CN101405784A - El显示装置 - Google Patents

El显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101405784A
CN101405784A CN200780010083.0A CN200780010083A CN101405784A CN 101405784 A CN101405784 A CN 101405784A CN 200780010083 A CN200780010083 A CN 200780010083A CN 101405784 A CN101405784 A CN 101405784A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power lead
display device
pass line
wiring layer
described power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN200780010083.0A
Other languages
English (en)
Inventor
岸宣孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN101405784A publication Critical patent/CN101405784A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]

Abstract

电源线1与扫描线3配置在不同的布线层中，使其互相正交。旁路线111配置在与扫描线3同一布线层中、在从电源线1的平面位置除去扫描线3的平面位置的部分中的至少一部分上。触点121、122将电源线1与旁路线111电连接。通过这样将旁路线111与电源线1并联连接，能够减小电源线1的电阻，抑制显示画面的亮度不均。为设置旁路线111不需要新的制造工序，即使设置旁路线111也不降低开口率。如果使旁路线111比电源线1要粗，则能够防止因从外部进入的光而使像素电路误动作。

Description

EL显示装置
技术领域
本发明涉及电致发光显示装置，特别涉及将包含电致发光元件与薄膜晶体管的像素电路进行二维配置的有源矩阵型的电致发光显示装置。
背景技术
近年来，作为主动发光型的显示装置，使用电致发光(ElectroLuminescence：以下，称为EL)元件的EL显示装置正引人注目。另外，也开发了将包含EL元件与薄膜晶体管(Thin Film Transistor：以下，称为TFT)的像素电路进行二维配置的有源矩阵型的EL显示装置。
一种EL元件即有机EL元件，具有将由有机物质构成的发光层用阳极与阴极夹住的层状结构。有机EL元件中，若在阳极与阴极之间施加电压，则从阳极向发光层注入空穴，从阴极向发光层注入电子。注入的空穴与电子在发光层中复合，生成激子，生成的激子湮灭时将发光。从而有机EL元件发光。
在有源矩阵型的EL显示装置中，EL元件以与从同一像素电路内的驱动用TFT供给驱动电流相对应的亮度发光。由于夹住发光层的两块电极的一方是用透明材料构成，因此从发光层发出的光透过透明电极，向EL显示装置的外部发出。由此，有源矩阵型的EL显示装置进行平面发光，显示画面。
在有源矩阵型的EL显示装置中，为了使EL元件发光，必须使用电源线向像素电路供给电流。例如，在图2所示的像素电路(具有被称为2TFT+1C结构的一般的像素电路)中，将数据线2的信号电位通过第1TFT31(起到作为开关的功能)提供给第2TFT32(起到作为驱动用TFT的功能)的栅极端子，进行将与第2TFT32的电导相对应的电流供给EL元件10的恒流驱动。但是，一般来说，若电流流过具有电阻分量的布线，则产生电压降。因此，在有源矩阵型的EL显示装置中，配置在端部的像素电路与配置在中心部的像素电路中所供给的电源电压产生差别，有时在显示画面上产生亮度不均。
具体来说，如果考虑沟道长度调制效应，则流过驱动用TFT的电流Id用下式(1)给出。
Id＝(1/2)μCox(W/L)(Vgs-Vth)2(1-λVds)…(1)
这里，在上式(1)中，μ为迁移率，Cos为栅极氧化膜电容，W/L为长宽比，Vgs为栅-源间电压，Vth为阈值电压，λ为沟道长度调制系数，Vds为漏-源间电压。
若因电源线中产生的电压降而使源极电位变化，栅-源间电压Vgs及漏-源间电压Vds变化，则如上式(1)所示，从驱动用TFT供给EL元件的电流Id产生变化，与此相应EL元件的亮度也变化。因此，显示画面上产生亮度不均。
为了防止该亮度不均，只要减小电源线的电阻，使电源线电位为一定即可。若减小电源线的电阻，则不仅能够防止亮度不均，而且也能够减少电源线中产生的焦耳热及电源线中消耗的功率。
作为减小电源线的电阻的方法，可以考虑加粗电源线的宽度的方法、及加厚布线层的方法。另外，在专利文献1中揭示了一种方法，即如图11所示，除了与数据线DL平行的电源线VL，再设置与扫描线GL平行的旁路电源线BL，使用触点C1将电源线VL与旁路电源线BL电连接，从而将电源线设置成格子状。在专利文献2中揭示了一种方法，即如图12所示，使用触点C2将电源线VL与遮光膜BM(用粗线包围的部分)电连接，从而将遮光膜与电源线并联连接。
专利文献1：日本国特开2001-100654号公报
专利文献2：日本国特开2001-100655号公报
发明内容
但是，上述方法中存在以下所示的问题。在一般常用的底部发光型的EL显示装置中，电源线比发光层设置在透明电极一侧。因此，若加粗电源线的宽度，则开口率变小，光的取出效率变差。另外，若加厚布线层，则由于工艺复杂，必须增大设计余量(例如，加粗最小布线宽度)，因此成本增加，开口率变小。另外，在专利文献1所揭示的方法中，开口率也变小。再有，在专利文献2所揭示的方法中，由于必须有另外设置将电源线与遮光膜进行电连接的触点的工序，因此成本增加。
在EL显示装置中，除了亮度不均以外还有应该解决的问题。由于与电源线一样，信号线也具有电阻分量及电容分量，因此在外部端子与像素电路之间设置的信号线，可以看作为由电阻分量、及与另外层或相邻导体之间形成的寄生电容构成的分布RC电路。因此，若流过信号线的信号的频率增大，则因该分布RC电路而使信号的频率特性恶化。另外，在EL显示装置中，虽然设置遮断从发光层发出的光的遮光膜，但是因从外部进入的光而有可能使TFT误动作。上述的方法中不能解决这些问题。
所以，本发明的目的在于，提供一种不导致成本增加及开口率减少、而减小电源线的电阻及抑制显示画面的亮度不均的EL显示装置。
本发明的第1方面，是一种有源矩阵型的EL显示装置，具备：
在规定的布线层中互相平行配置的多个电源线；
在与前述电源线不同的布线层中互相平行配置、使其与前述电源线正交的多个信号线；
分别包含EL元件及1个以上的薄膜晶体管、沿前述电源线的延伸方向及前述信号线的延伸方向排列配置的多个像素电路；
在与前述信号线同一布线层中、在从前述电源线的平面位置除去前述信号线的平面位置的部分中的至少一部分上配置的旁路线；以及
将前述电源线与前述旁路线进行电连接的触点。
本发明的第2方面，是在本发明的第1方面中，其特征在于，
前述信号线是扫描线。
本发明的第3方面，是在本发明的第1方面中，其特征在于，
前述旁路线利用设置在两端的2个触点与前述电源线进行电连接。
本发明的第4方面，是在本发明的第1方面中，其特征在于，
前述旁路线利用具有近似相同长度的1个触点与前述电源线进行电连接。
本发明的第5方面，是在本发明的第1方面中，其特征在于，
前述旁路线利用设置在几乎整个面的多个触点与前述电源线进行电连接。
本发明的第6方面，是在本发明的第1方面中，其特征在于，
前述旁路线的宽度与前述电源线近似相同。
本发明的第7方面，是在本发明的第1方面中，其特征在于，
前述旁路线的至少一部分的宽度比前述电源线要粗。
本发明的第8方面，是在本发明的第1方面中，其特征在于，还具备：
在与前述电源线同一布线层中、在从前述信号线的平面位置除去前述电源线的平面位置的部分中的至少一部分上配置的信号用旁路线；以及
将前述信号线与前述信号用旁路线进行电连接的信号用触点。
本发明的第9方面，是在本发明的第1方面中，其特征在于，
前述像素电路包含：前述EL元件；以及在前述EL元件与前述电源线之间设置的、控制流过前述EL元件的电流量的驱动用薄膜晶体管。
本发明的第10方面，是在本发明的第9方面中，其特征在于，
前述像素电路还包含：在前述驱动用薄膜晶体管与前述电源线之间设置的、切换前述EL元件中是否流过电流的控制用薄膜晶体管。
根据本发明的第1方面，与电源线电连接的旁路线是在与信号线同一布线层中、在电源线的平面位置上不与信号线交叉而配置的。通过设置这样的旁路线，能够减小电源线的电阻，使得供给像素电路的电源电压相等，抑制显示画面的亮度不均。另外，由于旁路线配置在与信号线同一布线层中电源线的平面位置上，因此为了设置旁路线，而不需要新的制造工序，即使设置旁路线也不降低开口率。因而，能够不导致成本增加及开口率减少而减小电源线的电阻、及抑制显示画面的亮度不均。
根据本发明的第2方面，在使得电源线与扫描线正交而配置的EL显示装置中，能够不导致成本增加及开口率减少而减小电源线的电阻、及抑制显示画面的亮度不均。
根据本发明的第3方面，通过在旁路线的两端设置2个触点，能够容易地将电源线与旁路线进行电连接。
根据本发明的第4方面，通过设置具有与旁路线近似相同长度的1个触点，能够减小触点电阻，进一步减小将电源线与旁路线并联连接的部分的电阻。
根据本发明的第5方面，通过在旁路线的几乎整个面上设置多个触点，能够减小触点电阻，进一步减小将电源线与旁路线并联连接的部分的电阻。另外，通过设置多个尺寸小的触点，与仅设置1个尺寸大的触点的情况相比，还能够减小触点表面的凹凸。
根据本发明的第6方面，通过使旁路线的宽度与电源线近似相同，能够容易地设计像素电路。
根据本发明的第7方面，通过使旁路线的宽度比电源线要粗，进一步减小电源线与旁路线并联连接部分的电阻，同时能够使用旁路线进行遮光。从而，例如能够防止因从外部进入的光而使像素电路误动作。
根据本发明的第8方面，与信号线电连接的信号用旁路线在与电源线同一布线层中、在信号线的平面位置上不与电源线交叉而配置。通过设置这样的信号用旁路线，能够减小信号线的电阻，减小信号线形成的分布RC电路的时间常数，减小流过信号线的信号的延迟，同时能够抑制流过信号线的信号的恶化。另外，由于信号用旁路线配置在与电源线同一布线层中的信号线的平面位置，因此为了设置信号用旁路线而不需要新的制造工序，即使设置信号用旁路线也不降低开口率。因而，能够不导致成本增加及开口率减少而减小信号线的电阻，提高显示质量，同时能够使像素电路高速动作。
根据本发明的第9方面，在具备包含EL元件及驱动用薄膜晶体管的像素电路的EL显示装置中，能够不导致成本增加及开口率减少，而减小电源线的电阻，抑制显示画面的亮度不均。
根据本发明的第10方面，在具备包含EL元件与驱动用薄膜晶体管及控制用薄膜晶体管的像素电路的EL显示装置中，能够不导致成本增加及开口率减少而减小电源线的电阻，抑制显示画面的亮度不均。
附图说明
图1为本发明第1实施形态的EL显示装置的像素的平面图。
图2为图1所示像素的等效电路的电路图。
图3为图1中A-A’线的剖面图。
图4为本发明第2实施形态的EL显示装置的像素的平面图。
图5为本发明第3实施形态的EL显示装置的像素的平面图。
图6为本发明第4实施形态的EL显示装置的像素的平面图。
图7为图6中B-B’线的剖面图。
图8为本发明第5实施形态的EL显示装置的像素的平面图。
图9为本发明第6实施形态的EL显示装置的像素的平面图。
图10为图9所示像素的等效电路的电路图。
图11为以往的EL显示装置(第1例)的像素的平面图。
图12为以往的EL显示装置(第2例)的像素的平面图。
标号说明
1…电源线
2…数据线
3…扫描线
4…控制线
10…EL元件
21…电容
31、32、33…TFT
41…透明电极
100、200、300、400、500、600…像素
111、411、511…旁路线
51、121、122、221、321、521、522…触点
具体实施方式
图1为本发明第1实施形态的EL显示装置的像素的平面图。在图1中，表示本实施形态的EL显示装置中包含的像素的布置。图1所示的像素100(用粗虚线包围的部分)，在进行黑白显示的显示装置中起到作为1个像素的功能，在进行彩色显示的EL显示装置中起到作为与1个颜色相对应的副像素(像点)的功能。本实施形态的EL显示装置是将多个像素100进行二维配置的有源矩阵型的EL显示装置。
如图1所示，本实施形态的EL显示装置具备多个电源线1、多个数据线2、以及多个扫描线3。这些布线配置在上下两层的布线层的某一层。以下，在上下两层的布线层中，将下侧的布线层(接近基板的布线层)称为第1布线层，将上侧的布线层(远离基板的布线层)称为第2布线层。
电源线1在第2布线层中互相平行配置。数据线2与电源线1两者在第2布线层中互相平行配置。电源线1及数据线2的延伸方向是图1中的纵向。扫描线3在第1布线层中互相平行配置。扫描线3的延伸方向是图1中的横向。这样，扫描线3在与电源线1不同的布线层中，使其与电源线1正交而互相平行配置。
再者，在图1及以下所示的像素的平面图中，对第1布线层的布线附加网状线，而第2布线层的布线不用花纹描绘。但是，在第1布线层的布线与第2布线层的布线重叠的部分，是使网状线的一部分透过而描绘的。另外，带点状花纹的矩形区域表示有源层，带对角线的长方形表示触点。在第1布线层的布线与第2布线层的布线重叠的部分描绘的触点将第1布线层与第2布线层进行电连接，除了后述的触点51以外，其它的触点将有源层与第2布线层进行电连接。
对于像素100，除了设置电源线1、数据线2及扫描线3以外，还设置包含EL元件10、电容21、第1TFT31、第2TFT32及透明电极41的像素电路。EL元件10起到作为发光元件的功能。在第1布线层的布线与第2布线层的布线重叠的部位，形成电容21。另外，通过与第1布线层的布线重叠设置有源层(点状花纹部)，在有源层的两端设置将有源层与第2布线层进行电连接的触点，从而形成第1及第2TFT31、32。透明电极41通过触点51与第2布线层的布线进行电连接，起到作为EL元件10的阳极的功能。由这样构成的像素电路呈二维状(具体来说，沿电源线1的延伸方向及扫描线3的延伸方向)排列配置。
图2为像素100的等效电路的电路图。在像素100中，在连接电源线1与接地的路径上，串联设置第2TFT32与EL元件10。另外，在电源线1与数据线2之间，串联设置电容21与第1TFT31。第1及第2TFT31、32都是P沟道型。第1TFT31的栅极端子与扫描线3连接，第2TFT32的栅极端子与第1TFT31的漏极端子连接。第2TFT32起到作为控制流过EL元件10的电流量的驱动用TFT的功能。
在使像素100以与图像数据相对应的亮度发光时，对扫描线3供给低电平电位，对数据线2供给与图像数据相对应的电位(以下，称为电位Vx)。这时，第1TFT31成为导通状态，第2TFT32的栅极端子电位与电位Vx相等。然后，若扫描线3的电位变为高电平电位，则第1TFT31成为不导通状态，第2TFT32的栅极端子电位因电容21的作用而固定为电位Vx。从第2TFT32向EL元件10供给的驱动电流量随第2TFT32的栅极端子电位而发生相应变化，EL元件10以与从第2TFT32供给的驱动电流相对应的亮度进行发光。这样，EL元件10以与电位Vx相对应的亮度进行发光。
本实施形态的EL显示装置，除了具备电源线1、数据线2、扫描线3及像素电路以外，还具备旁路线111、以及触点121、122。旁路线111具有与电源线1相同的宽度，配置在第1布线层(与扫描线3同一布线层)中、从电源线1的平面位置除去扫描线3的平面位置的部分中的至少一部分上。触点121、122设置在旁路线111的两端，将电源线1与旁路线111进行电连接。这样，旁路线111利用设置在两端的2个触点121、122与电源线1进行电连接，起到作为与电源线1并联连接的旁路用的布线的功能。
通过这样对电源线1并联连接旁路线111，能够减小电源线1的电阻。具体来说，设电源线1的表面电阻为ρ1，旁路线111的表面电阻为ρ2，这时电源线1与旁路线111并联连接部分的电阻为(ρ1×ρ2)/(ρ1+ρ2)。
另外，在图1中，旁路线111配置在从电源线1的平面位置除去扫描线3的平面位置的部分(即，从电源线1的平面位置除去电源线1与扫描线3交叉部分的位置)的约2/3，但旁路线111的长度可以与之相比要长或要短。另外，旁路线111的宽度只要对像素电路的布置不产生影响，可以比电源线1的宽度粗或者细。另外，在电源线1与扫描线3以外的信号线(以下，称为信号线S)也交叉的情况下，旁路线111配置在从电源线1的平面位置除去扫描线3与信号线S的平面位置的部分(即，从电源线1的平面位置除去电源线1与扫描线3交叉的部分及电源线1与信号线S交叉的部分的位置)。
以下，参照图3，说明本实施形态的EL显示装置的制造工序。图3为图1中A-A’线的剖面图。图3的左侧与图1的A侧相对应。如图3所示，本实施形态的EL显示装置是从基板的背面出射光的底部发光型的EL显示装置。另外，EL显示装置中包含的TFT是在基板的底面侧设置栅极电极的底栅型的晶体管。
在图3中，透明电极61是至少表面具有绝缘性的透明基板。透明基板61的材料例如是玻璃或合成树脂等。在透明基板61上，依次设置第1布线层、栅极绝缘膜62、有源层63、层间绝缘膜64、以及第2布线层，由此形成像素100。
在透明基板61上，首先设置第1布线层。由此，如图1所示，形成扫描线3、电容21的下部电极、第1TFT31的栅极电极、第2TFT32的栅极电极、以及旁路线111。另外，在扫描线3与第1TFT31的栅极电极之间、以及电容21的下部电极与第2TFT32的栅极电极之间进行电连接。对于第1布线层的材料，由于上层采用多晶硅或非晶态硅，因此使用铬或铊等的高熔点金属。
接着，在基板的整个面上层积栅极绝缘膜62与有源层63。栅极绝缘膜62与有源层63的膜厚都是数十个nm左右。接着，用光掩膜对有源层63有选择地进行刻蚀，通过这样形成第1及第2TFT31、32的沟道。
接着，在基板的整个面上层积层间绝缘膜64。接着，在设置将第1布线层与第2布线层进行电连接的触点的位置、以及在设置将有源层63与第2布线层述行电连接的触点的位置上，形成贯通栅极绝缘膜62与层间绝缘膜64的通孔。
接着，在基板上设置第2布线层，与此同时，用与第2布线层相同的金属材料填埋通孔。由此，如图1所示，形成电源线1、数据线2、电容21的上部电极、将第1布线层与第2布线层电连接的触点(包含触点121、122)、将有源层63与第2布线层电连接的触点、以及触点51的配置区域。另外，在电源线1与电容21的上部电极之间、电源线1与第2TFT32的源极端子之间、第2TFT32的漏极端子与触点51的配置区域之间、数据线2与第1TFT31的源极端子之间、第1TFT31的漏极端子与第2TFT32的栅极端子之间、以及电源线1与旁路线111之间，都进行电连接。
接着，在基板上设置钝化膜65、遮光膜66、以及平坦化膜67。钝化膜65的膜厚约为0.3μm，遮光膜66的膜厚约为1.5μm，平坦化膜67的膜厚约为3.5μm。其中，遮光膜66设置为覆盖第1及第2TFT31、32。
接着，在设置触点51的位置，形成贯通钝化膜65、遮光膜66及平坦化膜67的通孔。接着，在基板上设置透明电极41，与此同时，通过用与透明电极41相同的材料填埋通孔，形成触点51。透明电极41的材料为例如ITO(IndiumTin Oxide：铟锡氧化物)等。
接着，在透明电极41上设置空穴传输层11、发光层12、电子传输层13、及电子注入层14。接着，在基板的整个面上用金属材料设置背面电极42。背面电极42起到作为EL元件10的阴极的功能。最后，为了保护EL元件10以免水分的影响，将基板密封。利用以上的工序，能够制造本实施形态的EL显示装置。
如上所示，在本实施形态的EL显示装置中，与电源线1电连接的旁路线111在与扫描线3同一布线层中配置，使得在电源线1的平面位置不与扫描线3交叉。通过设置这样的旁路线111，能够减小电源线1的电阻。由此，由于供给像素电路的电源电压相等，因此能够抑制显示画面的亮度不均。
另外，由于旁路线111配置在与扫描线3同一布线层中的电源线1的平面位置上，因此为了设置旁路线111，而不需要新的制造工序，即使设置旁路线111，也不降低开口率。因而，根据本实施形态的EL显示装置，能够不导致成本增加及开口率减少而减小电源线1的电阻、抑制显示画面的亮度不均。
另外，在本实施形态的EL显示装置中，由于在旁路线111的两端设置2个触点，因此能够容易地将电源线1与旁路线111进行电连接。另外，由于旁路线111的宽度与电源线1相同，因此能够容易地设计像素电路。
(第2～第6实施形态)
第2～第6实施形态的EL显示装置具有与第1实施形态的EL显示装置近似相同的构成。因此以下对于与第1实施形态相同的构成要素，附加同一参照标号并省略说明，对于第2～第6实施形态与第1实施形态的不同点进行说明。
图4为本发明第2实施形态的EL显示装置的像素的平面图。图4所示的像素200具备1个具有与旁路线111近似相同长度的触点221，以代替2个触点121、122。这样的触点221能够利用与触点121、122相同的方法而形成。
这样在第2实施形态的EL显示装置中，通过设置具有与旁路线111近似相同的长度的1个触点221，能够减小触点电阻、进一步减小电源线1与旁路线111并联连接部分的电阻。
图5为本发明第3实施形态有关的EL显示装置的像素的平面图。图5所示的像素300具备在旁路线111的几乎整个面上设置的多个触点321，以代替2个触点121及122。这样的触点321能够利用与触点121、122相同的方法来形成。
这样在第3实施形态的EL显示装置中，通过在旁路线111的几乎整个面上设置多个触点321，能够减小触点电阻，进一步减小电源线1与旁路线111并联连接部分的电阻。另外，通过设置多个尺寸小的触点321，与仅设置1个尺寸大的触点的情况相比，还能够减小触点表面的凹凸。
图6为本发明第4实施形态的EL显示装置的像素的平面图。图6所示的像素400具备比电源线1要粗的旁路线411，以代替具有与电源线1相同宽度的旁路线111。这样的旁路线411能够利用与旁路线111相同的方法来形成。
图7为图6中的B-B’线的剖面图。图7的左侧与图6的B侧相对应。旁路线411与旁路线111一样设置在第1布线层。因此，如果使旁路线411变粗，则透过透明基板61而进入EL显示装置的光的量减少。因而，因从外部进入的光而使TFT误动作的可能性变小。
这样在第4实施形态的EL显示装置中，通过使旁路线411的宽度比电源线1要粗，能够进一步减小电源线1与旁路线411并联连接部分的电阻，同时能够用旁路线411进行遮光。由此，例如能够防止因从外部进入的光而使像素电路误动作。
图8为本发明第5实施形态的EL显示装置的像素的平面图。图8所示的像素500，是对像素100追加了旁路线511及触点521、522而形成的。旁路线511配置在第2布线层(与电源线1同一布线层)中、在从扫描线3的平面位置除去电源线1及数据线2的平面位置的部分中的至少一部分上。触点521、522设置在旁路线511的两端，将扫描线3与旁路线511进行电连接。这样的旁路线511和触点521、522能够利用与其它的布线及触点相同的方法来形成。
这样在第5实施形态的EL显示装置中，与扫描线3电连接的旁路线511配置在与电源线1同一布线层中、使得在扫描线3的平面位置上不与电源线1或数据线2交叉。通过设置这样的旁路线511，能够减小扫描线3的电阻。由此，能够减小扫描线3形成的分布RC电路的时间常数，减小流过扫描线3的信号的延迟，同时能够抑制流过扫描线3的信号的恶化。
另外，由于旁路线511配置在与电源线1同一布线层中的扫描线3的平面位置上，因此为了设置旁路线511而不需要新的制造工序，即使设置旁路线511也不降低开口率。因而，能够不导致成本增加及开口率减少而减小扫描线3的电阻，提高显示质量，同时能够使像素电路高速动作。
图9为本发明第6实施形态的EL显示装置的像素的平面图。对于图9所示的像素600，除了设置电源线1、数据线2及扫描线3以外，还设置多个控制线4，而且设置包含EL元件10、电容21、第1～第3TFT31～33及透明电极41的像素电路。控制线4与扫描线3两者在第1布线层中互相平行配置。控制线4的延伸方向是图9中的横向。
图10为像素600的等效电路的电路图。图10所示的电路是对图2所示的电路追加了P沟道型的第3TFT33而形成的。第3TFT33的源极端子与电源线1连接，漏极端子与第2TFT32的源极端子连接，栅极端子与控制线4连接。这样，第3TFT33设置在驱动用TFT即第2TFT32与电源线1之间，起到作为根据控制线4的电位来切换EL元件10中是否流过电流的控制用TFT的功能。
在像素600中，旁路线111配置在第1布线层(与扫描线3同一布线层)中、从电源线1的平面位置除去扫描线3及控制线4的平面位置的部分中的至少一部分上。换句话说，与电源线1电连接的旁路线111配置在与扫描线3同一布线层中、使得在电源线1的平面位置不与扫描线3或控制线4交叉。
因而，根据第6实施形态的EL显示装置，与第1实施形态相同，能够不导致成本增加及开口率减少而减小电源线1的电阻、抑制显示画面的亮度不均。
另外，如果对第1～第6实施形态的特征进行适当组合，则能够构成各种变形例。例如，可以在比电源线要粗的旁路线中设置具有近似相同长度的1个触点，也可以对扫描线设置比扫描线要粗的旁路线，也可以对于图10所示的电路在旁路线的几乎整个面上设置多个触点。
另外，以上的说明中是设EL显示装置为底部发光型，但如果对于顶部发光型的EL显示装置也设置同样的的旁路线，则能够得到同样的效果。在顶部发光型的EL显示装置中，背面电极必须是透明的，但基板也可以不透明。另外，在以上的说明中，像素电路中包含的TFT是是P沟道型，但像素电路中包含的TFT的全部或一部分也可以是N沟道型。
另外，电源线及电源线以外的信号线(数据线、扫描线、控制线)也可以设置在上下两层布线层的某一层。另外，在以上的说明中，设电源线与扫描线(及控制线)正交，但电源线也可以与数据线或其它的信号线正交。在那样的EL显示装置中，在与电源线正交的信号线的同一布线层中，只要将旁路线配置在从电源线的平面位置除去与电源线正交的信号线的平面位置的部分即可。另外，在与电源线正交的信号线有两种以上时，只要将旁路线配置在从电源线的平面位置除去各信号线的平面位置的部分即可。
工业上的实用性
本发明的EL显示装置，由于具有电源线的电阻小、显示画面的亮度不均少的效果，因此可以单独用作为显示装置，或者可以用作为各种电子设备的显示部。

Claims (10)

1.一种EL显示装置，是有源矩阵型的EL显示装置，具备：
在规定的布线层中互相平行配置的多个电源线；
在与所述电源线不同的布线层中互相平行配置、使其与所述电源线正交的多个信号线；
每个都包含EL元件与1个以上的薄膜晶体管、沿所述电源线的延伸方向及所述信号线的延伸方向排列配置的多个像素电路；
在与所述信号线同一布线层中、在从所述电源线的平面位置除去所述信号线的平面位置的部分中的至少一部分上配置的旁路线；以及
将所述电源线与所述旁路线进行电连接的触点。
2.如权利要求1所述的EL显示装置，其特征在于，所述信号线是扫描线。
3.如权利要求1所述的EL显示装置，其特征在于，所述旁路线利用设置在两端的2个触点与所述电源线进行电连接。
4.如权利要求1所述的EL显示装置，其特征在于，所述旁路线利用具有近似相同长度的1个触点与所述电源线进行电连接。
5.如权利要求1所述的EL显示装置，其特征在于，所述旁路线利用设置在几乎整个面的多个触点与所述电源线进行电连接。
6.如权利要求1所述的EL显示装置，其特征在于，所述旁路线的宽度与所述电源线近似相同。
7.如权利要求1所述的EL显示装置，其特征在于，所述旁路线的至少一部分的宽度比所述电源线要粗。
8.如权利要求1所述的EL显示装置，还具备：
在与所述电源线同一布线层中、在从所述信号线的平面位置除去所述电源线的平面位置的部分中的至少一部分上配置的信号用旁路线；以及
将所述信号线与所述信号用旁路线进行电连接的信号用触点。
9.如权利要求1所述的EL显示装置，其特征在于，所述像素电路包含：所述EL元件；以及在所述EL元件与所述电源线之间设置的、控制流过所述EL元件的电流量的驱动用薄膜晶体管。
10.如权利要求9所述的EL显示装置，其特征在于，所述像素电路还包含：在所述驱动用薄膜晶体管与所述电源线之间设置的、切换所述EL元件中是否流过电流的控制用薄膜晶体管。
CN200780010083.0A 2006-07-05 2007-02-01 El显示装置 Pending CN101405784A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006185541 2006-07-05
JP185541/2006 2006-07-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101405784A true CN101405784A (zh) 2009-04-08

Family

ID=38894324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200780010083.0A Pending CN101405784A (zh) 2006-07-05 2007-02-01 El显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8149188B2 (zh)
CN (1) CN101405784A (zh)
WO (1) WO2008004348A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102682697A (zh) * 2011-03-10 2012-09-19 精工爱普生株式会社 电光学装置以及电子设备
CN104040613A (zh) * 2012-02-01 2014-09-10 松下电器产业株式会社 El显示装置以及使用于该el显示装置的布线基板
CN106935170A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 乐金显示有限公司 柔性显示装置
WO2020224389A1 (zh) * 2019-05-05 2020-11-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7691101B2 (en) * 2006-01-06 2010-04-06 Arthrocare Corporation Electrosurgical method and system for treating foot ulcer
JP2008218195A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Canon Inc 電子源、画像表示装置及び情報表示再生装置
JP5245879B2 (ja) 2008-03-26 2013-07-24 ソニー株式会社 画像表示装置及び短絡事故の修復方法
TWI453910B (zh) 2009-02-04 2014-09-21 Sony Corp Image display device and repair method of short circuit accident
KR20120126223A (ko) * 2011-05-11 2012-11-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판
CN102509723B (zh) * 2011-10-18 2014-05-21 深圳市华星光电技术有限公司 覆晶薄膜的面板结构
JP5817580B2 (ja) * 2012-02-17 2015-11-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP6164269B2 (ja) * 2015-09-30 2017-07-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP6323584B2 (ja) * 2017-03-22 2018-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN109037273B (zh) * 2017-06-08 2020-06-09 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置
JP6477838B2 (ja) * 2017-11-16 2019-03-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP6555381B2 (ja) * 2018-04-11 2019-08-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP6702457B2 (ja) * 2019-02-07 2020-06-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN209729911U (zh) 2019-06-19 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN115240586B (zh) * 2022-06-27 2023-07-14 惠科股份有限公司 显示驱动电路及显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2800958B2 (ja) * 1992-04-17 1998-09-21 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
JPH06160904A (ja) 1992-11-26 1994-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置とその製造方法
US6724149B2 (en) * 1999-02-24 2004-04-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance
JP4488557B2 (ja) 1999-09-29 2010-06-23 三洋電機株式会社 Ｅｌ表示装置
US6664634B2 (en) * 2001-03-15 2003-12-16 Micron Technology, Inc. Metal wiring pattern for memory devices
JP3608614B2 (ja) * 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
JP2004145278A (ja) * 2002-08-30 2004-05-20 Seiko Epson Corp 電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
KR100688367B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-02 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 표시 장치용 어레이 기판 및 표시 장치
JP4176722B2 (ja) * 2004-01-20 2008-11-05 シャープ株式会社 表示素子および表示装置
KR100592273B1 (ko) * 2004-05-20 2006-06-22 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
US7129567B2 (en) * 2004-08-31 2006-10-31 Micron Technology, Inc. Substrate, semiconductor die, multichip module, and system including a via structure comprising a plurality of conductive elements

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102682697A (zh) * 2011-03-10 2012-09-19 精工爱普生株式会社 电光学装置以及电子设备
CN102682697B (zh) * 2011-03-10 2016-08-03 精工爱普生株式会社 电光学装置以及电子设备
CN104040613A (zh) * 2012-02-01 2014-09-10 松下电器产业株式会社 El显示装置以及使用于该el显示装置的布线基板
US9263510B2 (en) 2012-02-01 2016-02-16 Joled Inc. EL display device
CN104040613B (zh) * 2012-02-01 2016-10-05 株式会社日本有机雷特显示器 El显示装置以及使用于该el显示装置的布线基板
CN106935170A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 乐金显示有限公司 柔性显示装置
WO2020224389A1 (zh) * 2019-05-05 2020-11-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8149188B2 (en) 2012-04-03
WO2008004348A1 (en) 2008-01-10
US20090167645A1 (en) 2009-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101405784A (zh) El显示装置
CN1949309B (zh) 柔性平板显示器
CN106067473B (zh) 显示装置
CN101154346B (zh) 影像显示系统及其制造方法
TWI593099B (zh) 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器
CN102105924B (zh) 显示装置以及显示装置的制造方法
CN101221974B (zh) 有机电致发光显示装置
KR20190045964A (ko) 표시 장치
CN104795423A (zh) 发光元件显示装置
CN109949709A (zh) 微型led显示面板
JPWO2014136149A1 (ja) Ｅｌ表示装置
KR20080073944A (ko) 하이브리드 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
CN107845642B (zh) 显示装置
EP3462492B1 (en) Array substrate and display panel
CN1937024A (zh) 具有提高的亮度的显示装置
KR100691720B1 (ko) 전자 장치 및 전자 기기
CN105070740A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
JP6802653B2 (ja) 表示装置
JP2004200034A (ja) 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US7177136B2 (en) Wiring board, electro-optical device, method of manufacturing the electro-optical device, and electronic instrument
JP2004272215A (ja) 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
CN100401341C (zh) 布线基板和电光装置及其制造方法
CN209592042U (zh) 一种显示面板和显示装置
US20210343826A1 (en) Display device
JP6758884B2 (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20090408