CN112397562B - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置，用以避免栅极和有源层导通而出现的亮点和暗点显示不良。本申请实施例提供的一种显示基板，所述显示基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的有源层，位于所述有源层之上的第一栅绝缘层，位于所述第一栅绝缘层之上的第一导电层，以及位于所述第一导电层之上且与所述第一导电层电连接的第二导电层；所述第一导电层在所述衬底基板的正投影与所述有源层在所述衬底基板的正投影互不交叠；所述第二导电层包括：栅极；所述栅极在所述衬底基板的正投影，与所述有源层在所述衬底基板的正投影存在交叠；所述显示基板还包括：位于所述第一导电层和所述栅极之间的至少一层绝缘层。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示产品具有屏幕亮度大、色域广、耗电量低、可视角度大等优势而得到大力发展。OLED显示面板中包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，而像素电路中的TFT通常利用氧化物半导体材料作为有源层，氧化物半导体材料例如可以是铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)。
现有技术的OLED显示面板包括：衬底基板。位于衬底基板之上的缓冲层，位于缓冲层之上的有源层，位于有源层之上的栅绝缘层，位于栅绝缘层之上的栅极层。其中，缓冲层沉积工艺中容易产生颗粒(Particle)等异物，如果异物落到栅极层和有源层交叠的区域，由于栅极层和有源层交叠区域仅包括一层很薄的栅绝缘层，容易出现异物刺穿栅绝缘层，导致栅极层和有源层导通。栅绝缘层沉积工艺中也容易产生Particle等异物，导致栅绝缘层脱落，造成栅极层和有源层导通。
综上，现有技术的显示面板容易出现栅极层和有源层导通，出现亮点和暗点显示不良，影响显示效果。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，用以避免栅极和有源层导通而出现的亮点和暗点显示不良。
本申请实施例提供的一种显示基板，所述显示基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的有源层，位于所述有源层之上的第一栅绝缘层，位于所述第一栅绝缘层之上的第一导电层，以及位于所述第一导电层之上且与所述第一导电层电连接的第二导电层；
所述第一导电层在所述衬底基板的正投影与所述有源层在所述衬底基板的正投影互不交叠；
所述第二导电层包括：栅极；所述栅极在所述衬底基板的正投影，与所述有源层在所述衬底基板的正投影存在交叠；
所述显示基板还包括：位于所述第一导电层和所述栅极之间的至少一层绝缘层。
在一些实施例中，所述绝缘层包括：位于所述第一导电层和所述栅极之间的第一绝缘层；
所述第一导电层包括：分别位于所述有源层两侧的第一连接引线部和第二连接引线部；
所述绝缘层具有：暴露所述第一连接引线部的第一过孔和暴露所述第二连接引线部的第二过孔；
至少一个所述栅极通过所述第一过孔与所述第一连接引线部电连接，以及通过所述第二过孔与所述第二连接引线部电连接。
在一些实施例中，所述显示基板还包括：位于所述第一绝缘层和所述栅极之间的第三导电层；
所述绝缘层还包括：位于所述第三导电层与所述栅极之间的第二绝缘层。
在一些实施例中，所述第二导电层还包括：源极和漏极。
在一些实施例中所述显示基板还包括：位于所述第二导电层之上的第二绝缘层，以及位于所述第二绝缘层之上的源漏电极层；所述源漏电极层包括源极和漏极。
本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法，所述方法包括：
在衬底基板之上形成有源层；
在所述有源层之上形成第一栅绝缘层；
在所述第一栅绝缘层之上形成第一导电层的图案；其中，所述第一导电层在所述衬底基板的正投影，与所述源层在所述衬底基板的正投影互不交叠；
在所述第一导电层之上形成至少一层绝缘层；
在所述绝缘层之上形成与所述第一导电层电连接的第二导电层；其中，所述第二导电层包括栅极，所述栅极在所述衬底基板的正投影，与所述源层在所述衬底基板的正投影存在交叠。
在一些实施例中，在所述第一导电层之上形成至少一层绝缘层，具体包括：
在所述第一导电层之上形成第一绝缘层；
形成贯穿所述第一绝缘层且暴露所述第一导电层的过孔；
在所述绝缘层之上形成与所述第一导电层电连接的第二导电层，具体包括：
在所述第一绝缘层之上沉积导电材料形成第二导电层，并采用图形化工艺形成所述栅极的图案；其中，至少一个所述栅极通过所述过孔与所述第一导电层电连接。
在一些实施例中，形成所述第一导电层的图案，具体包括：
在所述第一栅绝缘层之上沉积导电材料形成所述第一导电层；
在所述第一导电层上涂覆光刻胶；
采用半色调掩膜工艺对所述光刻胶进行图形化处理，在第一区域去除全部所述光刻胶，在第二区域减薄所述光刻胶，在第三区域保留所述光刻胶；其中，在所述第二区域，所述有源层在所述衬底基板的正投影与所述第一导电层在所述衬底基板的正投影具有交叠；
采用湿法刻蚀工艺去除所述第一区域的所述第一导电层；
去除所述第二区域的光刻胶，减薄所述第三区域的光刻胶；
采用湿法刻蚀工艺去除所述第二区域的所述第一导电层；
剥离所述第三区域的光刻胶。
在一些实施例中，采用图形化工艺形成所述栅极的图案的同时，所述方法还包括：
形成源极和漏极的图案。
本申请实施例提供的一种显示装置包括本申请实施例提供的显示基板。
本申请实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置，第一导电层与有源层之间包括第一栅绝缘层，第一导电层在衬底基板的正投影与有源层在衬底基板的正投影互不交叠，与有源层在衬底基板的正投影存在交叠的栅极与第一导电层之间至少包括一层绝缘层，即栅极与有源层之间至少包括两层绝缘层，即便在显示基板的制备过程中出现Particle等异物导致第一栅绝缘层被刺穿或者第一栅绝缘层部分脱落，位于第一栅绝缘层之上的绝缘层可以覆盖Particle等异物不良，从而可以避免有源层与栅极导通，避免出现亮点暗点显示不良，提高显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法的示意图；
图6为本申请实施例提供的另一种显示基板的制备方法的示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例的附图，对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本申请的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另外定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
本申请实施例提供了一种显示基板，如图1所示，所述显示基板包括：衬底基板1，位于所述衬底基板1之上的有源层2，位于所述有源层2之上的第一栅绝缘层3，位于所述第一栅绝缘层3之上的第一导电层4，以及位于所述第一导电层4之上且与所述第一导电层4电连接的第二导电层5；
所述第一导电层4在所述衬底基板1的正投影与所述有源层2在所述衬底基板1的正投影互不交叠；
所述第二导电层5至少包括：栅极6；所述栅极6在所述衬底基板1的正投影，与所述有源层2在所述衬底基板1的正投影存在交叠；
所述显示基板还包括：位于所述第一导电层4和所述栅极之间的至少一层绝缘层7。
本申请实施例提供的显示基板，第一导电层与有源层之间包括第一栅绝缘层，第一导电层在衬底基板的正投影与有源层在衬底基板的正投影互不交叠，与有源层在衬底基板的正投影存在交叠的栅极与第一导电层之间至少包括一层绝缘层，即栅极与有源层之间至少包括两层绝缘层，即便在显示基板的制备过程中出现Particle等异物导致第一栅绝缘层被刺穿或者第一栅绝缘层部分脱落，位于第一栅绝缘层之上的绝缘层可以覆盖Particle等异物不良，从而可以避免有源层与栅极导通，避免出现亮点暗点显示不良，提高显示效果。
在一些实施例中，如图1所示，所述显示基板还包括位于所述有源层2和所述衬底基板1之间的缓冲层9。
在一些实施例中，如图1所示，所述绝缘层7包括：位于所述第一导电层4和所述栅极6之间的第一绝缘层8；
所述第一导电层4包括：分别位于所述有源层2两侧的第一连接引线部10和第二连接引线部11；
所述第一绝缘层8具有：暴露所述第一连接引线部10的第一过孔12和暴露所述第二连接引线部11的第二过孔13；
至少一个所述栅极6通过所述第一过孔12与所述第一连接引线部10电连接，以及通过所述第二过孔13与所述第二连接引线部11电连接。
本申请实施例提供的显示基板，栅极与有源层之间包括两层绝缘层，即便在显示基板的制备过程中出现Particle等异物导致第一栅绝缘层被刺穿或者第一栅绝缘层部分脱落，位于第一栅绝缘层之上的绝缘层可以覆盖Particle等异物不良，从而可以避免有源层与栅极导通，避免出现亮点暗点显示不良，提高显示效果。并且至少部分栅极与第一导电层的第一连接引线部和第二连接引线部电连接，从而可以通过第一连接引线部和第二连接引线部向栅极提供信号。
在具体实施时，显示基板具体包括：像素驱动电路，像素驱动电路具有晶体管和电容，并通过晶体管和电容的相互作用产生电信号。当显示基板还包括发光器件时，晶体管和电容的相互作用产生的电信号输入到发光器件阳极中并且对发光器件的阴极加载相应的电压，可以驱动发光器件发光。具体实施时，第一导电层例如包括扫描信号线、复位信号线，与栅极电连接的部分可以是扫描信号线的第一连接引线部和第二连接引线部，也可以是复位信号线的第一连接引线部和第二连接引线部。发光器件可以设置为电致发光二极管，例如OLED和QLED中的至少一种。其中，发光器件可以包括层叠设置的阳极、发光层、阴极。进一步地，发光层还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等膜层。
在具体实施时，显示基板俯视图例如可以如图2所示，像素驱动电路包括3个晶体管和1个电容。显示基板还可包括：位于衬底基板和有源层2之间的遮光层16。有源层例如可以包括各晶体管的沟道区、第一导体化区域以及第二导体化区域。有源层可采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料等制作。氧化物半导体材料例如可以是IGZO。需要说明的是，上述的第一导体化区域和第二导体化区域可为掺杂有n型杂质或p型杂质的区域。第一导电层4例如包括扫描信号线、复位信号线等。在具体实施时，图1例如可以是沿图2中AA’的截面图。
在一些实施例中，沿图2中BB’的截面图如图3所示，所述第二导电层5还包括：源极14和漏极15。
即本申请实施例提供的显示基板，栅极与源极和漏极同层设置，从而只需要改变第二导电层的图案便可以在一道构图工艺中同时形成栅极、源极和漏极，无需额外增加栅极制作工艺，工艺简单，易于实现。
如图3所示，有源层2包括：沟道区17、第一导体化区域18以及第二导体化区域19，第一绝缘层8还具有暴露第一导体化区域18的第三过孔20和暴露第二导体化区域19的第四过孔21，源极14通过第三过孔20与第一导体化区域18电连接，漏极15通过第四过孔21与第二导体化区域19电连接。漏极15还通过贯穿第一绝缘层8和缓冲层9的第五过孔22与遮光层16电连接。
沿图2中CC’的截面图如图4所示，第二导电层5还包括电容的第一电极23。图4中，第二导体化区域19包括电容的第二级。
在一些实施例中，显示基板还包括：位于第二导电层之上的保护层，位于保护层之上的彩膜层，位于所述彩膜层之上的平坦化层，位于所述平坦化层之上的阳极和像素定义层，位于阳极之上的发光层，以及位于发光层之上的阴极，位于阴极之上的封装层。
当栅极与源极和漏极同层设置时，在一些实施例中，所述显示基板还包括：位于所述第一绝缘层和所述栅极之间的第三导电层；
所述绝缘层还包括：位于所述第三导电层与所述栅极之间的第二绝缘层。
在具体实施时，当显示基板还包括第三导电层时，第三导电层例如包括电容的第一电极，即可以根据实际需要，额外设置包括电容电极的导电层。
在一些实施例中，所述显示基板还包括：位于所述第二导电层之上的第二绝缘层，以及位于所述第二绝缘层之上的源漏电极层；所述源漏电极层包括源极和漏极。在具体实施时，栅极也可以不与源极和漏极同层设置，第二导电层例如包括电容的第一电极，即当额外设置包括电容电极的导电层时，栅极也可以与第一导电层之外的电容电极同层设置。
需要说明的是，在具体实施时，可以根据像素驱动电路中晶体管和电容的具体数量设置导电层的数量以及各膜层的具体图案。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法，如图5所示，所述方法包括：
S101、在衬底基板之上形成有源层；
S102、在所述有源层之上形成第一栅绝缘层；
S103、在所述第一栅绝缘层之上形成第一导电层的图案；其中，所述第一导电层在所述衬底基板的正投影，与所述源层在所述衬底基板的正投影互不交叠；
S104、在所述第一导电层之上形成至少一层绝缘层；
S105、在所述绝缘层之上形成与所述第一导电层电连接的第二导电层；其中，所述第二导电层包括栅极，所述栅极在所述衬底基板的正投影，与所述源层在所述衬底基板的正投影存在交叠。
在一些实施例中，在所述第一导电层之上形成至少一层绝缘层，具体包括：
在所述第一导电层之上形成第一绝缘层；
形成贯穿所述第一绝缘层且暴露所述第一导电层的过孔；
在所述绝缘层之上形成与所述第一导电层电连接的第二导电层，具体包括：
在所述第一绝缘层之上沉积导电材料形成第二导电层，并采用图形化工艺形成所述栅极的图案；其中，至少一个所述栅极通过所述过孔与所述第一导电层电连接。
在一些实施例中，形成所述第一导电层的图案，具体包括：
在所述第一栅绝缘层之上沉积导电材料形成所述第一导电层；
在所述第一导电层上涂覆光刻胶；
采用半色调掩膜工艺对所述光刻胶进行图形化处理，在第一区域去除全部所述光刻胶，在第二区域减薄所述光刻胶，在第三区域保留所述光刻胶；其中，在所述第二区域，所述有源层在所述衬底基板的正投影与所述第一导电层在所述衬底基板的正投影具有交叠；
采用湿法刻蚀工艺去除所述第一区域的所述第一导电层；
去除所述第二区域的光刻胶，减薄所述第三区域的光刻胶；
采用湿法刻蚀工艺去除所述第二区域的所述第一导电层；
剥离所述第三区域的光刻胶。
在一些实施例中，采用图形化工艺形成所述栅极的图案的同时，所述方法还包括：
形成源极和漏极的图案。
接下来，以栅极与源极和漏极同层设置为例，对本申请实施例提供的显示基板的制备方法进行举例说明。如图6所示，显示基板的制备包括如下步骤：
S201、在衬底基板1之上依次形成遮光层、缓冲层9、有源层2、第一栅绝缘层3，在第一栅绝缘层3之上沉积导电材料形成所述第一导电层4；
S202、在所述第一导电层4上涂覆光刻胶24，并采用半色调掩膜工艺对所述光刻胶24进行图形化处理，在第一区域去除全部所述光刻胶，在第二区域25减薄所述光刻胶24，在第三区域26保留所述光刻胶24；
S203、采用湿法刻蚀工艺去除第一区域的所述第一导电层，之后去除所述第二区域25的光刻胶24，减薄所述第三区域26的光刻胶24，采用湿法刻蚀工艺去除所述第二区域25的所述第一导电层4；
S204、剥离所述第三区域的光刻胶，在第一导电层4之上形成第一绝缘层8，并采用图形化工艺在第一绝缘层形成过孔；
S205、在第一绝缘层8上形成包括栅极6、源极和漏极的第二导电层5的图案。
在步骤S205制备，显示面板的制备方法还包括：形成保护层、彩膜层、平坦化层、发光器件各膜层的步骤。
本申请实施例提供了一种显示装置，包括本申请实施例提供的显示基板。
本申请实施例提供的显示装置为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本申请的限制。该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置，第一导电层与有源层之间包括第一栅绝缘层，第一导电层在衬底基板的正投影与有源层在衬底基板的正投影互不交叠，与有源层在衬底基板的正投影存在交叠的栅极与第一导电层之间至少包括一层绝缘层，即栅极与有源层之间至少包括两层绝缘层，即便在显示基板的制备过程中出现Particle等异物导致第一栅绝缘层被刺穿或者第一栅绝缘层部分脱落，位于第一栅绝缘层之上的绝缘层可以覆盖Particle等异物不良，从而可以避免有源层与栅极导通，避免出现亮点暗点显示不良，提高显示效果。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的有源层，位于所述有源层之上的第一栅绝缘层，位于所述第一栅绝缘层之上的第一导电层，以及位于所述第一导电层之上且与所述第一导电层电连接的第二导电层；
所述第一导电层在所述衬底基板的正投影与所述有源层在所述衬底基板的正投影互不交叠；
所述第二导电层包括：栅极；所述栅极在所述衬底基板的正投影，与所述有源层在所述衬底基板的正投影存在交叠；
所述显示基板还包括：位于所述第一导电层和所述栅极之间的至少一层绝缘层。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层包括：位于所述第一导电层和所述栅极之间的第一绝缘层；
所述第一导电层包括：分别位于所述有源层两侧的第一连接引线部和第二连接引线部；
所述绝缘层具有：暴露所述第一连接引线部的第一过孔和暴露所述第二连接引线部的第二过孔；
至少一个所述栅极通过所述第一过孔与所述第一连接引线部电连接，以及通过所述第二过孔与所述第二连接引线部电连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述第一绝缘层和所述栅极之间的第三导电层；
所述绝缘层还包括：位于所述第三导电层与所述栅极之间的第二绝缘层。
4.根据权利要求2或3所述的显示基板，其特征在于，所述第二导电层还包括：源极和漏极。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述第二导电层之上的第二绝缘层，以及位于所述第二绝缘层之上的源漏电极层；所述源漏电极层包括源极和漏极。
6.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板之上形成有源层；
在所述有源层之上形成第一栅绝缘层；
在所述第一栅绝缘层之上形成第一导电层的图案；其中，所述第一导电层在所述衬底基板的正投影，与所述有源层在所述衬底基板的正投影互不交叠；
在所述第一导电层之上形成至少一层绝缘层；
在所述绝缘层之上形成与所述第一导电层电连接的第二导电层；其中，所述第二导电层包括栅极，所述栅极在所述衬底基板的正投影，与所述有源层在所述衬底基板的正投影存在交叠。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第一导电层之上形成至少一层绝缘层，具体包括：
在所述第一导电层之上形成第一绝缘层；
形成贯穿所述第一绝缘层且暴露所述第一导电层的过孔；
在所述绝缘层之上形成与所述第一导电层电连接的第二导电层，具体包括：
在所述第一绝缘层之上沉积导电材料形成第二导电层，并采用图形化工艺形成所述栅极的图案；其中，至少一个所述栅极通过所述过孔与所述第一导电层电连接。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述第一导电层的图案，具体包括：
在所述第一栅绝缘层之上沉积导电材料形成所述第一导电层；
在所述第一导电层上涂覆光刻胶；
采用半色调掩膜工艺对所述光刻胶进行图形化处理，在第一区域去除全部所述光刻胶，在第二区域减薄所述光刻胶，在第三区域保留所述光刻胶；其中，在所述第二区域，所述有源层在所述衬底基板的正投影与所述第一导电层在所述衬底基板的正投影具有交叠；
采用湿法刻蚀工艺去除所述第一区域的所述第一导电层；
去除所述第二区域的光刻胶，减薄所述第三区域的光刻胶；
采用湿法刻蚀工艺去除所述第二区域的所述第一导电层；
剥离所述第三区域的光刻胶。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，采用图形化工艺形成所述栅极的图案的同时，所述方法还包括：
形成源极和漏极的图案。
10.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求1～5任一项所述的显示基板。
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