CN111146214A - 阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的显示面板的薄膜晶体管的有源层由于光照而影响薄膜晶体管的性能的问题。本发明的一种阵列基板，包括衬底以及位于衬底上的薄膜晶体管、绝缘层、阻挡部，薄膜晶体管的栅极层位于衬底上，绝缘层位于栅极层远离衬底的一侧，且绝缘层将栅极层覆盖，薄膜晶体管的源漏极和有源层位于绝缘层远离衬底的一侧，且源漏极的至少部分与有源层连接，有源层与至少部分栅极层在衬底上的投影重合，其中，绝缘层具有通孔，通孔与栅极层在衬底上的投影不重叠，阻挡部位于通孔中，阻挡部用于阻挡由第一方向射向源漏极的光，第一方向为衬底远离绝缘层且通孔远离栅极层的方向。

Description

阵列基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
薄膜晶体管(TFT)是显示面板中一种半导体器件，其对于显示面板的显示具有重要的作用。具体的，薄膜晶体管的有源层的形成材料主要有传统的非晶硅(a-Si)，以及迁移率更高的氧化铟镓锌(IGZO)、低温多晶硅(LTPS)等。为了保证有源层的性能，即保证薄膜晶体管的性能，需要避免光(如显示面板的背光模组的光)照射到有源层上。
如图1所示(图中的带箭头的虚线表示光照传播方向)，现有的一种显示面板中，其薄膜晶体管采用底栅结构来遮挡来自背光模组的光照，然而，部分照射到源漏极5的光线仍然可以通过栅极层2与源漏极5的反射最终照射到有源层4上，从而影响薄膜晶体管的电学性能。
发明内容
本发明至少部分解决现有的显示面板的薄膜晶体管的有源层由于光照而影响薄膜晶体管的性能的问题，提供一种避免光照到晶体管的有源层的阵列基板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上的薄膜晶体管、绝缘层、阻挡部，所述薄膜晶体管的栅极层位于所述衬底上，所述绝缘层位于所述栅极层远离所述衬底的一侧，且所述绝缘层将所述栅极层覆盖，所述薄膜晶体管的源漏极和有源层位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧，且所述源漏极的至少部分与所述有源层连接，所述有源层与至少部分所述栅极层在所述衬底上的投影重合，
其中，所述绝缘层具有通孔，所述通孔与所述栅极层在所述衬底上的投影不重叠，所述阻挡部位于所述通孔中，所述阻挡部用于阻挡由第一方向射向所述源漏极的光，所述第一方向为所述衬底远离所述绝缘层且所述通孔远离所述栅极层的方向。
进一步优选的是，所述阻挡部与所述源漏极同层设置且相互连接。
进一步优选的是，在平行于所述栅极层的特定边缘的方向上，所述阻挡部的宽度大于所述源漏极宽度，所述特定边缘为所述栅极层最靠近所述阻挡部的边缘。
进一步优选的是，所述阻挡部布满所述通孔的侧壁，且所述通孔的侧壁与所述通孔的轴线之间的角度小于30度。
进一步优选的是，形成所述有源层的材料包括氧化铟镓锌。
进一步优选的是，该阵列基板还包括封装层，位于所述源漏极和有源层远离所述衬底的一侧，用于将所述薄膜晶体管封装。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种基阵列板的制备方法，用于形成上述的阵列基板，所述制备方法包括：
在衬底上形成所述薄膜晶体管的栅极层；
在所述栅极层远离所述衬底的一侧形成所述绝缘层，所述绝缘层具有通孔；
在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成所述薄膜晶体管的源漏极、有源层，在所述绝缘层的通孔中形成所述阻挡部，其中，所述阻挡部用于阻挡由第一方向射向所述源漏极的光，所述第一方向为所述衬底远离所述绝缘层且所述通孔远离所述栅极层的方向。
进一步优选的是，所述在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成所述薄膜晶体管的源漏极、有源层，在所述绝缘层的通孔中形成所述阻挡部包括：在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成有源层；在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成导电材料层，以形成所述源漏极和所述阻挡部。
进一步优选的是，所述在所述栅极层远离所述衬底的一侧形成所述绝缘层，所述绝缘层具有通孔包括：采用沉积方式在所述栅极层远离所述衬底的一侧形成绝缘材料层；采用构图工艺在所述绝缘材料层中形成通孔，以形成所述绝缘层。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，包括：
上述的阵列基板；
背光模组，位于所述衬底远离所述绝缘层的一侧。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为现有的阵列基板的局部截面示意图；
图2为本发明的实施例的一种阵列基板的局部截面示意图；
图3为本发明的实施例的一种阵列基板的俯视结构图；
图4为本发明的实施例的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
其中，附图标记为：1、衬底；2、栅极层；3、绝缘层；31、通孔；4、有源层；5、源漏极；6、阻挡部；7、封装层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
在本发明中，两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与基底间的距离相等，也不代表它们与基底间的其它层结构完全相同。
在本发明中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。
实施例1：
如图1至图4所示，本实施例提供一种阵列基板，包括衬底1以及位于衬底1上的薄膜晶体管、绝缘层3、阻挡部6，薄膜晶体管的栅极层2位于衬底1上，绝缘层3位于栅极层2远离衬底1的一侧，且绝缘层3将栅极层2覆盖，薄膜晶体管的源漏极5和有源层4位于绝缘层3远离衬底1的一侧，且源漏极5的至少部分与有源层4连接，有源层4与至少部分栅极层2在衬底1上的投影重合，
其中，绝缘层3具有通孔31，通孔31与栅极层2在衬底1上的投影不重叠，阻挡部6位于通孔31中，阻挡部6用于阻挡由第一方向射向源漏极5的光，第一方向为衬底1远离绝缘层3且通孔31远离栅极层2的方向。
其中，也就是说栅极层2位于有源层4的下方，即本实施中的薄膜晶体管为底栅结构，这样栅极层2可以阻挡一部分来自衬底1下方的光照射到有源层4上，从而可以避免有源层4由于光照而性能变差，进而保证薄膜晶体管的性能。
如图2所示，“通孔31与栅极层2在衬底1上的投影不重叠”相当于绝缘层3的通孔31设置在栅极层2的边缘之外的位置，且绝缘层3的通孔31设置在靠近栅极层2的位置，即阻挡部6位于靠近栅极层2边缘的位置。“第一方向射向源漏极5的光”也就是衬底1下方除了栅极层2正对的光线，即衬底1下方远离栅极层2的光线。
阻挡部6通过位于通孔31与衬底1的上表面接触。阻挡部6的设置可以阻挡远离栅极层2的光从靠近栅极层2的边缘射向源漏极5，从而避免射向源漏极5的光在栅极层2和源漏极5之间反射至有源层4上，从而进一步避免来自衬底1下方的光照射到有源层4上，如图2所示，图中的带箭头的虚线表示光照方向。
需要说明的是，薄膜晶体管中的有源层4是一种半导体材料，其是薄膜晶体管中的重要结构，由于有源层4本身的特性，环境中的光照会使得有源层4的性质发生变化，即有源层4的性能变差或者失效，从而会影响薄膜晶体管的电学性能。
本实施例的阵列基板中，通过在绝缘层3的通孔31中设置阻挡部6可以进一步的避免衬底1下方的光线照射到源漏极5，从而避免射向源漏极5的光在栅极层2和源漏极5之间反射至有源层4上，进而更进一步的保证薄膜晶体管的电学性能，从而保证阵列基板的显示性能。
优选的，形成有源层4的材料包括氧化铟镓锌(IGZO)。
其中，氧化铟镓锌是一种光敏感材料，采用氧化铟镓锌形成的有源层4具有迁移率高、漏电流小、均一性高、透明等优点，特别适用于大尺寸阵列基板。
然而，由于氧化铟镓锌材料的特性，当采用氧化铟镓锌形成的有源层4受到光照时，光照会激发该有源层4的深能级氧空位中的电子，同时形成新能级，从而导致薄膜晶体管的阈值电压漂移、亚阈值摆幅劣化等问题。
因此，本实施的阵列基板中的阻挡部6的设置可以很好的保证有源层4不会受到来自衬底1下方的光的照射，从而保证薄膜晶体管的电学性能。
优选的，阻挡部6与源漏极5同层设置且相互连接。
其中，也就是说阻挡部6和源漏极5是同时形成的，两者可以看作是一体的。
这样可以在形成源漏极5的同时形成阻挡部6，从而使得本实施的阵列基板的制备工艺简单，从而节约制作成本。
优选的，在平行于栅极层2的特定边缘的方向上，阻挡部6的宽度大于源漏极5宽度，特定边缘为栅极层2最靠近阻挡部6的边缘。
需要说明的是，如图3所示(图中的虚线框表示阻挡部6所在的位置)，在阵列基板中，衬底1下方的光线能够通过照射到源漏极5最终反射至有源层4的位置(即图中源漏极5超出栅极层2的位置)处都设置阻挡部6，即阻挡部6可有多个。每一个阻挡部6都对应一个与其最近的栅极层2的边缘，即每一个阻挡部6具有一个特定边缘。
当阻挡部6的宽度大于源漏极5宽度时，可以进一步避免衬底1下方的光线照射到源漏极5，从而避免射向源漏极5的光在栅极层2和源漏极5之间反射至有源层4上，进而更进一步的保证薄膜晶体管的电学性能。
此外，本实施的阵列基板的俯视图结构不仅限于图3所示的结构，也可以是其他适合的结构。
优选的，阻挡部6布满通孔31的侧壁，且通孔31的侧壁与通孔31的轴线之间的角度小于30度。
其中，也就是说阻挡部6至少要布满通孔31的侧壁的，阻挡部6外轮廓的形状与通孔31的形状一致。
当通孔31的侧壁符合上述角度后形成的阻挡部6可以进一步的避免衬底1下方的光线照射到源漏极5，从而避免射向源漏极5的光在栅极层2和源漏极5之间反射至有源层4上，进而更进一步的保证薄膜晶体管的电学性能。
优选的，本实施例的阵列基板还包括封装层7，位于源漏极5和有源层4远离衬底1的一侧，用于将薄膜晶体管封装。
其中，如图2所示，封装层7将整个薄膜晶体管封装，对薄膜晶体管具有保护作用，从而保证薄膜晶体管的性能。
实施例2：
如图1至图4所示，本实施例提供一种基阵列板的制备方法，用于形成实施例1中的阵列基板，制备方法包括：
S11、在衬底1上形成薄膜晶体管的栅极层2。
S12、在栅极层2远离衬底1的一侧形成绝缘层3，绝缘层3具有通孔31。
具体的，首先采用沉积工艺在栅极层2远离衬底1的一侧形成绝缘材料层，再通过构图工艺(如光刻工艺等)形成通孔31。
S13、在绝缘层3远离衬底1的一侧形成薄膜晶体管的源漏极5、有源层4，在绝缘层3的通孔31中形成阻挡部6，其中，阻挡部6用于阻挡由第一方向射向源漏极5的光，第一方向为衬底1远离绝缘层3且通孔31远离栅极层2的方向。
具体的，在绝缘层3远离衬底1的一侧形成薄膜晶体管的源漏极5、有源层4，在绝缘层3的通孔31中形成阻挡6部包括：
S131、在绝缘层3远离衬底1的一侧形成有源层4；
S132、在绝缘层3远离衬底1的一侧形成导电材料层，以形成源漏极5和阻挡部6。
这样可以在形成源漏极5的同时形成阻挡部6，从而使得本实施的阵列基板的制备工艺简单，从而节约制作成本。
S14、形成封装层7。
本实施例的阵列基板中，通过在绝缘层3的通孔31中设置阻挡部6可以进一步的避免衬底1下方的光线照射到源漏极5，从而避免射向源漏极5的光在栅极层2和源漏极5之间反射至有源层4上，进而更进一步的保证薄膜晶体管的电学性能。
优选的，形成有源层4的材料包括氧化铟镓锌。
其中，氧化铟镓锌是一种光敏感材料，采用氧化铟镓锌形成的有源层4具有迁移率高、漏电流小、均一性高、透明等优点，特别适用于大尺寸阵列基板。
然而，由于氧化铟镓锌材料的特性，当采用氧化铟镓锌形成的有源层4受到光照时，光照会激发该有源层4的深能级氧空位中的电子，同时形成新能级，从而导致薄膜晶体管的阈值电压漂移、亚阈值摆幅劣化等问题。
因此，本实施的阵列基板中的阻挡部6的设置可以很好的保证有源层4不会受到来自衬底1下方的光的照射，从而保证薄膜晶体管的电学性能。
实施例3：
本实施例提供一种显示面板，包括：
实施例1中的阵列基板；
背光模组，位于衬底1远离绝缘层3的一侧。
其中，也就是说背光模组用于向阵列基板提供光源，使得阵列基板的像素单元发光而形成显示图像。
而本实施例的阵列基板通过在绝缘层3的通孔31中设置阻挡部6可以进一步的避免衬底1下方的光线照射到源漏极5，从而避免射向源漏极5的光在栅极层2和源漏极5之间反射至有源层4上，进而更进一步的保证薄膜晶体管的电学性能。
具体的，该显示面板可为液晶显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上的薄膜晶体管、绝缘层、阻挡部，所述薄膜晶体管的栅极层位于所述衬底上，所述绝缘层位于所述栅极层远离所述衬底的一侧，且所述绝缘层将所述栅极层覆盖，所述薄膜晶体管的源漏极和有源层位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧，且所述源漏极的至少部分与所述有源层连接，所述有源层与至少部分所述栅极层在所述衬底上的投影重合，
其中，所述绝缘层具有通孔，所述通孔与所述栅极层在所述衬底上的投影不重叠，所述阻挡部位于所述通孔中，所述阻挡部用于阻挡由第一方向射向所述源漏极的光，所述第一方向为所述衬底远离所述绝缘层且所述通孔远离所述栅极层的方向。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡部与所述源漏极同层设置且相互连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在平行于所述栅极层的特定边缘的方向上，所述阻挡部的宽度大于所述源漏极宽度，所述特定边缘为所述栅极层最靠近所述阻挡部的边缘。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡部布满所述通孔的侧壁，且所述通孔的侧壁与所述通孔的轴线之间的角度小于30度。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，形成所述有源层的材料包括氧化铟镓锌。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括封装层，位于所述源漏极和有源层远离所述衬底的一侧，用于将所述薄膜晶体管封装。
7.一种基阵列板的制备方法，其特征在于，用于形成权利要求1至6所述的阵列基板，所述制备方法包括：
在衬底上形成所述薄膜晶体管的栅极层；
在所述栅极层远离所述衬底的一侧形成所述绝缘层，所述绝缘层具有通孔；
在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成所述薄膜晶体管的源漏极、有源层，在所述绝缘层的通孔中形成所述阻挡部，其中，所述阻挡部用于阻挡由第一方向射向所述源漏极的光，所述第一方向为所述衬底远离所述绝缘层且所述通孔远离所述栅极层的方向。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成所述薄膜晶体管的源漏极、有源层，在所述绝缘层的通孔中形成所述阻挡部包括：
在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成有源层；
在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成导电材料层，以形成所述源漏极和所述阻挡部。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极层远离所述衬底的一侧形成所述绝缘层，所述绝缘层具有通孔包括：
采用沉积方式在所述栅极层远离所述衬底的一侧形成绝缘材料层；
采用构图工艺在所述绝缘材料层中形成通孔，以形成所述绝缘层。
10.一种显示面板，其特征在于，包括：
权利要求1至6所述的阵列基板；
背光模组，位于所述衬底远离所述绝缘层的一侧。
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CN103117285A (zh) * 2013-02-04 2013-05-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130022450A (ko) * 2011-08-24 2013-03-07 엘지디스플레이 주식회사 산화물 반도체층을 이용한 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
CN103117285A (zh) * 2013-02-04 2013-05-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法

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