JPWO2014129307A1 - パターン測定装置、及び半導体計測システム - Google Patents
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Abstract
Description
まず、回路パターンの撮影画像とその回路パターンの製造に用いた設計パターンのパターンマッチングを行い、設計パターンと画像の対応関係を求める(ステップ701)。なお、画像撮影の際に設計パターンをテンプレートとしてパターンマッチングを行っている場合は、そこで求めた設計パターンの画像の対応関係を利用する。次に形状スコアの算出に利用した計測値を求めた基準パターンの部位を特定する(ステップ702)。基準パターンの部位の座標を中心とし、HSLのパターンサイズと同サイズの設計レイアウトをパターンマッチングによって求めた画像と設計パターンの対応関係に基づき特定し、切り出し、HSLのデータベースと比較する(ステップ703)。
Claims (15)
- 電子デバイスの回路パターンと基準パターンの比較を行う演算装置を備えたパターン測定装置において、
当該演算装置は、前記回路パターンと基準パターンとの間の計測結果と、少なくとも2つの閾値との比較に基づいて、当該回路パターンを回路パターンの処理単位で分類することを特徴とするパターン測定装置。 - 請求項1において、
前記演算装置は、前記回路パターンを、当該回路パターンのレイアウトデータ、或いはマスクを修正する対象とするか、測定装置によるモニタの対象とするかの分類を行うことを特徴とするパターン測定装置。 - 請求項1において、
前記演算装置は、測定対象となるレイヤの測定対象パターンについて、当該測定対象パターンに接続される他のレイヤのパターンが存在するか否かの判定に応じて、前記分類を実行することを特徴とするパターン測定装置。 - 請求項1において、
前記演算装置は、前記回路パターンと基準パターンとの間の計測結果と、前記回路パターンの計測部分の他の層との関係情報に基づいて、前記計測部位を分類するパターン測定装置。 - 電子デバイスの回路パターンと基準パターンの比較を行う演算装置を備えたパターン測定装置において、
当該演算装置は、複数のパターンについて、複数の露光条件によって得られたパターンの測定結果に基づく露光装置のプロセスウィンドウを求め、複数のパターンについて得られた複数のプロセスウィンドウの共通領域内外の境界を定義するプロセスウィンドウのパターンを測定対象パターンとして選択することを特徴とするパターン測定装置。 - 電子デバイスの回路パターンと基準パターンの比較によって、当該回路パターンの処理プロセスを判定する半導体計測システムであって、
当該回路パターンの撮影画像からパターンエッジを検出する手段と、
所定の計測領域内に存在する当該パターンエッジと当該基準パターンの間隔を計測する手段と、
当該計測領域内の複数箇所の計測値から、最も大きい計測値を含むように所定のパターン長、或いは面積分の計測値群を選抜する手段と、
前記計測値群から当該回路パターンの形状スコアを算出する手段と、
当該形状スコアと所定の閾値を比較し、当該回路パターンの処理プロセスを判定する手段と、を有することを特徴とした半導体計測システム。 - 請求項6において、
前記所定の閾値は、当該回路パターンの異常と正常を判別するための閾値であることを特徴とした半導体計測システム。 - 請求項7において、
異常と判定された当該回路パターンに対応する設計情報と危険点のデータベースを比較し、当該設計情報が当該データベースに登録されていない場合に、当該設計情報を当該データベースに登録する手段を有することを特徴とした半導体計測システム。 - 請求項7において、
異常と判定された複数の回路パターンについて、プロセスウィンドウを求め、最大フォーカス、最小フォーカス、最大ドーズ、最小ドーズを制限する2つ以上の回路パターンを量産時のモニタ対象として決定する手段を有することを特徴とした、半導体計測システム。 - 請求項6において、
前記所定の閾値は、当該回路パターンの正常とレチクル/マスク修正対象と量産時のモニタ対象を判別するための2つの閾値であることを特徴とした半導体計測システム。 - 請求項6において、
前記半導体計測システムは当該形状スコアが算出された当該回路パターンの部位に対応する設計座標を求める手段を有することを特徴とした半導体計測システム。 - 請求項6において、
前記半導体計測システムは当該形状スコアが算出された当該回路パターンの部位と設計情報を比較し、当該回路パターンの致命度を算出し、レチクル/マスク修正対象を選抜する手段を有することを特徴とした半導体計測システム。 - 請求項6において、
前記半導体計測システムは、レチクル/マスク修正対象とされた回路パターンの履歴情報を保持し、前記履歴に基づき、量産時のモニタ対象の回路パターンを決定する手段を有することを特徴とした、半導体計測システム。 - 請求項6において、
電子ビームを電子デバイス上に走査することによって得られる電子に基づいて、画像データを形成する走査電子顕微鏡を備えたことを特徴とする半導体計測システム。 - 請求項14において、
前記形状スコアが算出された当該回路パターンの部位や、当該形状スコアが算出された当該回路パターンの部位の設計座標や、当該形状スコア、当該修正履歴や、当該処理プロセス判定欠陥や、当該プロセスウィンドウ解析結果、レチクル/マスク修正対象とされた回路パターンの設計座標、当該レチクル/マスク修正対象とされた回路パターンの図、量産時のモニタ対象とされた回路パターンの設計座標、及び当該量産時のモニタ対象とされた回路パターンの図のうち、少なくとも一つ以上のデータを表示する画面を有することを特徴とした半導体計測システム。
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