JP5817580B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、表示品位の低下を防止した電気光学装置及び電子機器に関する。

近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」という）などの発光素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。このような電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素回路が設けられる。当該画素回路は、上記発光素子と、書込トランジスターと、駆動トランジスターとを含む構成が一般的である（特許文献１参照）。

特開２００７−３１０３１１号公報

ところで、データ線と駆動トランジスターとが互いに接近すると、容量結合する度合いが高くなる。このため、データ線が電位変動すると、当該電位変動が寄生容量を介して駆動トランジスターの各部、特にゲートの保持電位を変動させてしまう。従って、目的とする電流を発光素子に流すことができなくなるので、表示品位を低下させてしまう、という問題が指摘された。
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、データ線の電位変動に起因する表示品位の低下を防止することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、第１の方向に延在する走査線と、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する第１データ線と、前記第２の方向に延在する第２データ線と、前記走査線と前記第１データ線との交差に対応し、且つ、前記第１データ線及び前記第２データ線の間に設けられた画素回路と、を備え、前記画素回路は、駆動トランジスターと、前記第１データ線及び前記駆動トランジスターのゲートの間に電気的に接続された書込トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートに接続された第１保持容量と、前記駆動トランジスターより供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、導電性の材料よりなる第１シールド部と、導電性の材料よりなる第２シールド部と、を有し、前記第１データ線と直交し前記駆動トランジスターのゲートを含むように前記画素回路を切断した任意の第１切断面において、前記第１シールド部は、前記駆動トランジスターのゲート及び前記第１データ線を結ぶ線分と交差し、前記第２シールド部は、前記駆動トランジスターのゲート及び前記第２データ線を結ぶ線分と交差する、する、ことを特徴とする。

本発明では、第１データ線と直交し且つ駆動トランジスターのゲートを含む任意の第１切断面において、駆動トランジスターのゲートと第１データ線との間に位置するように、第１シールド部が設けられる。すなわち、上述した電気光学装置において、前記第１シールド部は、前記駆動トランジスターのゲートと前記第１データ線との間に配置される。換言すれば、画素回路を平面視した場合、及び、第１データ線と直交する切断面で断面視した場合に、駆動トランジスターのゲート及び第１データ線の間に、第１シールド部が位置する。
従って、本発明では、第１シールド部によって、第１データ線の電位変動が駆動トランジスターのゲート電極の保持電位に与える影響を低減することができる。すなわち、駆動トランジスターのゲートを、第１データ線から電気的にシールドすることが可能となるため、第１データ線の電位変動に起因する表示品位の低下を防止するができる。
また、この発明によれば、第１シールド部及び第２シールド部によって、駆動トランジスターのゲートを、第１データ線及び第２データ線から電気的にシールドすることが可能となるため、第１データ線及び第２データ線の電位変動に起因する表示品位の低下を防止するができる。

また、上述した電気光学装置において、前記第１シールド部は、前記第１データ線と同一の配線層に形成された第１中継電極、及び、前記駆動トランジスターのゲートと同一の配線層に形成された第２中継電極、を含む複数の中継電極と、前記複数の中継電極を接続する接続部と、を備え、前記中継電極及び前記接続部は、前記任意の第１切断面と交差する、ことが好ましい。
この発明によれば、第１データ線と直交する切断面で断面視した場合に、駆動トランジスターのゲート及び第１データ線の間に、第１シールド部が位置するため、駆動トランジスターのゲートを、第１データ線から電気的にシールドすることが可能となる。
また、上述した電気光学装置において、前記第１シールド部は、前記駆動トランジスターのゲートと前記第１データ線との間の層のうち、少なくとも２層に配置された前記導電性の材料により形成される態様としてもよい。
この場合も、第１シールド部を、駆動トランジスターのゲート及び第１データ線の間に位置するように設けることができるため、駆動トランジスターのゲートを、第１データ線から電気的にシールドすることが可能となる。

また、上述した電気光学装置において、前記接続部は、複数のコンタクトホールを備え、前記複数の中継電極のうち、互いに隣り合う配線層に形成される２つの中継電極は、複数の前記コンタクトホールのうち、１つのコンタクトホールにより接続され、当該の１つのコンタクトホールは、前記任意の第１切断面と交差する、ことが好ましい。
この発明によれば、第１データ線と直交する切断面で断面視した場合に、駆動トランジスターのゲート及び第１データ線の間に、第１シールド部が位置するため、駆動トランジスターのゲートを、第１データ線から電気的にシールドすることが可能となる。

また、上述した電気光学装置において、前記第１保持容量は、前記駆動トランジスターのゲートに電気的に接続される第１電極、及び、前記駆動トランジスターのソースに電気的に接続される第２電極によって形成され、前記駆動トランジスターのゲートと前記第１電極とを電気的に接続する第１接続配線及び、前記駆動トランジスターのソースと前記第２電極とを電気的に接続する第２接続配線を電位保持部としたとき、前記第１シールド部は、前記第１データ線と直交し前記電位保持部を含むように前記画素回路を切断した任意の第２切断面において、前記電位保持部及び前記第１データ線を結ぶ線分と交差する、ことが好ましい。
この発明によれば、第１データ線と直交し且つ電位保持部を含む任意の第２切断面において、電位保持部と第１データ線との間に位置するように、第１シールド部が設けられる。すなわち、画素回路を平面視した場合、及び、第１データ線と直交する切断面で断面視した場合に、電位保持部及び第１データ線の間に、第１シールド部が位置する。電位保持部は、駆動トランジスターのゲートに接続される配線及びソースに接続される配線である。従って、本発明では、第１シールド部によって、電位保持部、すなわち、駆動トランジスターのゲート及びソースを、第１データ線から電気的にシールドすることが可能となるため、第１データ線の電位変動に起因する表示品位の低下を防止するができる。

また、上述した電気光学装置において、前記第１シールド部には、固定電位が供給されることが好ましい。
この場合、第１シールド部が、駆動トランジスターのゲートを、第１データ線から電気的にシールドすることが可能となるため、第１データ線の電位変動に起因する表示品位の低下を防止するができる。

また、上述した電気光学装置において、前記画素回路は、一端が前記駆動トランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、他端が給電線に電気的に接続された第２保持容量を備え、前記発光素子は、前記駆動トランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、前記第１シールド部は、前記給電線と電気的に接続されることが好ましい。
例えば、給電線に固定電位または電位の変動幅の小さな信号が供給される場合、第１シールド部が、駆動トランジスターのゲートを、第１データ線から電気的にシールドすることが可能となるため、第１データ線の電位変動に起因する表示品位の低下を防止するができる。

また、上述した電気光学装置において、前記駆動トランジスターのゲートは、前記第１シールド部と前記第２シールド部との間に設けられることが好ましい。
この発明によれば、画素回路が２本のデータ線の間に設けられる場合に、２本のデータ線に生じる電位変動が当該画素回路の備える駆動トランジスターのゲートに伝播することを防止することができるため、データ線の電位変動に起因する表示品位の低下を防止するができる。

なお、本発明に係る電気光学装置は、各種の電子機器に適用可能である。典型的には、表示装置であり、電子機器としてはパーソナルコンピューターや携帯電話機が挙げられる。特に本願発明は、データ線の電位変動が、画素回路における駆動トランジスターのゲート（ソース）電位に影響を及ぼしにくく、これによって、表示品位の低下を防止することができるので、例えばヘッドマウントディスプレイ用やプロジェクターのように小型の表示装置に好適である。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は、表示装置に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（光ヘッド）にも適用可能である。

実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。 電気光学装置における画素回路の等価回路を示す図である。 電気光学装置の表示動作を示す図である。 実施形態に係る画素回路の構成を示す平面図である。 実施形態に係る画素回路の構成を示す部分断面図である。 実施形態に係る画素回路の構成を示す部分断面図である。 実施形態に係るシールド部の設けられる範囲を説明する説明図である。 変形例１に係る画素回路の構成を示す平面図である。 変形例２に係る画素回路の構成を示す平面図である。 変形例２に係るシールド部の設けられる範囲を説明する説明図である。 変形例３に係る画素回路の構成を示す平面図である。 変形例４に係る画素回路の構成を示す平面図である。 電気光学装置を適用した電子機器（その１）を示す図である。 電気光学装置を適用した電子機器（その２）を示す図である。 電気光学装置を適用した電子機器（その３）を示す図である。 対比例に係る画素回路の構成を示す平面図である。 対比例に係る画素回路の構成を示す部分断面図である。 変形例１０に係る画素回路の構成を示す部分断面図である。

以下、本発明の実施形態に係る電気光学装置について図面を参照して説明する。
図１は、実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。この図に示されるように、電気光学装置１は、表示部１００、走査線駆動回路２１０、電源線駆動回路２２０及びデータ線駆動回路２３０を含んだ構成となっている。
このうち、表示部１００には、ｍ行の走査線１１２が図において横（Ｘ）方向に沿って設けられ、ｎ列のデータ線１１４が、縦（Ｙ）方向に沿って、かつ、各走査線１１２と互いに電気的に絶縁を保つように設けられている。
画素回路１１０は、表示すべき画像の１画素を表現するものであり、ｍ行の走査線１１２とｎ列のデータ線１１４との交差部に対応して、それぞれ設けられている。従って、本実施形態では、画素回路１１０がマトリクス状に配列して、横ｎ画素×縦ｍ画素の画像が表示されることになる。なお、ｍ、ｎは、いずれも自然数である。

表示部１００には、１行毎に個別の電源線１１６及び給電線１１７が設けられている。なお、図１では省略されているが、後述するように共通電極が各画素回路１１０にわたって設けられて、素子電源の低位側の電位Ｖctが供給される。また、走査線１１２や画素回路１１０など行を便宜的に区別するために、図１において上から順に１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目と呼ぶ場合がある。同様にデータ線１１４及び画素回路１１０の列を便宜的に区別するために、図１において左から順に１、２、３、…、（ｎ−１）、ｎ列目と呼ぶ場合がある。

電気光学装置１では、画素回路１１０がマトリクス状に配列する表示部１００の周辺に制御回路２００、走査線駆動回路２１０、電源線駆動回路２２０及びデータ線駆動回路２３０が設けられている。制御回路２００は、走査線駆動回路２１０、電源線駆動回路２２０及びデータ線駆動回路２３０の動作を制御するほか、各画素回路１１０で表現すべき画素の階調（輝度）を指定する階調データをデータ線駆動回路２３０に供給する。

走査線駆動回路２１０は、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１１２にそれぞれ走査信号Ｇw(1)、Ｇw(2)、Ｇw(3)、…、Ｇw(m-1)、Ｇw(m)を供給して、各フレームにおいて１〜ｍ行目を順次走査するものである。なお、本説明において、フレームとは、１カット（コマ）分の画像を電気光学装置１に表示させるのに要する期間をいい、垂直走査周波数が６０Ｈｚであれば、その１周期分の１６．６７ミリ秒の期間をいう。

電源線駆動回路２２０は、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の電源線１１６にそれぞれ信号Ｖel(1)、Ｖel(2)、Ｖel(3)、…、Ｖel(m-1)、Ｖel(m)を供給するとともに、これらの信号の電位を、走査線駆動回路２１０による走査に同期して低位側の電位Ｖel_Lと高位側の電位Ｖel_Hとで切り替える。また、電源線駆動回路２２０は、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の給電線１１７に、それぞれランプ信号Ｖrmp(1)、Ｖrmp(2)、Ｖrmp(3)、…、Ｖrmp(m-1)、Ｖrmp(m)を、走査線駆動回路２１０による走査に同期して供給する。
なお、画素回路の駆動方法によっては、給電線１１７に少なくとも一定の期間、固定電位を供給する形態にも適用可能である。

データ線駆動回路２３０は、走査線駆動回路２１０によって走査された行に位置する画素回路１１０に対し、初期化電位、または、当該画素回路１１０の階調データに応じた電位のデータ信号を、データ線１１４を介して供給するものである。便宜的に、１、２、３、…、（ｎ−１）、ｎ列目のデータ線１１４の各々に供給されたデータ信号を、それぞれＶd(1)、Ｖd(2)、Ｖd(3)、…、Ｖd(n-1)、Ｖd(n)と表記している。

図２を参照して、画素回路１１０の等価回路について説明する。なお、図２には、ｉ行目及び当該ｉ行目に隣り合う（ｉ＋１）行目の走査線１１２と、ｊ列目及び当該ｊ列目に隣り合う（ｊ＋１）列目のデータ線１１４との交差に対応する２×２の計４画素分の画素回路１１０が示されている。ここで、ｉ、（ｉ＋１）は、画素回路１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｍ以下の整数である。同様に、ｊ、（ｊ＋１）は、画素回路１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｎ以下の整数である。

図２に示されるように、各画素回路１１０は、Ｎチャネル型のトランジスター１３０、１４０と、容量素子１３５、１３７と、発光素子１５０とを有する。ここで、各画素回路１１０については電気的にみれば互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明する。
トランジスター１３０は、ゲートがｉ行目の走査線１１２に電気的に接続される一方、
ドレインがｊ列目のデータ線１１４に電気的に接続され、ソースが容量素子１３５の一端（以下、「第１電極」と称する場合がある）とトランジスター１４０のゲートとにそれぞれ接続されている。すなわち、トランジスター１３０は、データ線１１４とトランジスター１４０との間に電気的に接続され、データ線１１４とトランジスター１４０との間の電気的な接続を制御する書込トランジスターとして機能する。
トランジスター１４０のドレインは、ｉ行目の電源線１１６に接続される。また、トランジスター１４０のソースは、容量素子１３５の他端（以下、「第２電極」と称する場合がある）、容量素子１３７の一端、及び、発光素子１５０の陽極に、それぞれ電気的に接続されている。このトランジスター１４０は、トランジスター１４０のゲート及びソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターとして機能する。
容量素子１３５は、上述のとおり、トランジスター１４０のゲートに電気的に接続された第１電極と、トランジスター１４０のソースに電気的に接続された第２電極とから構成される。すなわち、容量素子１３５は、トランジスター１４０のゲート及びソース間の電圧を保持する第１保持容量として機能する。
容量素子１３７は、一端がトランジスター１４０のソースに電気的に接続され、他端がｉ行目の給電線１１７に電気的に接続されている。すなわち、この容量素子１３７は、トランジスター１４０のソースと給電線１１７との間に電気的に介挿された第２保持容量として機能する。
なお、上記におけるトランジスター１３０、１４０のソース、ドレインはトランジスター１３０、１４０のチャネル型、電位の関係に応じて入れ替わってもよい。また、トランジスターは薄膜トランジスターであっても電界効果トランジスターであってもよい。

なお、以下では、トランジスター１３０のドレインと走査線１１２とを電気的に接続する接続配線を、トランジスター１３０のドレインノードＤと称し、トランジスター１４０のドレインと電源線１１６とを電気的に接続する接続配線を、トランジスター１４０のドレインノードｄと称する場合がある。また、トランジスター１４０のゲート、トランジスター１３０のソース、及び、容量素子１３５の一端を電気的に接続する接続配線（第１接続配線）を、トランジスター１４０のゲートノードｇと称する場合がある。さらに、トランジスター１４０のソース、容量素子１３５の他端、及び、発光素子１５０の陽極、容量素子１３７の一端を電気的に接続する接続配線（第２接続配線）を、トランジスター１４０のソースノードｓと称する場合がある。

発光素子１５０の陽極は、画素回路１１０毎に個別に設けられる画素電極である。これに対して、発光素子１５０の陰極は、電位Ｖctに保たれた共通電極１１８に、画素回路１１０にわたって共通接続されている。発光素子１５０は、互いに対向する陽極と陰極とで有機ＥＬ材料からなる発光層を挟持した構造のＯＬＥＤであり、陽極から陰極に向かって流れる電流に応じた輝度にて発光する。また、発光素子１５０の陽極と陰極との間には容量成分１５２が発生する。

図２において、Ｇw(i)、Ｇw(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に供給される走査信号を示している。Ｖel(i)、Ｖel(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の電源線１１６に供給される信号を示し、Ｖrmp(i)、Ｖrmp(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の給電線１１７に供給されるランプ信号を示している。また、Ｖd(j)、Ｖd(j+1)は、それぞれｊ、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号を示している。
なお、本実施形態において、トランジスター１４０のゲート及びソースは、隣り合うデータ線１１４からシールドされているが、この構造の詳細については後述することにする。

図３を参照して電気光学装置１の動作について説明する。図３は、電気光学装置１における各部の動作を説明するための図である。この図に示されるように、走査線駆動回路２１０が制御回路２００による制御にしたがい、走査信号Ｇw(1)〜Ｇw(m)の電位を切り替えることによって、１フレームにおいて１〜ｍ行目の走査線１１２を１水平走査期間（Ｈ）毎に順番に走査する。
１水平走査期間（Ｈ）での動作は、各行の画素回路１１０にわたって共通である。そこで以下については、主にｉ行目の走査線１１２が走査されたときに、当該ｉ行目のうちの、ｊ列目の画素回路１１０について着目して説明する。

本実施形態において、各走査線１１２の走査期間は、大別すると、時間の順で初期化期間、セット期間及び書込期間に分けられる。このうち、初期化期間及びセット期間については時間的に連続し、セット期間及び書込期間ついては時間的に非連続となっている。

ここで、走査線駆動回路２１０は、制御回路２００による制御に従って次のような走査信号Ｇw(i)を出力する。すなわち、走査線駆動回路２１０は、ｉ行目の走査線１１２の走査期間において走査信号Ｇw(i)を、初期化期間及びセット期間においてＨレベルとし、セット期間の終了時から書込期間の開始時までの期間においてＬレベルとし、書込期間において再度Ｈレベルとし、書込期間の終了時から次のフレームにおけるｉ行目の初期間期間までＬレベルとする。

電源線駆動回路２２０は、制御回路２００による制御に従って次のような信号Ｖel(i)及びランプ信号Ｖrmp(i)をそれぞれ出力する。
すなわち、電源線駆動回路２２０は、ｉ行目の電源線１１６に供給する信号Ｖel(i)を、初期化期間において第１電源電位である電位Ｖel_Lとし、セット期間以降では、第２電源電位である電位Ｖel_Hとする。なお、電位Ｖel(i)が電位Ｖel_Hから電位Ｖel_Lに遷移するタイミングは、図３においては初期化期間の開始時としているが、発光素子１５０の発光期間を短くする目的で、初期化期間よりも手前のタイミングで電位Ｖel_Lに遷移させる場合もある。

また、電源線駆動回路２２０は、ｉ行目の給電線１１７に供給するランプ信号Ｖrmp(i)を、ｉ行目の走査線１１２の走査期間の開始時から終了時までにかけて、電位Ｖxから電位Ｖref（Ｖx＞Ｖref）に直線的に減少させる。なお、電位Ｖxと電位Ｖrefとの差は、実際には微小であり、ランプ信号Ｖrmp(i)の電位減少が画素回路１１０の各部に与える影響は、無視できるほどに小さい。

データ線駆動回路２３０は、制御回路２００による制御に従って次のようなデータ信号Ｖd(1)〜Ｖd(n)を、それぞれ対応するデータ線１１４に供給する。すなわち、データ線駆動回路２３０は、データ信号Ｖd(1)〜Ｖd(n)を、初期化期間と、セット期間と、当該セット期間の終了時から時間Ｔが経過したタイミングＴsまでの期間とにわたって、一斉に初期化電位Ｖofsとし、タイミングＴsから次の（ｉ＋１）行目の走査線１１２の走査期間が開始するまでに、ｉ行目と１〜ｎ列目との交差に対応した画素に指定された階調データに応じた電位とする。このため、例えばｊ列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｖd(j)は、図３に示されるように、初期化期間の開始時からタイミングＴsまでの期間にわたって初期化電位Ｖofsとなり、タイミングＴsから次の（ｉ＋１）行目の走査線１１２の走査期間が開始するまでの期間にわたって、ｉ行ｊ列の画素回路１１０に指定された階調データに応じた電位Ｖsigとなる。

さて、ｉ行目の初期化期間では、走査信号の電位Ｇw(i)がＨレベルに遷移して、トランジスター１３０がオンするので、トランジスター１４０のゲートノードｇは、データ線１１４に電気的に接続された状態になる。初期間期間においてデータ線１１４に供給されたデータ信号Ｖd(j)は電位Ｖofsであるので、ゲートノードｇについても電位Ｖofsになる。
一方、ｉ行目の電源線１１６に供給された信号Ｖel(i)は電位Ｖel_Lである。本実施形態において電位Ｖofsから電位Ｖel_Lを減じた差分電圧（Ｖofs−Ｖel_L）がトランジスター１４０の閾値電圧Ｖth_trを十分に上回るように設定されている。このため、初期化期間においてトランジスター１４０が駆動状態になるので、ソースノードｓ（発光素子１５０の陽極）は、電位Ｖel_Lに初期化される。

従って、トランジスター１４０のゲート及びソースの間の電圧、すなわち容量素子１３５によって保持される電圧は、電位Ｖofsと電位Ｖel_Lとの差分電圧に初期化される。なお、電位Ｖel_Lと共通電極１１８の電位Ｖctとの電位差が発光素子１５０の発光閾値電圧Ｖth_oledを下回るような値となるように当該電位Ｖel_Lが設定されるので、初期化期間において発光素子１５０は、オフ状態（非発光状態）である。

次に、ｉ行目のセット期間では、走査信号Ｇw(i)が引き続きＨレベルであるので、トランジスター１３０のオン状態が継続する結果、トランジスター１４０のゲートノードｇは、初期化電位Ｖofsを維持する。セット期間の開始時において信号Ｖel(i)は高位側の電位Ｖel_Hに遷移するので、電流が電源線１１６からトランジスター１４０のドレイン、ソースを流れる結果、当該トランジスター１４０のソースノードｓの電位が上昇し始める。また、トランジスター１４０のゲートノードｇは、初期化電位Ｖofsに維持されているから、トランジスター１４０のゲート・ソース間の電圧は徐々に減少していく。このとき、ランプ信号Ｖrmp(i)の電位が経時的に変化しているので、トランジスター１４０のドレイン・ソース間に流れた電流は、発光素子１５０の側と容量素子１３７の側との両側に分岐する。

このうち、発光素子１５０の側に流れる電流は、発光素子１５０の容量成分１５２に流れて、当該容量成分１５２を充電し始める。この充電がまもなく完了すると、トランジスター１４０のドレイン・ソース間に流れた電流は、発光素子１５０の側に電流が流れずに、容量素子１３７の側のみに流れることになる。
一方、本実施形態において、ランプ信号Ｖrmp(i)の電位は直線的に減少し、減少率が一定である。このため、容量成分１５２の充電完了後に、電源線１１６→ドレインｄ→ソースｓ→容量素子１３７という経路で流れる電流はほぼ一定となる。なお、以下では、このような電源線１１６→ドレインｄ→ソースｓ→容量素子１３７という経路で流れる電流をセット電流と呼ぶことにする。

セット期間の終了時において、トランジスター１４０のゲート・ソース間の電圧は、当該セット電流がトランジスター１４０を流れるのに必要な電圧Ｖgs1にほぼ等しくなる。このため、トランジスター１４０のソースノードｓは、初期化電位Ｖofs（ゲートノードｇの電位）よりも電圧Ｖgs1だけ低い電位（Ｖofs−Ｖgs1）に設定される。
本実施形態では、この電位（Ｖofs−Ｖgs1）と電位Ｖctとの差、すなわち発光素子１５０の両端電圧は、発光素子１５０の発光閾値電圧Ｖth_oledを下回るように設定される。従って、セット期間においても、発光素子１５０は非発光状態となる。

なお、電圧Ｖgs1は、以下の式（１）で表される。
Ｖgs1＝Ｖth_tr＋Ｖa …（１）
式（１）において、Ｖth_trは、トランジスター１４０の閾値電圧であり、Ｖaは、セット電流に応じた電圧である。このため、セット期間において、トランジスター１４０のゲート・ソース間の電圧は、当該トランジスター１４０の閾値電圧に対応する電圧にセットされるということもできる。

続いて、ｉ行目のセット期間が完了すると、走査信号Ｇw(i)がＬレベルに遷移するので、トランジスター１４０がオフ状態になり、トランジスター１４０のゲートノードｇは、フローティング（ハイ・インピーダンス）状態となる。一方、セット期間が完了しても、ランプ信号Ｖrmp(i)の電位は直線的に減少するので、容量素子１３７にはセット電流が流れ続ける。ここで、トランジスター１４０の移動度μが大きいほど、当該トランジスター１４０に流れる電流の値は大きくなり、ソースの電位の上昇量も大きくなる。反対に、移動度μが小さいほど、トランジスター１４０に流れる電流の値は小さくなる。換言すれば、移動度μが大きいほどトランジスター１４０のゲート・ソース間の電圧の減少量（負帰還量）が大きくなる一方、移動度μが小さいほどゲート・ソース間の電圧の減少量（負帰還量）は小さくなる。これにより、トランジスター１４０の移動度μが画素回路１１０毎に相違していても、その相違が補償される構成になっている。

本実施形態では、図３に示されるように、セット期間の終了から時間Ｔだけ経過したタイミングＴsにおいて、ｊ列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｖd(j)が、初期化電位Ｖofsから階調データに応じた電位Ｖsigに変化する。

ｉ行目の書込期間では、走査信号の電位Ｇw(i)が再びＨレベルに遷移して、トランジスター１３０がオンするので、トランジスター１４０のゲートノードｇは、データ線１１４に電気的に接続された状態となる結果、データ信号Ｖd(j)の電位Ｖsigになる。このため、当該電位Ｖsigに応じた電流がトランジスター１４０のドレインからソースに向かって流れるので、ソースノードｓの電位が上昇する。一方、ランプ信号Ｖrmp(i)の電位は、引き続き減少するので、容量素子１３７には電流が流れる。そうとすると、トランジスター１４０においてドレインからソースに向かって流れた電流は、容量素子１３５と容量素子１３７とに分岐して流れる。このとき、電位Ｖsigに応じてトランジスター１４０に流れる電流がおおきいほど、容量素子１３５に流れ込む電流が大きくなり、結果として、トランジスター１４０のソースノードｓの電位上昇量（つまりゲート・ソース間の電圧の減少量）も大きくなる。

また、上述したように、トランジスター１４０の移動度μを補償する動作は、この書込期間においても引き続き実行される。書込期間の終了時において、トランジスター１４０のゲート・ソース間の電圧（容量素子１３５の保持電圧）は、データ信号Ｖd(j)の電位Ｖsigと、トランジスター１４０の特性（移動度μ）とを反映した値に設定される。詳細には、書込期間の終了時におけるトランジスター１４０のゲート・ソース間の電圧Ｖgs2は、以下の式（２）で表される。
Ｖgs2＝Ｖgs1＋ΔＶ＝Ｖth_tr＋Ｖa＋ΔＶ …（２）
式（２）のΔＶは、電位Ｖsig及びトランジスター１４０の特性（移動度μ）に応じた値となる。
また、書込期間の終了時においてトランジスター１４０のソースノードｓの電位と電位Ｖctとの差、すなわち発光素子１５０の両端電圧は、発光素子１５０の発光閾値電圧Ｖth_oledを下回るように設定される。従って、書込期間においても発光素子１５０は非発光状態となる。

ｉ行目の書込期間が終了すると、走査信号の電位Ｇw(i)がＬレベルに遷移するので、トランジスター１４０がオフ状態になって、ゲートノードｇがフローティング状態となる。また、ランプ信号Ｖrmp(i)の電位減少も終了するので、容量素子１３７に流れるセット電流もゼロになる。ここで、容量素子１３５の両端電圧（トランジスター１４０のゲート・ソース間の電圧）は、書込期間の終点時における電圧Ｖgs2に維持されるので、当該電圧Ｖgs2に応じた電流がトランジスター１４０を流れる結果、ソースノードｓの電位が時間経過とともに上昇する。トランジスター１４０においてゲートノードｇはフローティング状態であるから、当該ゲートノードｇの電位はソースノードｓの電位に連動して上昇する。
結局、トランジスター１４０のゲート・ソース間の電圧は、書込期間の終点時にセットされた電圧Ｖgs2に維持されたまま、ソースノードｓの電位が時間経過とともに上昇する。
ソースノードｓの電位と電位Ｖctとの差である発光素子１５０の両端電圧が、発光素子１５０の発光閾値電圧Ｖth_oledを超えた時点で、発光素子１５０に電流が流れ始めて、当該電流に応じた輝度で発光開始となる。

いま、トランジスター１４０が飽和領域で動作する場合を想定すると、発光素子１５０に流れる電流Ｉelは以下の式（３）の形で表現される。なお、βは、トランジスター１４０トランジスターの利得係数である。
Ｉel＝（β／２）（Ｖgs2−Ｖth_tr）^２ …（３）
式（２）の代入によって式（３）は以下のように変形することができる。
Ｉel＝（β／２）（Ｖth_tr＋Ｖa＋ΔＶ−Ｖth_tr）^２
＝（β／２）（Ｖa＋ΔＶ）^２
結局、発光素子に流れる電流Ｉelは、トランジスター１４０の閾値電圧Ｖth_trに依存しないので、画素回路１１０毎に閾値電圧Ｖth_trが相違しても、その相違が補償されて、輝度のムラが抑制されることになる。

ところで、本実施形態では、ｉ行目の走査期間においてはセット期間の終了時から書込期間の開始時までにわたって走査信号Ｇw(i)がＬレベルであり、トランジスター１３０がオフするので、トランジスター１４０のゲートがフローティング状態になる。ここで、タイミングＴsにてデータ線１１４が初期化電位Ｖofsから電位Ｖsigに変動するので、当該電位変動が寄生容量（図示省略）を介しトランジスター１４０のゲートｇ及びソースｓにそれぞれ伝播し、セット期間の終了時にトランジスター１４０のゲート・ソース間にセットされた電圧Ｖgs1を変動させてしまう。このため、表示斑や縦スジなどの発生を招き、表示品位を大きく低下させる要因となる。
そこで、本実施形態では、画素回路１１０を次のように構成して、データ線１１４の電位変動の影響を受けにくくしている。

この画素回路１１０の構造について、図４乃至図６を参照して説明する。
図４は、ｉ行ｊ列の画素回路１１０の構成を示す平面図であり、図５は、図４におけるＥ−ｅ線で切断した部分断面図であり、図６は、図４におけるＦ−ｆ線で切断した部分断面図である。なお、図４においてＦ−ｆ線と、Ｙ軸とは直交する。ここで、Ｙ軸とはデータ線に平行な方向を言う。すなわち、図６は、図４におけるＹ軸（すなわち、データ線１１４）と直交する平面において画素回路１１０を切断した切断面を表している。
また、図４は、トップエミッション構造の画素回路１１０を観察側から平面視した場合の配線構造を示しているが、簡略化のために、発光素子１５０における画素電極（陽極）以降に形成される構造体を省略している。図５及び図６については、発光素子１５０の画素電極までを示し、以降の構造体を省略している。また、以下の各図については、各層、各部材、各領域などを認識可能な大きさとするために、縮尺を異ならせている場合がある。

図５に示すように、画素回路１１０を構成する各要素は、基板２上に形成される。本実施形態において、基板２は、ガラスやプラスチック等の各種絶縁性材料からなる板状の部材である。
図５に示すように、基板２上には、半導体層１３０ａ、１４０ａが設けられる。半導体層１３０ａは、トランジスター１３０の半導体層として機能し、半導体層１４０ａはトランジスター１４０の半導体層として機能する。

図５及び図６に示すように、半導体層１３０ａ、半導体層１４０ａ、及び、基板２を覆うように、ゲート絶縁層Ｌ１（第１絶縁層）が設けられる。ゲート絶縁層Ｌ１の表面には、アルミニウム等の導電性の材料からなる配線層をパターニングすることにより、走査線１１２、分岐部１１２ａ、中継ノードＮ１１、中継ノードＳａ１、及び、中継ノードＳｂ１がそれぞれ形成される。なお、以下では、これらゲート絶縁層Ｌ１の表面に形成される複数の要素を、第１配線層と総称する場合がある。

図４に示すように、走査線１１２は、Ｙ軸方向と交差するＸ方向に延在するとともに、画素回路１１０毎にＹ方向に分岐した部分（分岐部１１２ａ）を有する。
分岐部１１２ａは、平面視したとき（すなわち、基板２の画素回路１１０が配置された面に垂直な方向から画素回路１１０を見たとき）、分岐部１１２ａの一部と半導体層１３０ａの中央部とが互いに重なり合うように設けられる。分岐部１１２ａのうち、平面視したときに半導体層１３０ａと重なり合う部分が、トランジスター１３０のゲート１３０ｇに相当する。また、半導体層１３０ａのうち、平面視したときに分岐部１１２ａと重なり合う部分が、トランジスター１３０のチャネル領域１３０ｃに相当する。
なお、図４において、半導体層１３０ａのうちチャネル領域１３０ｃよりもＸ方向の負側（つまり図において左側）に位置する領域がトランジスター１３０のドレイン領域１３０ｄに相当し、チャネル領域１３０ｃよりもＸ方向の正側（つまり図において右側）に位置する領域がトランジスター１３０のソース領域１３０ｓに相当する。

また、中継ノードＮ１１は、平面視したときに、中継ノードＳａ１と中継ノードＳｂ１との間に位置し、且つ、中継ノードＮ１１の一部と半導体層１４０ａの中央部とが重なり合うように設けられる（図４参照）。中継ノードＮ１１のうち、平面視したときに半導体層１４０ａと重なり合う部分が、トランジスター１４０のゲート１４０ｇに相当する。
また、半導体層１４０ａのうち、平面視したときに中継ノードＮ１１と重なり合う部分が、トランジスター１４０のチャネル領域１４０ｃに相当する。
なお、図４において、半導体層１４０ａのうち、チャネル領域１４０ｃよりもＹ方向の正側（つまり図において下側）に位置する領域がトランジスター１４０のドレイン領域１４０ｄに相当し、チャネル領域１４０ｃよりもＹ方向の負側（つまり図において上側）に位置する領域がトランジスター１４０のソース領域１４０ｓに相当する。

図４に示すように、中継ノードＳａ１は、平面視したときに、後に形成されるｊ列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成される。なお、本明細書においてＹ方向に長手が延在する矩形とは、Ｘ方向の幅がＹ方向の幅よりも短い形状を意味する。この中継ノードＳａ１は、トランジスター１４０のゲート１４０ｇと同一の配線層（第１配線層）に形成される第２中継電極に相当する。中継ノードＳｂ１は、平面視したときに、後に形成される（ｊ＋１）列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成される。

図５及び図６に示すように、走査線１１２、分岐部１１２ａ、中継ノードＮ１１、Ｓａ１、Ｓｂ１、及び、ゲート絶縁層Ｌ１を覆うように、第２絶縁層Ｌ２が形成される。第２絶縁層Ｌ２の表面には、導電性の材料からなる配線層をパターニングすることにより、中継ノードＮ２１〜Ｎ２７、中継ノードＳａ２、及び、中継ノードＳｂ２がそれぞれ形成される。なお、以下では、これら第２絶縁層Ｌ２の表面に形成される複数の要素を、第２配線層と総称する場合がある。

図４に示すように、中継ノードＮ２１及びＮ２２は、平面視したときに、中継ノードＳａ１と中継ノードＳｂ１との間に位置するように設けられる。
なお、図示は省略するが、平面視したときに、中継ノードＳａ２は、後に形成されるｊ列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成され、中継ノードＳｂ２は、後に形成される（ｊ＋１）列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成される。

図５に示すように、中継ノードＮ２３は、ゲート絶縁層Ｌ１及び第２絶縁層Ｌ２を貫通するコンタクトホールＨ２１を介して、トランジスター１３０のドレイン領域１３０ｄに電気的に接続される。同様に、中継ノードＮ２４は、コンタクトホールＨ２２を介して、トランジスター１３０のソース領域１３０ｓに電気的に接続され、中継ノードＮ２５は、コンタクトホールＨ２３を介して、中継ノードＮ１１に電気的に接続され、中継ノードＮ２６は、コンタクトホールＨ２４を介して、トランジスター１４０のソース領域１４０ｓに電気的に接続され、中継ノードＮ２７は、コンタクトホールＨ２５を介して、トランジスター１４０のドレイン領域１４０ｄに電気的に接続される。
また、図６に示すように、中継ノードＳａ２は、第２絶縁層Ｌ２を貫通するコンタクトホールＨｓａ２を介して、中継ノードＳａ１に電気的に接続される。同様に、中継ノードＳｂ２は、コンタクトホールＨｓｂ２を介して、中継ノードＳｂ１に電気的に接続される。
なお、図４において、コンタクトホールは、異種の配線層同士が重なる部分で「□」印に「×」印を付した部分（例えば、コンタクトホールＨ５１）、または、ハッチングを付した部分（例えば、コンタクトホールＨｓａ４）として示している。

図５及び図６に示すように、中継ノードＮ２１〜Ｎ２７、Ｓａ２、Ｓｂ２、及び、第２絶縁層Ｌ２を覆うように、第３絶縁層Ｌ３が形成される。第３絶縁層Ｌ３の表面には、導電性の材料からなる配線層をパターニングすることにより、中継ノードＮ３１〜Ｎ３７、中継ノードＳａ３、Ｓｂ３、分岐部１１７ａ、１１７ｂ、及び、給電線１１７がそれぞれ形成される。なお、以下では、これら第３絶縁層Ｌ３の表面に形成される複数の要素を、第３配線層と総称する場合がある。

図４に示すように、給電線１１７は、Ｘ方向に延在するとともに、画素回路１１０毎にＹ方向に分岐した部分（分岐部１１７ａ、分岐部１１７ｂ）を有する。
分岐部１１７ａは、平面視したとき、分岐部１１７ａの一部と中継ノードＮ２２の一部とが互いに重なり合うように設けられる。そして、分岐部１１７ａの一部と中継ノードＮ２２の一部とが第３絶縁層Ｌ３を挟持することにより、容量素子１３７が形成される。すなわち、中継ノードＮ２２は、容量素子１３７の一端として機能し、分岐部１１７ａは、容量素子１３７の他端として機能する。

また、図４に示すように、中継ノードＮ３１は、平面視したときに、中継ノードＮ２１の一部と中継ノードＮ３１の一部とが互いに重なり合うように設けられる。そして、中継ノードＮ２１の一部と中継ノードＮ３１の一部とが第３絶縁層Ｌ３を挟持することにより、容量素子１３５が形成される。すなわち、中継ノードＮ２１は、容量素子１３５の第１電極として機能し、中継ノードＮ３１は、容量素子１３５の第２電極として機能する。

なお、図示は省略するが、中継ノードＳａ３は、平面視したときに、後に形成されるｊ列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成され、中継ノードＳｂ３は、平面視したときに、後に形成される（ｊ＋１）列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成される。

図５に示すように、中継ノードＮ３２は、第３絶縁層Ｌ３を貫通するコンタクトホールＨ３１を介して、中継ノードＮ２３に電気的に接続される。同様に、中継ノードＮ３３は、コンタクトホールＨ３２を介して、中継ノードＮ２４に電気的に接続され、中継ノードＮ３４は、コンタクトホールＨ３３を介して、中継ノードＮ２５に電気的に接続され、中継ノードＮ３５は、コンタクトホールＨ３４を介して、中継ノードＮ２１に電気的に接続され、中継ノードＮ３６は、コンタクトホールＨ３５を介して、中継ノードＮ２６に電気的に接続され、中継ノードＮ３７は、コンタクトホールＨ３６を介して、中継ノードＮ２７に電気的に接続される。
また、図６に示すように、中継ノードＳａ３は、第３絶縁層Ｌ３を貫通するコンタクトホールＨｓａ３を介して、中継ノードＳａ２に電気的に接続される。同様に、中継ノードＳｂ３は、コンタクトホールＨｓｂ３を介して、中継ノードＳｂ２に電気的に接続される。

図５及び図６に示すように、中継ノードＮ３１〜Ｎ３７、Ｓａ３、Ｓｂ３、分岐部１１７ａ、１１７ｂ、給電線１１７、及び、第３絶縁層Ｌ３を覆うように、第４絶縁層Ｌ４が形成される。第４絶縁層Ｌ４の表面には、導電性の材料からなる配線層をパターニングすることにより、中継ノードＮ４１〜Ｎ４３、中継ノードＳａ４、Ｓｂ４、電源線１１６、及び、分岐部１１６ａがそれぞれ形成される。なお、以下では、これら第４絶縁層Ｌ４の表面に形成される複数の要素を、第４配線層と総称する場合がある。

図４に示すように、電源線１１６は、Ｘ方向に延在するとともに、画素回路１１０毎にＹ方向に分岐した部分（分岐部１１６ａ）を有する。

図５に示すように、中継ノードＮ４３は、第４絶縁層Ｌ４を貫通するコンタクトホールＨ４１を介して、中継ノードＮ３２に電気的に接続される。
また、中継ノードＮ４１は、コンタクトホールＨ４２を介して中継ノードＮ３３に電気的に接続されるとともに、コンタクトホールＨ４３を介して中継ノードＮ３４に電気的に接続され、コンタクトホールＨ４４を介して中継ノードＮ３５に電気的に接続される。このため、トランジスター１４０のゲート１４０ｇは、中継ノードＮ１１、Ｎ２５、Ｎ３４、Ｎ４１、Ｎ３３、及びＮ２４を介してトランジスター１３０のソース領域１３０ｓに電気的に接続されるとともに、中継ノードＮ１１、Ｎ２５、Ｎ３４、Ｎ４１、及びＮ３５を介して中継ノードＮ２１（容量素子１３５の第１電極）に電気的に接続される。
すなわち、中継ノードＮ１１、Ｎ２５、Ｎ３４、Ｎ４１、Ｎ３３、Ｎ２４、Ｎ３５、及びＮ２１と、これらを接続するコンタクトホールとは、トランジスター１４０のゲートノードｇ（第１接続配線）に該当する。

中継ノードＮ４２は、コンタクトホールＨ４５を介して中継ノードＮ３１に電気的に接続されるとともに、コンタクトホールＨ４６を介して中継ノードＮ３６に電気的に接続される。このため、トランジスター１４０のソース領域１４０ｓは、
中継ノードＮ２６、Ｎ３６、及びＮ４２を介して中継ノードＮ３１（容量素子１３５の第２電極）に電気的に接続されるとともに（図５参照）、中継ノードＮ２６、Ｎ３６、及びＮ４２を介して中継ノードＮ２２（容量素子１３７の一端）に電気的に接続される（図４参照）。
すなわち、中継ノードＮ２６、Ｎ３６、Ｎ４２、Ｎ３１、及びＮ２２と、これらを接続するコンタクトホールとは、トランジスター１４０のソースノードｓ（第２接続配線）に該当する。
なお、トランジスター１４０のゲート・ソース間の電圧は、容量素子１３５により保持される。すなわち、トランジスター１４０のゲートノードｇ（第１接続配線）とソースノードｓ（第２接続配線）とは、トランジスター１４０のゲート・ソース間の電圧を保持する電位保持部に相当する。

分岐部１１６ａは、コンタクトホールＨ４７を介して中継ノードＮ３７に電気的に接続される。このため、トランジスター１４０のドレイン領域１４０ｄは、中継ノードＮ２７、Ｎ３７、及び分岐部１１６ａを介して、電源線１１６に電気的に接続される。すなわち、中継ノードＮ２７、Ｎ３７、及び分岐部１１６ａと、これらを接続するコンタクトホールとは、トランジスター１４０のドレインノードｄに該当する。

また、図４に示すように、中継ノードＳａ４は、平面視したときに、後に形成されるｊ列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成される。また、中継ノードＳｂ４は、平面視したときに、後に形成される（ｊ＋１）列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成される。

図６に示すように、中継ノードＳａ４は、第４絶縁層Ｌ４を貫通するコンタクトホールＨｓａ４を介して、中継ノードＳａ３に電気的に接続されるとともに、第４絶縁層Ｌ４を貫通するコンタクトホールＨａを介して、分岐部１１７ａに電気的に接続される。同様に、中継ノードＳｂ４は、コンタクトホールＨｓｂ４を介して、中継ノードＳｂ３に電気的に接続されるとともに、コンタクトホールＨｂを介して、分岐部１１７ｂに電気的に接続される。
また、図６に示すように、コンタクトホールＨｓａ４は、平面視したときに、後に形成されるｊ列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成され、コンタクトホールＨｓｂ４は、平面視したときに、後に形成される（ｊ＋１）列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成される。
なお、上述した、コンタクトホールＨｓａ２、Ｈｓａ３、Ｈｓｂ２、及びＨｓｂ２についても、コンタクトホールＨｓａ４及びＨｓｂ４と同様に、データ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成される。

図５及び図６に示すように、中継ノードＮ４１〜Ｎ４３、Ｓａ４、Ｓｂ４、電源線１１６、分岐部１１６ａ、及び、第４絶縁層Ｌ４を覆うように、第５絶縁層Ｌ５が形成される。第５絶縁層Ｌ５の表面には、導電性の材料からなる配線層をパターニングすることにより、中継ノードＮ５１、中継ノードＳａ５、Ｓｂ５、及び、データ線１１４がそれぞれ形成される。なお、以下では、これら第５絶縁層Ｌ５の表面に形成される複数の要素を、第５配線層と総称する場合がある。

図４に示すように、データ線１１４は、Ｙ方向に延在する。なお、図４において示される２本のデータ線１１４のうち、左側（Ｘ方向の負側）に位置するデータ線１１４は、ｊ列目のデータ線１１４であり、右側（Ｘ方向の正側）に位置するデータ線１１４は、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４である。

図５に示すように、ｊ列目のデータ線１１４は、第５絶縁層Ｌ５を貫通するコンタクトホールＨ５１を介して、中継ノードＮ４３に電気的に接続される。このため、トランジスター１３０のドレイン領域１３０ｄは、中継ノードＮ２３、Ｎ３２、及びＮ４３を介してｊ列目のデータ線１１４に電気的に接続される。すなわち、中継ノードＮ２３、Ｎ３２、及びＮ４３と、これらを接続するコンタクトホールとは、トランジスター１３０のドレインノードＤに該当する。

また、図４に示すように、中継ノードＳａ５は、平面視したときに、ｊ列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成される。中継ノードＳｂ５は、平面視したときに、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成される。なお、中継ノードＳａ５及び中継ノードＳｂ５は、データ線１１４と同一の配線層（第５配線層）に形成される第１中継電極に相当する。

図６に示すように、中継ノードＳａ５は、第５絶縁層Ｌ５を貫通するコンタクトホールＨｓａ５を介して、中継ノードＳａ４に電気的に接続される。同様に、中継ノードＳｂ５は、コンタクトホールＨｓｂ５を介して、中継ノードＳｂ４に電気的に接続される。
また、コンタクトホールＨｓａ５は、平面視したときに、ｊ列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成され、コンタクトホールＨｓｂ５は、平面視したときに、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４に沿って、Ｙ方向に長手が延在する矩形に形成される。

このように、中継ノードＳａ１〜Ｓａ５及びコンタクトホールＨｓａ２〜Ｈｓａ５は、コンタクトホールＨａ及び分岐部１１７ａを介して給電線１１７と電気的に接続する。そのため、中継ノードＳａ１〜Ｓａ５及びコンタクトホールＨｓａ２〜Ｈｓａ５は、ゲート１４０ｇを含む中継ノードＮ１１と、中継ノードＮ２１、Ｎ２２とを、ｊ列目のデータ線１１４から電気的にシールドする第１シールド部Ｓａとして機能する。
なお、第１シールド部Ｓａのうち、中継ノードＳａ１〜Ｓａ５の各々を中継電極と称する場合があり、また、中継ノードＳａ１〜Ｓａ５を接続するコンタクトホールＨｓａ２〜Ｈｓａ５を接続部と称する場合がある。すなわち、第１シールド部Ｓａは、複数の中継電極と、接続部とを備える。
また、中継ノードＳｂ１〜Ｓｂ５及びコンタクトホールＨｓｂ２〜Ｈｓｂ５は、コンタクトホールＨｂ及び分岐部１１７ｂを介して給電線１１７と電気的に接続する。そのため、中継ノードＳｂ１〜Ｓｂ５及びコンタクトホールＨｓｂ２〜Ｈｓｂ５は、ゲート１４０ｇを含む中継ノードＮ１１と、中継ノードＮ２１、Ｎ２２とを、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４から電気的にシールドする第２シールド部Ｓｂとして機能する。
なお、第２シールド部Ｓｂのうち、中継ノードＳｂ１〜Ｓｂ５の各々を中継電極と称する場合があり、また、中継ノードＳｂ１〜Ｓｂ５を接続するコンタクトホールＨｓｂ２〜Ｈｓｂ５を接続部と称する場合がある。すなわち、第２シールド部Ｓｂは、複数の中継電極と、接続部とを備える。

ここで、図７を参照しつつ、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂの形状を詳述する。図７は、図４と同様に、ｉ行ｊ列の画素回路１１０を平面視したときの配線構造を示す図である。
図７に示すように、第１シールド部Ｓａ（中継ノードＳａ１〜Ｓａ５及びコンタクトホールＨｓａ２〜Ｈｓａ５）及び第２シールド部Ｓｂ（中継ノードＳｂ１〜Ｓｂ５及びコンタクトホールＨｓｂ２〜Ｈｓｂ５）は、それぞれ、Ｙ方向において、範囲ΔＹ１を包含する範囲ΔＹｓを含むように設けられる。ここで、範囲ΔＹ１とは、図７のＹ方向において、トランジスター１４０のゲート１４０ｇが存在する範囲である。従って、図７に示すＦ１−ｆ１線で切断した切断面、及び、Ｆ２−ｆ２線で切断した切断面は、図６に示すＦ−ｆ線で切断した切断面と等しくなる。すなわち、データ線１１４と直交し、且つ、トランジスター１４０のゲート１４０ｇを含むように画素回路１１０を切断した切断面を第１切断面としたとき、図６は、任意の第１切断面における部分断面図を表す。換言すれば、任意の第１切断面において、第１シールド部Ｓａ（中継ノードＳａ１〜Ｓａ５及びコンタクトホールＨｓａ２〜Ｈｓａ５）と、第２シールド部Ｓｂ（中継ノードＳｂ１〜Ｓｂ５及びコンタクトホールＨｓｂ２〜Ｈｓｂ５）とが現れる。
図６に示す任意の第１切断面において、ｊ列目のデータ線１１４及びゲート１４０ｇを結ぶ線分Ｌｎ１と、第１シールド部Ｓａとは交差する。従って、任意の第１切断面において断面視した場合、第１シールド部Ｓａは、ｊ列目のデータ線１１４とゲート１４０ｇとの間に設けられる。また、図４に示すように、平面視した場合、ｊ列目のデータ線１１４とゲート１４０ｇとの間には、第１シールド部Ｓａが設けられる。従って、第１シールド部Ｓａは、平面視した場合も、断面視した場合も、ゲート１４０ｇを、ｊ列目のデータ線１１４からシールドする。
同様に、任意の第１切断面において、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４及びゲート１４０ｇを結ぶ線分Ｌｎ２と、第２シールド部Ｓｂとは交差する。従って、任意の第１切断面において断面視した場合、第２シールド部Ｓｂは、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４とゲート１４０ｇとの間に設けられる。また、図４に示すように、平面視した場合、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４とゲート１４０ｇとの間には、第２シールド部Ｓｂが設けられる。
従って、第２シールド部Ｓｂは、平面視した場合も、断面視した場合も、ゲート１４０ｇを、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４からシールドする。

図５及び図６に示すように、中継ノードＮ５１、中継ノードＳａ５、Ｓｂ５、データ線１１４、及び、第５絶縁層Ｌ５を覆うように、第６絶縁層Ｌ６が形成される。第６絶縁層Ｌ６の表面には、アルミニウムやＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの導電性を有する配線層をパターニングすることによって、発光素子１５０の陽極が形成される。発光素子１５０の陽極は、画素回路１１０毎に個別の画素電極であり、第６絶縁層Ｌ６を貫通するコンタクトホールＨ６１を介して中継ノードＮ５１に電気的に接続される。すなわち、発光素子１５０の陽極は、図５に示すように、中継ノードＮ５１、Ｎ４２、Ｎ３６、及びＮ２６を介して、トランジスター１４０のソース領域１４０ｓに電気的に接続される。
電気光学装置１のうち、発光素子１５０の陽極以降の構造については図示省略するが、発光素子１５０の陽極の上には、画素回路１１０毎に区分けされて、有機ＥＬ材料からなる発光層が積層される。そして、発光層の上には、複数の画素回路１１０の全てにわたって共通の透明電極である陰極（共通電極１１８）が設けられる。すなわち、発光素子１５０は、互いに対向する陽極と陰極とで発光層を挟持し、陽極から陰極に向かって流れる電流に応じた輝度にて発光する。発光素子１５０が発する光のうち、基板２とは反対方向（すなわち、図５において上方向）に向かう光が、観察者に映像として視認される（トップエミッション構造）。このほかにも、発光層を大気から遮断するための封止材などが設けられるが、説明は省略する。

本実施形態に係る電気光学装置１において、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂを設けたことによる効果について言及する前に、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂを有しない対比例での問題点について説明する。
図１６は、対比例に係る画素回路１１０ａの構成を示す平面図であり、図１７は、図１６におけるＺ−ｚ線で切断した部分断面図である。対比例に係る画素回路１１０ａは、図６に示した実施形態に係る画素回路１１０のような第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂを有さない。このため、データ線１１４の電位が変動すると、図１７に示されるように当該電位変動がトランジスター１４０のゲート１４０ｇや、中継ノードＮ２２等に伝播する。中継ノードＮ２２は中継ノードＮ４２を介してトランジスター１４０のソース領域１４０ｓに接続されている。従って、ｊ列の画素回路１１０ａでみたときに、自身に対応するｊ列目のみならず、隣り合う（ｊ＋１）列目のデータ線１１４が電位変動したときに、当該電位変動がトランジスター１４０のゲート１４０ｇ及びソース領域１４０ｓに伝播し、トランジスター１４０のゲート・ソース間にセットされた電圧を変動させて、表示品位を大きく低下させる要因となる。

これに対して、本実施形態に係る画素回路１１０は、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂを備える。
第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂには、給電線１１７を介して、ランプ信号Ｖrmp(i)が供給される。上述したとおり、電位Ｖxと電位Ｖrefとの差は微小である。しかも、電源線駆動回路２２０は、ランプ信号Ｖrmp(i)を、ｉ行目の走査線１１２の走査期間の開始時から終了時までの間、電位Ｖxから電位Ｖrefに直線的に緩やかに減少させ、また、ｉ行目の走査線１１２の走査期間の終了時から次のｉ行目の走査線１１２の開始時までの間、一定の電位に保つ。従って、このようなランプ信号Ｖrmp(i)が供給される第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂにより、トランジスター１４０のゲート１４０ｇを、ｊ列目のデータ線１１４及び（ｊ＋１）列目のデータ線１１４から電気的にシールドすることが可能になる。
このように、本実施形態では、ｊ列目及び（ｊ＋１）列目のデータ線１１４の電位が変動しても、当該電位変動がトランジスター１４０のゲート１４０ｇに伝播し難くなるので、表示品位の低下を防止することができる。
特に画素サイズの微細化が進むと配線間の距離が狭くなり、隣接する配線の電圧変動の影響を受けやすくなる。このため対比例のようにデータ線が電位変動したときに、当該電位変動がトランジスター１４０のゲート１４０ｇ及びソース領域１４０ｓに伝播する。するとトランジスター１４０のゲート・ソース間にセットされた電圧が変動し、表示品位大きく低下するといった問題が顕著になる。これに対し本実施例のような構成とすることで、データ線の電位変動がトランジスター１４０のゲート１４０ｇ及びソース領域１４０ｓに伝播し、トランジスター１４０のゲート・ソース間にセットされた電圧を変動させることを抑制でき、データ線の電位変動に起因する表示品位の低下を防止するができる。本発明は特に画素サイズが１〜１０μｍ程度の微細画素を有する電気光学装置に対して効果が大きい。

なお、図４及び図６からも明らかなように、中継ノードＮ１１、Ｎ２１、Ｎ２２、Ｎ３１、及びＮ４２は、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂの間に設けられる。従って、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂは、中継ノードＮ４２に電気的に接続されるトランジスター１４０のソースノードｓを、ｊ列目のデータ線１１４及び（ｊ＋１）列目のデータ線１１４からシールドする。これにより、ｊ列目及び（ｊ＋１）列目のデータ線１１４の電位が変動しても、当該電位変動がトランジスター１４０のソースノードｓに伝播し難くなるので、表示品位の低下を防止することができる。

＜変形例＞
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば次に述べるような各種の変形が可能である。また、次に述べる変形の態様は、任意に選択された一または複数を適宜に組み合わせることもできる。

＜変形例１＞
上述した実施形態において、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂには給電線１１７を介してランプ信号Ｖrmp(i)が供給されたが、固定電位が供給されるものであってもよい。
図８は、変形例１に係る電気光学装置の備える画素回路１１０の構成を示す平面図である。変形例１に係る電気光学装置は、１行毎に給電線１１９を備え、給電線１１９には、固定電位が供給される。給電線１１９は、図８に示すように、画素回路１１０毎にＹ方向に分岐した部分（分岐部１１９ａ、分岐部１１９ｂ）を有する。分岐部１１９ａは中継ノードＳａ１に接続され、分岐部１１９ｂは中継ノードＳｂ１に接続される。すなわち、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂは、給電線１１９（及び、分岐部１１９ａ、１１９ｂ）を介して固定電位に設定される。
変形例１に係る画素回路１１０は、固定電位が供給される第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂにより、トランジスター１４０のゲート１４０ｇ及びソース領域１４０ｓを、ｊ列目のデータ線１１４及び（ｊ＋１）列目のデータ線１１４から電気的にシールドすることが可能になる。これにより、ｊ列目及び（ｊ＋１）列目のデータ線１１４の電位が変動しても、当該電位変動がトランジスター１４０のゲート１４０ｇ及びソース領域１４０ｓに伝播し難くなるので、表示品位の低下を防止することができる。

＜変形例２＞
上述した実施形態及び変形例に係る画素回路１１０において、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂは、トランジスター１４０のソース領域１４０ｓ及びゲート１４０ｇをデータ線１１４からシールドするように設けられたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部は、ソースノードｓ及びゲートノードｇをデータ線１１４からシールドするように設けられてもよい。
図９は、変形例２に係る画素回路１１０の構成を示す平面図であり、図１０は、変形例２に係る画素回路１１０が備える第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂの設けられる範囲を説明するための説明図である。
図１０に示すように、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂは、それぞれ、図１０のＹ方向において、範囲ΔＹ２を包含する範囲ΔＹｓ２を含むように設けられる。ここで、範囲ΔＹ２とは、図１０のＹ方向において、電位保持部（トランジスター１４０のゲートノードｇ及びソースノードｓ）が存在する範囲である。すなわち、変形例２に係る画素回路１１０は、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂの間に、トランジスター１４０のゲートノードｇ（すなわち、中継ノードＮ１１、Ｎ２１、Ｎ４１、Ｎ２４、Ｎ２５、Ｎ３３、Ｎ３４、Ｎ３５、及び、これらを接続するコンタクトホール）と、トランジスター１４０のソースノードｓ（すなわち、中継ノードＮ２２、Ｎ３１、Ｎ４２、Ｎ２６、Ｎ３６、及び、これらを接続するコンタクトホール）とが設けられる。
よって、変形例２に係る画素回路１１０を平面視した場合、ｊ列目のデータ線１１４と電位保持部との間には、第１シールド部Ｓａが設けられ、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４と電位保持部との間には、第２シールド部Ｓｂが設けられる。
また、データ線１１４と直交し、且つ、電位保持部を含むように画素回路１１０を切断した切断面を第２切断面としたとき、任意の第２切断面において、ｊ列目のデータ線１１４及び電位保持部を結ぶ線分と、第１シールド部Ｓａとは交差し、（ｊ＋１）列目のデータ線１１４及び電位保持部を結ぶ線分と、第２シールド部Ｓｂとは交差する。従って、平面視した場合も、断面視した場合も、第１シールド部Ｓａは電位保持部をｊ列目のデータ線１１４からシールドし、第２シールド部Ｓｂは電位保持部を（ｊ＋１）列目のデータ線１１４からシールドする。
これにより、ｊ列目及び（ｊ＋１）列目のデータ線１１４の電位が変動しても、当該電位変動が電位保持部（ソースノードｓ及びゲートノードｇ）に伝播し難くなるので、表示品位の低下を防止することができる。

＜変形例３＞
上述した実施形態及び変形例において、画素回路１１０は、第１シールド部Ｓａ及び第２シールド部Ｓｂを備えるものであったが、画素回路１１０は、第２シールド部Ｓｂを備えず、第１シールド部Ｓａのみを備えるものであってもよい。
図１１は、変形例３に係る画素回路１１０の構成を示す平面図である。変形例３に係る画素回路１１０は、トランジスター１４０のゲート１４０ｇ及びソース領域１４０ｓとｊ列目のデータ線１１４との間に、第１シールド部Ｓａを備えるが、ゲート１４０ｇ及びソース領域１４０ｓと（ｊ＋１）列目のデータ線１１４との間には、シールド部を有さない。この場合であっても、ｊ列目のデータ線１１４の電位変動が、トランジスター１４０のゲート１４０ｇ及びソース領域１４０ｓに伝播し難くなるので、表示品位の低下を防止することができる。

＜変形例４＞
上述した実施形態及び変形例において、コンタクトホールＨｓａ２〜Ｈｓａ５の各々は、１つのコンタクトホールであったが、例えば、図１２に示すように、コンタクトホールＨｓａ２〜Ｈｓａ５の各々を、それぞれ複数個のコンタクトホールとしてもよい。この場合であっても、ｊ列目のデータ線１１４の電位変動が、トランジスター１４０のゲート１４０ｇ及びソース領域１４０ｓに伝播し難くなるので、表示品位の低下を防止することができる。
同様に、コンタクトホールＨｓｂ２〜Ｈｓｂ５の各々を、それぞれ複数個のコンタクトホールとしてもよい。

＜変形例５＞
上述した実施形態及び変形例では、給電線１１７に供給されるランプ信号の電位は、直線的に減少しているが、これに限らず、給電線１１７に出力される電位の変化の態様は任意である。例えば給電線１１７に出力される電位の波形が曲線状であってもよい。要するに、給電線１１７に出力される電位は、トランジスター１４０にセット電流を流すのであれば、セット期間から書込期間にかけて時間経過とともに変化するものであればよい。また、移動度の補償が重要視されないのであれば、セット電流を流す必要が少ないので、給電線１１７を定電位とする構成、すなわちＤＣを供給する構成としてもよい。

＜変形例６＞
上述した実施形態及び変形例では、基板２としてガラスやプラスチック等の各種絶縁性材料からなる板状の部材を用いたが、基板２に半導体基板を用いてもよい。

＜変形例７＞
上述した実施形態及び変形例では、画素回路１１０におけるトランジスター１３０及びトランジスター１４０をＮチャネル型で統一したが、Ｐチャネル型で統一しても良い。また、Ｐチャネル型およびＮチャネル型を適宜組み合わせても良い。

＜変形例８＞
上述した実施形態及び変形例に係る画素回路１１０は、第１配線層から第５配線層までの５つの配線層を備えるが、本発明はこのような形態に限定されるものではなく、「５」よりも少ない配線層により構成されてもよい。例えば、第２配線層と第３配線層とを同層としてもよい。この場合、例えば、中継ノードＮ２１、Ｎ２２を第１配線層に設けてもよい。また、例えば、第４配線層と第５配線層とを同層としてもよい。この場合、例えば、電源線１１６を第１配線層または第２配線層に設けてもよい。また、第３配線層、第４配線層、及び、第５配線層を同層としてもよい。この場合、例えば、電源線１１６及び給電線１１７を第１配線層または第２配線層に設けてもよい。
また、第１配線層から第５配線層までの５つの配線層及び、第１絶縁層から第６絶縁層までの６つの絶縁層以外の層を設けるものであってもよい。例えば、第１配線層と基板２との間に、遮光層を別途設けてもよい。また、例えば、中継ノードＮ１１（ゲート１４０ｇ）を含む第１配線層よりも基板２側に、配線層（以下、「第０配線層」と称する）を設けてもよいし、データ線１１４を含む第５配線層よりも発光素子１５０の陽極側に配線層（以下、「第６配線層」と称する）を別途設けてもよい。

＜変形例９＞
上述した実施形態及び変形例では、第１シールド部Ｓａ（及び、第２シールド部Ｓｂ）は、第１配線層から第５配線層にかけて設けられたが、本発明はこのような形態に限定されるものではなく、第１配線層乃至第５配線層のうちの一部の配線層にのみ形成されるものであってもよい。
さらに、上述した変形例８のように、画素回路１１０が第１配線層から第５配線層までの５つの配線層以外の配線層を有する場合には、第１シールド部Ｓａ（第２シールド部Ｓｂ）も、第１配線層から第５配線層までの５つの配線層以外の配線層を含むように形成されてもよい。例えば、第１シールド部Ｓａ（第２シールド部Ｓｂ）は、第０配線層から第６配線層にかけて設けられるものであってもよい。
いずれにしても、任意の第１切断面において、データ線１１４及びゲート１４０ｇを結ぶ線分Ｌｎ１（Ｌｎ２）と第１シールド部Ｓａ（第２シールド部Ｓｂ）とが交差するように、第１シールド部Ｓａ（第２シールド部Ｓｂ）を設ければよい。この場合、任意の第２切断面において、データ線１１４及び電位保持部を結ぶ線分と第１シールド部Ｓａ（第２シールド部Ｓｂ）とが交差するように、第１シールド部Ｓａ（第２シールド部Ｓｂ）を設けてもよい。

＜変形例１０＞
上述した実施形態及び変形例は、第１シールド部Ｓａを、複数の中継ノードＳａ１〜Ｓａ５と、これら複数の中継ノードの各々を電気的に接続する複数のコンタクトホールＨｓａ２〜Ｈｓａ５とにより形成するものであったが、本発明はこのような形態に限定されるものではなく、第１シールド部Ｓａの一部または全部を、コンタクトプラグにより形成するものであってもよい。
図１８は、変形例１０に係る画素回路１１０を、データ線１１４と直交し且つトランジスター１４０のゲート１４０ｇを含む第１切断面で切断した断面図である。図１８に示すように、変形例１０に係る第１シールド部Ｓａは、中継ノードＳａ２及び中継ノードＳａ３を備える代わりに、コンタクトホールＨｓａ２、Ｈｓａ３、Ｈｓａ４を介して、中継ノードＳａ１及び中継ノードＳａ４を電気的に接続するコンタクトプラグＣＰａを備える点で、図６に示した実施形態に係る第１シールド部Ｓａと相違する。コンタクトプラグＣＰａは、図１８に示すように、平面視した場合に同一の位置に設けられる複数のコンタクトホールに導電性材料を注入することにより設けられる。従って、コンタクトプラグＣＰａは、断面視した場合、図１８に示すように、厚み方向（図におけるＺ方向）に長辺を有し、横方向（図におけるＸ方向）に短辺を有する長方形の形状となる。
なお、図１８に示す第１シールド部Ｓａは、図６に示す中継ノードＳａ２、Ｓａ３をコンタクトプラグＣＰａに代替した構成であるが、図６に示す中継ノードＳａ１〜Ｓａ５の全てをコンタクトプラグＣＰａに代替して第１シールド部Ｓａを形成してもよい。この場合、第１シールド部Ｓａの横方向（図４等におけるＸ方向）の幅を、実施形態に係る第１シールド部Ｓａに比べて狭くすることができるため、画素回路１１０の更なる小型化が可能となる。
また、図１８に示すように、第２シールド部Ｓｂの一部または全部を、コンタクトプラグＣＰｂにより形成してもよい。

＜変形例１１＞
上述した実施形態及び変形例に係る画素回路１１０は、トランジスター１３０、１４０、容量素子１３５、１３７、及び発光素子１５０を備えたが、本発明はこのような形態に限定されるものではなく、例えば、容量素子１３７を備えないものであってもよい。

＜変形例１２＞
発光素子１５０としては、ＯＬＥＤのほか、無機ＥＬ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子など、電流に応じた輝度で発光する素子が適用可能である。

＜応用例＞
次に、実施形態に係る電気光学装置１を用いた電子機器について例を挙げて説明する。
図１３は、上述した実施形態に係る電気光学装置１を表示装置に適用した電子機器（その１）としてのパーソナルコンピューターの外観を示す図である。パーソナルコンピューター２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。
電気光学装置１において、発光素子１５０にＯＬＥＤを使用した場合、視野角が広く見易い画面表示が可能になる。

図１４は、実施形態に係る電気光学装置１を表示装置に適用した電子機器（その２）である携帯電話機の外観を示す図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１や方向キー３００２などのほか、受話口３００３、送話口３００４とともに上述した電気光学装置１を備える。方向キー３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールする。

図１５は、実施形態に係る電気光学装置１を表示装置に適用した電子機器（その３）としての携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の外観を示す図である。携帯情報端末４０００は、複数の操作ボタン４００１や方向キー４００２などのほか、上述した電気光学装置１を備える。携帯情報端末４０００では、所定の操作によって住所録やスケジュール帳などの各種の情報が電気光学装置１に表示されるとともに、表示された情報が方向キー４００２の操作に応じてスクロールする。

なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１３から図１５までに示した例のほか、テレビ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。特にマイクロディスプレイとしては、ヘッドマウントディスプレイや、デジタルスチルカメラまたはビデオカメラの電子ビューファインダーなどが挙げられる。

１…電気光学装置、１１０…画素回路、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…電源線、１１７…給電線、１１８…共通電極、１３０…トランジスター、１３５、１３７…容量素子、１４０…トランジスター、１５０…発光素子、２１０…走査線駆動回路、２２０…電源線駆動回路、２３０…データ線駆動回路、Ｓａ…第１シールド部、Ｓｂ…第２シールド部、１４０ｓ…ソース領域、１４０ｇ…ゲート、ｓ…ソースノード、ｇ…ゲートノード。

Claims (10)

1. 第１の方向に延在する走査線と、
   前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する第１データ線と、
   前記第２の方向に延在する第２データ線と、
   前記走査線と前記第１データ線との交差に対応し、且つ、前記第１データ線及び前記第２データ線の間に設けられた画素回路と、
   を備え、
   前記画素回路は、
   駆動トランジスターと、
   前記第１データ線及び前記駆動トランジスターのゲートの間に電気的に接続された書込トランジスターと、
   前記駆動トランジスターのゲートに接続された第１保持容量と、
   前記駆動トランジスターより供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、
   導電性の材料よりなる第１シールド部と、
   導電性の材料よりなる第２シールド部と、
   を有し、
   前記第１データ線と直交し前記駆動トランジスターのゲートを含むように前記画素回路を切断した任意の第１切断面において、
   前記第１シールド部は、
   前記駆動トランジスターのゲート及び前記第１データ線を結ぶ線分と交差し、
   前記第２シールド部は、
   前記駆動トランジスターのゲート及び前記第２データ線を結ぶ線分と交差する、
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１シールド部は、前記駆動トランジスターのゲートと前記第１データ線との間に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１シールド部は、前記駆動トランジスターのゲートと前記第１データ線との間の層のうち、少なくとも２層に配置された前記導電性の材料により形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１シールド部は、
   前記第１データ線と同一の配線層に形成された第１中継電極、及び、前記駆動トランジスターのゲートと同一の配線層に形成された第２中継電極、を含む複数の中継電極と、前記複数の中継電極を接続する接続部と、を備え、
   前記中継電極及び前記接続部は、
   前記任意の第１切断面と交差する、
   ことを特徴とする、請求項１または２に記載の電気光学装置。
5. 前記接続部は、
   複数のコンタクトホールを備え、
   前記複数の中継電極のうち、互いに隣り合う配線層に形成される２つの中継電極は、
   複数の前記コンタクトホールのうち、１つのコンタクトホールにより接続され、
   当該の１つのコンタクトホールは、
   前記任意の第１切断面と交差する、
   ことを特徴とする、請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記第１保持容量は、
   前記駆動トランジスターのゲートに電気的に接続される第１電極、及び、前記駆動トランジスターのソースに電気的に接続される第２電極によって形成され、
   前記駆動トランジスターのゲートと前記第１電極とを電気的に接続する第１接続配線及び、前記駆動トランジスターのソースと前記第２電極とを電気的に接続する第２接続配線を電位保持部としたとき、
   前記第１シールド部は、
   前記第１データ線と直交し前記電位保持部を含むように前記画素回路を切断した任意の第２切断面において、
   前記電位保持部及び前記第１データ線を結ぶ線分と交差する、
   ことを特徴とする、請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 前記第１シールド部には、固定電位が供給される、
   ことを特徴とする、請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
8. 前記画素回路は、
   一端が前記駆動トランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、他端が給電線に電気的に接続された第２保持容量を備え、
   前記発光素子は、
   前記駆動トランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第１シールド部は、
   前記給電線と電気的に接続される、
   ことを特徴とする、請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
9. 前記駆動トランジスターのゲートは、
   前記第１シールド部と前記第２シールド部との間に設けられる、
   ことを特徴とする、請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
10. 請求項１乃至９のいずれかに記載の電気光学装置を備える
    ことを特徴とする電子機器。

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