CN210403734U - 一种显示基板、显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，为解决显示器件在采用氧化物晶体管时，由于在显示器件中设置了遮光层导致氧化晶体管的阈值电压容易发生漂移，从而影响显示器件的均一性的问题。所述显示基板包括：基底，设置在基底上的遮光层，以及设置在遮光层背向基底的一侧的薄膜晶体管阵列层；遮光层包括多个遮光图形；薄膜晶体管阵列层包括阵列分布的多个子像素驱动电路，子像素驱动电路包括的驱动晶体管与遮光图形一一对应，驱动晶体管的有源图形在基底上的正投影，与对应的遮光图形在基底上的正投影至少部分重叠，遮光图形与对应的驱动晶体管的输入电极耦接。本实用新型提供的显示基板用于显示画面。

Description

一种显示基板、显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示装置。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(英文：Active-matrix organic light-emittingdiode，简称：AMOLED)显示器件，因其具有高响应速度、高色域、高对比度，广视角、超薄、低功耗等优点成为现代显示器研究的热点。

目前，AMOLED显示器件包括的子像素驱动电路中，驱动晶体管的结构主要包括底栅结构和顶栅结构，底栅结构的驱动晶体管中，在垂直于显示器件的基底的方向上，源电极和漏电极与栅极之间的交叠面积较大，产生的寄生电容较大，导致输出信号延迟和波形变形失真。顶栅结构的驱动晶体管中，由于源电极和漏电极与栅极之间存在较厚的层间绝缘层，有效减小了寄生电容，减少了信号延迟和失真，更有利于提升显示器件的显示效果。

而且，为了进一步提升显示器件的显示效果，相关技术中采用了氧化物晶体管作为所述驱动晶体管，但这种氧化物晶体管中的有源层受光照影响容易失效，而相关技术中为了避免氧化物晶体管受光照影响失效，在显示器件中设置了遮光层，但是在氧化物晶体管的源极和漏极之间加载的电压变化时，受到该遮光层的影响，氧化晶体管的阈值电压会发生漂移，从而影响显示器件的均一性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种显示基板、显示装置，用于解决显示器件在采用氧化物晶体管时，由于在显示器件中设置了遮光层导致氧化晶体管的阈值电压容易发生漂移，从而影响显示器件的均一性的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

本实用新型的第一方面提供一种显示基板，包括：基底，设置在所述基底上的遮光层，以及设置在所述遮光层背向所述基底的一侧的薄膜晶体管阵列层；

所述遮光层包括多个遮光图形；

所述薄膜晶体管阵列层包括阵列分布的多个子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括的驱动晶体管与所述遮光图形一一对应，所述驱动晶体管的有源图形在所述基底上的正投影，与对应的所述遮光图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述遮光图形与对应的所述驱动晶体管的输入电极耦接。

可选的，所述驱动晶体管的有源图形在所述基底上的正投影，位于对应的所述遮光图形在所述基底上的正投影的内部。

可选的，所述驱动晶体管包括：沿远离所述基底的方向上，依次层叠设置的所述有源图形、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层和源漏电极层；

所述有源图形包括相对设置的第一有源子图形和第二有源子图形，以及位于所述第一有源子图形和所述第二有源子图形之间，且分别与所述第一有源子图形和所述第二有源子图形耦接的第三有源子图形，所述第一有源子图形和所述第二有源子图形的导电性能优于所述第三有源子图形的导电性能；

所述栅极绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述第三有源子图形在所述基底上的正投影；

所述层间绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔；

所述源漏电极层包括输入电极和输出电极，所述输入电极通过所述第一过孔与所述第一有源子图形和对应的所述遮光图形耦接，所述输出电极通过所述第二过孔与所述第二有源子图形耦接。

可选的，所述第一过孔包括相连通的第一子过孔和第二子过孔，所述第二子过孔位于所述第一子过孔与所述基底之间，所述第二子过孔在所述基底上的正投影位于所述第一子过孔在所述基底上的正投影的内部；

所述输入电极通过所述第一子过孔与所述第一有源子图形耦接，所述输入电极通过所述第二子过孔与对应的所述遮光图形耦接。

可选的，所述显示基板还包括缓冲层，所述缓冲层包括与所述遮光图形一一对应的缓冲图形，所述缓冲图形位于对应的所述遮光图形和对应的所述有源图形之间；

所述遮光图形包括相连接的第一遮光子图形和第二遮光子图形，所述第一遮光子图形在所述基底上的正投影，与对应的所述缓冲图形在所述基底上的正投影重合；所述第二遮光子图形在所述基底上的正投影包围所述第二子过孔在所述基底上的正投影。

可选的，所述第一有源子图形在所述基底上的正投影中的第一边界，与对应的所述缓冲图形在所述基底上的正投影中的第二边界重合，所述第一边界的至少部分与所述第二子过孔在所述基底上的正投影的部分边界重合，且被所述第一子过孔在所述基底上的正投影包围。

可选的，所述栅极在所述基底上的正投影，被所述栅极绝缘层在所述基底上的正投影包围。

可选的，所述有源图形包括氧化物半导体图形。

可选的，所述显示基板还包括：多个色阻图形和多个发光元件，所述色阻图形和所述发光元件均与所述子像素驱动电路一一对应；

所述发光元件包括沿远离所述基底的方向，依次层叠设置的阳极、有机发光材料层和阴极，所述阳极与对应的所述驱动晶体管的输出电极耦接；

所述色阻图形位于所述阳极与对应的所述驱动晶体管的输出电极之间。

基于上述显示基板的技术方案，本实用新型的第二方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。

本实用新型提供的技术方案中，通过遮光图形对子像素驱动电路中驱动晶体管包括的有源图形进行遮挡，避免外界光线对驱动晶体管包括的有源图形进行照射，保证了驱动晶体管的寿命和稳定性。另外，所述显示基板中，由于所述驱动晶体管的输入电极接入的信号具有稳定的电位，因此将所述遮光图形与对应的所述驱动晶体管的输入电极耦接，使得所述遮光图形具有稳定的电位，从而保证了在氧化物晶体管的源极和漏极之间加载的电压变化时，氧化晶体管的阈值电压不会发生漂移，保证了显示基板的显示均一性。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为相关技术中驱动晶体管在不同源漏电压下的栅极电压与漏电流的关系曲线示意图；

图2为本实用新型实施例提供的显示基板的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的驱动晶体管在不同源漏电压下的栅极电压与漏电流的关系曲线示意图；

图4为本实用新型实施例提供的第一过孔和第二过孔的示意图；

图5为本实用新型实施例提供的显示基板的制作流程图。

具体实施方式

为了进一步说明本实用新型实施例提供的一种显示基板、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。

基于背景技术存在的问题，本实用新型的发明人经研究发现，在氧化物晶体管的源极和漏极之间加载的电压变化时，氧化晶体管的阈值电压会发生漂移，从而影响显示器件的均一性的原因在于：显示器件中设置的遮光层处于浮接状态，因此，可以考虑将该遮光层与显示器件中用于传输固定电位的功能图形耦接，从而解决上述问题。

请参阅图2，本实用新型实施例提供了一种显示基板，包括：基底10，设置在所述基底10上的遮光层，以及设置在所述遮光层背向所述基底10的一侧的薄膜晶体管阵列层；所述遮光层包括多个遮光图形11；所述薄膜晶体管阵列层包括阵列分布的多个子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括的驱动晶体管与所述遮光图形11一一对应，所述驱动晶体管的有源图形13在所述基底10上的正投影，与对应的所述遮光图形11在所述基底10上的正投影至少部分重叠，所述遮光图形11与对应的所述驱动晶体管的输入电极162耦接。

具体地，所述薄膜晶体管阵列层包括阵列分布的多个子像素驱动电路，示例性的，每个所述子像素驱动电路均包括驱动晶体管、存储电容和至少两个开关晶体管；所述驱动晶体管的栅极15可通过开关晶体管与显示基板中的数据线耦接，所述驱动晶体管的输入电极162可与显示基板中的电源信号线耦接，所述驱动晶体管的输出电极161可与显示基板中的发光元件耦接；所述驱动晶体管、存储电容和至少两个开关晶体管配合工作，从所述驱动晶体管的输出电极161输出驱动信号至发光元件，从而驱动发光元件发光，实现显示基板的显示功能。

所述遮光层可包括与所述驱动晶体管一一对应的遮光图形11，所述驱动晶体管的有源图形13在所述基底10上的正投影，与对应的所述遮光图形11在所述基底10上的正投影至少部分重叠，这样当外界光线经显示基板的基底10射入显示基板的内部时，所述遮光图形11能够对该光线进行遮挡，避免光线照射所述有源图形13的至少部分，从而保证了驱动晶体管的工作稳定性。

值得注意，所述遮光层除包括上述与驱动晶体管一一对应的遮光图形11外，还可以包括与子像素驱动电路中的开关晶体管对应的其它遮光图形，而且可设置该其它遮光图形在所述基底10上的正投影，与开关晶体管的有源图形在所述基底10上的正投影至少部分交叠，从而避免外界光线对开关晶体管的有源图形进行照射，保证开关晶体管的工作稳定性。

根据上述显示基板的具体结构可知，本实用新型实施例提供的显示基板中，通过遮光图形11对子像素驱动电路中驱动晶体管包括的有源图形13进行遮挡，避免外界光线对驱动晶体管包括的有源图形13进行照射，保证了驱动晶体管的寿命和稳定性。另外，所述显示基板中，由于所述驱动晶体管的输入电极162接入的信号具有稳定的电位，因此将所述遮光图形11与对应的所述驱动晶体管的输入电极162耦接，使得所述遮光图形11具有稳定的电位，从而保证了在氧化物晶体管的源极和漏极之间加载的电压变化时，氧化晶体管的阈值电压不会发生漂移，保证了显示基板的显示均一性。

进一步地，如图1和图3所示，图1和图3中横坐标代表驱动晶体管的栅极15电压Vg，纵坐标代表驱动晶体管产生的漏电流Id，图中的曲线对应驱动晶体管的不同漏源电压Vds下，Vg与Id之间的关系，图1和图2中均示例了Vds取值在：0.1V、3.1V、6.1V、9.1V、12.1V和15.1V时，对应的Vg与Id之间的关系。

需要说明，Vg与Id满足如下关系：

Id＝k(Vgs-Vth)²

其中，Vgs＝Vg-Vs，Vs代表驱动晶体管的源极电压，驱动晶体管的源极可作为输入电极，k代表常数。

从图1中能够看出，当遮光图形11处于浮接状态时，驱动晶体管在不同漏源电压Vds下，对应的Vg-Id曲线相差较大，即驱动晶体管的阈值电压相差加大；而在图3中，驱动晶体管在不同漏源电压Vds下，对应的Vg-Id曲线大部分重合，即驱动晶体管的阈值电压几乎相同。可见，本实用新型实施例提供的显示基板中，保证了在氧化物晶体管的源极和漏极之间加载的电压变化时，氧化晶体管的阈值电压基本不会发生漂移，从而更好的保证了显示基板的显示均一性。

如图2所示，在一些实施例中，所述驱动晶体管的有源图形13在所述基底10上的正投影，位于对应的所述遮光图形11在所述基底10上的正投影的内部。

示例性的，所述驱动晶体管的有源图形13在所述基底10上的正投影，位于对应的所述遮光图形11在所述基底10上的正投影的内部包括：所述驱动晶体管的有源图形13在所述基底10上的正投影，被所述遮光图形11在所述基底10上的正投影包围；或者，所述驱动晶体管的有源图形13在所述基底10上的正投影的部分边界，与所述遮光图形11在所述基底10上的正投影的部分边界重合，所述驱动晶体管的有源图形13在所述基底10上的正投影中，除了上述部分边界外，剩余的边界被所述遮光图形11在所述基底10上的正投影包围。

上述实施例提供的显示基板中，设置所述驱动晶体管的有源图形13在所述基底10上的正投影，位于对应的所述遮光图形11在所述基底10上的正投影的内部，使得所述遮光图形11能够对对应的有源图形13完全遮挡，从而更好的避免了所述有源图形13受到外界光照，保证了驱动晶体管的寿命和稳定性。

如图2和图4所示，在一些实施例中，所述驱动晶体管包括：沿远离所述基底10的方向上，依次层叠设置的所述有源图形13、栅极绝缘层14、栅极15、层间绝缘层19和源漏电极层；

所述有源图形13包括相对设置的第一有源子图形131和第二有源子图形132，以及位于所述第一有源子图形131和所述第二有源子图形132之间，且分别与所述第一有源子图形131和所述第二有源子图形132耦接的第三有源子图形133，所述第一有源子图形131和所述第二有源子图形132的导电性能优于所述第三有源子图形133的导电性能；

所述栅极绝缘层14在所述基底10上的正投影覆盖所述第三有源子图形133在所述基底10上的正投影；

所述层间绝缘层19上设置有第一过孔190和第二过孔191；

所述源漏电极层包括输入电极162和输出电极161，所述输入电极162通过所述第一过孔190与所述第一有源子图形131和对应的所述遮光图形11耦接，所述输出电极161通过所述第二过孔191与所述第二有源子图形132耦接。

具体地，所述驱动晶体管的具体结构多种多样，示例性的，所述驱动晶体管包括：沿远离所述基底10的方向上，依次层叠设置的所述有源图形13、栅极绝缘层14、栅极15、层间绝缘层19和源漏电极层。

所述有源图形13可包括所述第一有源子图形131、所述第二有源子图形132和所述第三有源子图形133，所述第一有源子图形131、所述第二有源子图形132和所述第三有源子图形133能够通过一次构图工艺形成，并通过对所述第一有源子图形131和所述第二有源子图形132进行掺杂，改变所述第一有源子图形131和所述第二有源子图形132的导电性能，使得所述第一有源子图形131和所述第二有源子图形132的导电性能优于所述第三有源子图形133的导电性能。

通过设置所述栅极绝缘层14在所述基底10上的正投影覆盖所述第三有源子图形133在所述基底10上的正投影，使得在对所述第一有源子图形131和所述第二有源子图形132进行掺杂时，栅极绝缘层14能够对所述第三有源子图形133进行遮挡，从而保证所述第三有源子图形133的半导体性能，使得所述驱动晶体管在工作时能够形成满足需求的沟道区域。

在制作所述层间绝缘层19时，可在所述层间绝缘层19上形成第一过孔190和第二过孔191，所述第一过孔190能够暴露所述第一有源子图形131和对应的所述遮光图形11，所述第二过孔191能够暴露所述第二有源子图形132，这样在所述层间绝缘层19背向所述基底10的方向上形成所述输入电极162和所述输出电极161时，所述输入电极162能够通过所述第一过孔190与所述第一有源子图形131和对应的所述遮光图形11耦接，所述输出电极161能够通过所述第二过孔191与所述第二有源子图形132耦接。

而且，可设置所述层间绝缘层19在垂直于基底10的方向上具有较厚的厚度，这样能够进一步减小输入电极162和输出电极161与栅极15之间产生的寄生电容，从而更有利于提升所述驱动晶体管的稳定性。

上述实施例提供的显示基板中，将其包括的子像素驱动电路中的驱动晶体管设置为顶栅结构，使得所述驱动晶体管的输出电极161和输入电极162与栅极15之间形成的寄生电容较小，从而有效减小了信号延迟和失真，提升了显示基板的显示效果。而且，通过在层间绝缘层19上形成第一过孔190，使得所述输入电极162能够通过所述第一过孔190与所述第一有源子图形131和对应的所述遮光图形11耦接，避免了所述遮光图形11处于浮接状态，从而更好的避免了驱动晶体管的阈值电压发生漂移，保证了驱动晶体管的工作稳定性。

值得注意，所述显示基板中，子像素驱动电路包括的各开关晶体管也可以采用与所述驱动晶体管相同的顶栅结构，此处不再赘述。

如图2和图4所示，在一些实施例中，所述第一过孔190包括相连通的第一子过孔1901和第二子过孔1902，所述第二子过孔1902位于所述第一子过孔1901与所述基底10之间，所述第二子过孔1902在所述基底10上的正投影位于所述第一子过孔1901在所述基底10上的正投影的内部；所述输入电极162通过所述第一子过孔1901与所述第一有源子图形131耦接，所述输入电极162通过所述第二子过孔1902与对应的所述遮光图形11耦接。

具体地，所述第一过孔190的结构多种多样，只要能够暴露部分所述第一有源子图形131和部分所述遮光图形11，使得所述驱动晶体管的输出电极161能够通过所述第一过孔190实现与所述第一有源子图形131和所述遮光图形11耦接即可。示例性的，设置所述第一过孔190包括所述第一子过孔1901和所述第二子过孔1902。

更详细地说，所述层间绝缘层19位于所述栅极15背向所述基底10的一侧，能够覆盖基底10上形成的遮光图形11、以及驱动晶体管包括的有源图形13、栅极绝缘层14和栅极15，可通过在所述层间绝缘层19上形成所述第一过孔190，使所述第一子过孔1901在所述基底10上的正投影与所述有源图形13中的第一有源子图形131在所述基底10上的正投影部分重叠，即能够通过所述第一子过孔1901暴露出所述第一有源子图形131，并使所述第二子过孔1902在所述基底10上的正投影与所述遮光图形11在所述基底10上的正投影部分重叠，即能够通过所述第一子过孔1901和所述第二子过孔1902暴露出所述遮光图形11；这样在所述层间绝缘层19背向所述基底10的一侧制作的输入电极162即可通过所述第一子过孔1901与所述第一有源子图形131实现耦接，并通过所述第一子过孔1901与所述第二子过孔1902与遮光图形11耦接。

如图2和图4所示，在一些实施例中，所述显示基板还包括缓冲层，所述缓冲层包括与所述遮光图形11一一对应的缓冲图形12，所述缓冲图形12位于对应的所述遮光图形11和对应的所述有源图形13之间；

所述遮光图形11包括相连接的第一遮光子图形和第二遮光子图形，所述第一遮光子图形在所述基底10上的正投影，与对应的所述缓冲图形12在所述基底10上的正投影重合；所述第二遮光子图形在所述基底10上的正投影包围所述第二子过孔1902在所述基底10上的正投影。

具体地，将所述缓冲图形12和所述遮光图形11设置为上述结构，使得通过半色调掩膜工艺，能够将所述缓冲层和所述遮光图形11在一次构图工艺中形成，且在该一次构图工艺中，能够将用于与输入电极162耦接的所述第二遮光子图形暴露出来，便于后续与所述输入电极162实现耦接。

而且，上述设置第一遮光子图形在所述基底10上的正投影，与对应的所述缓冲图形12在所述基底10上的正投影重合，使得所述缓冲图形12能够完全覆盖所述第一遮光子图形，在干刻形成遮光图形11和缓冲图形12时，第一遮光子图形能够被覆盖在缓冲图形12上的光刻胶保护，避免干刻气体对其产生影响。

如图2和图4所示，在一些实施例中，所述第一有源子图形131在所述基底10上的正投影中的第一边界50，与对应的所述缓冲图形12在所述基底10上的正投影中的第二边界60重合，所述第一边界50的至少部分与所述第二子过孔1902在所述基底10上的正投影的部分边界重合，且被所述第一子过孔1901在所述基底10上的正投影包围。

具体地，将所述第一有源子图形131和所述缓冲图形12设置为上述结构，使得通过半色调掩膜工艺，能够将所述第一有源子图形131、所述缓冲图形12和所述遮光图形11在一次构图工艺中形成，且在该一次构图工艺中，能够将用于与输入电极162耦接的所述第二遮光子图形暴露出来，便于后续与所述输入电极162实现耦接。

上述实施例提供的显示基板中，通过一次构图工艺，同时形成所述有源图形13、所述缓冲图形12和所述遮光图形11，有效简化了工艺步骤，降低了生产成本。

如图2和图4所示，在一些实施例中，可设置所述栅极15在所述基底10上的正投影，被所述栅极绝缘层14在所述基底10上的正投影包围。

具体地，所述栅极15和所述栅极绝缘层14的布局方式多种多样，示例性的，可设置所述栅极15在所述基底10上的正投影，被所述栅极绝缘层14在所述基底10上的正投影包围，这样所述栅极绝缘层14具有比栅极15更大的面积，使得所述栅极绝缘层14能够对所述驱动晶体管的沟道区域进行更好的遮挡，避免了在对所述第一有源子图形131和所述第二子图形进行掺杂时，对所述第三有源子图形133的半导体性能产生影响。

对于上述结构的栅极15和栅极绝缘层14，可通过一次构图工艺同时形成，更详细地说，可先采用绝缘材料形成整层的绝缘材料层，然后采用金属材料在绝缘材料层背向所述基底10的表面形成金属材料层，接着在所述金属材料层背向所述基底10的表面形成光刻胶，然后对光刻胶进行构图，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，光刻胶保留区域与所述栅极15和所述栅极绝缘层14所在区域对应，所述光刻胶去除区域与除所述栅极15和所述栅极绝缘层14所在区域之外的其它区域对应，将位于光刻胶去除区域的光刻胶去除，以光刻胶保留区域的光刻胶为掩膜，先采用湿刻工艺将所述金属材料层位于所述光刻胶去除区域的部分去除，形成所述栅极15，然后继续以光刻胶保留区域的光刻胶为掩膜，采用干刻工艺将所述绝缘材料层位于所述光刻胶去除区域的部分去除，形成所述栅极绝缘层14。

值得注意，虽然所述栅极15和所述栅极绝缘层14是利用同一个光刻胶作为掩膜形成的，但是由于湿刻工艺和干刻工艺的刻蚀区别，所形成的栅极绝缘层14的尺寸会大于所述栅极15的尺寸。

在一些实施例中，可设置所述有源图形13包括氧化物半导体图形。

具体地，当所述驱动晶体管和所述开关晶体管中的有源图形13采用氧化物半导体图形时，能够使得所述驱动晶体管和所述开关晶体管具有迁移率高、漏电流小，开关比高、对比度高等优点，从而更有利提升所述子像素驱动电路的工作稳定性，以及显示基板的显示品质。

在一些实施例中，所述显示基板还包括：多个色阻图形20和多个发光元件，所述色阻图形20和所述发光元件均与所述子像素驱动电路一一对应；

所述发光元件包括沿远离所述基底10的方向，依次层叠设置的阳极30、有机发光材料层和阴极，所述阳极30与对应的所述驱动晶体管的输出电极161耦接；

所述色阻图形20位于所述阳极30与对应的所述驱动晶体管的输出电极161之间。

具体地，所述色阻图形20的具体颜色可根据实际需要设置，示例性的，所述多个色阻图形包括多个红色色阻图形、多个绿色色阻图形和多个蓝色色阻图形。

所述发光元件可包括沿远离所述基底10的方向，依次层叠设置的阳极30、有机发光材料层和阴极，所述阳极30与对应的所述驱动晶体管的输出电极161耦接，接收所述驱动晶体管提供的驱动信号，所述发光材料层在所述阳极30和所述阴极的共同作用下发光。

值得注意，所述有机发光材料层可发出白色光线，该白色光线穿过对应的色阻图形变成彩色光线，并最终从基底10射出所述显示基板。

为了更清楚的说明上述实施例提供的显示基板的制作过程，下面给出制作上述显示基板的一种具体方法。

如图4和5所示，先提供一透明的基底10，该透明的基底10可选用50μm-1000μm厚的康宁或旭硝子玻璃或者其它如石英玻璃等。

采用溅射设备在基底10上沉积遮光材料层110，遮光材料可选用为Mo、MoTi、MoNb、Al/Mo等不透光且具体良好导电性的金属材料。需要说明，Al/Mo是指：沉积遮光材料层110包括两层层叠设置的膜层，靠近基底的膜层采用Al制作，远离基底的膜层采用Mo制作；或者也可以指采用Al/Mo合金材料形成遮光材料层110。

采用化学气相沉积方法，在所述遮光材料层背向所述基底10的表面沉积形成缓冲材料层，该缓冲材料层的成分可选为SiN_x、SiO_x或SiO_xN_y的一种或几种交叠而成，厚度可选在100nm～500nm之间。

采用溅射设备在缓冲膜层上沉积氧化物作为有源层，氧化物可选为IGZO、ZnON、ITZO等非晶氧化物。

在所述有源层背向所述基底10的表面形成光刻胶40，利用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶完全保留区域对应有源图形13所在区域，所述光刻胶半保留区域对应第二遮光子图形所在区域，所述光刻胶完全去除区域对应除所述有源图形13和所述第二遮光子图形所在区域的其它区域。值得注意，所述光刻胶半保留区域的光刻胶，在平行于所述基底的方向上的尺寸大概为2μm。

以光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域的光刻胶为掩膜，通过湿刻工艺对所述有源层进行刻蚀，形成有源图形13。需要说明，由于湿刻工艺是采用刻蚀液进行刻蚀，因此刻蚀过程中，会有部分刻蚀液钻入光刻胶下方，从而使得有源层中位于光刻胶半保留区域的部分会被钻入的刻蚀液去除，同时使得有源层中位于光刻胶完全保留区域的少部分会被钻入的刻蚀液去除。

继续以光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域的光刻胶为掩膜，通过干刻工艺对所述缓冲膜层和遮光金属层进行刻蚀，形成遮光图形11和缓冲过渡图形121。

利用灰化工艺将位于光刻胶半保留区域的光刻胶去除，然后继续以光刻胶完全保留区域的光刻胶为掩膜，通过干刻工艺对所述缓冲膜层进行刻蚀，形成缓冲图形12；最后将剩余的光刻胶剥离。

继续化学气相沉积方法，沉积形成栅极绝缘膜层，再用溅射设备在栅极绝缘膜层背向所述基底10的表面沉积形成栅极金属层，栅极金属层的厚度可选为200nm-1000nm，选用材料可为Al、Mo、Cr、Cu、Ti等。

然后在栅金属层背向所述基底10的表面形成光刻胶层，对该光刻胶层进行曝光、显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，光刻胶保留区域与要形成的栅极15所在区域对应，光刻胶去除区域与除所述栅极15所在区域之外的其它区域对应。

以该光刻胶保留区域的光刻胶为掩膜，采用湿刻工艺将位于光刻胶去除区域的栅极金属层去除，形成所述栅极15；继续以该光刻胶保留区域的光刻胶为掩膜，采用干刻工艺将位于光刻胶去除区域的栅极绝缘膜层去除，形成所述栅极绝缘层14，最后将位于光刻胶去除区域的光刻胶去除。

采用NH₃、N₂、H₂其中的任意一种气体对未被所述栅极绝缘层14覆盖的有源图形13(即第一有源子图形131和第二有源子图形132)进行导体化处理，以减小有源图形13与输入电极162和输出电极161的欧姆接触电阻。

继续采用等离子体增强化学的气相沉积法，在所述基底10形成有栅极15的一侧沉积形成层间绝缘层19，然后采用干刻工艺在所述层间绝缘层19上形成所述第一过孔190和所述第二过孔191。值得注意，所述层间绝缘层19可为采用SiN_x或SiO_x形成的单层薄膜，或者利用SiN_x形成的单层膜层和SiO_x形成的单层膜层交叠设置的多层膜层。

继续采用溅射工艺沉积形成源漏金属层，该源漏金属层采用的金属材料可选为Al、Mo、Cr、Cu、Ti等，厚度可选为200nm-1000nm，然后在该源漏金属层背向所述基底10的一侧形成光刻胶，经过光刻工艺和湿刻工艺得到输入电极162和输出电极161，所述输入电极162通过所述第一过孔190与所述第一有源子图形131和所述遮光图形11耦接，所述输出电极161通过所述第二过孔191与所述第二有源子图形132耦接。

继续采用等离子体增强化学的气相沉积法，在所述基底10形成有输入电极162和输出电极161的一侧沉积形成钝化层17，该钝化层17的成分可选为SiN_x、SiO_x或SiO_xN_y的一种或几种交叠而成，厚度可选为100nm～500nm；然后对所述钝化层17进行曝光、干刻工艺，在所述钝化层17上形成能够暴露所述输出电极161的过孔。

然后在所述钝化层17背向所述基底10的一侧形成色阻图形20，示例性的，先用Slit方式涂覆蓝色彩膜，并光刻形成所需图形，后烘去除有机溶剂，形成蓝色色阻图形20；继续以相同的方式形成绿色色阻图形20和红色色阻图形20。

继续利用有机材料，在各色阻图形20背向所述基底10的表面形成平坦层18，然后在平坦层18和钝化层17上形成能够暴露所述输出电极161的过孔。

最后采用溅射工艺沉积形成氧化铟锡薄膜，厚度可选为40nm-110nm，对该氧化铟锡薄膜进行构图(通过光刻、湿刻工艺)形成阳极30，该阳极30能够通过平坦层18和钝化层17上的过孔与所述输出电极161耦接。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示基板。

由于上述实施例提供的显示基板中，通过遮光图形对子像素驱动电路中驱动晶体管包括的有源图形进行遮挡，避免外界光线对驱动晶体管包括的有源图形进行照射，保证了驱动晶体管的寿命和稳定性。另外，所述显示基板中，由于所述驱动晶体管的输入电极接入的信号具有稳定的电位，因此将所述遮光图形与对应的所述驱动晶体管的输入电极耦接，使得所述遮光图形具有稳定的电位，从而保证了在氧化物晶体管的源极和漏极之间加载的电压变化时，氧化晶体管的阈值电压不会发生漂移，保证了显示基板的显示均一性。因此，本实用新型实施例提供的显示装置在包括上述显示基板时同样具有上述有益效果，此处不再赘述。

需要说明的是，所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底，设置在所述基底上的遮光层，以及设置在所述遮光层背向所述基底的一侧的薄膜晶体管阵列层；

所述遮光层包括多个遮光图形；

所述薄膜晶体管阵列层包括阵列分布的多个子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括的驱动晶体管与所述遮光图形一一对应，所述驱动晶体管的有源图形在所述基底上的正投影，与对应的所述遮光图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述遮光图形与对应的所述驱动晶体管的输入电极耦接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动晶体管的有源图形在所述基底上的正投影，位于对应的所述遮光图形在所述基底上的正投影的内部。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动晶体管包括：沿远离所述基底的方向上，依次层叠设置的所述有源图形、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层和源漏电极层；

所述有源图形包括相对设置的第一有源子图形和第二有源子图形，以及位于所述第一有源子图形和所述第二有源子图形之间，且分别与所述第一有源子图形和所述第二有源子图形耦接的第三有源子图形，所述第一有源子图形和所述第二有源子图形的导电性能优于所述第三有源子图形的导电性能；

所述栅极绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述第三有源子图形在所述基底上的正投影；

所述层间绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔；

所述源漏电极层包括输入电极和输出电极，所述输入电极通过所述第一过孔与所述第一有源子图形和对应的所述遮光图形耦接，所述输出电极通过所述第二过孔与所述第二有源子图形耦接。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一过孔包括相连通的第一子过孔和第二子过孔，所述第二子过孔位于所述第一子过孔与所述基底之间，所述第二子过孔在所述基底上的正投影位于所述第一子过孔在所述基底上的正投影的内部；

所述输入电极通过所述第一子过孔与所述第一有源子图形耦接，所述输入电极通过所述第二子过孔与对应的所述遮光图形耦接。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括缓冲层，所述缓冲层包括与所述遮光图形一一对应的缓冲图形，所述缓冲图形位于对应的所述遮光图形和对应的所述有源图形之间；

所述遮光图形包括相连接的第一遮光子图形和第二遮光子图形，所述第一遮光子图形在所述基底上的正投影，与对应的所述缓冲图形在所述基底上的正投影重合；所述第二遮光子图形在所述基底上的正投影包围所述第二子过孔在所述基底上的正投影。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一有源子图形在所述基底上的正投影中的第一边界，与对应的所述缓冲图形在所述基底上的正投影中的第二边界重合，所述第一边界的至少部分与所述第二子过孔在所述基底上的正投影的部分边界重合，且被所述第一子过孔在所述基底上的正投影包围。

7.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述栅极在所述基底上的正投影，被所述栅极绝缘层在所述基底上的正投影包围。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有源图形包括氧化物半导体图形。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：多个色阻图形和多个发光元件，所述色阻图形和所述发光元件均与所述子像素驱动电路一一对应；

所述发光元件包括沿远离所述基底的方向，依次层叠设置的阳极、有机发光材料层和阴极，所述阳极与对应的所述驱动晶体管的输出电极耦接；

所述色阻图形位于所述阳极与对应的所述驱动晶体管的输出电极之间。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9中任一项所述的显示基板。

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