JP2012233950A - 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】データ信号を分配して供給する構成において、表示品位の低下を抑える。
【解決手段】画素回路110は、トランジスター130、140と保持容量135と発光素子150とを含む。初期化期間において、トランジスター130を導通状態にしてデータ線114に残留する電位をトランジスター140のゲートノードに供給し、これによりトランジスター140のソースノード電位を初期化し、グループ化された例えば3本のデータ線を所定の順番で選択するとともに、グループに対応して出力されたデータ信号を選択されたデータ線に供給する。この後、トランジスター130を再度導通状態にしてデータ線に供給および保持されたデータ信号をトランジスター140のゲートノードに供給する。
【選択図】図1
【解決手段】画素回路110は、トランジスター130、140と保持容量135と発光素子150とを含む。初期化期間において、トランジスター130を導通状態にしてデータ線114に残留する電位をトランジスター140のゲートノードに供給し、これによりトランジスター140のソースノード電位を初期化し、グループ化された例えば3本のデータ線を所定の順番で選択するとともに、グループに対応して出力されたデータ信号を選択されたデータ線に供給する。この後、トランジスター130を再度導通状態にしてデータ線に供給および保持されたデータ信号をトランジスター140のゲートノードに供給する。
【選択図】図1
Description
本発明は、表示品位の低下を抑えた電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器に関する。
近年、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode、以下「OLED」という)などの発光素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。このような電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素回路が設けられる。当該画素回路は、上記発光素子のほか、スイッチングトランジスターと駆動トランジスターとを含む、いわゆる2Tr回路が一般的である(例えば特許文献1参照)。
この2Tr回路において、駆動トランジスターの閾値電圧や移動度などの特性が画素回路毎に異なっていると、表示画面の一様性が損なわれるので、駆動トランジスターの特性を補償する技術が提案されている(例えば特許文献2参照)。
この2Tr回路において、駆動トランジスターの閾値電圧や移動度などの特性が画素回路毎に異なっていると、表示画面の一様性が損なわれるので、駆動トランジスターの特性を補償する技術が提案されている(例えば特許文献2参照)。
ところで、上記技術においては、データ線に対し、駆動トランジスターの特性を補償するための初期電位を与えた後に、データ信号(映像信号)を与えるので、データ線の電位が大きく変動する。上記駆動トランジスターのゲートノードやソースノード(発光素子のアノード)は、データ線に対し寄生容量を介してカップリングしているので、データ線の電位変動は表示に悪影響を及ぼす場合が多い。特に、データ線を複数のa本毎にグループ化するとともに、当該a本のデータ線に対し共通の信号線からデータ信号を順番に分配するデマルチプレクサを有する構成においては、a本のデータ線同士にわたって時間差をもって電位変動する。このため、電位変動の影響がa本のデータ線同士で異なることになり、表示品位を大きく低下させる要因になり得る。
なお、電位変動による影響はa本のデータ線毎に異なるので、具体的にいえば、データ線に沿った表示ムラ、すなわち縦スジとして視認されることになる。
なお、電位変動による影響はa本のデータ線毎に異なるので、具体的にいえば、データ線に沿った表示ムラ、すなわち縦スジとして視認されることになる。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、デマルチプレクサを有する構成においても、縦スジのような表示品位の低下を抑えることが可能な技術を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置にあっては、複数本の走査線と、a(aは2以上の整数)本毎にグループ化された複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路と、前記複数の画素回路を駆動する駆動回路と、を有し、前記複数の画素回路の各々は、発光素子と、ドレインノードが電源線に電気的に接続され、ゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートノードとデータ線との間で導通状態が制御されるスイッチングトランジスターと、を含み、前記駆動回路は、前記電源線の電位を一方側にするとともに、前記駆動トランジスターのゲートノードに、前記データ線および前記スイッチングトランジスターを介し前記データ線に残留する電位を供給して、前記駆動トランジスターのソースノードの電位を初期化し、前記グループ化されたa本のデータ線を所定の順番で選択するとともに、各グループに対応して出力されたデータ信号を各グループで選択されたデータ線に供給し、前記データ線に供給されたデータ信号を、前記スイッチングトランジスターを介し前記駆動トランジスターのゲートノードに供給することを特徴とする。
本発明によれば、データ線に残留する電位によって初期化を実行するので、同じ階調(または近い階調)が連続するような場合であれば、データ線の電位は変動しない(変動が小さい)。このため、データ線の電位変動に起因する表示品位の低下を抑えることが可能になる。
本発明において、前記データ線に残留する電位は、直前に供給されたデータ信号の電位、すなわち、1水平走査期間前に、各グループで選択したデータ線に供給したデータ信号の電位であることが好ましい。
本発明によれば、データ線に残留する電位によって初期化を実行するので、同じ階調(または近い階調)が連続するような場合であれば、データ線の電位は変動しない(変動が小さい)。このため、データ線の電位変動に起因する表示品位の低下を抑えることが可能になる。
本発明において、前記データ線に残留する電位は、直前に供給されたデータ信号の電位、すなわち、1水平走査期間前に、各グループで選択したデータ線に供給したデータ信号の電位であることが好ましい。
また、上記目的は、複数本の走査線と、a(aは2以上の整数)本毎にグループ化された複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路と、前記複数の画素回路を駆動する駆動回路と、を有し、前記複数の画素回路の各々は、発光素子と、ドレインノードが電源線に電気的に接続され、ゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートノードとデータ線との間で導通状態が制御されるスイッチングトランジスターと、を含み、前記駆動回路は、前記グループ化されたa本のデータ線を所定の順番で選択して各グループに対応して出力されたデータ信号を各グループで選択されたデータ線に供給するとともに、前記電源線の電位を一方側にして、前記駆動トランジスターのゲートノードに、前記スイッチングトランジスターを介し前記データ線に供給された電位を供給して、前記駆動トランジスターのソースノードの電位を初期化し、その後、前記スイッチングトランジスターを再度導通状態にして前記データ線に残留するデータ信号の電位を前記駆動トランジスターのゲートノードに供給する電気光学装置によっても達成し得る。
この電気光学装置によれば、データ線に供給されたデータ信号、すなわち自身の画素回路に向けて供給されるデータ信号の電位によって初期化するので、データ線の電位が前行の走査時から変化する場合であっても、その電位変動の影響を受けにくくなる。このため、データ線の電位変動に起因する表示品位の低下を抑えることが可能になる。
この電気光学装置によれば、データ線に供給されたデータ信号、すなわち自身の画素回路に向けて供給されるデータ信号の電位によって初期化するので、データ線の電位が前行の走査時から変化する場合であっても、その電位変動の影響を受けにくくなる。このため、データ線の電位変動に起因する表示品位の低下を抑えることが可能になる。
これらの電気光学装置において、前記制御回路は、前記初期化の後に、前記駆動トランジスターのゲートノードおよびソースノード間に当該駆動トランジスターの閾値電圧に相当する電圧を保持させる構成としても良い。この構成によれば、駆動トランジスターの閾値電圧が画素回路毎にばらついても、そのバラツキを補償することができる。
なお、本発明は、電気光学装置のほか、電気光学装置の駆動方法や、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。電子機器は、典型的には表示装置であり、電子機器としてはパーソナルコンピューターや携帯電話機が挙げられる。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は、表示装置に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置(光ヘッド)にも適用可能である。
なお、本発明は、電気光学装置のほか、電気光学装置の駆動方法や、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。電子機器は、典型的には表示装置であり、電子機器としてはパーソナルコンピューターや携帯電話機が挙げられる。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は、表示装置に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置(光ヘッド)にも適用可能である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。この図に示されるように、この電気光学装置1は、表示部100、制御回路200、走査線駆動回路210、電源線駆動回路220、データ信号供給回路230およびデマルチプレクサ240に大別される。
このうち、表示部100には、本実施形態ではm行の走査線112が図において横方向に延在して設けられ、また、3列毎にグループ化された計(3n)列のデータ線114が図において縦方向に延在し、かつ、各走査線112と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。ここで、m、nは、いずれも自然数である。
また、表示部100には、1行毎に個別の電源線116が設けられている。
図1は、本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。この図に示されるように、この電気光学装置1は、表示部100、制御回路200、走査線駆動回路210、電源線駆動回路220、データ信号供給回路230およびデマルチプレクサ240に大別される。
このうち、表示部100には、本実施形態ではm行の走査線112が図において横方向に延在して設けられ、また、3列毎にグループ化された計(3n)列のデータ線114が図において縦方向に延在し、かつ、各走査線112と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。ここで、m、nは、いずれも自然数である。
また、表示部100には、1行毎に個別の電源線116が設けられている。
画素回路110は、m行の走査線112と(3n)列のデータ線114との交差部に対応して、それぞれ設けられている。このうち、同一行の走査線112と、同一グループに属する3列のデータ線114との交差に対応した3つの画素回路110は、表示すべき画像の1ドット(画素)を表現するものであり、それぞれR(赤)、G(緑)、B(青)のサブ画素に相当する。換言すれば、本実施形態は、RGBの3つの画素回路110による加法混色で1ドットの色を表現する構成になっている。このため、表示部100で表示される画像は、ドットでみれば縦m行×横n列の配列である。
ドットの列を一般化して説明するために、1以上n以下の整数jを用いると、図1において左から数えて(3j−2)列目、(3j−1)列目および(3j)列目のデータ線114は、それぞれj番目のブロックに属し、かつ、R、G、Bの系列である、ということになる。
ドットの列を一般化して説明するために、1以上n以下の整数jを用いると、図1において左から数えて(3j−2)列目、(3j−1)列目および(3j)列目のデータ線114は、それぞれj番目のブロックに属し、かつ、R、G、Bの系列である、ということになる。
制御回路200は、走査線駆動回路210、電源線駆動回路220、データ信号供給回路230およびデマルチプレクサ240に、各種の制御信号やデータ信号を供給して、これらの各部を制御する。
走査線駆動回路210は、各走査線112に走査信号をそれぞれ供給するものであり、詳細には、フレームの期間において、制御回路200の制御にしたがって1、2、3、…、(m−1)、m行目の走査線112を1行毎に順番に走査するものである。ここで、1、2、3、…、(m−1)、m行目の走査線112に供給される走査信号の電位を、各行で区別するために、それぞれGw(1)、Gw(2)、Gw(3)、…、Gw(m-1)、Gw(m)と表記している。また、フレームの期間とは、電気光学装置1が1カット(コマ)分の画像を表示するのに要する期間をいい、垂直走査周波数が60Hzであれば、その1周期分の16.67ミリ秒の期間である。
電源線駆動回路220は、制御回路200の制御にしたがって1、2、3、…、(m−1)、m行目の電源線116の電源電位を、走査線112の走査に同期して高位側の電位Vel_Hと低位側の電位Vel_Lとで切り替えて供給するものである。ここで、1、2、3、…、(m−1)、m行目の電源線116に供給される電源電位を、各行で区別するために、それぞれVel(1)、Vel(2)、Vel(3)、…、Vel(m-1)、Vel(m)と表記している。
データ信号供給回路230は、1行分の走査線112が走査されるときに、当該走査される走査線112と各ブロックにおける3列のデータ線114との交差に対応する3つの画素回路110の各々で表現すべきサブ画素の階調に応じた電位のデータ信号を、デマルチプレクサ240の分配に同期して出力するものである。なお、便宜的に、1、2、…、n番目のブロックに対応して出力されるデータ信号の電位を、各ブロックで区別するために、それぞれVd(1)、Vd(2)、Vd(3)、…、Vd(n)と表記している。
デマルチプレクサ240は、データ線114毎に設けられたNチャネル型のトランジスター242の集合体であり、各ブロックを構成する3列のデータ線114に対し、各ブロックに対応して供給されたデータ信号を順番に分配するものである。
ここで、R系列のデータ線114に設けられたトランジスター242は、制御信号の電位Sel(R)がHレベルである場合にときにオン(導通)して、データ信号供給回路230から供給されたデータ信号を当該R系列のデータ線114に供給する。同様に、G、B系列のデータ線114に設けられたトランジスター242の各々は、それぞれ制御信号の電位Sel(G)、Sel(B)がHレベルである場合にときにオンして、データ信号供給回路230から供給されたデータ信号を当該G系列、B系列のデータ線114にそれぞれ供給する構成となっている。
なお、トランジスター242については片チャネル型ではなく、P型とN型とを組み合わせた相補型としても良い。
ここで、R系列のデータ線114に設けられたトランジスター242は、制御信号の電位Sel(R)がHレベルである場合にときにオン(導通)して、データ信号供給回路230から供給されたデータ信号を当該R系列のデータ線114に供給する。同様に、G、B系列のデータ線114に設けられたトランジスター242の各々は、それぞれ制御信号の電位Sel(G)、Sel(B)がHレベルである場合にときにオンして、データ信号供給回路230から供給されたデータ信号を当該G系列、B系列のデータ線114にそれぞれ供給する構成となっている。
なお、トランジスター242については片チャネル型ではなく、P型とN型とを組み合わせた相補型としても良い。
各列のデータ線114は、データ信号供給回路230とデマルチプレクサ240とによって駆動されることになるので、データ信号供給回路230とデマルチプレクサ240との両者を合わせたものをデータ線駆動回路として概念することができる。さらに、このようなデータ線駆動回路と走査線駆動回路210と電源線駆動回路220とによって画素回路110が駆動されることになるので、データ信号供給回路230とスイッチ回路240と走査線駆動回路210と電源線駆動回路220とを合わせたものを駆動回路として概念することができる。
各データ線114には、図に示されるようにそれぞれ容量Cpが寄生している。このため、トランジスター242がオンしてデータ線114にデータ信号が供給されると、その後にトランジスター242がオフ(非導通)しても、データ信号の電位が寄生容量Cpによって保持(残留)する構成となっている。
図2を参照して画素回路110について説明する。図2には、i行目及び当該i行目に対し上側で隣り合う(i−1)行目の走査線112と、j番目のブロックに属する3列のデータ線114との交差に対応する2×3の計6個分の画素回路110が示されている。ここで、(i−1)、iは、画素回路110が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、それぞれ1以上m以下の整数である。
図2に示されるように、各画素回路110は、それぞれNチャネル型のトランジスター130、140と、保持容量135と、発光素子150とを有する。各画素回路110の電気的な構成については互いに同一である。
トランジスター130は、スイッチングトランジスターとして機能するものであり、そのゲートノードは走査線112に接続される一方、そのドレインノードはデータ線114に接続され、そのソースノードは保持容量135の一端とトランジスター140のゲートノードとにそれぞれ接続されている。
保持容量135の他端は、トランジスター140のソースノードおよび発光素子150の陽極にそれぞれ接続されている。一方、トランジスター140のドレインノードは、電源線116に接続されている。
トランジスター130は、スイッチングトランジスターとして機能するものであり、そのゲートノードは走査線112に接続される一方、そのドレインノードはデータ線114に接続され、そのソースノードは保持容量135の一端とトランジスター140のゲートノードとにそれぞれ接続されている。
保持容量135の他端は、トランジスター140のソースノードおよび発光素子150の陽極にそれぞれ接続されている。一方、トランジスター140のドレインノードは、電源線116に接続されている。
便宜的に、i行目の走査線112と、j番目のブロックに属する3列のデータ線114との交差に対応するR、G、Bの画素回路110において、トランジスター140のゲートノード(トランジスター130のソースノードおよび保持容量135の一端)をRg、Gg、Bgとそれぞれ表記し、トランジスター140のソースノード(発光素子150の陽極)をRs、Gs、Bsとそれぞれ表記している。また、j番目のブロックに属する3列のR系列、G系列、B系列のデータ線114の電位を、それぞれVd_R(j)、Vd_G(j)、Vd_B(j)と表記している。
発光素子150は、互いに対向する陽極と陰極とで有機EL材料からなる発光層を挟持したOLEDであり、陽極から陰極に向かって流れる電流に応じた輝度にて、対応するRGBのいずれかの色で発光するように構成されている。発光素子150の陰極は、各画素回路110にわたって共通電極118に接続されている。共通電極118には、素子電源の低位側の電位Vctが給電される。容量152は、発光素子150の容量成分である。
表示部100は、一般にガラス基板などの透明性を有する絶縁基板に形成されている。表示部100の画素回路110におけるトランジスター130、140は、例えば薄膜トランジスターであり、非晶質シリコンや低温ポリシリコンで形成される。低温ポリシリコンとする場合、走査線駆動回路210や、電源線駆動回路220、デマルチプレクサ240を構成するトランジスターなどの能動素子についても画素回路110とともに、上記絶縁基板に形成することができる。
図3を参照して電気光学装置1の動作について説明する。図3は、電気光学装置1における各部の動作を説明するための図である。
この図に示されるように、走査線駆動回路210が制御回路200による制御にしたがって走査信号の電位Gw(1)〜Gw(m)を切り替えることによって、1フレームの期間において1〜m行目の走査線112を1水平走査期間(H)毎に順番に走査する。
1水平走査期間(H)での動作は、各行の画素回路110にわたって共通である。そこで以下については、主にi行目の走査線112が走査されたときに、当該i行目にあって、j番目のブロックに属する3列のデータ線114との交差に対応するR、G、Bの画素回路110について着目して説明する。
次に、着目する3つの画素回路110と、当該3つの画素回路110に対して上側で隣り合う画素回路110との表示内容が同じである場合を想定する。本発明で問題とする縦スジは、同一の表示内容が複数行にわたって連続する場合に視認されやすいためである。このときの表示内容に対応するデータ信号の電位をそれぞれVdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)であるとする。
この図に示されるように、走査線駆動回路210が制御回路200による制御にしたがって走査信号の電位Gw(1)〜Gw(m)を切り替えることによって、1フレームの期間において1〜m行目の走査線112を1水平走査期間(H)毎に順番に走査する。
1水平走査期間(H)での動作は、各行の画素回路110にわたって共通である。そこで以下については、主にi行目の走査線112が走査されたときに、当該i行目にあって、j番目のブロックに属する3列のデータ線114との交差に対応するR、G、Bの画素回路110について着目して説明する。
次に、着目する3つの画素回路110と、当該3つの画素回路110に対して上側で隣り合う画素回路110との表示内容が同じである場合を想定する。本発明で問題とする縦スジは、同一の表示内容が複数行にわたって連続する場合に視認されやすいためである。このときの表示内容に対応するデータ信号の電位をそれぞれVdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)であるとする。
本実施形態において、i行目の走査線112の走査期間は、大別すると、時間の順で初期化期間、セット期間、データ分配期間および書込期間に分けられる。
ここで、制御回路200は、走査線駆動回路210に対し、i行目の走査線112の走査期間において走査信号の電位Gw(i)を、初期化期間およびセット期間においてHレベルとさせ、データ分配期間においてLレベルとさせ、書込期間において再度Hレベルとさせる。
一方、制御回路200は、電源線駆動回路220に対し、i行目の電源線116の電位Vel(i)を、初期化期間において低位側の電位Vel_Lとさせ、セット期間以降では、高位側の電位Vel_Hとさせる。なお、電位Vel(i)が電位Vel_Hから電位Vel_Lに遷移するタイミングは、図3においては初期化期間の開始時としているが、発光素子150の発光期間を短くするのであれば、初期化期間よりも手前のタイミングで電位Vel_Lに遷移させても良い。
ここで、制御回路200は、走査線駆動回路210に対し、i行目の走査線112の走査期間において走査信号の電位Gw(i)を、初期化期間およびセット期間においてHレベルとさせ、データ分配期間においてLレベルとさせ、書込期間において再度Hレベルとさせる。
一方、制御回路200は、電源線駆動回路220に対し、i行目の電源線116の電位Vel(i)を、初期化期間において低位側の電位Vel_Lとさせ、セット期間以降では、高位側の電位Vel_Hとさせる。なお、電位Vel(i)が電位Vel_Hから電位Vel_Lに遷移するタイミングは、図3においては初期化期間の開始時としているが、発光素子150の発光期間を短くするのであれば、初期化期間よりも手前のタイミングで電位Vel_Lに遷移させても良い。
i行目の初期化期間では、走査信号の電位Gw(i)がHレベルに遷移して、トランジスター130がオンするので、トランジスター140のゲートノードはデータ線114の電位になる。このときのデータ線114の電位Vd_R(j)、Vd_G(j)、Vd_B(j)は、1水平走査期間(H)前に供給されたデータ信号の電位Vdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)、詳細には、(i−1)行目の走査期間において供給されて、寄生容量Cpにより残留するデータ信号の電位Vdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)である。このため、ゲートノードRg、Gg、Bgも、それぞれ電位Vdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)になる。
一方、i行目の電源線116は低位側の電位Vel_Lである。本実施形態において電位Vel_Lとデータ線114の残留電位との差分電圧が、トランジスター140の閾値電圧Vth_trを十分に上回るので、当該トランジスター140が駆動状態になる。このため、トランジスター140のソースノードRs、Gs、Bs(発光素子150の陽極)は、それぞれ電位Vel_Lに初期化される。
一方、i行目の電源線116は低位側の電位Vel_Lである。本実施形態において電位Vel_Lとデータ線114の残留電位との差分電圧が、トランジスター140の閾値電圧Vth_trを十分に上回るので、当該トランジスター140が駆動状態になる。このため、トランジスター140のソースノードRs、Gs、Bs(発光素子150の陽極)は、それぞれ電位Vel_Lに初期化される。
したがって、トランジスター140のゲートノードおよびソースノード間の電圧、すなわち保持容量135で保持される電圧は、データ線114の残留電位と電位Vel_Lとの差分の電圧に初期化される。
なお、電位Vel_Lと共通電極118の電位Vctとの電位差が発光素子150の発光閾値電圧を十分に下回るような値となるように当該電位Vel_Lが設定されるので、初期化期間において発光素子150は、オフ状態(非発光状態)である。
なお、電位Vel_Lと共通電極118の電位Vctとの電位差が発光素子150の発光閾値電圧を十分に下回るような値となるように当該電位Vel_Lが設定されるので、初期化期間において発光素子150は、オフ状態(非発光状態)である。
続いてセット期間では、走査信号の電位Gw(i)がHレベルに維持されているので、トランジスター140のゲートノードRg、Gg、Bgについても、それぞれデータ線114に残留する電位Vdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)に維持される。
一方、セット期間の開始時においてi行目の電源線116が高位側の電位Vel_Hに遷移するので、ゲートノードに保持されたデータ信号の残留電位に応じた電流Idsがトランジスター140のドレインノード(電源線116)からソースノード(発光素子150の陽極)に流れる。この電流Idsは、発光素子150の容量152に流れ込んで、当該容量を充電させる。この充電により、トランジスター140のソースノードRs、Gs、Bsの電位は、それぞれ時間経過とともに上昇する。
これにより、セット期間の終了時において保持容量135には、おおよそトランジスター140の閾値電圧Vth_trに相当する電圧がセットされることになる。したがって、以降におけるゲートノードの電位に応じた駆動に際し、当該トランジスター140の閾値電圧Vth_trは、保持容量135の保持電圧で相殺されることになる。
一方、セット期間の開始時においてi行目の電源線116が高位側の電位Vel_Hに遷移するので、ゲートノードに保持されたデータ信号の残留電位に応じた電流Idsがトランジスター140のドレインノード(電源線116)からソースノード(発光素子150の陽極)に流れる。この電流Idsは、発光素子150の容量152に流れ込んで、当該容量を充電させる。この充電により、トランジスター140のソースノードRs、Gs、Bsの電位は、それぞれ時間経過とともに上昇する。
これにより、セット期間の終了時において保持容量135には、おおよそトランジスター140の閾値電圧Vth_trに相当する電圧がセットされることになる。したがって、以降におけるゲートノードの電位に応じた駆動に際し、当該トランジスター140の閾値電圧Vth_trは、保持容量135の保持電圧で相殺されることになる。
この後、データ分配期間に移行すると、走査信号の電位Gw(i)がLレベルを遷移する。このため、トランジスター130がオフするので、トランジスター140のゲートノードRg、Gg、Bgは、それぞれハイ・インピーダンス(フローティング)状態になる。
一方、i行目の電源線116が高位側の電位Vel_Hを維持するので、トランジスター140のソースノードRs、Gs、Bsは、ゆるやかに上昇し続ける。したがって、ゲートノードRg、Gg、Bgは、ソースノードRs、Gs、Bsの電位上昇に連動して上昇する。
一方、i行目の電源線116が高位側の電位Vel_Hを維持するので、トランジスター140のソースノードRs、Gs、Bsは、ゆるやかに上昇し続ける。したがって、ゲートノードRg、Gg、Bgは、ソースノードRs、Gs、Bsの電位上昇に連動して上昇する。
データ分配期間において、制御回路200は、制御信号の電位Sel(R)、Sel(G)、Sel(B)を順次排他的にHレベルにする。
制御回路200は、またデータ信号供給回路230に対し、電位Sel(R)がHレベルのときにj番目のブロックに対応するデータ信号の電位d(j)を、i行目の走査線112とj番目のブロックにおけるR系列のデータ線114とに対応する画素回路110で表現するべきRのサブ画素の階調に応じた電位にさせる。同様に制御回路200は、データ信号供給回路230に対し、データ信号の電位d(j)を、電位Sel(G)がHレベルのときにi行目の走査線112とj番目のブロックにおけるG系列のデータ線114とに対応するGのサブ画素の階調に応じた電位とさせ、電位Sel(B)がHレベルのときにi行目の走査線112とj番目のブロックにおけるB系列のデータ線114とに対応するBのサブ画素の階調に応じた電位とさせる。
制御回路200は、またデータ信号供給回路230に対し、電位Sel(R)がHレベルのときにj番目のブロックに対応するデータ信号の電位d(j)を、i行目の走査線112とj番目のブロックにおけるR系列のデータ線114とに対応する画素回路110で表現するべきRのサブ画素の階調に応じた電位にさせる。同様に制御回路200は、データ信号供給回路230に対し、データ信号の電位d(j)を、電位Sel(G)がHレベルのときにi行目の走査線112とj番目のブロックにおけるG系列のデータ線114とに対応するGのサブ画素の階調に応じた電位とさせ、電位Sel(B)がHレベルのときにi行目の走査線112とj番目のブロックにおけるB系列のデータ線114とに対応するBのサブ画素の階調に応じた電位とさせる。
電位Sel(R)、Sel(G)、Sel(B)が順番にHレベルになると、j番目のブロックにおける3つのトランジスター242は、R系列、G系列、B系列の順にオンするので、データ信号は、R系列、G系列、B系列のデータ線114に順番に分配される。
なお、1つ前の(i−1)行目のデータ分配期間においても、(i−1)行目とj番目のブロックにおけるR、G、B系列のデータ線114にデータ信号が分配されるが、分配されたデータ信号は、寄生容量Cpによって保持されている。上述したようにj番目のブロックに属する画素回路110のうち、(i−1)行目の表示とi行目の表示とが同じ内容である場合を想定しているので、i行目のデータ信号が新たに分配されたとしても、データ線114の電位Vd_R(j)、Vd_G(j)、Vd_B(j)は、それぞれ図において破線で示されるように電位Vdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)を維持することになる。
なお、1つ前の(i−1)行目のデータ分配期間においても、(i−1)行目とj番目のブロックにおけるR、G、B系列のデータ線114にデータ信号が分配されるが、分配されたデータ信号は、寄生容量Cpによって保持されている。上述したようにj番目のブロックに属する画素回路110のうち、(i−1)行目の表示とi行目の表示とが同じ内容である場合を想定しているので、i行目のデータ信号が新たに分配されたとしても、データ線114の電位Vd_R(j)、Vd_G(j)、Vd_B(j)は、それぞれ図において破線で示されるように電位Vdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)を維持することになる。
続いて、書込期間に移行すると、走査信号の電位Gw(i)が再度Hレベルを遷移する。このため、トランジスター130がオンして、それぞれデータ線114で維持された電位が書き込まれるので、ゲートノードRg、Gg、Bgの電位が、再びそれぞれVdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)になる。
ここで、ゲートノードRg、Gg、Bgは、データ分配期間においては電位Vdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)からそれぞれ上昇し、書込期間において再び電位Vdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)にそれぞれ戻る。このときのゲートノードRg、Gg、Bgの変動分をそれぞれΔVr、ΔVg、ΔVbとする。
ここで、ゲートノードRg、Gg、Bgは、データ分配期間においては電位Vdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)からそれぞれ上昇し、書込期間において再び電位Vdata_R(j)、Vdata_G(j)、Vdata_B(j)にそれぞれ戻る。このときのゲートノードRg、Gg、Bgの変動分をそれぞれΔVr、ΔVg、ΔVbとする。
ところで、トランジスター140の移動度μが大きいほど、当該トランジスター140に流れる電流Idsが大きくなり、ソースノードの電位変動量も大きくなる。反対に、移動度μが小さいほど電流Idsが小さくなり、ソースノードの電位変動量も小さくなる。すなわち、移動度μが大きいほどトランジスター140におけるゲートノード・ソースノード間の電圧の変動量(負帰還量)が大きくなる一方、移動度μが小さいほどゲートノード・ソースノード間の電圧の変動量(負帰還量)が小さくなる。このため、トランジスター140のゲートノード・ソースノード間の電圧には、当該トランジスター140に流れる電流Idsに応じた帰還量で負帰還がかかり、当該トランジスター140においては、移動度μに対する電流Idsの依存性がキャンセルされる。したがって、画素回路110毎にトランジスター140の移動度μがばらついても、そのバラツキが補償される。このバラツキの補償は、データ分配期間、書込期間にわたって実行される。
そして、書込期間が終了すると、走査信号の電位Gw(i)が再度Lレベルを遷移する。このため、トランジスター130がオフするので、トランジスター140のゲートノードRgは、ハイ・インピーダンス状態になる。
このとき、トランジスター140におけるゲートノード・ソースノード間の電圧(保持容量135の両端電圧)は、書込期間の終了時における電圧に維持されるから、トランジスター140には、当該電圧に応じた電流Idsが流れ、この結果、ソースノードRsの電位は時間の経過とともに再上昇する。ゲートノードRgはハイ・インピーダンス状態であるので、当該ゲートノードRgの電位は、ソースノードRsの電位上昇に連動して上昇する。この結果、トランジスター140におけるゲートノード・ソースノード間の電圧は、書込期間の終了時における電圧に維持されたまま、ソースノードRsの電位が上昇する。
ソースノードRsの電位が上昇する過程において、発光素子150の両端電圧が発光閾値電圧Vth_oledを超えると、電流Idsの一部が発光素子150にも流れ始めて、発光開始となる。まもなく容量152への充電が完了すると、電流Idsがすべて発光素子150に流れるので、当該発光素子150は、当該電流Idsに応じた輝度で発光し続けることになる。
このとき、トランジスター140におけるゲートノード・ソースノード間の電圧(保持容量135の両端電圧)は、書込期間の終了時における電圧に維持されるから、トランジスター140には、当該電圧に応じた電流Idsが流れ、この結果、ソースノードRsの電位は時間の経過とともに再上昇する。ゲートノードRgはハイ・インピーダンス状態であるので、当該ゲートノードRgの電位は、ソースノードRsの電位上昇に連動して上昇する。この結果、トランジスター140におけるゲートノード・ソースノード間の電圧は、書込期間の終了時における電圧に維持されたまま、ソースノードRsの電位が上昇する。
ソースノードRsの電位が上昇する過程において、発光素子150の両端電圧が発光閾値電圧Vth_oledを超えると、電流Idsの一部が発光素子150にも流れ始めて、発光開始となる。まもなく容量152への充電が完了すると、電流Idsがすべて発光素子150に流れるので、当該発光素子150は、当該電流Idsに応じた輝度で発光し続けることになる。
このような動作は、i行目の走査線112が走査される期間において、着目したRの画素回路110以外の画素回路110においても同様に時間的に並列して実行される。さらに、このような動作は、1フレームの期間において1、2、3、…、(m−1)、m行目の走査線112の順番で実行されるとともに、フレーム毎に繰り返される。
このような動作において、発光素子150に流れる駆動電流は、トランジスター140の閾値電圧Vth_trや移動度μのバラツキが補償されているので、画素回路110毎にトランジスター140の特性がばらついていても、バラツキに起因した輝度のムラが抑制されることになる。
このような動作において、発光素子150に流れる駆動電流は、トランジスター140の閾値電圧Vth_trや移動度μのバラツキが補償されているので、画素回路110毎にトランジスター140の特性がばらついていても、バラツキに起因した輝度のムラが抑制されることになる。
本実施形態において画素回路110の初期化期間では、1水平走査期間(H)前に供給されてデータ線114に残留する電位によって、トランジスター140のソースノード(発光素子150の陽極)における電位や、保持容量135の両端電圧を初期化している。このため、ある行の表示内容が、当該行の1行前と同じ(または近い)表示内容あれば、データ線114の電位は変動しない(または変動が小さい)ので、当該電位変動に起因する表示ムラを抑制することが可能になる。
ここで、データ線114の電位が変動したときに発生する表示ムラについて比較例を参照して説明する。
図8は、比較例に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。この図に示されるように比較例に係る電気光学装置では、データ線114を、信号の電位Giniによって電位Vofsに初期化するトランジスター244がデータ線114毎に設けられる。
図8は、比較例に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。この図に示されるように比較例に係る電気光学装置では、データ線114を、信号の電位Giniによって電位Vofsに初期化するトランジスター244がデータ線114毎に設けられる。
図9は、比較例に係る電気光学装置の動作を説明するための図である。なお、図9において紙面スペースの関係上、Gについては省略している。
この図に示されるように比較例に係る電気光学装置では、初期化期間の時間的前方において信号の電位GiniがHレベルになるので、各トランジスター244のオンによってすべてのデータ線114がそれぞれ電位Vofsに初期化される。このため、初期化期間では、ゲートノードがそれぞれ電位Vofsに初期化される。
この図に示されるように比較例に係る電気光学装置では、初期化期間の時間的前方において信号の電位GiniがHレベルになるので、各トランジスター244のオンによってすべてのデータ線114がそれぞれ電位Vofsに初期化される。このため、初期化期間では、ゲートノードがそれぞれ電位Vofsに初期化される。
データ分配期間においてトランジスター140のゲートノードRg、Gg、Bgがハイ・インピーダンス状態のときに、制御信号Sel(R)がHレベルになると、R系列のデータ線114には、階調に応じたデータ信号が供給される。このため、当該R系列のデータ線114の電位Vd_R(j)は、電位Vofsから電位Vdata_R(j)に変動する。上述したようにゲートノードRgは、R系列のデータ線114と寄生容量によってカップリングしているので、当該電位変動によってゲートノードRgの電位が変動する。同様にソースノードRsは、R系列のデータ線114と寄生容量によってカップリングしているので、当該電位変動によってソースノードRsの電位が変動する。次に、図示省略しているが、制御信号Sel(G)がHレベルになったとき、同様にゲートノードGgおよびソースノードGsが変動する。この後、制御信号Sel(B)がHレベルになったときも、同様にゲートノードBgおよびソースノードBsが変動する。
このため、ゲートノードRg、Gg、Bg(ソースノードRs、Gs、Bs)の電位は、それぞれ制御信号Sel(R)、Sel(G)、Sel(B)がHレベルになるタイミングで時間差をもって変動することになる。
ここで、データ分配期間の開始時から対応する制御信号がHレベルに遷移するまでの期間をSとしたとき、期間Sの長さは、R系列が最も短く、次いでG系列、B系列の順になる。一方、対応する制御信号がHレベルに遷移してから、データ分配期間が終了するまで(書込期間が開始するまで)の期間をそれぞれTとしたとき、期間Tの長さは、B系列が最も短く、次いでG系列、R系列の順になる。
このため、ゲートノードRg、Gg、Bg(ソースノードRs、Gs、Bs)の電位は、それぞれ制御信号Sel(R)、Sel(G)、Sel(B)がHレベルになるタイミングで時間差をもって変動することになる。
ここで、データ分配期間の開始時から対応する制御信号がHレベルに遷移するまでの期間をSとしたとき、期間Sの長さは、R系列が最も短く、次いでG系列、B系列の順になる。一方、対応する制御信号がHレベルに遷移してから、データ分配期間が終了するまで(書込期間が開始するまで)の期間をそれぞれTとしたとき、期間Tの長さは、B系列が最も短く、次いでG系列、R系列の順になる。
トランジスター140が薄膜トランジスターで構成される場合、ドレインノード・ソースノード間の電圧Vdsに対する電流Idsの特性は、例えば図10に示されるように飽和領域において理想的なフラットではなく、若干傾きをもっている。
期間Sは、データ信号の分配によるソースノードおよびゲートノードの電位上昇前であり、期間Tは電位上昇後であるので、電圧Vdsは、相対的に期間Sの方が期間Tよりも高く、電流Idsは、期間Sの方が期間Tよりも大きくなる。このため、図9においてデータ分配期間でのソースノード(ゲートノード)の電位上昇カーブの傾きは、期間Sで大きくなり、期間Tで小さくなる。期間S、Tは、RGBの系列毎に相違しているので、書込期間においてデータ信号を書き込む直前のゲートノード(ソースノード)の電位についても、RGBの系列毎に異なっている。すなわち、書込期間におけるゲートノードRg、Gg、Bgの変動分ΔVr、ΔVg、ΔVbが、それぞれRGB系列毎に異なっている。
したがって、分配されたデータ信号をゲートノードに書き込む際に、RGBの系列毎に差が生じる。この差は、例えばRGBを一様なベタ表示にしようとしてもRGB毎に輝度が異なってしまうということになり、これが、上述したような表示品位の低下、すなわち一種の縦スジとして視認されてしまうことになる。
期間Sは、データ信号の分配によるソースノードおよびゲートノードの電位上昇前であり、期間Tは電位上昇後であるので、電圧Vdsは、相対的に期間Sの方が期間Tよりも高く、電流Idsは、期間Sの方が期間Tよりも大きくなる。このため、図9においてデータ分配期間でのソースノード(ゲートノード)の電位上昇カーブの傾きは、期間Sで大きくなり、期間Tで小さくなる。期間S、Tは、RGBの系列毎に相違しているので、書込期間においてデータ信号を書き込む直前のゲートノード(ソースノード)の電位についても、RGBの系列毎に異なっている。すなわち、書込期間におけるゲートノードRg、Gg、Bgの変動分ΔVr、ΔVg、ΔVbが、それぞれRGB系列毎に異なっている。
したがって、分配されたデータ信号をゲートノードに書き込む際に、RGBの系列毎に差が生じる。この差は、例えばRGBを一様なベタ表示にしようとしてもRGB毎に輝度が異なってしまうということになり、これが、上述したような表示品位の低下、すなわち一種の縦スジとして視認されてしまうことになる。
これに対して本実施形態では、1水平走査期間(H)前に供給されてデータ線114に残留する電位によって初期化しているので、1行前の表示内容と同じであれば(または近ければ)、データ線114の電位は変動しない(または変動が小さい)。このため、データ線114の電位変動に起因する表示ムラを抑制することが可能になるのである。
次に、本発明の第2実施形態に係る電気光学装置について説明する。第2実施形態に係る電気光学装置は、構成的には第1実施形態に係る電気光学装置と共通であり、動作のみが異なる。そこで、第2実施形態については、この動作を中心に説明することにする。
図4は、第2実施形態に係る電気光学装置における各部の動作を説明するための図である。
この図に示されるように、第2実施形態において走査線駆動回路210が走査信号の電位Gw(1)〜Gw(m)を切り替えて、1フレームの期間において1〜m行目の走査線112を1水平走査期間(H)毎に順番に走査する点については、第1実施形態と共通である。ただし、第2実施形態では、初期化期間において初期化とデータ分配との双方が実行される点において第1実施形態と相違している。
この図に示されるように、第2実施形態において走査線駆動回路210が走査信号の電位Gw(1)〜Gw(m)を切り替えて、1フレームの期間において1〜m行目の走査線112を1水平走査期間(H)毎に順番に走査する点については、第1実施形態と共通である。ただし、第2実施形態では、初期化期間において初期化とデータ分配との双方が実行される点において第1実施形態と相違している。
この点について詳述すると、初期化期間において、制御回路200は、走査信号の電位Gw(i)をHレベルとし、i行目の電源線116の電位Vel(i)を低位側の電位Vel_Lとしたときに、制御信号の電位Sel(R)、Sel(G)、Sel(B)を順次排他的にHレベルにする。制御回路200は、データ信号供給回路230に対し、制御信号の電位Sel(R)、Sel(G)、Sel(B)を順次にHレベルにしたときに、データ信号d(j)を、i行目の走査線112とj番目のブロックにおけるR系列のデータ線114とに対応する画素回路110、同行の走査線112と同ブロックにあってG系列のデータ線114とに対応する画素回路110、および、同行の走査線112と同ブロックにあってB系列のデータ線114とに対応する画素回路110への各階調に応じた電位に順番に切り替える。
このため、第2実施形態によれば、i行目の初期化期間においては、1水平走査期間(H)前に供給された(i−1)行目に対応するデータ信号ではなく、当該i行目に対応するデータ信号、すなわち書き込むべきデータ信号自身の電位で初期化が実行される。初期化が実行された後、セット期間から書込期間に至るまで、データ線114は、書き込むべきデータ信号に保持されたまま、電位が変動することはない。このため、第2実施形態では、第1実施形態と比較して、1水平走査期間(H)前に供給されたデータ線114の残留電位に依存しないで、初期化が実行される。
第1実施形態では、1水平走査期間(H)前に供給されたデータ線114の残留電位に初期化されるので、1行前の表示内容と同じである場合(または近い場合)に限り、データ線114の電位変動による影響を抑えることができる。これに対して、第2実施形態では、自身のi行目の書き込むべきデータ信号の電位で初期化が実行されるので、表示内容が大きく変化しても、また、各フレーム期間の最初に走査される1行目においても、縦スジの発生を抑えることが可能になる。
第1実施形態では、1水平走査期間(H)前に供給されたデータ線114の残留電位に初期化されるので、1行前の表示内容と同じである場合(または近い場合)に限り、データ線114の電位変動による影響を抑えることができる。これに対して、第2実施形態では、自身のi行目の書き込むべきデータ信号の電位で初期化が実行されるので、表示内容が大きく変化しても、また、各フレーム期間の最初に走査される1行目においても、縦スジの発生を抑えることが可能になる。
本発明は、上述した実施形態に限られず、種々の変形・適用が可能である。
例えば上述した第1および第2実施形態にあっては、行毎の電源線116に、走査線112の走査に同期して電位Vel_Hと電位Vel_Lとで切り替えて供給する構成としたが、電位Vel_Hを給電する高位側電源線と電位Vel_Lを給電する低位側電源線とを設けるとともに、いずれかの電源線を選択するスイッチを画素回路110の側に設けて、トランジスター140のドレインノードに供給する構成としても良い。
例えば上述した第1および第2実施形態にあっては、行毎の電源線116に、走査線112の走査に同期して電位Vel_Hと電位Vel_Lとで切り替えて供給する構成としたが、電位Vel_Hを給電する高位側電源線と電位Vel_Lを給電する低位側電源線とを設けるとともに、いずれかの電源線を選択するスイッチを画素回路110の側に設けて、トランジスター140のドレインノードに供給する構成としても良い。
また、上述した第1および第2実施形態にあっては、走査線112を1、2、3、…、(m−1)、m行目という順番で走査したが、例えば最初のフィールドで奇数行(1、3、5、…)を走査し、次のフィールドで偶数行(2、3、4、…)を走査するというな飛び越し走査にも適用可能である。飛び越し走査の場合には、第1実施形態において、ある行の走査線を走査するときに初期化期間に残留する電位は、1行上ではなく、2行上に対応して供給されたデータ信号の電位になるが、1水平走査期間(H)前に供給された電位であることに変わりはない。
各実施形態において、ブロックを構成するデータ線114の本数「a」、すなわち1つのデータ信号を分配する数「a」を「3」としたが、「2」以上であれば良い。なお、1つのドットをRGBの3色で構成するのであれば、3の倍数が好ましい。
また、各実施形態において、1ドットをRGBの3色の加法混色によって表現する構成としたが、RGBに加えて別の1色または複数色を加えても良い。例えば再現可能な色域を拡大するために例えばイエロー(Y)を加えた4色によって1ドットを構成しても良いし、輝度を向上させるためにをホワイト(W)を加えた4色によって1ドットを構成しても良い。なお、4色によって1ドットを構成する場合には、データ信号の分配数「a」を4の倍数にするのが好ましい。
また、各実施形態において、1ドットをRGBの3色の加法混色によって表現する構成としたが、RGBに加えて別の1色または複数色を加えても良い。例えば再現可能な色域を拡大するために例えばイエロー(Y)を加えた4色によって1ドットを構成しても良いし、輝度を向上させるためにをホワイト(W)を加えた4色によって1ドットを構成しても良い。なお、4色によって1ドットを構成する場合には、データ信号の分配数「a」を4の倍数にするのが好ましい。
一方、トランジスター130、140についてはそれぞれNチャネル型としたが、いずれか一方を、または、双方をPチャネル型としても良い。
発光素子150としては、OLEDのほか、無機EL素子やLED(Light Emitting Diode)素子など、電流に応じた輝度で発光する素子が適用可能である。
発光素子150としては、OLEDのほか、無機EL素子やLED(Light Emitting Diode)素子など、電流に応じた輝度で発光する素子が適用可能である。
<電子機器>
次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器のいくつかについて説明する。
図5は、上述した実施形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用した電子機器(その1)としてのパーソナルコンピューターの外観を示す図である。パーソナルコンピューター2000は、表示装置としての電気光学装置1と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。
電気光学装置1において、発光素子150にOLEDを使用した場合、視野角が広く見易い画面表示が可能になる。
次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器のいくつかについて説明する。
図5は、上述した実施形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用した電子機器(その1)としてのパーソナルコンピューターの外観を示す図である。パーソナルコンピューター2000は、表示装置としての電気光学装置1と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。
電気光学装置1において、発光素子150にOLEDを使用した場合、視野角が広く見易い画面表示が可能になる。
図6は、実施形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用した電子機器(その2)である携帯電話機の外観を示す図である。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001や方向キー3002などのほか、受話口3003、送話口3004とともに上述した電気光学装置1を備える。方向キー3002を操作することによって、電気光学装置1に表示される画面がスクロールする。
図7は、実施形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用した電子機器(その3)としての携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)の外観を示す図である。携帯情報端末4000は、複数の操作ボタン4001や方向キー4002などのほか、上述した電気光学装置1を備える。携帯情報端末4000では、所定の操作によって住所録やスケジュール帳などの各種の情報が電気光学装置1に表示されるとともに、表示された情報が方向キー4002の操作に応じてスクロールする。
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図5から図7までに示した例のほか、テレビ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
1…電気光学装置、110…画素回路、112…走査線、114…データ線、116…電源線、118…共通電極、130…トランジスター、135…保持容量、140…トランジスター、150…発光素子、200…制御回路、210…走査線駆動回路、220…電源線駆動回路、230…データ信号供給回路、240…デマルチプレクサ、2000…パーソナルコンピューター、3000…携帯電話機、4000…携帯情報端末。
Claims (7)
- 複数本の走査線と、a(aは2以上の整数)本毎にグループ化された複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路と、
前記複数の画素回路を駆動する駆動回路と、
を有し、
前記複数の画素回路の各々は、
発光素子と、
ドレインノードが電源線に電気的に接続され、ゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスターのゲートノードとデータ線との間で導通状態が制御されるスイッチングトランジスターと、
を含み、
前記駆動回路は、
前記電源線の電位を一方側にするとともに、前記駆動トランジスターのゲートノードに、前記データ線および前記スイッチングトランジスターを介し前記データ線に残留する電位を供給して、前記駆動トランジスターのソースノードの電位を初期化し、
前記グループ化されたa本のデータ線を所定の順番で選択するとともに、各グループに対応して出力されたデータ信号を各グループで選択されたデータ線に供給し、
前記データ線に供給されたデータ信号を、前記スイッチングトランジスターを介し前記駆動トランジスターのゲートノードに供給する
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記データ線に残留する電位は、
1水平走査期間前に、各グループで選択したデータ線に供給したデータ信号の電位である
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 複数本の走査線と、a(aは2以上の整数)本毎にグループ化された複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路と、
前記複数の画素回路を駆動する駆動回路と、
を有し、
前記複数の画素回路の各々は、
発光素子と、
ドレインノードが電源線に電気的に接続され、ゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスターのゲートノードとデータ線との間で導通状態が制御されるスイッチングトランジスターと、
を含み、
前記駆動回路は、
前記グループ化されたa本のデータ線を所定の順番で選択して各グループに対応して出力されたデータ信号を各グループで選択されたデータ線に供給するとともに、前記電源線の電位を一方側にして、前記駆動トランジスターのゲートノードに、前記スイッチングトランジスターを介し前記データ線に供給された電位を供給して、前記駆動トランジスターのソースノードの電位を初期化し、
その後、前記スイッチングトランジスターを再度導通状態にして前記データ線に残留するデータ信号の電位を前記駆動トランジスターのゲートノードに供給する
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記駆動回路は、
前記初期化の後に、前記駆動トランジスターのゲートノードおよびソースノード間に当該駆動トランジスターの閾値電圧に相当する電圧を保持させる
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電気光学装置。 - 複数本の走査線と、a(aは2以上の整数)本毎にグループ化された複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路を有し、
前記複数の画素回路の各々は、
発光素子と、
ドレインノードが電源線に電気的に接続され、ゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスターのゲートノードとデータ線との間で導通状態が制御されるスイッチングトランジスターと、
を含む電気光学装置の駆動方法であって、
前記電源線の電位を一方側にするとともに、前記駆動トランジスターのゲートノードに、前記データ線および前記スイッチングトランジスターを介し前記データ線に残留する電位を供給して、前記駆動トランジスターのソースノードの電位を初期化し、
前記グループ化されたa本のデータ線を所定の順番で選択するとともに、各グループに対応して出力されたデータ信号を各グループで選択されたデータ線に供給し、
前記データ線に供給されたデータ信号を、前記スイッチングトランジスターを介し前記駆動トランジスターのゲートノードに供給する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 - 複数本の走査線と、a(aは2以上の整数)本毎にグループ化された複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路を有し、
前記複数の画素回路の各々は、
発光素子と、
ドレインノードが電源線に電気的に接続され、ゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスターのゲートノードとデータ線との間で導通状態が制御されるスイッチングトランジスターと、
を含む電気光学装置の駆動方法であって、
前記グループ化されたa本のデータ線を所定の順番で選択して各グループに対応して出力されたデータ信号を各グループで選択されたデータ線に供給するとともに、前記電源線の電位を一方側にして、前記駆動トランジスターのゲートノードに、前記スイッチングトランジスターを介し前記データ線に供給された電位を供給して、前記駆動トランジスターのソースノードの電位を初期化し、
その後、前記スイッチングトランジスターを再度導通状態にして前記データ線に残留するデータ信号の電位を前記駆動トランジスターのゲートノードに供給する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
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JP2011100666A JP2012233950A (ja) | 2011-04-28 | 2011-04-28 | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器 |
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JP2011100666A JP2012233950A (ja) | 2011-04-28 | 2011-04-28 | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015004907A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器 |
JP2016059041A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、ドライバic、表示装置、および電子機器 |
CN110599941A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、驱动方法及显示装置 |
WO2021225064A1 (ja) * | 2020-05-07 | 2021-11-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置 |
WO2023115250A1 (zh) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其驱动方法、显示装置 |
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2011
- 2011-04-28 JP JP2011100666A patent/JP2012233950A/ja not_active Withdrawn
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