JP5245879B2 - 画像表示装置及び短絡事故の修復方法 - Google Patents
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Description
には、2つのトランジスタを用いて画素回路を構成する方法が開示されている。従ってこの特開2007−310311号公報に開示の方法によれば、画像表示装置の構成を簡略化することができる。またこの特開2007−310311号公報には、有機EL素子を駆動する駆動トランジスタのしきい値電圧のばらつき、移動度のばらつき、有機EL素子の特性の経時変化による画質劣化を防止する構成が開示されている。
1.第1実施形態(バイパス用の配線パターンを備える例)
2.第2実施形態(隣接画素回路の信号線が向かい合う例)
3.第3実施形態(書込トランジスタが信号線の下に配置された例)
4.第4実施形態(第2実施形態において書込トランジスタが信号線の下に配置された例)
5.第5実施形態(走査線側を信号線の下層に配置する例)
6.第6実施形態(擬似配線パターンを備える例)
(1)実施形態の構成
(1−1)全体構成(図2〜図13)
信号線駆動回路3は、表示部2に設けられた信号線DTLに信号線用の駆動信号Ssigを出力する。より具体的に、信号線駆動回路3は、水平セレクタ(HSEL)3Aにより、ラスタ走査順に入力される画像データD1を順次ラッチして画像データD1を信号線DTLに振り分けた後、それぞれディジタルアナログ変換処理する。信号線駆動回路3は、このディジタルアナログ変換結果を処理して駆動信号Ssigを生成する。これにより画像表示装置1は、例えばいわゆる線順次により各画素回路5の階調を設定する。
図1は、画素回路5における配線パターンのレイアウトを示す平面図である。この画像表示装置1は、この図1に示すレイアウトによる画素回路5が繰り返し配置されて表示部2が作成される。なおこの図1は、有機EL素子8のアノード電極から上層の部材を除去して基板側を見て示す平面図である。この図1では、各層の配線パターンをそれぞれハッチングの相違により示す。またこの図1においては、円形の印により層間のコンタクトを示す。またこの円形の印の内側にコンタクト先の配線パターンに割り当てたハッチングを設け、層間の接続関係を示す。
図25は、図1との対比により本発明の第2実施形態の画像表示装置に適用される表示部のレイアウトを示す平面図である。この実施形態の画像表示装置は、この図25に示すレイアウトが異なる点を除いて、第1実施形態の画像表示装置1と同一に構成される。従って以下の説明においては、適宜、第1実施形態の画像表示装置における各部の符号を流用して説明する。
図29は、図1との対比により本発明の第3実施形態の画像表示装置に適用される表示部のレイアウトを示す平面図である。この実施形態の画像表示装置は、この図29に示すレイアウトが異なる点を除いて、第1実施形態の画像表示装置1と同一に構成される。
図30は、図25との対比により本発明の第4実施形態の画像表示装置に適用される表示部のレイアウトを示す平面図である。この実施形態の画像表示装置は、図1との対比により図29について上述したと同様に、書込トランジスタTr1が、信号線DTLの第2配線の下に配置される点を除いて、第2実施形態の画像表示装置1と同一に構成される。
なお上述の実施形態においては、信号線と電源用及び書込信号用の走査線が交差する部位において、信号線を下層側に配置する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、走査線側を信号線の下層に配置するようにしてもよい。
第6実施形態は、上記のように、カラー画像の1画素を構成する赤色、緑色、青色のサブ画素を単位にして、このサブ画素を選択的に対称形状とした例である。なお、ここでは、G(緑色)の画素回路を第1の画素回路、B(青色)の画素回路を第2の画素回路、R(赤色)の画素回路を第3の画素回路として、この順に並列配置されているユニット(組み)を例とする。また、ここでは、このユニットにおいて、第2の画素回路であるBの画素回路と第3の画素回路であるRの画素回路とが対称形状となっている例を説明する。
Claims (8)
- 画素回路をマトリックス状に配置して作成された表示部により所望の画像を表示する画像表示装置において、
前記表示部の走査線又は信号線は、
前記信号線又は走査線と配線パターンが交差する部位を除いて、前記信号線又は走査線の配線パターンと同一層に配線パターンが作成され、
前記交差する部位では、前記信号線又は走査線の配線パターンとは異なる層に配線パターンが作成され、
前記走査線には、
前記交差する部位とは異なる部位で前記信号線の配線パターンを上層又は下層で横切って、前記交差する部位をバイパスするバイパス用の配線パターンが設けられ、
前記画素回路には、前記信号線の電圧により階調を設定する書込トランジスタが設けられ、
前記バイパス用の配線パターンにより前記書込トランジスタのゲートが前記走査線に接続された、
画像表示装置。 - 隣接する1組の前記画素回路では、前記信号線の配線パターンが近接して対向するように配置され、
前記バイパス用の配線パターンが、前記1組の画素回路における前記信号線の配線パターンを横切って、前記1組の画素回路における前記交差する部位をまとめてバイパスする配線パターンである、
請求項1に記載の画像表示装置。 - 前記1組の画素回路が、前記信号線の配線パターンに対して対称形状に形成された、
請求項2に記載の画像表示装置。 - 前記書込トランジスタが前記信号線の配線パターンの下に配置された、
請求項1に記載の画像表示装置。 - 前記画素回路は、
自発光素子と、
電源用の走査線により供給される電源により前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートソース間電圧を保持する保持容量とを有し、
前記書込トランジスタが、前記保持容量の端子電圧を前記信号線の電圧により設定するトランジスタであり、
前記走査線及び信号線による制御により前記保持容量の端子間電圧を前記駆動トランジスタのしきい値電圧に設定した後、前記保持容量の端子電圧を前記書込トランジスタにより前記信号線の電圧に設定して前記自発光素子の発光輝度を設定する、
請求項2に記載の画像表示装置。 - 前記画素回路は、
自発光素子と、
電源用の走査線により供給される電源により前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートソース間電圧を保持する保持容量とを有し、
前記書込トランジスタが、前記保持容量の端子電圧を前記信号線の電圧により設定するトランジスタであり、
前記走査線及び信号線による制御により前記保持容量の端子間電圧を前記駆動トランジスタのしきい値電圧に設定した後、前記保持容量の端子電圧を前記書込トランジスタにより前記信号線の電圧に設定して前記自発光素子の発光輝度を設定する、
請求項4に記載の画像表示装置。 - 複数の前記画素回路において第1、第2、第3の画素回路が順に並列配置される組について、隣接する第2、第3の画素回路では、前記信号線の配線パターンが近接して対向するように配置され、
前記バイパス用の配線パターンが、前記第2、第3の画素回路における前記信号線の配線パターンを横切って、前記第2、第3の画素回路における前記交差する部位をまとめてバイパスする配線パターンであり、
第1の画素回路では、前記バイパス用の配線パターンの代わりに、前記走査線と導通する配線パターンであって、前記走査線と前記交差する部位とは異なる部位で前記信号線の配線パターンを上層又は下層で横切る擬似配線パターンである、
請求項1に記載の画像表示装置。 - 画素回路をマトリックス状に配置して作成された表示部により所望の画像を表示する画像表示装置における短絡事故の修復方法において、
前記表示部の走査線又は信号線は、
前記信号線又は走査線と交差する部位を除いて、前記信号線又は走査線の配線パターンと同一層の配線により配線パターンが作成され、
前記交差する部位では、前記信号線又は走査線の配線パターンと異なる層の配線により配線パターンが作成され、
前記走査線には、
前記交差する部位とは異なる部位で前記信号線の上層又は下層を横切って、前記交差する部位をバイパスするバイパス用の配線パターンが設けられ、
前記画素回路には、前記信号線の電圧により階調を設定する書込トランジスタが設けられ、
前記バイパス用の配線パターンにより前記書込トランジスタのゲートが前記走査線に接続され、
前記短絡事故の修復方法は、
前記走査線の切断により、前記交差する部位を前記バイパス用の配線パターンから切り離して、前記信号線及び走査線間の短絡事故を修復する、
短絡事故の修復方法。
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