TWI453910B - Image display device and repair method of short circuit accident - Google Patents

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TWI453910B
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Description

影像顯示裝置及短路事故之修復方法
本發明，係有關一種影像顯示裝置及短路事故之修復方法，能夠適用於例如有機EL(Electro Luminescence)元件所構成之主動矩陣型之影像顯示裝置。本發明，係作成能夠藉由在掃描線設置讓訊號線與掃描線所交叉之部位分流之分流(bypass)用配線圖案，修復配線圖案間之短路處所。
近年來，使用有機EL元件之主動矩陣型影像顯示裝置之開發變成非常盛行。使用有機EL元件之影像顯示裝置，是利用藉由電場的施加而發光的有機薄膜之發光現象的影像顯示裝置。有機EL元件，可以藉由10[V]以下之施加電壓來驅動。亦即，此種之影像顯示裝置，可以減低耗電量。此外，有機EL元件是自發光元件。亦即，此種之影像顯示裝置，不需要背光裝置，可以輕量化、薄型化。進而有機EL元件，反應速度只有數微秒(μ-sec)具有反應相當快之特徵。亦即，此種影像顯示裝置，在顯示動態影像時有著幾乎不會發生殘影的特徵。
具體而言，使用有機EL元件之主動矩陣型之影像顯示裝置，將有機EL元件與驅動有機EL元件之驅動電路做成的畫素電路配置為矩陣狀而形成顯示部。此種影像顯示裝置，分別透過設於顯示部的訊號線與掃描線，藉由配置於顯示部的周圍之訊號線驅動電路及掃描線驅動電路驅動各畫素電路而顯示所要的影像。
關於使用此有機EL元件之影像顯示裝置，在專利文獻1揭示有使用2個電晶體構成畫素電路的方法。根據此方法，可以簡化影像顯示裝置的構成。此外，於此專利文獻1揭示著防止驅動有機EL元件的驅動電晶體的閾值電壓的差異、移動度的差異、有機EL元件的特性之經時變化導致的畫質劣化等的構成。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-310311號公報
然而此種影像顯示裝置，由於製造步驟之不良，會有在設於顯示部的配線圖案間發生短路事故之虞。又這種不良，有光蝕刻步驟之不良、蝕刻步驟之不良、導電性之異物附著等情形。
於影像顯示裝置之製造步驟，只要可以修復此種短路事故，就可以進一步提高生產率。
本發明有鑑於相關的問題點，目的在於提供可以修復配線圖案間的短路處所之影像顯示裝置，及此影像顯示裝置之短路事故的修復方法。
本發明之影像顯示裝置，藉由將畫素電路矩陣狀地配置而被形成之顯示部顯示影像之影像顯示裝置，係顯示部之掃描線或者訊號線，除了訊號線或者掃描線與配線圖案所交叉之部位以外，在與訊號線或者掃描線之配線圖案同一層形成配線圖案，而交叉之部位中，在與訊號線或者掃描線之配線圖案不同層形成配線圖案，於掃描線，在與交叉之部位相異之部位將訊號線之配線圖案在上層或者下層橫切，並設置分流交叉部位之分流用配線圖案。
本發明之短路事故之修復方法，係被適用於本發明之影像顯示裝置者，藉由切斷掃描線，使交叉的部位與分流用配線圖案分離，修復訊號線及掃描線間之短路事故。
前除了與訊號線或者掃描線交叉之部位以外，利用與訊號線或者掃描線之配線圖案同一層之配線形成掃描線或訊號線之配線圖案，而交叉之部位中，利用與訊號線或者掃描線之配線圖案不同層之配線形成掃描線或訊號線之配線圖案的話，可以優先使用此同一層側之配線而配置訊號線及掃描線，僅於訊號線及掃描線雙方都不能適用此同一層的配線的部位，藉由不同層來配置訊號線或掃描線。亦即，於此同一層側適用薄膜電阻小的配線圖案層，可以縮小掃描線及訊號線的阻抗。然而如此進行的話，訊號線及掃描線變成被形成於同一層，訊號線及掃描線之間容易產生短路事故。特別是在訊號線與掃描線交叉的部位，因為這些訊號線及掃描線被層積，所以僅訊號線及掃描線間被短路的部位藉由修整(trimming)而除去會變得困難，結果，變成無法修復短路事故。
此處，在本發明之影像顯示裝置，於掃描線，設置在與交叉的部位不同的部位橫切訊號線的上層或下層，而分流交叉的部位之分流用配線圖案。此分流用配線圖案，分流交叉的部位，所以藉由修整而切離交叉的部位與掃描線的場合，變成替代此掃描的部位而傳送掃描線的訊號。藉此可以修復在交叉的部位產生的掃描線及訊號線間之短路處所。
根據本發明，能夠修復配線圖案間之短路處所。
[用以實施發明之最佳型態]
以下，邊參照圖面邊針對本發明之實施型態加以說明。又，說明係按以下順序進行。
1.第1實施型態(具備分流用配線圖案之例)
2.第2實施型態(鄰接畫素電路之訊號線相向之例)
3.第3實施型態(寫入電晶體被配置於訊號線之下之例)
4.第4實施型態(在第2實施型態寫入電晶體被配置於訊號線之下之例)
5.第5實施型態(將掃描線側配置於訊號線之下層之例)
6.第6實施型態(具備模擬配線圖案之例)
〈1.第1實施型態〉
(1)構成
(1-1)全體構成(圖2～圖13)
圖2係顯示本實施型態之影像顯示裝置之方塊圖。該影像顯示裝置1，係於玻璃等絕緣基板具有顯示部2、於該顯示部2之周圍具備訊號線驅動電路3以及掃描線驅動電路4。
顯示部2，係將畫素電路(PXCL) 5矩陣狀配置而被形成之裝置。訊號線驅動電路3，係被做成對被設在顯示部2之訊號線DTL輸出訊號線用驅動訊號Ssig。具體而言，訊號線驅動電路3，係透過水平選擇器(HSEL) 3A，將按光柵(raster)掃描順序被輸入之影像資料D1依序拴鎖(latch)並將影像資料D1分配至訊號線DTL之後，分別進行數位/類比變換處理。訊號線驅動電路3，係將該數位/類比變換結果處理後生成驅動訊號Ssig。藉此，影像顯示裝置1則例如依照所謂的線順序設定各畫素電路5之灰階。
掃描線驅動電路4，係對被設在顯示部2之寫入訊號用掃描線WSL以及電源用掃描線DSL分別輸入寫入訊號WS以及驅動訊號DS。寫入訊號WS，係一種ON/OFF控制被設在各畫素電路5之寫入電晶體之訊號。驅動訊號DS，係一種控制被設在各畫素電路5之驅動電晶體之汲極電壓之訊號。掃描線驅動電路4，係分別在寫入掃描電路(WSCN) 4A以及驅動掃描電路(DSCN) 4B，將指定之抽樣脈衝SP按時脈CK加以處理並生成寫入訊號WS以及驅動訊號DS。
圖3係詳細地顯示畫素電路5的構成之圖。如圖4與圖3之對比所示，顯示部2，係將該圖3所示之畫素電路5矩陣狀配置而被做成之裝置。畫素電路5中，有機EL元件8之陰極是被接續在指定之負極電源Vss，有機EL元件8之陽極則是被接續在驅動電晶體Tr2之源極。驅動電晶體Tr2，係一種例如由TFT所形成之N通道型電晶體。作成該驅動電晶體Tr2之汲極是被接續在電源用掃描線DSL，而對該掃描線DSL由掃描線驅動電路4供給電源用驅動訊號DS之方式。利用這樣的構成，畫素電路5中，採用源極跟隨器(source follower)電路構成之驅動電晶體Tr2以電流驅動有機EL元件8。
在驅動電晶體Tr2之閘極以及源極間設置保持電容Cs，依據寫入訊號WS讓該保持電容Cs之閘極側端電壓被設定在驅動訊號Ssig電壓。結果，畫素電路5中，會依據因應驅動訊號Ssig之閘極‧源極間電壓Vgs藉驅動電晶體Tr2以電流驅動有機EL元件8。電容Cel係有機EL元件8之雜散電容。以下的說明中，該電容Cel，係設定成其電容比保持電容Cs還十分大，驅動電晶體Tr2之閘極節點(node)之寄生電容，則相對於保持電容Cs設為十分小。
畫素電路5中，透過依寫入訊號WS進行ON/OFF動作之寫入電晶體Tr1，讓驅動電晶體Tr2之閘極被接續在訊號線DTL。寫入電晶體Tr1，係一種例如由TFT所形成之N通道型電晶體。訊號線驅動電路3，係按指定之時間切換灰階設定用電壓Vsig以及閾值電壓之補正用電壓Vo並輸出驅動訊號Ssig。補正用固定電壓Vo，係一種使用於驅動電晶體Tr2之閾值電壓的偏差補正之固定電壓。灰階設定用電壓Vsig，係一種指示有機EL元件8之發光亮度之電壓，於灰階電壓Vin具有加算過閾值電壓補正用之固定電壓Vo之數值。灰階電壓Vin，係一種對應於有機EL元件8之發光亮度之電壓。灰階電壓Vin，係於水平選擇器(HSEL) 3A，在將按光柵(raster)掃描順序被輸入之影像資料D1依序拴鎖(latch)並分配至各訊號線DTL之後，分別進行數位/類比變換處理而被生成在每一訊號線DTL。
畫素電路5中，如圖5所示，在使有機EL元件8發光之發光期間之間，依據寫入訊號WS將寫入電晶體Tr1設定在OFF狀態(圖5(A))。此外，畫素電路5，係在發光期間之間，利用電源用之驅動訊號DS而對驅動電晶體Tr2供給電源電壓VccH(圖5(B))。藉此，畫素電路5如圖6所示，在發光期間之間，會以保持電容Cs之端子間電壓之驅動電晶體Tr2之閘極‧源極間電壓Vgs(圖5(D)(E))所因應之驅動電流Ids使有機EL元件8發光。
在發光期間結束的時點t0，電源用驅動訊號DS落到指定的固定電壓VccL(圖5(B))。該固定電壓VccL，使驅動電晶體Tr2之汲極作用為源極而電壓卻十分低，而且電壓比有機EL元件8之陰極電壓Vss還低。
藉此，如圖7所示，保持電容Cs之有機EL元件8側端之蓄積電荷會透過驅動電晶體Tr2流出到掃描線DSL。結果，驅動電晶體Tr2之源極電壓Vs落到電壓VccL(圖5(E))，有機EL元件8發光停止。此外，連動於該源極電壓Vs的落下，驅動電晶體Tr2的閘極電壓Vg會降低(圖5(D))。
在接著的指定時點t1，依據寫入訊號WS讓寫入電晶體Tr1被切換至ON狀態(圖5(A))，而驅動電晶體Tr2之閘極電壓Vg被設定在訊號線DTL被設定之閾值電壓補正用之固定電壓Vo(圖5(C)，(D))。藉此，如圖8所示，驅動電晶體Tr2之閘極.源極間電壓Vgs被設定在電壓Vo-VccL。依據電壓Vo、VccL之設定，該電壓Vo-VccL被設定在比驅動電晶體Tr2之閾值電壓Vth還要大的電壓。
其後，於時點t2，依據驅動訊號DS讓驅動電晶體Tr2之汲極電壓上升至電源電壓VccH。藉此，透過驅動電晶體Tr2使充電電流Ids從電源VccH流入保持電容Cs之有機EL元件8側端。結果，保持電容Cs之有機EL元件8側之電壓Vs逐漸地上升。該場合，充電電流Ids，僅僅被使用於有機EL元件8之電容Cel與保持電容Cs之充電，結果，變成未使有機EL元件8發光，而是單只驅動電晶體Tr2之源極電壓Vs上升。
在保持電容Cs之端子間電壓變成驅動電晶體Tr2之閾值電壓Vth時，透過驅動電晶體Tr2之充電電流Ids之流入就停止，且驅動電晶體Tr2之源極電壓Vs之上升停止。藉此，保持電容Cs之端子間電壓透過驅動電晶體Tr2被放電，且如圖9所示，保持電容Cs之端子間電壓係被設定在驅動電晶體Tr2之閾值電壓Vth。
在保持電容Cs之端子間電壓設定在驅動電晶體Tr2之閾值電壓Vth而充分之時間經過後成為時點t3時，如圖10所示，依據寫入訊號WS讓寫入電晶體Tr1被切換為OFF狀態(圖5(A))。繼續如圖11所示，訊號線DTL之電壓被設定在灰階設定用電壓Vsig(=Vin+Vo)。
在接下來的時點t4將寫入電晶體Tr1設定成ON狀態(圖5(A))。藉此，如圖12所示，驅動電晶體Tr2之閘極電壓Vg被設定為灰階設定用電壓Vsig，驅動電晶體Tr2之閘極‧源極間電壓Vgs，則被設定成在灰階電壓Vin已加算驅動電晶體Tr2之閾值電壓Vth之電壓。藉此，能在畫素電路5，有效地迴避驅動電晶體Tr2之閾值電壓Vth的偏差以驅動有機EL元件8，且能夠防止有機EL元件8之發光亮度的偏差會導致之畫質劣化。
該畫素電路5，於設定驅動電晶體Tr2之閘極電壓Vg為灰階設定用電壓Vsig時，是在將驅動電晶體Tr2之汲極電壓已保持在電源電壓VccH之狀態下，一定期間之間，讓驅動電晶體Tr2之閘極被接續於訊號線DTL。藉此補正驅動電晶體Tr2之移動度μ的偏差。
亦即在已設定保持電容Cs之端子間電壓為驅動電晶體Tr2之閾值電壓Vth之狀態下，將寫入電晶體Tr1設定為ON狀態並將驅動電晶體Tr2之閘極接續於訊號線DTL之場合，驅動電晶體Tr2之閘極電壓Vg，被設定由固定電壓Vo逐漸地上升到灰階設定用電壓Vsig。
在此，該畫素電路5中，該驅動電晶體Tr2之閘極電壓Vg升起所需要之寫入時間常數，被設定成比驅動電晶體Tr2所導致之源極電壓Vs升起所需要之時間常數還要短。
該場合，當寫入電晶體Tr1動作ON時，驅動電晶體Tr2之閘極電壓Vg，就會快速地升起到灰階設定用電壓Vsig(Vo+Vin)。該閘極電壓Vg升起時，如有機EL元件8之電容Cel比保持電容Cs還要十分大時，驅動電晶體Tr2之源極電壓Vs則不變動。
然而，當驅動電晶體Tr2之閘極‧源極間電壓Vgs是從閾值電壓Vth增大時，透過驅動電晶體Tr2電流Ids從電源VccH流入，驅動電晶體Tr2之源極電壓Vs便逐漸上升。結果，保持電容Cs之端子間電壓會利用驅動電晶體Tr2放電，閘極‧源極間電壓Vgs之上升速度則下降。
該端子間電壓之放電速度，係因應驅動電晶體Tr2之能力而改變。更具體而言，驅動電晶體Tr2之移動度μ愈大之場合，放電速度就愈快。
結果，畫素電路5，係設定驅動電晶體Tr2的移動度μ越大，保持電容Cs之端子間電壓就隨之降低，且移動度之偏差所導致之發光亮度的偏差會被補正。又，將關於該移動度μ補正之端子間電壓之降低部分，圖5、圖12以及圖13中以ΔV表示。
畫素電路5中，該移動度之補正期間經過時，在時點t5下寫入訊號WS會落下。結果，發光期間開始，如圖13所示，藉由保持電容Cs之端子間電壓所對應之驅動電流Ids讓有機EL元件8發光。又，當發光期間開始時，利用所謂的自舉電路(bootstrap circuit)讓驅動電晶體Tr2之閘極電壓Vg以及源極電壓Vs上升。圖13之Vel係表示該上升部分的電壓。
藉此等，畫素電路5中，在從時點t0到時點t1之將驅動電晶體Tr2之閘極電壓下降到電壓VccL之期間，進行補正驅動電晶體Tr2之閾值電壓之處理準備。此外，在從接下來的時點t2到時點t3之期間，將保持電容Cs之端子間電壓設定於驅動電晶體Tr2之閾值電壓Vth，並補正驅動電晶體Tr2之閾值電壓。再者，在從時點t4到時點t5之期間，補正驅動電晶體Tr2之移動度，同時採樣灰階設定用電壓Vsig。
(1-2)畫素電路之配置圖(圖1)
圖1係顯示畫素電路5之配線圖案之配置圖。影像顯示裝置1，係根據該圖1所示之配置圖反覆配置畫素電路5而作成顯示部2。又，圖1係顯示從有機EL元件8之陽極電極除去上層之構件所見到基板側之狀態之圖。在此，將各層之配線圖案依各自影線(hatching)之不同以顯示。此外，利用圓形記號表示層間之接點11、利用矩形記號表示陽極用接點12。再者，於該圓形記號(接點11)內側設置依接續目的地之配線圖案分配之影線，表示層間之接續關係。
該畫素電路5中，在在例如玻璃所形成之絕緣基板上形成配線圖案材料層之後，藉由蝕刻處理該配線圖案材料層而形成第1配線10A。接著在閘極氧化膜被形成後，形成多晶矽薄膜之中間配線10C。
這些第1配線10A以及中間配線10C，係於大致中央之領域，以局部地相對向之方式被形成，利用該相對向之部位形成保持電容Cs。接著在通道保護層等被形成之後，利用不純物之塗料形成寫入電晶體Tr1以及驅動電晶體Tr2。
接著，在形成配線圖案材料層之後，藉由蝕刻處理該配線圖案材料層形成第2配線10B。
其次，實行後述之缺陷檢出之處理，修復缺陷處。接著，在依指定膜厚形成平坦化膜之後，形成有機EL元件8之陽極電極。其後，在依序形成有機EL元件8之材料膜、陰極電極、保護膜之後，配置密封用透明基板。
本實施型態中，於該畫素電路5，延長於上下方向之訊號線DTL，被形成於畫素電路5之左端側。此外，延長於水平方向之電源用掃描線DSL以及寫入訊號用掃描線WSL則分別被形成於畫素電路5之上下。
此種影像顯示裝置1中，其特徵具有第2配線10B之電阻值會比第1配線10A格外地小。具體而言，第1配線10A，相對於第2配線10B，前者薄膜電阻值為50倍左右。此外，該影像顯示裝置1中，降低訊號線DTL、掃描線DSL、WSL之阻抗(impedance)是有必要的。
於此，本實施型態中，利用第2配線10B形成電源用掃描線DSL以及寫入訊號用掃描線WSL。此外，電源用掃描線DSL是比寫入訊號用掃描線WSL還要廣泛地被形成。加上，盡可能利用第2配線10B形成訊號線DTL。具體而言，唯有與掃描線DSL、WSL交叉之部位，利用第1配線10A形成訊號線DTL，其餘之訊號線DTL則利用第2配線10B形成。此外，結果，訊號線DTL係將與掃描線DSL以及WSL交叉之部位挾在中間，分別設置接續第1配線10A以及第2配線10B之接點。
於訊號線DTL與電源用掃描線DSL交叉之部位之電源用掃描線DSL，橫切訊號線DTL，設置切斷訊號線DTL之形狀切口(slit) SL。於寬幅方向大致3等分電源用掃描線DSL之2處，並排於訊號線DTL所延長之方向設置該切口SL。切口SL，採用雷射光束充分地修整，讓兩端從訊號DTL之兩側端部飛出，而且於該兩端形成開口。
從訊號線DTL與寫入訊號用掃描線WSL所交叉之部位，到以雷射修整僅隔開足夠的距離之與掃描線驅動電路4側以及掃描線驅動電路4相反側之掃描線WSL，分別設置用以確保與第1配線10A之間的接續之第1以及第2接點。利用來自該第1以及第2接點之第1配線10A之配線圖案，形成用以將訊號線DTL與寫入訊號用掃描線WSL所交叉之部位分流之配線圖案BP。具體而言，該配線圖案BP，係跟訊號線DTL與寫入訊號用掃描線WSL所交叉之部位相異之部位，而且，在訊號線DTL利用第2配線10B而被形成之部位，橫切訊號線DTL，以接續這些第1以及第2接點之方式利用第1配線10A而被形成。此外，該配線圖案BP被接續於驅動電晶體Tr2之閘極，且分配至寫入訊號WS之傳送路。又，本實施型態中，以接續將寫入電晶體Tr1挾於中間並分別與寫入電晶體Tr1之閘極相對應之第1以及第2接點之方式，形成該第1配線10A之配線圖案。
(1-3)修復處理(圖14～圖21)
本實施型態中，在影像顯示裝置1之製造工程，利用缺陷檢出處理檢出配線圖案間之短路處，於後續之修復處理將被檢出之短路處加以修復。製造工程中，因應被檢出之短路事故之部位而實行修復處理。
亦即，在不與其他配線圖案層積之處有短路事故被檢出之場合，將短路之部位利用雷射光束照射加以修整，修復短路處。具體而言，例如圖14利用圖號A所示，寫入訊號用掃描線WSL與電源用掃描線DSL，在與訊號線DTL交叉之部位以外短路之場合，將掃描線WSL以及DSL間利用雷射光束照射加以修整，修復短路處。
相對於此，如圖14以圖號B所示，在與訊號線DTL交叉之部位之，與分流用配線圖案BP相反側之部位，寫入訊號用掃描線WSL與電源用掃描線DSL發生短路之場合，如圖15所示，利用切口SL將訊號線DTL以及掃描線WSL之發生短路之部位，從電源用掃描線DSL切離，修復短路處。亦即，於短路事故發生之側之切口SL，從兩端之開口在短路事故發生之側利用雷射修整分別切斷掃描線DSL之配線圖案，藉此修復短路處。又，於該圖15以及以下之圖，斟酌情況地，以虛線表示雷射修整之中心線。
此外，如圖14以圖號C顯示，在訊號線DTL與電源用掃描線DSL所交叉之部位，訊號線DTL與電源用掃描線DSL發生短路之場合，如圖16所示，針對圖15與上述同樣地，藉由利用切口SL之雷射修整以修復短路處。
圖17之接續圖，係將該等圖號A～C所示之短路事故等價地顯示出來。在如圖號A、B所示之寫入訊號用掃描線WSL與電源用掃描線DSL出現短路處時，在這些掃描線DSL以及WSL相關之各線造成正常影像顯示有困難，且觀察橫斷線之缺陷。此外，當圖號所示之類的掃描線DSL與電源用掃描線DSL出現短路處時，視為垂直方向之明線或者黑線以觀察缺陷。
相對於此，如圖18以圖號D所示，由於第2配線10B之不良，在分流用配線圖案BP側發生訊號線DTL以及寫入訊號用掃描線WSL短路之場合，如圖19所示，在短路事故發生處之兩側，第1以及第2接點之內側，將掃描線WSL之配線圖案利用雷射修整予以切斷，藉此修復短路處。
此外，如圖18以圖號E所示，由於第1配線10A之缺陷，訊號線DTL以及寫入訊號用掃描線WSL短路之場合，藉由與圖19相對比而如圖20所示，在短路之部位，同時，在短路事故發生處之兩側，第1以及第2接點之內側，將掃描線WSL之配線圖案利用雷射修整予以切斷，藉此修復短路處。
圖21所示之接續圖，係將該等圖號D、E所示之短路事故等價地顯示出來。該場合，於短路事故發生之畫素電路5，變成掃描線WSL與訊號線DTL利用指定阻抗被常時接續，將該畫素視為缺陷加以觀察。
(2)實施型態之動作(圖1～圖22)
本實施型態之影像顯示裝置1中，於訊號線驅動電路3，在依序被輸入之影像資料D1被分配至顯示部2之訊號線DTL之後(圖2、圖3)，進行數位/類比變換處理。藉此，每一訊號線DTL形成指示被接續於訊號線DTL之各畫素之灰階之灰階電壓Vin。此外，藉由掃描線驅動電路4所構成之顯示部之驅動，於構成顯示部2之各畫素電路5依照例如線順序設定該灰階電壓Vin。藉由因應該灰階電壓Vin之驅動電晶體Tr2所構成之驅動分別讓有機EL元件8發光(圖4)。藉此，影像顯示裝置1中，能夠將因應影像資料D1之影像在顯示部2顯示。
更具體而言，於畫素電路5，係利用源極跟隨器(source follower)電路構成之驅動電晶體Tr2以電流驅動有機EL元件8。此外，於該驅動電晶體Tr2之閘極、源極間所設置之保持電容Cs之閘極側端之電壓會被設定在因應灰階電壓Vin之電壓Vsig。藉此，利用因應影像資料D1之發光亮度讓有機EL元件8發光以顯示所期待之影像。
然而，這些被適用於畫素電路5之驅動電晶體Tr2，其缺點在於閾值電壓Vth之偏差較大。因此，單是將保持電容Cs之閘極側端電壓設定於因應灰階電壓Vin之電壓Vsig，藉由驅動電晶體Tr2之閾值電壓Vth之偏差還是會導致有機EL元件8之發光亮度偏差，畫質劣化。
於此，本實施型態之影像顯示裝置1，係於事前，利用驅動訊號DS以及寫入訊號WS所構成之驅動電晶體Tr2之控制，將保持電容Cs之端子間電壓設定於驅動電晶體Tr2之閾值電壓Vth(圖4～圖7)。之後，影像顯示裝置1，將保持電容Cs之端子電壓設定於灰階設定用電壓Vsig(Vin+Vo)(圖11)。藉此，就能防止驅動電晶體Tr2之閾值電壓Vth偏差導致之畫質劣化。此外，能夠藉由一定時間之間，將電源供給至驅動電晶體Tr2之狀態下，將驅動電晶體Tr2之閘極電壓保持於灰階設定用電壓Vsig，防止驅動電晶體Tr2之移動度之偏差所導致之畫質劣化。
藉此，影像顯示裝置1，就必要在設定例如依照線順序之各畫素電路5之灰階時，利用寫入訊號WS將寫入電晶體Tr1精確度良好地ON/OFF控制。此外，因為有機EL元件8之驅動電流是透過電源用掃描線DSL而被供給，所以有必要充分地縮小該掃描線DSL之電壓降下。藉此，影像顯示裝置1中，必要充分地縮小掃描線DSL、WSL之阻抗。此外，即使針對訊號線DTL，也必要充分地縮小阻抗。
本實施型態中，利用將層間絕緣膜等挾在中間之第1配線10A、中間配線10C以及第2配線10B之層積構造，形成畫素電路5(圖1)。此外，藉由在該等第1配線10A、中間配線10C以及第2配線10B之中，第2配線10B之電阻值為最低的，讓寫入訊號WS之掃描線WSL、電源用掃描線DSL藉第2配線10B以形成。此外，電源用掃描線DSL是比寫入訊號WS之掃描線WSL還要廣泛地被形成。藉此，能夠針對掃描線WSL、電源用掃描線DSL，充分地減低阻抗。
此外，訊號線DTL，唯有與掃描線DSL、掃描線WSL交叉之部位，作成利用第1配線10A予以配線，與掃描線DSL、掃描線WSL不交叉之部位則利用第2配線10B形成。再者，訊號線DTL，係將與掃描線WSL交叉之部位挾在中間，設置接續第1配線10A以及第2配線10B之接點。藉此，即使針對訊號線DTL，也能夠充分地減低阻抗。
於此，影像顯示裝置1，必要依據高解像度化而高密度地配置畫素電路5。結果，在依據高解像度化而被設在同一層之配線圖案間，就變得容易發生短路事故。亦即，於掃描線WSL以及DSL間(圖14，圖號A、B)、掃描線WSL與訊號線DTL之第2配線10B之間(圖14，圖號C)、掃描線DSL與訊號線DTL之第2配線10B之間(圖17，圖號D)會有發生短路事故之虞。此外，在訊號線DTL之第1配線10A與寫入電晶體Tr1之閘極線之間(圖17，圖號E)，也有發生短路事故之虞。
特別是，如本實施型態，將訊號線DTL藉第1配線10A與第2配線10B以配線之場合，第1配線10A之長度盡可能地愈短，愈能夠降低訊號線DTL之阻抗。從而，在以降低訊號線DTL之阻抗為目的，而縮短第1配線10A之長度時，第2配線10B之訊號線DTL與掃描線DSL、掃描線WSL之間隔會變短，易於發生短路事故。
該影像顯示裝置1，係藉採用雷射光束之修整以修復短路處。如圖14以圖號A所示，未被層積配線圖案之處的短路事故，係能夠單單利用雷射修整以切斷發生短路之處而修復短路處。
然而，針對被層積配線圖案之部位，利用雷射修整甚至切斷到其他配線圖案，該場合，要修復短路處就變得困難。圖22係顯示對於短路處之修復處理而尚未下任何工夫之場合之畫素電路15之構成。該畫素電路15，係形成未設切口SL之電源用掃描線DSL。此外，以從寫入訊號用掃描線WSL單純延長之方式設置驅動電晶體Tr2之閘極線。
該圖22之例中，如對應於圖14以及圖15所附之圖號而以圖號b～e所示，針對與訊號線DTL交叉之部位之掃描線WSL以及DSL間之短路處(圖號b)、掃描線DSL與訊號線DTL之第2配線10B間之短路處(圖號c)、掃描線WSL與訊號線DTL之第2配線10B間之短路處(圖號d)、訊號線DTL之第1配線10A與寫入電晶體Tr1之閘極線間之短路處(圖號e)，要利用雷射修整以修復短路處變得較為困難。
對此，本實施型態之影像顯示裝置1中，針對電源用掃描線DSL，於交叉訊號線DTL之部位，設置橫切訊號線DTL之形狀的切口SL(圖1)，藉著利用該切口SL之雷射修整，發生短路事故之部位會被切離掃描線DSL以修復短路處(圖15以及圖16)。藉此，訊號線DTL以及掃描線DSL交叉之場合，即使在交叉之部位發生短路事故之場合，也能夠修復該短路處並使收益率提升。
然而，該設置切口之手法，針對訊號線DTL之第1配線10A與寫入電晶體Tr1之閘極線間之短路處(圖18、圖號E)，就無法適用。此外，能夠針對掃描線WSL與訊號線DTL之第2配線10B間之短路處(圖18、圖號D)加以適用，但必要廣泛地形成掃描線WSL之圖案寬幅。結果，要於電源用掃描線DSL分配充分的圖案寬幅較為困難，充分地降低電源用掃描線DSL之阻抗就變得較為困難。又，無法充分地降低電源用掃描線DSL之阻抗之場合，會因遠離掃描線驅動電路4而隨之驅動電晶體Tr2之汲極電壓降低，讓陰影發生。此外，在使寫入訊號用掃描線WSL之圖案寬幅增大時，會有串擾增大，這也會造成畫質劣化之虞。
本實施型態，係從訊號線DTL與寫入訊號用掃描線WSL所交叉之部位，在以雷射修整僅隔著足夠的距離之與掃描線驅動電路4側以及掃描線驅動電路4相反側之掃描線WSL之部位，分別設置第1以及第2接點，利用第1配線10A形成接續該第1以及第2接點之分流用配線圖案BP。
此外，針對掃描線WSL與訊號線DTL之第2配線10B之間之短路處(圖19)、訊號線DTL之第1配線10A與寫入電晶體Tr1之閘極線之間之短路處(圖20)，以僅僅利用該分流用配線圖案BP傳送寫入訊號WS之方式，讓第1接點與訊號線DTL與寫入訊號用掃描線WSL所交叉之部位之間、第2接點與訊號線DTL與寫入訊號用掃描線WSL所交叉之部位之間，利用雷射修整而被切斷。藉此，影像顯示裝置1，於訊號線DTL以及掃描線WSL交叉之場合，即使在該交叉之部位發生短路事故之場合，也能夠修復該短路處並使收益率提升。
又，在圖19以及圖20之對比下如圖23所示，根據本實施型態，包含訊號線DTL之第1配線10A並使第1以及第2接點短路，在該類之大規模的短路事故發生之場合，也能夠修復其短路處。此外，如圖24所示，於掃描線WSL之正下方並未短路之場合，也可能利用雷射修整分流用配線圖案側以修復短路處。
再者，本實施型態中，藉由該分流用配線圖案BP被設定成兼用寫入電晶體Tr1之閘極線，能夠簡略化畫素電路5之配置。
此外，因為透過利用2個接點被接續於掃描線WSL之分流用配線圖案，讓寫入電晶體Tr1之閘極被接續於掃描線WSL，所以即使在接點形成工程不良導致任何一方接點變成導通不良之場合，也能夠透過另一方接點將寫入訊號WS供給至寫入電晶體Tr1。從而，比以前更能夠使影像顯示裝置1之信賴性提升。
(3)實施型態之效果
以上，只有與掃描線交叉之部位利用與掃描線相異之配線圖案層形成訊號線，同時，除了與掃描線交叉之部位以外，利用與掃描線同一配線圖案層形成訊號線之場合，因為作成設置分流該交叉部位之配線圖案，所以能夠修復在該交叉部位所發生之配線圖案間之短路處。
此外，藉由透過該分流用配線圖案使寫入電晶體之閘極接續於掃描線，能夠簡略化畫素電路之配置，進而提升影像顯示裝置之信賴性。
〈2.第2實施型態〉
圖25，係顯示依照與圖1之對比而被適用於本發明第2實施型態之影像顯示裝置之顯示部之配置圖。本實施型態之影像顯示裝置，除了圖25所示之配置不同之點以外，具有與第1實施型態之影像顯示裝置1同一構成。以下之說明，係斟酌情況地沿用第1實施型態之影像顯示裝置之各部圖號並加以說明。
本實施型態之影像顯示裝置，係在從掃描線驅動電路4所見到的第奇數項畫素電路50、與接著的第偶數項畫素電路5E，讓訊號線DTL被配置成相向。亦即，於顯示部22，第奇數項之畫素電路50，係沿著左端配置訊號線DTL。此外，第偶數項之畫素電路5E，則沿著右端配置訊號線DTL。藉此，顯示部22，係於鄰接之畫素電路5E以及50，讓訊號線DTL以接近並相對向之方式被配置。
本實施型態，對於訊號線DTL，藉由對稱地形成第奇數項畫素電路50與第偶數項畫素電路5E，於鄰接之畫素電路5E以及畫素電路50，讓訊號線DTL配置成接近並相對向。
顯示部22，係於該接近被配置之訊號線DTL，共通地配置分流用配線圖案。亦即，顯示部22，係以雷射修整隔開足夠的間隔，並從被配置接近之訊號線DTL分別與掃描線WSL交叉之部位到與掃描線驅動電路4側以及掃描線驅動電路4相反側，設置第1以及第2接點。顯示部22，係讓接續第1以及第2接點部之分流用配線圖案，以將該相對向之2個訊號線DTL之下層集中起來並橫切之方式，利用第1配線10A形成。利用該分流用配線圖案，將寫入訊號WS供給至鄰接之畫素電路之各寫入電晶體Tr1。
依照與圖19以及圖20之對比如圖26以及圖27所示，本實施型態之影像顯示裝置，即使於第1配線10A以及第2配線10B，分別在掃描線以及訊號線間發生短路事故之場合，也能夠確實地修復短路處。此外，如圖28所示，即使在第1以及第2接點之任何一方之接點變成導通不良之場合，也能夠透過另一方接點將寫入訊號WS供給至寫入電晶體Tr1，比以前更能夠使影像顯示裝置1之信賴性提升。
根據本實施型態，藉由在鄰接之畫素電路讓掃描線配置成接近並相對向，且共通化分流用配線圖案，能夠作成比第1實施型態之構成還要進一步簡易的構成，而且，能夠得到與第1實施型態同樣的效果。
此外，對於掃描線，藉由將第奇數項畫素電路與第偶數項畫素電路對稱地形成，藉此在鄰接之畫素電路讓掃描線配置成接近並相對向，就能夠單單利用遮罩之反射以配置各畫素電路。藉此，能夠簡易地構成影像顯示裝置，利用比第1實施型態之構成還要進一步簡易的構成，就得到與第1實施型態同樣的效果。
〈3.第3實施型態〉
圖29，係顯示依照與圖1之對比而被適用於本發明第3實施型態之影像顯示裝置之顯示部之配置圖。本實施型態之影像顯示裝置，除了圖29所示之配置不同之點以外，具有與第1實施型態之影像顯示裝置1同一構成。
被適用於本實施型態之畫素電路25中，寫入電晶體Tr1被配置於訊號線DTL之第2配線10B之下。更具體而言，使圖1之畫素電路5之寫入電晶體Tr1朝反時鐘方向90度旋轉，配置於訊號線DTL之第2配線10B之下。依照該驅動電晶體Tr2之配置的變更，使該畫素電路25修正保持電容CS等之形狀。
本實施型態之影像顯示裝置，係能夠有效地利用將訊號線DTL之一部份利用第2配線10B形成之構成，且利用第2配線10B之訊號線DTL以將往寫入電晶體Tr1之入射光遮光。又，利用該訊號線DTL被遮光之光，係被設在該畫素電路之有機EL元件8之光、被設在鄰接之畫素電路之有機EL元件8之光等等。藉此，本實施型態，係能夠防止外來光入射造成之寫入電晶體Tr1之特性變動，且防止該特性變動會造成之各種異常。此外，能夠利用該訊號線DTL遮擋寫入電晶體Tr1，減低背通道(back channel)之漏電流。
根據本實施型態，能夠利用將驅動電晶體配置於訊號線之下，防止外來光入射造成之驅動電晶體之特性變動等，並得到與上述之第1實施型態同樣的效果。
〈4.第4實施型態〉
圖30，係顯示依照與圖25之對比而被適用於本發明第4實施型態之影像顯示裝置之顯示部之配置圖。本實施型態之影像顯示裝置，依照與圖1之對比而針對圖29，與上述同樣地，除了寫入電晶體Tr1被配置於訊號線DTL之第2配線10B之下之點以外，具有與第2實施型態之影像顯示裝置1同一構成。
根據本實施型態，在將畫素電路對稱形狀地配置並兼用分流用配線圖案之構成，即使作成將驅動電晶體配置於訊號線之下以防止外來光入射造成之驅動電晶體之特性變動等，也能夠得到與上述之第2、第3實施型態同樣的效果。
〈5.第5實施型態〉
上述之實施型態，係針對於訊號線與電源用以及寫入訊號用之掃描線交叉之部位，將訊號線配置於下層側之場合加以敘述，但是本發明並不侷限於此，作成將掃描線側配置於訊號線之下層亦可。
此外，上述之實施型態，係針對藉由第2配線10B之電阻值比第1配線10A還要低，優先地使用第2配線10B以配置訊號線以及掃描線之場合加以敘述，但是本發明並不限於此，在例如第1配線10A之電阻值比第2配線10B還要低之場合，作成優先地使用第1配線10A以配置訊號線以及掃描線亦可，能夠也廣泛地適用於該場合。
此外，第2實施型態以及第4實施型態，係針對對稱地形成第奇數項畫素電路與第偶數項畫素電路之場合加以敘述，但是本發明並不限於此，亦可將構成彩色影像之1畫素之紅色、綠色、藍色等副畫素作為單位，並將該副畫素選擇性地作成對稱形狀。又，該場合，可以考慮在例如分別構成紅色、綠色、藍色等副畫素之畫素電路之中，將紅色之畫素電路與綠色或藍色之畫素電路作成對稱形狀之場合，將綠色之畫素電路與紅色或藍色之畫素電路作成對稱形狀之場合，將紅色或綠色之畫素電路與藍色之畫素電路作成對稱形狀之場合。
〈6.第6實施型態〉
第6實施型態，係如上述，將構成彩色影像之1畫素之紅色、綠色、藍色等副畫素作為單位，並將該副畫素選擇性地作成對稱形狀之例子。又，在此，係將G(綠色)畫素電路設為第1畫素電路、(藍色)畫素電路為第2畫素電路、R(紅色)畫素電路為第3畫素電路，並以該順序被並列配置之單元(組)作為例子。此外，於該單元，將第2畫素電路之B畫素電路與第3畫素電路之R畫素電路成為對稱形狀之例子加以說明。
圖31，係顯示本實施型態之成為比較例之畫素電路之圖案配置圖。考慮配置效率與缺陷修正性，TFT膜係將RGB間畫素間距作成非對稱。
圖31所示之配置，係以對於R畫素而言，G畫素之圖案面積較小而B畫素之圖案面積較大之場合為例子。此外，藉由RGB之畫素電路之中使B畫素電路之配置相對RG畫素電路左右反轉，以構成圖案密度在RGB大致相等之配置。
於B、R各個畫素，在訊號線DTL與掃描線WSL短路時用以修正之分流用配線圖案BP是利用第1金屬配線所形成(參照圖25～圖28)。
亦即，橫切B、R畫素電路之訊號線DTL-R、DTL-B之配線圖案，設置將B、R畫素電路之訊號線DTL與掃描線WSL所交叉之部位集中起來加以分流之分流用配線圖案BP。
此外，G畫素電路中，並不設置於B、R畫素電路被設置之分流用配線圖案BP。
圖32係顯示在比較例之畫素電路之數段份之計時圖。在此，用以WS正偏流(bias)以及閾值補正準備之脈衝為3回、與用以閾值補正之脈衝為2回，總計執行5回掃描線WSL之切換。
此時，某訊號線DTL係同時發生由5條份之掃描線切換所造成之電容耦合。該回數係依存於保證之畫質或驅動頻率等等，隨條件之不同也可能有執行總計40回之切換之情形。
此外，圖32顯示RGB各自的訊號線DTL-R、DTL-G、DTL-B之計時圖，訊號線DTL-R以及DTL-B，訊號線DTL-R以及DTL-B與掃描線WSL之寄生電容會相對於DTL-G變得較大。這是因為，如圖31所示之圖案配置，B、R畫素電路係於掃描線WSL設置分流用配線圖案BP，且在訊號線DTL-B、DTL-R與分流用配線圖案BP之交叉部分發生寄生電容的緣故。因此，掃描線WSL之電位變動所造成之電容耦合，相對於DTL-G而言，DTL-R、DTL-B會變得較大，且在閾值補正準備期間或閾值補正期間於偏離電位會產生雜訊。
這就變成電位的切換回數愈多就變得愈大，特別是在閾值補正期間內並未收束到映像訊號基準電位Vo之場合，不論是否輸入同一映像訊號，於R畫素、B畫素、G畫素之間都會產生亮度誤差之原因。
圖33係顯示本實施型態之畫素電路之圖案配置圖。考慮配置效率與缺陷修正性，TFT膜係將RGB間畫素間距作成非對稱。
圖33所示之配置，係以對於畫素R而言，G畫素之圖案面積較小而B畫素之圖案面積較大之場合為例子。此外，藉由RGB之畫素電路之中使B畫素電路之配置相對RG畫素電路左右反轉，以構成圖案密度在RGB大致相等之配置。
於B、R各個畫素，在訊號線DTL與掃描線WSL短路時用以修正之分流用配線圖案BP是利用第1金屬配線所形成(參照圖25～圖28)。
亦即，橫切B、R畫素電路之訊號線DTL-R、DTL-B之配線圖案，設置用以將B、R畫素電路之訊號線DTL與掃描線WSL所交叉之部位集中起來加以分流之配線圖案BP。
此外，G畫素電路，係將被設置於B、R畫素電路之分流用配線圖案BP，取而代之以設置模擬配線圖案FP。
該模擬配線圖案FP，係與掃描線WSL導通之配線圖案，在跟掃描線WSL與訊號線DTL-G之交叉部位相異之部位將訊號線DTL-G之配線圖案在上層或者下層橫切。
藉由設置此類之模擬圖案FP，G畫素電路，會於模擬圖案FP與訊號線DTL-G之間發生寄生電容。一方面，B、R畫素電路係在分流用配線圖案BP與訊號線DTL-B、DTL-R之間發生寄生電容。換言之，變成在RGB全部的畫素電路同樣發生寄生電容。
圖34係顯示本實施型態之圖案配置之計時圖。本實施型態中，藉由掃描線WSL之電位變動所造成之電容耦合量變成相等，於各自之映像訊號基準電位Vo產生同一雜訊，就能防止亮度誤差。
本實施型態中，於2Tr1C畫素電路，藉由在B、R畫素電路設置分流用配線圖案BP，在G畫素電路設置模擬配線圖案FP，使掃描線WSL與訊號線DTL之間被形成之寄生電容對於各訊號線變成均一因此，可能減低掃描線WSL之電位變動所造成之電容耦合量在各畫素間之差異，且防止亮度誤差。
又，於圖33所示之本實施型態之配置圖案，作成將設於G畫素電路之模擬配線圖案FP，取而代之以設置將掃描線WSL與訊號線DTL-G之交叉部加以分流之分流用配線圖案亦可。
上述之實施型態，係針對由圖3上述之畫素電路構成影像顯示裝置之場合加以敘述，但是本發明並不限於此，而能夠廣泛適用於由種種畫素電路構成影像顯示裝置之場合。
具體而言，例如，在上述之實施型態，係針對依照驅動電晶體之汲極電壓的落下，下降保持電容之有機EL元件側端電壓，藉此將保持電容之端子間電壓設定於驅動電晶體之閾值電壓以上之電壓之場合加以敘述，但是本發明並不限於此，而能夠也廣泛地適用於例如別的途徑，透過開關電晶體將保持電容之有機EL元件側端接續於指定之固定電壓，藉此將保持電容之端子間電壓設定於驅動電晶體之閾值電壓以上之電壓之場合等。
具體而言，例如，在上述之實施型態，係針對依照驅動電晶體之汲極電壓的落下，下降保持電容之有機EL元件側端電壓，藉此將保持電容之端子間電壓設定於驅動電晶體之閾值電壓以上之電壓之場合加以敘述，但是本發明並不限於此，而能夠也廣泛地適用於例如別的途徑，透過開關電晶體將保持電容之有機EL元件側端接續於指定之固定電壓，藉此將保持電容之端子間電壓設定於驅動電晶體之閾值電壓以上之電壓之場合等。
此外，上述之實施型態，係針對將本發明適用於有機EL元件所構成之自發光元件之影像顯示裝置之場合加以敘述，但是本發明並不限於此，而能夠廣泛適用於由各種自發光元件所構成之影像顯示裝置，甚至是液晶等所構成之影像顯示裝置。
[產業上利用可能性]
本發明係能夠適用於例如有機EL元件所構成之主動矩陣型之影像顯示裝置。
1．．．影像顯示裝置
2．．．顯示部
3．．．訊號線驅動電路
3A．．．水平選擇器(HSEL)
4．．．掃描線驅動電路
4A．．．寫入掃描電路(WSCN)
4B．．．驅動掃描電路(DSCN)
5．．．畫素電路(PXCL)
8．．．有機EL元件
Cel．．．電容
CK．．．時脈
Cs．．．保持電容
DS．．．驅動訊號DS
DSL．．．電源用掃描線
DTL．．．訊號線
SP．．．抽樣脈衝
Ssig．．．驅動訊號
Tr1．．．寫入電晶體
Tr2．．．驅動電晶體
Vgs．．．閘極‧源極間電壓
Vin．．．灰階電壓
Vss．．．負極電源
VccH．．．電源電壓
VccL．．．固定電壓
Vo．．．補正用電壓
WS．．．寫入訊號
WSL．．．寫入訊號用掃描線
圖1係顯示關於本發明第1實施型態之被適用於影像顯示裝置之畫素電路配置平面圖。
圖2係顯示影像顯示裝置的構成之方塊圖。
圖3係詳細地顯示畫素電路的構成之接續圖。
圖4係依據與圖3之對比顯示圖2之顯示部之接續圖。
圖5係供說明圖3之畫素電路的動作之計時圖。
圖6同樣是接續圖。
圖7係用以說明圖6後續之接續圖。
圖8係用以說明圖7後續之接續圖。
圖9係用以說明圖8後續之接續圖。
圖10係用以說明圖9後續之接續圖。
圖11係用以說明圖10後續之接續圖。
圖12係用以說明圖11後續之接續圖。
圖13係用以說明圖12後續之接續圖。
圖14係顯示短路處所之平面圖。
圖15係用以說明採用切口之修復處理之平面圖。
圖16係用以說明採用依照不同於圖15的例子之切口之修復處理之平面圖。
圖17係等價地顯示短路處所之接續圖。
圖18係用以說明訊號線與寫入訊號用之掃描線之間之短路處所之平面圖。
圖19係用以說明圖18之短路處所修復之平面圖。
圖20係用以說明依照不同於圖19的例子之短路處所修復之平面圖。
圖21係等價地顯示短路事故之接續圖。
圖22係顯示不對短路事故花工夫作任何設計之場合下畫素電路配置之平面圖。
圖23係用以說明依照不同於圖19及圖20的例子之短路處所修復之平面圖。
圖24係用以說明依照不同於圖19、圖20及圖23的例子之短路處所修復之平面圖。
圖25係顯示關於本發明第2實施型態之被適用於影像顯示裝置之畫素電路配置之平面圖。
圖26係用以說明圖25之畫素電路修復處理之平面圖。
圖27係用以說明不同於圖26之例子之修復處理之平面圖。
圖28係用以說明接觸不良之平面圖。
圖29係顯示關於本發明第3實施型態之被適用於影像顯示裝置之畫素電路配置之平面圖。
圖30係顯示關於本發明第4實施型態之被適用於影像顯示裝置之畫素電路配置平面圖。
圖31係圖示作為相對於本發明第5實施型態之比較例之畫素電路圖案配置。
圖32係在比較例之畫素電路之數段份之計時圖。
圖33係關於本發明第6實施型態之畫素電路圖案配置之說明圖。
圖34係第6實施型態之圖案配置之計時圖。
5．．．畫素電路(PXCL)
10A．．．第1配線
10B．．．第2配線
10C．．．中間配線
11．．．接點
12．．．陽極用接點
Cs．．．保持電容
DSL．．．電源用掃描線
DTL．．．訊號線
Tr1．．．寫入電晶體
Tr2．．．驅動電晶體
WSL．．．寫入訊號用掃描線
SL．．．切口
BP．．．配線圖案

Claims (8)

  1. 一種影像顯示裝置，係藉由將畫素電路配置為矩陣狀而被形成之顯示部顯示影像之影像顯示裝置，其特徵係：前述顯示部之掃描線或訊號線，除了前述訊號線或掃描線與配線圖案交叉之部位以外，在與前述訊號線或掃描線之配線圖案同一層形成配線圖案，而在前述交叉之部位，在與前述訊號線或掃描線之配線圖案不同之層形成配線圖案，於前述掃描線，在與前述交叉之部位相異之部位將前述訊號線之配線圖案在上層或者下層橫切，並設置分流前述交叉的部位之分流用配線圖案；於前述畫素電路，被設置藉由前述訊號線之電壓設定灰階之寫入電晶體，藉由前述分流用配線圖案使前述寫入電晶體之閘極被接續於前述掃描線。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之影像顯示裝置，其中在鄰接之1組前述畫素電路，係以前述訊號線之配線圖案接近並相對向地被配置，前述分流用之配線圖案，是將前述1組畫素電路之前述訊號線之配線圖案橫切，將前述1組畫素電路之前述交 叉部位集中並分流之配線圖案。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之影像顯示裝置，其中前述1組畫素電路，對於前述訊號線之配線圖案被形成為對稱形狀。
  4. 如申請專利範圍第1項記載之影像顯示裝置，其中前述寫入電晶體係被配置於前述訊號線之配線圖案之下。
  5. 如申請專利範圍第2項記載之影像顯示裝置，其中前述畫素電路，係具有自發光元件、藉由電源用掃描線所供給之電源以驅動前述自發光元件之驅動電晶體、保持前述驅動電晶體之閘極．源極間電壓之保持電容；前述寫入電晶體，為藉由前述訊號線之電壓而設定前述保持電容之端子電壓之電晶體；在根據前述掃描線及訊號線之控制將前述保持電容之端子間電壓設定於前述驅動電晶體之閾值電壓後，將前述保持電容之端子電壓藉由前述寫入電晶體設定成前述訊號線之電壓並設定前述自發光元件之發光亮度。
  6. 如申請專利範圍第4項記載之影像顯示裝置，其 中前述畫素電路係具有自發光元件、藉由電源用掃描線所供給之電源以驅動前述自發光元件之驅動電晶體、保持前述驅動電晶體之閘極．源極間電壓之保持電容；前述寫入電晶體，為依據前述訊號線之電壓而設定前述保持電容之端子電壓之電晶體；在根據前述掃描線以及訊號線之控制將前述保持電容之端子間電壓設定於前述驅動電晶體之閾值電壓之後，將前述保持電容之端子電壓利用前述寫入電晶體設定成前述訊號線之電壓並設定前述自發光元件之發光亮度。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之影像顯示裝置，其中對於在複數之前述畫素電路被依序並列配置第1、第2、第3畫素電路之組，在鄰接之第2、第3畫素電路，前述訊號線之配線圖案為接近並相對向之方式被配置，前述分流用配線圖案，為橫切前述第2、第3畫素電路之前述訊號線之配線圖案，將前述第2、第3畫素電路之前述交叉部位集中並分流之配線圖案；在第1畫素電路，取代前述分流用配線圖案，而係與前述掃描線導通之配線圖案，且在前述掃描線與前述交叉之部位相異之部位將前述訊號線之配線圖案在上層或者下層橫切之模擬配線圖案。
  8. 一種短路事故之修復方法，係藉由將畫素電路配置為矩陣狀而形成之顯示部來顯示影像之影像顯示裝置之短路事故之修復方法，其特徵係：前述顯示部之掃描線或者訊號線，除了與前述訊號線或掃描線交叉之部位以外，藉由與前述訊號線或者掃描線之配線圖案同一層之配線來形成配線圖案，而在前述交叉之部位，藉由與前述訊號線或掃描線之配線圖案不同層之配線來形成配線圖案，於前述掃描線，在與前述交叉之部位相異之部位將前述訊號線之上層或者下層橫切，設置分流前述交叉部位之分流用配線圖案，於前述畫素電路，被設置藉由前述訊號線之電壓設定灰階之寫入電晶體，藉由前述分流用配線圖案使前述寫入電晶體之閘極被接續於前述掃描線；前述短路事故之修復方法，是藉由前述掃描線之切斷，將前述交叉之部位與前述分流用配線圖案切離，而修復前述訊號線以及掃描線間之短路處。
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