JP3148129B2 - アクティブマトリクス基板とその製法および液晶表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス基板とその製法および液晶表示装置

Info

Publication number
JP3148129B2
JP3148129B2 JP20843896A JP20843896A JP3148129B2 JP 3148129 B2 JP3148129 B2 JP 3148129B2 JP 20843896 A JP20843896 A JP 20843896A JP 20843896 A JP20843896 A JP 20843896A JP 3148129 B2 JP3148129 B2 JP 3148129B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
film
active matrix
liquid crystal
pixel electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP20843896A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1048670A (ja
Inventor
正彦 安藤
律雄 深谷
政利 若木
Original Assignee
株式会社日立製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日立製作所 filed Critical 株式会社日立製作所
Priority to JP20843896A priority Critical patent/JP3148129B2/ja
Publication of JPH1048670A publication Critical patent/JPH1048670A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3148129B2 publication Critical patent/JP3148129B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Application status is Expired - Lifetime legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345Insulating layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は画素電極と対向電極
間に基板とほぼ平行な電界を印加する横電界方式により
液晶を駆動させるに好適な、アクティブマトリクス基板
とその製法およびそれを用いた液晶表示装置に関する。

【0002】

【従来の技術】薄膜トランジスタ(TFT)などアクテ
ィブ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置
は薄く、かつ、軽量という特長と、高画質が得られると
云う点から、表示端末として広く採用されている。

【0003】上記の液晶表示装置は、TFT素子を有す
るアクティブマトリクス基板と、これと対向する基板と
の間に挟持された液晶に、画素電極と対向電極間に印加
する電界によって駆動,制御し、入射光を変調,出射す
ることで画像を形成する。

【0004】特に、液晶表示装置の視角を広げるため
に、画素電極と対向電極を一方のアクティブマトリクス
基板上に形成し、基板面とほぼ平行に電界を印加する横
電界方式の液晶表示装置が発表されている(Proceedin
gs of the 15th International Display Research
Conference.p.707(1995)、特開平7−3
6058号公報)。

【0005】この横電界方式は、液晶を視線方向から見
て横方向に印加した電界で制御するため、視角を広くと
ることができる。そして、画素電極,対向電極として金
属膜を保護性絶縁膜の下に形成する構成となっている。

【0006】

【発明が解決しようとする課題】しかし、保護性絶縁膜
を介して液晶に電界を印加するため、電圧ロスが生じ、
駆動電圧を大きくしなければならず、消費電力が増大す
ると云う欠点がある。

【0007】また、開口率を大きくするには画素電極と
対向電極間の距離を大きくとることが有効であるが、そ
うすると更に駆動電圧を大きくする必要がある。また、
駆動電圧の制限から液晶のしきい値電圧が制限され、応
答性の速い液晶の選定範囲に制約があると云う問題があ
る。

【0008】こうした電圧ロスによる消費電力の増大
は、ゲート絶縁膜上に開口したコンタクトホールを設
け、これを介して液晶駆動用の電極を設けることで改善
することができる(特開平7−128683号公報)。
しかし、通常の金属電極は、液晶組成物により腐食され
ると云う問題が生ずるため、さらに保護性絶縁膜をこの
上に形成する必要がある。この場合、保護性絶縁膜によ
り電圧ロスが生じる。

【0009】本発明の目的は、液晶に印加する駆動電圧
のロスを低減し、かつ、金属電極との劣化を防止したア
クティブマトリクス基板およびそれを用いた液晶表示装
置を提供することにある。

【0010】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の要旨は次のとおりである。

【0011】絶縁性基板上にアクティブ素子、ソース電
極、コモン配線が形成され、前記ソース電極とコモン配
線の上に保護性絶縁膜を介して画素電極と対向電極が平
行に配置されていることを特徴とするアクティブマトリ
クス基板にある。

【0012】前記画素電極と対向電極が酸化物導電膜ま
たはグラファイトで形成されているアクティブマトリク
ス基板にある。

【0013】前記対向電極がコモン配線と、または/お
よび、前画素電極がソース電極とそれぞれ保護性絶縁膜
に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続してい
る前記アクティブマトリクス基板にある。

【0014】前記アクティブマトリクス基板の製法にお
いて、前記画素電極および対向電極を透明絶縁性基板の
裏面より露光したフォトリソグラフィ法により、前記ソ
ース電極とコモン配線の金属膜と同一形状に形成するこ
とを特徴とするアクティブマトリクス基板の製法にあ
る。

【0015】また、少なくとも一方が透明な一対の絶縁
性基板間に液晶を挾持した液晶表示装置において、前記
絶縁性基板の一方の面にアクティブ素子、ソース電極、
コモン配線が形成され、前記ソース電極とコモン配線の
上に保護性絶縁膜を介して画素電極と対向電極が平行に
配置されており、前記画素電極と対向電極が酸化物導電
膜またはグラファイトで形成され、前記画素電極と対向
電極間に電界を印加して前記液晶を駆動することを特徴
とする液晶表示装置にある。

【0016】

【発明の実施の形態】透明な絶縁性基板上に形成するゲ
ート配線,コモン配線としての金属膜は、Cr,Al,
Ta、または、これらの合金が挙げられる。また、ゲー
ト絶縁膜,半導体膜としては、CVD(Chemical Vap
or Deposition)法で作製したSiN膜、SiO膜、a
−Si膜、更に、コンタクト層としてリンをドープした
n(+)a−Siが挙げられる。

【0017】これらの膜を加工しアクティブ素子である
TFTを形成する。さらにTFTのドレイン配線,ソー
ス電極をCr,Al,Ta、または、これらの合金が挙
げられる。

【0018】さらに、保護性絶縁膜としてはCVD法で
作製したSiN膜などが挙げられる。

【0019】保護性絶縁膜形成後、コンタクトホールを
形成し、ソース電極,コモン配線にコンタクトをとる。
また、ゲート配線,コモン配線,ドレイン配線の端子部
のコンタクトホールを形成し、この上に画素電極と対向
電極を形成する。

【0020】画素電極,対向電極としては、ITO(I
ndium Tin Oxide)などの酸化物導電膜やグラファイ
トが好ましい。これらは、化学的に安定であり、液晶に
接触しても良好な電気特性を維持することができるため
である。

【0021】また、ゲート配線,コモン配線,ドレイン
配線の端子部を、酸化物導電膜で被覆することにより、
安定したコンタクト特性を得ることが可能になる。

【0022】また、絶縁性保護膜上に形成した酸化物導
電膜の画素電極と対向電極は、液晶に直接電界を印加す
ることができるため電圧ロスが小さく、従来の絶縁性保
護膜を介して電界を印加するものに比べて、液晶の駆動
電圧を小さくすることができる。

【0023】更にまた、酸化物導電膜の画素電極と対向
電極は、封入されている液晶組成物により劣化される恐
れが極めて小さい。通常の液晶表示装置においては、液
晶の配向膜が形成されているが、該膜は1000Åオー
ダの膜厚であり、半導体装置のパッシベーション膜のよ
うな作用はほとんどなく、ピンホール状の欠陥も多いた
めに、液晶組成物による金属膜の劣化を防止できない。
こうした点、酸化物導電膜(以下、ITO膜と呼ぶ)は
優れている。

【0024】ITOには、非晶質ITOと結晶質ITO
があるが、ソース電極、コモン配線、ゲート配線、ドレ
イン配線のコンタクト抵抗を低くするためには、結晶質
ITO膜の使用が好ましい。

【0025】画素電極上と対向電極上での電界は、基板
に対して垂直な成分が大きくなり、液晶を横電界により
制御することが困難になる。従って、これらの電極は金
属やグラファイトで形成すると、この部分で遮光される
ので、十分なコントラストを有する液晶表示装置を得る
ことができる。即ち、遮光を十分にするため、画素電極
と対向電極とが金属膜の電極と重なるように形成する。
例えば、金属膜のソース電極,コモン配線を、ITO膜
からなる画素電極,対向電極と重なるように構成する。

【0026】開口率を大きくするためには、開口部で画
素電極,対向電極と重なる上記金属膜からなる電極とを
同一形状に形成する。このため、画素電極と対向電極の
形成には、ホトリソグラフィプロセス法を用い、裏面露
光によってレジストパターンを形成する。

【0027】具体的には、ITO膜表面をレジスト膜で
被覆し、表面から画素開口部以外のパターンを露光し、
さらに裏面から露光すると開口部で金属膜と同一の形状
にレジストパターンを形成することができる。これをエ
ッチング加工すると画素電極と対向電極とが、開口部で
金属膜と同一パターンに加工することができる。

【0028】この裏面露光プロセスにより、画素電極と
対向電極の電極幅をより小く形成できると同時に、金属
膜による遮光部を必要最小限に抑えることが可能にな
る。この金属膜を、コモン配線、ソース電極で形成する
ことにより、工程数を増すことなく作製することができ
る。

【0029】また、電気的に画素電極,対向電極と、こ
れに対応する金属膜が同電位になるため、容量が形成さ
れることもない。

【0030】画素電極と対向電極の遮光用に金属膜を形
成する場合、一般にマスクの合わせ精度を考慮して金属
膜を大きめに加工している。

【0031】本発明では裏面露光を導入したことによ
り、開口部で金属膜と同一の形状に画素電極と対向電極
を形成することができ、金属膜の合わせ精度を考慮する
ことなく加工できる。

【0032】次に、画素電極と対向電極を保護性絶縁膜
上に形成したアクティブマトリクス基板上に配向膜を形
成し、スペーサビーズを介して対向基板と貼り合わせて
液晶セルを構成する。該セルに所定の液晶組成物を封入
して液晶表示装置が得られる。

【0033】得られた液晶表示装置は、駆動電圧を小く
することができるので、消費電力を低減することができ
る。また、本発明のアクティブマトリクス基板を用いる
ことにより、しきい値電圧に対する液晶選定の自由度を
広げることができ、応答性の速い液晶表示装置を作製す
ることが可能になる。

【0034】また、従来のものに比べて電圧ロスが小さ
いので、画素電極と対向電極間距離を大きくすることも
可能となり、開口率を向上することができる。これによ
って、明るい表示を得ることができ、バックライトの消
費電力を小さくすることも可能である。

【0035】ITO膜の画素電極と対向電極の形成は、
従来の端子部をITO膜被覆と同一工程で成膜、加工す
ることができるため、従来とほぼ同じ工程数で本発明の
アクティブマトリクス基板を作製できるので、製造コス
トのアップもほとんどない。

【0036】また、本発明のアクティブマトリクス基板
の使用により、液晶への印加電界が増すことから、使用
する液晶として、よりしきい値の大きなものを選定する
ことが可能になる。即ち、しきい値が大きくても応答性
が速い液晶を選定できるので、動画特性が良好な液晶表
示装置を得ることができる。

【0037】以下、本発明の実施例を図面に基づいて具
体的に説明する。

【0038】〔実施例 1〕図1に本発明のアクティブ
マトリクス基板の画素部の要部断面図、図2に平面図を
示す。

【0039】透明基板1上にスパッタリング法によりC
r膜を200nmの厚さに成膜した。次いで、ホトリソ
グラフィ法によりゲート配線2、コモン配線3に加工し
た。この際、開口部のコモン配線は後で形成する対向電
極12と重なる形状に加工した。

【0040】次に上記のゲート配線2、コモン配線3を
形成した基板1を、プラズマCVD装置中に設置し、ゲ
ート絶縁膜4としてSiN膜を350nm、半導体膜5
としてa−Si膜を200nm、さらにコンタクト層6
としてn(+)a−Si膜を30nmの厚さに形成した。

【0041】原料ガスとして、SiN膜の成膜にはSi
4,NH3,H2の混合ガス、a−Siの成膜にはSi
4、H2の混合ガス、また、n(+)a−Siの成膜には
SiH4、H2の混合ガスにPH3を添加したものをそれ
ぞれ用いた。

【0042】次いで、ホトリソグラフィ法によりn(+)
a−Si,a−Siを島状に加工しTFT部を形成し
た。

【0043】次に、スパッタリング法によりCr膜を2
00nmの厚さに成膜し、ホトリソグラフィ法により、
ドレイン配線7、ソース電極8に加工した。この際、ソ
ース電極は、後で形成する画素電極11と重なる形状に
加工した。その後、チャネル部のn(+)a−Si膜をド
ライエッチングにより除去した。この上に保護性絶縁膜
9(SiN)をプラズマCVD法により成膜した。

【0044】さらに、ホトリソグラフィ法でゲート絶縁
膜4、保護性絶縁膜9のSiNに、ソース電極8および
コモン配線3に達するコンタクトホール10を、ドレイ
ン配線端子部、ゲート配線端子部、ドレイン配線端子部
のコンタクトホールを形成した。

【0045】さらに、DCマグネトロンスパッタリング
法により基板温度220℃で結晶質ITO膜を200n
mの厚さに成膜した。ホトリソグラフィ法によりITO
膜を加工し、画素電極11および対向電極12、ドレイ
ン配線端子部、ゲート配線端子部、ドレイン配線端子部
を形成した。

【0046】以上のプロセスにより形成した画素電極1
1および対向電極12は、それぞれソース電極8、コモ
ン配線3に電気的に接続している。

【0047】作製したアクティブマトリクス基板上に公
知の方法で液晶の配向膜(ポリイミド膜)を形成し、ス
ペーサ(スペーサビーズ使用)を介して対向基板と貼り
合わせ、液晶組成物を封入し液晶表示装置を得た。

【0048】上記液晶表示装置の液晶駆動電圧は、図3
および図4に示す従来構造のアクティブマトリクス基板
を用いたものと比較して、20%以上低減することがで
きた。

【0049】また、画素電極11および対向電極12
は、いずれもITO膜で形成されているので、液晶組成
物等による劣化もほとんどないと云う優れた効果を有し
ている。

【0050】〔実施例 2〕図5に本発明のアクティブ
マトリクス基板の画素部の要部断面図、図6に平面図を
示す。

【0051】透明基板1上にスパッタリング法により成
膜したCr−Mo合金膜(膜厚200nm)の応力を低
く抑えるため、Moは30〜50重量%とした。また、
Cr−Mo合金は後で形成するITO膜とのコンタクト
抵抗を低くすることができる。

【0052】次いで、ホトリソグラフィ法によりゲート
配線2,コモン配線3を形成し、さらに実施例1と同様
の方法で、ゲート絶縁膜4としてSiN膜、半導体膜5
としてa−Si膜、さらにコンタクト層6としてn(+)
a−Si膜を形成した。

【0053】次に、スパッタリング法によりCr−Mo
膜を200nmの厚さに成膜し、ホトリソグラフィ法に
より、ドレイン配線7,ソース電極8を形成した。この
際、ソース電極8を後で形成する画素電極11と重なる
形状に加工した。その後、n(+)a−Si膜をドライエ
ッチングにより除去し、ホトリソグラフィ法でa−Si
膜を島状に加工してTFT部を形成した。

【0054】この上に保護性絶縁膜9(SiN)をプラ
ズマCVD法により成膜した。さらに、ホトリソグラフ
ィ法でゲート絶縁膜4、保護性絶縁膜9のSiNに、ソ
ース電極およびコモン配線に達するコンタクトホール1
0と、ドレイン配線端子部,ゲート配線端子部およびド
レイン配線端子部のコンタクトホールを形成した。

【0055】さらに、実施例1と同様の方法によりIT
O膜を200nmの厚さに成膜し、ホトリソグラフィ法
により加工して、画素電極11,対向電極12,ドレイ
ン配線端子部,ゲート配線端子部およびドレイン配線端
子部の被覆膜を形成した。

【0056】以上のプロセスにより形成した画素電極1
1,対向電極12は、それぞれソース電極8,コモン配
線3に電気的に接続される。

【0057】上記のアクティブマトリクス基板上に配向
膜を形成し、スペーサを介して対向基板と貼り合わせ、
液晶組成物を封入して液晶表示装置を得た。

【0058】上記液晶表示装置の液晶駆動電圧は、図3
および図4を示す従来構造のアクティブマトリクス基板
を用いたものと比較して20%以上低減することができ
た。

【0059】〔実施例 3〕図7に本発明のアクティブ
マトリクス基板の画素部の要部断面図、図8に平面図を
示す。

【0060】実施例1と同様の方法でゲート配線2、コ
モン配線3、ゲート絶縁膜4、TFT部、ドレイン配線
7、ソース電極8を形成した。

【0061】この上に保護性絶縁膜9(SiN)をプラ
ズマCVD法により成膜した。さらに、ホトリソグラフ
ィ法でゲート絶縁膜4、保護性絶縁膜9のSiN膜に、
ソース電極8およびコモン配線3に達するコンタクトホ
ール10,ドレイン配線端子部,ゲート配線端子部およ
びドレイン配線端子部のコンタクトホールを形成した。
さらに、実施例1と同様の方法によりITO膜を200
nmの厚さに成膜した。ホトリソグラフィ法により加工
して、画素電極11,対向電極12,ドレイン配線端子
部,ゲート配線端子部およびドレイン配線端子部の被覆
膜を形成した。

【0062】この際、基板1の裏面から露光することに
より、開口部で画素電極11と対向電極12をそれぞれ
ソース電極8,コモン配線3と同一の形状に加工した。
これによりソース電極8,コモン配線3と、画素電極1
1,対向電極12のマスク合わせ精度を考慮する必要が
なくため、開口部のソース電極8およびコモン配線3の
幅を小さくでき、開口率を増すことができる。

【0063】上記のアクティブマトリクス基板上に配向
膜を形成し、スペーサを介して対向基板に貼り合わせ
て、液晶組成物を封入して液晶表示装置を得た。

【0064】上記液晶表示装置は液晶駆動電圧が小さ
く、明るい画像を得ることができた。

【0065】〔実施例 4〕図9に本発明のアクティブ
マトリクス基板の画素部の要部断面図、図10に平面図
を示す。

【0066】実施例1と同様の方法でゲート配線2、コ
モン配線3、ゲート絶縁膜4、TFT部、ドレイン配線
7、ソース電極8を形成した。

【0067】この上に保護性絶縁膜9(SiN)をプラ
ズマCVD法により成膜した。さらに、ホトリソグラフ
ィ法でゲート絶縁膜4、保護性絶縁膜9に、ソース電極
8およびコモン配線3に達するコンタクトホール10,
ドレイン配線端子部,ゲート配線端子部およびドレイン
配線端子部のコンタクトホールを形成した。

【0068】さらに、スパッタリング法によりグラファ
イト膜を200nmの厚さに成膜した。ホトリソグラフ
ィ法によりグラファイト膜を加工し、画素電極11,対
向電極12,ドレイン配線端子部,ゲート配線端子部,
ドレイン配線端子部の被覆膜を形成した。

【0069】なお、グラファイトは光の透過率が低いた
め遮光膜として使用することができる。このため、開口
部のソース電極8、コモン配線3の幅を画素電極11,
対向電極12の幅より小さくでき、開口率を増加するこ
とができる。

【0070】上記アクティブマトリクス基板上に配向膜
を形成し、スペーサを介して対向基板に貼り合わせ、液
晶組成物を封入して液晶表示装置を得た。

【0071】上記の液晶表示装置は液晶駆動電圧が小さ
く、明るい画像を得ることができた。

【0072】〔実施例 5〕実施例3と同様の方法で、
図11に示す平面構造のアクティブマトリクス基板を作
製した。

【0073】実施例3(図8)では、一画素内の画素電
極11が3本、対向電極12が3本に対し、本実施例で
は、画素電極11が1本、対向電極12が2本である。
本実施例では、実施例3と比較して、より高い開口率が
得られる。

【0074】上記のアクティブマトリクス基板上に配向
膜を形成し、スペーサを介して対向基板に貼り合わせ、
液晶組成物を封入した。得られた液晶表示装置は、液晶
の駆動電圧が低く、輝度の高い画像が得られた。

【0075】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の画素電極
と対向電極を保護性絶縁膜上に形成したアクティブマト
リックス基板を用いることにより、横電界方式の液晶表
示装置の駆動電圧を低減することができる。また、しき
い値電圧の高い液晶の使用が可能となり、応答性の良好
な液晶表示装置を提供することができる。

【0076】また、金属電極の液晶組成物による劣化を
防止できる。

【0077】さらにまた、電界を液晶に有効に印加でき
るため、画素電極と対向電極間の距離を大きくすること
が可能になり、開口率を向上することができる。これに
よりバックライトの消費電力の低減や、輝度の高いディ
スプレイを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図1】実施例1のアクティブマトリックス基板の模式
断面図である。

【図2】図1の画素部の平面図である。

【図3】従来構造のアクティブマトリックス基板の模式
断面図である。

【図4】図3の画素部の平面図である。

【図5】実施例2のアクティブマトリックス基板の模式
断面図である。

【図6】図5の画素部の平面図である。

【図7】実施例3のアクティブマトリックス基板の模式
断面図である。

【図8】図7の画素部の平面図である。

【図9】実施例4のアクティブマトリックス基板の模式
断面図である。

【図10】図9の画素部の平面図である。

【図11】実施例5のアクティブマトリックス基板の平
面図である。

【符号の説明】

1…基板、2…ゲート配線、3…コモン配線、4…ゲー
ト絶縁膜、5…半導体膜、6…コンタクト層、7…ドレ
イン配線、8…ソース電極、9…保護性絶縁膜、10…
コンタクトホール、11…画素電極、12…対向電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−36058(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1368 G02F 1/1343

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁性基板上にアクティブ素子、ソース
    電極、コモン配線が形成され、前記ソース電極とコモン
    配線の上に保護性絶縁膜を介して画素電極と対向電極が
    平行に配置されていることを特徴とするアクティブマト
    リクス基板。
  2. 【請求項2】 前記画素電極と対向電極が酸化物導電膜
    またはグラファイトで形成されている請求項1に記載の
    アクティブマトリクス基板。
  3. 【請求項3】 外部駆動回路との接続端子部が、前記画
    素電極および対向電極の端子部の被覆膜と同一の酸化物
    導電膜で形成されている請求項1に記載のアクティブマ
    トリクス基板。
  4. 【請求項4】 前記対向電極がコモン配線と、または/
    および、前画素電極がソース電極とそれぞれ保護性絶縁
    膜に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続して
    いる請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
  5. 【請求項5】 前記保護性絶縁膜を介して前記画素電極
    および前記対向電極と重なる形状の金属膜が形成されて
    いる請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
  6. 【請求項6】 前記金属膜がコモン配線,ソース電極で
    ある請求項5に記載のアクティブマトリクス基板。
  7. 【請求項7】 前記画素電極および対向電極が開口部に
    おいて前記金属膜と同一形状に形成されている請求項5
    または6に記載のアクティブマトリクス基板。
  8. 【請求項8】 透明絶縁性基板上にアクティブ素子、ソ
    ース電極、コモン配線が形成され、前記ソース電極とコ
    モン配線の上に保護性絶縁膜を介して画素電極と対向電
    極が平行に配置されており、前記画素電極と対向電極が
    酸化物導電膜で形成されたアクティブマトリクス基板の
    製法において、 前記画素電極および対向電極を透明絶縁性基板の裏面よ
    り露光したフォトリソグラフィ法により、前記ソース電
    極とコモン配線の金属膜と同一形状に形成することを特
    徴とするアクティブマトリクス基板の製法。
  9. 【請求項9】 少なくとも一方が透明な一対の絶縁性基
    板間に液晶を挾持した液晶表示装置において、 前記絶縁性基板の一方の面にアクティブ素子、ソース電
    極、コモン配線が形成され、前記ソース電極とコモン配
    線の上に保護性絶縁膜を介して画素電極と対向電極が平
    行に配置されており、 前記画素電極と対向電極が酸化物導電膜またはグラファ
    イトで形成され、前記画素電極と対向電極間に電界を印
    加して前記液晶を駆動することを特徴とする液晶表示装
    置。
JP20843896A 1996-08-07 1996-08-07 アクティブマトリクス基板とその製法および液晶表示装置 Expired - Lifetime JP3148129B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20843896A JP3148129B2 (ja) 1996-08-07 1996-08-07 アクティブマトリクス基板とその製法および液晶表示装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20843896A JP3148129B2 (ja) 1996-08-07 1996-08-07 アクティブマトリクス基板とその製法および液晶表示装置
US08/906,475 US5995187A (en) 1996-08-07 1997-08-05 Liquid crystal display device in-plane-switching system with counter electrode in contact with liquid crystal
KR1019970037770A KR100270127B1 (ko) 1996-08-07 1997-08-07 액정표시장치
US09/405,229 US6300995B1 (en) 1996-08-07 1999-09-24 Liquid crystal display device utilizing in-plane-switching system and having alignment film separating picture element electrode or counter electrode from liquid crystal layer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1048670A JPH1048670A (ja) 1998-02-20
JP3148129B2 true JP3148129B2 (ja) 2001-03-19

Family

ID=16556220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20843896A Expired - Lifetime JP3148129B2 (ja) 1996-08-07 1996-08-07 アクティブマトリクス基板とその製法および液晶表示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5995187A (ja)
JP (1) JP3148129B2 (ja)
KR (1) KR100270127B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101967292B1 (ko) * 2017-05-23 2019-04-09 박홍주 스틱파우치용 정렬장치

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6258308B1 (en) 1996-07-31 2001-07-10 Exxon Chemical Patents Inc. Process for adjusting WVTR and other properties of a polyolefin film
KR100257369B1 (ko) * 1997-05-19 2000-05-15 구본준 횡전계방식액정표시장치
US6972818B1 (en) * 1997-05-19 2005-12-06 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
KR100477130B1 (ko) * 1997-09-25 2005-03-08 삼성전자주식회사 평면구동방식액정표시장치의박막트랜지스터기판및제조방법
US6337726B1 (en) 1998-02-24 2002-01-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Array substrate for liquid crystal display element
US6509939B1 (en) * 1998-07-07 2003-01-21 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Hybrid switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing thereof
US6281953B1 (en) * 1998-08-24 2001-08-28 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Liquid crystal display having high aperture ratio and high transmittance and method of manufacturing the same
WO2000023255A1 (en) 1998-10-16 2000-04-27 Exxon Chemical Patents Inc. Process for producing polyolefin microporous breathable film
US6287899B1 (en) * 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
KR100493869B1 (ko) * 1999-12-16 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100322969B1 (ko) * 1999-12-22 2002-02-01 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 인-플레인 스위칭 모드 액정표시장치 및 그의 제조방법
JP2001194675A (ja) * 2000-01-12 2001-07-19 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR100709704B1 (ko) * 2000-05-12 2007-04-19 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100620322B1 (ko) * 2000-07-10 2006-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정 표시장치 및 그 제조방법
JP3695307B2 (ja) * 2000-10-25 2005-09-14 セイコーエプソン株式会社 配線基板、表示装置、半導体チップ及び電子機器
KR20020052562A (ko) * 2000-12-26 2002-07-04 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100587217B1 (ko) * 2000-12-29 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치용 어레이기판 및 그제조방법
JP4831716B2 (ja) * 2001-03-15 2011-12-07 Nltテクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2002296609A (ja) 2001-03-29 2002-10-09 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2002311428A (ja) * 2001-04-11 2002-10-23 Hitachi Device Eng Co Ltd 液晶表示装置
KR20030016051A (ko) * 2001-08-20 2003-02-26 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2003228081A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
TW554539B (en) * 2002-09-09 2003-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Thin film transistor source/drain structure and manufacturing method thereof
TWI283786B (en) * 2003-06-18 2007-07-11 Innolux Display Corp An active matrix liquid crystal display
JP2005352067A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 International Display Technology Kk 液晶ディスプレイ
GB2421833B (en) * 2004-12-31 2007-04-04 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and method for fabricating the same
JP5306765B2 (ja) * 2008-10-16 2013-10-02 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置及び電子機器
CN102544000A (zh) * 2012-03-13 2012-07-04 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及相应的显示面板
JP5941756B2 (ja) * 2012-06-06 2016-06-29 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6321907B2 (ja) * 1979-12-25 1988-05-10 Citizen Watch Co Ltd
US5576867A (en) * 1990-01-09 1996-11-19 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Liquid crystal switching elements having a parallel electric field and βo which is not 0° or 90°
DE69332575T2 (de) * 1992-09-18 2003-11-20 Hitachi Ltd Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
JP3963974B2 (ja) * 1995-12-20 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶電気光学装置
KR100250796B1 (ko) * 1996-11-29 2000-04-01 김영환 액정 표시 소자 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101967292B1 (ko) * 2017-05-23 2019-04-09 박홍주 스틱파우치용 정렬장치

Also Published As

Publication number Publication date
US5995187A (en) 1999-11-30
KR100270127B1 (ko) 2000-10-16
US6300995B1 (en) 2001-10-09
KR19980018480A (ko) 1998-06-05
JPH1048670A (ja) 1998-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10126609B2 (en) Liquid crystal display device
US9785020B2 (en) Liquid crystal display device having rectangular-shaped pixel electrodes overlapping with comb-shaped counter electrodes in plan view
US8212976B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US6878966B2 (en) Thin-film transistor display devices
US6172733B1 (en) Liquid crystal display including conductive layer passing through multiple layers and method of manufacturing same
US6091466A (en) Liquid crystal display with dummy drain electrode and method of manufacturing same
KR100349022B1 (ko) 표시장치 및 그의 제작방법
US7061015B2 (en) Contact portion of semiconductor device, and thin film transistor array panel for display device including the contact portion
US6246453B1 (en) Electro-optical device
US6567150B1 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
US6912024B2 (en) Array substrate of liquid crystal display device having thin film transistor on color filter structure and method of fabricating the same
JP3939140B2 (ja) 液晶表示装置
KR100663877B1 (ko) 반도체장치
KR101002521B1 (ko) Al합금막을 이용한 저접촉 전기 저항형 전극 및 그 제조방법 및 표시 장치
US7453540B2 (en) Liquid crystal display device with particular electrodes
US8199301B2 (en) Horizontal electric field switching liquid crystal display device
DE10150432B4 (de) Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeige und Verfahren zu dessen Herstellung
US5622814A (en) Method for fabricating active substrate
US7554119B2 (en) Active matrix substrate and its manufacturing method
JP3228202B2 (ja) 横方向電界方式アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
KR101905757B1 (ko) 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
US6529256B1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device
JP4152623B2 (ja) 液晶表示装置
US6862060B2 (en) Transflective liquid crystal display
US7015548B2 (en) Thin film transistor array panel including storage electrode

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080112

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080112

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090112

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090112

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100112

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112

Year of fee payment: 10

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112

Year of fee payment: 10

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112

Year of fee payment: 11

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S631 Written request for registration of reclamation of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112

Year of fee payment: 11

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112

Year of fee payment: 11

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140112

Year of fee payment: 13

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term