KR101096731B1 - 액정표시소자의 제조방법 - Google Patents

액정표시소자의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101096731B1
KR101096731B1 KR1020040113790A KR20040113790A KR101096731B1 KR 101096731 B1 KR101096731 B1 KR 101096731B1 KR 1020040113790 A KR1020040113790 A KR 1020040113790A KR 20040113790 A KR20040113790 A KR 20040113790A KR 101096731 B1 KR101096731 B1 KR 101096731B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
light leakage
pixel electrode
gate
liquid crystal
Prior art date
Application number
KR1020040113790A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060075199A (ko
Inventor
조인관
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020040113790A priority Critical patent/KR101096731B1/ko
Publication of KR20060075199A publication Critical patent/KR20060075199A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101096731B1 publication Critical patent/KR101096731B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1316—Methods for cleaning the liquid crystal cells, or components thereof, during manufacture: Materials therefor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)

Abstract

본 발명은 화소전극 표면의 이물질 제거시 형성되는 화소전극 오픈영역을 차광함으로써 빛샘을 방지하고자 하는 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 게이트 배선 및 데이터 배선을 수직교차되게 형성하여 화소영역을 정의하는 단계; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터에 콘택되는 화소전극을 형성하는 단계; 상기 화소전극 표면의 이물질을 제거하는 단계와, 상기 이물질을 제거하는 단계에서 오픈된 화소전극 상부에 빛샘방지막을 형성하는 단계를 LCVD장치에서 동시에 수행하는 단계를 포함하며, 상기 이물질을 제거하는 단계와, 상기 빛샘방지막을 동시에 형성하는 단계는 상기 LCVD장치의 반응 챔버 내부로 기판을 인입하여 상기 기판에 레이저 빔을 조사하여 상기 이물질을 제거하는 단계와; 상기 반응 챔버 내로 도전물질을 포함하는 전구체 가스를 공급하여 상기 빛샘 방지막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
리페어, LCVD, 화소전극 오픈, 텅스텐, 빛샘

Description

액정표시소자의 제조방법{METHOD FOR FABRICATING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
도 1은 종래 기술에 의한 액정표시소자의 평면도.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선상에서의 절단면도.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 의한 액정표시소자의 공정평면도.
도 4는 도 3c의 Ⅱ-Ⅱ'선상에서의 절단면도.
도 5는 LCVD 장치를 나타낸 사시도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
111 : TFT 어레이 기판 112 : 게이트 배선
112a : 게이트 전극 114 : 반도체층
115 : 데이터 배선 115a : 소스 전극
115b : 드레인 전극 117 : 화소전극
120 : 빛샘방지막 125 : 이물질
"A" : 화소전극 오픈영역
본 발명은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 화소전극 표면의 이물질 제거시 형성되는 화소전극 오픈영역을 차광함으로써 빛샘을 방지하고자 하는 액정표시소자의 제조방법에 관한 것이다.
근래 고품위 TV(high definition TV) 등의 새로운 첨단 영상기기가 개발됨에 따라 브라운관(CRT) 대신에 액정표시소자(LCD :Liquid Crystal Display), ELD(electro luminescence display), VFD(vacuum fluorescence display), PDP(plasma display panel)등과 같은 평판표시소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
그 중에서도 최근 계속해서 주목받고 있는 평판표시소자 중 하나인 액정표시소자는 액체의 유동성과 결정의 광학적 성질을 겸비하는 액정에 전계를 가하여 광학적 이방성을 변화시키는 소자로서, 박형, 저가, 저소비 전력 구동 등의 특징을 가져 랩 톱 컴퓨터(lap top computer)나 포켓 컴퓨터(pocket computer) 외에 차량 적재용, 칼라 TV의 화상용으로도 그 용도가 급속하게 확대되고 있다.
이러한 액정표시소자는 상부기판인 컬러필터(color filter) 어레이 기판과 하부기판인 박막트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor) 어레이 기판이 서로 대향되도록 배치되고, 그 사이에 유전 이방성을 갖는 액정이 형성되는 구조를 가져, 화소 선택용 어드레스(address) 배선을 통해 수십 만개의 화소에 부가된 TFT를 스위칭 동작시켜 해당 화소에 전압을 인가하고, 스토리지 커패시터에 의해 다음 어드레스까지 해당 화소에 충진된 전압을 유지시켜 주는 방식으로 구동된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 의한 액정표시소자를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 의한 액정표시소자의 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선상에서의 절단면도이다.
액정표시소자는 TFT 어레이 기판과 컬러필터 기판이 액정층을 사이에 두고 대향 합착되는 바, 상기 TFT 어레이 기판에는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 주사신호를 전달하는 복수개의 게이트 배선(12)과, 상기 게이트 배선(12)을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막(13)과, 상기 게이트 배선(12)에 교차되도록 형성되어 영상신호를 전달하는 데이터 배선(15)과, 상기 게이트 배선(12) 및 데이터 배선(15)의 교차 지점에서 게이트 전극(12a), 게이트 절연막(13), 반도체층(14), 소스 전극(15a) 및 드레인 전극(15b)으로 적층된 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 박막트랜지스터(TFT)를 포함한 전면에 형성된 보호막(18)과, 상기 보호막 상에서 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극(15b)에 전기적으로 연결되는 화소전극(17)이 형성되어 있다.
이 때, 상기 화소전극(17)은 전단 게이트 배선(12)에 연장 오버랩되어, 상기 화소전극(17)과, 상기 화소전극(17)에 오버랩되는 게이트 배선(12)과, 그 사이에 개재된 게이트 절연막(13) 및 보호막(18)이 스토리지 커패시터를 구성한다.
그리고, 상기 보호막(18)으로 유기절연물질을 사용하여 형성하는 경우, 반도체층(14)의 채널층과의 접촉특성을 위해서, 보호막 하부에 무기절연막(16)을 더 형성하기도 한다.
이와같이 형성된 TFT 어레이 기판(11)은 라인 디펙트(line defect) 및 포인 트 디펙트(point defect)등의 불량을 테스트하기 위해 자동 프로브장치를 통해 불량 좌표를 검출한다. 상기 불량 좌표 검출 방법은 한 라인씩 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 니들을 고정하고 외부 신호를 통해 전압을 인가한 다음 신호를 구동하지 못하는 좌표를 검출하는 방법으로 행한다.
이 과정에서 화소전극(17)에 이물질이 발견되는 경우, 레이저 리페어 장비(ILW)를 이용하여 이물질을 제거한다. 즉, 고에너지의 인공 광선인 레이저를 이물질에 조사하면 레이저가 열에너지로 변해 이물질을 녹이거나 연소시켜 제거한다.
상기와 같이 형성된 TFT 어레이 기판(11)은 컬러필터 어레이 기판(21)과 대향합착되고, 그 사이에 액정층(31)을 구비하여 형성되는데, 상기 컬러필터 어레이 기판(21)에는 빛샘을 차광하기 위해 화소영역 가장자리에 형성되는 블랙매트릭스(22)와, 색상을 구현하기 위해 각 화소영역의 개구부에 형성되는 R,G,B의 컬러필터층(23)과, TFT 어레이 기판의 화소전극(17)에 대향하도록 전 기판에 형성되는 공통전극(24)이 구비되어 있다.
여기서, 상기 화소전극(17)과 공통전극(24) 사이에 형성되는 수직전계에 의해 액정분자가 원하는 방향으로 제어되어 백라이트의 빛을 투과/차광함으로써 표시상의 화이트 레밸 또는 블랙 레밸을 조절한다.
그러나, 전술한 바와 같이, 이물질 제거 과정에서 레이저의 강한 열에너지에 의해 화소전극(17)이 녹아 오픈되는 문제점이 있었다.
이와같이, 개구부에 형성되는 화소전극에 오픈영역("A")이 형성되는 경우, 오픈영역("A")에 전계가 형성되지 않아 액정이 원하는 방향으로 구동되지 않게 된 다. 액정이 구동되지 않는 영역은, 블랙 레밸 상태에서, 백라이트의 빛이 그대로 통과하게 되어 화면상에 빛샘(휘점)으로 나타나게 된다.
즉, 종래 기술에 의한 액정표시소자의 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
이물질 제거과정에서 화소전극이 오픈된 영역에서는 액정을 구동할 수 없어 블랙 레밸 상태에서, 백라이트(B/L)의 빛이 그대로 통과하게 되어 화면상에 빛샘(휘점)으로 나타나게 되는데, 이는 화면 밝기를 불균일하게 하는 등 화질불량을 발생시켜 소자의 표시품질을 떨어뜨린다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 이물질 제거에 의해 화소전극이 오픈되어 빛샘이 발생하는 문제점을 해결하기 위해 상기 화소전극이 오픈된 영역에 빛샘방지막을 더 형성함으로써 빛샘을 방지하고자 하는 액정표시소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조방법은 기판 상에 게이트 배선 및 데이터 배선을 수직교차되게 형성하여 화소영역을 정의하는 단계; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터에 콘택되는 화소전극을 형성하는 단계; 상기 화소전극 표면의 이물질을 제거하는 단계와, 상기 이물질을 제거하는 단계에서 오픈된 화소전극 상부에 빛샘방지막을 형성하는 단계를 LCVD장치에서 동시에 수행하는 단계를 포함하며, 상기 이물질을 제거하는 단계와, 상기 빛샘방지막을 동시에 형성하는 단계는 상기 LCVD장치의 반응 챔버 내부로 기판을 인입하여 상기 기판에 레이저 빔을 조사하여 상기 이물질을 제거하는 단계와; 상기 반응 챔버 내로 도전물질을 포함하는 전구체 가스를 공급하여 상기 빛샘 방지막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명은 이물질 제거과정에서 화소전극이 유실된 영역에 빛샘방지막을 더 구비하여 빛샘을 방지하고자 하는 것을 특징으로 한다.
이 때, 상기 빛샘방지막으로 텅스텐(W)을 주로 사용하며, 화소전극이 유실된 영역에 한하여 형성하여 빛샘방지막에 의한 차광영역을 최소화한다.
그리고, LCVD장치를 이용해서 이물질 제거과정과 빛샘방지막 증착 공정을 동시에 수행함으로써 별도의 공정장비를 추가하지 않아도 된다. 한편, ILW장비를 이용해서 이물질 제거후, LCVD장치를 이용해서 빛샘방지막을 증착할 수도 있을 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 의한 액정표시소자의 공정평면도이고, 도 4는 도 3c의 Ⅱ-Ⅱ'선상에서의 절단면도이다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 기판 상에 신호지연의 방지를 위해서 낮은 비저항을 가지는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 금속을 증착한 후 패터닝하여 복수개의 게이트 배선(112) 및 게이트 전극(112a)을 형성한다.
다음, 상기 게이트 배선(112)을 포함한 전면에 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기 절연물질을 통상, 플라즈마 강화형 화학 증기 증착 (PECVD: plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법으로 증착하여 게이트 절연막(도4의 113)을 형성한다.
이어서, 상기 게이트 절연막을 포함한 전면에 비정질 실리콘(a-Si:H)을 고온에서 증착한 후 패터닝하여 게이트 절연막 상에 반도체층(114)을 형성한다.
상기 반도체층(114)은 상기 게이트 전극(112a)의 소정 부위에 섬 모양의 독립된 패턴으로 형성하여도 되고, 이후 형성될 데이터 배선 및 소스/드레인 전극에 오버랩되도록 연장형성하여도 무방하다.
한편, 상기 반도체층(114) 상에는 이후 형성될 소스/드레인 전극과의 콘택저항을 낮추기 위해 비정질 실리콘에 불순물을 도핑한 오버코트층을 더 형성할 수 있다.
계속하여, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 반도체층(114)을 포함한 전면에 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 금속을 증착한 후 패터닝하여 복수개의 데이터 배선(115) 및 소스/드레인 전극(115a,115b)을 형성한다.
이로써, 게이트 전극(112a)과, 게이트 절연막과, 반도체층(114)과, U자형의 소스/드레인 전극(115a, 115b)으로 구성되는 박막트랜지스터를 완성한다.
다음, 상기 데이터 배선(115)을 포함한 전면에 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 수지(acryl resin) 등의 유기절연물질을 도포하거나 또는 SiNx, SiOx 등의 무기절연물질을 증착하여 보호막(도 4의 118)을 형성한다.
그리고, 상기 보호막의 일부를 제거하여 상기 드레인 전극(115b)이 노출되는 콘택홀(116)을 형성한 후, 상기 보호막을 포함한 전면에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전물질을 증착하고 패터닝하여 상기 콘택홀(116)을 통해 드레인 전극(115b)에 전기적으로 연결되는 화소전극(117)을 형성한다.
이 때, 상기 화소전극(117)을 전단 게이트 배선에 연장되도록 형성하여 상기 전단 게이트 배선과 함께 스토리지 커패시터(Cst)를 구성한다.
이와같이, 박막 어레이 기판을 완성한 후에는, 라인 디펙트(line defect) 및 포인트 디펙트(point defect)등의 테스트에 의해 배선의 단락 유무를 검사하거나 또는 공정과정에서 묻은 금속알갱이나 먼지 등의 이물질 유무를 확인한다.
이과정에서 화소전극(117) 표면에 이물질(125)이 발견된 경우, 상기 이물질을 제거하기 위해서 레이저 리페어 장비(ex, ILW장치, LCVD 장치)를 이용한다.
이때, 도 3c 및 도 4에 도시된 바와 같이, 이물질 제거시 사용되는 레이저의 강한 열에 의해 화소전극(117)이 오픈되는데, 상기 오픈영역("A")을 포함한 소정 부위에 빛샘방지막(120)을 형성하여 상기 빛샘방지막(120)에 의해 상기 오픈영역("A")을 통한 빛샘을 방지한다.
이 때, 상기 빛샘방지막(120)으로 텅스텐(W)을 주로 사용하며, 화소전극이 오픈된 영역에 한하여 형성하여 빛샘방지막에 의한 차광영역을 최소화한다.
상기 텅스텐은 내플라즈마성, 내마모성, 내부식성, 내화학성, 내산성이 아주 우수한 금속이다. 텅스텐 이외에도, 화소전극 표면과의 접착특성(밀착성)이 좋고, 증착을 위해 가스화가 가능하며 고온에서 가열할 수 있는 물질이면 빛샘방지막으로 사용가능하다.
상기 빛샘방지막을 투명한 도전물질로 형성하는 경우에는, 화소전극과 동일한 전계가 형성되어 공통전극과 함께 액정분자를 원하는 방향으로 구동시킬 수 있으며 광을 투과시킬 수도 있을 것이다.
한편, 상기 이물질 제거과정과 빛샘방지막 증착 공정을 동시에 수행할 수 있는데, 이를 위해 통상적인 레이저 화학 기상 증착법(LCVD : Lazer-assisted Chemical Vaporization Deposition)을 이용한다.
레이저 화학 기상증착법은 레이저를 이용하여 박막패턴을 형성할 수 있는 방법으로, 도 5를 참고로 하여 본 발명에 의한 이물질 제거과정과 빛샘방지막 증착 공정을 설명하면 다음과 같다. 도4는 LCVD장치를 간략하게 나타낸 사시도이다.
LCVD장치는, 도 5에 도시된 바와 같이, 레이저를 이용한 증착공정이 수행되는 반응챔버(500)와, 기상 상태의 증착가스 또는 캐리어 가스가 공급되는 가스공급부(501)와, 반응후의 부산가스를 배출하는 가스배출부(502)로 이루어지고, 반응챔버(500) 상부의 오픈부를 통해 레이저빔이 조사된다. 이 때, 기판(111)은 스테이지(도시하지 않음)에 탑재되고, 상기 레이저빔은 반응챔버 상부의 렌즈(504)에 의해 기판의 원하는 위치로 포커싱된다.
이러한 LCVD 장치 내부로 기판을 인입한 뒤, 가스를 주입하지 않은 상태에서 레이버 빔을 조사하여 이물질을 제거하다. 계속하여, 도전물질(ex, W)을 포함하는 전구체(precursot) 가스를 반응챔버 내로 공급한 뒤, 기판에 대해 집중 조사된 레 이저 빔에 의해 상기 전구체가 화학반응하여 증착물질과 부산가스로 분해되도록 한다. 그리고, 상기 부산가스는 반응챔버 외부로 배출시키고, 증착가스는 기판에 증착시킨다. 상기 증착물질의 양을 제어하여 기판에 원하는 모양으로 증착하여 피막시킨다.
이와같은 LCVD장치를 사용하게 되면, 이물질 제거를 위한 레이저 조사과정과 빛샘방지막 증착을 위한 레이저 조사과정을 한꺼번에 수행할 수 있으므로 공정이 복잡해지는 것을 막을 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이, ILW장비를 이용해서 이물질 제거후, LCVD장치를 이용해서 빛샘방지막을 증착할 수도 있을 것이다.
이러한 과정으로 형성된 박막트랜지스터 어레이 기판은, 빛샘방지막에 의해 빛샘이 방지되며, 상기 빛샘방지막이 도전물질인 경우 공통전극과 함께 액정분자를 원하는 방향으로 구동할 수도 있게 된다.
도시하지는 않았으나, 상기 TFT 어레이 기판은 컬러필터 어레이 기판(121)에 대향합착되고 두 기판 사이에 액정층(131)이 구비하는데, 상기 컬러필터 어레이 기판(121)에는 빛의 누설을 방지하는 블랙 매트릭스(122)와, 상기 블랙 매트릭스 사이에 R,G,B의 컬러 레지스트가 일정한 순서대로 형성된 컬러필터층(123)과, 상기 컬러필터층 상부에서 상기 컬러필터층을 보호하고 컬러필터층의 표면을 평탄화하기 위한 오버코트층(도시하지 않음)과, 상기 오버코트층 상에 형성되어 박막 어레이 기판의 화소전극과 더불어 액정층의 배향을 제어하기 위한 전계를 형성하는 공통전극(124)이 형성된다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같은 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 이물질 제거에 의해 화소전극이 오픈된 영역에 빛샘방지막을 더 형성하여 빛샘을 방지함으로써 화면 밝기를 균일하게 하는 등 화질불량을 제거하여 소자의 표시품질을 향상시킨다.
둘째, 화소전극의 오픈영역에 형성되는 빛샘방지막이 도전물질인 경우 공통전극과 함께 액정분자를 원하는 방향으로 구동할 수 있게 된다.
셋째, LCVD장치를 이용해서 이물질 제거과정과 빛샘방지막 증착 공정을 동시에 수행함으로써 빛샘방지막 증착 공정을 위한 별도의 공정장비를 추가하지 않아도 된다.

Claims (9)

  1. 기판 상에 게이트 배선 및 데이터 배선을 수직교차되게 형성하여 화소영역을 정의하는 단계;
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막트랜지스터에 콘택되는 화소전극을 형성하는 단계;
    상기 화소전극 표면의 이물질을 제거하는 단계와, 상기 이물질을 제거하는 단계에서 오픈된 화소전극 상부에 빛샘방지막을 형성하는 단계를 LCVD장치에서 동시에 수행하는 단계를 포함하며,
    상기 이물질을 제거하는 단계와, 상기 빛샘방지막을 동시에 형성하는 단계는
    상기 LCVD장치의 반응 챔버 내부로 기판을 인입하여 상기 기판에 레이저 빔을 조사하여 상기 이물질을 제거하는 단계와;
    상기 반응 챔버 내로 도전물질을 포함하는 전구체 가스를 공급하여 상기 빛샘 방지막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 빛샘방지막은 텅스텐(W)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 빛샘방지막은 투명한 도전물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소전극을 형성하는 단계 이후, 이물질 유무 검사를 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 빛샘방지막은 화소전극이 오픈된 영역에 한하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는,
    상기 게이트 배선과 동시에 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 데이터 배선과 동시에 반도체층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  9. 삭제
KR1020040113790A 2004-12-28 2004-12-28 액정표시소자의 제조방법 KR101096731B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040113790A KR101096731B1 (ko) 2004-12-28 2004-12-28 액정표시소자의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040113790A KR101096731B1 (ko) 2004-12-28 2004-12-28 액정표시소자의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060075199A KR20060075199A (ko) 2006-07-04
KR101096731B1 true KR101096731B1 (ko) 2011-12-21

Family

ID=37167763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040113790A KR101096731B1 (ko) 2004-12-28 2004-12-28 액정표시소자의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101096731B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11487177B2 (en) 2020-06-23 2022-11-01 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of repairing display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11487177B2 (en) 2020-06-23 2022-11-01 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of repairing display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060075199A (ko) 2006-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7903189B2 (en) Display substrate and method of repairing the same
JP4777334B2 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
KR101165472B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
JP6734396B2 (ja) Ｔｆｔ基板の断線修復方法
US20060092364A1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7977677B2 (en) Thin-film transistor substrate, method of manufacturing the same and display apparatus having the same
US8476092B2 (en) Fabricating method of a thin film transistor substrate for liquid crystal display device of minimizing defects due to static electricity
US7365825B2 (en) Liquid crystal display device including repair pattern and method for fabricating the same
US8027009B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
CN101625491A (zh) 液晶显示器件及制造该液晶显示器件的驱动方法
US8300181B2 (en) Method of fabricating liquid crystal display and liquid crystal display obtained by the method
US20090322998A1 (en) Liquid crystal display device having minimized display area
US7253851B2 (en) Pixel and method for pixel repair
JP2010145875A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
US20080024693A1 (en) Liquid crystal display, method of manufacturing the same, and method of repairing the same
US7002651B2 (en) Transflective type liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US7365819B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
US8174637B2 (en) Thin-film transistor substrate comprising a repair pattern
KR101096731B1 (ko) 액정표시소자의 제조방법
KR20050105591A (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20090070234A (ko) 액정표시패널과 이의 제조방법 및 이를 이용한 리페어 방법
KR100577301B1 (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20120011671A (ko) 액정표시장치와 그 리페어 방법
KR101319334B1 (ko) 액정표시패널 및 그의 제조방법
KR100641000B1 (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141124

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161118

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171116

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181114

Year of fee payment: 8