JP2013174763A - レーザ加工装置およびレーザ加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶基板上の配線を修正するバイパス配線を形成する際、絶縁膜が除去されすぎてしまうことにより生じるショートを抑制する。
【解決手段】ステップＳ１において、ピークパワーの高いパルスレーザ光で、基板上の欠陥を修正する配線を形成する経路のカラーフィルタを、絶縁膜の上に、その一部の厚さが残るように除去する。ステップＳ２において、ピークパワーの低いＣＷレーザ光により、欠陥を修正する配線を形成する経路の絶縁膜上に一部の厚さが残されたカラーフィルタを除去する。ステップＳ３において、パルスレーザ光により配線に必要なコンタクト加工を施す。ステップＳ４において、ＣＷレーザによりＣＶＤ加工を施し、欠陥を修正する経路にバイパス配線を形成する。本発明は、レーザ加工装置に適用することができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、レーザ加工装置およびレーザ加工方法に関し、特に、液晶基板のカラーフィルタを、配線上の絶縁膜を傷つけることなく除去し、配線の欠陥を修正できるようにしたレーザ加工装置およびレーザ加工方法に関する。

液晶基板で配線上に絶縁膜とカラーフィルタが付されたＣＯＡ基板（Color filter on Array）での配線への修正加工においては、通常、パルスレーザにて配線接続用の経路をレーザ照射してカラーフィルタを除去した後、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）による膜付けによる配線接続を行う手法が採用されている。

ところが、この修正加工においては、パルスレーザによるカラーフィルタの除去加工時に、カラーフィルタと配線間にある絶縁膜が除去されてしまったり、十分に絶縁膜が残されていないことがあり、別のラインと交差して配線接続の膜付け加工を行う際に、電気的にショートしてしまうことがあった。

このようなショートを防止するため、配線の上の絶縁膜を残してカラーフィルタなどの薄膜のみを正確に除去する加工法が求められていた。

薄膜などの物質を除去する加工に対しては、紫外領域の波長に変換されたパルスレーザを使用し、レーザ周波数、スキャンスピード、エネルギ強度の条件を調整して加工することで、薄膜のみを正確に除去する加工法が提案されている（特許文献１，２参照）。

特開平９−１５２５６８号公報 特開２００７−７２１１６号公報

しかしながら、液晶基板における配線上のカラーフィルタと、配線との間に存在する絶縁膜は、上層となるカラーフィルタに対して下層の絶縁膜の厚さが１桁程度小さいものであるため、カラーフィルタを除去しきるように加工条件に設定しても、ピークパワーの高いパルスレーザにより除去すると下層の絶縁膜まで除去されてしまうことで、絶縁できるだけの十分な絶縁膜が残らないことがあり、別ラインと交差するＣＶＤ加工による修正を行うと交差部分でショートしてしまうことがあったため、信頼性の高い修正加工ができなかった。

また、ピークエネルギーの低いＣＷ（Continuous Wave）レーザを使用することで、絶縁膜へのダメージをなくしてカラーフィルタを除去することも考えられるが、ＣＷレーザのみの使用で除去するには、カラーフィルタの層が厚すぎるため、カラーフィルタを十分に除去することができない。

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、特に、液晶基板におけるカラーフィルタを除去する際、ピークパワーの高いパルスレーザにより絶縁膜に至らない一部を残した状態まで除去した後、ピークパワーの低いＣＷレーザにより残された一部のカラーフィルタを除去することで、絶縁膜へのダメージを抑制しつつ、カラーフィルタを除去できるようにし、絶縁膜のダメージによるショート等の不具合を抑制して、信頼性の高い欠陥修正を実現するものである。

本発明の一側面のレーザ加工装置は、基板上の薄膜で覆われた配線の欠陥を修正するレーザ加工装置であって、前記配線の欠陥を修正する経路の薄膜を、その厚さ方向に一部を残す状態まで除去するパルスレーザと、前記パルスレーザにより前記配線の欠陥を修正する経路の前記薄膜が一部を残す状態まで除去された後、前記厚さ方向に一部の残された薄膜を除去するＣＷ（Continuous Wave）レーザとを含む。

本発明の一側面のレーザ加工方法は、基板上の薄膜で覆われた配線の欠陥を修正するレーザ加工装置のレーザ加工方法であって、パルスレーザにより、前記配線の欠陥を修正する経路の薄膜を、その厚さ方向に一部を残す状態まで除去し、前記パルスレーザにより前記配線の欠陥を修正する経路の薄膜が厚さ方向に一部を残す状態まで除去された後、ＣＷ（Continuous Wave）レーザにより、前記一部の残された薄膜を除去する。

本発明の一側面においては、パルスレーザにより、前記配線の欠陥を修正する経路の薄膜が、その厚さ方向に一部が残される状態まで除去され、前記パルスレーザにより前記配線の欠陥を修正する経路の前記薄膜が厚さ方向に一部を残す状態まで除去された後、ＣＷ（Continuous Wave）レーザにより、前記一部の残された薄膜が除去される。

このため、ピークパワーの高いパルスレーザにより、配線の欠陥箇所の薄膜が、薄膜の厚さ方向に一部を残す状態まで除去されることになるので、薄膜の下層となる絶縁膜にダメージを与えることなく、大部分の薄膜を除去することが可能となる。さらに、その後、ピークパワーの低いＣＷレーザにより、厚さ方向に一部の残された薄膜が除去されることになるので、薄膜の下層に存在する絶縁膜にダメージを与えず、かつ、薄膜を取り残すことなく除去することが可能となる。

結果として、絶縁膜が不要に除去されることがなくなるので、絶縁膜が不要に除去されることに起因する修正配線のショートを防止することが可能となり、信頼性の高い配線の欠陥修正を実現することが可能となる。

前記パルスレーザには、前記ＣＷレーザにより前記薄膜が除去された後、前記配線の欠陥を修正する経路における、前記薄膜と前記配線との間に設けられた絶縁膜を除去させ、前記ＣＷレーザには、前記パルスレーザにより前記絶縁膜が除去された後、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により膜付けすることで配線の欠陥を修正する経路を接続させるようにすることができる。

このため、薄膜と絶縁膜とを除去するパルスレーザと、ＣＶＤ用のＣＷレーザとを用いることで、薄膜の下層に存在する絶縁膜にダメージを与えることなく、かつ、薄膜を取り残すことなく除去することが可能となる。

前記パルスレーザにより除去される、前記配線の欠陥箇所となる薄膜の一部を残す状態は、前記ＣＷレーザにより除去可能な薄膜の一部を残す状態とすることができる。

このため、ＣＶＤ用のＣＷレーザとを用いることで、薄膜の下層に存在する絶縁膜にダメージを与えることなく、かつ、薄膜を取り残すことなく除去することが可能となる。

前記基板上の薄膜は、液晶基板上のカラーフィルタとすることができる。

これにより、ピークパワーの高いパルスレーザにより、薄膜であるカラーフィルタの一部を残して除去した後、カラーフィルタの残りの一部をピークパワーの低いＣＷレーザで除去することができるので、絶縁膜にダメージを与えることなく、カラーフィルタを取り残すことなく除去することが可能となる。

前記ＣＷレーザは、前記パルスレーザにより前記配線の欠陥を修正する経路の薄膜が厚さ方向に一部を残す状態まで除去された後、前記一部の残された薄膜を除去するとき、前記ＣＶＤにより膜付けすることで配線の欠陥を修正する経路を接続するときよりも、走査速度が高速で、かつ、レーザパワーが強いものとすることができる。

これにより、薄膜より下層の絶縁膜にダメージを与えることなく、薄膜を取り残すことなく除去することが可能となる。

本発明によれば、基板上の薄膜で覆われた配線の欠陥を修正する際、基板上の薄膜の下層であって、配線より上層の絶縁膜にダメージを与えることなく、薄膜を除去することができるようになるので、絶縁膜が除去されることにより生じるショートを防止することが可能となり、欠陥修正の信頼性を向上させることが可能となる。

本発明を適用したレーザ加工装置の一実施の形態の構成例を説明するブロック図である。 図１のレーザ加工装置による欠陥修正処理を説明するフローチャートである。 液晶基板の配線の欠陥修正箇所を説明する図である。 カラーフィルタを除去する処理を説明する液晶基板の上面図である。 カラーフィルタを除去する処理を説明する液晶基板の側面図である。 コンタクト加工処理を説明する液晶基板の上面図である。 ＣＶＤ加工処理を説明する液晶基板の上面図である。 ＣＶＤ加工処理を説明する液晶基板の側面図である。

［レーザ加工装置の構成例］
図１は、本発明を適用したレーザ加工装置の一実施の形態の構成例を示す図である。

図１のレーザ加工装置１は、基板等の加工対象物の配線の欠陥をレーザ加工により修正する装置である。なお、以下、加工対象物の一例として、液晶基板２を挙げて説明する。

レーザ加工装置１は、ＣＶＤ加工用のＣＷレーザ発振器１１、レーザ照射強度均一化光学系１２、ＺＡＰ加工用のパルスレーザ発振器１３、レーザ照射強度均一化光学系１４、可変スリット１５、結像加工光学系１６、ガスユニット１７、原料ガス供給・排気ユニット１８、ホルダ１９、ＸＹステージ２０、観察光学系２１、および、制御部２２を含むように構成される。

ＣＷレーザ発振器１１は、例えば、ＣＷ（Continuous Wave）励起のＱスイッチＮｄ：ＹＬＦレーザにより構成され、第４高調波のレーザ光（以下、ＣＷレーザ光とも称する）を発振し、出射する。

レーザ照射強度均一化光学系１２は、可変スリット１５を通過するＣＷレーザ光の強度分布をほぼ均一にするための光学系である。例えば、レーザ照射強度均一化光学系１２は、ビームエキスパンダでＣＷレーザ光のビーム径を拡大し、強度差の小さいビーム中央部を可変スリット１５の開口に入射させることにより、可変スリット１５を通過するＣＷレーザ光の空間方向の強度分布を平均化する。また、レーザ照射強度均一化光学系１２は、ガルバノメータなどによりレーザビームを遥動させて、可変スリット１５を通過するＣＷレーザ光の時間方向の強度分布を平均化する。

パルスレーザ発振器１３は、例えば、パルス励起のＱスイッチＮｄ：ＹＬＦレーザにより構成され、第３高調波のレーザ光（以下、パルスレーザ光と称する）を発振し、出射する。

レーザ照射強度均一化光学系１４は、レーザ照射強度均一化光学系１２と同様の構成を有しており、可変スリット１５を通過するパルスレーザ光の空間方向および時間方向の強度分布を略均一にする。また、レーザ照射強度均一化光学系１４は、パルスレーザ光の照射パワー密度を調節するための光アッテネータを備える。

なお、以下、ＣＷレーザ光とパルスレーザ光とを特に区別する必要がない場合、単にレーザ光と称する。

可変スリット１５は、２枚１組のナイフエッジが２組設けられており、各組のナイフエッジの間隔を調整することにより、矩形の開口の大きさを変えることができる。また、可変スリット１５は、光軸回りに全体を回転させる機構を有している。

結像加工光学系１６は、可変スリット３を通過したレーザ光を液晶基板２の表面で結像させる光学系である。結像加工光学系１６は、例えば、対物レンズ１６ａ、結像レンズ（不図示）、ダイクロイックミラー（不図示）、レーザ光の光路を形成するミラー（不図示）、可変スリット１５通過後のレーザ光の出力を測定するレーザ出力測定器（不図示）などにより構成される。また、結像加工光学系１６は、レーザ光による可変スリット１５の開口の像である照射スポットを、液晶基板２上で所定の速度でスキャンさせるために対物レンズ１６ａを微動させる微動ステージ１６ｂを備える。

ガスユニット１７は、原料ガスを搬送するためのキャリアガス、および、パージガスを原料ガス供給・排気ユニット１８に供給する。また、ガスユニット１７は、原料ガス供給・排気ユニット１８の吸引口から吸引されるガスに含まれる原料ガスを熱分解し、フィルタにより捕捉する。なお、液晶基板２の加工部に供給する原料ガスの濃度は、制御部２２の制御の基に、原料ガスの容器の温度を調節して発生する原料ガスの濃度を調節したり、パージガスおよびキャリアガスの流量を調節することにより調節される。

原料ガス供給・排気ユニット１８は、キャリアガスおよびパージガスを液晶基板２の加工部に供給する。原料ガスは、キャリアガスにより液晶基板２の加工部に供給される。パージガスは、液晶基板２の加工部から空気を除去する。また、原料ガス供給・排気ユニット１８は、原料ガスが外部に漏れないように吸引する吸引口を備え、吸引したガスをガスユニット１７に供給する。これにより、液晶基板２の加工部近傍の空間が、原料ガス雰囲気に保たれる。そして、液晶基板２の加工部近傍の空間が、原料ガス雰囲気に保たれた状態でＣＷレーザ光が加工部に照射されることにより、加工部にＣＶＤ膜が堆積する。

また、原料ガス供給・排気ユニット１８は、レーザ光を透過する窓板を備える。パージガスは、その窓板がＣＶＤ加工されることを防止する役割も果たす。

尚、ＣＷレーザ光は、液晶基板２の配線の欠陥を修正する経路におけるカラーフィルタの除去に際しては、原料ガス供給・排気ユニット１８からは、キャリアガスおよびパージガスのいずれも供給されない状態で照射される。すなわち、液晶基板２は、表面となる最上層がカラーフィルタで構成されており、下層に向かって、絶縁膜、および配線層の順に構成されている。配線の欠陥を修正するに当たっては、配線の欠陥を修正する経路におけるカラーフィルタが除去された後、欠陥を修正する経路のうち、欠陥の生じた配線と接する領域についてのみ、コンタクト加工により絶縁膜が破られた状態で、その他の絶縁膜を跨ぐように、ＣＶＤによりバイパス配線が新たに設けられることにより欠陥修正がなされる。

上述したように、配線の欠陥を修正するバイパス配線を形成するための経路については、まず、カラーフィルタが除去されることになるが、カラーフィルタの除去は、パルスレーザ光、およびＣＷレーザ光のいずれもが使用される。より詳細には、欠陥を修正する経路におけるカラーフィルタに対して、まず、ピークパワーの高いパルスレーザ光により、絶縁膜上に一部のカラーフィルタが残る状態（絶縁膜上に一部の厚さのカラーフィルタが残る状態）までカラーフィルタが除去される。そして、ピークパワーの低いＣＷレーザ光により、絶縁膜上に、その一部の厚さが残されているカラーフィルタが除去される。このようにカラーフィルタが除去されることにより、絶縁膜に近い部分については、ピークパワーの低いＣＷレーザ光が使用されるので、絶縁膜へのダメージを抑制しつつ、カラーフィルタを取り残すことなく除去することができる。結果として、その後、ＣＶＤにより欠陥を修正する経路上にバイパス配線が形成されても、欠陥の生じた配線を接続すべき位置以外は、絶縁膜が有効に残されているので、その他の配線を跨ぐように修正用のバイパス配線が接続されても、相互に絶縁状態が維持されるため、バイパス配線と、バイパス配線を交差するように存在する配線とのショートが防止され、信頼性の高い欠陥修正を実現することが可能となる。

ホルダ１９は、ＸＹステージ２０上に搭載され、液晶基板２の位置を固定する。

ＸＹステージ２０は、制御部２２の制御の基に、ホルダ１９を水平方向に移動させ、ホルダ１９に保持されている液晶基板２の加工位置の位置決めを行う。

制御部２２は、例えば、コンピュータまたは各種のプロセッサ等により構成され、レーザ加工装置１の各部の制御を行う。より詳細には、制御部２２は、ガスユニット１７を制御して、原料ガスの濃度、並びに、パージガスおよびキャリアガスの流量を調節する。また、制御部２２は、パワー制御部２２ａ、およびスキャン速度制御部２２ｂを備えている。パワー制御部２２ａは、ＣＷレーザ発振器１１のＱスイッチ周波数やＣＷレーザ光のパルス幅等を調節する。また、パワー制御部２２ａは、レーザ照射強度均一化光学系１２の光アッテネータを制御して、ＣＷレーザ光の照射パワー密度を調節する。さらに、パワー制御部２２ａは、パルスレーザ発振器１３のＱスイッチ周波数やパルスレーザ光のパルス幅等を調節する。また、パワー制御部２２ａは、レーザ照射強度均一化光学系１４の光アッテネータを制御して、パルスレーザ光の照射パワー密度を調節する。

スキャン速度制御部２２ｂは、結像加工光学系１６の微動ステージ１６ｂを制御して、照射スポットのスキャン速度を調節する。また、スキャン速度制御部２２ｂは、ＸＹステージ２０を制御して、液晶基板２の水平方向の位置を移動させる。

［欠陥修正処理］
次に、図２のフローチャートを参照して、図１のレーザ加工装置によるレーザ加工による液晶基板２における配線の欠陥修正処理について説明する。

ステップＳ１において、制御部２２は、パルスレーザ発振器１３、およびレーザ照射強度均一化光学系１４を制御して、パルスレーザ光を発生させ、可変スリット１５、および結増加工光学系１６を介して、液晶基板２の配線の欠陥を修正する経路のカラーフィルタを、絶縁膜上に一部の厚さのカラーフィルタが残るように除去する。この際、制御部２２は、ＸＹステージ２０を制御して、ホルダ１９により保持されている液晶基板２の加工位置を制御する。

すなわち、例えば、液晶基板２上の欠陥位置が、図３の欠陥位置５１で示されるような場合、パルスレーザ光により、図４で示される領域６１で示される欠陥を修正するためのバイパス配線を形成するための経路上のカラーフィルタが、絶縁膜上に、その一部の厚さが残るように除去される。より詳細には、図５の図４におけるＡＡ断面図で示されるように、カラーフィルタ７１における領域６１のうちの、図中の右上がりの斜線部で示される領域６１のうち、カラーフィルタ７１の一部の厚さとなる下層部６１ｂを残すように、上層部６１ａのみが、パルスレーザ光により除去される。

尚、図３，図４は、液晶基板２の上面図であり、図５は、図４における領域６１のＡＡ断面図である。図５で示されるように液晶基板２は、領域６１が構成される前の段階においては、絶縁膜７２−１上にゲートライン配線５３−２が形成され、その上にゲートライン配線５３−１が覆われるように絶縁膜７２−２が形成され、絶縁膜７２−２の上層にカラーフィルタ７１が積層されるように形成されている。

また、図３，図４には、液晶基板２上にデータライン配線５２−１，５２−２、およびゲートライン配線５３−１乃至５３−４が、絶縁膜（不図示）を挟んで、それぞれ水平方向、および垂直方向に配線されている状態が示されている。また、データライン配線５２−１上のゲートライン５３−２の図中左側の点線で示される丸印が、データライン配線５２−１が断線している欠陥位置５１を示している。

ステップＳ２において、制御部２２は、ＣＷレーザ発振器１１、およびレーザ照射強度均一化光学系１２を制御して、ＣＷレーザ光を発生させ、可変スリット１５、および結増加工光学系１６を介して、液晶基板２の配線の欠陥位置５１の修正に必要とされるカラーフィルタ７１の領域６１のうち、ステップＳ１の処理によりパルスレーザ光により除去されず、絶縁膜７２−２上に残された一部の厚さのカラーフィルタを除去する。この際、制御部２２は、ＸＹステージ２０を制御して、ホルダ１９により保持されている液晶基板２の加工位置を制御する。

すなわち、図５で示されるように、カラーフィルタ７１における領域６１のうち、パルスレーザ光により除去されず、一部の厚さだけ残されている、図中の右下がりの斜線部で示される下層部６１ｂが、ＣＷレーザ光により除去される。

このため、ピークパワーの高いパルスレーザ光では、欠陥を修正するバイパス配線を形成する経路のカラーフィルタ７１の領域６１のうち、絶縁膜７２−２上にカラーフィルタ７１の一部の厚さを残す上層部６１ａのみが除去されることになるので、絶縁膜７２−２にダメージを与えることなく、カラーフィルタ７１の大部分を除去することが可能となる。また、領域６１のうち、パルスレーザ光により上層部６１ａが除去されたときの残りのパラーフィルタ７１の下層部６１ｂのみがピークパワーの低いＣＷレーザ光により除去される。このため、絶縁膜７２−２にダメージを与えず、かつ、カラーフィルタ７１を取り残すことなく除去することが可能となる。尚、ＣＷレーザ光により除去することが可能なカラーフィルタ７１の厚さには限界があるため、ＣＷレーザ光により除去可能なカラーフィルタ７１の厚さが、下層部６１ｂの厚さとして設定できるように、パルスレーザ光により除去されるべき上層部６１ａの厚さは設定される。

また、ＣＷレーザは、カラーフィルタ７１を除去する際には、後述する欠陥を修正する経路上に配線を形成するＣＶＤ加工時よりも、スキャン速度を高速にし、かつ、レーザ強度を強くする必要がある。このため、ＣＷレーザによりカラーフィルタ７１を除去する際、制御部２２のスキャン速度制御部２２ｂは、結像加工光学系１６の微動ステージ１６ｂを制御して、照射スポットのスキャン速度を、ＣＶＤ加工時よりも高速にするように制御すると共に、パワー制御部２２ａは、ＣＷレーザ光のレーザ強度をＣＶＤ加工時よりも強くするように制御する。

ステップＳ３において、制御部２２は、パルスレーザ発振器１３、およびレーザ照射強度均一化光学系１４を制御して、パルスレーザ光を発生させ、可変スリット１５、および結増加工光学系１６を介して、図６で示される領域６１のうち、液晶基板２の配線の欠陥を修正する経路となる領域６１のうち、図中の点線の丸印で示される位置８１−１，８１−２の絶縁膜７２−１を除去する、いわゆるコンタクト加工を行う。

すなわち、この処理により位置８１−１においては、図６で示されるように、絶縁膜７２−２が除去された状態となる。尚、図６においては、位置８１−１における絶縁膜７２−２が除去された状態のみが示されているが、位置８１−２についても同様にコンタクト加工されて、絶縁膜７２−２が除去される。

ステップＳ４において、制御部２２は、ＣＷレーザ発振器１１、およびレーザ照射強度均一化光学系１２を制御して、ＣＷレーザ光を発生させ、可変スリット１５、および結増加工光学系１６を介して、液晶基板２の配線の欠陥位置５１を修正する経路である領域６１ａに対して、バイパス配線を形成するためのＣＶＤ加工を施す。この際、制御部２２は、ＸＹステージ２０を制御して、ホルダ１９により保持されている液晶基板２の加工位置を制御する。また、制御部２２は、必要に応じて、ガスユニット１７を制御して、原料ガス供給・排気ユニット１８に対して、ＣＶＤ加工に必要とされる原料ガスを搬送するためのキャリアガス、および、パージガスを供給させる。

この結果、ＣＶＤ加工により、図７の右下がりの斜線部で示されるように、欠陥位置５１を修正する経路にバイパス配線９１が形成される。バイパス配線９１は、図８の、図７におけるＢＢ断面図で示されるように、コンタクト加工された位置８１−１において、絶縁膜７２が除去されているので、データライン配線５２−１と電気的に接続されている。また、図示しないが、位置８１−２についても同様の構成となっているので、やはり、バイパス配線９１は、データライン配線５２−１の欠陥を修正するように電気的に接続された状態となる。さらに、バイパス配線が形成された領域においては、コンタクト加工された位置８１−１，８１−２以外の領域においては、絶縁膜７２−２が有効に存在する。このため、例えば、図７の位置９２で示されるような、ゲートライン配線５３−２と、バイパス配線９１が交差するような構成となっていても、その間には絶縁膜７２−２が存在するので、電気的には絶縁されているので、ショートするようなことが防止された状態で、データライン配線５２−１の欠陥位置５１で示される欠陥を修正するためのバイパス配線９１を形成することが可能となる。

以上の処理により、液晶基板の欠陥修正処理におけるカラーフィルタの除去に当たり、ピークパワーの高いパルスレーザ光により、カラーフィルタの下層に存在する絶縁膜上に、その一部の厚さを残すようにカラーフィルタが除去された後、ピークパワーの低いＣＷレーザ光により、絶縁膜上に一部の厚さだけ残されたカラーフィルタが除去されるようにしたので、絶縁膜へのダメージを低減し、かつ、カラーフィルタを取り残すことなく除去することが可能となる。

結果として、カラーフィルタの除去に際して、ダメージを受けた絶縁膜により被服されていた配線がむき出しになることが抑制されるので、バイパス配線が、他の配線と交差するような構成となっても、ショートしてしまうといった不具合を防止することが可能となる。

尚、以上においては、欠陥を修復するためのバイパス配線を形成するための経路のカラーフィルタを除去する例について説明してきたが、絶縁膜に対して十分な厚さを備えたものであって、下層に絶縁膜が設けられている薄膜を除去する場合において、絶縁膜にダメージを与えずに除去するような加工処理にも適用することが可能である。

以上の如く、本発明によれば、基板上の薄膜で覆われた配線の欠陥を修正する際、基板上の薄膜の下層であって、配線より上層の絶縁膜にダメージを与えることなく、薄膜を除去することができるようになるので、薄膜を除去する際に、絶縁膜も除去されてしまうことにより、バイパス配線と、他の配線とが交差するような構成となっても、電気的にショートしてしまうといったことを防止することが可能となり、欠陥修正の信頼性を向上させることが可能となる。

また、本明細書において、各種の処理を実行するステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理は、もちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理を含むものである。

１ レーザ加工装置
２ 液晶基板
１１ ＣＷレーザ発振器
１２ レーザ照射強度均一化光学系
１３ パルスレーザ発振器
１４ レーザ照射強度均一化光学系
１５ 可変スリット
１６ 結像加工光学系
１６ａ 対物レンズ
１６ｂ 微動ステージ
１７ ガスユニット
１８ 原料ガス供給・排気ユニット
２２ 制御部
２２ａ パワー制御部
２２ｂ スキャン速度制御部

Claims (6)

1. 基板上の薄膜で覆われた配線の欠陥を修正するレーザ加工装置であって、
   前記配線の欠陥を修正する経路の薄膜を、その厚さ方向に一部を残す状態まで除去するパルスレーザと、
   前記パルスレーザにより前記配線の欠陥を修正する経路の前記薄膜が厚さ方向に一部を残す状態まで除去された後、前記一部の残された薄膜を除去するＣＷ（Continuous Wave）レーザと
   を含むレーザ加工装置。
2. 前記パルスレーザは、前記ＣＷレーザにより前記薄膜が除去された後、前記配線の欠陥を修正する経路における、前記薄膜と前記配線との間に設けられた絶縁膜を除去し、
   前記ＣＷレーザは、前記パルスレーザにより前記絶縁膜が除去された後、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により膜付けすることで配線の欠陥を修正する経路を接続する
   請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 前記パルスレーザにより除去される、前記配線の欠陥を修正する経路の薄膜の一部を残す状態は、前記ＣＷレーザにより除去可能な薄膜の一部を残す状態である
   請求項１に記載のレーザ加工装置。
4. 前記基板上の薄膜は、液晶基板上のカラーフィルタである
   請求項１に記載のレーザ加工装置。
5. 前記ＣＷレーザは、前記パルスレーザにより前記配線の欠陥を修正する経路の薄膜が厚さ方向に一部を残す状態まで除去された後、前記一部の残された薄膜を除去するとき、前記ＣＶＤにより膜付けすることで配線の欠陥を修正する経路を接続するときよりも、走査速度が高速で、かつ、レーザパワーが強い
   請求項１に記載のレーザ加工装置。
6. 基板上の薄膜で覆われた配線の欠陥を修正するレーザ加工装置のレーザ加工方法であって、
   パルスレーザにより、前記配線の欠陥を修正する経路の薄膜を、その厚さ方向に一部を残す状態まで除去し、
   前記パルスレーザにより前記配線の欠陥を修正する経路の薄膜が厚さ方向に一部を残す状態まで除去された後、ＣＷ（Continuous Wave）レーザにより、前記一部の残された薄膜を除去する
   レーザ加工方法。

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