CN102544000A - 阵列基板及相应的显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种阵列基板及相应的显示面板，阵列基板具有一显示区以及位于所述显示区外的一周边线路区，阵列基板包括像素阵列以及周边线路，像素阵列包括薄膜晶体管以及像素电极，像素电极为石墨烯薄膜。本发明的阵列基板及相应的显示面板制作成本低。

Description

阵列基板及相应的显示面板
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种制作成本低的液晶基板及相应的显示面板。
背景技术
随着科技进步，各种电子产品已成为人们生活不可或缺的一部分。其中显示器为多媒体电子产品的重要组件。而薄膜晶体管液晶显示器(thin filmtransistor liquid crystal display，TFT LCD)具有省电、无辐射、体积小、低耗电量、不占空间、平面直角、高解析度以及画质稳定等优点，已逐渐取代传统的阴极射线管显示器(cathode ray tube display，CRT display)，广泛用于手机、屏幕、数字电视以及笔记型计算机等电子产品的显示面板上。
随着薄膜晶体管液晶显示器相关技术的迅速发展，改善其显示画质、降低其制作成本成为此领域共同的目标。其中显示面板一般包括CF(color filter：彩色滤光)基板、TFT阵列基板以及设置在CF基板和TF T阵列基板之间的液晶层。一般在CF基板侧和TFT阵列基板侧会设置有透明电极层，该透明电极层的材料一般为ITO(Indium Tin Oxides：氧化铟锡)。但是ITO中铟的价格昂贵、质地较脆而缺乏柔韧性，并且使用湿法刻蚀制作ITO透明电极层时，需要使用蚀刻液、起保护作用的光阻以及光阻剥离液，制程比较复杂，且需在真空中沉积、退火形成，制作成本较高。
故，有必要提供一种阵列基板及相应的显示面板，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明提供一种制作成本低的阵列基板及相应的显示面板，以解决现有技术的阵列基板及相应的显示面板制作成本高的技术问题。
本发明涉及一种阵列基板，具有一显示区以及位于所述显示区外的一周边线路区，其中所述阵列基板包括：像素阵列，位于所述显示区，包括薄膜晶体管以及像素电极；以及周边线路，位于所述周边电路区，所述周边线路与所述像素阵列电连接；所述像素电极为石墨烯薄膜。
在本发明所述的阵列基板中，所述石墨烯薄膜的厚度范围为5-15纳米。
在本发明所述的阵列基板中，所述薄膜晶体管包括源极层、漏极层以及连接所述源极层和所述漏极层的有源层，所述有源层的厚度范围为50-60纳米。
在本发明所述的阵列基板中，所述有源层的沟道的长度为5-6微米。
在本发明所述的阵列基板中，所述源极层与所述有源层的接触面为长条形，所述漏极层与所述有源层的接触面也为长条形。
在本发明所述的阵列基板中，所述像素电极为矩形。
在本发明所述的阵列基板中，所述矩形的长度范围为30-40微米，所述矩形的宽度范围为15-20微米。
在本发明所述的阵列基板中，所述阵列基板还包括公共电极，所述像素电极和所述公共电极构成所述阵列基板的存储电容。
本发明还涉及一种显示面板，其中包括阵列基板，所述阵列基板具有一显示区以及位于所述显示区外的一周边线路区，所述阵列基板包括：像素阵列，位于所述显示区，包括薄膜晶体管以及像素电极；以及周边线路，位于所述周边电路区，所述周边线路与所述像素阵列电连接；所述像素电极为石墨烯薄膜。
在本发明所述显示面板中，所述石墨烯薄膜的厚度范围为5-15纳米。
实施本发明的阵列基板及相应的显示面板，具有以下有益效果：制作成本低，解决了现有技术的阵列基板及相应的显示面板制作成本高的技术问题。此外，石墨烯薄膜的像素电极具备更良好的导电性能，因此静电导出性能优异，同时更进一步解决了显示面板中需防止静电产生的高标要求。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1为本发明的阵列基板的优选实施例的平面结构示意图；
图2为本发明的阵列基板的优选实施例的各功能层的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
如图1和图2所示，图1为本发明的阵列基板的优选实施例的平面结构示意图，图2为本发明的阵列基板的优选实施例的各功能层的结构示意图。图1中的阵列基板具有一显示区以及位于显示区域外的一周边线路区，其中阵列基板包括像素阵列和周边线路，像素阵列位于显示区，包括薄膜晶体管101和像素电极102，周边线路位于周边线路区，与像素阵列电连接，在本实施例中，像素电极102为石墨烯薄膜。
石墨烯薄膜可以采用化学气相沉积、电解、氧化石墨还原法、外延生长法以及电弧放电等方法制备。将碳化硅晶体在真空中加热到1100℃以上时，碳化硅晶体表面附近的硅原子会被蒸发掉，剩余的碳原子重新排布，也能得到石墨烯薄膜。不同方法制备的石墨烯薄膜的致密度、导电性以及透光率不完全相同，同时石墨烯薄膜的附着力和尺寸也不同。经实验证实，厚度范围为5-15纳米的石墨烯薄膜同时具有较佳的透光率和导电性能(当石墨烯薄膜的厚度为10纳米时，在500纳米的光波长下，透光率是71％，导电率为550西门子/厘米)。当厚度再变小时，石墨烯薄膜容易破裂；而厚度再增大时，透光率会有较大的下降。同时石墨烯薄膜的化学性质非常稳定，与液晶接触也不会污染液晶分子。
同时本发明的阵列基板的薄膜晶体管101包括源极层2041、漏极层2042以及连接源极层2041和漏极层2042的有源层203，其中有源层203的厚度范围为50-60纳米，有源层203的沟道的长度为5-6微米。如图2所示，其中第一金属层201优选包括铝金属层和第一钼金属层；第一绝缘层202优选包括氮化硅层；有源层203优选包括非晶硅层；第二金属层204(即源极层2041和漏极层2042)优选包括第一钼金属层、铝金属层以及第二钼金属层；第二绝缘层205优选包括氮化硅层；透明电极层206(可经光刻形成像素电极102)在本实施例中为石墨烯薄膜；接触孔207用于在不同的功能层之间传输信号，其材料也可为石墨烯。图2中的各功能层的尺寸的比例关系仅仅为了说明需要，不一定为实际的各功能层的比例关系，也不能限制本发明的保护范围。
此外如图1所示，源极层2041与有源层203的接触面为长条形，漏极层2042与有源层203的接触面也为长条形；像素电极102为矩形；该矩形的长度范围为30-40微米，矩形的宽度范围为15-20微米。同时本发明的阵列基板还包括公共电极(图中未示出)，像素电极102和公共电极构成阵列基板的存储电容，用于维持像素电极102的驱动电压。
本发明的阵列基板的石墨烯薄膜的制作不需要经过退火工序，因此制作成本较低。同时有源层203的厚度设置以及有源层203的沟道长度设置提高了阵列基板的导电性能；源极层2041与有源层203的接触面，以及漏极层2042与有源层203的接触面的形状保证了源极层2041、漏极层2042分别与有源层203的有效接触，进一步提高了阵列基板的导电性能。像素电极102的形状以及大小的设置，使得在可以较好的实现像素电极102的功能的同时，还较易使用石墨烯材料实现像素电极102的制作(像素电极设置过大石墨烯薄膜容易破裂)。
本发明还涉及一种显示面板，其包括CF基板、阵列基板以及液晶层，阵列基板具有一显示区以及位于显示区外的一周边线路区，阵列基板包括像素阵列和周边线路，像素阵列位于显示区，包括薄膜晶体管和像素电极，周边线路位于周边线路区，与像素阵列电连接，像素电极为厚度范围5-15纳米的石墨烯薄膜；薄膜晶体管包括源极层、漏极层以及连接源极层和漏极层的有源层，有源层的厚度范围为50-60纳米；有源层的沟道的长度为5-6微米。本发明的显示面板的工作原理和有益效果与上述的阵列基板的具体实施例中描述的相同或相似，具体请参见上述阵列基板的具体实施例。
本发明的阵列基板及相应的显示面板通过采用特定厚度的石墨烯薄膜作为像素电极，降低了整个阵列基板及相应的显示面板的制作成本；同时石墨烯薄膜良好的导电性能也保证了阵列基板的导电性能。对阵列基板的有源层的厚度、有源层的沟道长度、源极层与有源层的接触面的形状、漏极层与有源层的接触面的形状以及像素电极的形状进行设置进一步提高了阵列基板的导电性能，很好的解决了现有技术的阵列基板及相应的显示面板制作成本高且静电导出性能差的技术问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，具有一显示区以及位于所述显示区外的一周边线路区，其特征在于：所述阵列基板包括：
像素阵列，位于所述显示区，包括薄膜晶体管以及像素电极；以及
周边线路，位于所述周边电路区，所述周边线路与所述像素阵列电连接；
所述像素电极为石墨烯薄膜。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述石墨烯薄膜的厚度范围为5-15纳米。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括源极层、漏极层以及连接所述源极层和所述漏极层的有源层，所述有源层的厚度范围为50-60纳米。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的沟道的长度为5-6微米。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述源极层与所述有源层的接触面为长条形，所述漏极层与所述有源层的接触面也为长条形。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极为矩形。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述矩形的长度范围为30-40微米，所述矩形的宽度范围为15-20微米。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极，所述像素电极和所述公共电极构成所述阵列基板的存储电容。
9.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板，所述阵列基板具有一显示区以及位于所述显示区外的一周边线路区，所述阵列基板包括：
像素阵列，位于所述显示区，包括薄膜晶体管以及像素电极；以及
周边线路，位于所述周边电路区，所述周边线路与所述像素阵列电连接；
所述像素电极为石墨烯薄膜。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述石墨烯薄膜的厚度范围为5-15纳米。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103117285A (zh) * 2013-02-04 2013-05-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060098130A1 (en) * 2004-11-11 2006-05-11 Han-Chung Lai Pixle structure and thin film transistor array and repairing method therefor
WO2010147398A2 (ko) * 2009-06-17 2010-12-23 한양대학교 산학협력단 터치스크린 내장형 전자영동 표시장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3148129B2 (ja) * 1996-08-07 2001-03-19 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス基板とその製法および液晶表示装置
JP4604440B2 (ja) * 2002-02-22 2011-01-05 日本電気株式会社 チャネルエッチ型薄膜トランジスタ
US8785939B2 (en) * 2006-07-17 2014-07-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Transparent and conductive nanostructure-film pixel electrode and method of making the same
KR101611421B1 (ko) * 2007-10-29 2016-04-26 삼성전자주식회사 나노구조-필름 ｌｃｄ 디바이스
CN101592834B (zh) * 2008-11-28 2011-01-19 江苏工业学院 纳米硅薄膜晶体管液晶显示器的制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060098130A1 (en) * 2004-11-11 2006-05-11 Han-Chung Lai Pixle structure and thin film transistor array and repairing method therefor
WO2010147398A2 (ko) * 2009-06-17 2010-12-23 한양대학교 산학협력단 터치스크린 내장형 전자영동 표시장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103117285A (zh) * 2013-02-04 2013-05-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
CN103117285B (zh) * 2013-02-04 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法

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