JPH10240150A - 配線用組成物、この組成物を用いた金属配線およびその製造方法、この配線を用いた表示装置およびその製造方法 - Google Patents
配線用組成物、この組成物を用いた金属配線およびその製造方法、この配線を用いた表示装置およびその製造方法Info
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- JPH10240150A JPH10240150A JP10045998A JP4599898A JPH10240150A JP H10240150 A JPH10240150 A JP H10240150A JP 10045998 A JP10045998 A JP 10045998A JP 4599898 A JP4599898 A JP 4599898A JP H10240150 A JPH10240150 A JP H10240150A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低抵抗を有しかつ厚さに応じて応力の調節が
可能な薄膜トランジスタの配線を提供する。 【解決手段】 モリブデンまたはモリブデン−タングス
テン組成物を用いて配線をする際に接触孔を形成すると
き、保護膜およびゲート絶縁層の側面部エッチングを遅
延させる高分子膜を形成するかCF4＋O2を用いてモリブ
デン合金膜がエッチングされないようにし、SF6＋HCl
(＋He)またはSF6＋Cl2(＋He)を用いて接触孔のフレーム
が緩やかな傾斜を有するように形成する。また、モリブ
デンまたはモリブデン−タングステン合金膜をマスクに
して非晶質シリコン層をエッチングするとき、ハロゲン
化水素気体とCF4、CHF3、CHClF2、CH3FおよびC2F6のう
ち、少なくとも一つの気体を用いる。
可能な薄膜トランジスタの配線を提供する。 【解決手段】 モリブデンまたはモリブデン−タングス
テン組成物を用いて配線をする際に接触孔を形成すると
き、保護膜およびゲート絶縁層の側面部エッチングを遅
延させる高分子膜を形成するかCF4＋O2を用いてモリブ
デン合金膜がエッチングされないようにし、SF6＋HCl
(＋He)またはSF6＋Cl2(＋He)を用いて接触孔のフレーム
が緩やかな傾斜を有するように形成する。また、モリブ
デンまたはモリブデン−タングステン合金膜をマスクに
して非晶質シリコン層をエッチングするとき、ハロゲン
化水素気体とCF4、CHF3、CHClF2、CH3FおよびC2F6のう
ち、少なくとも一つの気体を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は配線用組成物、こ
の組成物を用いた金属配線およびその製造方法、この配
線を用いた表示装置およびその製造方法に関する。
の組成物を用いた金属配線およびその製造方法、この配
線を用いた表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置または表示装置の配
線は信号が伝達される手段に用いられるので、信号の遅
延および短絡を抑制するのが求められる。短絡を防止す
る方法としては、配線を多層に形成する方法があるが、
多層の配線を形成するため、互いに異なるエッチング液
が必要であるばかりでなく、数回のエッチング工程が必
要になる。
線は信号が伝達される手段に用いられるので、信号の遅
延および短絡を抑制するのが求められる。短絡を防止す
る方法としては、配線を多層に形成する方法があるが、
多層の配線を形成するため、互いに異なるエッチング液
が必要であるばかりでなく、数回のエッチング工程が必
要になる。
【０００３】信号遅延を防止する方法としては、低抵抗
を有するアルミニウム(Al)またはアルミニウム合金(Al
alloy)などのような物質を用いるのが一般的である。し
かしながら、アルミニウムまたはアルミニウム合金を用
いる場合には陽極酸化工程を付加してアルミニウムの弱
い物理的な特性を補完する必要がある。また、液晶表示
装置でのように、パッド部においてＩＴＯ(indium tin
oxide)を用いてアルミニウムを補完する場合、アルミニ
ウムまたはアルミニウム合金とＩＴＯの接触特性が不良
で他の金属を介在しなければならないという問題点を有
している。
を有するアルミニウム(Al)またはアルミニウム合金(Al
alloy)などのような物質を用いるのが一般的である。し
かしながら、アルミニウムまたはアルミニウム合金を用
いる場合には陽極酸化工程を付加してアルミニウムの弱
い物理的な特性を補完する必要がある。また、液晶表示
装置でのように、パッド部においてＩＴＯ(indium tin
oxide)を用いてアルミニウムを補完する場合、アルミニ
ウムまたはアルミニウム合金とＩＴＯの接触特性が不良
で他の金属を介在しなければならないという問題点を有
している。
【０００４】一方、液晶表示装置用配線は液晶表示装置
の高精細化が進行されるに従って配線の数が増加するの
で、配線の幅は狭くなる。しかしながら、配線は一定の
程度以下の抵抗値を確保しなければならないので、配線
の厚さは増加することになる。このとき、配線の厚さが
増加するほど配線の応力は液晶表示装置用基板に印加さ
れ、基板の大きさが大きくなるに従ってこの応力は増加
することになる。
の高精細化が進行されるに従って配線の数が増加するの
で、配線の幅は狭くなる。しかしながら、配線は一定の
程度以下の抵抗値を確保しなければならないので、配線
の厚さは増加することになる。このとき、配線の厚さが
増加するほど配線の応力は液晶表示装置用基板に印加さ
れ、基板の大きさが大きくなるに従ってこの応力は増加
することになる。
【０００５】
【発明の目的】本発明は前記従来の問題点を解決するた
めのものであって、その目的は、低抵抗を有しかつ厚さ
に応じて応力の調節が可能な配線を提供することにあ
る。
めのものであって、その目的は、低抵抗を有しかつ厚さ
に応じて応力の調節が可能な配線を提供することにあ
る。
【０００６】また、本発明の目的は、容易に形成できる
二重配線を提供し、これを用いて表示装置の製造工程が
簡単でかつ製品の特性を向上させることにある。
二重配線を提供し、これを用いて表示装置の製造工程が
簡単でかつ製品の特性を向上させることにある。
【０００７】また、本発明の目的は、導電膜または金属
配線を露出させる接触孔のフレームの傾斜角を緩やかに
し接触孔の下部の導電膜のエッチングを防止することに
ある。
配線を露出させる接触孔のフレームの傾斜角を緩やかに
し接触孔の下部の導電膜のエッチングを防止することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に従う配線は同一
のエッチング条件においてテーパ形状に加工でき、テー
パ角度が２０〜７０°の範囲である二重導電膜である
か、同一のエッチング条件において下部導電膜のエッチ
ング比より上部導電膜のエッチング比が７０〜１００オ
ングストローム／sec程度大きい二重導電膜からなる。
ここで、エッチング方法が湿式エッチングである場合、
同一のエッチング条件とは、同一のエッチング液を用い
ることである。
のエッチング条件においてテーパ形状に加工でき、テー
パ角度が２０〜７０°の範囲である二重導電膜である
か、同一のエッチング条件において下部導電膜のエッチ
ング比より上部導電膜のエッチング比が７０〜１００オ
ングストローム／sec程度大きい二重導電膜からなる。
ここで、エッチング方法が湿式エッチングである場合、
同一のエッチング条件とは、同一のエッチング液を用い
ることである。
【０００９】かかる導電膜は１５μΩcm以下の低い比抵
抗を有する下部導電膜とパッド用物質からなる上部導電
膜からなる。ここで、パッド用物質とは、パッドとして
用いられる特性を有する物質である。その特性について
は実施の形態において説明する。
抗を有する下部導電膜とパッド用物質からなる上部導電
膜からなる。ここで、パッド用物質とは、パッドとして
用いられる特性を有する物質である。その特性について
は実施の形態において説明する。
【００１０】ここで、導電膜のうち、一つはアルミニウ
ムまたはアルミニウム合金が用いられ、導電膜がアルミ
ニウム合金である場合には含有された転移金属または希
土類金属が５％以下であることが好ましい。
ムまたはアルミニウム合金が用いられ、導電膜がアルミ
ニウム合金である場合には含有された転移金属または希
土類金属が５％以下であることが好ましい。
【００１１】他の導電膜としては、原子百分率０．０１
％〜２０％未満のタングステンＷと残りのモリブデン
(Ｍｏ)および必須不純物からなるモリブデン組成物また
は合金が用いられる。モリブデン合金においてタングス
テンの組成比は原子百分率９％〜１１％であることが好
ましい。
％〜２０％未満のタングステンＷと残りのモリブデン
(Ｍｏ)および必須不純物からなるモリブデン組成物また
は合金が用いられる。モリブデン合金においてタングス
テンの組成比は原子百分率９％〜１１％であることが好
ましい。
【００１２】湿式エッチングの際、エッチング液はアル
ミニウムまたはアルミニウム合金をエッチングするに用
いられるエッチング液であり、例えば、CH3COOH/HNO3/H
3PO4/H2Oを挙げられ、このとき、HNO3の濃度は８〜１４
％であることが好ましい。
ミニウムまたはアルミニウム合金をエッチングするに用
いられるエッチング液であり、例えば、CH3COOH/HNO3/H
3PO4/H2Oを挙げられ、このとき、HNO3の濃度は８〜１４
％であることが好ましい。
【００１３】かかる二重導電膜の配線は表示装置におい
て走査信号を印加するゲート線またはデータ信号を印加
するデータ線に用いられる。かかる本発明に従う配線の
製造方法は、１基板の上部に下部導電膜を積層し下部導
電膜の上部に同一のエッチング条件において下部導電膜
のエッチング比よりエッチング比が７０〜１００オング
ストローム/sec程度大きい上部導電膜を積層する。次
に、上部導電膜および下部導電膜を同時にエッチングし
て配線を完成する。
て走査信号を印加するゲート線またはデータ信号を印加
するデータ線に用いられる。かかる本発明に従う配線の
製造方法は、１基板の上部に下部導電膜を積層し下部導
電膜の上部に同一のエッチング条件において下部導電膜
のエッチング比よりエッチング比が７０〜１００オング
ストローム/sec程度大きい上部導電膜を積層する。次
に、上部導電膜および下部導電膜を同時にエッチングし
て配線を完成する。
【００１４】かかる二重導電膜からなる配線の製造方法
は、表示装置の製造方法において走査信号を印加するゲ
ート線またはデータ信号を印加するデータ線の製造方法
でも適用できる。このとき、配線は外部から信号が伝達
されるパッドを有し、下部導電膜がパッド用物質で形成
されている場合、パッドにおいては上部導電膜を除去す
ることが好ましい。ここで、モリブデン組成物は比抵抗
が１２〜１４μΩcm程度に小さく、パッドに使用可能で
あるので、単一膜配線に用いられる。この配線は２０〜
７０°、より好ましくは、４０〜５０°程度のプロファ
イルを有する。従って、かかる配線は表示装置のゲート
線またはデータ線に用いられる。
は、表示装置の製造方法において走査信号を印加するゲ
ート線またはデータ信号を印加するデータ線の製造方法
でも適用できる。このとき、配線は外部から信号が伝達
されるパッドを有し、下部導電膜がパッド用物質で形成
されている場合、パッドにおいては上部導電膜を除去す
ることが好ましい。ここで、モリブデン組成物は比抵抗
が１２〜１４μΩcm程度に小さく、パッドに使用可能で
あるので、単一膜配線に用いられる。この配線は２０〜
７０°、より好ましくは、４０〜５０°程度のプロファ
イルを有する。従って、かかる配線は表示装置のゲート
線またはデータ線に用いられる。
【００１５】前述したように、かかるモリブデン−タン
グステン配線を用いて液晶表示装置を製作できる。本発
明に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方
法においては、基板上に原子百分率０．０１％〜２０％
未満のタングステンと残りのモリブデンおよび必須不純
物からなるモリブデン合金を積層しエッチング液を用い
てモリブデン合金膜をパターニングしてゲート線、ゲー
トパッドおよびゲート電極を含むゲート配線を形成す
る。ここで、モリブデン合金膜の下部にアルミニウムま
たはアルミニウム合金からなる導電膜を積層することが
でき、モリブデン合金膜をパターニングするとき、導電
膜と共にパターニングする。アルミニウム合金である場
合、含有された転移金属または希土類金属が５％以下で
あることが好ましい。湿式エッチングの際、エッチング
液はアルミニウムまたはアルミニウム合金をエッチング
するに用いられるエッチング液であって、例えば、CH3C
OOH/HNO3/H3PO4/H2Oを挙げられ、このとき、HNO3の濃度
は８〜１４％であることが好ましい。
グステン配線を用いて液晶表示装置を製作できる。本発
明に従う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方
法においては、基板上に原子百分率０．０１％〜２０％
未満のタングステンと残りのモリブデンおよび必須不純
物からなるモリブデン合金を積層しエッチング液を用い
てモリブデン合金膜をパターニングしてゲート線、ゲー
トパッドおよびゲート電極を含むゲート配線を形成す
る。ここで、モリブデン合金膜の下部にアルミニウムま
たはアルミニウム合金からなる導電膜を積層することが
でき、モリブデン合金膜をパターニングするとき、導電
膜と共にパターニングする。アルミニウム合金である場
合、含有された転移金属または希土類金属が５％以下で
あることが好ましい。湿式エッチングの際、エッチング
液はアルミニウムまたはアルミニウム合金をエッチング
するに用いられるエッチング液であって、例えば、CH3C
OOH/HNO3/H3PO4/H2Oを挙げられ、このとき、HNO3の濃度
は８〜１４％であることが好ましい。
【００１６】また、かかる本発明に従う薄膜トランジス
タ基板の製造方法においてデータ線、データパッドおよ
びソース／ドレイン電極を含むデータ配線はモリブデン
−タングステン合金、クロムまたはモリブデンの単一膜
またはこれらを組合わせた２重膜で形成する。このと
き、アルミニウムまたはアルミニウム合金を上部膜で形
成する場合、パッドにおいてはアルミニウム膜またはア
ルミニウム合金膜を除去することが好ましい。
タ基板の製造方法においてデータ線、データパッドおよ
びソース／ドレイン電極を含むデータ配線はモリブデン
−タングステン合金、クロムまたはモリブデンの単一膜
またはこれらを組合わせた２重膜で形成する。このと
き、アルミニウムまたはアルミニウム合金を上部膜で形
成する場合、パッドにおいてはアルミニウム膜またはア
ルミニウム合金膜を除去することが好ましい。
【００１７】このデータ線、データパッドおよびソース
／ドレイン電極を下部膜はクロム膜、上部膜はモリブデ
ン−タングステン合金膜で形成する場合、同一のエッチ
ング液で上部膜と下部膜とを同一にエッチングしてテー
パ形状に加工する。ここで、エッチング液はクロムをエ
ッチングするに用いられるエッチング液であって、例え
ば、HNO3/(HN4)2Ce(NO3)6/H2Oを挙げられ、このとき、H
NO3の濃度は４〜１０％、(HN4)2Ce(NO3)6の濃度は１０
〜１５％であることが好ましい。このとき、モリブデン
またはモリブデン合金の配線はその厚さを厚く形成して
も基板が歪まないように応力を調節できるので、高精細
大画面基板に適合である。
／ドレイン電極を下部膜はクロム膜、上部膜はモリブデ
ン−タングステン合金膜で形成する場合、同一のエッチ
ング液で上部膜と下部膜とを同一にエッチングしてテー
パ形状に加工する。ここで、エッチング液はクロムをエ
ッチングするに用いられるエッチング液であって、例え
ば、HNO3/(HN4)2Ce(NO3)6/H2Oを挙げられ、このとき、H
NO3の濃度は４〜１０％、(HN4)2Ce(NO3)6の濃度は１０
〜１５％であることが好ましい。このとき、モリブデン
またはモリブデン合金の配線はその厚さを厚く形成して
も基板が歪まないように応力を調節できるので、高精細
大画面基板に適合である。
【００１８】また、本発明に従う半導体装置の製造方法
においては金属膜または金属配線上の絶縁膜にホトレジ
ストをパターニングし、これをマスクにして絶縁膜をエ
ッチングして金属膜上に二つ以上の接触孔を形成する。
このとき、絶縁膜の厚さが異なるため、厚さが薄い側の
接触孔の下方の金属膜がエッチングされるのを防止し、
緩やかな傾斜角でエッチングするため、２段階または３
段階過程に分けて接触孔を形成する。
においては金属膜または金属配線上の絶縁膜にホトレジ
ストをパターニングし、これをマスクにして絶縁膜をエ
ッチングして金属膜上に二つ以上の接触孔を形成する。
このとき、絶縁膜の厚さが異なるため、厚さが薄い側の
接触孔の下方の金属膜がエッチングされるのを防止し、
緩やかな傾斜角でエッチングするため、２段階または３
段階過程に分けて接触孔を形成する。
【００１９】２段階で形成する方法においては、まずホ
トレジストと絶縁膜に対しエッチング選択比１：１ない
し１：１．５であるエッチング条件において部分エッチ
ングを行なうが、このとき、絶縁膜の厚さが薄い側は絶
縁膜および金属膜の一部がエッチングされる。次いで、
絶縁膜と金属膜とのエッチング選択比が１：１５以上で
あるエッチング条件において残りの絶縁膜をエッチング
する。
トレジストと絶縁膜に対しエッチング選択比１：１ない
し１：１．５であるエッチング条件において部分エッチ
ングを行なうが、このとき、絶縁膜の厚さが薄い側は絶
縁膜および金属膜の一部がエッチングされる。次いで、
絶縁膜と金属膜とのエッチング選択比が１：１５以上で
あるエッチング条件において残りの絶縁膜をエッチング
する。
【００２０】３段階で形成する方法においては、まず絶
縁膜の厚さが薄い側の金属膜が露出されるまでエッチン
グした後、エッチングの際露出された表面に高分子膜を
形成する。次に、絶縁層と金属膜とのエッチング選択比
が１５：１以上であるエッチング条件において残りの絶
縁膜をエッチングする。ここで、高分子膜は最後の段階
において絶縁膜が側面にエッチングされるのを防止す
る。
縁膜の厚さが薄い側の金属膜が露出されるまでエッチン
グした後、エッチングの際露出された表面に高分子膜を
形成する。次に、絶縁層と金属膜とのエッチング選択比
が１５：１以上であるエッチング条件において残りの絶
縁膜をエッチングする。ここで、高分子膜は最後の段階
において絶縁膜が側面にエッチングされるのを防止す
る。
【００２１】かかる方法は第１金属膜、第１絶縁膜、第
２金属膜、第２絶縁膜が連続に形成されている構造で適
用できる。すなわち、第２絶縁膜下部の第２金属膜を露
出させる第１接触孔と第２および第１絶縁膜下部の第１
金属膜を露出させる第２接触孔を同時に形成するとき適
用できる。
２金属膜、第２絶縁膜が連続に形成されている構造で適
用できる。すなわち、第２絶縁膜下部の第２金属膜を露
出させる第１接触孔と第２および第１絶縁膜下部の第１
金属膜を露出させる第２接触孔を同時に形成するとき適
用できる。
【００２２】また、かかる方法は半導体装置の配線を外
部と連結するためのパッドを露出させる接触孔を形成す
るとき適用でき、特に、薄膜トランジスタ基板において
ゲートパッドとデータパッドとをそれぞれ露出させる接
触孔を同時に形成するとき適用できる。
部と連結するためのパッドを露出させる接触孔を形成す
るとき適用でき、特に、薄膜トランジスタ基板において
ゲートパッドとデータパッドとをそれぞれ露出させる接
触孔を同時に形成するとき適用できる。
【００２３】特に、金属膜はモリブデン膜またはモリブ
デン−タングステン合金膜であり、絶縁膜は窒化シリコ
ン膜であり、プラズマ乾式エッチングを用いて絶縁膜を
エッチングする場合、２段階または３段階のエッチング
方法のうち、最後の段階で用いる気体としてモリブデン
膜またはモリブデン−タングステン合金膜のエッチング
を最小化できるCF4＋O2が好ましい。また、２段階のエ
ッチング方法において最初の段階で用いる気体として
は、初期プロファイルを良好にできるSF6＋HCl(＋He)ま
たはSF6＋Cl2(＋He)が適切である。CF4に対するO2の比
率を4/10以下とする場合、１回のエッチング段階でモリ
ブデン膜またはモリブデン−タングステン合金膜のゲー
トパッドおよびデータパッドを同時に露出させることが
できる。
デン−タングステン合金膜であり、絶縁膜は窒化シリコ
ン膜であり、プラズマ乾式エッチングを用いて絶縁膜を
エッチングする場合、２段階または３段階のエッチング
方法のうち、最後の段階で用いる気体としてモリブデン
膜またはモリブデン−タングステン合金膜のエッチング
を最小化できるCF4＋O2が好ましい。また、２段階のエ
ッチング方法において最初の段階で用いる気体として
は、初期プロファイルを良好にできるSF6＋HCl(＋He)ま
たはSF6＋Cl2(＋He)が適切である。CF4に対するO2の比
率を4/10以下とする場合、１回のエッチング段階でモリ
ブデン膜またはモリブデン−タングステン合金膜のゲー
トパッドおよびデータパッドを同時に露出させることが
できる。
【００２４】また、このデータ配線は非晶質シリコン薄
膜トランジスタ基板に適用でき、このとき、非晶質シリ
コン層と共にドーピングされた非晶質シリコン層が用い
られる。このドーピングされた非晶質シリコンはデータ
配線をマスクにして乾式エッチングされる。しかしなが
ら、モリブデンまたはモリブデン合金は非晶質シリコン
層をエッチングするための乾式エッチング用気体により
エッチングされやすいため、この過程においてデータ配
線に対するエッチング比が１００オングストローム/min
以下の乾式エッチング用気体を選択しなければならない
し、ハロゲン化水素気体とCF4、CHF3、CHClF2、CH3Fお
よびC2F2のうち、少なくとも一つの気体がこれに適合で
ある。
膜トランジスタ基板に適用でき、このとき、非晶質シリ
コン層と共にドーピングされた非晶質シリコン層が用い
られる。このドーピングされた非晶質シリコンはデータ
配線をマスクにして乾式エッチングされる。しかしなが
ら、モリブデンまたはモリブデン合金は非晶質シリコン
層をエッチングするための乾式エッチング用気体により
エッチングされやすいため、この過程においてデータ配
線に対するエッチング比が１００オングストローム/min
以下の乾式エッチング用気体を選択しなければならない
し、ハロゲン化水素気体とCF4、CHF3、CHClF2、CH3Fお
よびC2F2のうち、少なくとも一つの気体がこれに適合で
ある。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を本発
明の属する技術分野における当業者が容易に実施するこ
とができる程度に詳細に説明する。半導体装置、特に表
示装置の配線としては、１５μΩcm以下の低い比抵抗を
有するアルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、
銅などのような物質が適合である。一方、配線は外部か
ら信号を受けるか、外部に信号を伝達するためのパッド
を有していなければならない。パッドの露出の際、よく
酸化されるといけないし、製造過程においても容易に短
絡が発生しなければならない。アルミニウムとアルミニ
ウム合金は比抵抗が非常に低いが、よく酸化され製造過
程においても容易に短絡が発生するため、パッド用物質
としては適合でない。一方、クロム、タンタル、チタ
ン、モリブデンおよびその合金などのような物質はパッ
ド用としては適合であるが、アルミニウムに比べ比抵抗
が大きい。従って、配線をつくるときには二つの特性す
べてを満たす金属を用いるか、低抵抗導電膜を用い、パ
ッド用導電膜を用いて抵抗が低くかつパッドに用いられ
ることにする。
明の属する技術分野における当業者が容易に実施するこ
とができる程度に詳細に説明する。半導体装置、特に表
示装置の配線としては、１５μΩcm以下の低い比抵抗を
有するアルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、
銅などのような物質が適合である。一方、配線は外部か
ら信号を受けるか、外部に信号を伝達するためのパッド
を有していなければならない。パッドの露出の際、よく
酸化されるといけないし、製造過程においても容易に短
絡が発生しなければならない。アルミニウムとアルミニ
ウム合金は比抵抗が非常に低いが、よく酸化され製造過
程においても容易に短絡が発生するため、パッド用物質
としては適合でない。一方、クロム、タンタル、チタ
ン、モリブデンおよびその合金などのような物質はパッ
ド用としては適合であるが、アルミニウムに比べ比抵抗
が大きい。従って、配線をつくるときには二つの特性す
べてを満たす金属を用いるか、低抵抗導電膜を用い、パ
ッド用導電膜を用いて抵抗が低くかつパッドに用いられ
ることにする。
【００２６】また、配線を二重にする場合同一のエッチ
ング条件、特に湿式エッチングである場合、一つのエッ
チング液を用いて同時にエッチングするが緩やかな傾斜
角を有するテーパ形態に加工する。このため、同一のエ
ッチング液に対して２０〜７０°未満の範囲においてテ
ーパ角度を有するか、上部導電膜のエッチング比が下部
導電膜のエッチング比に比べ７０〜１００オングストロ
ーム／sec程度大きいことが好ましい。また、単一膜で
配線を形成する場合にも２０〜７０°未満の範囲でテー
パ角度を有することが好ましい。
ング条件、特に湿式エッチングである場合、一つのエッ
チング液を用いて同時にエッチングするが緩やかな傾斜
角を有するテーパ形態に加工する。このため、同一のエ
ッチング液に対して２０〜７０°未満の範囲においてテ
ーパ角度を有するか、上部導電膜のエッチング比が下部
導電膜のエッチング比に比べ７０〜１００オングストロ
ーム／sec程度大きいことが好ましい。また、単一膜で
配線を形成する場合にも２０〜７０°未満の範囲でテー
パ角度を有することが好ましい。
【００２７】かかる過程において、本発明の実施の形態
に従う配線用合金として原子百分率０．０１％〜２０％
未満のタングステンと残りのモリブデンおよび必須不純
物からなるモリブデン合金を開発した。ここで、タング
ステンの組成比は、好ましくは原子百分率５％〜１５
％、より好ましくは９％〜１１％である。
に従う配線用合金として原子百分率０．０１％〜２０％
未満のタングステンと残りのモリブデンおよび必須不純
物からなるモリブデン合金を開発した。ここで、タング
ステンの組成比は、好ましくは原子百分率５％〜１５
％、より好ましくは９％〜１１％である。
【００２８】図１ないし図３は、本発明の実施の形態に
従うモリブデン−タングステン合金(MoW)の特性を示す
グラフである。図１は、本発明の実施の形態に従うモリ
ブデン−タングステン合金の蒸着特性を示すものであ
り、横軸はタングステン含有量を原子百分率で示し、縦
軸は単位電力当り蒸着される厚さを示すものである。図
１からわかるように、タングステン含有量が原子百分率
２０atomic％以下である場合、単位電力当り蒸着される
モリブデン−タングステン合金膜の厚さは１．２０〜
１．４０オングストローム/Wの範囲である。図２は本発
明の実施の形態に従うモリブデン−タングステン合金の
比抵抗特性を示すものであり、横軸はタングステン含有
量を原子百分率で示し、縦軸はそれに従う比抵抗を示す
ものである。図２からわかるように、原子百分率２０％
以下のタングステンを含有するモリブデン−タングステ
ン合金の比抵抗Ｒは１２．０〜１４．０μΩcmである。
このように、原子百分率２０％以下のタングステンを含
有するモリブデン−タングステン合金は１５μΩcm以下
の低い比抵抗を有し、パッド用物質としての性質を有し
ているので、単一膜配線に用いられる。また、アルミニ
ウムやその合金などのように、二重配線に用いられる。
特に、表示装置の信号線、この中でも液晶表示装置のゲ
ート線またはデータ線に用いられる。図３は本発明の実
施の形態に従うモリブデン−タングステン合金のエッチ
ング比特性を示すものであり、横軸はタングステン含有
量を原子百分率で示し、縦軸はアルミニウムエッチング
液に対し単位時間当りエッチングされる程度を示す。す
なわち、モリブデン−タングステン合金薄膜がアルミニ
ウム合金のエッチング液(HNO3：H3PO4：CH3COOH：H2O)
に対し単位時間当りエッチングされる程度をタングステ
ン(Ｗ)の含有量に従い示すものである。図３からわかる
ように、タングステンの含有量が０％である場合にはエ
ッチング比が２５０オングストローム/sec程度に非常に
大きく現われるが、タングステンの含有量が５％である
場合にはエッチング比が１００オングストローム/sec程
度に現われる。そして、タングステンの含有量が１５〜
２０％の間では５０オングストローム/sec以下に低下す
ることがわかる。
従うモリブデン−タングステン合金(MoW)の特性を示す
グラフである。図１は、本発明の実施の形態に従うモリ
ブデン−タングステン合金の蒸着特性を示すものであ
り、横軸はタングステン含有量を原子百分率で示し、縦
軸は単位電力当り蒸着される厚さを示すものである。図
１からわかるように、タングステン含有量が原子百分率
２０atomic％以下である場合、単位電力当り蒸着される
モリブデン−タングステン合金膜の厚さは１．２０〜
１．４０オングストローム/Wの範囲である。図２は本発
明の実施の形態に従うモリブデン−タングステン合金の
比抵抗特性を示すものであり、横軸はタングステン含有
量を原子百分率で示し、縦軸はそれに従う比抵抗を示す
ものである。図２からわかるように、原子百分率２０％
以下のタングステンを含有するモリブデン−タングステ
ン合金の比抵抗Ｒは１２．０〜１４．０μΩcmである。
このように、原子百分率２０％以下のタングステンを含
有するモリブデン−タングステン合金は１５μΩcm以下
の低い比抵抗を有し、パッド用物質としての性質を有し
ているので、単一膜配線に用いられる。また、アルミニ
ウムやその合金などのように、二重配線に用いられる。
特に、表示装置の信号線、この中でも液晶表示装置のゲ
ート線またはデータ線に用いられる。図３は本発明の実
施の形態に従うモリブデン−タングステン合金のエッチ
ング比特性を示すものであり、横軸はタングステン含有
量を原子百分率で示し、縦軸はアルミニウムエッチング
液に対し単位時間当りエッチングされる程度を示す。す
なわち、モリブデン−タングステン合金薄膜がアルミニ
ウム合金のエッチング液(HNO3：H3PO4：CH3COOH：H2O)
に対し単位時間当りエッチングされる程度をタングステ
ン(Ｗ)の含有量に従い示すものである。図３からわかる
ように、タングステンの含有量が０％である場合にはエ
ッチング比が２５０オングストローム/sec程度に非常に
大きく現われるが、タングステンの含有量が５％である
場合にはエッチング比が１００オングストローム/sec程
度に現われる。そして、タングステンの含有量が１５〜
２０％の間では５０オングストローム/sec以下に低下す
ることがわかる。
【００２９】一方、比抵抗が非常に低いアルミニウムま
たはその合金はHNO3(８〜１４％)：H3PO4：CH3COOH：H2
Oからなるアルミニウムエッチング液に対し４０〜８０
オングストローム／sec程度のエッチング比を有するの
で、この程度のエッチング比より７０〜１００オングス
トローム／sec程度が大きいエッチング比を有するモリ
ブデン−タングステン合金膜をアルミニウムまたはアル
ミニウム合金膜の上部に形成すると緩やかなテーパ角を
有する二重膜配線を得られる。
たはその合金はHNO3(８〜１４％)：H3PO4：CH3COOH：H2
Oからなるアルミニウムエッチング液に対し４０〜８０
オングストローム／sec程度のエッチング比を有するの
で、この程度のエッチング比より７０〜１００オングス
トローム／sec程度が大きいエッチング比を有するモリ
ブデン−タングステン合金膜をアルミニウムまたはアル
ミニウム合金膜の上部に形成すると緩やかなテーパ角を
有する二重膜配線を得られる。
【００３０】図４は本発明の実施の形態に従うモリブデ
ン−タングステン合金膜のアルミニウムエッチング液に
対するエッチングプロファイルを示すものである。基板
１上部に原子百分率１０％のタングステンが含有される
タングステン−モリブデン合金膜２を３０００オングス
トローム程度の厚さで蒸着した後、アルミニウム合金エ
ッチング液を用いてエッチングすると２０〜２５°の角
を有する緩やかなプロファイルが形成される。
ン−タングステン合金膜のアルミニウムエッチング液に
対するエッチングプロファイルを示すものである。基板
１上部に原子百分率１０％のタングステンが含有される
タングステン−モリブデン合金膜２を３０００オングス
トローム程度の厚さで蒸着した後、アルミニウム合金エ
ッチング液を用いてエッチングすると２０〜２５°の角
を有する緩やかなプロファイルが形成される。
【００３１】一方、図３からわかるように、タングステ
ンの組成比を調節してモリブデン−タングステン合金膜
のエッチング比を１００オングストローム/sec未満に低
めることができるので、３０〜９０°範囲のテーパ角を
有する単一膜を形成することができる。従って、モリブ
デン−タングステン合金からなる単一膜でも表示装置
用、特に液晶表示装置のゲート線またはデータ線に用い
られる。
ンの組成比を調節してモリブデン−タングステン合金膜
のエッチング比を１００オングストローム/sec未満に低
めることができるので、３０〜９０°範囲のテーパ角を
有する単一膜を形成することができる。従って、モリブ
デン−タングステン合金からなる単一膜でも表示装置
用、特に液晶表示装置のゲート線またはデータ線に用い
られる。
【００３２】図５ないし図８はアルミニウム合金とモリ
ブデン−タングステン合金の二重膜をアルミニウム合金
のエッチング液を用いてエッチングした場合、二重膜プ
ロファイルを示すものである。基板１上部にアルミニウ
ムまたはアルミニウム合金膜３を２０００オングストロ
ーム程度の厚さで蒸着し、その上にモリブデン−タング
ステン合金膜２を１０００オングストローム程度の厚さ
で蒸着した後、アルミニウムエッチング液を用いてアル
ミニウム合金膜３およびモリブデン−タングステン合金
膜２を連続的にエッチングした。ここで、アルミニウム
エッチング液としてはHNO3：H3PO4：CH3COOH：H2Oを用
い、好ましくは窒酸が８〜１４％程度含有されている。
ここで、アルミニウム合金はアルミニウムを基本物質と
し、ここにＴｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗなどの転移元素(transi-tion
metal)またはＮｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｅｒなどの希土類金
属(rare earth metal)が結合された合金であって、含有
された転移元素または希土類金属は原子百分率５％以下
である。
ブデン−タングステン合金の二重膜をアルミニウム合金
のエッチング液を用いてエッチングした場合、二重膜プ
ロファイルを示すものである。基板１上部にアルミニウ
ムまたはアルミニウム合金膜３を２０００オングストロ
ーム程度の厚さで蒸着し、その上にモリブデン−タング
ステン合金膜２を１０００オングストローム程度の厚さ
で蒸着した後、アルミニウムエッチング液を用いてアル
ミニウム合金膜３およびモリブデン−タングステン合金
膜２を連続的にエッチングした。ここで、アルミニウム
エッチング液としてはHNO3：H3PO4：CH3COOH：H2Oを用
い、好ましくは窒酸が８〜１４％程度含有されている。
ここで、アルミニウム合金はアルミニウムを基本物質と
し、ここにＴｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗなどの転移元素(transi-tion
metal)またはＮｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｅｒなどの希土類金
属(rare earth metal)が結合された合金であって、含有
された転移元素または希土類金属は原子百分率５％以下
である。
【００３３】図５はモリブデン−タングステン合金膜に
おいてタングステンの含有率が５％である場合であっ
て、３０〜４０°のプロファイルを示しており、タング
ステンの含有率が１０％である図６の場合には４０〜５
０°のプロファイルを示している。タングステンの含有
率が１５％になると、図７でのように、プロファイルが
８０〜９０°になり、タングステンの含有率が２０％に
なると、図８でのように、９０°のプロファイルを示
す。
おいてタングステンの含有率が５％である場合であっ
て、３０〜４０°のプロファイルを示しており、タング
ステンの含有率が１０％である図６の場合には４０〜５
０°のプロファイルを示している。タングステンの含有
率が１５％になると、図７でのように、プロファイルが
８０〜９０°になり、タングステンの含有率が２０％に
なると、図８でのように、９０°のプロファイルを示
す。
【００３４】また、本発明の実施の形態においてアルミ
ニウム合金とモリブデン−タングステン合金の二重膜を
アルミニウムエッチング液を用いてエッチングする場合
には、エッチング後に斑が現われない。
ニウム合金とモリブデン−タングステン合金の二重膜を
アルミニウムエッチング液を用いてエッチングする場合
には、エッチング後に斑が現われない。
【００３５】このように、アルミニウム合金と原子百分
率２０％以下のタングステンが含有されたモリブデン−
タングステン合金からなる二重膜をアルミニウム合金エ
ッチング液を用いてエッチングする場合、３０〜９０°
範囲においてテーパ角度が形成され、タングステン含有
量が増加するに従ってテーパ角度が大きくなる。また、
図６からわかるように、タングステン含有量が９％〜１
１％である場合に最も好ましいテーパ角度（４０〜５０
°）が形成される。
率２０％以下のタングステンが含有されたモリブデン−
タングステン合金からなる二重膜をアルミニウム合金エ
ッチング液を用いてエッチングする場合、３０〜９０°
範囲においてテーパ角度が形成され、タングステン含有
量が増加するに従ってテーパ角度が大きくなる。また、
図６からわかるように、タングステン含有量が９％〜１
１％である場合に最も好ましいテーパ角度（４０〜５０
°）が形成される。
【００３６】以下、かかる配線を用いた液晶表示装置用
薄膜トランジスタ基板について詳細に説明する。まず、
図９〜図１１を参照して本発明の第１の実施の形態に従
う薄膜トランジスタ基板の構造について説明する。ここ
で、図１１は、図９におけるＸ−Ｘ’線の断面図であ
る。基板１００上にゲート線２００およびその分枝であ
るゲート電極２１０、ゲート線２００の端部に形成され
ているゲートパッド２２０からなるゲートパターンが形
成されている。ゲート電極２１０およびゲートパッド２
２０はそれぞれ下層のアルミニウム膜またはアルミニウ
ム合金膜２１１、２２１と上層の原子百分率０．０１％
〜２０％未満のタングステンと、残りのモリブデンから
なるモリブデン−タングステン合金膜２１２、２２２か
らなり、ゲート線２００もアルミニウム膜またはアルミ
ニウム合金膜とモリブデン−タングステン合金膜の二重
膜からなる。ここで、ゲートパッド２２０は外部からの
走査信号をゲート線２００に伝達する。
薄膜トランジスタ基板について詳細に説明する。まず、
図９〜図１１を参照して本発明の第１の実施の形態に従
う薄膜トランジスタ基板の構造について説明する。ここ
で、図１１は、図９におけるＸ−Ｘ’線の断面図であ
る。基板１００上にゲート線２００およびその分枝であ
るゲート電極２１０、ゲート線２００の端部に形成され
ているゲートパッド２２０からなるゲートパターンが形
成されている。ゲート電極２１０およびゲートパッド２
２０はそれぞれ下層のアルミニウム膜またはアルミニウ
ム合金膜２１１、２２１と上層の原子百分率０．０１％
〜２０％未満のタングステンと、残りのモリブデンから
なるモリブデン−タングステン合金膜２１２、２２２か
らなり、ゲート線２００もアルミニウム膜またはアルミ
ニウム合金膜とモリブデン−タングステン合金膜の二重
膜からなる。ここで、ゲートパッド２２０は外部からの
走査信号をゲート線２００に伝達する。
【００３７】ゲートパターン２００、２１０、２２０上
にはゲート絶縁層３００が形成されており、このゲート
絶縁層３００はゲートパッド２２０の上層であるモリブ
デン−タングステン合金膜２２２を露出させる接触孔７
２０を有している。ゲート電極２１０上部のゲート絶縁
層３００上には水素化非晶質シリコン(a-Si：Ｈ)層４０
０およびｎ+高濃度不純物でドーピングされた水素化非
晶質シリコン層５１０、５２０がゲート電極２１０を中
心に両側に形成されている。
にはゲート絶縁層３００が形成されており、このゲート
絶縁層３００はゲートパッド２２０の上層であるモリブ
デン−タングステン合金膜２２２を露出させる接触孔７
２０を有している。ゲート電極２１０上部のゲート絶縁
層３００上には水素化非晶質シリコン(a-Si：Ｈ)層４０
０およびｎ+高濃度不純物でドーピングされた水素化非
晶質シリコン層５１０、５２０がゲート電極２１０を中
心に両側に形成されている。
【００３８】ゲート絶縁層３００上にはさらにデータ線
６００が形成されており、その一端にはデータパッド６
３０が形成されて外部からの画像信号を伝達する。デー
タ線６００の分枝であるソース電極６１０が一方がドー
ピングされた非晶質シリコン層５１０上に形成されてお
り、ソース電極６１０の向かい側に位置するドーピング
された非晶質シリコン層５２０上にはドレイン電極６２
０が形成されている。ここで、データ線６００、ソース
およびドレイン電極６１０、６２０、データパッド６３
０を含むデータパターンはモリブデン膜またはモリブデ
ン−タングステン合金膜からなる。一方、図１０におい
てはゲートパッド２２０付近のゲート絶縁層３００上に
はゲート補助パッド部６４０がさらに形成されている。
６００が形成されており、その一端にはデータパッド６
３０が形成されて外部からの画像信号を伝達する。デー
タ線６００の分枝であるソース電極６１０が一方がドー
ピングされた非晶質シリコン層５１０上に形成されてお
り、ソース電極６１０の向かい側に位置するドーピング
された非晶質シリコン層５２０上にはドレイン電極６２
０が形成されている。ここで、データ線６００、ソース
およびドレイン電極６１０、６２０、データパッド６３
０を含むデータパターンはモリブデン膜またはモリブデ
ン−タングステン合金膜からなる。一方、図１０におい
てはゲートパッド２２０付近のゲート絶縁層３００上に
はゲート補助パッド部６４０がさらに形成されている。
【００３９】データパターン６００、６１０、６２０、
６３０およびこのデータパターンで覆われない非晶質シ
リコン層５００上には保護膜７００が形成されており、
この保護膜７００にはゲートパッド２２０の上層モリブ
デン−タングステン合金膜２２２、ドレイン電極６２０
およびデータパッド６３０を露出させる接触孔７２０、
７１０、７３０がそれぞれ形成されている。一方、図１
０においてはゲート補助パッド部６４０上部に保護膜７
００の接触孔７４０が形成されている。
６３０およびこのデータパターンで覆われない非晶質シ
リコン層５００上には保護膜７００が形成されており、
この保護膜７００にはゲートパッド２２０の上層モリブ
デン−タングステン合金膜２２２、ドレイン電極６２０
およびデータパッド６３０を露出させる接触孔７２０、
７１０、７３０がそれぞれ形成されている。一方、図１
０においてはゲート補助パッド部６４０上部に保護膜７
００の接触孔７４０が形成されている。
【００４０】最後に、保護膜７００上には接触孔７１０
を通じてドレイン電極６２０と連結されており、ＩＴＯ
からなる画素電極８００が形成されており、接触孔７２
０を通じて露出されたゲートパッド２２０と接続されて
外部からの走査信号をゲート線２００に伝達するゲート
パッド用ＩＴＯ電極８１０、接触孔７３０を通じてデー
タパッド６３０と接続されて外部からのデータ信号をデ
ータ線６００に伝達するデータパッド用ＩＴＯ電極８２
０が形成されている。一方、図１０において、ゲートパ
ッド用ＩＴＯ電極８１０はゲート補助パッド部６４０ま
で延長されて接触孔７４０を通じて連結されている。
を通じてドレイン電極６２０と連結されており、ＩＴＯ
からなる画素電極８００が形成されており、接触孔７２
０を通じて露出されたゲートパッド２２０と接続されて
外部からの走査信号をゲート線２００に伝達するゲート
パッド用ＩＴＯ電極８１０、接触孔７３０を通じてデー
タパッド６３０と接続されて外部からのデータ信号をデ
ータ線６００に伝達するデータパッド用ＩＴＯ電極８２
０が形成されている。一方、図１０において、ゲートパ
ッド用ＩＴＯ電極８１０はゲート補助パッド部６４０ま
で延長されて接触孔７４０を通じて連結されている。
【００４１】図９および図１０からみるように、外部か
らの信号が実質的に直接印加されてパッドになる部分は
ゲートパッド用ＩＴＯ電極８１０とデータパッド用ＩＴ
Ｏ電極８２０である。以下、図９〜図１１に示す構造の
薄膜トランジスタ基板を製造する方法について図１２〜
図１５までを参照して説明する。この実施の形態におい
ては５枚のマスクを用いた製造方法である。図１２に示
すように、透明な絶縁基板１００上にアルミニウム膜ま
たはアルミニウム合金膜とモリブデン−タングステン合
金膜０．１〜０．５μｍ、０．０２〜０．１５μｍの厚
さで順に積層し第１マスクを用いてホトエッチングして
ゲート線２００、ゲート電極２１０およびゲートパッド
２２０を含み二重膜からなるゲートパターンを形成す
る。すなわち、図１２に示すように、ゲート電極２１０
は下方のアルミニウムまたはアルミニウム合金膜２１１
と、上方のモリブデン−タングステン合金膜２１２から
なり、ゲートパッド２２０は下方のアルミニウムまたは
アルミニウム合金膜２２１と、上方のモリブデン−タン
グステン合金膜２２２からなり、図１２に図示していな
いがゲート線２１０も二重膜からなる。ここで、アルミ
ニウム合金膜はアルミニウムと５％以下の希土類金属ま
たは転移金属からなる。モリブデン−タングステン合金
膜は原子百分率０．０１％以上２０％未満のタングステ
ン(Ｗ)と、残りのモリブデン(Ｍｏ)からなり、タングス
テン含有率は原子百分率９〜１１％であることが好まし
い。また、アルミニウムエッチング液、例えば、CH3COO
H／HNO3／H3PO4／H2Oなどを用い、HNO3の含量は好まし
くは８〜１４％の範囲である。
らの信号が実質的に直接印加されてパッドになる部分は
ゲートパッド用ＩＴＯ電極８１０とデータパッド用ＩＴ
Ｏ電極８２０である。以下、図９〜図１１に示す構造の
薄膜トランジスタ基板を製造する方法について図１２〜
図１５までを参照して説明する。この実施の形態におい
ては５枚のマスクを用いた製造方法である。図１２に示
すように、透明な絶縁基板１００上にアルミニウム膜ま
たはアルミニウム合金膜とモリブデン−タングステン合
金膜０．１〜０．５μｍ、０．０２〜０．１５μｍの厚
さで順に積層し第１マスクを用いてホトエッチングして
ゲート線２００、ゲート電極２１０およびゲートパッド
２２０を含み二重膜からなるゲートパターンを形成す
る。すなわち、図１２に示すように、ゲート電極２１０
は下方のアルミニウムまたはアルミニウム合金膜２１１
と、上方のモリブデン−タングステン合金膜２１２から
なり、ゲートパッド２２０は下方のアルミニウムまたは
アルミニウム合金膜２２１と、上方のモリブデン−タン
グステン合金膜２２２からなり、図１２に図示していな
いがゲート線２１０も二重膜からなる。ここで、アルミ
ニウム合金膜はアルミニウムと５％以下の希土類金属ま
たは転移金属からなる。モリブデン−タングステン合金
膜は原子百分率０．０１％以上２０％未満のタングステ
ン(Ｗ)と、残りのモリブデン(Ｍｏ)からなり、タングス
テン含有率は原子百分率９〜１１％であることが好まし
い。また、アルミニウムエッチング液、例えば、CH3COO
H／HNO3／H3PO4／H2Oなどを用い、HNO3の含量は好まし
くは８〜１４％の範囲である。
【００４２】また、ゲートパターンはアルミニウム、ア
ルミニウム合金およびタングステン−モリブデン合金の
うち、一つの物質を蒸着して単一膜で形成することがで
きる。
ルミニウム合金およびタングステン−モリブデン合金の
うち、一つの物質を蒸着して単一膜で形成することがで
きる。
【００４３】図１３に示すように、窒化シリコンからな
るゲート絶縁層３００、水素化非晶質シリコン層４００
およびＮ形高濃度不純物でドーピングされた水素化非晶
質シリコン層５００をそれぞれ０．２〜１．０μｍ、
０．１〜０．３μｍ、０．０１５〜０．１５μｍの厚さ
で順に積層した後、ドーピングされた非晶質シリコン層
５００および非晶質シリコン層４００を第２マスクを用
いてホトエッチングする。
るゲート絶縁層３００、水素化非晶質シリコン層４００
およびＮ形高濃度不純物でドーピングされた水素化非晶
質シリコン層５００をそれぞれ０．２〜１．０μｍ、
０．１〜０．３μｍ、０．０１５〜０．１５μｍの厚さ
で順に積層した後、ドーピングされた非晶質シリコン層
５００および非晶質シリコン層４００を第２マスクを用
いてホトエッチングする。
【００４４】図１４に示すように、モリブデンまたはタ
ングステンを含むモリブデン−タングステン合金膜を
０．３〜２．０μｍの厚さで積層した後、第３マスクを
用いてエッチングしてデータ線６００を、ソース電極６
１０、ドレイン電極６２０およびデータパッド６３０を
含むデータパターンを形成する。データパターンはクロ
ム、モリブデンまたはモリブデン合金のうち、一つの単
一膜またはこれらを組合わせた二重膜で形成することが
できる。また、抵抗を低めるため、アルミニウム膜また
はアルミニウム合金膜をさらに形成することができる。
ングステンを含むモリブデン−タングステン合金膜を
０．３〜２．０μｍの厚さで積層した後、第３マスクを
用いてエッチングしてデータ線６００を、ソース電極６
１０、ドレイン電極６２０およびデータパッド６３０を
含むデータパターンを形成する。データパターンはクロ
ム、モリブデンまたはモリブデン合金のうち、一つの単
一膜またはこれらを組合わせた二重膜で形成することが
できる。また、抵抗を低めるため、アルミニウム膜また
はアルミニウム合金膜をさらに形成することができる。
【００４５】しかしながら、表示装置用基板の大きさが
大きくなり高精細化されるに従って配線数が増加するの
で、配線幅は狭くならなければならないが、一定の程度
以下の抵抗値を確保しなければならないので、配線の厚
さは増加させることが好ましい。従って、配線になる金
属膜は厚さを増加しても金属膜が有する応力により基板
が歪まないようにする物性を有するのが好ましい。かか
る特性を有する金属膜としてはモリブデン膜またはモリ
ブデン−タングステン合金膜が適合である。詳しくは後
述する実験例１において説明する。
大きくなり高精細化されるに従って配線数が増加するの
で、配線幅は狭くならなければならないが、一定の程度
以下の抵抗値を確保しなければならないので、配線の厚
さは増加させることが好ましい。従って、配線になる金
属膜は厚さを増加しても金属膜が有する応力により基板
が歪まないようにする物性を有するのが好ましい。かか
る特性を有する金属膜としてはモリブデン膜またはモリ
ブデン−タングステン合金膜が適合である。詳しくは後
述する実験例１において説明する。
【００４６】また、データパターンを下部膜はクロム
膜、上部膜はモリブデン−タングステン合金膜で形成す
る場合、同一のエッチング条件において上部膜と下部膜
とを順にエッチングしてテーパ状に加工する。詳しくは
後述する実験例２ないし４において説明する。ここで、
エッチング液はクロムをエッチングするに用いられるエ
ッチング液であって、例えば、HNO3／(NH4)2Ce(NO3)6／
H2Oを挙げられ、このとき、HNO3の濃度は４〜１０％、
(NH4)2Ce(NO3)6の濃度は１０〜１５％であることが好ま
しい。
膜、上部膜はモリブデン−タングステン合金膜で形成す
る場合、同一のエッチング条件において上部膜と下部膜
とを順にエッチングしてテーパ状に加工する。詳しくは
後述する実験例２ないし４において説明する。ここで、
エッチング液はクロムをエッチングするに用いられるエ
ッチング液であって、例えば、HNO3／(NH4)2Ce(NO3)6／
H2Oを挙げられ、このとき、HNO3の濃度は４〜１０％、
(NH4)2Ce(NO3)6の濃度は１０〜１５％であることが好ま
しい。
【００４７】次いで、データパターン６００、６１０、
６２０、６３０をマスクにして露出されているドーピン
グされた非晶質シリコン層５００をプラズマ乾式エッチ
ングしてゲート電極２１０を中心に両側に分離させる一
方、両ドーピングされた非晶質シリコン層５１０、５２
０の間の非晶質シリコン層４００を露出させる。
６２０、６３０をマスクにして露出されているドーピン
グされた非晶質シリコン層５００をプラズマ乾式エッチ
ングしてゲート電極２１０を中心に両側に分離させる一
方、両ドーピングされた非晶質シリコン層５１０、５２
０の間の非晶質シリコン層４００を露出させる。
【００４８】しかしながら、ドーピングされた非晶質シ
リコン層５００をエッチングするための乾式エッチング
用気体はモリブデン−タングステン合金膜を容易にエッ
チングさせるので、モリブデン−タングステン合金膜の
エッチング比が１００オングストローム/min以下になる
ように気体を選択しなければならない。ハロゲン化水素
気体とCF4、CHF3、CHClF2、CH3FおよびC2F6のうち、少
なくとも一つの気体がこれに適合し、非晶質シリコン層
４００の表面を安定化するために水素(H2)プラズマ工程
を選択的にさらに行なうことができる。この特性につい
ては実験例５ないし７において詳細に説明する。
リコン層５００をエッチングするための乾式エッチング
用気体はモリブデン−タングステン合金膜を容易にエッ
チングさせるので、モリブデン−タングステン合金膜の
エッチング比が１００オングストローム/min以下になる
ように気体を選択しなければならない。ハロゲン化水素
気体とCF4、CHF3、CHClF2、CH3FおよびC2F6のうち、少
なくとも一つの気体がこれに適合し、非晶質シリコン層
４００の表面を安定化するために水素(H2)プラズマ工程
を選択的にさらに行なうことができる。この特性につい
ては実験例５ないし７において詳細に説明する。
【００４９】図１５に示すように、保護膜７００を０．
１〜１．０μｍの厚さで積層した後、第４マスクを用い
て絶縁膜３００と共にホトエッチングし、ゲートパッド
２２０上層のモリブデン−タングステン合金膜２２２、
ドレイン電極６２０およびデータパッド６３０を露出さ
せる接触孔７２０、７１０、７３０を形成する。データ
パターンを形成するとき、ゲート補助パッド部６４０を
さらに形成し、保護膜７００の接触孔７４０をさらに形
成し図１０のような構造で形成することができる。
１〜１．０μｍの厚さで積層した後、第４マスクを用い
て絶縁膜３００と共にホトエッチングし、ゲートパッド
２２０上層のモリブデン−タングステン合金膜２２２、
ドレイン電極６２０およびデータパッド６３０を露出さ
せる接触孔７２０、７１０、７３０を形成する。データ
パターンを形成するとき、ゲート補助パッド部６４０を
さらに形成し、保護膜７００の接触孔７４０をさらに形
成し図１０のような構造で形成することができる。
【００５０】ここで、接触孔を形成する過程について詳
細に説明する。第４マスクを用いる写真工程においては
接触孔７２０、７１０、７３０、７４０に対応する位置
に開口部を有するホトレジストを保護膜７００の上部に
形成し、これをマスクにしてプラズマ乾式エッチング方
法で保護膜７００およびゲート絶縁層３００の窒化シリ
コン膜をエッチングする。
細に説明する。第４マスクを用いる写真工程においては
接触孔７２０、７１０、７３０、７４０に対応する位置
に開口部を有するホトレジストを保護膜７００の上部に
形成し、これをマスクにしてプラズマ乾式エッチング方
法で保護膜７００およびゲート絶縁層３００の窒化シリ
コン膜をエッチングする。
【００５１】接触孔７２０、７１０、７３０、７４０の
フレームの傾斜を緩やかにするためには保護膜７００お
よびゲート絶縁層３００だけではなく、これを覆ってい
るホトレジスト９００もエッチングしなければならな
い。このため、プラズマ乾式エッチング方法においては
酸素量を増加させるか高周波電源においてSF6＋HCl(＋H
e)またはSF6＋Cl2(＋He)を用いられる。しかしながら、
保護膜７００およびゲート絶縁層３００の窒化シリコン
とホトレジスト９００に対し２５００〜３０００オング
ストローム／min程度のエッチング比を有するSF6＋HCl
(＋He)またはSF6＋Cl2(＋He)を用いる場合、このガスは
窒化シリコン膜下部のゲートパッド２２０およびデータ
パターン６２０、６３０、６４０のモリブデン膜または
モリブデン−タングステン合金膜に対し２０００オング
ストローム／min程度のエッチング比を有するので、選
択的なエッチングが容易でなくて露出される窒化シリコ
ン膜だけではなく、その下部のモリブデン膜またはモリ
ブデン−タングステン合金膜もエッチングし易い。
フレームの傾斜を緩やかにするためには保護膜７００お
よびゲート絶縁層３００だけではなく、これを覆ってい
るホトレジスト９００もエッチングしなければならな
い。このため、プラズマ乾式エッチング方法においては
酸素量を増加させるか高周波電源においてSF6＋HCl(＋H
e)またはSF6＋Cl2(＋He)を用いられる。しかしながら、
保護膜７００およびゲート絶縁層３００の窒化シリコン
とホトレジスト９００に対し２５００〜３０００オング
ストローム／min程度のエッチング比を有するSF6＋HCl
(＋He)またはSF6＋Cl2(＋He)を用いる場合、このガスは
窒化シリコン膜下部のゲートパッド２２０およびデータ
パターン６２０、６３０、６４０のモリブデン膜または
モリブデン−タングステン合金膜に対し２０００オング
ストローム／min程度のエッチング比を有するので、選
択的なエッチングが容易でなくて露出される窒化シリコ
ン膜だけではなく、その下部のモリブデン膜またはモリ
ブデン−タングステン合金膜もエッチングし易い。
【００５２】特に、エッチングされる膜の厚さの差異に
より接触孔７１０、７３０、７４０の下部のモリブデン
−タングステン合金膜が過度にエッチングされる。すな
わち、ゲートパッド２２０の上部にはゲート絶縁層３０
０と保護膜９００があるがデータパターン６２０、６３
０、６４０の上部には保護膜９００のみがあるため、ま
ずデータパターン６２０、６３０、６４０のモリブデン
−タングステン合金膜が露出される。
より接触孔７１０、７３０、７４０の下部のモリブデン
−タングステン合金膜が過度にエッチングされる。すな
わち、ゲートパッド２２０の上部にはゲート絶縁層３０
０と保護膜９００があるがデータパターン６２０、６３
０、６４０の上部には保護膜９００のみがあるため、ま
ずデータパターン６２０、６３０、６４０のモリブデン
−タングステン合金膜が露出される。
【００５３】これを解決するためには、モリブデン膜ま
たはモリブデン−タングステン合金膜がエッチングされ
ない条件を適用しなければならないし、このためにはモ
リブデン膜またはモリブデン−タングステン合金膜に対
し４００オングストローム／min以下のエッチング比を
有する乾式エッチング用ガスであるCF4＋O2を用いられ
る。CF4＋O2に対するホトレジスト９００のエッチング
比は１０００オングストローム／min以下であり、窒化
シリコン膜のエッチング比は６０００〜１００００オン
グストローム／minであるので、経時変化に従ってホト
レジスト９００の下部において窒化シリコン膜の側面部
がエッチングされる量が増加してアンダーカットが発生
し、このため、窒化シリコンのエッチングプロファイル
を悪くなる。しかしながら、CF4＋O2だけでエッチング
してもエッチング時間を縮小することにより、エッチン
グプロファイルを改善できる。このとき、CF4とO2との
比率は、１０：４以下とすることが好ましい。
たはモリブデン−タングステン合金膜がエッチングされ
ない条件を適用しなければならないし、このためにはモ
リブデン膜またはモリブデン−タングステン合金膜に対
し４００オングストローム／min以下のエッチング比を
有する乾式エッチング用ガスであるCF4＋O2を用いられ
る。CF4＋O2に対するホトレジスト９００のエッチング
比は１０００オングストローム／min以下であり、窒化
シリコン膜のエッチング比は６０００〜１００００オン
グストローム／minであるので、経時変化に従ってホト
レジスト９００の下部において窒化シリコン膜の側面部
がエッチングされる量が増加してアンダーカットが発生
し、このため、窒化シリコンのエッチングプロファイル
を悪くなる。しかしながら、CF4＋O2だけでエッチング
してもエッチング時間を縮小することにより、エッチン
グプロファイルを改善できる。このとき、CF4とO2との
比率は、１０：４以下とすることが好ましい。
【００５４】一方、これをより改善するための方法とし
て２段階または３段階のエッチングを行なうことができ
る。図１６（ａ）・（ｂ）及び図１７（ａ）・（ｂ）
は、２段階のエッチング工程を行なった場合であり、図
１８（ａ）から図１８（ｃ）まで、図１９（ａ）から図
１９（ｃ）まで、図２０（ａ）から図２０（ｃ）、図２
１（ａ）〜図２１（ｃ）までは、３段階のエッチング工
程を行なった場合である。図１６（ａ）・（ｂ）、図１
８（ａ）から図１８（ｃ）までおよび図２０（ａ）から
図２０（ｃ）までは、ゲートパッド２２０を覆う保護膜
７００およびゲート絶縁層３００をエッチングして接触
孔７１０、７３０、７４０を形成する工程を示す断面図
であり、図１７（ａ）・（ｂ）、図１９（ａ）から図１
９（ｃ）まで及び図２１（ａ）から図２１（ｃ）まで
は、データパターン６２０、６３０、６４０を覆う保護
膜７００をエッチングして接触孔７２０を形成する工程
を示す断面図である。まず、開口部を有するホトレジス
ト９００を保護膜７００の上部に形成する。次いで、ホ
トレジスト９００と保護膜７００およびゲート絶縁層３
００の窒化シリコン膜のエッチング選択比がほぼ１：
１．５であるエッチング用ガスを用いてデータパターン
６２０、６３０、６４０のモリブデン−タングステン合
金膜が露出されるまでエッチングする（図１６（ａ）・
図１７（ａ）参照）。かかるエッチング用ガスは前述し
たSF6＋HCl(＋He)またはSF6＋Cl2(＋He)が好ましい。こ
のとき、データパターン６２０、６３０、６４０のモリ
ブデン−タングステン合金膜もSF6＋HClまたはSF6＋Cl2
に対し２０００オングストローム/min程度のエッチング
比を有するので一部がエッチングされ得る。このように
すると、接触孔７１０、７２０、７３０、７４０のフレ
ームの傾斜角は３０〜８０°程度になる。
て２段階または３段階のエッチングを行なうことができ
る。図１６（ａ）・（ｂ）及び図１７（ａ）・（ｂ）
は、２段階のエッチング工程を行なった場合であり、図
１８（ａ）から図１８（ｃ）まで、図１９（ａ）から図
１９（ｃ）まで、図２０（ａ）から図２０（ｃ）、図２
１（ａ）〜図２１（ｃ）までは、３段階のエッチング工
程を行なった場合である。図１６（ａ）・（ｂ）、図１
８（ａ）から図１８（ｃ）までおよび図２０（ａ）から
図２０（ｃ）までは、ゲートパッド２２０を覆う保護膜
７００およびゲート絶縁層３００をエッチングして接触
孔７１０、７３０、７４０を形成する工程を示す断面図
であり、図１７（ａ）・（ｂ）、図１９（ａ）から図１
９（ｃ）まで及び図２１（ａ）から図２１（ｃ）まで
は、データパターン６２０、６３０、６４０を覆う保護
膜７００をエッチングして接触孔７２０を形成する工程
を示す断面図である。まず、開口部を有するホトレジス
ト９００を保護膜７００の上部に形成する。次いで、ホ
トレジスト９００と保護膜７００およびゲート絶縁層３
００の窒化シリコン膜のエッチング選択比がほぼ１：
１．５であるエッチング用ガスを用いてデータパターン
６２０、６３０、６４０のモリブデン−タングステン合
金膜が露出されるまでエッチングする（図１６（ａ）・
図１７（ａ）参照）。かかるエッチング用ガスは前述し
たSF6＋HCl(＋He)またはSF6＋Cl2(＋He)が好ましい。こ
のとき、データパターン６２０、６３０、６４０のモリ
ブデン−タングステン合金膜もSF6＋HClまたはSF6＋Cl2
に対し２０００オングストローム/min程度のエッチング
比を有するので一部がエッチングされ得る。このように
すると、接触孔７１０、７２０、７３０、７４０のフレ
ームの傾斜角は３０〜８０°程度になる。
【００５５】次に、図１６（ｂ）および図１７（ｂ）か
らみるように、残っているゲートパッド２２０上部のゲ
ート絶縁膜３００を窒化シリコンとモリブデン−タング
ステン合金のエッチング選択比がほぼ１５：１以上であ
る気体条件を適用して乾式エッチングする。このとき、
窒化シリコン膜７００、３００の側面部も一部エッチン
グされる。ホトレジストは多少エッチングしてもかかる
気体の例としては前述したCF4＋O2を挙げられる。
らみるように、残っているゲートパッド２２０上部のゲ
ート絶縁膜３００を窒化シリコンとモリブデン−タング
ステン合金のエッチング選択比がほぼ１５：１以上であ
る気体条件を適用して乾式エッチングする。このとき、
窒化シリコン膜７００、３００の側面部も一部エッチン
グされる。ホトレジストは多少エッチングしてもかかる
気体の例としては前述したCF4＋O2を挙げられる。
【００５６】次に、３段階で接触孔を形成する方法につ
いて説明する。３段階で形成する方法においては、途中
に高分子膜を全面に形成する過程をたどるが、ここでは
次のような二つの方法が可能である。まず、図１８
（ａ）から図１８（ｃ）および図１９（ａ）から図１９
（ｃ）を参照して３段階で接触孔を形成する方法につい
て説明する。第１段階においては図１８（ａ）および図
１９（ａ）からみてもわかるように、SF6＋HCl(＋He)ま
たはSF6＋Cl2(＋He)のガスを用いてホトレジスト９００
と窒化シリコン膜７００、３００を順にエッチングす
る。このとき、エッチング工程はデータパターン６２
０、６３０、６４０のモリブデン−タングステン合金膜
が完全に露出されるまで行なう。このとき、モリブデン
−タングステン合金膜の一部がエッチングされ得るが、
これはゲートパッド２２０の上部に残留するゲート絶縁
層３００の厚さを最小化して第３段階においてゲート絶
縁層３００のエッチングのために適用する時間を最小化
するためである。次に、第２段階においては図１８
（ｂ）および図１９（ｂ）からみるように、四フッ化炭
素(CF4)と水素(H2)または塩化水素(HCl)を混合するガス
をプラズマ状態で反応させて露出されたホトレジスト９
００および窒化シリコン膜７００、３００の表面上部に
高分子(polymer)膜１０００を形成する。かかる高分子
膜１０００は乾式エッチングを行なう場合、保護膜７０
０およびゲート絶縁層３００の側面部がエッチングされ
るのを減少させる役割をする。第３段階においては、図
１８（ｃ）および図１９（ｃ）からみるように、モリブ
デン膜またはモリブデン−タングステン合金膜６２０、
６３０、６４０と窒化シリコン膜３００、７００とのエ
ッチング選択比が１：１５以上の高い条件を有する乾式
エッチング用ガス条件を適用してゲートパッド２２０上
部の残っている窒化シリコン膜３００をエッチングして
接触孔を完成する。このとき、用いる気体としてはホト
レジスト９００がよくエッチングしなくてもCF4＋O2が
適切で、窒化シリコン膜７００、３００の側面部もエッ
チングされる。しかしながら、この気体のモリブデン−
タングステン合金膜のエッチング比は３００オングスト
ローム／min程度であるので、ゲートパッド２２０が露
出されるまでエッチングしてもデータパターン６２０、
６３０、６４０のモリブデン−タングステン合金膜はほ
とんどエッチングされない。また、高分子膜１０００が
形成されているため、ゲートパッド２２０上部のゲート
絶縁層３００の平面部に比べゲート絶縁層３００および
保護膜７００の側面部のエッチング速度がさらに小さく
なるので、接触孔７１０、７２０、７３０、７４０の側
面部は緩やかな傾斜角を有するプロファイルが形成され
る。ここで、保護膜７００とゲート絶縁層３００のエッ
チング比がCF4＋O2条件において異なるように現われる
が、これは同一の窒化シリコンであっても形成する過程
において膜の特性を異にして形成するためである。
いて説明する。３段階で形成する方法においては、途中
に高分子膜を全面に形成する過程をたどるが、ここでは
次のような二つの方法が可能である。まず、図１８
（ａ）から図１８（ｃ）および図１９（ａ）から図１９
（ｃ）を参照して３段階で接触孔を形成する方法につい
て説明する。第１段階においては図１８（ａ）および図
１９（ａ）からみてもわかるように、SF6＋HCl(＋He)ま
たはSF6＋Cl2(＋He)のガスを用いてホトレジスト９００
と窒化シリコン膜７００、３００を順にエッチングす
る。このとき、エッチング工程はデータパターン６２
０、６３０、６４０のモリブデン−タングステン合金膜
が完全に露出されるまで行なう。このとき、モリブデン
−タングステン合金膜の一部がエッチングされ得るが、
これはゲートパッド２２０の上部に残留するゲート絶縁
層３００の厚さを最小化して第３段階においてゲート絶
縁層３００のエッチングのために適用する時間を最小化
するためである。次に、第２段階においては図１８
（ｂ）および図１９（ｂ）からみるように、四フッ化炭
素(CF4)と水素(H2)または塩化水素(HCl)を混合するガス
をプラズマ状態で反応させて露出されたホトレジスト９
００および窒化シリコン膜７００、３００の表面上部に
高分子(polymer)膜１０００を形成する。かかる高分子
膜１０００は乾式エッチングを行なう場合、保護膜７０
０およびゲート絶縁層３００の側面部がエッチングされ
るのを減少させる役割をする。第３段階においては、図
１８（ｃ）および図１９（ｃ）からみるように、モリブ
デン膜またはモリブデン−タングステン合金膜６２０、
６３０、６４０と窒化シリコン膜３００、７００とのエ
ッチング選択比が１：１５以上の高い条件を有する乾式
エッチング用ガス条件を適用してゲートパッド２２０上
部の残っている窒化シリコン膜３００をエッチングして
接触孔を完成する。このとき、用いる気体としてはホト
レジスト９００がよくエッチングしなくてもCF4＋O2が
適切で、窒化シリコン膜７００、３００の側面部もエッ
チングされる。しかしながら、この気体のモリブデン−
タングステン合金膜のエッチング比は３００オングスト
ローム／min程度であるので、ゲートパッド２２０が露
出されるまでエッチングしてもデータパターン６２０、
６３０、６４０のモリブデン−タングステン合金膜はほ
とんどエッチングされない。また、高分子膜１０００が
形成されているため、ゲートパッド２２０上部のゲート
絶縁層３００の平面部に比べゲート絶縁層３００および
保護膜７００の側面部のエッチング速度がさらに小さく
なるので、接触孔７１０、７２０、７３０、７４０の側
面部は緩やかな傾斜角を有するプロファイルが形成され
る。ここで、保護膜７００とゲート絶縁層３００のエッ
チング比がCF4＋O2条件において異なるように現われる
が、これは同一の窒化シリコンであっても形成する過程
において膜の特性を異にして形成するためである。
【００５７】第２方法としては、モリブデン膜またはモ
リブデン−タングステン合金膜と窒化シリコン膜とのエ
ッチング選択比が１：１５以上に高い条件を有するプラ
ズマ乾式エッチングを行なう途中に高分子膜を形成する
段階をさらに含んで３回の工程を行なうのである。ま
ず、図２０（ａ）および図２１（ａ）からみるように、
CF4＋O2ガスを用いてデータパターン６２０、６３０、
６４０のモリブデン−タングステン合金膜が露出される
までエッチングして接触孔７１０、７３０、７４０を形
成する。次いで、第２段階においては前述した方法と同
様に、四フッ化炭素(CF4)と水素(H2)または塩化水素(HC
l)を混合するガスをプラズマ状態で反応させて露出され
たホトレジスト９００および窒化シリコン膜７００、３
００表面の上部に高分子膜１０００を形成する（図２０
（ｂ）および図２１（ｂ）参照）。かかる高分子膜１０
００は同様に、窒化シリコン膜７００、３００が側面に
エッチングされるのを遅延させる役割をする。また、ホ
トレジスト９００はイオンが側面部に向くのを妨害する
ため、側面部のエッチングが遅延される効果を高める。
第３段階においては、第１段階と同一に行い接触孔を完
成する（図２０（ｃ）および図２１（ｃ）参照）。かか
る第２方法においては乾式エッチング用ガスを一つの条
件に適用するため、第１方法より工程適用が簡単であ
る。
リブデン−タングステン合金膜と窒化シリコン膜とのエ
ッチング選択比が１：１５以上に高い条件を有するプラ
ズマ乾式エッチングを行なう途中に高分子膜を形成する
段階をさらに含んで３回の工程を行なうのである。ま
ず、図２０（ａ）および図２１（ａ）からみるように、
CF4＋O2ガスを用いてデータパターン６２０、６３０、
６４０のモリブデン−タングステン合金膜が露出される
までエッチングして接触孔７１０、７３０、７４０を形
成する。次いで、第２段階においては前述した方法と同
様に、四フッ化炭素(CF4)と水素(H2)または塩化水素(HC
l)を混合するガスをプラズマ状態で反応させて露出され
たホトレジスト９００および窒化シリコン膜７００、３
００表面の上部に高分子膜１０００を形成する（図２０
（ｂ）および図２１（ｂ）参照）。かかる高分子膜１０
００は同様に、窒化シリコン膜７００、３００が側面に
エッチングされるのを遅延させる役割をする。また、ホ
トレジスト９００はイオンが側面部に向くのを妨害する
ため、側面部のエッチングが遅延される効果を高める。
第３段階においては、第１段階と同一に行い接触孔を完
成する（図２０（ｃ）および図２１（ｃ）参照）。かか
る第２方法においては乾式エッチング用ガスを一つの条
件に適用するため、第１方法より工程適用が簡単であ
る。
【００５８】また、第１方法においては、SF6＋HCl(＋H
e)またはSF6＋Cl2(＋He)のガスを用いて第１段階のエッ
チング工程においてホトレジスト９００と窒化シリコン
膜７００、３００を同様の程度にエッチングするため、
保護膜７００の側面部に形成された高分子膜１０００が
乾式エッチング気体の衝突で直接露出される。しかしな
がら、第２方法の第１段階のエッチング工程において
は、CF4＋O2ガスはホトレジスト９００に対し１０００
オングストローム／min以下のエッチング比を有するの
で、図２１（ｃ）に示すように、保護膜７００はホトレ
ジスト９００の下部においてアンダーカットが発生す
る。これに従い、図１７Ｃに示すように、第３段階工程
においてCF4＋O2ガスを用いて窒化シリコン膜７００、
３００をエッチングするとき、ホトレジスト９００は保
護膜７００の側面部に形成された高分子膜１０００がエ
ッチングガスに直接露出されるのを防止する。このた
め、第２方法においては、ホトレジスト９００は保護膜
７００の側面部がエッチングされるのを防止する効果を
高めることができる。
e)またはSF6＋Cl2(＋He)のガスを用いて第１段階のエッ
チング工程においてホトレジスト９００と窒化シリコン
膜７００、３００を同様の程度にエッチングするため、
保護膜７００の側面部に形成された高分子膜１０００が
乾式エッチング気体の衝突で直接露出される。しかしな
がら、第２方法の第１段階のエッチング工程において
は、CF4＋O2ガスはホトレジスト９００に対し１０００
オングストローム／min以下のエッチング比を有するの
で、図２１（ｃ）に示すように、保護膜７００はホトレ
ジスト９００の下部においてアンダーカットが発生す
る。これに従い、図１７Ｃに示すように、第３段階工程
においてCF4＋O2ガスを用いて窒化シリコン膜７００、
３００をエッチングするとき、ホトレジスト９００は保
護膜７００の側面部に形成された高分子膜１０００がエ
ッチングガスに直接露出されるのを防止する。このた
め、第２方法においては、ホトレジスト９００は保護膜
７００の側面部がエッチングされるのを防止する効果を
高めることができる。
【００５９】前述したプラズマエッチング方法におい
て、モリブデン−タングステン合金膜がエッチングされ
るのを最大限防止するため、CF4に対するO2の比率は４
／１０以下とすることが好ましい。また、CF4に対するO
2の比率が４／１０以下である場合には１段階で接触孔
７１０、７２０、７３０、７４０を同時に形成すること
ができる。かかる方法は表示装置の製造方法において金
属膜上の絶縁膜の厚さが異なるため、厚さが薄い側の接
触孔の下方の金属膜がエッチングされるのを防止し、接
触孔の側面を緩やかな傾斜角でエッチングするための工
程においてはすべて可能である。例えば、第１金属膜、
第１絶縁膜、第２金属膜および第２絶縁膜が連続形成さ
れている構造において、第２絶縁膜下部の第２金属膜を
露出させる第１接触孔と第２および第１絶縁膜下部の第
１金属膜を露出させる第２接触孔を同時に形成するとき
適用できる。つまり、ホトレジストと絶縁膜に対し１な
いし１．５倍のエッチング比を有するエッチング条件で
絶縁膜の側面部が傾斜されるようにエッチングし、絶縁
膜と金属膜とのエッチング選択比が１５：１以上である
エッチング条件で接触孔を完成する。このとき、高分子
膜を形成する工程を追加して絶縁膜が側面にエッチング
されるのを防止する。このとき、データパッド６３０を
二重膜で形成しアルミニウム膜またはアルミニウム合金
膜を上部膜で形成する場合、以後に形成されるＩＴＯと
の接触を防止するため、アルミニウム膜またはアルミニ
ウム合金膜を除去することにする。
て、モリブデン−タングステン合金膜がエッチングされ
るのを最大限防止するため、CF4に対するO2の比率は４
／１０以下とすることが好ましい。また、CF4に対するO
2の比率が４／１０以下である場合には１段階で接触孔
７１０、７２０、７３０、７４０を同時に形成すること
ができる。かかる方法は表示装置の製造方法において金
属膜上の絶縁膜の厚さが異なるため、厚さが薄い側の接
触孔の下方の金属膜がエッチングされるのを防止し、接
触孔の側面を緩やかな傾斜角でエッチングするための工
程においてはすべて可能である。例えば、第１金属膜、
第１絶縁膜、第２金属膜および第２絶縁膜が連続形成さ
れている構造において、第２絶縁膜下部の第２金属膜を
露出させる第１接触孔と第２および第１絶縁膜下部の第
１金属膜を露出させる第２接触孔を同時に形成するとき
適用できる。つまり、ホトレジストと絶縁膜に対し１な
いし１．５倍のエッチング比を有するエッチング条件で
絶縁膜の側面部が傾斜されるようにエッチングし、絶縁
膜と金属膜とのエッチング選択比が１５：１以上である
エッチング条件で接触孔を完成する。このとき、高分子
膜を形成する工程を追加して絶縁膜が側面にエッチング
されるのを防止する。このとき、データパッド６３０を
二重膜で形成しアルミニウム膜またはアルミニウム合金
膜を上部膜で形成する場合、以後に形成されるＩＴＯと
の接触を防止するため、アルミニウム膜またはアルミニ
ウム合金膜を除去することにする。
【００６０】最後に、図１１に示すように、０．０３〜
０．２μｍの厚さでＩＴＯを積層し第５マスクを用いて
乾式エッチングし、接触孔７１０、７３０を通じてそれ
ぞれドレイン電極６２０およびデータパッド６３０と接
続される画素電極８００およびデータパッド用ＩＴＯ電
極８２０、そして接触孔７２０を通じてゲートパッド２
２０と接続されるゲートパッド用ＩＴＯ電極８１０から
なるＩＴＯパターンを形成する。ここで、図１０でのよ
うに、ゲート補助パッド部６４０と接触孔７４０を追加
する場合、ゲートパッド用ＩＴＯ電極８１０をゲート補
助パッド部６４０まで延長されるように形成する。も
し、ゲートパッド２２０の上層をアルミニウム膜または
アルミニウム合金膜を用いるとゲートパッド用ＩＴＯ電
極８１０が直接接触して酸化反応が起こるため、ゲート
パッドが不良になりやすいが、これはゲートパッド２２
０の上層としてモリブデン合金膜を用いるとよい。
０．２μｍの厚さでＩＴＯを積層し第５マスクを用いて
乾式エッチングし、接触孔７１０、７３０を通じてそれ
ぞれドレイン電極６２０およびデータパッド６３０と接
続される画素電極８００およびデータパッド用ＩＴＯ電
極８２０、そして接触孔７２０を通じてゲートパッド２
２０と接続されるゲートパッド用ＩＴＯ電極８１０から
なるＩＴＯパターンを形成する。ここで、図１０でのよ
うに、ゲート補助パッド部６４０と接触孔７４０を追加
する場合、ゲートパッド用ＩＴＯ電極８１０をゲート補
助パッド部６４０まで延長されるように形成する。も
し、ゲートパッド２２０の上層をアルミニウム膜または
アルミニウム合金膜を用いるとゲートパッド用ＩＴＯ電
極８１０が直接接触して酸化反応が起こるため、ゲート
パッドが不良になりやすいが、これはゲートパッド２２
０の上層としてモリブデン合金膜を用いるとよい。
【００６１】次に、図２２および図２３を参照して本発
明の第２の実施の形態に従う薄膜トランジスタ基板の構
造について説明する。図２３は、図２２においてXIX−X
IX’線の断面図であり、図９から図１１と同一符号は同
様の機能を示す。基板１００上にゲート線２００および
その分枝であるゲート電極２１０、そしてゲート線２０
０の端部に形成されているゲートパッド２２０からなる
ゲートパターンが形成されている。ゲートパターンはモ
リブデン−タングステン合金の単一膜からなり、ゲート
パッド２２０は外部からの走査信号をゲート線２００に
伝達する。
明の第２の実施の形態に従う薄膜トランジスタ基板の構
造について説明する。図２３は、図２２においてXIX−X
IX’線の断面図であり、図９から図１１と同一符号は同
様の機能を示す。基板１００上にゲート線２００および
その分枝であるゲート電極２１０、そしてゲート線２０
０の端部に形成されているゲートパッド２２０からなる
ゲートパターンが形成されている。ゲートパターンはモ
リブデン−タングステン合金の単一膜からなり、ゲート
パッド２２０は外部からの走査信号をゲート線２００に
伝達する。
【００６２】ゲートパターン２００、２１０、２２０上
にはゲート絶縁層３００が形成されており、このゲート
絶縁層３００はゲートパッド２２０上部を露出させる接
触孔７２０を有している。ゲート絶縁層３００上には水
素化非晶質シリコン層４００が形成されている。水素化
非晶質シリコン層４００はゲート電極２１０に該当する
位置に形成されて薄膜トランジスタの活性層に機能して
おり、延長されて縦に長く形成されている。
にはゲート絶縁層３００が形成されており、このゲート
絶縁層３００はゲートパッド２２０上部を露出させる接
触孔７２０を有している。ゲート絶縁層３００上には水
素化非晶質シリコン層４００が形成されている。水素化
非晶質シリコン層４００はゲート電極２１０に該当する
位置に形成されて薄膜トランジスタの活性層に機能して
おり、延長されて縦に長く形成されている。
【００６３】非晶質シリコン層４００上にはｎ形不純物
が高濃度でドーピングされた水素化非晶質シリコン層５
１０、５２０が形成されている。その上にはモリブデン
−タングステン合金膜からなるデータパターン６１０、
６２０が形成されており、ドーピングされた非晶質シリ
コン層５１０、５２０とデータパターン６１０、６２０
は同一形状に形成されている。これら二つの層はそれぞ
れゲート電極２１０に対し二つの部分（５１０、６１
０：５２０、６２０）に分けられており、非晶質シリコ
ン層４００の形状に沿い形成されている。
が高濃度でドーピングされた水素化非晶質シリコン層５
１０、５２０が形成されている。その上にはモリブデン
−タングステン合金膜からなるデータパターン６１０、
６２０が形成されており、ドーピングされた非晶質シリ
コン層５１０、５２０とデータパターン６１０、６２０
は同一形状に形成されている。これら二つの層はそれぞ
れゲート電極２１０に対し二つの部分（５１０、６１
０：５２０、６２０）に分けられており、非晶質シリコ
ン層４００の形状に沿い形成されている。
【００６４】データパターン６１０、６２０上にはＩＴ
Ｏなどの透明な導電物質からなる透明な導電層８３０、
８４０が形成されており、この中で、一部８３０はデー
タパターンおよびドーピングされた非晶質シリコン層５
１０のパターンに従い形成されており、他の一部８４０
はデータパターン６２０を覆い画素の中央部分に延長さ
れて画素電極になる。
Ｏなどの透明な導電物質からなる透明な導電層８３０、
８４０が形成されており、この中で、一部８３０はデー
タパターンおよびドーピングされた非晶質シリコン層５
１０のパターンに従い形成されており、他の一部８４０
はデータパターン６２０を覆い画素の中央部分に延長さ
れて画素電極になる。
【００６５】最後に、ＩＴＯパターン８３０、８４０お
よびＩＴＯパターンで覆われないゲート絶縁層３００上
には保護膜７００が形成されており、この保護膜７００
にはゲートパッド２２０および透明な導電層８３０の端
部を露出させる接触孔７２０、７３０がそれぞれ形成さ
れている。
よびＩＴＯパターンで覆われないゲート絶縁層３００上
には保護膜７００が形成されており、この保護膜７００
にはゲートパッド２２０および透明な導電層８３０の端
部を露出させる接触孔７２０、７３０がそれぞれ形成さ
れている。
【００６６】以下、添付図面を参照して図２２および図
２３に示す薄膜トランジスタ基板の製造方法について詳
細に説明する。図２４（ａ）から図２４（ｃ）は、図２
２および図２３に示す薄膜トランジスタ基板の製造方法
をその工程順序に従い示す断面図であり、４枚のマスク
を用いた製造方法である。図２４（ａ）に示すように、
透明な絶縁基板１００上に０．１〜２．０μｍの厚さで
モリブデン−タングステン合金膜を積層し第１マスクを
用いて写真工程を行いゲート線２００、ゲート電極２１
０およびゲートパッド２２０を含むゲートパターンを形
成する。ここで、モリブデン−タングステン合金膜は原
子百分率０．０１％以上２０％未満のタングステン(Ｗ)
と残りのモリブデン(Ｍｏ)からなり、タングステン含有
率は原子百分率９〜１１％であることが好ましい。ま
た、アルミニウムエッチング液、例えばCH3COOH／HNO3
／H3PO4／H2Oなどを用い、HNO3の含量は好ましくは８〜
１４％の範囲である。また、ゲートパターンはモリブデ
ン−タングステン合金膜にアルミニウム膜またはアルミ
ニウム合金を追加して二重膜で形成することができ、こ
れらのうち、一つの物質を蒸着して単一膜で形成するこ
とができる。ここで、アルミニウム合金膜を用いる場
合、アルミニウム合金膜はアルミニウムと５％以下の希
土類金属または転移金属からなる。
２３に示す薄膜トランジスタ基板の製造方法について詳
細に説明する。図２４（ａ）から図２４（ｃ）は、図２
２および図２３に示す薄膜トランジスタ基板の製造方法
をその工程順序に従い示す断面図であり、４枚のマスク
を用いた製造方法である。図２４（ａ）に示すように、
透明な絶縁基板１００上に０．１〜２．０μｍの厚さで
モリブデン−タングステン合金膜を積層し第１マスクを
用いて写真工程を行いゲート線２００、ゲート電極２１
０およびゲートパッド２２０を含むゲートパターンを形
成する。ここで、モリブデン−タングステン合金膜は原
子百分率０．０１％以上２０％未満のタングステン(Ｗ)
と残りのモリブデン(Ｍｏ)からなり、タングステン含有
率は原子百分率９〜１１％であることが好ましい。ま
た、アルミニウムエッチング液、例えばCH3COOH／HNO3
／H3PO4／H2Oなどを用い、HNO3の含量は好ましくは８〜
１４％の範囲である。また、ゲートパターンはモリブデ
ン−タングステン合金膜にアルミニウム膜またはアルミ
ニウム合金を追加して二重膜で形成することができ、こ
れらのうち、一つの物質を蒸着して単一膜で形成するこ
とができる。ここで、アルミニウム合金膜を用いる場
合、アルミニウム合金膜はアルミニウムと５％以下の希
土類金属または転移金属からなる。
【００６７】次に、窒化シリコンからなる０．２〜１．
０μｍの厚さでゲート絶縁層３００、０．１〜０．３μ
ｍの厚さで水素化非晶質シリコン層４００、０．０１５
〜０．１５μｍの厚さでＮ形高濃度不純物でドーピング
された水素化非晶質シリコン層５００および厚さ０．３
〜２．０μｍでモリブデンまたはモリブデン−タングス
テン合金６００を順に積層し、第２マスクを用いて図２
４（ｂ）に示すように、モリブデン−タングステン合金
膜６００、ドーピングされた非晶質シリコン層５００お
よび非晶質シリコン層４００を順にパターニングする。
モリブデンまたはモリブデン−タングステン合金膜６０
０の代わりに、クロム、モリブデンまたはモリブデン合
金のうち、一つの単一膜またはこれらを組み合わせた二
重膜で形成することができる。また、抵抗を低めるため
にアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を追加する
ことができる。ここで、モリブデン−タングステン合金
膜６００の代わりに、下部膜はクロム膜、上部膜はモリ
ブデン−タングステン合金膜で形成する場合、同一のエ
ッチング条件で上部膜と下部膜とを順にエッチングして
テーパ形状に加工することができる。このとき、前述し
たエッチング条件が湿式エッチングであると、エッチン
グ液はクロムをエッチングするに用いられるエッチング
液であって、例えば、HNO3／(NH4)2Ce(NO3)6／H2Oを挙
げられ、このとき、HNO3の濃度は４〜１０％、(NH4)2Ce
(NO3)6の濃度は１０〜１５％であることが好ましい。
０μｍの厚さでゲート絶縁層３００、０．１〜０．３μ
ｍの厚さで水素化非晶質シリコン層４００、０．０１５
〜０．１５μｍの厚さでＮ形高濃度不純物でドーピング
された水素化非晶質シリコン層５００および厚さ０．３
〜２．０μｍでモリブデンまたはモリブデン−タングス
テン合金６００を順に積層し、第２マスクを用いて図２
４（ｂ）に示すように、モリブデン−タングステン合金
膜６００、ドーピングされた非晶質シリコン層５００お
よび非晶質シリコン層４００を順にパターニングする。
モリブデンまたはモリブデン−タングステン合金膜６０
０の代わりに、クロム、モリブデンまたはモリブデン合
金のうち、一つの単一膜またはこれらを組み合わせた二
重膜で形成することができる。また、抵抗を低めるため
にアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を追加する
ことができる。ここで、モリブデン−タングステン合金
膜６００の代わりに、下部膜はクロム膜、上部膜はモリ
ブデン−タングステン合金膜で形成する場合、同一のエ
ッチング条件で上部膜と下部膜とを順にエッチングして
テーパ形状に加工することができる。このとき、前述し
たエッチング条件が湿式エッチングであると、エッチン
グ液はクロムをエッチングするに用いられるエッチング
液であって、例えば、HNO3／(NH4)2Ce(NO3)6／H2Oを挙
げられ、このとき、HNO3の濃度は４〜１０％、(NH4)2Ce
(NO3)6の濃度は１０〜１５％であることが好ましい。
【００６８】次に、図２４（ｃ）に示すように、透明な
導電物質であるＩＴＯを０．０３〜０．２μｍの厚さで
積層した後、第３マスクを用いて透明な導電層８３０、
８４０を写真工程でパターニングする。その後、透明な
導電層８３０、８４０をマスクにして露出されたモリブ
デン−タングステン合金膜６００およびドーピングされ
た非晶質シリコン層５００をそれぞれ湿式および乾式エ
ッチングしてデータパターン６１０、６２０およびコン
タクト層としてドーピングされた非晶質シリコン層５１
０、５２０を形成する。このとき、データパターン６１
０、６２０が透明な導電層８３０、８４０により覆われ
ているため、エッチングするための気体としては必ずハ
ロゲン化水素とCF4、CHF3、CHClF2、CH3FおよびC2F6を
用いなくてもよい。
導電物質であるＩＴＯを０．０３〜０．２μｍの厚さで
積層した後、第３マスクを用いて透明な導電層８３０、
８４０を写真工程でパターニングする。その後、透明な
導電層８３０、８４０をマスクにして露出されたモリブ
デン−タングステン合金膜６００およびドーピングされ
た非晶質シリコン層５００をそれぞれ湿式および乾式エ
ッチングしてデータパターン６１０、６２０およびコン
タクト層としてドーピングされた非晶質シリコン層５１
０、５２０を形成する。このとき、データパターン６１
０、６２０が透明な導電層８３０、８４０により覆われ
ているため、エッチングするための気体としては必ずハ
ロゲン化水素とCF4、CHF3、CHClF2、CH3FおよびC2F6を
用いなくてもよい。
【００６９】図２３に示すように、保護膜７００を０．
１〜１．０μｍの厚さで積層した後、第４マスクを用い
てゲート絶縁層３００と共にホトエッチングし、ゲート
パッド２２０およびデータパターン６１０の端部に対応
する透明な導電層８３０上部を露出させる接触孔７２
０、７３０を形成する。
１〜１．０μｍの厚さで積層した後、第４マスクを用い
てゲート絶縁層３００と共にホトエッチングし、ゲート
パッド２２０およびデータパターン６１０の端部に対応
する透明な導電層８３０上部を露出させる接触孔７２
０、７３０を形成する。
【００７０】以下、実験例１ないし実験例７について詳
細に説明する。 実験例１ 実験例１はモリブデン膜またはモリブデン−タングステ
ン合金膜の蒸着特性に関するものである。実験例１にお
いては原子百分率１０at％のタングステンを含むモリブ
デン−タングステン合金を基板１００の上部に蒸着し
た。このとき、蒸着温度は１５０℃程度である。図２５
はモリブデン−タングステン合金の蒸着圧力と応力との
関係を示すグラフである。図２５に示すように、モリブ
デン−タングステン合金膜の応力は蒸着圧力２〜７mtor
rの変化に従い圧縮力−３．０＊１０9程度から引張力
６．０＊１０9まで変化する。従って、モリブデン−タ
ングステン合金膜の蒸着の際基板が歪まないようにモリ
ブデン−タングステン合金膜の応力を調節できるので、
モリブデン−タングステン合金膜の金属配線は大画面お
よび高精細の液晶表示装置に使用の際にさらに有利であ
る。このように、モリブデン−タングステン合金膜を液
晶表示装置の配線に用いると、小さい基板に適用でき、
３７０＊４７０mm2以上の大きさを有する基板にも適用
できる。また、配線の厚さは０．３〜２．０μｍ程度の
範囲で、配線の幅は３．０〜１０．０μｍ程度の範囲で
形成することが好ましい。
細に説明する。 実験例１ 実験例１はモリブデン膜またはモリブデン−タングステ
ン合金膜の蒸着特性に関するものである。実験例１にお
いては原子百分率１０at％のタングステンを含むモリブ
デン−タングステン合金を基板１００の上部に蒸着し
た。このとき、蒸着温度は１５０℃程度である。図２５
はモリブデン−タングステン合金の蒸着圧力と応力との
関係を示すグラフである。図２５に示すように、モリブ
デン−タングステン合金膜の応力は蒸着圧力２〜７mtor
rの変化に従い圧縮力−３．０＊１０9程度から引張力
６．０＊１０9まで変化する。従って、モリブデン−タ
ングステン合金膜の蒸着の際基板が歪まないようにモリ
ブデン−タングステン合金膜の応力を調節できるので、
モリブデン−タングステン合金膜の金属配線は大画面お
よび高精細の液晶表示装置に使用の際にさらに有利であ
る。このように、モリブデン−タングステン合金膜を液
晶表示装置の配線に用いると、小さい基板に適用でき、
３７０＊４７０mm2以上の大きさを有する基板にも適用
できる。また、配線の厚さは０．３〜２．０μｍ程度の
範囲で、配線の幅は３．０〜１０．０μｍ程度の範囲で
形成することが好ましい。
【００７１】実験例２ないし実験例４はクロムとモリブ
デンまたはモリブデン−タングステン合金膜を含む構造
のエッチング比およびエッチングプロファイルに関する
ものである。 実験例２ 実験例２においてはモリブデン膜またはモリブデン−タ
ングステン合金膜のエッチング比を測定した。図２６は
タングステン(Ｗ)の含有量に従うクロムエッチング液HN
O3／(NH4)2Ce(NO3)6／H2Oに対するモリブデン−タング
ステン合金のエッチング比の特性を示すものである。同
図からわかるように、タングステン含有量が０％である
とエッチング比は２５０オングストローム/sec程度に非
常に大きく現れるが、タングステン含有量が１０％であ
るとエッチング比は１００オングストローム/sec程度に
現れる。また、タングステン含有量が１５〜２５％であ
る場合には８０〜４０オングストローム/sec程度に低下
することがわかる。一方、クロムはHNO3(４〜１０％)：
(NH4)2Ce(NO3)6(１０〜１５％)：H2Oからなるクロムエ
ッチング液に対し４０〜６０オングストローム/sec程度
のエッチング比を有するので、これより大きいエッチン
グ比を有するモリブデン−タングステン合金膜をクロム
膜の上部に形成すると緩やかな傾斜角を有する二重膜配
線を得られる。
デンまたはモリブデン−タングステン合金膜を含む構造
のエッチング比およびエッチングプロファイルに関する
ものである。 実験例２ 実験例２においてはモリブデン膜またはモリブデン−タ
ングステン合金膜のエッチング比を測定した。図２６は
タングステン(Ｗ)の含有量に従うクロムエッチング液HN
O3／(NH4)2Ce(NO3)6／H2Oに対するモリブデン−タング
ステン合金のエッチング比の特性を示すものである。同
図からわかるように、タングステン含有量が０％である
とエッチング比は２５０オングストローム/sec程度に非
常に大きく現れるが、タングステン含有量が１０％であ
るとエッチング比は１００オングストローム/sec程度に
現れる。また、タングステン含有量が１５〜２５％であ
る場合には８０〜４０オングストローム/sec程度に低下
することがわかる。一方、クロムはHNO3(４〜１０％)：
(NH4)2Ce(NO3)6(１０〜１５％)：H2Oからなるクロムエ
ッチング液に対し４０〜６０オングストローム/sec程度
のエッチング比を有するので、これより大きいエッチン
グ比を有するモリブデン−タングステン合金膜をクロム
膜の上部に形成すると緩やかな傾斜角を有する二重膜配
線を得られる。
【００７２】実験例３ 図２７は、下部のクロム膜と上部のモリブデン−タング
ステン合金膜とからなる二重膜の断面図であり、基板１
０００の上部にクロム膜２０００を２０００オングスト
ローム、モリブデン−タングステン合金膜３０００を８
００オングストローム程度の厚さで順に蒸着した後、ク
ロムをエッチングするに用いられるエッチング液である
HNO3／(NH4)2Ce(NO3)6／H2Oでエッチングした。このと
き、タングステン含有率は２０％である。図２７に示す
ように、２０°程度の傾斜角を有するエッチングプロフ
ァイルが形成されている。
ステン合金膜とからなる二重膜の断面図であり、基板１
０００の上部にクロム膜２０００を２０００オングスト
ローム、モリブデン−タングステン合金膜３０００を８
００オングストローム程度の厚さで順に蒸着した後、ク
ロムをエッチングするに用いられるエッチング液である
HNO3／(NH4)2Ce(NO3)6／H2Oでエッチングした。このと
き、タングステン含有率は２０％である。図２７に示す
ように、２０°程度の傾斜角を有するエッチングプロフ
ァイルが形成されている。
【００７３】実験例４ 実験例４においては基板１０００の上部にクロム膜２０
００を１５００オングストローム、モリブデン−タング
ステン合金膜３０００を５００オングストローム程度の
厚さで順に蒸着した後、エッチングした。その以外の条
件は実験例１と同一である。図２８は本発明の実験例４
に従うクロム膜とモリブデン−タングステン合金膜のエ
ッチングプロファイルを示す断面図である。実験例４に
おいては図２８に示すように、１２〜１５°程度の傾斜
角を有するエッチングプロファイルが形成されている。
かかる実験例からみるとき、データパターンまたはゲー
トパターンをモリブデン−タングステン合金膜とクロム
膜との二重膜を適用する場合、１回の工程を通じて緩や
かな傾斜角を有するテーパ加工が可能でかつ低抵抗であ
るため、大画面の表示装置において有利である。
００を１５００オングストローム、モリブデン−タング
ステン合金膜３０００を５００オングストローム程度の
厚さで順に蒸着した後、エッチングした。その以外の条
件は実験例１と同一である。図２８は本発明の実験例４
に従うクロム膜とモリブデン−タングステン合金膜のエ
ッチングプロファイルを示す断面図である。実験例４に
おいては図２８に示すように、１２〜１５°程度の傾斜
角を有するエッチングプロファイルが形成されている。
かかる実験例からみるとき、データパターンまたはゲー
トパターンをモリブデン−タングステン合金膜とクロム
膜との二重膜を適用する場合、１回の工程を通じて緩や
かな傾斜角を有するテーパ加工が可能でかつ低抵抗であ
るため、大画面の表示装置において有利である。
【００７４】次に、データパターン６１０、６２０をマ
スクにしてドーピングされた非晶質シリコン層５００を
エッチングする工程について実験例５ないし７において
詳細に説明する。図１５を参照して説明すると、基板１
００に蒸着されているゲート電極２１０のうち、下部に
形成されているアルミニウム合金膜２２１の厚さは２５
００オングストローム程度であり、その上に形成されて
いるモリブデン−タングステン合金膜２２２の厚さは５
００オングストローム程度である。また、ゲート絶縁膜
３００は４５００オングストローム、非晶質シリコン層
４００は２０００オングストローム、ドーピングされた
非晶質シリコン層５００は５００オングストローム、デ
ータパターン６１０、６２０は４０００オングストロー
ムおよび保護膜７００は３０００オングストローム程度
の厚さを有する。ここで、データパターン６１０、６２
０はタングステンを含むモリブデン合金またはモリブデ
ンで形成する。 実験例５ 実験例５においてはプラズマ乾式エッチング方法を通じ
てドーピングされた非晶質シリコン層５００をエッチン
グし、乾式エッチング用気体としてはHCl＋SF6またはCl
2＋SF6を用いた。図２９は本発明の第１の実施の形態に
従う薄膜トランジスタの製造方法のうち、実験例５にお
いて乾式エッチング用気体に対するＭｏＷのエッチング
比を示す表である。 同図に示すように、乾式エッチン
グ用気体としてHCl＋SF6を用いる場合、２００〜６１０
オングストローム／min程度のエッチング比でデータパ
ターン６１０、６２０のモリブデン合金が多量にエッチ
ングされ、Cl2＋SF6を用いる場合には１５０〜３２０オ
ングストローム／min程度のエッチング比が現われた。
スクにしてドーピングされた非晶質シリコン層５００を
エッチングする工程について実験例５ないし７において
詳細に説明する。図１５を参照して説明すると、基板１
００に蒸着されているゲート電極２１０のうち、下部に
形成されているアルミニウム合金膜２２１の厚さは２５
００オングストローム程度であり、その上に形成されて
いるモリブデン−タングステン合金膜２２２の厚さは５
００オングストローム程度である。また、ゲート絶縁膜
３００は４５００オングストローム、非晶質シリコン層
４００は２０００オングストローム、ドーピングされた
非晶質シリコン層５００は５００オングストローム、デ
ータパターン６１０、６２０は４０００オングストロー
ムおよび保護膜７００は３０００オングストローム程度
の厚さを有する。ここで、データパターン６１０、６２
０はタングステンを含むモリブデン合金またはモリブデ
ンで形成する。 実験例５ 実験例５においてはプラズマ乾式エッチング方法を通じ
てドーピングされた非晶質シリコン層５００をエッチン
グし、乾式エッチング用気体としてはHCl＋SF6またはCl
2＋SF6を用いた。図２９は本発明の第１の実施の形態に
従う薄膜トランジスタの製造方法のうち、実験例５にお
いて乾式エッチング用気体に対するＭｏＷのエッチング
比を示す表である。 同図に示すように、乾式エッチン
グ用気体としてHCl＋SF6を用いる場合、２００〜６１０
オングストローム／min程度のエッチング比でデータパ
ターン６１０、６２０のモリブデン合金が多量にエッチ
ングされ、Cl2＋SF6を用いる場合には１５０〜３２０オ
ングストローム／min程度のエッチング比が現われた。
【００７５】実験例６ 図３０は本発明の実験例６に従う薄膜トランジスタの製
造方法を示す断面図である。同図に示すように、ホトレ
ジスト９００をマスクにして湿式エッチング方法を通じ
てモリブデン合金からなる金属層をパターニングしてデ
ータパターン６１０、６２０を形成した。次いで、デー
タパターン６１０、６２０がエッチングされるのを防止
するため、ホトレジスト９００を除去しない状態におい
て、これをマスクにしてドーピングされた非晶質シリコ
ン層５００をエッチングし、乾式エッチング用気体とし
てはHCl＋SF6を用いた。従って、ソース／ドレイン電極
６１０、６２０はエッチングされなかった。一方、乾式
エッチングで硬化しているホトレジスト９００を除去す
るため、アシング(ashing)工程をさらに行い、非晶質シ
リコン層４００表面をよくするために水素プラズマ工程
を選択的に行なった。図３１は、本発明の実験例６に従
う薄膜トランジスタの特性を示すグラフであって、アシ
ング工程のみを行なう場合と、アシング工程および水素
プラズマ工程を行なった場合とについてそれぞれ薄膜ト
ランジスタの特性を測定した結果である。Ｙ軸はソース
−ドレイン間の電流(Ａ)をログで示すものであり、Ｘ軸
はゲート電圧(Ｖｇ)である。アシング工程のみを行なっ
た場合と、アシング工程および水素プラズマ工程いずれ
もを行なった場合とを比較すると、アシング工程で用い
られる酸素気体により非晶質シリコン層４００の表面が
酸化されるため、薄膜トランジスタの特性が劣化され
た。また、水素プラズマ工程をさらに行なうことによ
り、非晶質シリコン層４００表面の酸化を除去でき、オ
フ電流が低くなることがわかる。
造方法を示す断面図である。同図に示すように、ホトレ
ジスト９００をマスクにして湿式エッチング方法を通じ
てモリブデン合金からなる金属層をパターニングしてデ
ータパターン６１０、６２０を形成した。次いで、デー
タパターン６１０、６２０がエッチングされるのを防止
するため、ホトレジスト９００を除去しない状態におい
て、これをマスクにしてドーピングされた非晶質シリコ
ン層５００をエッチングし、乾式エッチング用気体とし
てはHCl＋SF6を用いた。従って、ソース／ドレイン電極
６１０、６２０はエッチングされなかった。一方、乾式
エッチングで硬化しているホトレジスト９００を除去す
るため、アシング(ashing)工程をさらに行い、非晶質シ
リコン層４００表面をよくするために水素プラズマ工程
を選択的に行なった。図３１は、本発明の実験例６に従
う薄膜トランジスタの特性を示すグラフであって、アシ
ング工程のみを行なう場合と、アシング工程および水素
プラズマ工程を行なった場合とについてそれぞれ薄膜ト
ランジスタの特性を測定した結果である。Ｙ軸はソース
−ドレイン間の電流(Ａ)をログで示すものであり、Ｘ軸
はゲート電圧(Ｖｇ)である。アシング工程のみを行なっ
た場合と、アシング工程および水素プラズマ工程いずれ
もを行なった場合とを比較すると、アシング工程で用い
られる酸素気体により非晶質シリコン層４００の表面が
酸化されるため、薄膜トランジスタの特性が劣化され
た。また、水素プラズマ工程をさらに行なうことによ
り、非晶質シリコン層４００表面の酸化を除去でき、オ
フ電流が低くなることがわかる。
【００７６】実験例７ 実験例７においては乾式エッチング用気体HCl＋CF4を用
いてドーピングされた非結晶シリコン層５００を乾式エ
ッチングし、データパターン６１０、６２０上部にホト
レジストを形成しない状態で行なった。また、アシング
工程および水素プラズマ工程は行なわなかった。図３２
は乾式エッチング用気体に対するＭｏＷのエッチング比
を示す表である。図３２に示すように、乾式エッチング
用気体としてHCl＋CF4を用いる場合、１５〜８０オング
ストローム／min程度のエッチングでデータパターン６
１０、６２０のモリブデン合金がエッチングされた。か
かる結果を実験例５と比較すると、HCl＋SF6またはCl2
＋SF6を用いる場合より非常に少ない量がエッチングさ
れることがわかる。図３３は本発明の実験例７に従う薄
膜トランジスタの特性を示すグラフである。図面におい
て、Ｙ軸の左側はソース−ドレイン間の電流(Ａ)であ
り、右側は素子の特性傾きであり、Ｘ軸はゲート電圧
(Ｖｇ)である。図３３に示すように、アシング工程およ
び水素プラズマ工程を省略してもソース−ドレイン間の
オン／オフ電流特性は良好に測定された。また、ドーピ
ングされた非晶質シリコン層をその上のモリブデンまた
はモリブデン−タングステン合金をマスクにしてエッチ
ングするすべての半導体装置の製造方法においてハロゲ
ン化水素気体とCF4、CHF3、CHClF2、CH3FおよびC2F6の
うち、少なくとも一つの気体を用いられる。
いてドーピングされた非結晶シリコン層５００を乾式エ
ッチングし、データパターン６１０、６２０上部にホト
レジストを形成しない状態で行なった。また、アシング
工程および水素プラズマ工程は行なわなかった。図３２
は乾式エッチング用気体に対するＭｏＷのエッチング比
を示す表である。図３２に示すように、乾式エッチング
用気体としてHCl＋CF4を用いる場合、１５〜８０オング
ストローム／min程度のエッチングでデータパターン６
１０、６２０のモリブデン合金がエッチングされた。か
かる結果を実験例５と比較すると、HCl＋SF6またはCl2
＋SF6を用いる場合より非常に少ない量がエッチングさ
れることがわかる。図３３は本発明の実験例７に従う薄
膜トランジスタの特性を示すグラフである。図面におい
て、Ｙ軸の左側はソース−ドレイン間の電流(Ａ)であ
り、右側は素子の特性傾きであり、Ｘ軸はゲート電圧
(Ｖｇ)である。図３３に示すように、アシング工程およ
び水素プラズマ工程を省略してもソース−ドレイン間の
オン／オフ電流特性は良好に測定された。また、ドーピ
ングされた非晶質シリコン層をその上のモリブデンまた
はモリブデン−タングステン合金をマスクにしてエッチ
ングするすべての半導体装置の製造方法においてハロゲ
ン化水素気体とCF4、CHF3、CHClF2、CH3FおよびC2F6の
うち、少なくとも一つの気体を用いられる。
【００７７】
【発明の効果】以上のように、本発明に従う表示装置の
製造方法においてはモリブデン合金は１５Ωcm以下の低
抵抗を有し、テーパの加工の際アルミニウムエッチング
液およびクロムエッチング液を用いられるので、アルミ
ニウムおよびクロムと共に表示装置または半導体装置の
配線に用いるに非常に容易である。また、モリブデン膜
またはモリブデン−タングステン合金膜は蒸着圧力に従
い膜の応力を変化させて基板が歪まない条件で厚く形成
することができるので、高精細および大画面の表示装置
用配線に適合である。そして、接触孔を形成するとき保
護膜およびゲート絶縁層の側面部のエッチングを遅延さ
せる高分子膜を形成するかCF4＋O2を用いてモリブデン
合金膜がエッチングされないようにし、SF6＋HCl(＋He)
またはSF6＋Cl2(＋He)を用いて接触孔のフレームが緩や
かな傾斜を有するように形成できる。また、モリブデン
またはモリブデン−タングステン合金膜をマスクにして
非結晶シリコン層をエッチングするとき、ハロゲン化水
素気体とCF4、CHF3、CHClF2、CH3FおよびC2F6のうち、
少なくとも一つの気体を用いて良好な薄膜トランジスタ
の特性を得た。そして、水素プラズマ工程を通じて薄膜
トランジスタの特性が向上される。
製造方法においてはモリブデン合金は１５Ωcm以下の低
抵抗を有し、テーパの加工の際アルミニウムエッチング
液およびクロムエッチング液を用いられるので、アルミ
ニウムおよびクロムと共に表示装置または半導体装置の
配線に用いるに非常に容易である。また、モリブデン膜
またはモリブデン−タングステン合金膜は蒸着圧力に従
い膜の応力を変化させて基板が歪まない条件で厚く形成
することができるので、高精細および大画面の表示装置
用配線に適合である。そして、接触孔を形成するとき保
護膜およびゲート絶縁層の側面部のエッチングを遅延さ
せる高分子膜を形成するかCF4＋O2を用いてモリブデン
合金膜がエッチングされないようにし、SF6＋HCl(＋He)
またはSF6＋Cl2(＋He)を用いて接触孔のフレームが緩や
かな傾斜を有するように形成できる。また、モリブデン
またはモリブデン−タングステン合金膜をマスクにして
非結晶シリコン層をエッチングするとき、ハロゲン化水
素気体とCF4、CHF3、CHClF2、CH3FおよびC2F6のうち、
少なくとも一つの気体を用いて良好な薄膜トランジスタ
の特性を得た。そして、水素プラズマ工程を通じて薄膜
トランジスタの特性が向上される。
【図１】 本発明の一実施の形態として示したモリブデ
ン合金(ＭｏＷ)膜の特性を示すグラフである。
ン合金(ＭｏＷ)膜の特性を示すグラフである。
【図２】 本発明の一実施の形態として示したモリブデ
ン合金(ＭｏＷ)膜の特性を示すグラフである。
ン合金(ＭｏＷ)膜の特性を示すグラフである。
【図３】 本発明の一実施の形態として示したモリブデ
ン合金(ＭｏＷ)膜の特性を示すグラフである。
ン合金(ＭｏＷ)膜の特性を示すグラフである。
【図４】 本発明に従うモリブデン合金(ＭｏＷ)膜のエ
ッチングプロファイルを示す断面図である。
ッチングプロファイルを示す断面図である。
【図５】 本発明の一実施の形態として示したモリブデ
ン合金(ＭｏＷ)とアルミニウム合金(Al alloy)からなる
二重膜のエッチングプロファイルを示す断面図である。
ン合金(ＭｏＷ)とアルミニウム合金(Al alloy)からなる
二重膜のエッチングプロファイルを示す断面図である。
【図６】 本発明の一実施の形態として示したモリブデ
ン合金(ＭｏＷ)とアルミニウム合金(Al alloy)からなる
二重膜のエッチングプロファイルを示す断面図である。
ン合金(ＭｏＷ)とアルミニウム合金(Al alloy)からなる
二重膜のエッチングプロファイルを示す断面図である。
【図７】 本発明の一実施の形態として示したモリブデ
ン合金(ＭｏＷ)とアルミニウム合金(Al alloy)からなる
二重膜のエッチングプロファイルを示す断面図である。
ン合金(ＭｏＷ)とアルミニウム合金(Al alloy)からなる
二重膜のエッチングプロファイルを示す断面図である。
【図８】 本発明の一実施の形態として示したモリブデ
ン合金(ＭｏＷ)とアルミニウム合金(Al alloy)からなる
二重膜のエッチングプロファイルを示す断面図である。
ン合金(ＭｏＷ)とアルミニウム合金(Al alloy)からなる
二重膜のエッチングプロファイルを示す断面図である。
【図９】 本発明の一実施の形態として示した薄膜トラ
ンジスタ基板の構造を示す平面図である。
ンジスタ基板の構造を示す平面図である。
【図１０】 本発明の一実施の形態として示した薄膜ト
ランジスタ基板の構造を示す平面図である。
ランジスタ基板の構造を示す平面図である。
【図１１】 図９においてＸ−Ｘ’線に沿い切断した断
面図である。
面図である。
【図１２】 本発明の一実施の形態として示した薄膜ト
ランジスタ基板の製造方法を示す断面図である。
ランジスタ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１３】 本発明の一実施の形態として示した薄膜ト
ランジスタ基板の製造方法を示す断面図である。
ランジスタ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１４】 本発明の一実施の形態として示した薄膜ト
ランジスタ基板の製造方法を示す断面図である。
ランジスタ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１５】 本発明の一実施の形態として示した薄膜ト
ランジスタ基板の製造方法を示す断面図である。
ランジスタ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１６】 本発明の一実施の形態として示した薄膜ト
ランジスタ基板の上部に接触孔を形成する工程を詳細に
示す断面図である。
ランジスタ基板の上部に接触孔を形成する工程を詳細に
示す断面図である。
【図１７】 本発明の一実施の形態として示した薄膜ト
ランジスタ基板の上部に接触孔を形成する工程を詳細に
示す断面図である。
ランジスタ基板の上部に接触孔を形成する工程を詳細に
示す断面図である。
【図１８】 本発明の一実施の形態として示した薄膜ト
ランジスタ基板の上部に接触孔を形成する工程を詳細に
示す断面図である。
ランジスタ基板の上部に接触孔を形成する工程を詳細に
示す断面図である。
【図１９】 本発明の一実施の形態として示した薄膜ト
ランジスタ基板の上部に接触孔を形成する工程を詳細に
示す断面図である。
ランジスタ基板の上部に接触孔を形成する工程を詳細に
示す断面図である。
【図２０】 本発明の一実施の形態として示した薄膜ト
ランジスタ基板の上部に接触孔を形成する工程を詳細に
示す断面図である。
ランジスタ基板の上部に接触孔を形成する工程を詳細に
示す断面図である。
【図２１】 本発明の一実施の形態として示した薄膜ト
ランジスタ基板の上部に接触孔を形成する工程を詳細に
示す断面図である。
ランジスタ基板の上部に接触孔を形成する工程を詳細に
示す断面図である。
【図２２】 本発明の第２の実施の形態として示した薄
膜トランジスタ基板の構造を示す平面図である。
膜トランジスタ基板の構造を示す平面図である。
【図２３】 図２２においてＸＩＸ−ＸＩＸ’線に沿い
切断した断面図である。
切断した断面図である。
【図２４】 本発明の第２の実施の形態として示した薄
膜トランジスタ基板の製造方法を示す断面図である。
膜トランジスタ基板の製造方法を示す断面図である。
【図２５】 本発明の実験例１に従うモリブデン−タン
グステン合金に対する蒸着圧力と応力との関係を示すグ
ラフである。
グステン合金に対する蒸着圧力と応力との関係を示すグ
ラフである。
【図２６】 本発明の実験例２に従うモリブデン−タン
グステン合金膜のエッチング比を示すグラフである。
グステン合金膜のエッチング比を示すグラフである。
【図２７】 本発明の実験例３に従う薄膜トランジスタ
の製造方法においてデータパターンを二重膜で形成する
場合のエッチングプロファイルを示す断面図である。
の製造方法においてデータパターンを二重膜で形成する
場合のエッチングプロファイルを示す断面図である。
【図２８】 本発明の実験例４に従う薄膜トランジスタ
の製造方法においてデータパターンを二重膜で形成する
場合のエッチングプロファイルを示す断面図である。
の製造方法においてデータパターンを二重膜で形成する
場合のエッチングプロファイルを示す断面図である。
【図２９】 本発明の実施の形態に従う薄膜トランジス
タの製造方法のうち、実験例５において乾式エッチング
用気体に対するＭｏＷのエッチング比を示す図表であ
る。
タの製造方法のうち、実験例５において乾式エッチング
用気体に対するＭｏＷのエッチング比を示す図表であ
る。
【図３０】 本発明の実験例６に従う薄膜トランジスタ
の製造方法を示す断面図である。
の製造方法を示す断面図である。
【図３１】 本発明の実験例７に従う薄膜トランジスタ
の特性を示すグラフである。
の特性を示すグラフである。
【図３２】 本発明の第１の実施の形態として示した薄
膜トランジスタの製造方法のうち、実験例７において乾
式エッチング用気体に対するＭｏＷのエッチング比を示
す図表である。
膜トランジスタの製造方法のうち、実験例７において乾
式エッチング用気体に対するＭｏＷのエッチング比を示
す図表である。
【図３３】 本発明の実験例７に従う薄膜トランジスタ
の特性を示すグラフである。
の特性を示すグラフである。
１ 基板 ２ モリブデン−タングステン合金膜 ３ アルミニウム合金膜 １００ 基板 ２００ ゲート線 ２１０ ゲート電極 ２２０ ゲートパッド ３００ ゲート絶縁層 ４００、５００、５１０、５２０ 非晶質シリコン層 ６００ モリブデン−タングステン合金 ６４０ ゲート補助パッド ７００ 保護膜 ７４０ 接触孔 ８１０ ＩＴＯ電極 ８３０ 透明な導電層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 １９９７ ４７７３０ (32)優先日 1997年９月19日 (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (31)優先権主張番号 １９９７ ４７７３１ (32)優先日 1997年９月19日 (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (72)発明者 卓 英在 大韓民国京畿道水原市八達區梅灘３洞（番 地なし）林光エーピーティ４−1001 (72)発明者 洪 ▲ムン▼杓 大韓民国京畿道城南市盆唐區亭子洞（番地 なし）チョンデュン−ムル宇星エーピーテ ィ609−1705 (72)発明者 金 治宇 大韓民国漢城市瑞草區瑞草洞（番地なし) 三豊エーピーティ13−607 (72)発明者 金 彰洙 大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里山24 (72)発明者 柳 春基 大韓民国京畿道水原市勸善區勸善洞1169− ５
Claims (42)
- 【請求項１】 同一のエッチング条件においてテーパ形
状に加工でき、テーパ角度が２０〜７０°の範囲である
二重導電膜からなる表示装置用配線。 - 【請求項２】 前記導電膜は１５μΩcm以下の低い比抵
抗を有する下部導電膜とパッド用物質からなる上部導電
膜からなる請求項１に記載の表示装置用配線。 - 【請求項３】 前記下部導電膜はアルミニウムまたはア
ルミニウム合金からなり、前記上部導電膜は原子百分率
０．０１％〜２０％未満のタングステンと、残りのモリ
ブデンおよび必須不純物からなるモリブデン−タングス
テン合金からなる請求項２に記載の配線。 - 【請求項４】 前記エッチング条件が湿式である場合、
エッチング液はアルミニウムまたはアルミニウム合金を
エッチングするに用いられるエッチング液であるCH3COO
H/HNO3/H3PO4/H20であり、前記HNO3の濃度は８〜１４％
である請求項３に記載の表示装置用配線。 - 【請求項５】 基板の上部に下部導電膜を積層する段階
と、 前記下部導電膜の上部に同一のエッチング条件に対し前
記下部導電膜のエッチング比よりエッチング比が７０〜
１００オングストローム／sec程度大きい上部導電膜を
積層する段階と、 前記エッチング条件を用いて前記上部導電膜および下部
導電膜を同時にエッチングする段階とを含む表示装置用
配線の製造方法。 - 【請求項６】 前記下部導電膜は１５μΩcm以下の低い
比抵抗を有し、前記上部導電膜はパッド用物質である請
求項５に記載の表示装置用配線の製造方法。 - 【請求項７】 前記下部導電膜はアルミニウムまたはア
ルミニウム合金からなり、前記上部導電膜は原子百分率
０．０１％〜２０％未満のタングステンと、残りのモリ
ブデンおよび必須不純物からなるモリブデン合金である
請求項６に記載の表示装置用配線の製造方法。 - 【請求項８】 前記エッチング条件が湿式である場合、
エッチング液は前記アルミニウムまたはアルミニウム合
金をエッチングするに用いられるエッチング液であるCH
3COOH/HNO3/H3PO4/H20であり、前記HNO3の濃度は８〜１
４％である請求項７に記載の表示装置用配線の製造方
法。 - 【請求項９】 モリブデンまたはモリブデン−タングス
テン合金の単一膜からなる表示装置用配線。 - 【請求項１０】 前記モリブデンまたはモリブデン−タ
ングステン合金の単一膜の下部にクロム膜をさらに含む
請求項９に記載の表示装置用配線。 - 【請求項１１】 前記モリブデン−タングステン合金は
原子百分率０．０１％〜２０％未満のタングステンと、
残りのモリブデンおよび必須不純物からなる請求項９に
記載の表示装置用配線。 - 【請求項１２】 基板上に原子百分率０．０１％〜２０
％未満のタングステンと、残りのモリブデンおよび必須
不純物からなるモリブデン合金膜を積層する段階と、 エッチング液を用いて前記モリブデン合金膜をパターニ
ングしてゲート線、ゲートパッドおよびゲート電極を含
むゲートパターンを形成する段階と、 前記基板上にゲート絶縁膜を積層する段階と、 前記ゲート絶縁膜上部にドーピングしない非晶質シリコ
ン層およびドーピングされた非晶質シリコン層を形成す
る段階と、 データ線、ソース／ドレイン電極およびデータ線と連結
されているデータパッドを含むデータパターンを形成す
る段階と、 前記データパターンをマスクにして前記ドーピングされ
た非晶質シリコン層をエッチングする段階と、 保護膜を積層する段階と、 前記保護膜を前記ゲート絶縁膜と共にパターニングして
前記ドレイン電極、データパッドおよびゲートパッドの
一部が露出されるようにする段階と、 透明な導電膜を積層する段階と、 前記透明な導電膜をエッチングして前記ゲートパッドと
接続されるゲート導電膜および前記ドレイン電極と接続
される画素電極を形成する段階とを含む表示装置用薄膜
トランジスタ基板の製造方法。 - 【請求項１３】 前記モリブデン合金膜の下部にアルミ
ニウムまたはアルミニウム合金からなる導電膜を積層す
る段階をさらに含み、前記モリブデン合金膜をパターニ
ングするとき前記エッチング液を用いて前記導電膜と共
にパターニングする請求項１２に記載の表示装置用薄膜
トランジスタ基板の製造方法。 - 【請求項１４】 アルミニウム合金膜はアルミニウと原
子百分率５％以下の希土類金属または転移金属からなる
請求項１３に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基板の
製造方法。 - 【請求項１５】 前記エッチング液はCH3COOH/HNO3/H3P
O4/H20であり、前記HNO3は８〜１４％の範囲で含有され
る請求項１４に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基板
の製造方法。 - 【請求項１６】 前記データパターンはクロム、モリブ
デンまたはタングステンとモリブデンおよび必須不純物
からなるモリブデン合金膜の単一膜またはこれらを組合
わせた多重膜で形成される請求項１５に記載の表示装置
用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 【請求項１７】 前記データパターンを前記クロムから
なる下部膜と原子百分率０．０１％〜２５％未満のタン
グステンと、残りのモリブデンおよび必須不純物からな
るモリブデン−タングステン合金からなる上部膜からな
る二重導電膜で形成する場合、前記二重導電膜をエッチ
ングするエッチング液はHNO3：(NH4)2Ce(NO3)6：H2Oで
ある請求項１６に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基
板の製造方法。 - 【請求項１８】 前記HNO3濃度は４〜１０％であり、前
記(NH4)2Ce(NO3)6濃度は１０〜１５％である請求項１７
に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 【請求項１９】 前記データパターンがモリブデンまた
はモリブデン−タングステン合金を含み、前記データパ
ターンをマスクにして前記ドーピングされた非晶質シリ
コン層をハロゲン化水素とCF4、CHF3、CHClF2、CH3およ
びC2F6のうち、少なくとも一つを用いて乾式エッチング
する請求項１６に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基
板の製造方法。 - 【請求項２０】 前記データパターンはモリブデンまた
はモリブデン−タングステン合金で形成し、前記ドレイ
ン電極、データパッドおよび前記ゲートパッドの一部が
露出されるようにする段階は、 前記保護膜上部にホトレジスト膜を塗布し、前記ゲート
パッド、データパッドおよびドレイン電極に対応する位
置に開口部を有する前記ホトレジストパターンを形成す
る段階と、 前記ホトレジストと前記ゲート絶縁層および前記保護膜
のエッチング選択比が１：１ないし１：１．５であるエ
ッチング条件において前記データパッドおよびドレイン
電極を露出させる段階と、 前記データパターンと前記ゲート絶縁層および前記保護
膜とのエッチング選択比が１：１５以上であるエッチン
グ条件において前記ゲートパッドを露出させる段階とを
含む請求項１６に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基
板の製造方法。 - 【請求項２１】 前記データパッドおよびドレイン電極
を露出させる段階はSF6＋HClまたはSF6＋Cl2ガスを用
い、前記ゲートパッドを露出させる段階はCF4／O2ガス
を用いる請求項２０に記載の表示装置用薄膜トランジス
タ基板の製造方法。 - 【請求項２２】 前記データパターンはモリブデンまた
はモリブデン−タングステン合金で形成し、前記ドレイ
ン電極、データパッドおよび前記ゲートパッドの一部が
露出されるようにする段階は、 前記保護膜上部にホトレジスト膜を塗布し、前記ゲート
パッド、データパッドおよびドレイン電極に対応する位
置に開口部を有する前記ホトレジストパターンを形成す
る段階と、 前記データパッドおよびドレイン電極を露出させる段階
と、 四フッ化炭素(CF4)と水素(H2)または塩化水素(HCl)を混
合したガスをプラズマ状態で用いて前記基板上部に高分
子膜を形成する段階と、 前記データパターンと前記ゲート絶縁層および前記保護
膜とのエッチング選択比が１：１５以上であるエッチン
グ条件において前記ゲートパッドを露出させる段階とを
含む請求項１６に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基
板の製造方法。 - 【請求項２３】 前記ゲートパッドを露出させる段階は
CF4／O2ガスを用い、前記データパッドおよびドレイン
電極を露出させる段階はSF6＋HCl、SF6＋Cl2または前記
CF4／O2ガスを用いる請求項２２に記載の表示装置用薄
膜トランジスタ基板の製造方法。 - 【請求項２４】 前記データパターンはモリブデンまた
はモリブデン−タングステン合金で形成し、前記ドレイ
ン電極、データパッドおよび前記ゲートパッドの一部が
露出されるようにする段階は、 前記保護膜上部にホトレジスト膜を塗布し、前記ゲート
パッド、データパッドおよびドレイン電極に対応する位
置に開口部を有する前記ホトレジストパターンを形成す
る段階と、 前記ホトレジストパターンをマスクにして前記データパ
ッド、ドレイン電極およびゲートパッドをCF4＋O2ガス
を用いて露出させるエッチング段階とを含む請求項１６
に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 【請求項２５】 前記エッチング段階においてCF4に対
するO2ガスの比率を１０：４以下とする請求項２４に記
載の表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 【請求項２６】 基板上に原子百分率０．０１％〜２０
％未満のタングステンと、残りのモリブデンおよび必須
不純物からなるモリブデン合金膜を積層する段階と、 エッチング液を用いて前記モリブデン合金膜を第１マス
クにパターニングしてゲート線、ゲート線に連結された
ゲートパッドおよびゲート線に連結されたゲート電極か
らなるゲートパターンを形成する段階と、 前記基板上にゲート絶縁膜、ドーピングされない非晶質
シリコン層、ドーピングされた非晶質シリコン層および
金属膜を順に積層する段階と、 第２マスクを用いて前記金属膜およびドーピングされた
非晶質シリコン層およびドーピングされない非晶質シリ
コン層の一部を連続的にエッチングする段階と、 前記基板上部に透明導電膜を蒸着し第３マスクを用いて
前記金属膜の上部に開口部を有する画素電極を形成する
段階と、 前記画素電極をマスクにして前記金属膜およびドーピン
グされた非晶質シリコン層をエッチングしてコンタクト
層、データ線およびソース／ドレイン電極を含むデータ
パターンを形成する段階と、 前記基板上部に保護膜を積層する段階と、 第４マスクを用いて前記ゲートパッド上部に前記ゲート
絶縁膜と前記保護膜をホトエッチングする段階とを含む
表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 【請求項２７】 前記モリブデン合金膜の下部にアルミ
ニウムまたはアルミニウム合金からなる導電膜を積層す
る段階をさらに含み、前記モリブデン合金膜をパターニ
ングするとき、前記エッチング液を用いて前記導電膜と
共にパターニングする請求項２６に記載の表示装置用薄
膜トランジスタ基板の製造方法。 - 【請求項２８】 アルミニウム合金膜はアルミニウと原
子百分率５％以下の希土類金属または転移金属からなる
請求項２７に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基板の
製造方法。 - 【請求項２９】 前記エッチング液はCH3COOH/HNO3/H3P
O4/H20であり、前記HNO3は８〜１４％の範囲で含有され
る請求項２８に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基板
の製造方法。 - 【請求項３０】 前記データパターンはクロム、モリブ
デンまたはタングステンとモリブデンおよび必須不純物
からなるモリブデン合金膜の単一膜またはこれらを組合
わせた多重膜で形成する請求項３０に記載の表示装置用
薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 【請求項３１】 前記データパターンを前記クロムから
なる下部膜と原子百分率０．０１％〜２５％未満のタン
グステンと、残りのモリブデンおよび必須不純物からな
るモリブデン−タングステン合金の上部膜からなる二重
導電膜で形成する場合、前記二重導電膜をエッチングす
るエッチング液はHNO3：(NH4)2Ce(NO3)6：H2Oである請
求項３０に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基板の製
造方法。 - 【請求項３２】 前記HNO3の濃度は４〜１０％であり、
前記(NH4)2Ce(NO3)6の濃度は１０〜１５％である請求項
３１に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方
法。 - 【請求項３３】 前記データパターンはモリブデンまた
はモリブデン−タングステン合金を含み、前記データパ
ターンをマスクに露出された前記ドーピングされた非晶
質シリコン層をハロゲン化水素とCF4、CHF3、CHClF2、C
H3およびC2F6のうち、少なくとも一つを用いて乾式エッ
チングする請求項３０に記載の表示装置用薄膜トランジ
スタ基板の製造方法。 - 【請求項３４】 透明な絶縁基板と、 前記基板上に形成されており、原子百分率０．０１％〜
２０％未満のタングステンと、残りのモリブデンおよび
必須不純物からなるモリブデン合金膜のゲート線、ゲー
ト電極およびゲートパッドを含むゲートパターン、 前記ゲートパターンを覆うゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上部に形成されている非晶質シリコン
層と、 前記非晶質シリコン層上部に形成されており、データ
線、ソース／ドレイン電極およびデータパッドを含むデ
ータパターンと、 前記ドレイン電極と連結されている画素電極とを含む表
示装置用薄膜トランジスタ基板。 - 【請求項３５】 前記モリブデン合金膜の下部にアルミ
ニウムまたはアルミニウム合金からなる導電膜をさらに
含む請求項３４に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基
板。 - 【請求項３６】 前記アルミニウム合金はアルミニウム
と原子百分率５％以下の希土類金属または転移金属から
なる請求項３５に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基
板。 - 【請求項３７】 前記データパターンはクロム、モリブ
デンまたはタングステンと、残りのモリブデンおよび必
須不純物からなるモリブデン合金膜の単一膜またはこれ
らの組合せである多重膜からなる請求項３６に記載の表
示装置用薄膜トランジスタ基板。 - 【請求項３８】 前記データパターンを前記モリブデン
またはモリブデン合金膜の単一膜で形成する場合に前記
基板の大きさは３７０＊４７０mm2以上である請求項３
７に記載の表示装置用薄膜トランジスタ基板。 - 【請求項３９】 前記データパターンの厚さは０．３〜
２．０μｍ範囲である請求項３８に記載の表示装置用薄
膜トランジスタ基板。 - 【請求項４０】 前記データ線の幅は３．０〜１０．０
μｍ範囲である請求項３８に記載の表示装置用薄膜トラ
ンジスタ基板。 - 【請求項４１】 ハロゲン化水素とCF4、CHF3、CHCl
F2、CH3およびC2F6のうち、少なくとも一つを含む非晶
質シリコン層の乾式エッチング用気体。 - 【請求項４２】 基板上部にドーピングされた非晶質シ
リコン層を形成する段階と、 前記ドーピングされた非晶質シリコン層上にモリブデン
またはモリブデン−タングステン合金膜で第１および第
２電極を形成する段階と、 前記第１および第２電極をマスクにして前記ドーピング
された非晶質シリコンをハロゲン化水素気体とCF4、CHF
3、CHClF2、CH3FおよびC2F6のうち、少なくとも一つの
気体を用いて乾式エッチングする段階とを含む表示装置
の製造方法。
Applications Claiming Priority (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR19975979 | 1997-02-26 | ||
| KR19970005979 | 1997-02-26 | ||
| KR199740653 | 1997-08-25 | ||
| KR1019970040653A KR100472175B1 (ko) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 몰리브덴또는몰리브덴합금을이용한반도체장치의제조방법 |
| KR1019970047730A KR100508036B1 (ko) | 1997-02-26 | 1997-09-19 | 몰리브덴또는몰리브덴합금을이용한반도체장치의제조방법 |
| KR1019970047731A KR100477141B1 (ko) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 금속막과그위에절연층을포함하는반도체장치의제조방법 |
| KR199747731 | 1997-09-19 | ||
| KR199747729 | 1997-09-19 | ||
| KR199747730 | 1997-09-19 | ||
| KR1019970047729A KR100471773B1 (ko) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 몰리브덴또는몰리브덴합금을이용한배선의제조방법및이를이용한박막트랜지스터의제조방법 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007277980A Division JP4903667B2 (ja) | 1997-02-26 | 2007-10-25 | 表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10240150A true JPH10240150A (ja) | 1998-09-11 |
| JP4272272B2 JP4272272B2 (ja) | 2009-06-03 |
Family
ID=27532221
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04599898A Expired - Lifetime JP4272272B2 (ja) | 1997-02-26 | 1998-02-26 | 配線用組成物、この組成物を用いた金属配線およびその製造方法、この配線を用いた表示装置およびその製造方法 |
| JP2007277980A Expired - Fee Related JP4903667B2 (ja) | 1997-02-26 | 2007-10-25 | 表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007277980A Expired - Fee Related JP4903667B2 (ja) | 1997-02-26 | 2007-10-25 | 表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP4272272B2 (ja) |
| TW (1) | TW400556B (ja) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000111958A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Samsung Electronics Co Ltd | ４枚のマスクを利用した液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法及び液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板 |
| FR2793894A1 (fr) * | 1999-05-21 | 2000-11-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Afficheur a cristal liquide et son procede de fabrication |
| JP2001230321A (ja) * | 1999-12-31 | 2001-08-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線の接触構造及びその形成方法並びにこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
| JP2002244586A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 表示装置用アレイ基板、アレイ基板の製造方法、および該アレイ基板を用いた表示デバイス |
| JP2002341367A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-27 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6512270B2 (en) | 2001-03-09 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Thin film transistor substrate and process for producing the same |
| US6771346B2 (en) | 1999-12-16 | 2004-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| JP2005062802A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-03-10 | Advanced Display Inc | 薄膜トランジスタアレイ基板の製法 |
| JP2005062889A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
| KR100623974B1 (ko) * | 1998-12-08 | 2006-12-05 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2006332209A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
| JP2007005706A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Sony Corp | 加工方法、表示装置及び半導体装置 |
| US7245341B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-07-17 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| JP2007293350A (ja) * | 2001-05-14 | 2007-11-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスター |
| JP2008010383A (ja) * | 2005-07-29 | 2008-01-17 | Kyocera Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US7371622B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant for signal wire and method of manufacturing thin film transistor array panel using etchant |
| CN100401174C (zh) * | 2000-09-20 | 2008-07-09 | 株式会社日立制作所 | 液晶显示器 |
| US7456910B2 (en) * | 2000-08-08 | 2008-11-25 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
| JP2011043833A (ja) * | 1999-07-22 | 2011-03-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、電子機器、及び携帯型情報端末 |
| US8023086B2 (en) | 2004-06-30 | 2011-09-20 | Lg Display Co., Ltd. | Pad structure of liquid crystal display device and fabrication method thereof |
| WO2012067030A1 (ja) * | 2010-11-16 | 2012-05-24 | 株式会社アルバック | 電極膜、スパッタリングターゲット、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ製造方法 |
| JP2012103698A (ja) * | 2011-11-15 | 2012-05-31 | Getner Foundation Llc | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2013080160A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-02 | Japan Display East Co Ltd | 表示装置 |
| KR101424861B1 (ko) * | 2011-03-28 | 2014-08-13 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 비정질 산화물 박막 트랜지스터, 그 형성방법 및 이를 포함한 디스플레이 패널 |
| JP2016219802A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ及びそれを含む表示装置のバックプレーン基板 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH039569A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ |
| JPH03295130A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出素子 |
| JP3573778B2 (ja) * | 1993-03-12 | 2004-10-06 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
| JP3394802B2 (ja) * | 1993-12-17 | 2003-04-07 | 株式会社東芝 | アレイ基板およびこれを用いた表示装置、その製造方法 |
| JPH0818058A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Furontetsuku:Kk | 薄膜トランジスタアレイおよび液晶表示装置 |
| JP3238020B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2001-12-10 | 株式会社東芝 | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 |
| JP3488551B2 (ja) * | 1994-09-29 | 2004-01-19 | 株式会社東芝 | 電極配線材料およびこれを用いた電極配線基板 |
| JP3132310B2 (ja) * | 1994-11-18 | 2001-02-05 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JPH08172202A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-07-02 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
-
1998
- 1998-02-02 TW TW087101249A patent/TW400556B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-02-26 JP JP04599898A patent/JP4272272B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-10-25 JP JP2007277980A patent/JP4903667B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000111958A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Samsung Electronics Co Ltd | ４枚のマスクを利用した液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法及び液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板 |
| KR100623974B1 (ko) * | 1998-12-08 | 2006-12-05 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| FR2793894A1 (fr) * | 1999-05-21 | 2000-11-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Afficheur a cristal liquide et son procede de fabrication |
| US8184254B2 (en) | 1999-05-21 | 2012-05-22 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and fabrication method thereof |
| US7889306B1 (en) | 1999-05-21 | 2011-02-15 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and fabrication method thereof |
| US8624253B2 (en) | 1999-07-22 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| JP2013243372A (ja) * | 1999-07-22 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | コンタクト構造 |
| JP2011043833A (ja) * | 1999-07-22 | 2011-03-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、電子機器、及び携帯型情報端末 |
| US8368076B2 (en) | 1999-07-22 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| US6771346B2 (en) | 1999-12-16 | 2004-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| US6862070B1 (en) | 1999-12-16 | 2005-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| JP2001230321A (ja) * | 1999-12-31 | 2001-08-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線の接触構造及びその形成方法並びにこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
| US8497949B2 (en) | 2000-08-08 | 2013-07-30 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
| US7456910B2 (en) * | 2000-08-08 | 2008-11-25 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
| CN100401174C (zh) * | 2000-09-20 | 2008-07-09 | 株式会社日立制作所 | 液晶显示器 |
| US7768621B2 (en) | 2000-09-20 | 2010-08-03 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method for a liquid crystal display |
| JP2002244586A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 表示装置用アレイ基板、アレイ基板の製造方法、および該アレイ基板を用いた表示デバイス |
| US6512270B2 (en) | 2001-03-09 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Thin film transistor substrate and process for producing the same |
| JP4707692B2 (ja) * | 2001-05-14 | 2011-06-22 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置用薄膜トランジスター基板及びその製造方法 |
| JP2007293350A (ja) * | 2001-05-14 | 2007-11-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスター |
| JP2002341367A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-27 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR101028072B1 (ko) * | 2003-05-28 | 2011-04-08 | 소니 가부시키가이샤 | 적층구조의 제조방법 |
| US8963417B2 (en) | 2003-05-28 | 2015-02-24 | Sony Corporation | Organic light emitting device, display unit, and device comprising a display unit |
| US9041629B2 (en) | 2003-05-28 | 2015-05-26 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US7245341B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-07-17 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US10170725B2 (en) | 2003-05-28 | 2019-01-01 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US9761825B2 (en) | 2003-05-28 | 2017-09-12 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US9048451B2 (en) | 2003-05-28 | 2015-06-02 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US9431627B2 (en) | 2003-05-28 | 2016-08-30 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US7371622B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant for signal wire and method of manufacturing thin film transistor array panel using etchant |
| JP2005062802A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-03-10 | Advanced Display Inc | 薄膜トランジスタアレイ基板の製法 |
| JP4732722B2 (ja) * | 2003-08-19 | 2011-07-27 | 三星電子株式会社 | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
| JP2005062889A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
| US8023086B2 (en) | 2004-06-30 | 2011-09-20 | Lg Display Co., Ltd. | Pad structure of liquid crystal display device and fabrication method thereof |
| JP2006332209A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
| JP2007005706A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Sony Corp | 加工方法、表示装置及び半導体装置 |
| JP2008010383A (ja) * | 2005-07-29 | 2008-01-17 | Kyocera Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JPWO2012067030A1 (ja) * | 2010-11-16 | 2014-05-12 | 株式会社アルバック | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ製造方法 |
| WO2012067030A1 (ja) * | 2010-11-16 | 2012-05-24 | 株式会社アルバック | 電極膜、スパッタリングターゲット、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ製造方法 |
| KR101424861B1 (ko) * | 2011-03-28 | 2014-08-13 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 비정질 산화물 박막 트랜지스터, 그 형성방법 및 이를 포함한 디스플레이 패널 |
| US9112040B2 (en) | 2011-03-28 | 2015-08-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Amorphous oxide thin film transistor, method for manufacturing the same, and display panel |
| US9608127B2 (en) | 2011-03-28 | 2017-03-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Amorphous oxide thin film transistor, method for manufacturing the same, and display panel |
| JP2013080160A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-02 | Japan Display East Co Ltd | 表示装置 |
| JP2012103698A (ja) * | 2011-11-15 | 2012-05-31 | Getner Foundation Llc | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2016219802A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ及びそれを含む表示装置のバックプレーン基板 |
| US10636888B2 (en) | 2015-05-14 | 2020-04-28 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor and backplane substrate of a display device including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4272272B2 (ja) | 2009-06-03 |
| JP2008098649A (ja) | 2008-04-24 |
| TW400556B (en) | 2000-08-01 |
| JP4903667B2 (ja) | 2012-03-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070613 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080805 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081010 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130306 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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