CN203179887U

CN203179887U - 一种阵列基板及显示装置

Info

Publication number: CN203179887U
Application number: CN 201320203660
Authority: CN
Inventors: 王德帅; 郭建
Original assignee: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2013-04-22
Filing date: 2013-04-22
Publication date: 2013-09-04
Anticipated expiration: 2023-04-22

Abstract

本实用新型实施例提供了一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可以解决金属腐蚀的问题，提高产品良率和信赖性。所述阵列基板，包括基板，设置在所述基板上的栅金属层和源漏金属层，所述栅金属层包括栅极和栅极周边走线，所述源漏金属层包括源极、漏极和源漏极周边走线，所述阵列基板还包括：保护层，所述保护层包括设置于所述栅极周边走线上方的过孔处的第一保护层图案和设置于所述源漏极周边走线上方的过孔处的第二保护层图案，所述第一保护层图案和所述第二保护层图案之间不连通。

Description

一种阵列基板及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

现有技术中的阵列基板如图1所示，包括基板11，栅极12，栅绝缘层13，半导体层14，源极15，漏极16，钝化层17以及像素电极18。其中，用于制作栅极12，源极15，漏极16以及基板周围金属走线(图中未显示)的金属材料多为Al和Mo等电阻率小的金属，为防止这些金属材料的腐蚀，一般都会在制作完成所有金属图案层后再制作钝化层17，所述钝化层17包括在漏极16和像素电极18的连接处形成的过孔图形。

在现有的阵列基板中，虽然制作漏极和基板周围金属走线的金属材料Al和Mo的电阻率小，但是它们的化学稳定性及抗磨性都比较差，即使有像素电极18的保护，但由于所述像素电极18的制作材料通常为ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)，ITO薄膜本身致密性差或底层的平坦度不好，就会导致覆盖在漏极金属上的ITO存在裂痕，水汽渗透过裂痕导致金属腐蚀。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示装置，可以解决金属腐蚀的问题，提高产品良率和信赖性。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括基板，设置在所述基板上的栅金属层和源漏金属层，所述栅金属层包括栅极和栅极周边走线，所述源漏金属层包括源极、漏极和源漏极周边走线，其特征在于，所述阵列基板还包括：

保护层，所述保护层包括设置于所述栅极周边走线上方的过孔处的第一保护层图案和设置于所述源漏极周边走线上方的过孔处的第二保护层图案，所述第一保护层图案和所述第二保护层图案之间不连通。

可选的，所述阵列基板还包括：栅绝缘层和钝化层，所述栅绝缘层设置在所述栅金属层的上方，所述源漏金属层的下方；所述钝化层设置在所述源漏金属层的上方；其中，所述栅极周边走线上方的过孔包括：所述栅绝缘层的过孔和所述钝化层的第一过孔，所述源漏极周边走线上方的过孔包括：所述钝化层的第二过孔；

所述第一保护层图案通过所述栅绝缘层的过孔和所述钝化层的第一过孔与所述栅极周边走线连接，所述第二保护层图案通过所述钝化层的第二过孔与所述源漏极周边走线连接。

优选的，所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极设置在所述钝化层上方；

所述保护层还包括设置在所述钝化层的第三过孔处的第三保护层图案，其中，所述钝化层的第三过孔设置在所述漏极的上方，所述像素电极通过所述第三保护层图案与所述漏极电连接。

优选的，所述保护层的材料为树脂和导电颗粒的混合物。

一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本实用新型实施例提供的阵列基板及显示装置，通过在栅极周边走线和源漏极周边走线上方的过孔处设置保护层图案，外部的电路可以通过这些保护层图案电连接栅极周边走线或源漏极周边走线，同时，所述保护层图案也可以保护栅极周边走线和源漏极周边走线上的金属不被腐蚀，这样就可以提高产品良率和信赖性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的阵列基板制作过程中的一种剖面结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的阵列基板制作过程中的另一种剖面结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的阵列基板制作过程中的另一种剖面结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的阵列基板制作过程中的另一种剖面结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的阵列基板制作过程中的另一种剖面结构示意图。

附图标记：

11--基板，12--栅极，13--栅绝缘层，14--半导体层，15--源极，16--漏极，17--钝化层，18--像素电极；21--基板，25--钝化层，26--像素电极，27--栅绝缘层，28--半导体层，29--欧姆层；221--栅极，222--栅极周边走线，231--源极，232--漏极，233--源漏极周边走线，24a-保护层薄膜，241--第一保护层图案，242--第二保护层图案，243--第三保护层图案，2a--光刻胶图案。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，如图2所示，包括：基板21，设置在基板21上的栅极金属层和源漏极金属层，所述栅极金属层包括栅极221和栅极周边走线222，所述源漏极金属层包括源极231，漏极232以及源漏极周边走线233。所述阵列基板上还包括保护层，所述保护层包括设置于所述栅极周边走线222上方的过孔处的第一保护层图案241和设置于所述源漏极周边走线233上方的过孔处的第二保护层图案242，所述第一保护层图案241和所述第二保护层图案242之间不连通。

当然，本实用新型实施例提供的阵列基板可以是如图2所示的TN(Twisted Nematic，扭曲向列)型、底栅结构的阵列基板，也可以是TN型、顶栅结构的阵列基板，或者IPS(In Plane Switch，横向电场效应)型的阵列基板，或者ADS(Advanced-Super DimensionalSwitching，简称为ADS，高级超维场开关)型的阵列基板，等等，以上各种类型的阵列基板的结构可以参考现有技术，在此不再一一给出图示。

在这里需要说明的是，本实用新型实施例中所述的栅极周边走线是指与所述栅极同层制作的金属线，可以是栅线也可以是与所述栅极同层的周边电路走线；本实用新型实施例中所述的源漏极周边走线是指与所述源漏极同层制作的金属线，可以是数据线也可以是与所述源漏极同层的周边电路走线。由于需要将栅极周边走线和源漏极周边走线与外部的电路相连接，故会在栅极周边走线上方和源漏极周边走线上方设置过孔。本实用新型实施例中所述的栅极周边走线上方的过孔和源漏极周边走线上方的过孔都是现有的阵列基板中的已有结构，本领域技术人员都清楚了解的，在此不再详述。

本实用新型实施例提供的阵列基板，通过在栅极周边走线和源漏极周边走线上方的过孔处设置保护层图案，外部的电路可以通过这些保护层图案电连接栅极周边走线和源漏极周边走线，驱动显示装置进行正常工作；同时，这些保护层图案也可以保护栅极周边走线和源漏极周边走线上的金属不被腐蚀，这样就可以提高产品的良率和信赖性。

可选的，所述阵列基板是如图2所示的结构，所述阵列基板还包括：栅绝缘层27和钝化层25，所述栅绝缘层27设置在所述栅金属层的上方，所述源漏金属层的下方；所述钝化层25设置在所述源漏金属层的上方；其中，所述栅极周边走线222上方的过孔包括：所述栅绝缘层27的过孔和所述钝化层25的第一过孔，所述源漏极周边走线233上方的过孔包括：所述钝化层25的第二过孔。所述第一保护层图案241通过所述栅绝缘层27的过孔和所述钝化层25的第一过孔与所述栅极周边走线222连接，所述第二保护层图案242通过所述钝化层25的第二过孔与所述源漏极周边走线233连接。

进一步的，所述阵列基板还包括像素电极26，在这里，所述像素电极26，如图2所示，与所述漏极232之间间隔一层钝化层25。所述钝化层25在所述漏极232的上方处设置有第三过孔，所述保护层还包括位于所述钝化层25的第三过孔处的第三保护层图案243，所述像素电极26通过所述第三保护层图案243与所述漏极232电连接。

优选的，所述保护层的材料为树脂和导电颗粒的混合物。故而所述保护层既可以导电，且能保护被所述保护层覆盖的金属不被腐蚀，示例的，所述导电颗粒可以是金属颗粒。

本实用新型实施例还提供了图2所示的阵列基板的制作方法，所述方法包括以下步骤：

S1、参考现有技术中的制作工艺，如图3所示，依次在基板21上形成栅金属层，栅绝缘层27a，半导体层28，欧姆层29，源漏金属层以及钝化层25a的图形。其中，所述栅极金属层包括栅极221和栅极周边走线222，所述源漏极金属层包括源极231，漏极232以及源漏极周边走线233。

S2、在步骤S1制作的基板上再形成一层光刻胶膜层，并通过构图工艺形成包括如图4所示的光刻胶图案2a，所述光刻胶图案2a未覆盖需要做过孔的栅金属层和源漏金属层处。

S3、在步骤S2制作的基板上，通过构图工艺形成包括如图5所示的钝化层25和栅绝缘层27的图形。

S4、在步骤S3制作的基板上形成保护层薄膜24a，形成如图6所示图像结构，制作所述保护层薄膜24a的材料为树脂和导电颗粒的混合物，可以导电但不能进行曝光和显影，具有抗腐蚀的特性。

S5、通过构图工艺形成包括保护层的图形，如图7所示，所述保护层包括第一保护层图案241，第二保护层图案242，第三保护层图案243；由于树脂类和光刻胶的粘附性不好，故可以很容易除去形成在光刻胶图案2a上的导电胶。

S6、在步骤S5制作的基板上，通过构图工艺除去所述光刻胶图案2a，然后参考现有技术制作像素电极以及其他图案，形成如图2所示的阵列基板。

本实用新型中，上述基板可以是玻璃基板、石英基板等基于无机材料的衬底基板，也可以是采用有机材料的衬底基板；上述形成膜层的方式通常有沉积、涂敷、溅射等多种方式；构图工艺通常包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。

图2所示的阵列基板只是本实用新型实施例提供的阵列基板中的一种，本实用新型实施例提供的其他阵列基板的制作工艺可以参考现有技术和图2所示阵列基板的制作工艺，在此不再一一详述。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板。所述显示装置可以为：液晶显示面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种阵列基板，包括基板，设置在所述基板上的栅金属层和源漏金属层，所述栅金属层包括栅极和栅极周边走线，所述源漏金属层包括源极、漏极和源漏极周边走线，其特征在于，所述阵列基板还包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：栅绝缘层和钝化层，所述栅绝缘层设置在所述栅金属层的上方，所述源漏金属层的下方；所述钝化层设置在所述源漏金属层的上方；其中，所述栅极周边走线上方的过孔包括：所述栅绝缘层的过孔和所述钝化层的第一过孔，所述源漏极周边走线上方的过孔包括：所述钝化层的第二过孔；

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极设置在所述钝化层上方；

4.根据权利要求1-3任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层的材料为树脂和导电颗粒的混合物。

5.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4任意一项所述的阵列基板。