JP3169784B2

JP3169784B2 - 配線パターン検査方法およびその装置

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Publication number: JP3169784B2
Application number: JP04378395A
Authority: JP
Inventors: 隆典二宮; 和士吉村; 文和伊藤; 重信丸山
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-03-03
Filing date: 1995-03-03
Publication date: 2001-05-28
Anticipated expiration: 2016-05-28
Also published as: JPH08240628A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁板の一方の表面に
形成された配線パターンの欠陥を検査する配線パターン
検査方法およびその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、配線パターンの検査方法として
は、配線パターンの両端に触針を接触させ、電圧を印加
した場合の電流の大小によって配線パターンの断線を、
また、他の配線パターンに接触させた触針への電流の流
れ込みの有無をもって配線のショートを検出する、導通
試験法が知られている。しかしながら、欠陥の位置が特
定できないため、顕微鏡を用いた観察による欠陥位置の
特定が必要であり、多くの時間と労力を要するという問
題があった。

【０００３】また、平面表示基板を対象とし、電気光学
効果を利用した米国フォトンダイナミックス社の欠陥検
査装置が、日経エレクトロニクスのＮｏ．５２４（１９
９１年４月１日）、７８頁から７９頁に示されている。
この検査装置は、断線およびショート欠陥を、画素単位
の位置特定精度で検出する能力をもつという特徴があ
る。しかしながら、電気光学効果をもつ電界検出部を、
平面形表示基板の配線パターン形成面から数十マイクロ
メータ浮かせる必要があるため、その位置合わせに時間
を要する。また、電界検出部が平面表示基板に対して小
さいため移動させながら何回も検出を繰り返す必要があ
り、検査時間が長い。さらに、万が一配線パターンに電
界検出部が接触すると、基板を損傷させる可能性もある
という問題点を有している。なお、本公知例には、上記
した電気光学効果を用いた検査結果に基づき欠陥を修復
した場合の効果について、言及されている。

【０００４】米国特許５，１３８，２６６号には、配線
パターンと平面電極を静電的に結合し、配線パターンの
断線あるいはショートの存在を検出する方法が開示され
ている。しかしながら、配線パターン全体を含む大きさ
の平面電極を用いており、配線パターンを単位とした欠
陥の存在は検出できるが、配線パターン内の欠陥の位置
を特定することはできない。

【０００５】また、特開昭５８−３８８７４号公報に
は、交流電圧を配線パターンの一端に印加し、配線パタ
ーンの他端から誘電体層を介して交流電圧をプローブで
検出し、その電圧の大小から断線の有無を検査する方法
が示されている。しかし、それぞれの配線パターンの断
線欠陥の位置を検出する方法については一切示されてい
ない。

【０００６】一方、本発明による配線パターンの検査方
法に関連して、以下に示すＴＦＴ基板の各画素の欠陥を
検出する方法が知られている。これらは、各画素の欠陥
の有無を検査するものであり、本発明の目的の一つであ
る配線パターンの欠陥の位置の検出方法については、一
切示されていない、しかし、静電容量を介した電気的結
合を用いている点で本発明に関連するため、以下にその
概要と問題点を述べる。

【０００７】特開平６−２７４９４号公報には、ＴＦＴ
基板の各画素の電位を時間的に変化させ、画素上に非接
触に配置したプローブとの間の静電容量を介して検出さ
れる電圧変化を用いて、画素の欠陥の有無を検出する方
法が示されている。本公知例では、プローブをそれぞれ
の画素電極から一定の小さなギャップで正確に位置決め
する必要があるため、基板全体の検査に多くの時間を要
するという問題がある。また、配線パターンの断線欠陥
の位置の検出方法に関する言及は一切無い。

【０００８】特開平５−１０９９９号公報には、液晶デ
ィスプレイ基板の各電極の反対側の面に検査用電極を設
け、それぞれの電極にパルス電圧を印加し、検査電極で
検出されるパルスに基づいて各画素の良否を検査する方
法が示されている。本公知例では、マトリクス状に配置
された画素を選択するため、多くのプローブと選択回路
が必要であり、装置全体が複雑になるという問題があ
る。本公知例においても、配線パターンの断線欠陥の位
置の検出方法に関する言及は一切無い。

【０００９】特開平２−２１０３９１号公報には、ＴＦ
Ｔ基板の一列の画素の並び方向に検査用の電極を対向さ
せ、交流信号を印加し、検出される交流信号との間の位
相のずれを検出し、交流信号の周波数を変化させた時の
位相のずれが最大となる周波数から、ＴＦＴ基板各画素
のトランジスタの特性を検査する方法が示されている。
本公知例においても、配線パターンに欠陥が無いことを
前提としており、配線パターンの欠陥の位置を検出する
方法は示されていない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
配線パターンの検査方法は、配線パターンの欠陥の位置
の特定ができないこと、基板全体についての検査に多く
の時間を要するという問題を有していた。

【００１１】本発明の目的は、上記した従来の技術の問
題点である配線パターンの欠陥の位置の特定あるいは検
査時間の短縮を実現することである。また、これによっ
て短時間に欠陥を発見し、修正する、配線パターン基板
の製造を実現することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の配線パターン検査方法は、絶縁板の一方の
表面に形成された配線パターンの欠陥を検査する配線パ
ターン検査方法において、少なくともその一部が前記配
線パターンの一部位と静電的に結合するようになされた
電極を、前記配線パターンの形成面と反対側の前記絶縁
板の表面に接触または近接させ、前記電極と前記配線パ
ターンとの間に時間的に変化する電圧を印加して、前記
電極と前記配線パターンとの間に流れる電流を検出し、
前記電圧印加および前記電流検出を前記配線パターンの
異なる部位について実施し、前記配線パターンの部位が
異なることによって生じる前記電流の変化に基づいて、
前記配線パターンの欠陥の検出を行うことを特徴とす
る。また、本発明の配線パターン検査方法は、絶縁板の
一方の表面に形成された配線パターンの欠陥を検査する
配線パターン検査方法において、少なくともその一部が
前記配線パターンの一部位と静電的に結合するようにな
された複数の電極を、前記配線パターンの形成面と反対
側の前記絶縁板の表面に接触または近接させ、複数の前
記電極から選択した１個の前記電極と前記配線パターン
との間に時間的に変化する電圧を印加して、複数の前記
電極から選択した１個の前記電極と前記配線パターンと
の間に流れる電流を検出し、前記電圧印加および前記電
流検出を複数の前記電極のそれぞれに対して切り替えて
実施することにより生じる前記電流の変化に基づいて、
前記配線パターンの欠陥の検出を行うことを特徴とす
る。また、本発明の配線パターン検査方法は、複数本の
前記電極の切り替えは、３個の前記電極に対して検出さ
れた電流の大小を比較し、最も大きな差のある２個の前
記電極の間にある前記電極を次の切り替え電極とするこ
とを特徴とする。また、本発明の配線パターン検査装置
は、絶縁板の一方の表面に形成された配線パターンの欠
陥を検査する配線パターン検査装置において、前記配線
パターンの形成面と反対側の前記絶縁板の表面に接触ま
たは近接して配置された電極と、前記配線パターンに接
触させる触針と、前記電極と前記触針間に時間的に変化
する電圧を印加する手段と、前記電極と前記触針間に流
れる電流を検出する手段と、前記電極を前記配線パター
ンの異なった位置に移動する手段と、前記電極の移動に
伴う前記電流の変化を検出する手段と、前記電流の変化
の状態に基づいて、前記配線パターンの欠陥の位置を検
出する手段とを有することを特徴とする。また、本発明
の配線パターン検査装置は、絶縁板の一方の表面に形成
された配線パターンの欠陥を検査する配線パターン検査
装置において、前記配線パターンの形成面と反対側の前
記絶縁板の表面に接触または近接し、前記配線パターン
を横切るように配置された複数の電極と、前記配線パタ
ーンに接触させる触針と、複数の前記電極の１個を選択
する手段と、選択された前記電極と前記触針間に時間的
に変化する電圧を印加する手段と、前記電極と前記触針
間に流れる電流を検出する手段と、前記電極の選択に伴
う前記電流の変化を検出する手段と、前記電流の変化の
状態に基づいて、前記配線パターンの欠陥の位置を検出
する手段とを有することを特徴とする。また、本発明の
配線パターン検査装置は、絶縁板の一方の表面に形成さ
れた配線パターンの欠陥を検査する配線パターン検査装
置において、前記配線パターンの形成面と反対側の前記
絶縁板の表面に接触または近接し、前記配線パターンを
横切るように配置された複数の電極と、前記配線パター
ン上の１点に接触させる触針と、複数の前記電極の１個
を選択する手段と、選択された前記電極と前記触針間に
繰り返し周波数ｆの矩形波電圧を印加する手段と、前記
電極と前記触針間に流れる電流を検出する手段と、前記
電極の選択に伴う電流の変化を検出する手段と、前記電
流の変化の状態に基づいて、前記配線パターンの欠陥の
位置を検出する手段とを有することを特徴とする。

【００１３】

【作用】配線パターンと電極間に印加する電圧は、時間
的に変動させているため、これらの間が直流的に絶縁さ
れていても、静電的な結合から、

【００１４】

【数１】

【００１５】に示される電流Ｉ（ｔ）が流れる。ここ
に、ｔは時間〔ｓ〕、Ｖ（ｔ）は印加した電圧〔Ｖ〕、
Ｃは配線パターン・電極間の静電容量〔Ｆ〕である。以
降、Ｃの大小を静電特性と呼ぶこととする。Ｖ（ｔ）は
既知であるから、Ｉ（ｔ）はＣに比例し、Ｉ（ｔ）の大
小によりＣの大小が判ることになる。数１より明らかな
ように、Ｖ（ｔ）の時間変動は、周期的に繰り返すもの
であっても、周期性のない一度の変化であっても良い。

【００１６】いま、図１（ａ）に示すような断線の検出
を考える。配線パターンの一端と電極間に電圧Ｖ（ｔ）
を印加し、電流Ｉ（ｔ）を検出する。配線パターンと電
極間の距離ｄをほぼ一定とすれば、もし、断線が無けれ
ば、配線パターンと電極の位置関係にかかわらず、Ｃは
一定であり、Ｉ（ｔ）の大きさもほぼ一定となる。しか
し、図１（ａ）に示すように断線があると、配線パター
ンＡ側に電極があるときは、断線の無い場合と同様のＩ
（ｔ）となるが、切れている側Ｂに電極があると、断線
部分での配線パターン間の静電容量Ｃ₁がＣに直列に加
わるため、総合的な静電容量Ｃ′が

【００１７】

【数２】

【００１８】のように減少し、Ｉ（ｔ）が小さくさる。
従って、Ｉ（ｔ）の大きさ、すなわち静電特性が変化す
る部分が、断線に対応することになる。（図１
（ｂ））。

【００１９】次に、図２（ａ）に示すような、配線パタ
ーンａ、ｂの交差部におけるショートの検出を考える。
もし、配線パターンａ、ｂがほぼ同一面上に形成されて
いるものとし、断線の場合と同様にＩ（ｔ）を検出する
と、ちょうど断線の場合の配線パターンＡが配線パター
ンａに、Ｂがｂに対応することになり、ショートしてい
ない場合、配線パターンｂ側でＩ（ｔ）が小さくなる。
一方、配線パターンｂがショートしていると、ｂ側に電
極がある場合もａ側にある場合もほぼ同じ大きさのＩ
（ｔ）が（電極の形状によってはＣが増大し、Ｉ（ｔ）
が増加して）検出される。このようにショートが発生し
ている配線パターンの位置も、Ｉ（ｔ）の大きさ、すな
わち静電特性の変化の有無、あるいは大小によって検出
可能になる（図２（ｂ））。

【００２０】

【実施例】配線パターン基板の例として、図３に示す平
面表示基板であるＴＦＴ液晶基板を用いて、以下本発明
の実施例を述べる。原理的に、ＳＴＮ液晶基板、プラズ
マディスプレイ基板などの他の平面表示基板、あるいは
一般的に、絶縁板と配線パターンからなる一般の配線パ
ターン基板にも同様に適用可能である。

【００２１】ＴＦＴ液晶基板は、図３に示すように、ガ
ラス基板上に配線パターンとしてゲート線（水平パター
ン）、ドレイン線（垂直パターン）を格子状に形成し、
その交差部付近にＴＦＴ（薄膜の電界効果型トランジス
タ（ＦＥＴ））を画素スイッチング素子として形成した
ものである。図３（ａ）は液晶基板の構成を示す図、図
３（ｂ）は一画素の構造を示す図、図３は（ｃ）は一画
素の回路を示す図、図３（ｄ）は図３（ｃ）のＡ−Ａ断
面を示す図である。ここでは、ゲート線の一端、および
ドレイン線の一端が直接あるいは抵抗を介して共通電極
でそれぞれ互いに接続されたＴＦＴ液晶基板を例にとっ
て、以下説明する。なお、共通電極の無い基板に対して
は、断線の有無の検出やＳ／Ｎ向上など必要に応じて、
適宜、ドレイン線、ゲート線の一端に触針を接触させ、
等電位に固定すればよい。

【００２２】ゲート線とドレイン線は交差部では絶縁さ
れており、また、ゲート線は水平方向のＴＦＴのゲート
を共通に接続し、ドレイン線は垂直方向のＴＦＴのドレ
インを共通に接続している。また、各ＴＦＴのソースは
ゲート線とドレイン線に囲まれた部分に形成された画素
電極に接続されている。

【００２３】ＴＦＴのゲートとドレイン間に一定値以上
の電圧を与えなければ、ドレイン・ソース間は直流的に
はほぼオフの状態とみなすことができるため、以降の説
明では特にことわらない限り、ドレイン・ソース間は静
電容量Ｃ₂で接続されているものとする。また、ゲート
・ドレイン間、ゲート・ソース間にも直流的な導通は無
く、静電容量を介して結合しているものとする。ただ
し、以下の説明では、簡単のため、これらの容量は無視
する。

【００２４】次に、本発明の一実施例を説明する。本実
施例では、ドレイン線の断線を検出した後、欠陥位置を
特定する場合を示す。図４は、断線のあるドレイン線を
見付ける操作を示す図である。

【００２５】なお、ゲート線の断線の検出には、図４に
示した構成において、平面表示基板を９０°回転させた
構成を考えればよく、特にその他の違いはないので、ま
ったく同様の構成で実現可能である。この場合の動作
は、ゲート・ソース間の静電容量をＣ₂とし、ドレイン
・ソース間、およびゲート・ドレイン間の容量を無視す
ると解釈すれば、まったく同様となる。

【００２６】まず、断線欠陥が、基板に存在するかどう
かを検査する。図４に示すように、ドレイン線共通電極
４に触針７を接触させ、また、ドレイン線２の他端にあ
るドレイン線電極（プローブ用電極３）にもう一つの触
針６を接触させ、電圧を印加して電流を測定する。電流
値が、一定値以下の場合、断線ありと判定する。この検
査を、ドレイン線共通電極の触針７はそのままにして、
もう一方の触針６をドレイン線電極の一つ一つに接触さ
せて同様に実施し、全てのドレイン線２の断線の有無を
検査する。

【００２７】次に、本発明の原理に基づく欠陥の位置を
特定する方法の第１の実施例を図５により説明する。

【００２８】ガラス基板の裏面（配線パターン形成面と
反対側）に放射基板１２を接触あるいは近接させる。放
射基板１２上には、ゲート線に平行に一本の放射パター
ン１３が直線状に形成されている。放射パターン１３の
一端はドライバ回路１５に接続され、発振器１４よりの
周波数ｆの矩形波信号により駆動される。また、放射パ
ターン１３のドライバ回路とは反対側の一端は、与えら
れた矩形波信号の反射を防ぐ意味で、終端抵抗で終端す
ることが望ましい。放射基板１２は、その放射パターン
と断線欠陥がある被検査対象のドレイン線２と交差する
ように位置決めされる。

【００２９】被検査対象のドレイン線２に設けられたプ
ロービング用電極３に対して触針６を接触させる。触針
６には電流−電圧変換用アンプ１６が接続されている。
検出される電流は、数１に示したように、与えられた信
号電圧の時間微分となるから、本実施例の場合、矩形波
信号を微分したインパルス信号が図６のように検出され
る。

【００３０】検出信号の強度の検出法として、インパル
ス信号の波高値を測定する方法もあるが、本実施例で
は、インパルス信号に含まれる特定の周波数成分の強度
を測定する方法を用いる。すなわち、、電圧変換された
検出信号は、アンプで増幅後、中心通過帯域ｎｆ（ｎ＝
１，３，５，…；奇数）の狭帯域バンドパスフィルタ１
７で、矩形波信号の基本波あるいは高調波のみを選択す
る（図７）。中心通過帯域ｎｆは、検出されるノイズの
スペクトル加味して、Ｓ／Ｎの最もよくなるものを選べ
ば良い。

【００３１】次に、検波回路１８で検出信号の強度を直
流に変換する。

【００３２】なお、被検査対象のドレイン線以外のドレ
イン線については、ドレイン線共通電極４に触針を接触
させて、アース電位に落とし、また、ゲート線について
も同様にゲート線共通電極に触針を接触させてアース電
位に落とすことによって、欠陥位置の検出精度を向上さ
せることができる。すなわち、これらをアース電位に落
とさない場合、これらの線を経由した信号が、被検査対
象のドレイン線に誘起され、放射基板の放射パターンと
断線欠陥の位置による検出信号の強度の差が、極めて小
さくなり、ノイズの影響を強く受けるようになる可能性
があるからである。

【００３３】図５に示した発振器から電流−電圧変換用
アンプまでの等価回路を、図８に示す。ここでは、ドレ
イン・ソース間は、直流的にオフの状態で、静電容量Ｃ
₂で接続していることを仮定しており、また、ドレイン
線の幅は画素電極の幅に比べて小さいので、放射パター
ンとドレイン線間は、近似的に放射パターンと画素電極
間の静電容量Ｃと上記Ｃ₂の直列の静電容量で接続され
ていることになる。また、ゲート線およびドレイン線の
抵抗値が０でなければ、電流−電圧変換用アンプに接続
されているドレイン線と、断線しドレイン線共通電極と
接続しているドレイン線との間の結合容量Ｃ_Sも、考慮
する必要がある。さて、放射パターンがドレイン線の断
線位置に対してドレイン線共通電極側にあるときは、図
８（ａ）に示すように、電流−電圧変換用アンプには、
Ｃ、Ｃ₂、Ｃ_Sの直列容量を介した電流が入力されるか、
あるいはドレイン線共通電極がアース電位に落ちている
場合、同図破線のようになりほぼ０の電流が入力され
る。この結果、電流−電圧変換用アンプからは小さな電
圧出力しか得られない。一方、断線位置に対して電流−
電圧変換用アンプ側に放射パターンがある場合には、図
８（ｂ）に示すように、ＣとＣ₂の直列容量を介した電
流となり、より大きな電圧出力が得られることになる。

【００３４】いま、放射基板１２の放射パターン１３
を、電流−電圧変換用アンプ１６を接続した触針６を接
触させているプロービング用電極３の方から、被検査対
象のドレイン線２に沿って移動させ、検出信号の強度を
検波回路１８の出力で観測すると、ある点で図５に示す
ように、検波回路の出力が大きく低下する。そして、出
力変化の前後での平均値をとる放射基板１２の放射パタ
ーン１３の位置を、欠陥の位置とする。なお、欠陥位置
の決定については、後述するように様々な方法を用いる
ことができ、実験検討を通じて、最も精度の良い方法を
選定すれば良い。

【００３５】本実施例では、検出信号の強度を検出する
手段として、バンドパスフィルタ１７と検波回路１８の
組合わせを用いたが、図９に示すように、発振器の信号
を参照信号とした同期検波回路とローパスフィルタの組
合わせ（正確には、互いに位相の９０°異なる２つの参
照信号を用いた２式の掛け算器とローパスフィルタ）、
いわゆるロックインアンプを用いてもよい。この場合、
発振器からは周波数ｎｆの矩形波を発振させ、放射電極
の放射パターンには１／ｎ分周器２０の出力である周波
数ｆの矩形波を与え、参照信号としては発振器の出力で
ある周波数ｎｆの矩形波を用いれば、上記した実施例と
同様な周波数関係となる。バンドパスフィルタを用いた
場合の利点は、単純な構成で検出信号の強度を検出でき
る点にある。一方、同期検波を用いた場合には、バンド
パスフィルタを用いた場合と比較して、より狭帯域での
信号検出が容易に実現でき、構成は複雑になるが、より
高いＳ／Ｎの信号検出ができ、欠陥位置の検出精度の向
上が期待できる点が長所である。

【００３６】また、発振器の出力信号として、矩形波の
代わりに正弦波を用いてもよい。この場合、上記した周
波数関係においてｎ＝１とすれば、バンドパスフィルタ
を用いた信号検出回路を用いても、同期検波回路を用い
てもよい。

【００３７】また、以上の説明では、全てのＴＦＴのソ
ース・ドレイン間は直流的にオフの状態を仮定した。図
１０に示すように、ゲート線２３にプラスの直流電圧を
印加し、また、電流−電圧変換用アンプ１６に直流のバ
イアス電圧を印加して、ＴＦＴのソース・ドレイン間を
オンすることができる。このようにして、検出信号のＳ
／Ｎを向上させることが可能である。

【００３８】本実施例によれば、放射基板に形成された
１本の放射パターンを物理的に移動させ、検出信号強度
の変化を検出する構成をとっているので、信号検出のＳ
／Ｎを向上させれば、放射パターンの移動分解能がその
まま欠陥位置の検出精度となる。このように、高い精度
の欠陥位置の検出が実現可能であるという効果がある。

【００３９】次に、図１１を用いて、欠陥の位置を特定
する第２の実施例について説明する。本実施例では、図
５に示した第１の実施例における放射基板１２、ドライ
バ回路１５、発振器１４を図１１のものに置き換えるの
ほか、その他はすべて同じである。

【００４０】上記した欠陥の位置を特定する第１の実施
例では、放射基板に１本の放射パターンを形成し、放射
基板自身を被検査対象のドレイン線に沿って移動させた
が、本実施例では、放射基板に複数の放射パターンを形
成し、基本的には放射基板は固定したまま、放射パター
ンを電気的に選択して、等価的に第１の実施例と同様に
放射パターンを移動させている。

【００４１】図１１に示すように、放射基板１２上に
は、放射パターン１３が、一定の幅と間隔で、かつドレ
イン線の長さより長い範囲にわたって複数本平行に配置
される。放射パターン１３はドレイン線に交差するよう
にし、放射基板１２をガラス基板の裏面に接触あるいは
近接させる。それぞれの放射パターン１３の一端は、ド
ライバ回路１５に接続されている。それぞれのドライバ
回路１５の入力は、選択回路２６の出力に接続されてい
る。発振器２７よりの矩形波信号は、この選択回路２６
によって一つのドライバ回路１５にのみ入力され、１本
の放射パターン１３のみに矩形波信号が与えられる。ま
わり込みによる信号の不要な放射を防ぐため、非選択の
放射パターンについては、ドライバ回路によって、アー
ス電位など一定電位に低いインピーダンスで固定する。
また、放射パターンのドライバ回路とは反対側の一端
は、第１の実施例と同様、与えられた矩形波信号の反射
を防ぐ意味で、終端抵抗で終端する。

【００４２】本実施例による欠陥位置の特定方法は、次
の通りである。

【００４３】選択回路２６を用いて、ドレイン線の一端
に対応する側から、一つずつ順次放射パターン１３を選
択して、矩形波信号を印加する。この時の検出信号強度
の変化から欠陥位置を特定する。大きな強度変化の前後
のそれぞれの平均値の中点に対応する点を以下の式に従
って内挿して求め、欠陥位置の検出精度を向上させる。

【００４４】

【数３】

【００４５】ここに、Ｙ₀は検出欠陥位置、Ｓ₀は大きな
強度変化の前後のそれぞれの平均値の中点の値、Ｓ₁、
Ｓ₂はＳ₀をはさむ前後の値を与える放射パターンに対す
る検出信号の強度（Ｓ₁≦Ｓ₀＜Ｓ₂）、Ｙ₁、Ｙ₂は、そ
の時の放射パターンの位置座標である。

【００４６】欠陥位置の内挿による決定方法としては、
上記のほか、検出信号の強度変化を特定の関数に近似し
て求める方法もある。また、検出信号の強度の変化を微
分してそのピークを（関数を仮定して内挿によって）求
め、変化の最も急峻な部分を欠陥の位置としてもよい。
いずれにしても、検査装置の構成や検査対象の基板によ
って、最も精度よく欠陥位置を与える方法は異なるの
で、上記したいくつかの方法のなかから、実験検討によ
って一つの方法を選択する。

【００４７】また、上記の説明では、選択回路による放
射パターンの選択を、検査対象ドレイン線の一端から順
番に一つずつ行うものとしたが、図１２に示すように、
最初にドレイン線の両端と中点の３点の検出信号の強度
を検出し、隣合った２点のうち検出信号の差の大きな方
を選び、その中点の放射パターンを選択して検出信号の
強度を検出する、という方法を隣合った放射パターンが
選択されるまで繰り返すことによって、大きな強度変化
を与える点を迅速に見出すことも可能である。欠陥位置
の検出精度を向上させるため、以上の方法で検出された
大きな強度変化を与える点の、前後の複数の放射パター
ンを連続して選択して、前述した内挿法によって最終的
な検出欠陥位置とすることも可能である。

【００４８】また、以上の説明では放射パターンの選択
は、１本ずつであったが、隣合った複数本の放射パター
ンを選択して同時に矩形波によって駆動しても良い。こ
の方法は、ＴＦＴ液晶基板の縦方向の画素ピッチと放射
パターンのピッチの違いによって、検出信号の変化が波
打つ場合、この低減に有効である。

【００４９】なお、本実施例においても、共通電極の取
扱い、バイアス電圧の与え方、放射パターンに与える信
号波形、検出信号の強度検出方法など、第１の実施例に
示した全ての方法が適用可能なことは、もちろんであ
る。

【００５０】本実施例によれば、複数の放射パターンを
形成した放射基板を用い、放射パターンを電気的に切り
換えて使用しているので、短時間に欠陥位置を特定でき
るという効果がある。

【００５１】なお、以上の第１および第２の実施例で
は、放射基板上の放射パターンの長さについての言及は
行わなかった。検査時間を最も短縮するには、放射パタ
ーンをゲート線の長さ以上とし、いったんＴＦＴ液晶基
板に対して放射基板をセットした後は、ゲート線の方向
に移動させないようにするのが良い。特にＴＦＴ液晶基
板１個当たり複数欠陥の発生が多くを占める場合、この
方法は有効である。しかし、放射パターンを長くする
と、ゲート線を介してまわり込む信号が大きくなり、あ
たかも図８に示したＣ_Sが大きくなった様に見える場合
がある。この結果、検出信号の強度変化の割合が小さく
なり、欠陥位置の検出精度を低下させる可能性がある。
この意味で、もし複数欠陥の発生確率が低く、または、
複数欠陥発生時の検査時間の増大が許されるのであれ
ば、放射パターンの長さは、例えば１０ｍｍ程度の短い
ものとするのが良い。また、ゲート線の２分の１とし
て、２回に分けて検査しても良い。以上のように、放射
パターンの長さは、検査対象基板の複数欠陥の発生確
率、目標とする検査時間、欠陥位置の検出精度などか
ら、総合的に決定されるべきである。

【００５２】また、以上の実施例では、ＴＦＴ液晶基板
の配線パターン形成面と反対側のガラス基板表面に放射
パターンを接触あるいは近接するように放射基板を配置
した。この場合、形成された配線パターンなどを破損す
る可能性が低いという利点がある。しかし、装置の配置
上の理由などから、配線パターン形成面に放射パターン
を近接させても良い。この場合、特に間隔の計測、制御
を厳密に行う必要があるが、ガラス基板の厚さ×ガラス
基板の比誘電率よりも小さな距離に放射パターンを近接
すれば、より大きな検出信号を検出できる。これにより
高いＳ／Ｎの信号検出が可能となり、結果的に欠陥位置
の検出精度を向上できるという利点がある。

【００５３】さて、次に本発明による配線パターン検査
装置の一実施例について、図１３を用いて説明する。

【００５４】装置全体の動作は、マイクロコンピュータ
１００を含む制御装置１０１によって制御される。

【００５５】ＴＦＴ液晶基板５０はローダ／アンローダ
装置１０２によって、ＸＹステージ１０３上の支持ステ
ージ１０４にセットされる。Ｘステージの方向がゲート
線の配線方向、Ｙステージの方向がドレイン線の方向と
する。また、ＴＦＴ液晶基板５０は配線パターン形成面
が上になるようにセットされる。

【００５６】図１３に示すように、ＸＹステージ１０３
上には、ＴＦＴ液晶基板５０を位置決めピン１０５ａ〜
ｃで機械的に位置決めし、プッシャ１０６ａ〜ｃを用い
て基板の４辺で支持する支持ステージ１０４と、長さ１
０ｍｍ程度のゲート線の長さに比べ十分短い１本の放射
パターン２００が形成された放射基板２０１が配置され
ている。放射パターン２００には、発振器４００より繰
り返し信号が与えられている。また、放射基板２０１
は、ＸＹステージ１０３上に固定されたＸＹＺステージ
１０７に支持されており、支持ステージ１０４の内側を
移動可能である。すなわち、放射基板２０１は、ＸＹＺ
ステージ１０７のＺ軸の動作によって、放射パターン２
００が形成された基板表面がＴＦＴ液晶基板５０のガラ
ス基板表面に接触あるいは近接し、また、Ｘ軸の動作に
よって、被検査対象のドレイン線と放射パターン２００
とが交差するように位置決めされる。また、ＸＹＺステ
ージ１０７のＹ軸の動作によって、欠陥の位置検出のた
めの、ドレイン線に沿った放射パターン２００の移動が
行われる。

【００５７】また、ＸＹステージ１０３の上方には、ゲ
ート線共通電極に接触するための触針Ｇ３００、ドレイ
ン線共通電極に接触するための触針Ｄ３０１が配置され
ている。これらは、アクチュエータ３０２ａ、ｂによっ
て、上下方向の移動が可能である。また、ドレイン線共
通電極の反対側に形成されたドレイン線プロービング電
極に接触するための触針Ｓ３０３が、アクチュエータ３
０４を介して装置に固定されている。また、ＴＶカメラ
３０５と照明３０６は、ＴＦＴ液晶基板５０上の位置合
わせマークを検出する。位置合わせマークの検出位置情
報と位置合わせマークとドレイン線プロービング電極と
の位置関係に関する設計情報に基づき、ＸＹステージ１
０３によって位置補正を行って、触針Ｓ３０３をドレイ
ン線プロービング電極に対して正しく位置決めする。こ
の目的で、ＴＶカメラ３０５は、制御装置１０１内の画
像メモリ３０７に接続され、検出画像が、制御装置１０
１のマイクロコンピュータ１００によって処理される。
位置合わせマークの位置検出方法については、公知のい
かなる方法を選択して使っても良い。

【００５８】触針Ｇ３００は、制御装置１０１の制御に
よって、アース電位またはプラスの直流電位が与えられ
る。また、触針Ｄ３０１も同様に、制御装置１０１の制
御によって、アース電位またはプラスの直流電位が与え
られる。一方、触針Ｓ３０３は、電流−電圧変換用アン
プ３０８に接続されている。また、電流−電圧変換用ア
ンプ３０８の入力のバイアス電圧についても、アース電
位またはプラスの直流電位に、制御装置１０１によって
切り換え可能である。

【００５９】電流−電圧変換用アンプ３０８の出力は、
同期検波回路を内蔵したロックインアンプ３０９および
Ａ／Ｄ変換回路３１０に入力される。ロックインアンプ
３０９の出力である振幅情報（信号の強度情報）および
Ａ／Ｄ変換回路３１０からのアナログ電圧信号のディジ
タル変換値は、制御装置１０１に入力される。

【００６０】以上の自動検査装置の動作について説明す
る。

【００６１】まず、ＸＹステージ１０３をローダ／アン
ローダ位置に移動させ、ローダ／アンローダ装置１０２
によって、ＴＦＴ液晶基板５０がカートリッジ１０８よ
り取り出され、支持ステージ１０４上に固定される。こ
のとき、触針Ｇ３００、触針Ｄ３０１、および触針Ｓ３
０３は、アクチュエータ３０２ａ、ｂ、３０４によって
上方に退避している。また、放射基板２０１はＸＹＺス
テージ１０７のＺ軸の動作によって、下方に退避してい
る。

【００６２】次に、ＸＹステージ１０３の移動によっ
て、検査位置にＴＦＴ液晶基板５０を移動する。検査位
置で、ＴＶカメラ３０５と照明３０６によって基板上の
位置合わせマークを検出し、ＴＦＴ液晶基板５０上の位
置合わせマークの位置を検出する。その検出位置情報と
位置合わせマークとドレイン線プロービング電極との位
置関係に関する設計情報に基づいて、ＸＹステージ１０
３の座標における、ドレイン線プロービング電極の位置
を計算する。この計算結果に基づいて、触針Ｓ３０３を
ドレイン線プロービング電極に対して一つずつ位置合わ
せする。

【００６３】位置合わせ後、アクチュエータ３０４を下
方に動作させ、触針Ｓ３０３をドレイン線プロービング
電極に接触させる。このとき、触針Ｇ３００および触針
Ｄ３０１のアクチュエータ３０２ａ、ｂも下方に動作さ
せ、それぞれゲート線共通電極、ドレイン線共通電極に
接触させる。触針Ｇ３００はアース電位、触針Ｄ３０１
はプラスの直流電位を与えておく。また、触針Ｓ３０３
に接続した電流−電圧変換用アンプ３０８のバイアス電
圧は、アース電位とする。もし、Ａ／Ｄ変換回路３１０
によって入力された触針Ｓ３０３における電流値が、予
め定めた一定値以下であれば、断線ありと判定し、以下
の欠陥位置の検出処理を行う。

【００６４】一定値を超えている場合は、断線なしと判
定し、いったんアクチュエータ３０４によって触針Ｓ３
０３を上方に退避させた後、ＸＹステージ１０３を動作
させ、次のドレイン線について、上記した動作を繰り返
し実施する。

【００６５】断線ありと判定されたドレイン線に対して
は、ＸＹＺステージ１０７のＸ軸の動作によって、放射
基板２０１の放射パターン２００をそのドレイン線と交
差するように位置合わせする。またＹ軸の動作によっ
て、ドレイン線プロービング電極側に放射パターン２０
０を移動させる。次に、Ｚ軸の動作によって、放射パタ
ーン２００が形成された放射基板２０１の表面をＴＦＴ
液晶基板５０のガラス基板表面に近接させる。

【００６６】触針Ｇ３００をプラスの直流電位（または
アース電位）に切り換え、触針Ｄ３０１をアース電位
に、また、触針Ｓ３０３に接続した電流−電圧変換用ア
ンプ３０８のバイアス電圧をプラスの直流電位（または
アース電位）に切り換える。また、放射基板２０１の放
射パターン２００には、発振器４００よりの信号を１／
ｎ分周器で分周した矩形波信号を、また、ロックインア
ンプ３０９には、発振器４００よりの信号をそのまま与
える。そして、ＸＹＺステージ１０７のＹ軸を動作さ
せ、放射基板２０１をドレイン線に沿って移動させなが
ら、ロックインアンプ３０９の検出信号強度の変化を検
出し、前述の方法に従って、欠陥位置を決定する。

【００６７】欠陥位置が決定できたら、アクチュエータ
３０４を上方に動作させて触針Ｓ３０３を退避し、触針
Ｓ３０３を次のドレイン線プロービング電極に位置合わ
せし、欠陥の有無の検出、欠陥位置の決定動作を、全て
のドレイン線プロービング電極に対して、繰り返し実行
する。

【００６８】全てのドレイン線の検査が終了したら、欠
陥の位置を、ＴＦＴ液晶基板５０に付された製造番号と
ともにフレキシブル磁気ディスク５００等の記憶媒体に
記憶し、またプリンタ５０１にも表示する。同時に、全
てのアクチュエータ３０２ａ、ｂ、３０４を上方に動作
させて触針Ｇ３００、触針Ｄ３０１、触針Ｓ３０３を退
避させ、また、ＸＹＺステージ１０７のＺ軸を下方に動
作させて放射基板２０１を退避させた上で、ＸＹステー
ジ１０３を動作させて、ＴＦＴ液晶基板５０をローダ／
アンローダ位置に移動させる。次に、ローダ／アンロー
ダ装置１０２によって、ＴＦＴ液晶基板５０をカートリ
ッジ１０８に格納する。

【００６９】以上の動作を繰り返すことによって、全自
動で、ＴＦＴ液晶基板５０のドレイン線の断線欠陥の有
無と位置を検査できる。

【００７０】本実施例によれば、全自動で、ＴＦＴ液晶
基板５０のドレイン線の断線欠陥の有無と位置を検査で
きるので、検査工数の大幅な低減が可能である。

【００７１】次に、図１４を用いて、本発明による配線
パターン検査装置の第２の実施例を説明する。

【００７２】上記した第１の実施例と異なる点は、放射
基板２０２に複数の放射パターン２００が形成されてい
る点である。放射パターン２００は、長さ１０ｍｍ程度
のゲート線の長さに比べ十分短いものとし、また、複数
本の放射パターン２００の形成範囲は、ドレイン線より
長いものとする。複数の放射パターン２００の幅および
形成ピッチは、ゲート線の間隔の２分の１以上、たとえ
ば、それぞれ０．３ｍｍとする。

【００７３】放射基板は、第１の実施例ではＸＹＺステ
ージ１０７によって支持されていたのに対して、本実施
例では、ＸＺステージ１１０によって支持されている。
すなわち、第１の実施例ではＸＹＺステージ１０７のＹ
軸の動作によって、放射パターン２００をドレイン線に
沿って移動させていたのに対して、放射基板２０２はＹ
軸方向には移動させずに、選択回路４０１によって複数
の放射パターン２００から選択して、発振器４００より
の矩形波信号を与え、等価的に同様の効果を生じさせて
いる。放射パターン２００の選択方式、および欠陥位置
の決定方法については、欠陥の位置を特定する第２の実
施例に示したとおりである。また、この場合、放射基板
２０２は、ＸＺステージ１１０のＸ軸の動作によってド
レイン線に位置合わせされた後、Ｚ軸を上方に動作させ
て、ＴＦＴ液晶基板５０に接触させる。

【００７４】上記したものを除き、他の構成および動作
は、第１の実施例と全く同じである。

【００７５】本実施例によれば、本発明による配線パタ
ーン検査装置の第１の実施例による効果に加え、より高
速な検査が可能であるという効果がある。

【００７６】次に、図１５を用いて、本発明による配線
パターン検査装置の第３の実施例を説明する。

【００７７】上記した第２の実施例と異なる点は、放射
基板２０３上の複数の放射パターン２００の長さがゲー
ト線の長さに比べ長い点である。

【００７８】従って、放射基板２０３は、第２の実施例
ではＸＺステージ１１０によって支持されていたのに対
して、本実施例では、支持ステージ１０４に直接固定さ
れており、ＸＺステージ１１０を用いていない。放射基
板２０３の表面は、支持ステージ１０４の表面と同一平
面になるようにし、放射パターン２００がＴＦＴ液晶基
板５０の配線パターンの形成されていない側のガラス面
に接触するようにする。

【００７９】その他については、第２の実施例と全く同
じである。

【００８０】本実施例によれば、本発明による配線パタ
ーン検査装置の第２の実施例による効果に加え、機械的
可動部分が少ないため、装置全体の信頼性が向上すると
ともに、ＴＦＴ液晶基板５０に対する損傷の確率を下げ
ることができるという効果がある。

【００８１】以上示した本発明による配線パターン検査
装置の三つの実施例では、各ドレイン線における断線欠
陥の有無を、検査装置内で検出する構成とした。しか
し、欠陥の有無だけを、電気的な導通を試験する他の導
通検査装置で検査し、欠陥のある基板のみを、本発明に
よる配線パターン検査装置によって検査し、欠陥の位置
を検査するようにすることも可能である。この場合、上
記した配線パターン検査装置の三つの実施例に、導通検
査装置よりの欠陥の存在するドレイン線の位置に関する
情報を入力するための、キーボード、フレキシブル磁気
ディスクあるいはネットワークなどを付加する必要があ
るが、一方で、断線欠陥の有無の検出部分を省くことが
可能になる。

【００８２】通常、製造工程の途中段階において、全て
のＴＦＴ液晶基板に対する欠陥の有無の検査は不可欠で
ある。従って、この検査は、ＴＦＴ液晶基板の製造スピ
ードに同期した速さをもっていなければならない。一
方、欠陥の位置の検出や欠陥の修正などは、欠陥の検出
された基板に対してだけ行えば良く、より多くの時間を
かけることが通常許されている。以上を考慮すると、欠
陥の有無の検査と欠陥位置の検出を、上記したように構
成によって別個に行うことによって、不必要に検査装置
の速度を上げる必要が無くなり、または、必要以上に多
くの検査装置を用意しなくても良くなるため、全体とし
てより少ない設備投資額ですむ可能性があるという効果
がある。

【００８３】図１６に本発明による配線パターン検査装
置に、断線欠陥の修正機能を付加した装置の構成を示
す。本実施例では、ＸＹステージ１０３のストロークを
増やし、欠陥位置を検出したＴＦＴ液晶基板５０を修正
位置に移動させ、欠陥位置に対して修正を行う。装置全
体は、ＸＹステージ１０３、放射基板を内蔵している支
持ステージ１０４、検査部６０１、修正部６０２よりな
り、全体制御部６００によって制御される。本図におい
ては、ローダ／アンローダ装置１０２も示した。パター
ンの修正方法としては、レーザＣＶＤによってガス中の
金属を析出させる方法、金属ペーストを塗布する方法、
金属錯体を塗布しレーザによって金属を析出させる方法
などを対象に応じて用いることができる。

【００８４】断線位置の座標は、検出されたＴＦＴ液晶
基板５０上の位置合わせマークを基準とした座標に変換
され、修正の際の位置合わせに用いられる。すなわち、
修正位置においても、同様に設置されたＴＶカメラと照
明によって、ＴＦＴ液晶基板５０上の位置合わせマーク
が検出され、この検出位置と、位置合わせマークを基準
として座標変換された欠陥の位置座標から、位置合わせ
機構によって修正装置の位置合わせが行われる。

【００８５】また、修正を行った後、ＴＦＴ液晶基板５
０を検査位置に戻して、欠陥の有無の検出を修正したド
レイン線に対して行い、修正が確実に行われたことを確
認することも可能である。

【００８６】検査装置に修正機能を付加することによっ
て、コンパクトな装置構成が実現できるという効果があ
り、結果的に、全体としての設備価格を低く抑えること
が可能になる。また、ＴＦＴ液晶基板を検査装置と修正
装置に載せ換える必要も無いため、段取り時間を省くこ
とができるとともに、載せ換えの際の不適切なハンドリ
ングに起因する新たな欠陥の発生を抑えることができる
という効果を生む。

【００８７】図１７に、以上述べた本発明による配線パ
ターン検査方法に基づいた配線パターン基板の製造方法
のフローチャートを示す。まず、全てのドレイン線に対
して、その電気的導通を試験することによって欠陥の有
無を検査し、欠陥の無い基板は次の工程に送られる。欠
陥のある基板に対しては、その欠陥数が予め定められた
一定値以下の場合、欠陥の存在するドレイン線に対して
本発明による静電特性の変化に基づく欠陥位置の検出が
行われ、その欠陥位置に対して修正装置を位置合わせ
し、欠陥の修正が行われる。欠陥の大きさが異常に大き
い、あるいは欠陥の数が一定値を超えるような場合は、
修正不能として、廃棄する。修正された欠陥に対して
は、再度電気的導通が検査され、欠陥が発見されない場
合は基板を次工程に送り、もし欠陥が再度発見された場
合は、欠陥位置の検出に戻って、以上の処理が繰り返さ
れる。

【００８８】上記した配線パターン基板の製造方法によ
れば、検査と修正が一貫して行われるため、工程におけ
る無駄が無く、また、修正後に再度検査を行うため、欠
陥を含んだ基板が次工程に流れることが無いという効果
がある。

【００８９】以上の実施例では、あたかも１基板上に、
一つのＴＦＴ液晶基板が形成されているかのごとく説明
したが、１基板上に複数のＴＦＴ液晶基板が形成されて
いる場合においても、ローダ／アンローダ装置によっ
て、検査対象のＴＦＴ液晶基板を支持ステージの所定の
位置に装着することにより、まったく同様な構成と動作
で、それぞれのＴＦＴ液晶基板に対して検査、修正を行
うことができる。なお、支持ステージやＸＹステージは
１台のままで、ＴＦＴ液晶基板の１基板上の数に応じ
て、上記した検査装置あるいは修正装置を、一つの装置
内に複数台装備することによっても、対応可能なことは
もちろんである。

【００９０】実施例の説明の冒頭に述べたように、本発
明は、以上説明したＴＦＴ液晶基板に対する検査だけで
なく、全く同様の構成、動作で、ＳＴＮ液晶基板、プラ
ズマディスプレイ基板等の平面表示基板、また一般に、
絶縁物上に形成された配線パターンに対しても適用可能
である。

【００９１】

【発明の効果】本発明による配線パターン検査方法およ
び装置によれば、欠陥の位置を高速に検出できるため、
検査時間の短縮に大きな効果がある。また、外観による
自動検査と比較して、装置の価格を低く抑えることが可
能である。また、本発明による配線パターン検査装置を
用いることによって、平面表示基板などの配線パターン
欠陥を迅速に検査・修正することが可能になり、特に、
大面積の基板に多くの製品基板を形成するような場合、
平均的な工程時間を大きく増加させることなく、最終的
な製品の歩留まりを大きく向上させることが可能になる
という効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による断線検出の原理を示す図である。

【図２】本発明によるショート検出の原理を示す図であ
る。

【図３】本発明の対象の一つであるＴＦＴ液晶基板の構
造例を示す図である。

【図４】ＴＦＴ液晶基板のドレイン線の断線検出を示す
図である。

【図５】本発明によりドレイン線の断線位置を検出する
第１の実施例を示す図である。

【図６】上記第１の実施例における矩形波信号に対する
検出電流波形を示す図である。

【図７】上記第１の実施例における検出信号よりの高調
波信号の選択法を示す図である。

【図８】上記第１の実施例における発振器からアンプま
での等価回路を示す図である。

【図９】上記第１の実施例にて検出信号の強度を検出す
る他の方法を示す図である。

【図１０】ＴＦＴ液晶基板のＴＦＴをオンする方法を示
す図である。

【図１１】本発明によるドレイン線の断線位置を検出す
る第２の実施例を示す図である。

【図１２】上記第２の実施例における放射パターンを選
択する方法を示す図である。

【図１３】本発明による配線パターン検査装置の第１の
実施例を示す図である。

【図１４】本発明による配線パターン検査装置の第２の
実施例を示す図である。

【図１５】本発明による配線パターン検査装置の第３の
実施例を示す図である。

【図１６】本発明による配線パターンの検査・修正装置
の構成例を示す図である。

【図１７】本発明による配線パターン基板の製造方法の
一例を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１液晶基板２ドレイン線３ドレイン線プロービング用電極４ドレイン線共通電極５ゲート線共通電極６、７、２２触針８断線９直流電源１０電流検出器１１配線パターン形成面１２放射基板１３放射パターン１４発振器１５ドライバ回路１６電流−電圧変換用アンプ１７バンドパスフィルタ１８検波回路１９画素電極２０１／ｎ分周器２１ローパスフィルタ２３ゲート線２４ＴＦＴ２５終端抵抗２６選択回路２７矩形波発振器５０ＴＦＴ液晶基板１００マイクロコンピュータ１０１制御装置１０２ローダ／アンローダ装置１０３ＸＹステージ１０４支持ステージ１０５ａ〜ｃ位置決めピン１０６ａ〜ｃプッシャ１０７ＸＹＺステージ１１０ＸＺステージ２００放射パターン２０１、２０２、２０３放射基板３００触針Ｇ３０１触針Ｄ３０３触針Ｓ３０２ａ、ｂ、３０４アクチュエータ３０５ＴＶカメラ３０６照明３０７画像メモリ３０８電流−電圧変換用アンプ３０９ロックインアンプ３１０Ａ／Ｄ変換回路４００発振器４０１選択回路５００フレキシブル磁気ディスク５０１プリンタ６００全体制御部６０１検査部６０２修正部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＧ０２Ｆ 1/1343 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｌ (72)発明者丸山重信神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献特開昭59−214778（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−189897（ＪＰ，Ａ) 特開平１−102498（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−217169（ＪＰ，Ａ) 特開平７−270477（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01R 31/02 G01R 31/00 G01R 31/28 G01R 1/06 - 1/073 G02F 1/1343

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁板の一方の表面に形成された配線パタ
ーンの欠陥を検査する配線パターン検査方法において、
少なくともその一部が前記配線パターンの一部位と静電
的に結合するようになされた電極を、前記配線パターン
の形成面と反対側の前記絶縁板の表面に接触または近接
させ、前記電極と前記配線パターンとの間に時間的に変
化する電圧を印加して、前記電極と前記配線パターンと
の間に流れる電流を検出し、前記電圧印加および前記電
流検出を前記配線パターンの異なる部位について実施
し、前記配線パターンの部位が異なることによって生じ
る前記電流の変化に基づいて、前記配線パターンの欠陥
の検出を行うことを特徴とする配線パターン検査方法。
【請求項２】絶縁板の一方の表面に形成された配線パタ
ーンの欠陥を検査する配線パターン検査方法において、
少なくともその一部が前記配線パターンの一部位と静電
的に結合するようになされた複数の電極を、前記配線パ
ターンの形成面と反対側の前記絶縁板の表面に接触また
は近接させ、複数の前記電極から選択した１個の前記電
極と前記配線パターンとの間に時間的に変化する電圧を
印加して、複数の前記電極から選択した１個の前記電極
と前記配線パターンとの間に流れる電流を検出し、前記
電圧印加および前記電流検出を複数の前記電極のそれぞ
れに対して切り替えて実施することにより生じる前記電
流の変化に基づいて、前記配線パターンの欠陥の検出を
行うことを特徴とする配線パターン検査方法。
【請求項３】複数本の前記電極の切り替えは、３個の前
記電極に対して検出された電流の大小を比較し、最も大
きな差のある２個の前記電極の間にある前記電極を次の
切り替え電極とすることを特徴とする請求項２記載の配
線パターン検査方法。
【請求項４】絶縁板の一方の表面に形成された配線パタ
ーンの欠陥を検査する配線パターン検査装置において、
前記配線パターンの形成面と反対側の前記絶縁板の表面
に接触または近接して配置された電極と、前記配線パタ
ーンに接触させる触針と、前記電極と前記触針間に時間
的に変化する電圧を印加する手段と、前記電極と前記触
針間に流れる電流を検出する手段と、前記電極を前記配
線パターンの異なった位置に移動する手段と、前記電極
の移動に伴う前記電流の変化を検出する手段と、前記電
流の変化の状態に基づいて、前記配線パターンの欠陥の
位置を検出する手段とを有することを特徴とする配線パ
ターン検査装置。
【請求項５】絶縁板の一方の表面に形成された配線パタ
ーンの欠陥を検査する配線パターン検査装置において、
前記配線パターンの形成面と反対側の前記絶縁板の表面
に接触または近接し、前記配線パターンを横切るように
配置された複数の電極と、前記配線パターンに接触させ
る触針と、複数の前記電極の１個を選択する手段と、選
択された前記電極と前記触針間に時間的に変化する電圧
を印加する手段と、前記電極と前記触針間に流れる電流
を検出する手段と、前記電極の選択に伴う前記電流の変
化を検出する手段と、前記電流の変化の状態に基づい
て、前記配線パターンの欠陥の位置を検出する手段とを
有することを特徴とする配線パターン検査装置。
【請求項６】絶縁板の一方の表面に形成された配線パタ
ーンの欠陥を検査する配線パターン検査装置において、
前記配線パターンの形成面と反対側の前記絶縁板の表面
に接触または近接し、前記配線パターンを横切るように
配置された複数の電極と、前記配線パターン上の１点に
接触させる触針と、複数の前記電極の１個を選択する手
段と、選択された前記電極と前記触針間に繰り返し周波
数ｆの矩形波電圧を印加する手段と、前記電極と前記触
針間に流れる電流を検出する手段と、前記電極の選択に
伴う電流の変化を検出する手段と、前記電流の変化の状
態に基づいて、前記配線パターンの欠陥の位置を検出す
る手段とを有することを特徴とする配線パターン検査装
置。