JP2660497B2 - 基板検査用給電制御素子及び基板検査における給電方法並びに基板検査装置 - Google Patents
基板検査用給電制御素子及び基板検査における給電方法並びに基板検査装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶ガラス基板、セラ
ミック積層ＩＣパッケージ、積層基板等の電子回路基板
に形成された回路パターンの短絡，断線等の不良箇所や
パターンに接続された回路部品の実装不良を検出するた
めに、パルス変調レーザー光を照射して検査対象回路パ
ターンに個別給電すべく給電方式を改善した基板検査用
給電制御素子及び基板検査における給電方法並びに基板
検査装置に関する。
ミック積層ＩＣパッケージ、積層基板等の電子回路基板
に形成された回路パターンの短絡，断線等の不良箇所や
パターンに接続された回路部品の実装不良を検出するた
めに、パルス変調レーザー光を照射して検査対象回路パ
ターンに個別給電すべく給電方式を改善した基板検査用
給電制御素子及び基板検査における給電方法並びに基板
検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子回路基板等の検査方法又は装
置は、検査対象電極のそれぞれに給電用と受電用の接続
ピンをたて、給電及び受電をおこなって個々の検査対象
電極から信号がでているかどうかを検査していた。ま
た、このプロービングを確実におこなうために位置決め
装置が必要であった。
置は、検査対象電極のそれぞれに給電用と受電用の接続
ピンをたて、給電及び受電をおこなって個々の検査対象
電極から信号がでているかどうかを検査していた。ま
た、このプロービングを確実におこなうために位置決め
装置が必要であった。
【０００３】近年、電子機器の小型化，軽量化に伴って
電子回路基板（被検査基板）の高密度化，搭載ＩＣの狭
ピッチ化等が急速に進展し、これらに相応した基板検査
に係る作業性、信頼性及びコスト等の要請も重大性を増
してきている。
電子回路基板（被検査基板）の高密度化，搭載ＩＣの狭
ピッチ化等が急速に進展し、これらに相応した基板検査
に係る作業性、信頼性及びコスト等の要請も重大性を増
してきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここでは、回路パター
ンのピッチが狭くなればなるほど入出力点数が増し、検
査治具を複雑かつ高精度にする必要があり、高価なもの
となっていた。
ンのピッチが狭くなればなるほど入出力点数が増し、検
査治具を複雑かつ高精度にする必要があり、高価なもの
となっていた。
【０００５】こうしたなかで、接触式又は非接触式に大
別される検査方式に共通する問題は、給電方式とリンク
するプロービングの問題として考慮されており、電子回
路基板の進化に応じた新たな給電方式（手段）の改善が
望まれている。
別される検査方式に共通する問題は、給電方式とリンク
するプロービングの問題として考慮されており、電子回
路基板の進化に応じた新たな給電方式（手段）の改善が
望まれている。
【０００６】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
のであって、上記課題を解消し、レーザー光を利用する
非接触式基板検査においてその給電方式を改善すること
により、高密度の回路パターンを有する電子回路基板の
短絡，断線等の不良箇所やパターンに接続された回路部
品の実装不良の検査を効率よくおこない、しかも接続ピ
ン等の装置構成を不要として製品の立ち上げ早期化及び
検査（装置）の低コスト化を実現した基板検査用給電制
御素子及び基板検査における給電方法並びに基板検査装
置を提供することを目的とするものである。
のであって、上記課題を解消し、レーザー光を利用する
非接触式基板検査においてその給電方式を改善すること
により、高密度の回路パターンを有する電子回路基板の
短絡，断線等の不良箇所やパターンに接続された回路部
品の実装不良の検査を効率よくおこない、しかも接続ピ
ン等の装置構成を不要として製品の立ち上げ早期化及び
検査（装置）の低コスト化を実現した基板検査用給電制
御素子及び基板検査における給電方法並びに基板検査装
置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、パルス変調レーザー光を照射して検査対象
回路パターン上に電圧を印加するために、検査対象回路
パターンとの間に静電容量結合部を形成して個別給電す
るようにした基板検査用給電制御素子であって、素子構
造が、パルス変調レーザー光照射側に対向するガラス基
台（11）と回路パターン側に対向する絶縁体（16）との
間に、透明電極（12）及び光導電膜（13）からなる積層
部と透明電極（12）及び抵抗膜（14）からなる積層部と
を並設するとともにそれぞれの端面を離間させて絶縁ギ
ャップ（17）を設け、この絶縁ギャップ（17）の絶縁体
（16）側に異方性導電体（15）を設けて絶縁ギャップ
（17）の一端を塞ぎ、ガラス基台（11）、透明電極（1
2）、絶縁ギャップ（17）を含む光導電膜（13）ないし
は抵抗膜（14）、異方性導電体（15）及び絶縁体（16）
の積層順を有してなることを特徴とするものである。
に本発明は、パルス変調レーザー光を照射して検査対象
回路パターン上に電圧を印加するために、検査対象回路
パターンとの間に静電容量結合部を形成して個別給電す
るようにした基板検査用給電制御素子であって、素子構
造が、パルス変調レーザー光照射側に対向するガラス基
台（11）と回路パターン側に対向する絶縁体（16）との
間に、透明電極（12）及び光導電膜（13）からなる積層
部と透明電極（12）及び抵抗膜（14）からなる積層部と
を並設するとともにそれぞれの端面を離間させて絶縁ギ
ャップ（17）を設け、この絶縁ギャップ（17）の絶縁体
（16）側に異方性導電体（15）を設けて絶縁ギャップ
（17）の一端を塞ぎ、ガラス基台（11）、透明電極（1
2）、絶縁ギャップ（17）を含む光導電膜（13）ないし
は抵抗膜（14）、異方性導電体（15）及び絶縁体（16）
の積層順を有してなることを特徴とするものである。
【０００８】また、検査対象回路パターンの両端に各々
静電容量結合部を形成して給電側と検出側を構成し、給
電側の静電容量結合部を介してパルス変調レーザー光を
照射することによりこの検査対象回路パターン上に電圧
を印加するようにした基板検査における給電方法であっ
て、検査対象回路パターンの一端に請求項１記載の給電
制御素子を配置し、その透明電極に検査対象回路パター
ンのピッチより十分小さいスポットのパルス変調レーザ
ー光を走査して検査対象回路パターンに個別給電するこ
とを特徴とするものである。
静電容量結合部を形成して給電側と検出側を構成し、給
電側の静電容量結合部を介してパルス変調レーザー光を
照射することによりこの検査対象回路パターン上に電圧
を印加するようにした基板検査における給電方法であっ
て、検査対象回路パターンの一端に請求項１記載の給電
制御素子を配置し、その透明電極に検査対象回路パター
ンのピッチより十分小さいスポットのパルス変調レーザ
ー光を走査して検査対象回路パターンに個別給電するこ
とを特徴とするものである。
【０００９】また、検査対象回路パターンの両端に各々
静電容量結合部を形成して給電側と検出側を構成し、給
電側の静電容量結合部を介してパルス変調レーザー光を
照射することにより検査対象回路パターン上に電圧を印
加し、検出側の静電容量結合部に受電して信号検出及び
波形処理するようにした基板検査装置であって、静電容
量結合により検査対象回路パターン（５）上に電圧を印
加するための給電制御手段（１）と、前記給電制御手段
（１）に検査対象回路パターン（５）のピッチより十分
小さいスポットのパルス変調レーザー光（６）を照射す
るためのパルス変調レーザー光照射手段（２）と、静電
容量結合により検査対象回路パターン上の電圧変化を検
出するための信号検出手段（３）と、前記信号検出手段
（３）における検出信号を波形処理するための波形処理
手段（４）を具備したことを特徴とするものである。
静電容量結合部を形成して給電側と検出側を構成し、給
電側の静電容量結合部を介してパルス変調レーザー光を
照射することにより検査対象回路パターン上に電圧を印
加し、検出側の静電容量結合部に受電して信号検出及び
波形処理するようにした基板検査装置であって、静電容
量結合により検査対象回路パターン（５）上に電圧を印
加するための給電制御手段（１）と、前記給電制御手段
（１）に検査対象回路パターン（５）のピッチより十分
小さいスポットのパルス変調レーザー光（６）を照射す
るためのパルス変調レーザー光照射手段（２）と、静電
容量結合により検査対象回路パターン上の電圧変化を検
出するための信号検出手段（３）と、前記信号検出手段
（３）における検出信号を波形処理するための波形処理
手段（４）を具備したことを特徴とするものである。
【００１０】ここで、給電制御手段（１）が請求項１記
載の給電制御素子であり、パルス変調レーザー光照射手
段（２）がレーザー光スキャンコントローラ（21）及び
パルス変調回路（22）であり、信号検出手段（３）が検
査対象回路パターン（５）と導電板（31ａ）の間に絶縁
体（31ｂ）を介して形成されたコンデンサ部（31）であ
り、波形処理手段（４）が波形処理回路（41）である。
載の給電制御素子であり、パルス変調レーザー光照射手
段（２）がレーザー光スキャンコントローラ（21）及び
パルス変調回路（22）であり、信号検出手段（３）が検
査対象回路パターン（５）と導電板（31ａ）の間に絶縁
体（31ｂ）を介して形成されたコンデンサ部（31）であ
り、波形処理手段（４）が波形処理回路（41）である。
【００１１】さらに、上記基板検査装置（Ｙ）は、レー
ザー光スキャンコントローラ（21）及び波形処理回路
（41）に接続され、パルス変調レーザー光（６）の照射
制御とデータ処理を含む波形処理の二次処理系を構成す
る外部コンピュータ（７）を具備する場合がある。
ザー光スキャンコントローラ（21）及び波形処理回路
（41）に接続され、パルス変調レーザー光（６）の照射
制御とデータ処理を含む波形処理の二次処理系を構成す
る外部コンピュータ（７）を具備する場合がある。
【００１２】
【作用】レーザー光スキャンコントローラをコンピュー
タ制御し、給電制御素子の透明電極面にパルス変調レー
ザー光を照射すると、給電制御素子の光導電膜の抵抗が
パルス変調レーザー光のスポットが当たった場所だけパ
ルス変調レーザー光のパルス変調に応じて変化し、この
挙動とともに給電制御素子の抵抗膜と光導電膜との絶縁
ギャップの一端を塞ぐように積層配置された異方性導電
体に電圧変化が生じ、静電容量結合によってこの異方性
導電体に近接した直下の回路パターンに給電、すなわち
検査対象回路パターン上に電圧が印加される。
タ制御し、給電制御素子の透明電極面にパルス変調レー
ザー光を照射すると、給電制御素子の光導電膜の抵抗が
パルス変調レーザー光のスポットが当たった場所だけパ
ルス変調レーザー光のパルス変調に応じて変化し、この
挙動とともに給電制御素子の抵抗膜と光導電膜との絶縁
ギャップの一端を塞ぐように積層配置された異方性導電
体に電圧変化が生じ、静電容量結合によってこの異方性
導電体に近接した直下の回路パターンに給電、すなわち
検査対象回路パターン上に電圧が印加される。
【００１３】そして、検出側の回路パターン上にコンデ
ンサ部を形成して、検査対象回路パターン上の電圧変化
を静電容量結合により信号検出し、波形処理することに
より、不良判断が可能となる。
ンサ部を形成して、検査対象回路パターン上の電圧変化
を静電容量結合により信号検出し、波形処理することに
より、不良判断が可能となる。
【００１４】ここで、短絡がない場合は、電流がどの回
路パターンにも同じだけの電圧変化が検出される。ま
た、短絡箇所がある場合は、コンデンサ部の面積が増す
ことになり、単位時間当たりの電流量が増加し、検出電
圧が増加する。さらに、断線箇所がある場合は電圧変化
は検出されない。
路パターンにも同じだけの電圧変化が検出される。ま
た、短絡箇所がある場合は、コンデンサ部の面積が増す
ことになり、単位時間当たりの電流量が増加し、検出電
圧が増加する。さらに、断線箇所がある場合は電圧変化
は検出されない。
【００１５】
【実施例】本発明の一実施例を添付図面にしたがって以
下説明する。
下説明する。
【００１６】図１は給電制御素子の素子構造を示す説明
図である。図中、11がガラス基台、12が透明電極、13が
光導電膜、14が抵抗膜、15が異方性導電体、16が絶縁
体、17が絶縁ギャップ及びＸが基板検査用給電制御素子
である。
図である。図中、11がガラス基台、12が透明電極、13が
光導電膜、14が抵抗膜、15が異方性導電体、16が絶縁
体、17が絶縁ギャップ及びＸが基板検査用給電制御素子
である。
【００１７】図示するように、基板検査用給電制御素子
（Ｘ）の素子構造が、パルス変調レーザー光照射側に対
向するガラス基台（11）と回路パターン側に対向する絶
縁体（16）との間に、透明電極（12）及び光導電膜（1
3）からなる積層部と透明電極（12）及び抵抗膜（14）
からなる積層部とを並設するとともにそれぞれの端面を
離間させて絶縁ギャップ（17）を設け、この絶縁ギャッ
プ（17）の絶縁体（16）側に異方性導電体（15）を設け
て絶縁ギャップ（17）の一端を塞ぎ、ガラス基台（1
1）、透明電極（12）、絶縁ギャップ（17）を含む光導
電膜（13）ないしは抵抗膜（14）、異方性導電体（15）
及び絶縁体（16）の積層順を有したものである。
（Ｘ）の素子構造が、パルス変調レーザー光照射側に対
向するガラス基台（11）と回路パターン側に対向する絶
縁体（16）との間に、透明電極（12）及び光導電膜（1
3）からなる積層部と透明電極（12）及び抵抗膜（14）
からなる積層部とを並設するとともにそれぞれの端面を
離間させて絶縁ギャップ（17）を設け、この絶縁ギャッ
プ（17）の絶縁体（16）側に異方性導電体（15）を設け
て絶縁ギャップ（17）の一端を塞ぎ、ガラス基台（1
1）、透明電極（12）、絶縁ギャップ（17）を含む光導
電膜（13）ないしは抵抗膜（14）、異方性導電体（15）
及び絶縁体（16）の積層順を有したものである。
【００１８】そして、上記給電制御素子（Ｘ）を使用し
た給電方法は、検査対象回路パターンの一端に上記給電
制御素子（Ｘ）を配置し、この回路パターンとの間に静
電容量結合部を形成する。そして、その透明電極（12）
に回路パターンのピッチより十分小さいスポットのパル
ス変調レーザー光を走査して回路パターンに個別給電す
る、すなわち検査対象回路パターン上に電圧を印加する
ものである。
た給電方法は、検査対象回路パターンの一端に上記給電
制御素子（Ｘ）を配置し、この回路パターンとの間に静
電容量結合部を形成する。そして、その透明電極（12）
に回路パターンのピッチより十分小さいスポットのパル
ス変調レーザー光を走査して回路パターンに個別給電す
る、すなわち検査対象回路パターン上に電圧を印加する
ものである。
【００１９】また、上記給電方法を給電手段として構成
した基板検査装置は、検査対象回路パターンの両端に各
々静電容量結合部を形成して給電側と検出側を構成し、
給電側の静電容量結合部を介してパルス変調レーザー光
を照射することにより検査対象回路パターン上に電圧を
印加し、検出側の静電容量結合部に受電して信号検出及
び波形処理するようにしたものである。
した基板検査装置は、検査対象回路パターンの両端に各
々静電容量結合部を形成して給電側と検出側を構成し、
給電側の静電容量結合部を介してパルス変調レーザー光
を照射することにより検査対象回路パターン上に電圧を
印加し、検出側の静電容量結合部に受電して信号検出及
び波形処理するようにしたものである。
【００２０】図２に装置構成概略図及び図３に等価回路
図を示す。ここで各図に共通して、１が給電制御手段、
２がパルス変調レーザー光照射手段、３が信号検出手
段、４が波形処理手段、５が検査対象回路パターン、６
がパルス変調レーザー光、７が外部コンピュータ、21が
レーザー光スキャンコントローラー、22がパルス変調回
路、31がコンデンサ部、31ａが導電板、31ｂが絶縁体、
41が波形処理回路（オシロスコープ）及びＹが基板検査
装置である。
図を示す。ここで各図に共通して、１が給電制御手段、
２がパルス変調レーザー光照射手段、３が信号検出手
段、４が波形処理手段、５が検査対象回路パターン、６
がパルス変調レーザー光、７が外部コンピュータ、21が
レーザー光スキャンコントローラー、22がパルス変調回
路、31がコンデンサ部、31ａが導電板、31ｂが絶縁体、
41が波形処理回路（オシロスコープ）及びＹが基板検査
装置である。
【００２１】その構成は、検査対象回路パターン（５）
の一端で上記給電制御素子（Ｘ）を介して静電結合によ
り検査対象回路パターン（５）上に電圧を印加するため
の給電制御手段（１）と、前記給電制御素子（Ｘ）の透
明電極（12）に検査対象回路パターン（５）のピッチよ
り十分小さいスポットのパルス変調レーザー光（６）を
照射するためのパルス変調レーザー光照射手段（２）
と、検査対象回路パターン（５）の他端で静電容量結合
により検査対象回路パターン（５）上の電圧変化を検出
するための信号検出手段（３）と、前記信号検出手段
（３）における検出信号を波形処理するための波形処理
手段（４）を具備している。
の一端で上記給電制御素子（Ｘ）を介して静電結合によ
り検査対象回路パターン（５）上に電圧を印加するため
の給電制御手段（１）と、前記給電制御素子（Ｘ）の透
明電極（12）に検査対象回路パターン（５）のピッチよ
り十分小さいスポットのパルス変調レーザー光（６）を
照射するためのパルス変調レーザー光照射手段（２）
と、検査対象回路パターン（５）の他端で静電容量結合
により検査対象回路パターン（５）上の電圧変化を検出
するための信号検出手段（３）と、前記信号検出手段
（３）における検出信号を波形処理するための波形処理
手段（４）を具備している。
【００２２】ここで、パルス変調レーザー光照射手段
（２）がレーザー光スキャンコントローラ（21）及びパ
ルス変調回路（22）であり、信号検出手段（３）が検出
対象回路パターン（５）と導電板（31ａ）の間に絶縁体
（31ｂ）を介して形成されたコンデンサ部（31）であ
り、波形処理手段（４）が波形処理回路（41）である。
通常、波形処理回路（41）にはオシロスコープを使用す
る。
（２）がレーザー光スキャンコントローラ（21）及びパ
ルス変調回路（22）であり、信号検出手段（３）が検出
対象回路パターン（５）と導電板（31ａ）の間に絶縁体
（31ｂ）を介して形成されたコンデンサ部（31）であ
り、波形処理手段（４）が波形処理回路（41）である。
通常、波形処理回路（41）にはオシロスコープを使用す
る。
【００２３】さらに、上記基板検査装置（Ｙ）は、レー
ザー光スキャンコントローラ（21）及び波形処理回路
（41）に接続され、パルス変調レーザー光（６）の照射
制御とデータ処理を含む波形処理の二次処理系を構成す
る外部コンピュータ（７）を具備する場合がある。この
実施例ブロック図を図４に示す。図中、７が外部コンピ
ュータである。
ザー光スキャンコントローラ（21）及び波形処理回路
（41）に接続され、パルス変調レーザー光（６）の照射
制御とデータ処理を含む波形処理の二次処理系を構成す
る外部コンピュータ（７）を具備する場合がある。この
実施例ブロック図を図４に示す。図中、７が外部コンピ
ュータである。
【００２４】いま、レーザー光スキャンコントローラを
コンピュータ制御し、給電制御素子の透明電極面にパル
ス変調レーザー光を照射すると、検査対象回路パターン
上に電圧が印加され、検出側のコンデンサ部で検査対象
回路パターン上の電圧変化が検出される。
コンピュータ制御し、給電制御素子の透明電極面にパル
ス変調レーザー光を照射すると、検査対象回路パターン
上に電圧が印加され、検出側のコンデンサ部で検査対象
回路パターン上の電圧変化が検出される。
【００２５】この検出信号は波形処理され、コンピュー
タのＣＲＴ画面で不良形態特有のそれぞれの出力波形が
表示されるので目視判断が可能となる。
タのＣＲＴ画面で不良形態特有のそれぞれの出力波形が
表示されるので目視判断が可能となる。
【００２６】図５（ａ）（ｂ）（ｃ）に出力波形（波形
処理後）を示す。
処理後）を示す。
【００２７】ここで、短絡がない場合は、電流がどの回
路パターンにも同じだけの電圧変化が検出され、図中
（ａ）の波形を示す。また、短絡箇所がある場合は、コ
ンデンサ部の面積が増大する（単位時間当たりの電流量
が増加する。）ことになり、検出電圧が増加して、図中
（ｂ）の波形を示す。さらに、断線箇所がある場合
（ｃ）は、電圧変化は検出されず、図中（ｃ）の波形を
示す。
路パターンにも同じだけの電圧変化が検出され、図中
（ａ）の波形を示す。また、短絡箇所がある場合は、コ
ンデンサ部の面積が増大する（単位時間当たりの電流量
が増加する。）ことになり、検出電圧が増加して、図中
（ｂ）の波形を示す。さらに、断線箇所がある場合
（ｃ）は、電圧変化は検出されず、図中（ｃ）の波形を
示す。
【００２８】
【発明の効果】本発明は以上の構成よりなるものであ
り、これによれば給電側の対象電極と給電制御素子間で
静電容量結合部を手段構成しパルス変調レーザー光を照
射することにより非接触個別給電するようにしているの
で、高密度の回路パターンを有する電子回路基板の非接
触基板検査に適用できる。
り、これによれば給電側の対象電極と給電制御素子間で
静電容量結合部を手段構成しパルス変調レーザー光を照
射することにより非接触個別給電するようにしているの
で、高密度の回路パターンを有する電子回路基板の非接
触基板検査に適用できる。
【００２９】この給電方式の改善は、近年の電子回路基
板の開発動向とニーズに沿ってプロービングの問題点を
解消するものであり、高密度の回路パターンを有する電
子回路基板の短絡，断線等の不良箇所やパターンに接続
された回路部品の実装不良のの検出において、接続ピン
及び位置決め装置等が不要となるので、容易かつ短時間
に信頼性の高い基板検査をおこなうことができる。しか
も、装置構成の簡素化により製造コストの低減が図れ
る。
板の開発動向とニーズに沿ってプロービングの問題点を
解消するものであり、高密度の回路パターンを有する電
子回路基板の短絡，断線等の不良箇所やパターンに接続
された回路部品の実装不良のの検出において、接続ピン
及び位置決め装置等が不要となるので、容易かつ短時間
に信頼性の高い基板検査をおこなうことができる。しか
も、装置構成の簡素化により製造コストの低減が図れ
る。
【００３０】また、検出側では波形処理により不良形態
特有の波形パターンをＣＲＴ画面で目視判断するように
しているので、不良箇所の把握が極めて容易である。
特有の波形パターンをＣＲＴ画面で目視判断するように
しているので、不良箇所の把握が極めて容易である。
【図１】給電制御素子の素子構造を示す説明図である。
【図２】装置構成概略図である。
【図３】本発明装置の等価回路である。
【図４】外部コンピュータを接続した実施例ブロック図
である。
である。
【図５】出力波形（波形処理後）の説明図である。
１ 給電制御手段 ２ パルス変調レーザー光照射手段 ３ 信号検出手段 ４ 波形処理手段 ５ 検査対象回路パターン ６ パルス変調レーザー光 ７ 外部コンピュータ 11 ガラス基台 12 透明電極 13 光導電膜 14 抵抗膜 15 異方性導電体 16 絶縁体 17 絶縁ギャップ 21 レーザー光スキャンコントローラー 22 パルス変調回路 31 コンデンサ部 31ａ 導電板 31ｂ 絶縁体 41 波形処理回路（オシロスコープ） Ｘ 基板検査用給電制御素子 Ｙ 基板検査装置
Claims (5)
- 【請求項１】 基板に形成された回路パターンの短絡，
断線等の不良箇所やパターンに接続された回路部品の実
装不良を非接触検出するための基板検査装置の給電手段
の改善において、パルス変調レーザー光を照射して検査
対象回路パターン上に電圧を印加するために、検査対象
回路パターンとの間に静電容量結合部を形成して個別給
電するようにした基板検査用給電制御素子であって、素
子構造が、パルス変調レーザー光照射側に対向するガラ
ス基台（11）と回路パターン側に対向する絶縁体（16）
との間に、透明電極（12）及び光導電膜（13）からなる
積層部と透明電極（12）及び抵抗膜（14）からなる積層
部とを並設するとともにそれぞれの端面を離間させて絶
縁ギャップ（17）を設け、この絶縁ギャップ（17）の絶
縁体（16）側に異方性導電体（15）を設けて絶縁ギャッ
プ（17）の一端を塞ぎ、ガラス基台（11）、透明電極
（12）、絶縁ギャップ（17）を含む光導電膜（13）ない
しは抵抗膜（14）、異方性導電体（15）及び絶縁体（1
6）の積層順を有してなることを特徴とする基板検査用
給電制御素子。 - 【請求項２】 基板に形成された回路パターンの短絡，
断線等の不良箇所やパターンに接続された回路部品の実
装不良を非接触検出するための基板検査方法の改善にお
いて、検査対象回路パターンの両端に各々静電容量結合
部を形成して給電側と検出側を構成し、給電側の静電容
量結合部を介してパルス変調レーザー光を照射すること
によりこの検査対象回路パターン上に電圧を印加するよ
うにした基板検査における給電方法であって、検査対象
回路パターンの一端に請求項１記載の給電制御素子を配
置し、その透明電極に検査対象回路パターンのピッチよ
り十分小さいスポットのパルス変調レーザー光を走査し
て検査対象回路パターンに個別給電することを特徴とす
る基板検査における給電方法。 - 【請求項３】 基板に形成された回路パターンの短絡，
断線等の不良箇所やパターンに接続された回路部品の実
装不良を非接触検出するための基板検査装置の改善にお
いて、検査対象回路パターンの両端に各々静電容量結合
部を形成して給電側と検出側を構成し、給電側の静電容
量結合部を介してパルス変調レーザー光を照射すること
により検査対象回路パターン上に電圧を印加し、検出側
の静電容量結合部に受電して信号検出及び波形処理する
ようにした基板検査装置であって、静電容量結合により
検査対象回路パターン（５）上に電圧を印加するための
給電制御手段（１）と、前記給電制御手段（１）に検査
対象回路パターン（５）のピッチより十分小さいスポッ
トのパルス変調レーザー光（６）を照射するためのパル
ス変調レーザー光照射手段（２）と、静電容量結合によ
り検査対象回路パターン上の電圧変化を検出するための
信号検出手段（３）と、前記信号検出手段（３）におけ
る検出信号を波形処理するための波形処理手段（４）を
具備したことを特徴とする基板検査装置。 - 【請求項４】 給電制御手段（１）が請求項１記載の給
電制御素子であり、パルス変調レーザー光照射手段
（２）がレーザー光スキャンコントローラ（21）及びパ
ルス変調回路（22）であり、信号検出手段（３）が検査
対象回路パターン（５）と導電板（31ａ）の間に絶縁体
（31ｂ）を介して形成されたコンデンサ部（31）であ
り、波形処理手段（４）が波形処理回路（41）である請
求項３記載の基板検査装置。 - 【請求項５】 レーザー光スキャンコントローラ（21）
及び波形処理回路（41）に接続され、パルス変調レーザ
ー光（６）の照射制御とデータ処理を含む波形処理の二
次処理系を構成する外部コンピュータ（７）を具備した
請求項３又は４記載の基板検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7057949A JP2660497B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 基板検査用給電制御素子及び基板検査における給電方法並びに基板検査装置 |
| US08/512,066 US5747999A (en) | 1994-08-15 | 1995-07-07 | Feed control element used in substrate inspection and method and apparatus for inspecting substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7057949A JP2660497B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 基板検査用給電制御素子及び基板検査における給電方法並びに基板検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08226949A JPH08226949A (ja) | 1996-09-03 |
| JP2660497B2 true JP2660497B2 (ja) | 1997-10-08 |
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ID=13070294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7057949A Expired - Fee Related JP2660497B2 (ja) | 1994-08-15 | 1995-02-21 | 基板検査用給電制御素子及び基板検査における給電方法並びに基板検査装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2994259B2 (ja) | 1996-03-28 | 1999-12-27 | オー・エイチ・ティー株式会社 | 基板検査方法および基板検査装置 |
| JP2002365325A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-18 | Oht Inc | 回路パターン検査装置並びに回路パターン検査方法及び記録媒体 |
| JP2006300665A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Oht Inc | 検査装置および導電パターン検査方法 |
-
1995
- 1995-02-21 JP JP7057949A patent/JP2660497B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH08226949A (ja) | 1996-09-03 |
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