CN112366222A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 311
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 111
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 206010051246 Photodermatosis Diseases 0.000 abstract 1
- 230000008845 photoaging Effects 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
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- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置。该显示面板包括:衬底基板;遮光层,遮光层设置于衬底基板上,遮光层包括多个遮光区域;像素驱动层,像素驱动层设置于遮光层远离衬底基板的一侧,像素驱动层包括至少一个第一薄膜晶体管,至少一个第二薄膜晶体管和至少一个存储电容的第一极板,每个第一薄膜晶体管对应设置有遮光区域,每个第二薄膜晶体管对应设置有遮光区域,每个第一极板对应设置有遮光区域;显示功能层,显示功能层设置于像素驱动层远离衬底基板的一侧。解决了光老化导致的显示面板的显示质量的问题。
Description
技术领域
本申请一般涉及面板显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光显示(Organic Light Emitting Diode,OLED)技术是当今显示技术领域的热点研究方向之一,其具有宽视角、高对比度、低功耗等各种优势,已经被广泛应用,OLED显示面板通常包括,用于显示图像的有机发光器件和用于驱动有机发光器件显示图像的像素驱动层,该像素驱动层通常由阵列排布的薄膜晶体管和存储电容组成。
随着显示技术的成熟,出现了一种在同一衬底基板上同时形成包括低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管的OLED显示面板。
但是,OLED显示面板属于电流驱动显示面板,需要像素驱动层提供稳定的电流来控制有机发光器件发光,由于环境光的影响,薄膜晶体管会出现漏电现象,且存储电容通常较小,导致有机发光器件显示不稳定,影响显示效果。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种改善显示面板显示效果的显示面板及其制作方法、显示装置。
第一方面,本申请提供了一种显示面板,包括;
衬底基板;
遮光层,遮光层设置于衬底基板上,遮光层包括多个遮光区域;
像素驱动层,像素驱动层设置于遮光层远离衬底基板的一侧,像素驱动层包括至少一个第一薄膜晶体管,至少一个第二薄膜晶体管和至少一个存储电容的第一极板,每个第一薄膜晶体管对应设置有遮光区域,每个第二薄膜晶体管对应设置有遮光区域,每个第一极板对应设置有遮光区域;
显示功能层,显示功能层设置于像素驱动层远离衬底基板的一侧;
第二方面,本申请提供了一种显示面板的制造方法,包括:
在衬底基板上形成遮光层;
对遮光层进行刻蚀形成多个遮光区域;
在遮光层远离衬底基板的一侧形成第二缓冲层;
在第二缓冲层远离衬底基板的一侧形成像素驱动层,像素驱动层包括至少一个第一薄膜晶体管,至少一个第二薄膜晶体管和至少一个存储电容的第一极板,每个第一薄膜晶体管对应设置有遮光区域,每个第二薄膜晶体管对应设置有遮光区域,每个第一极板对应设置有遮光区域;
在像素驱动层远离衬底基板的一侧形成显示功能层;
第三方面,本申请提供了一种显示装置,包括如第一方面的显示面板,或者,显示装置的显示面板基于如第二方面的方法制成。
本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:
本申请实施例提供的显示面板及其制作方法、显示装置,包括:衬底基板;遮光层,遮光层设置于衬底基板上,遮光层包括多个遮光区域;像素驱动层,像素驱动层设置于遮光层远离衬底基板的一侧,像素驱动层包括至少一个第一薄膜晶体管,至少一个第二薄膜晶体管和至少一个存储电容的第一极板,每个第一薄膜晶体管对应设置有遮光区域,每个第二薄膜晶体管对应设置有遮光区域,每个第一极板对应设置有遮光区域;显示功能层,显示功能层设置于像素驱动层远离衬底基板的一侧。可以改善环境光对像素驱动层中的薄膜晶体管和存储电容的性能影响,增大存储电容的电容值,改善显示面板的显示质量。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本相关技术中例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的一种显示面板的制作流程示意图;
图5为本申请实施例提供的一种制作过程中的显示面板的结构示意图;
图6为本申请实施例提供的另一种制作过程中的显示面板的结构示意图;
图7为本申请实施例提供的另一种制作过程中的显示面板的结构示意图;
图8为本申请实施例提供的另一种制作过程中的显示面板的结构示意图;
图9为本申请实施例提供的另一种制作过程中的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
图1是相关技术中提供的一种显示面板中显示区域(AA区)的部分结构示意图,如图1所示,该显示面板包括衬底基板110,该衬底基板上设置有第二缓冲层120,该第二缓冲层120远离该衬底基板110的一侧依次设置有像素驱动层130和显示功能层140。
请继续参考图1,该像素驱动层包括:依次设置于该第二缓冲层120远离该衬底基板110一侧的第一有源层1301,第二栅绝缘层1302,第一栅极层1303,以及与第一栅极层1303同层设置的遮光层140,第一栅绝缘层1304,第一缓冲层1305,第一极板1306,以及与第一极板1306同层设置的第二有源层1307,第三栅绝缘层1308、第二栅极层1309、层间介质层1310,第一源漏极层1311、钝化层1312、第一平坦层1313、第二源漏极层1314和第二平坦层1315。
其中,第一有源层1301的可以由多晶硅材料制成,第二栅绝缘层1302、第一栅绝缘层1304、第一缓冲层1305、第三栅绝缘层1308和层间介质层1310上设置有过孔,第一源漏极层1311通过该过孔与第一有源层1301连接,第一有源层1301、第一源漏极层1311与该第一栅极层1303构成第一薄膜晶体管T1,该第一薄膜晶体管T1为LTPS薄膜晶体管,当该LTPS薄膜晶体管为双源漏极型薄膜晶体管时,请继续参考图1,则该钝化层1312和第一平坦层1313上设置过孔,使第二源漏极层1314通过该过孔与第一源漏极层1311连接。
第二有源层1307的可以由氧化物材料制成,第一源漏极层1311通过第三栅绝缘层1308和层间介质层1310上的过孔与该第二有源层1307连接,第二有源层1307、第一源漏极层1311与该第二栅极层1309构成第二薄膜晶体管T2,该第二薄膜晶体管T2为氧化物晶体管。
请继续参考图1,该显示功能层150包括依次设置于第二平坦层1315远离衬底基板110一侧的有机发光器件,该有机发光器件包括第一电极层1501、有机发光层1502和第二电极层1503,该第一电极层可以是阳极层。该第二电极层是阴极层,或者,该第一电极层可以是阴极层,该第二电极层是阳极层。其中,该第一电极层1501通过设置于第二平坦层1315上的过孔与第二源漏极层1314连接,该发光器件的位置由与发光器件同层设置的像素定义层1504确定。可选的,该显示面板还包括薄膜封装层160,用于对显示面板中的各功能膜层进行封装,防止空气中的水分和氧气对显示面板中的功能膜层的腐蚀。
在相关技术中,该显示面板中的遮光层的材料可以是遮光金属,该遮光层的一部分遮光区域与第一极板对应设置形成存储电容,可以稳定像素驱动层提供的电流,来控制有机发光器件,并可以防止第一极板受环境光照射老化,影响存储电容稳压性能;该遮光层的一部分遮光区域与第二有源层对应设置,可以防止第二有源层受环境光照射老化,影响氧化物晶体管的性能。
但是,相关技术中提供的显示面板,由于LTPS薄膜晶体管通常会受环境光影响出现漏电现象,且显示面板中存储电容的电容值通常较小,发光器件在发光时的稳定性差,导致显示面板的显示效果差。
本申请实施例提供一种。显示面板,如图2所示,该显示面板包括:
衬底基板110,该衬底极板可以包括衬底1101和阻隔层1102,该衬底可以由柔性材料或者玻璃材料制成,当该显示面板为柔性显示面板时,该形成该衬底的材料可以是聚酰亚胺(Polyimide,PI),该阻隔层用于保护显示面板中不受环境中的水分和氧气的腐蚀,以及防止显示面板受外部的电信号影响,该阻隔层可由诸如氮化硅(SiNx)等无机材料制成。
遮光层140,遮光层140设置于衬底基板110上,该遮光层140包括多个遮光区域,该遮光层140的可以由不透光金属材料制成,例如,该不透光金属材料可以是金属钽。
像素驱动层130,像素驱动层130设置于遮光层140远离衬底基板的一侧,该像素驱动层包括至少一个第一薄膜晶体管T1,至少一个第二薄膜晶体管T2和至少一个存储电容的第一极板1306,其中,每个第一薄膜晶体管T1对应设置有遮光区域140,每个第二薄膜晶体管T2对应设置有遮光区域140,每个第一极板1306对应设置有遮光区域140。
显示功能层150,显示功能层150设置于像素驱动层130远离衬底基板110的一侧,该显示功能层的结构可以参考上述实施例中图1中的显示功能层的结构,本申请实施例对此不做赘述。
请继续参考图2,如图2所示,该显示面板还可以包括设置于遮光层与像素驱动层130之间的第二缓冲层120,以及设置于该显示功能层130远离衬底基板110一侧的薄膜封装层160。其中,该像素驱动层130包括:设置于该第二缓冲层120远离该衬底基板110一侧的第一有源层1301,第二栅绝缘层1302,第一栅极层1303,第一栅绝缘层1304,第一缓冲层1305,第一极板1306,第二有源层1307,第三栅绝缘层1308、第二栅极层1309、层间介质层1310,第一源漏极层1311、钝化层1312、第一平坦层1313、第二源漏极层1314和第二平坦层1315。
可选的,如图3所示,在本申请实施例中,显示面板中的多个遮光区域包括至少一个第一遮光区域1401,至少一个第二遮光区域1402和至少一个第三遮光区域1403,每个第一薄膜晶体管T1与每个第一遮光区域1401一一对应设置,每个第二薄膜晶体管T2与每个第二遮光区域1402一一对应设置,每个第一极板1306与每个第三遮光区域1403一一对应设置。
请继续参考图3,第一薄膜晶体管T1可以为双源漏极型薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管的结构可以参考图1中示出的显示面板中第一薄膜晶体管的结构示意图,本申请实施例对此不做赘述,其中,该第一薄膜晶体管的第一有源层可以由多晶硅材料制成,则该第一薄膜晶体管为LTPS薄膜晶体管,由于LTPS薄膜晶体管具有良好的响应特性,可以被用作发光器件的驱动薄膜晶体管。在该显示面板中,第一遮光区域1401在衬底基板110上的投影与第一有源层1301在衬底基板110上的投影部分或者全部重叠,该第一遮光区域1401在衬底基板110上的投影面积,可以大于或者等于第一有源层1301在衬底基板110上的投影面积,该第一遮光区域可以遮挡照射该第一有源层的环境光,降低或者防止该驱动薄膜晶体管在驱动发光器件发光过程中出现的漏电现象,影响驱动薄膜晶体管的功能实现。
其中,第二薄膜晶体管T2的结构可以参考图1中示出的显示面板中第二薄膜晶体管的结构示意图,本申请实施例对此不做赘述,该第二薄膜晶体管的第二有源层可以由氧化物材料制成,则该第二薄膜晶体管可以为氧化物薄膜晶体管。由于氧化物薄膜晶体管具有良好的截止电流特性,可以被用作发光器件的开关薄膜晶体管。在该显示面板中,第二遮光区域1402在衬底基板110上的投影与第二有源层1307在衬底基板110上的投影部分或者全部重叠,该第二遮光区域1402在衬底基板110上的投影面积,可以大于或者等于第二有源层1307在衬底基板110上的投影面积。该第二遮光区域可以遮挡照射该第二有源层的环境光,保证该开关薄膜晶体管的截止电流特性的实现。其中,该氧化物材料可以是由氧化銦(In2O3)、氧化钙(Ga2O3)和氧化锌(ZnO)三种氧化物组成的混合氧化物材料。
可选的,如图3所示,该第二薄膜晶体管T2的第二有源层1307与第二遮光区域1402之间的第二缓冲层120、第二栅绝缘层1302和第一栅绝缘层1304上设置有过孔,该过孔用于暴露第二遮光区域1402,第一缓冲层1305设置于该过孔中,第二有源层1307设置于第一缓冲层1305上,与该第二遮光区域1402对应设置。相较于相关技术中提供的显示面板,由于第二有源层与第二遮光区域的距离减小,可以增强第二遮光区域对环境光的遮挡效果,特别是在第二有源层与第二遮光区域的面积相等时,二者之间的小距离,可以进一步提升该第二遮光区域对第二有源层的光遮挡效果,且可以改善显示面板的负偏置温度不稳定(Negative-bias temperature instability,NBTI)效应,改善显示面板的显示质量。
其中,该第一极板1306与第三遮光区域1403之间的第二缓冲层120和第二栅绝缘层1302上设置有过孔,该过孔用于暴露该第三遮光区域1403,第一栅绝缘层1304设置于该过孔中,第一电极1306设置于该第一栅绝缘层1304上,与该第二遮光区域1403对应设置,形成该显示面板中的存储电容,该第三遮光区域1403在衬底基板110上的投影与第一极板1306在衬底基板110上的投影部分或者全部重叠,第三遮光区域1403在衬底基板110上的投影面积大于或者等于第一极板1306在衬底基板110上的投影面积,该第三遮光区域可以遮挡照射该第一极板的环境光,保证存储电容的稳压功能的实现。相较于现有技术提供的显示面板,该第一电极与第三遮光区域之间的距离减小,增大了存储电容的电容值,保证存储电容的稳压性能。且该第一栅绝缘层1304的介电常数通常大于或者等于7,可以进一步增大该存储电容的电容值,提升存储电容的稳压性能。
需要说明的是,在本申请实施例中,该存储电容的第一电极与像素驱动层的电压输出端连接,存储电容的下极板(遮光区域)与第二薄膜晶体管的栅极连接,在该显示面板中,通过第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和存储电容共同作用,可以实现显示面板中的发光器件的驱动功能。该显示面板的发光层可以防止环境光对该第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和存储电容的功能的影响,保证显示面板的显示质量。可选的,由于与第一薄膜晶体管和与第二薄膜晶体管对应设置的遮光区域无需连接电路信号,该与第一薄膜晶体管和与第二薄膜晶体管对应设置的遮光区域可以为一个遮光区域,或者,该发光层的其余区域可以根据实际需求设置有遮光区域。
可以理解的是,图2中的示出的是显示面板中的一个发光器件对应显示区域的显示面板的结构示意图,通常情况下,显示面板发光区域的显示功能层包括多个显示器件,则该显示面板中包括至少一个第一薄膜晶体管,至少一个第二薄膜晶体管和至少一个存储电容,以及与每个第一薄膜晶体管对应设置的遮光区域,与每个第二薄膜晶体管对应设置的遮光区域和与每个第一极板对应设置的遮光区域。
综上所述,本申请实施例提供的显示面板,包括:衬底基板;遮光层,遮光层设置于衬底基板上,遮光层包括多个遮光区域;像素驱动层,像素驱动层设置于遮光层远离衬底基板的一侧,像素驱动层包括至少一个第一薄膜晶体管,至少一个第二薄膜晶体管和至少一个存储电容的第一极板,每个第一薄膜晶体管对应设置有遮光区域,每个第二薄膜晶体管对应设置有遮光区域,每个第一极板对应设置有遮光区域;显示功能层,显示功能层设置于像素驱动层远离衬底基板的一侧;可以改善环境光对像素驱动层中的薄膜晶体管和存储电容的性能影响,增大存储电容的电容值,改善显示面板的显示质量。
本申请实施例提供一种显示面板的制造方法,本申请实施例以制造如图3中示出的显示面为例,对该显示面板的制作过程进行说明,如图4所示,该方法,包括:
步骤201、在衬底基板上形成遮光层。
在本步骤中,可以在衬底基板一侧形成遮光层,形成该遮光层的材料可以是不透光金属材料,例如金属钽。
步骤202、对遮光层进行刻蚀形成多个遮光区域。
在本步骤中,采用一次灰度掩模工艺刻蚀该遮光层,形成多个遮光区域,该多个遮光区域包括至少一个第一遮光区域,至少一个第二遮光区域和至少一个第三遮光区域,灰度掩模工艺指的是采用灰度掩模版进行的光刻工艺(也称构图工艺或图形化工艺),其包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。如图5所示,在衬底基板110上形成了第一遮光区域1401,第二遮光区域1402和第三遮光区域1403。
步骤203、在遮光层远离衬底基板的一侧形成第二缓冲层。
在本步骤中,可以采用采用沉积、涂敷或溅射等方式在衬底基板一侧形成缓冲层,该缓冲层的可以由二氧化硅或氮化硅制成,该缓冲层可以缓解外力对衬底基板的损伤,还可以阻止杂质进入到薄膜晶体管的有源层中,影响薄膜晶体管的性能。其中,形成该第二缓冲层的材料可以是氧化硅(SiOx)。
步骤204、在第二缓冲层远离衬底基板的一侧形成像素驱动层。
在本申请实施例中,像素驱动层像素驱动层包括至少一个第一薄膜晶体管,至少一个第二薄膜晶体管和至少一个存储电容。
在本步骤中,该在第二缓冲层远离衬底基板的一侧形成像素驱动层的过程包括:
采用准分子激光退火(ELA)工艺在第二缓冲层远离衬底基板的一侧形成第一有源层,通过一次掩模工艺保留该第一有源层与第一遮光区域对应位置的区域,在该第一有源层上形成第二栅极绝缘层,通过掩模工艺在第二栅绝缘层和第二缓冲层上形成过孔暴露第三遮光区域,其中,形成第一有源层的材料为多晶硅材料,如图6所示,图6为制作过程中的显示面板的结构示意图,其中,通过第二缓冲层120与第二栅绝缘层1302上的过孔暴露第三遮光区域1403。
进一步的,在第二栅极绝缘层远离衬底基板的一侧形成第一栅极层,在第一栅绝缘层和第二栅极层上形成过孔暴露第二遮光区域。其中,形成该第一栅绝缘层的材料可以是氮化硅(SiNx),其介电常数通常大于或者等于7。如图7所示,图7为制作过程中的显示面板的结构示意图,其中,通过第二缓冲层120、第二栅绝缘层1302与第一栅绝缘层1304上的过孔暴露第二遮光区域1402,该第一栅绝缘层1304保形的形成于与第三遮光区域1403对应的过孔中。
接着,在第一栅绝缘层远离衬底基板的一侧形成第一缓冲层,在第一缓冲层远离衬底基板的一侧,且与第二遮光区域的对应位置形成第二有源层,在第二有源层远离衬底基板的一侧形成第三栅绝缘层,在第一缓冲层与第三栅绝缘层上形成过孔,暴露与第三遮光区域对应位置的第一栅绝缘层,在第三栅绝缘层远离衬底基板的一侧形成导电金属层。
进一步的,通过一次掩模工艺保留第一缓冲层与第三栅绝缘层的过孔中的第一导电金属区域,以及与第二有源层对应位置的第二导电金属区域,其中,第一导电金属区域为第一电极,该第一电极与第三遮光区域形成显示面板中的存储电容;第二导电金属区域为第二栅极层。如图8所示,图8为制作过程中的显示面板的结构示意图,其中,通过过孔设计,使第二遮光区域1402与第二有源层1307之间仅有一层第一缓冲层1305,可以增强第二遮光区域对环境光的遮挡效果,且可以改善显示面板的负偏置温度不稳定效应,改善显示面板的显示质量;第一电极1306与第二遮光区域1403对应设置于第一栅绝缘层1304上,该第一电极与第三遮光区域之间的距离减小,增大了存储电容的电容值,保证存储电容的稳压性能。
进一步的,在该第三栅绝缘层远离衬底基板的一侧形成层间介质层。并通过一次构图工艺在与第一有源层对应位置的第二栅绝缘层、第一栅绝缘层、第一缓冲层、第三栅绝缘层和层间介质层上形成过孔,以及,在通过一次构图工艺在与第一有源层对应位置的第三栅绝缘层和层间介质层上形成有过孔,并在该过孔中形成第一源漏极层。其中,该与第一有源层对应的过孔和与第二有源层对应的过孔,可以通过一次掩模工艺实现,减少工艺流程,例如,可以通过半色调掩模(half-tone mask)实现一次掩模工艺获得不同过孔深度的刻蚀效果。如图9所示,图9为制作过程中的显示面板的结构示意图,其中,通过过孔工艺形成了第一源漏极层1311,形成该显示面板中的第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2。
可选的,若该第一薄膜晶体管为双源漏极型薄膜晶体管,则可以在该与第一薄膜晶体管对应的第一源漏极层远离衬底基板的一侧形成钝化层,防止该源漏极层被腐蚀,进一步的,在该钝化层远离衬底基板的一侧形成第一平坦层,将已有膜层平坦化,并通过一次掩模工艺在该第一平坦层上形成过孔,暴露该第一薄膜晶体管的第一源漏极层,在该过孔中形成第二源漏极层,并在该第二源漏极远离衬底基板的一侧形成第二平坦层。
步骤205、在像素驱动层远离衬底基板的一侧形成显示功能层。
在本步骤中,在像素驱动层远离衬底基板的一侧形成显示功能层的过程可以基于第一薄膜晶体管的类型有以下两种可选的实现方式:
若该第一薄膜晶体管为单源漏极型薄膜晶体管,则该形成显示功能层的过程可以包括:通过一次掩模工艺在第一平坦层上形成过孔,暴露第一源漏极层,在该过孔中形成第一电极层,并在第一电极层远离衬底基板的一侧形成像素定义层,通过一次构图工艺在该像素定义层上形成过孔,暴露该第一电极层,进一步的,在该第一电极层上形成有机发光层和第二电极层。
若该第一薄膜晶体管为双源漏极型薄膜晶体管,则该形成显示功能层的过程可以包括:通过一次掩模工艺在第二平坦层上形成过孔,暴露第二源漏极层,后续的发光器件的形成过程与第一薄膜晶体管为单源漏极型薄膜晶体管时,形成显示功能层的过程一致,本申请实施例对此不做赘述。
可以理解的是,为了防止显示面板被空气中的水分和氧气腐蚀,可以在该显示功能层远离衬底基板的一侧形成薄膜封装层,显示面板制作完毕。该显示面板的结构可以参考图3。
需要说明的是,在本申请实施例中,各膜层的形成过程可以基于个膜层的材料选择不同的薄膜工艺,该薄膜工艺可以是是沉积、涂敷或溅射等工艺。
综上所述,本申请实施例提供的显示面板的制造方法,包括:在衬底基板上形成遮光层;对遮光层进行刻蚀形成多个遮光区域;在遮光层远离衬底基板的一侧形成第二缓冲层;在第二缓冲层远离衬底基板的一侧形成像素驱动层,像素驱动层包括至少一个第一薄膜晶体管,,至少一个第二薄膜晶体管和至少一个存储电容的第一极板,每个第一薄膜晶体管对应设置有遮光区域,每个第二薄膜晶体管对应设置有遮光区域,每个第一极板对应设置有遮光区域;在像素驱动层远离衬底基板的一侧形成显示功能层,可以改善环境光对像素驱动层中的薄膜晶体管和存储电容的性能影响,增大存储电容的电容值,改善显示面板的显示质量。
本申请实施例还提供一种显示装置,该显示装置包括上述显示面板,该显示装置可以为:液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。可选的,该显示装置可以为柔性显示装置。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的发明范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
遮光层,所述遮光层设置于所述衬底基板上,所述遮光层包括多个遮光区域;
像素驱动层,所述像素驱动层设置于所述遮光层远离所述衬底基板的一侧,所述像素驱动层包括至少一个第一薄膜晶体管,至少一个第二薄膜晶体管和至少一个存储电容的第一极板,每个所述第一薄膜晶体管对应设置有所述遮光区域,每个所述第二薄膜晶体管对应设置有所述遮光区域,每个所述第一极板对应设置有所述遮光区域;
显示功能层,所述显示功能层设置于所述像素驱动层远离所述衬底基板的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个遮光区域包括至少一个第一遮光区域,至少一个第二遮光区域和至少一个第三遮光区域,每个所述第一薄膜晶体管与每个所述第一遮光区域一一对应设置,每个所述第二薄膜晶体管与每个所述第二遮光区域一一对应设置,每个所述第一极板与每个所述第三遮光区域一一对应设置。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管包括第一有源层,所述第一遮光区域在所述衬底基板上的投影与所述第一有源层在所述衬底基板上的投影部分或者全部重叠,所述第一遮光区域在所述衬底基板上的投影面积大于或者等于所述第一有源层在所述衬底基板上的投影面积。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二薄膜晶体管包括第二有源层,所述第二遮光区域在所述衬底基板上的投影与所述第二有源层在所述衬底基板上的投影部分或者全部重叠,所述第二遮光区域在所述衬底基板上的投影面积大于或者等于所述第二有源层在所述衬底基板上的投影面积。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第三遮光区域在所述衬底基板上的投影与所述第一极板在所述衬底基板上的投影部分或者全部重叠,所述第三遮光区域在所述衬底基板上的投影面积大于或者等于所述第一极板在所述衬底基板上的投影面积。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素驱动层包括第一栅绝缘层,所述第一栅绝缘层设置于所述第一极板与所述遮光区域之间,所述第一栅绝缘层的介电常数大于或者等于7。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素驱动层包括第一缓冲层,所述第一缓冲层设置于所述第二薄膜晶体管的第二有源层与所述遮光区域之间。
8.根据权利要求1-7任一所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二缓冲层,所述第二缓冲层设置于所述遮光层与所述像素驱动层之间。
9.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成遮光层;
对所述遮光层进行刻蚀形成多个遮光区域;
在所述遮光层远离所述衬底基板的一侧形成第二缓冲层;
在所述第二缓冲层远离所述衬底基板的一侧形成像素驱动层,所述像素驱动层包括至少一个第一薄膜晶体管,至少一个第二薄膜晶体管和至少一个存储电容的第一极板,每个所述第一薄膜晶体管对应设置有所述遮光区域,每个所述第二薄膜晶体管对应设置有所述遮光区域,每个所述第一极板对应设置有所述遮光区域;
在所述像素驱动层远离所述衬底基板的一侧形成显示功能层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8任一所述的显示面板,或者,所述显示装置的显示面板基于如权利要求9所述的方法制成。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011254867.1A CN112366222B (zh) | 2020-11-11 | 2020-11-11 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
US17/517,300 US20220149137A1 (en) | 2020-11-11 | 2021-11-02 | Display substrate, method for manufacturing same, and display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011254867.1A CN112366222B (zh) | 2020-11-11 | 2020-11-11 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112366222A true CN112366222A (zh) | 2021-02-12 |
CN112366222B CN112366222B (zh) | 2024-03-15 |
Family
ID=74515988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011254867.1A Active CN112366222B (zh) | 2020-11-11 | 2020-11-11 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220149137A1 (zh) |
CN (1) | CN112366222B (zh) |
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- 2020-11-11 CN CN202011254867.1A patent/CN112366222B/zh active Active
-
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CN112366222B (zh) | 2024-03-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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