如請求項1之系統，其中經引導至該樣本之該能量包括電子，且其中自該樣本偵測之該能量包括電子。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以執行用於判定用於將對一樣本執行之一程序一或多個參數之一電腦實施方法之程式指令，其中該電腦實施方法包括：判定在一樣本上偵測之一缺陷之一區域；將該缺陷之該區域與該樣本之一設計之資訊相互關聯；基於該相互關聯之結果判定該缺陷之該區域與該設計之該資訊之間的一空間關係；及基於該空間關係自動產生待在針對該樣本執行之一程序期間使用一量測子系統量測之一所關注區，其中該量測子系統包括至少一能量源及一偵測器，其中該能量源經組態以產生引導至該樣本之能量，且其中該偵測器經組態以偵測來自該樣本之能量且回應於該偵測之能量產生輸出。
一種用於判定將對一樣本執行之一程序之一或多個參數之電腦實施方法，其包括：判定在一樣本上偵測之一缺陷之一區域；將該缺陷之該區域與該樣本之一設計之資訊相互關聯；基於該相互關聯之結果判定該缺陷之該區域與該設計之該資訊之間的一空間關係；及基於該空間關係自動產生待在針對該樣本執行之一程序期間使用一量測子系統量測之一所關注區，其中該量測子系統包括至少一能量源及一偵測器，其中該能量源經組態以產生引導至該樣本之能量，其中該偵測器經組態以偵測來自該樣本之能量且回應於該偵測之能量產生輸出，且其中該判定該區域、該相互關聯、該判定該空間關係及該自動產生係藉由一或多個電腦子系統執行。