JP2007005706A - 加工方法、表示装置及び半導体装置 - Google Patents
加工方法、表示装置及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007005706A JP2007005706A JP2005186723A JP2005186723A JP2007005706A JP 2007005706 A JP2007005706 A JP 2007005706A JP 2005186723 A JP2005186723 A JP 2005186723A JP 2005186723 A JP2005186723 A JP 2005186723A JP 2007005706 A JP2007005706 A JP 2007005706A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- conductive
- conductive films
- processing method
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板3上に設けられた多数の導電膜のうち、互いに分離された第1及び第2の導電膜10及び11を、それぞれ、第1及び第2の結線部材12及び13の被着によって第3導電膜14と結合させる結合工程と、この第3導電膜の少なくとも一部を、第1の結線部材12から第2の結線部材13に至る連結部15を残して除去する除去工程とによって加工を行う。
【選択図】 図1
Description
例えば、多数の画素が2次元マトリクス状に配置される表示装置においては、各画素における発光の制御のために設けられるTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)素子の、配線に用いられる導電膜が、多数の画素の配列に対応した位置形状によって、所定の導通経路を形成して設けられている。
このような表示装置の場合には、目的とするTFT素子の素子特性に応じて、複数種の配線が設けられる。
各画素106においては、前述した陽極104上に、少なくとも有機発光材料からなる有機層117と陰極118が積層形成され、これによって主たる発光構造が形成される。
この等価回路は、有機ELの発光部ELと、第1のTFTトランジスタ(MOSトランジスタ)Tr1と、第2のTFTトランジスタ(MOSトランジスタ)Tr2と、容量Cとを有して成る。第2のTFTトランジスタTr2の一方の主電極(例えばソース)が信号線Y1に接続され、他方の主電極(例えばドレイン)が容量Cを介して電流供給線Y2に接続され、ゲート電極が走査線X1に接続される。一方、発光部ELの陽極が第1のTFTトランジスタTr1を介して電流供給線Y2に接続され、第1のTFTトランジスタTr1のゲート電極が第2のTFTトランジスタTr2と容量Cの接続中点に接続される。
電流供給線Y2には常時電流が供給されている。走査線X1に走査パルスが印加され、信号線Y1に所要の信号が供給されると、第2のTFTトランジスタTr2がオン状態になり、容量Cに所要の信号が書き込まれる。この書き込まれた信号に基づいて第1のTFTトランジスタTr1がオン状態になり、信号量に応じた電流が電流供給部Y2を通して発光部ELに供給されて、発光部ELが発光表示される。
この単位画素が複数個、XYマトリックス状に配列されて表示装置101が構成される。
このような、多数の画素の駆動が共通の配線によってなされる表示装置において、断線の生じた配線が例えば電流供給線108のような両側駆動配線である場合には、この断線によって発光しなくなる画素(滅点)が生じるおそれはあるものの、その数は1画素程度にとどまり、分離箇所116の位置によっては、発光に支障を生じることなく滅点の発生を回避できる場合もある。
この場合、断線位置つまり分離箇所116に対応する画素よりも電気的に下流側に位置する画素は、信号線107についての電気的導通がなされないために全て滅点となってしまい、滅点の集合体として所謂滅線が発生してしまう。滅線は、個々に生じる滅点に比べて、表示装置の使用時に故障箇所として視認されやすいことから、その発生は著しく深刻な問題となる。
また、コンタクトホールを極端に広く形成することはかえって歩留まりを低下させてしまうため、コンタクトホールを通じての結線部材の被着は狭いコンタクトホールを通じて行わざるを得ないが、これは難度の高い作業であって製造期間が長期化するほか、細く形成される結線部材自体の断線も発生しやすいという問題が残る。
まず、本発明に係る半導体装置及び表示装置の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る表示装置の、要部の概略斜視図を示す。
本実施形態に係る表示装置は、後述する加工方法により得られる主要基板、すなわち主面上に陽極、TFT素子及び各配線が形成された基板によって構成される表示装置である。
しかしながら、本実施形態に係る表示装置においては、後述する加工方法により、第1及び第2の導電膜10及び11が、それぞれ、第1及び第2の結線部材12及び13の被着によって、両側駆動による電流供給線を構成する第3導電膜14と結合される。更に、この第3導電膜14のうち、第1導電膜12と第2導電膜13の連結部15を残して、少なくとも一部、例えば第1結線部材12及びと第2結線部材13の、前記連結部15に対する外側2箇所が除去された構成を有する。これにより、第1及び第2の導電膜10及び11と、連結部15を除く第3の導電膜14との短絡が回避される。
また、これらの第1及び第2の結線部材12及び13は、第1及び第2の導電膜10及び11が構成する信号線7や、その他の導電膜による電流供給線8などの少なくとも一部を被覆する絶縁層(図示せず)に先立って形成されている。
前述したように、本実施形態に係る表示装置1は、少なくとも第1及び第2の導電膜10及び11と第3の導電膜14とが、図示しない共通の絶縁層によって被覆された構成を有することから、コンタクトホールを通じて結線部材が露出することを回避することができる。
続いて、本発明に係る加工方法の実施形態について説明する。
図3A及び図3Bは、それぞれ、本発明に係る加工方法に用いて好適な加工装置の一例を示す概略構成図と、この加工装置を構成する局所排気装置の概略断面図を示す。
すなわち、この構成によるレーザ加工装置21は、最終的に前述の表示装置を構成する主要基板となる被加工基板26に対して、例えばパルスレーザ光源部22による光照射に基づいて前述の短絡部に対する除却を行うことが可能とされながらも、CWレーザ光源部23による光照射に基づいて前述の断線部に対する結線を行うことも可能とされた構成を有する。
パルスレーザ光源部22及びCWレーザ光源部23からのレーザ光は、それぞれミラー27及びレンズ28を介し、光路を規定する透過孔40内の透明窓38を経て、局所排気装置24内に導入される。
圧縮ガス供給手段31からの圧縮ガスは、供給路及び通気孔を構成するリング状の圧縮ガス供給路34及びその開口部に配置された多孔質通気膜33により、局所排気装置24に対向する支持台25に向けて出射され、所謂静圧浮上パッド構成による浮上がなされる。
また、パージガス供給手段31及び材料ガス供給手段32に対応して、それぞれ局所排気部38につながる流路36及び37が設けられる。
局所排気部38には主に、材料ガス供給手段32による原料ガスのほか、パージガス供給手段31によるパージガスが導入され、このパージガスを導入する圧力、速度、位置、角度等を選定することにより、透明窓39の表面における付着物の発生を抑制することなどが可能となる。
なお、ここで浮上剛性とは、局所排気装置24と被加工基板26との間の吸着力であり、この浮上剛性が十分でない場合には、局所排気装置24の被加工基板26に対する高さ(ギャップ)の安定性が不十分となるとか、局所排気装置24の機械的もしくは力学的な安定性が不十分になるなどの問題が生じることから、浮上剛性を十分に確保しておくことが望ましい。
まず、支持台25上に、パルスレーザ光源部22及びCWレーザ光源部23からのレーザ光Lの照射対象となる被加工基板26を載置した後、局所排気装置24の下へと移動させる。
このとき、予め圧縮ガス供給手段29によって、例えば0.2MPaの圧縮窒素を圧縮ガス供給路34及び多孔質通気膜33を経て噴射するとともに、排気手段30からの排気を開始して、局所排気装置24を十分安定して静圧浮上させることによって、移動してきた被加工基板26との衝突回避を図ることが好ましい。
このようにして、第1導電膜10と第2導電膜11との間の分離箇所16による断線を、第3導電膜14との結線によって修正する結合工程を行う。
このようにして、第1及び第2の導電膜10及び11と、連結部15を除く第3の導電膜14との短絡が回避されるように、第3導電膜14の少なくとも一部を、第1の結線部材12から第2の結線部材13に至る連結部15を残して除去する除去工程を行う。
すなわち、このように、第3導電膜14のうち、分離箇所16に直近の部分以外を連結部15に用いることにより、滅点の発生をより低減させられると考えられる場合などには被着される結線部材の形状を長大化させるなど、被着位置を選定することによって、より適切な加工を行うことができ、例えば表示装置における滅点の発生を完全に抑制することも可能となる。
これにより、各配線を構成する導電膜と基板面との高低差によって結線部材に段差が生じることを回避することができる。
また、このような抵抗値を有する、前述の各導電膜及び各結線部材を構成するのに適した材料としては、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、アルミニウム・ネオジウム合金(Al−Nd)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、タングステン(W)などに例示される金属を少なくとも一部含む材料を用いることが好ましく、これによって配線などを構成することができる。
続いて、本発明に係る加工方法の実施例を説明する。
次に、ミラー27とレンズ28の間に設けられるスリット(図示せず)のサイズを5μm□に合わせ、パルスレーザ光源部22のアッテネーターを、波長390nm、パルス幅3ピコ秒、加工パワー(レーザパワー)0.5J/cm2以上として設定する。
所定の条件で、パルスレーザ光源部22によって複数回レーザーパルスを照射し、第1及び第2の導電膜10及び11と第3の導電膜14における結線部材の被着位置に、低角度(90°未満)のテーパーを形成する。
これら結合工程及び除去工程により、滅点の発生を最小限に抑えながらも、片側駆動の信号線を修復することで滅線の発生を回避することができる。
すなわち例えば、本発明に係る加工方法によって信号線の修復を行った後、更に電流供給線を構成する第3導電膜を、コンタクトホールを介した結線手法によって別途結線することも可能である。
また例えば、電流供給線以外の配線等を第3導電膜として用いた連結部の形成によって加工を行うことも可能である。ここで、少なくとも第1導電膜及び第2導電膜に例示される多数の導電膜の形成に先立って行う限り、最終的に連結部となる第3導電膜とは必ずしも接近している必要はなく、前述したように、必要に応じて結線部材の形状が長大化しても良い。
Claims (12)
- 基板上に設けられた多数の導電膜のうち、互いに分離された第1及び第2の導電膜を、それぞれ、第1及び第2の結線部材の被着によって第3導電膜と結合させる結合工程と、
前記第3導電膜の少なくとも一部を、前記第1の結線部材から前記第2の結線部材に至る連結部を残して除去する除去工程とを有する
ことを特徴とする加工方法。 - 前記多数の導電膜の少なくとも一部を被覆する絶縁層の形成に先立って、前記結合工程及び前記除去工程を行う
ことを特徴とする請求項1に記載の加工方法。 - 前記第1及び第2の導電膜の少なくとも一方を被覆する絶縁層の形成に先立って、前記結合工程及び前記除去工程を行う
ことを特徴とする請求項1に記載の加工方法。 - 前記第1及び第2の導電膜が、100μΩcm以下の抵抗値を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の加工方法。 - 前記第1及び第2の導電膜が、片側駆動による配線の構成部材である
ことを特徴とする請求項1に記載の加工方法。 - 前記第3導電膜が、両側駆動による配線の構成部材である
ことを特徴とする請求項1に記載の加工方法。 - 前記基板が、表示装置用の基板であって、
前記第1及び第2の導電膜と前記第3の導電膜とが、それぞれ、各画素を規定する信号配線の構成部材と、電源供給線の構成部材である
ことを特徴とする請求項1に記載の加工方法。 - 前記結合工程及び前記除去工程に先立って、前記第1〜第3の導電膜のうち少なくとも1つについて、前記結線部材の被着位置をテーパー形状とする
ことを特徴とする請求項1に記載の加工方法。 - 基板上に多数の導電膜が設けられた表示装置であって、
第1及び第2の導電膜が、それぞれ、第1及び第2の結線部材の被着によって第3導電膜と結合され、
前記第3導電膜が、前記第1導電膜と前記第2導電膜の連結部を残して、少なくとも一部除去され、
前記第1及び第2の導電膜と前記第3の導電膜とが、それぞれ、各画素を規定する信号配線の構成部材と、電源供給線の構成部材である
ことを特徴とする表示装置。 - 前記信号配線が片側駆動であり、前記電源供給線が両側駆動である
ことを特徴とする請求項9に記載の表示装置。 - 前記第1導電膜及び第2導電膜と、前記第3導電膜の少なくとも前記連結部とが、絶縁層によって被覆される
ことを特徴とする請求項9に記載の表示装置。 - 基板上に多数の導電膜が設けられた半導体装置であって、
第1及び第2の導電膜が、それぞれ、第1及び第2の結線部材の被着によって第3導電膜と結合され、
前記第3導電膜が、前記第1導電膜と前記第2導電膜の連結部を残して、少なくとも一部除去されて成る
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005186723A JP4992205B2 (ja) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 加工方法、表示装置及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005186723A JP4992205B2 (ja) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 加工方法、表示装置及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007005706A true JP2007005706A (ja) | 2007-01-11 |
JP4992205B2 JP4992205B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=37690984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005186723A Expired - Fee Related JP4992205B2 (ja) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 加工方法、表示装置及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4992205B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010044353A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-02-25 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置の配線修理構造及びその修理方法 |
JP2013174763A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Omron Corp | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08184842A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Hitachi Ltd | 配線の断線修正方法並びにtft基板及びその配線修正方法 |
JPH09311642A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-12-02 | Samsung Electron Co Ltd | 行列型表示装置、データ線の断線修理方法及び液晶表示装置の画素欠陥修理方法 |
JPH10240150A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Samsung Electron Co Ltd | 配線用組成物、この組成物を用いた金属配線およびその製造方法、この配線を用いた表示装置およびその製造方法 |
JP2005186723A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Suzuki Motor Corp | エンジンの排気系構造 |
-
2005
- 2005-06-27 JP JP2005186723A patent/JP4992205B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08184842A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Hitachi Ltd | 配線の断線修正方法並びにtft基板及びその配線修正方法 |
JPH09311642A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-12-02 | Samsung Electron Co Ltd | 行列型表示装置、データ線の断線修理方法及び液晶表示装置の画素欠陥修理方法 |
JPH10240150A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Samsung Electron Co Ltd | 配線用組成物、この組成物を用いた金属配線およびその製造方法、この配線を用いた表示装置およびその製造方法 |
JP2005186723A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Suzuki Motor Corp | エンジンの排気系構造 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010044353A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-02-25 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機電界発光表示装置の配線修理構造及びその修理方法 |
US8227977B2 (en) | 2008-08-14 | 2012-07-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Structure for repairing a line defect of an organic light emitting display and a method of repairing the defect |
TWI409945B (zh) * | 2008-08-14 | 2013-09-21 | Samsung Display Co Ltd | 用於修補有機發光顯示器的線缺陷之結構以及修補缺陷的方法 |
JP2013174763A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Omron Corp | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4992205B2 (ja) | 2012-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101813293B1 (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US8013270B2 (en) | Laser processing apparatus, laser processing method, manufacturing method of wiring substrate, manufacturing method of display apparatus and wiring substrate | |
JP2006269108A (ja) | 有機発光表示装置及びその欠陥画素の修復方法 | |
JP4622532B2 (ja) | 表示装置および表示装置の欠陥修復方法 | |
JP2010185928A (ja) | 表示装置の製造方法および表示装置 | |
CN101930699B (zh) | 图像显示元件及其制造方法 | |
KR101723255B1 (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR100676355B1 (ko) | 표시 장치 | |
JP4403427B2 (ja) | レーザ加工装置、レーザ加工方法、配線基板の製造方法、表示装置の製造方法、及び配線基板 | |
JP4992205B2 (ja) | 加工方法、表示装置及び半導体装置 | |
JP2002278476A (ja) | 点欠陥を矯正したアレイ基板、及び、その製造方法 | |
JP4784372B2 (ja) | 配線基板の製造方法、ディスプレイ装置の製造方法、及び配線基板の製造装置 | |
JP2010056356A (ja) | 電子基板、電子基板の製造方法、および表示装置 | |
US10712624B2 (en) | Method for producing active matrix substrate and active matrix substrate | |
JP4674453B2 (ja) | 素子接続配線、画像表示装置及び配線切断方法 | |
JP2007241183A (ja) | 表示装置および表示装置の修復方法 | |
JP2008110401A (ja) | レーザ加工装置、レーザ加工方法、配線基板の製造方法、表示装置の製造方法、及び配線基板 | |
JP4760270B2 (ja) | 配線基板の製造方法及び表示装置の製造方法 | |
JP2009042680A (ja) | Tft基板及びその製造方法 | |
JP2007204818A (ja) | 配線基板の製造方法、及びディスプレイ装置の製造方法 | |
JP2006278728A (ja) | 導電膜修正方法、積層構造物及び薄膜トランジスタ | |
JP2007005049A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2007114477A (ja) | 表示装置 | |
JP2009301934A (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
JP2009139871A (ja) | アクティブマトリックス型表示装置及びアクティブマトリックス型表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080602 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111213 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120410 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120423 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |