CN103117285B - 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法 - Google Patents

一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103117285B
CN103117285B CN201310043996.XA CN201310043996A CN103117285B CN 103117285 B CN103117285 B CN 103117285B CN 201310043996 A CN201310043996 A CN 201310043996A CN 103117285 B CN103117285 B CN 103117285B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
transparency conducting
passivation layer
array base
base palte
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310043996.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103117285A (zh
Inventor
张春芳
魏燕
徐超
金熙哲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201310043996.XA priority Critical patent/CN103117285B/zh
Priority to US14/366,657 priority patent/US9799642B2/en
Priority to PCT/CN2013/074374 priority patent/WO2014117440A1/zh
Publication of CN103117285A publication Critical patent/CN103117285A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103117285B publication Critical patent/CN103117285B/zh
Priority to US15/710,014 priority patent/US10181465B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0266—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using field effect transistors as protective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield

Abstract

本发明涉及平板显示技术领域，公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法。所述阵列基板包括：基板以及设置在基板上的多个静电放电短路环，所述每个静电放电短路环包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极、钝化层，还包括：将栅极和漏极连接的透明导电层，且所述透明导电层位于所述钝化层的下方。本发明有益效果如下：通过将透明导电层设置在钝化层的下方，从而避免了透明导电层被显示装置内部的其他部件划伤，提高了阵列基板的安全性能，从而保证了显示装置的质量。

Description

一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及到一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法。
背景技术
在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器（ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。
目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN（TwistedNematic，扭曲向列）模式、VA（VerticalAlignment，垂直取向）模式、IPS（In-Plane-Switching，平面方向转换）模式和AD-SDS（AdvancedSuperDimensionSwitch，高级超维场转换技术，简称ADS）模式等。
其中，基于ADS模式的显示器通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹等优点。
如图1和图2所示，以现有的两种ADS模式的TFT-LCD阵列基板为例，均包括：基板10、设置在基板10上的静电放电短路环20和钝化层30，所述静电放电短路环20包括栅极22、有源层21、源极23、漏极24以及将栅极22和漏极24连接的透明导电层25，且透明导电层25位于所述钝化层30的上方。
现有技术的缺陷在于，随着显示装置的边框越来越窄，阵列基板周边的布线区域越来越窄，部件之间的间隔越来越小。在装配显示装置时，裸露在阵列基板最外面的透明导电层很容易被其他部件划伤，从而导致阵列基板的静电导电部分不能正常的工作，影响显示装置的质量。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法，用于避免阵列基板的静电导导电部分被损坏，从而提高显示装置的质量。
本发明一种阵列基板，包括：
基板以及设置在基板上的多个静电放电短路环，所述静电放电短路环包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极、钝化层，还包括：将栅极和漏极连接的透明导电层，且所述透明导电层位于所述钝化层的下方。
可选择的，所述的阵列基板还包括：所述透明导电层位于所述基板和所述栅极绝缘层之间并搭接在栅极上，所述栅极绝缘层具有过孔，所述透明导电层通过过孔与所述漏极连接。
可选择的，所述的阵列基板还包括：
设置在源极和漏极之上的第二钝化层；
设置在钝化层和第二钝化层之间的平坦化层，所述平坦化层和第二钝化层包括第一过孔和第二过孔；
所述透明导电层设置于所述平坦化层与所述钝化层之间，且所述透明导电层通过所述第一过孔与栅极连接，并通过所述第二过孔与漏极连接。
较佳的，所述平坦化层为树脂层。
本发明一种显示装置，包括上述的任一项阵列基板。
本发明一种阵列基板的制造方法，包括形成静电放电短路环的步骤，所述形成静电放电短路环的形成步骤包括：
在基板上形成栅极；
形成栅极绝缘层；
形成形成有源层、源极和漏极；
形成将栅极和漏极连接的透明导电层；
形成钝化层；
所述透明导电层位于所述钝化层之下。
优选的，所述阵列基板的制造方法，在形成钝化层的步骤之前，还包括：
在基板上形成与所述栅极搭接的透明导电层；
在栅极绝缘层上位于透明导电层上方的位置形成过孔；
在栅极绝缘层上形成漏极，且漏极通过过孔与透明导电层连接。
优选的，所述阵列基板的制造方法，在形成钝化层的步骤之前，还包括：
在源极和漏极的上方形成覆盖基板的第二钝化层；
在第二钝化层上方形成覆盖第二钝化层的平坦化层；
在平坦化层和第二钝化层位于栅极上方位置上形成第一过孔、位于漏极上方位置上形成第二过孔；
在平坦化层上形成透明导电层，且形成的透明导电层通过第一过孔与栅极连接，并通过第二过孔与漏极连接。
本发明有益效果如下：通过将透明导电层设置在钝化层的下方，从而避免了透明导电层被显示装置内部的其他部件划伤，提高了阵列基板的安全性能，从而保证了显示装置的质量。
附图说明
图1为现有技术中ADS模式下阵列基板的结构示意图；
图2为现有技术中ADS模式下另一种阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的ADS模式下阵列基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供ADS模式下另一种阵列基板的结构示意图。
附图标记：
10-基板20-静电放电短路环21-有源层
22-栅极23-源极24-漏极
25-透明导电层26-栅极绝缘层30-钝化层
40-第二钝化层50-平坦化层
具体实施方式
为了避免阵列基板的静电导导电部分被损坏，从而提高显示装置的质量。本发明实施例提供了一种阵列基板，通过将透明导电层设置到钝化层的下方，从而避免了透明导电层被显示装置中的其他部件的损坏。有效的避免了阵列基板被损坏，保证了显示装置的质量。为了使本发明的目的、技术方案更加清楚，以下举实施例对本发明作进一步详细说明。
如图3所示，图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图，以图3所示的阵列基板的放置方向为参考方向。
本发明实施例提供的阵列基板，包括：
基板10以及设置在基板10上的多个静电放电短路环20，所述静电放电短路环20包括栅极22、栅极绝缘层26、有源层21、源极23、漏极24、钝化层30，还包括：将栅极22和漏极24连接的透明导电层25，且所述透明导电层25位于所述钝化层30的下方。
在该实施例中，将透明导电层25设置在所述钝化层30的下方，从而使得透明导电层25得到钝化层30的保护，避免了透明导电层25被显示装置中的其他元器件划伤，提高了阵列基板的安全性能，从而保证了显示装置的质量。
所述阵列基板可以为顶栅基板也可以为底栅基板，所述阵列基板为底栅基板时，所述静电放电短路环20包括：设置在基板10上的栅极22，设置在栅极22上方的栅极绝缘层26，设置在栅极绝缘层26上方的有源层21，所述源极23和漏极24形成有源层21的沟道，所述透明导电层25将漏极24和栅极22连接。
在上述实施例中，为了便于生产，优选的，所述透明导电层25位于所述基板10和所述栅极绝缘层26之间并搭接在栅极22上，所述栅极绝缘层26具有过孔，所述透明导电层25通过过孔与所述漏极24连接。将透明导电层25设置在基板10上方，通过溅射工艺在基板10上形成沉积层，并通过光刻、刻蚀工艺得到所需的图案。便于透明导电层25的形成。
如图4所示，图4为本发明提供的ADS模式下的另一种阵列基板，包括基板10，在基板10上还可以进一步包括：设置源极23和漏极24上方的第二钝化层40；设置在钝化层30和第二钝化层40之间的平坦化层50，平坦化层50为树脂层；所述平坦化层50和第二钝化层40具有与所述栅极22和漏极24分别连通的第一过孔和第二过孔；所述透明导电层25设置于所述平坦化层50与所述第二钝化层40之间，且所述透明导电层25通过第一过孔与栅极22连接，并通过第二过孔与漏极24连接。
在上述实施例中，基板10可以选用不同材料制作的基板，可以为玻璃基板、树脂基板或塑料基板。
在上述实施例中，栅极绝缘层26具体可以为氧化硅层或氮化硅层。
所述导透明导电层25具体可以为氧化铟锡，具有良好的透过率和导电性能。
本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明阵列基板的制造方法，包括：
在基板上形成栅极；
形成栅极绝缘层；
形成形成有源层、源极和漏极；
形成将栅极和漏极连接的透明导电层；
形成钝化层；
所述透明导电层位于所述钝化层之下。
图3所示实施例的阵列基板，其主要制作工艺如下：
步骤201、采用溅射工艺在基板上沉积栅金属层，通过光刻、刻蚀得到栅极22；
步骤202、采用溅射工艺在基板上沉积氧化铟锡，且使氧化铟锡与形成的栅极22连接，通过光刻、刻蚀得到透明导电层；
步骤203、采用等离子体增强化学气相沉积法在基板上沉积金属层，通过光刻、刻蚀形成栅极绝缘层；栅极绝缘层可以为氮化硅层或二氧化硅层；
步骤204、采用等离子体增强化学气相沉积法在形成的绝缘层上沉积半导体材料，通过光刻、刻蚀形成有源层；
步骤205、采用干刻工艺，在栅极绝缘层位于透明导电层的上方刻蚀出过孔；
步骤206、采用溅射工艺在形成的栅极绝缘层上沉积金属层，通过光刻、刻蚀形成源极和漏极；并使漏极通过过孔与透明导电层连接；
步骤207、采用等离子体增强化学气相沉积法形成钝化层。
图4所示实施例的阵列基板，其主要制作工艺如下：
步骤301、采用溅射工艺在基板上沉积栅金属层，通过光刻、刻蚀得到栅极22；
步骤302、采用等离子体增强化学气相沉积法在基板上沉积金属层，通过光刻、刻蚀形成栅极绝缘层，栅极绝缘层可以为氮化硅层或二氧化硅层；
步骤303、采用等离子体增强化学气相沉积法在形成的栅极绝缘层上沉积半导体材料，通过光刻、刻蚀形成有源层；
步骤304、采用溅射工艺在形成的栅极绝缘层上形成金属层，通过光刻、刻蚀得到源极和漏极；
步骤305、采用等离子体增强化学气相沉积法在栅极绝缘层和有源层上形成第二钝化层；
步骤306、采用涂敷的方式在第二钝化层上形成平坦化层；
步骤307、采用干刻工艺，在平坦化层和第二钝化层位于栅极上方位置上形成第一过孔、位于漏极上方位置上形成第二过孔；
步骤308、采用溅射工艺在形成的平坦化层上沉积氧化铟锡，并通过光刻、刻蚀得到透明导电层，形成的透明导电层通过步骤307形成的第一过孔与栅极连接，并通过第二过孔与漏极连接；
步骤309、采用等离子体增强化学气相沉积法在形成的平坦化层上形成钝化层。
可见通过上述工艺流程，可以便于形成透明导电层，位于透明导电层上方的钝化层可以很好的保护透明导电层，避免了透明导电层被显示装置内部的其他部件划伤。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (6)

1.一种阵列基板，包括基板以及设置在基板上的多个静电放电短路环，所述静电放电短路环包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极、钝化层，其特征在于，还包括：将栅极和漏极连接的透明导电层，且所述透明导电层位于所述钝化层的下方；其中，所述透明导电层位于所述基板和所述栅极绝缘层之间并搭接在栅极上，所述栅极绝缘层具有过孔，所述透明导电层通过过孔与所述漏极连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
设置在源极和漏极之上的第二钝化层；
设置在钝化层和第二钝化层之间的平坦化层，所述平坦化层和第二钝化层包括第一过孔和第二过孔；
所述透明导电层设置于所述平坦化层与所述钝化层之间，且所述透明导电层通过所述第一过孔与栅极连接，并通过所述第二过孔与漏极连接。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层为树脂层。
4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～3任一项所述的阵列基板。
5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括形成静电放电短路环的步骤，所述形成静电放电短路环的形成步骤包括：
在基板上形成栅极；
在基板上形成与所述栅极搭接的透明导电层；
在栅极绝缘层上位于透明导电层上方的位置形成过孔；
形成栅极绝缘层；
形成有源层、源极和漏极，且漏极通过过孔与透明导电层连接；
形成将栅极和漏极连接的透明导电层；
形成钝化层；
所述透明导电层位于所述钝化层下方。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成钝化层的步骤之前，还包括：
在源极和漏极的上方形成覆盖基板的第二钝化层；
在第二钝化层上方形成覆盖第二钝化层的平坦化层；
在平坦化层和第二钝化层位于栅极上方位置上形成第一过孔、位于漏极上方位置上形成第二过孔；
在平坦化层上形成透明导电层，且形成的透明导电层通过第一过孔与栅极连接，并通过第二过孔与漏极连接。
CN201310043996.XA 2013-02-04 2013-02-04 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法 Active CN103117285B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310043996.XA CN103117285B (zh) 2013-02-04 2013-02-04 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
US14/366,657 US9799642B2 (en) 2013-02-04 2013-04-18 Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate
PCT/CN2013/074374 WO2014117440A1 (zh) 2013-02-04 2013-04-18 阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
US15/710,014 US10181465B2 (en) 2013-02-04 2017-09-20 Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310043996.XA CN103117285B (zh) 2013-02-04 2013-02-04 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103117285A CN103117285A (zh) 2013-05-22
CN103117285B true CN103117285B (zh) 2015-12-02

Family

ID=48415612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310043996.XA Active CN103117285B (zh) 2013-02-04 2013-02-04 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9799642B2 (zh)
CN (1) CN103117285B (zh)
WO (1) WO2014117440A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104795400B (zh) * 2015-02-12 2018-10-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置
CN104716196B (zh) * 2015-03-18 2017-08-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
US10690975B2 (en) * 2016-03-31 2020-06-23 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, manufacturing method therefor and display device
CN205621414U (zh) * 2016-04-26 2016-10-05 京东方科技集团股份有限公司 静电放电电路、阵列基板和显示装置
CN106024781B (zh) * 2016-07-22 2019-06-04 京东方科技集团股份有限公司 静电放电器件、其制造方法及阵列基板、显示面板和装置
KR102612998B1 (ko) * 2016-12-30 2023-12-11 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
CN106876416B (zh) * 2017-03-30 2020-02-11 合肥鑫晟光电科技有限公司 静电放电单元、阵列基板和显示面板
CN107564922B (zh) * 2017-09-19 2020-03-13 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN107918220A (zh) * 2017-11-16 2018-04-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN108807549B (zh) * 2018-06-01 2021-03-23 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法
CN208904019U (zh) * 2018-11-22 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、静电放电保护电路和显示装置
CN109887972A (zh) 2019-02-27 2019-06-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置
CN110085604B (zh) * 2019-04-30 2021-04-23 Tcl华星光电技术有限公司 Tft阵列基板及其制作方法
CN111146214A (zh) * 2020-02-18 2020-05-12 合肥京东方显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102544000A (zh) * 2012-03-13 2012-07-04 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及相应的显示面板
CN102902095A (zh) * 2012-10-09 2013-01-30 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶装置及其制造方法
CN203103303U (zh) * 2013-02-04 2013-07-31 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2979655B2 (ja) * 1991-01-14 1999-11-15 松下電器産業株式会社 アクティブマトリクス基板の駆動方法
US5650358A (en) * 1995-08-28 1997-07-22 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Method of making a TFT having a reduced channel length
JPH1020336A (ja) * 1996-07-02 1998-01-23 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
TW498553B (en) * 1999-03-11 2002-08-11 Seiko Epson Corp Active matrix substrate, electro-optical apparatus and method for producing active matrix substrate
US6448579B1 (en) 2000-12-06 2002-09-10 L.G.Philips Lcd Co., Ltd. Thin film transistor array substrate for liquid crystal display and a method for fabricating the same
US7592980B2 (en) * 2002-06-05 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN100368904C (zh) 2003-08-29 2008-02-13 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示器基板
KR20060021530A (ko) * 2004-09-03 2006-03-08 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법
KR100654569B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100847640B1 (ko) * 2006-05-23 2008-07-21 가시오게산키 가부시키가이샤 표시장치
JP2009158591A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
US8575615B2 (en) * 2008-09-17 2013-11-05 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device
CN101957526B (zh) * 2009-07-13 2013-04-17 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
KR101623956B1 (ko) * 2010-01-15 2016-05-24 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102544000A (zh) * 2012-03-13 2012-07-04 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及相应的显示面板
CN102902095A (zh) * 2012-10-09 2013-01-30 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶装置及其制造方法
CN203103303U (zh) * 2013-02-04 2013-07-31 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014117440A1 (zh) 2014-08-07
US9799642B2 (en) 2017-10-24
US20160071834A1 (en) 2016-03-10
US20180012885A1 (en) 2018-01-11
CN103117285A (zh) 2013-05-22
US10181465B2 (en) 2019-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103117285B (zh) 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
CN103489824B (zh) 一种阵列基板及其制备方法与显示装置
CN102881688B (zh) 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法
CN103676354B (zh) 电极结构及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置
US20160372490A1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display panel
CN103474437B (zh) 一种阵列基板及其制备方法与显示装置
CN103293811A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103236440B (zh) 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示装置
CN105470269A (zh) Tft阵列基板及其制作方法
CN103337497A (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
KR20130108574A (ko) 어레이 기판, 어레이 기판 제조 방법, 및 디스플레이 장치
KR101447397B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조 방법, 및 전자 장치
CN102654703B (zh) 一种阵列基板及其制造方法、以及显示设备
CN103309095A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN102723308B (zh) 一种阵列基板及其制作方法和显示装置
US20150318313A1 (en) Array substrate and method for manufacturing the same, display device
KR102221845B1 (ko) 표시 기판 및 그의 제조방법
US10403761B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN203519954U (zh) 阵列基板及显示装置
CN202735644U (zh) 一种阵列基板
CN103346159A (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN202126557U (zh) 一种阵列基板
CN105870132A (zh) Tft阵列基板及其制作方法
CN102707832A (zh) 触摸屏显示器的制作方法、触摸屏显示器以及终端
CN203179887U (zh) 一种阵列基板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant