JP3573778B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、アクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、非晶質シリコン(以下、a−Siと略す)膜を用いて形成された薄膜トランジスタ(以下、TFTと略す)をスイッチング素子として構成されたアクティブマトリクス型液晶表示素子が注目されている。安価なガラス基板上に低温成膜ができるa−Si膜を用いてTFTアレイを構成することにより、大面積,高精細,高画質かつ安価なパネルディスプレイすなわちフラット型テレビジョンが実現できる可能性があるからである。
【0003】
しかし、このアクティブマトリクス型液晶表示素子により大面積のディスプレイを構成する場合、必然的にアドレス配線の総延長が飛躍的に増加するので、アドレス配線の有する抵抗分が増加して、スイッチング素子に与えられるゲートパルスのアドレス配線の抵抗やアドレス配線の容量分に起因する遅延が顕著になり、液晶の正常な制御ができなくなるという問題点がある。
【0004】
少なくとも配線幅等のパラメータを維持したままで、このゲートパルスの遅延を回避するための1つの解決手段としては、より低い抵抗率を有する配線材料を用いて形成されたアドレス配線を備える液晶表示装置の開発が考えられる。現在、このアドレス配線材料としてよく用いられているMo−Ta合金の抵抗率は40μΩ・cm程度であるが、10インチ以上の大面積ディスプレイの実現はこの材料の有する抵抗率では難しいとされており、特に、アドレス配線が1,000本程度の高精細の直視型ディスプレイでは、20μΩ・cm程度以下の抵抗率を有する配線材料が必要とされている。なお、そのような新しい配線材料に要求される特性は低抵抗率のみではなく、これに加えて、アドレス配線上に形成する層間絶縁膜のステップカバレッジを良好にして、層間絶縁膜上に形成される配線とこのアドレス配線との絶縁性を高めることの必要性から、テーパー加工が施せる性質を有することも要求される。
【0005】
すなわち、そのような配線材料を用いて形成されたアドレス配線により、ゲートパルスの遅延がなく、絶縁性を確保した、信頼性のある液晶表示装置の実現が望まれている。なお、大面積のディスプレイでなくても、アドレス配線の抵抗率が低くなると、配線幅を細くして開口率を上げることができるという利点もあるので、この観点からも上記特性を有する新しい配線材料が望まれる。
【0006】
一方、従来の液晶表示装置において、他の問題点もある。ここで、図20に、従来の液晶表示装置に用いられるTFTの断面図の一例を示す。図20中1はガラス基板を示す。ガラス基板1上には、Mo−Ta合金をスパッタリングして同時にパターニングされたゲート電極2、アドレス配線、およびCs線9が形成されている。この上には、ゲート絶縁膜3を介してa−Siからなる活性層4が形成されており、活性層4の両端部分上には、n+ a−Si層5a,5bが形成されている。さらに、ゲート絶縁膜3上には、ITO画素電極8が形成されている。また、Alからなるソース電極6aがn+ a−Si5aと接合部分を有するように形成されており、Alからなるドレイン電極6bがn+ a−Si5bおよび画素電極8と接合部分を有するように形成されている。また、同時にデータ配線が形成されている。
【0007】
図20に示す従来の液晶表示装置に用いられるTFTにおいては、画素電極とデータ配線が絶縁膜を介することなく同一層で存在するため短絡が起り、表示において点欠陥が発生することがある。この点欠陥の発生を回避するために、ソース電極、ドレイン電極およびデータ配線をAlにより形成した後に層間絶縁膜を形成し、その上に画素電極を形成する構造が改善案として提案されている。しかし、この構造を実現するためには、第1にデータ配線等が層間絶縁膜のエッチャントであるHFや画素電極のITOエッチャントに対する耐性に優れていなくてはならないこと、第2に層間絶縁膜のステップカバレッジを良好にして、データ配線と画素電極との絶縁性を高めるために、データ配線にテーパー加工を施すことが可能であること、が要求される。しかし、これを実現するためのデータ配線用の配線材料は知られておらず、そのような構造を実現して液晶表示装置の信頼性を高めることは難しかった。特に、大面積のディスプレイの開発には、点欠陥の発生率を低減することが重要であり、そのような信頼性の高い液晶表示装置の開発が望まれている。
【0008】
Al系合金やTa系合金をデータ配線用の配線材料として用いると、表面に酸化膜が形成されて上層の金属配線とのコンタクト抵抗が高くなるため、表面酸化膜を除去する工程が必要である。この酸化膜除去工程は、図20の従来例の配線引出しコンタクト部におけるゲート配線10aとデータ配線10bとのコンタクトについても同様に必要である。さらに、ITOとAlの反応を防ぐためにMo等のバリヤメタルを形成することが必要であり、工程が増すという欠点がある。また、Al系合金をデータ配線材料として用いると、表面の反射率が非常に高いため、フォトリソグラフィー工程における配線幅の減少、ゴミ等による断線が露光光の反射により発生し易く、線欠陥となるという欠点がある。反射率が高いことに起因する欠点は他にもあり、例えば、対向基板での反射光等の迷光が配線で再反射されTFTに照射されることによる光リーク電流の発生という問題もある。これにより、パネル表示を行った際にコントラストを低減させることになる。
【0009】
上述したように、アクティブマトリクス型液晶表示装置の表示領域を大面積化する場合にあっては、アドレス配線の有する抵抗分が増大し、これに起因するゲートパルスの遅延が顕著になり、液晶の正常な制御ができなくなるという問題点がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、ゲートパルスの遅延がなく、アドレス配線に関して高い絶縁耐圧を有する液晶表示装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の一主面上に設けられた複数のアドレス線と、前記絶縁性基板の前記主面上に設けられ且つ前記複数のアドレス配線を被覆した絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ且つ前記絶縁膜を介して前記複数のアドレス配線と交差して複数の交差部を形成した複数のデータ配線と、前記絶縁膜上に及び前記複数の交差部にそれぞれ対応して配置された複数のITO画素電極と、前記複数の交差部にそれぞれ隣接するとともに、前記絶縁膜に被覆され且つ前記複数のアドレス配線の何れかに電気的に接続された制御電極、前記複数のデータ配線の何れかに電気的に接続された第1の主電極、並びに前記複数のITO画素電極の何れかに電気的に接続された第2の主電極をそれぞれ備えた複数のスイッチング素子とを具備し、前記複数のアドレス配線は、W含有量が30乃至70原子%の範囲内にあるMo−W合金の単層構造であり、前記絶縁膜と接触していることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【0012】
【作用】
本発明によれば、Mo−W合金のような低抵抗率を有する配線材料をアドレス配線に用いるので、アドレス配線はゲートパルスに対して低い抵抗分として作用する。このため、このアドレス配線を伝わるゲートパルスはアドレス配線の配線抵抗に起因する遅延作用を受けにくい。したがって、液晶を駆動するための所定のスイッチング素子には遅延のないゲートパルスが与えられる。その際、Mo−W合金はテーパー加工が可能であるため、この材料を用いて形成したアドレス配線上に成膜する層間絶縁膜のステップカバレッジが良好になり、層間絶縁膜上に形成される配線とこのアドレス配線との間には高い絶縁耐圧が与えられる。したがって、表示領域を大面積化した場合にあっても、信頼性のある液晶表示装置を実現することが可能となる。
【0013】
また、大面積のディスプレイでなくても、アドレス配線の抵抗率が低くなると、配線幅を細くできるために、開口率を上げることができるという利点がある。さらに、表面に形成された酸化膜の抵抗が小さいため、表面層を除去するための処理が必要でない。さらに、ITOとの間のコンタクト抵抗も小さいため、バリアメタルが不要となり、製造コストを低減することができる。
【0014】
【実施例】
以下、図面を参照しながら本発明の実施例を説明する。なお、同一部分には同一符号を付して、簡略化のために詳細な説明は省略する。
(実施例1)
(具体例1)
図1は、本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の一例に用いられるTFT(スイッチング素子)および蓄積容量部分の断面図である。このTFTおよび蓄積容量部分の構成およびプロセスについて説明する。ガラス基板11上には、Mo−W合金またはMo−Cr合金を厚さ300nmでスパッタリングしてパターニングすることによりゲート電極(制御電極)12、アドレス配線、およびCs線19を同時に形成する。次いで、プラズマCVDにより酸化膜13を厚さ350nmで、a−Si活性層を厚さ300nmで、n+ a−Si層15a,15bを厚さ50nmで順次形成してパターニングして、島状のa−Si活性層14を形成する。次に、ITOを厚さ120nmでスパッタリングして画素電極18を形成する。次に、コンタクト部20のSiOx膜を希HFでエッチングしてコンタクトホールを形成する。次いで、Al等の所定の配線金属をスパッタリングし、ウェットエッチングすることにより、ソース電極(第1の主電極)16a,ドレイン電極(第2の主電極)16b、データ配線、およびコンタクト部電極21を同時に形成する。このとき、Al等のスパッタリング前にコンタクト部分の表面酸化膜を除去する処理を施す。
【0015】
ここで、本発明者らが調べたところによると、図2に示すように、Mo−W合金のW含有率が好ましくは10〜95原子%の範囲、より好ましくは20〜90原子%の範囲において、Mo−W合金の抵抗率が40μΩ・cm(VGAレベル)を大きく下回り、MoまたはW単体よりも抵抗が下がることが分った。また、Mo−W合金のW含有率が30〜70原子%の範囲では、Mo−W合金の抵抗率が20μΩ・cmを下回ることが分った。対角10インチ以上のXGA(縦768本、横1024本)ディスプレイでは、抵抗率が20μΩ・cm以下である必要がある。
【0016】
また、Mo−W合金を用いて形成したアドレス配線は、CF4 とO2 との混合ガスを用いてCDEにより良好なテーパー加工を施すことがができること、さらに、MoおよびWよりも高くTiよりも低い酸化還元電位の酸化剤を含んだアルカリエッチャント(pH7〜13)を用いたウェットエッチングにより、レジストに劣化を与えることなく、テーパ−加工を施すことができることが分った。
【0017】
したがって、本発明によれば、Mo−W合金は低抵抗率を有するので、この材料を用いて形成したアドレス配線は低い抵抗を示し、それゆえ、この配線抵抗によるゲートパルスの遅延は生ずることはなく、所定のスイッチング素子に遅延のないゲートパルスが与えられる。また、Mo−W合金はテーパー加工できるため、この材料を用いて形成したアドレス配線上に成膜する層間絶縁膜のステップカバレッジが良くなり、絶縁耐圧を高く確保することができる。これにより、表示領域を大面積化した場合にあっても、信頼性のある液晶表示装置を実現することが可能となる。なお、大面積のディスプレイでなくても、アドレス配線の抵抗率が低くなると配線幅を細くできるため、開口率を上げることができる利点もある。
【0018】
さらに、本発明者らの調べによると、図3に示すように、Mo−W合金の耐薬品性は、W含有率が20原子%以上、好ましくは25原子%以上で非常に優れており、画素電極材料のITOエッチャントに対するエッチングレートは10nm/分以下であり、層間絶縁膜のエッチャントであるBHFでは全くエッチングされず、また、Alエッチャントに対するエッチングレートは30〜40nm/分以下であり、特に、Wが50原子%以上の場合は全くされないことが分った。したがって、たとえ層間絶縁膜にピンホールが発生したような場合にあっても、ゲート電極やデータ線等の層間絶縁膜下の配線は、上記エッチャントにより腐食されることはない。このため、層間絶縁膜より上の構造設計/プロセス設計の自由度が大きくとれるという利点がある。また、図4に示すように、W組成比によって応力が大きく変わるため、W組成比を調整して応力を小さくすることも可能である。
【0019】
一方、Mo−W合金膜において、Mo−W合金に酸素および/または窒素が0.5原子%以上含まれると応力が緩和され、10原子%より多く含まれると抵抗値が上昇してしまうことが分った。さらに、スパッタリング条件を変えて応力を測定すると、図5に示すように、MoとWの組成比、スパッタリング条件(放電圧力、放電パワー)により大きく変化する。これは、膜中に含まれるAr含有率に起因することが分析により分った。すなわち、ArがMo−W合金に0.1原子%以上含まれると応力が緩和されるが、2原子%より多く含まれると結晶成長が妨げられ、これにより膜抵抗が上昇してしまう。ただし、10原子%以下であれば実用上問題はない。Ar以外の不活性ガス(He、Ne、Kr、Xe)についても同様である。
【0020】
ガラス基板上もしくはガラス基板上に透明絶縁膜を介してデバイスを形成する際、膜の密着性が重要となる。Mo−W合金にCrおよび/またはTiが0.5原子%以上含まれる合金からなる膜は、下地との密着性が向上すると共にCF4 +O2 の混合ガスでエッチングが可能である。ただし、Crおよび/またはTiが10原子%より多く含まれるMo−W合金は加工性が悪くなり、抵抗値が上昇してしまう。また、下地との密着性を向上させるには、Mo−W合金の窒化物からなる膜とMo−W合金からなる膜とを積層することも効果がある。ただし、窒素が50原子%より多く含まれると急激に抵抗値が上昇するため、50原子%以下にする必要がある。Ta−N合金膜もMo−W合金膜の密着性を向上させる。
【0021】
Mo−W合金は、特にW含有率50原子%以下のものについては、空気中で長時間アニールすると抵抗率が1桁以上上昇してしまうことが分った。これは、表面の極端な酸化によるものであるが、Mo−W合金をスパッタリングで成膜した後、窒素が50原子%以下のMo−W合金窒化物をスパッタリングし、CF4 +O2 の混合ガスで加工することにより、良好なテーパーを形成することができ、酸化されにくく、かつ、低抵抗な配線がMo−W合金と同一のプロセスで形成することができる。また、Mo−W合金の下地として、窒素を50原子%以下で添加したMo−W合金を用いることにより、基板との密着性が向上する。また、TaN合金を下地として用いても同様の効果が得られる。Ta−N、Ta−Nb−N、Ta−W−N、Ta−Mo−N合金膜により表面カバレッジもMo−W−N合金膜と同様に酸化防止に効果がある。
【0022】
なお、本発明者らの調べによると、Cr−W合金の場合にも、以上のMo−W合金に関して述べたことと同じことが言えることが分った。さらに、この材料を用いてアドレス配線等を形成した場合も、上記と同様の効果が得られる。
【0023】
ここで、上述した製造工程は1つの例であり、各層の厚みや成膜方法等は適宜変更して実施することが可能である。その場合にあっても、本実施例と同様の効果が得られる。また、TFTには他の構造のもの、例えば、チャネル上に絶縁膜のストッパを設ける構造のTFTや、蓄積容量部分がゲート電極と同一層の配線、およびデータ配線と同一層の配線により形成さる構造のTFTを採用してもよい。
【0024】
(具体例2)
図6は、本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の他の例に用いられるTFTおよび蓄積容量部分の断面図である。このTFTおよび蓄積容量部分の構成およびプロセスについて説明する。ガラス基板11上にITOを厚さ120nmでスパッタリングし、パターニングすることにより、Cs線29aを形成する。その後、Mo−Wを厚さ300nmでスパッタリングし、パターニングすることにより、ゲート電極22、アドレス配線、およびCs線29bを同時に形成する。その後、プラズマCVDによりシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜23を厚さ350nmで、a−Si活性層を厚さ300nmで、n+ a−Si層25a,25bを厚さ50nmで順次形成してパターニングして、島状のa−Si活性層24を形成する。次いで、ITOを厚さ120nmでスパッタリングして画素電極28を形成する。
【0025】
次に、コンタクト部のSiOxをHF系溶液でエッチングしてコンタクトホールを形成する。次いで、Al等の所定の配線金属をスパッタリングし、ウェットエッチングすることにより、ソース電極26a、ドレイン電極26bおよびデータ配線を同時に形成する。この構造では、蓄積容量部が透明である29a−28間で形成されるため、従来開口部として利用できなかったCs線部分も開口部として利用でき、開口率が向上する。ITOは抵抗率が金属と比べて高いが、29bを積層することによりCs線として充分な抵抗率まで下げることができる。このとき、ITOとMo−W合金は、バリアメタルなしでコンタクトをとることができる。
【0026】
(具体例3)
図7は、本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の他の例に用いられるTFTおよび蓄積容量部分の断面図である。このTFTおよび蓄積容量部分の構成およびプロセスについて説明する。ガラス基板11上にMo−Ta、Mo−W、Mo−Cr等の所定の配線金属を厚さ300nmでスパッタリングし、パターニングすることにより、ゲート電極32、アドレス配線、およびCs線39を同時に形成する。その後、プラズマCVDにより酸化膜または窒化膜33を厚さ350nmで、a−Si活性層を厚さ300nmで、n+ a−Si層35a,35bを厚さ50nmで順次形成してパターニングして、島状のa−Si活性層34を形成する。次に、コンタクト部のSiOxをHF系溶液でエッチングしてコンタクトホールを形成する。次いで、表面酸化膜を除去した後、Mo−Ti合金、W−Ti合金またはMo−W合金をスパッタリングして、ウェットエッチングすることにより、ソース電極36a、ドレイン電極36b、およびデータ線を形成する。
【0027】
その後、酸化膜37を厚さ300nmで成膜し、HF系溶液によるエッチング(例えば、エッチレート約100nm/分)またはCF4 等のガスを用いたドライエッチング(例えば、エッチレート約30〜100nm/分)によりドレイン電極36b上にコンタクトホールを形成し、さらに、ITOを厚さ120nmでスパッタリングして、画素電極38を形成する。
【0028】
ここで、本発明者らの調べによると、図8に示すように、画素電極38の形成に用いるITOエッチャントやコンタクトホール形成に用いるBHFに対するMo−Ti合金の耐薬品性は、Ti含有量20〜80%で非常に優れていることが分った。また、Tiよりも酸化還元電位の高い酸化剤を含んだ弱アルカリエッチャント(pH7〜9)を用いることにより、レジストの溶解なしにエッチングすることが可能であることが分った。
【0029】
一方、酸素含有率の異なるMo−Ti合金からなる膜を形成し、エッチングを施してテーパー加工を行うことができたもの、およびテーパー加工を行うことができなかったものについて、オージェ分析法により酸素含有率を調べた。その結果を図9(A)および図9(B)に示す。ここで、各図におけるMo、TiおよびO(酸素)の含有率を表す縦軸のスケールはそれぞれ異なるが、両図におけるMo、TiおよびO(酸素)の含有率を表す縦軸のスケールはそれぞれ同一である。図9(A)はテーパー加工が施せた場合のMo−Ti合金の酸素含有率が約3%であったことを示し、図9(B)はテーパー加工が施せなかった場合のMo−Ti合金の酸素含有率が約1原子%であったことを示す。このような調査の結果から、好ましくは約2原子%以上の酸素含有率でテーパー加工が施せることが分った。また、酸素含有率が約8原子%を超えると抵抗率が増大して、配線材料としては使用することはできない。このため、テーパー加工性および抵抗率の制約から、Mo−Ti合金を配線材料として用いる場合、その酸素含有率は8原子%以下、好ましくは、2原子%〜5原子%の範囲が有効であることが分った。
【0030】
したがって、Mo−Ti合金において、Ti含有率が20〜80原子%であり、かつO(酸素)含有率が8原子%以下、好ましくは、2原子%〜5原子%であるという条件を満たすものをスパッタリングし、ウェットエッチングすることによりパターニングし、ソース電極36a、ドレイン電極36b、およびデータ線を形成することが好ましい。この場合、データ線は、テーパー加工を施すことができるので、この材料を用いて形成したデータ配線上に成膜する層間絶縁膜のステップカバレッジが良くなり、絶縁耐圧を高く確保することができる。また、画素電極38の形成に用いるITOエッチャントやコンタクトホール形成に用いるBHFに対する耐薬品性が良好であるため、ドレイン電極36bが耐薬品性に優れ、ドレイン電極36b上にHFを用いてコンタクトホールを形成することができ、さらには、画素電極を塩酸と硝酸の混合液で加工することも可能となる。このため、図20に示す従来の構造と異なり、図7に示すようにデータ線上に層間絶縁膜37を介して画素電極38が形成されている構造を採用することができ、これにより点欠陥の発生を低減することができる。
【0031】
また、本発明者の調べによると、W−Ti合金の場合にも、上述したことが言えることが分った。したがって、この材料を用いてデータ線等を形成した場合も、同様の効果が得られる。
【0032】
次に、Mo−W合金については、前述したようにMo−W合金の耐薬品性はW含有率が20原子%以上、好ましくは25原子%以上で非常に優れており、さらに、これを用いて形成したデータ配線は、MoおよびWよりも高く、Tiよりも低い酸化還元電位の酸化剤を含んだアルカリエッチャント(pH7〜13)を用いることにより、レジストが劣化することなく、テーパー加工を施すことができる。したがって、Mo−Ti合金やW−Ti合金を用いた場合と同様に、このように形成した画素アレイでは、データ線がテーパー加工されるため、その上に形成した層間絶縁膜のステップカバレッジがよくなり、絶縁耐圧を高く確保することができる。また、ドレイン電極36bが耐薬品性に優れているため、ドレイン電極36b上にHFを用いてコンタクトホールを形成することができ、さらには、画素電極を塩酸と硝酸の混合液で加工することができる。なお、前述のように、W組成比によって応力が大きく変わるため、W組成比を調節することにより、応力を小さくすることもでき、低抵抗にすることもできる。
【0033】
さらに、具体例3の合金を用いて配線を形成すると、Alと異なりヒロックが発生しないということも分った。また、ITOとの反応が生じないため、バリアメタルが必要ないことも分った。そのうえ、Alに比べて反射率が40〜60%程度と低いので、フォトリソグラフィー工程でパターンの細りおよび下地ゴミ等の原因による断線発生率が低下し、線欠陥が減少するため歩留りが向上する。フォトリソグラフィー工程での歩留り低下を防止するためには、Al上にMo等からなる低反射率膜を積層してフォトリソグラフィーを行う手段もあるが、Mo−W合金を用いることにより、積層の必要もなく歩留りを向上することができる。また、TFTの光リーク電流の一因である対向基板における反射光の迷光の配線での再反射光量が減少するため、Al配線のパネルに比べて表示した際のコントラストが向上する。
【0034】
ここで、上述した製造工程は1つの例であり、各層の厚みや成膜方法等は適宜変更して実施することができる。その場合にあっても、具体例3と同様の効果が得られる。また、TFTには他の構造のもの、例えば、チャネル上に絶縁膜のストッパを設ける構造のTFTや、蓄積容量部分はゲート電極と同一層の配線、およびデータ配線と同一層の配線とにより形成さる構造のTFTを採用してもよい。
(具体例4)
図10に、本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の他の例の断面図を示す。この液晶表示装置は、上記具体例1のようにMo−W合金またはMo−Cr合金を用いて形成したアドレス配線等を有し、かつ、具体例3のようにMo−Ti合金、W−Ti合金またはMo−W合金を用いて形成したデータ線を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置である。ここで用いられているTFTは、前述の具体例に適用したチャネル部をエッチングするバックチャネルカットタイプのTFTの代わりに、チャネル上に絶縁膜のストッパを設ける構造のTFTを用いたものである。また、蓄積容量部分はゲート電極と同一層の配線、およびデータ配線と同一層の配線により形成されている。
【0035】
すなわち、上述したように、ガラス基板11上に上記配線金属でゲート電極42、アドレス配線、およびCs線49aを同時形成し、層間絶縁膜43、a−Si活性層44、チャネル保護膜50、n+ a−Si層45a,45bを順次形成し、パターニングする。次いで、上記配線金属でソース電極46a、ドレイン電極46b、データ線、およびCs線49bを同時形成する。次に、酸化膜47を形成し、ドレイン電極46b上にコンタクトホールを形成し、さらに、画素電極48を形成する。具体例4においては、前述の具体例1における効果および具体例3における両方の効果を得ることができる。
【0036】
ここで、本発明の第1の実施例は、以上説明してきた各具体例に限定されるものではなく、半導体材料としては、a−Siに限らず、p−Si、CdSeを用いてもよい。また、データ線上に形成する絶縁膜は、酸化膜に限らず窒化膜でもよい。
【0037】
さらに、以上の具体例で用いられている合金は、各具体例のように単層で使用してもよく、組成の異なる合金による2層以上の積層膜、例えば表面酸化を防止するために、MoおよびWを主成分とし窒素を含有する合金からなる膜をMo−W合金からなる膜の上に形成した積層膜を用いてもよい。また、前述のMo−W合金の表面、すなわち上層にTa、Ta−N、Ta−Mo、Ta−Nb、Ta−W、Ta−Nb−N、Ta−Mo−N、Ta−W−N合金またはこれらの間の合金等の金属を積層して、耐酸性を向上させてもよい。さらに、前述のMo−W合金の下層にAl、Cu、Au等を形成して抵抗をさらに下げてもよい。また、本発明は上述した各実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【0038】
ここで、本発明における液晶表示装置の構成の重要性について説明する。
配線抵抗は、TFTを用いた液晶表示装置において、画面が大型になり、高精細になるにしたがい、低抵抗であることが必要になる。例えば、パソコン用のディスプレイ(VGA)では、配線が480×(640×3)であり、上級パソコン用ディスプレイ(XGA)では、配線が760×(1024×3)である。この場合、配線抵抗は、ゲートパルスの遅延を防止するために低抵抗である必要がある。パルス遅延は、配線抵抗Rと配線に付加しているTFTや蓄積容量の容量Cとの積CRにより決定される。画面が大型化すると、配線が長くなるため必然的にRが増大してCRが大きくなる。また、画素数が増えると、C(C=C0 ×n、C0 :単位画素の容量、n:画素数)が増加するためCRが大きくなる。Cは画素により決まるので、パルス遅延を防止するためにはRを下げる必要がある。
【0039】
通常の製法では、対角10インチクラス以上の画面サイズでの通常の設計においては、VGAは40μΩ・cm、XGAは20μΩ・cm以下の抵抗率が必要である。このため、VGAの配線材料には、抵抗率が40μΩ・cm程度のMoTaやCrを使用することができる。しかし、XGAでは、MoTaやCrを使用することができない。このため、XGAでは、通常図11に示すような構造、すなわち低抵抗のAlの表面を耐酸性の良好であるTaを被覆した構造を採用する。このような複雑な構造を採るのは、Alは抵抗率が4μΩ・cm程度と低いが、耐酸性が悪くAlエッチャントやITOエッチャントで侵されるからである。
【0040】
また、図11に示す構造は、複雑であるため、コストアップになるだけでなく、内部のAlが侵されて線欠陥や点欠陥を発生したりする。これらの欠陥は、ゴミによるTaのピンホールがある場合、露出したベアAl配線の浸食が避けられないので、回避することができない。Alの代わりにCuやMoを使用しても同様の欠陥が発生する。さらに、Al膜およびTa膜を積層するため、膜厚が厚くなり、これと交差する信号線のカバレッジが悪くなり、負荷が加わり断線が発生したりする。その結果、このような不良は回避しにくく、歩留りが低下する。このように、上記具体例に示したような構成でMo−W合金を用いることにより、単層でXGAレベルの配線抵抗を実現できる。
【0041】
また、Mo−W合金をAl上に積層すると、Mo−W単層の場合よりも膜質が劣化することが分った。MoW/SiOxの膜構成と、MoW/Alの膜構成との違いについて説明する。両膜構成のサンプルについて、抵抗値、柱状構造のドメインの大きさ、および界面の反応物について調べた。その結果、MoW/Alの膜構成のMoWの抵抗は、MoW/SiOxの膜構成のMoWの抵抗の4〜10%抵抗値が大きかった。また、MoWの柱状構造のドメインの大きさは、FE−SEMにより観察したところ、MoW/SiOxの膜構成の方がドメインが大きかった。これは、Mo−W合金からなる膜の抵抗値が下地の膜の材料の粒径に大きく影響されるからであると考えられ、Al上のMoWの結晶性が悪いことを意味する。
【0042】
また、MoW/Alの膜構成のものでは、H2 O2 浸漬によりMoW膜を剥離すると、Al表面に(MOx、Al2 (MO4 )3 、M:Mo,W)のような成分が確認され、MoWとAlが界面で反応していることが分った。MoWとAlは合金化により抵抗が増加するため、積層するよりもMoW単層で用いる方が有効である。このように、MoWを単層で用いる本発明の構成の液晶表示装置が優れた効果を有することが分る。
(実施例2)
図12は、本発明の実施例に係る液晶表示装置に用いられるTFT(スイッチング素子)および蓄積容量部分の断面図である。このTFTおよび蓄積容量部分の構成およびプロセスについて説明する。
【0043】
ガラス基板51上に、絶縁膜57として例えばSiO2 膜をスパッタリングやCVD等により形成し、Mo−W合金を厚さ300nmでスパッタリングしてパターニングすることにより、ゲート電極(制御電極)52、アドレス配線、およびCs線59を同時に形成する。次いで、プラズマCVDにより酸化膜53を厚さ350nmで、a−Si活性層を厚さ300nmで、n+ a−Si層55a,55bを厚さ50nmで順次形成してパターニングして、島状のa−Si活性層54を形成する。次に、ITOを厚さ120nmでスパッタリングしてパターニングすることにより画素電極58を形成する。次いで、コンタクト部のSiOxを希HFでエッチングしてコンタクトホールを形成する。次いで、Al等の所定の配線金属をスパッタリングし、ウェットエッチングすることにより、ソース電極(第1の主電極)56a,ドレイン電極(第2の主電極)56bおよびデータ配線を同時に形成する。
【0044】
ここで、Mo−W合金を用いて形成したアドレス配線は、CF4 とO2 との混合ガスを用いてCDEにより加工するが、ガラス基板51とアドレス配線との間にSiO2 膜を介在させることにより、テーパー加工を良好に行うことができる。このようにしてテーパー加工した断面を図13に示す。図13から明らかなように、アドレス配線上に形成した層間絶縁膜のステップカバレッジが良好となり、絶縁耐圧を高く確保することができる。さらに、アドレス配線−データ配線間の短絡を防止でき、データ配線の断線を防止することができる。したがって、表示領域を大きくした場合であっても、信頼性のある液晶表示装置を実現することができる。なお、大面積のディスプレイでなくてもアドレス配線の抵抗率が低くなるので、配線幅を細くすることができ、これにより、開口率を上げることができる。
【0045】
下記第1表は、ガラス基板とMo−W合金膜との間にSiO2 膜が介在されている場合と、ガラス基板上に直接Mo−W合金膜が形成されている場合のCDEエッチング後の状態をXPS分析した結果を示す。第1表から分るように、ガラス基板上に直接Mo−W合金膜を形成したものには、ガラス中のBaが存在している。この結果から、基板材料として使用しているガラス中の成分と、WまたはMoとの反応生成物によりレジストのエッチングが阻害され、テーパーエッチングが規制されると考えられる。このように、ガラス基板とMo−W合金膜との間にSiO2 膜を介在させることにより、この反応を防止して良好なテーパー加工を施すことができる。なお、上述したように、Mo−W合金の組成でWの組成比が20〜90原子%以内の範囲で良好にテーパー加工をすることができることは確認されている。
【0046】
上記のように、ガラス中の元素がテーパー加工に悪影響を及ぼすので、BaだけでなくCaやSrも同様にテーパー加工に悪影響を及ぼす。なお、ガラス基板とMo−W合金膜との間に介在させる膜は、Ba、Ca、Sr等の元素を含んでいなければよく、SiO2 膜の代りにSiN、Ta2 O5 膜、Al2 O3 膜を用いてもよい。
【0047】
【表1】
【0048】
ここで、上述した製造工程は1つの例であり、各層の厚みや成膜方法等は適宜変更して実施することができる。その場合にあっても、具体例3と同様の効果が得られる。また、TFTには他の構造のもの、例えば、チャネル上に絶縁膜のストッパを設ける構造のTFTや、蓄積容量部分はゲート電極と同一層の配線、および、データ配線と同一層の配線とにより形成さる構造のTFTを採用してもよい。
【0049】
また、本発明の第2の実施例は、以上説明してきたものに限定されるものではなく、半導体材料としては、a−Siに限らず、p−Si、CdSeを用いてもよい。また、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
(実施例3)
TFTを用いた液晶表示装置においては、電極材料としてITOが用いられているので、配線材料とITOとのコンタクトにおいていくつか問題がある。まず、配線とITOが接触すると、配線材料がITOにより酸化されて高抵抗のバリアが形成され、これによりコンタクト不良が起こる。これは、酸化膜が高抵抗であるAl系やTa系の合金材料で顕著である。このため、ITOと配線材料との間の反応を防止するために、両者の間にバリアメタルを形成することが必要である。また、配線表面に酸化膜が形成されるので、上層の金属配線とのコンタクト抵抗が高くなる。このため、配線表面の酸化膜を除去する必要がある。したがって、製造において工程が増加するという問題がある。
【0050】
また、信号線とa−Si活性層やp−Si層とのコンタクトにおいて、反応により配線金属がa−Si、p−Si中に拡散してコンタクト部のn−iまたはp−iの接合特性を劣化し、キャリアに対するブロッキング作用を低下させる問題がある。これは、ソース/ドレイン電極材料としてAlを用いた場合に特に顕著である。これを防止するためには、やはりバリアメタルを形成する必要があり、製造において工程が増加してしまう。
【0051】
本実施例のMoWを用いることにより、上記実施例の効果を有し、しかも信号線材料とITO、および信号線材料とn+ a−Siとの間に設けられているバリアメタルを必要とせず、さらにITO等のエッチャントに侵されない信号線を有する液晶表示装置を提供できる。
【0052】
(具体例5)
図14は、本発明の第3の実施例に係る液晶表示装置の一例に用いられるTFT(スイッチング素子)および蓄積容量部分の断面図である。また、図14は、駆動回路とのコンタクト部分の断面を示す。このTFTおよび蓄積容量部分の構成およびプロセスについて説明する。ガラス基板61上に、Mo−W合金を厚さ300nmでスパッタリングしてCDEすることによりゲート電極(制御電極)62、アドレス配線、Cs線69、およびコンタクトパッド部80を同時に形成する。次いで、プラズマCVDまたは常圧CVDにより酸化膜63を厚さ350nmで、プラズマCVDによりSiNx膜63を厚さ500オングストロームで、a−Si活性層を厚さ50nmで、ストッパSiNx膜70を厚さ300nmで順次形成する。次に、ストッパSiNx膜70を希HFでエッチングした後に、n+ a−Si層65a,65bを厚さ50nmで形成し、CDEにより島状のa−Si活性層64を形成する。次いで、コンタクト部のSiNx膜を希HFでエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【0053】
次いで、ITO66を厚さ100nmでスパッタリングし、Mo−W合金またはMo−Cr合金67を厚さ300nmでスパッタリングする。次いで、ウェットエッチングまたはCF4 +O2 混合ガスを用いたドライエッチングによりMo−W合金をテーパーエッチングし、ITOエッチャントである希王水によりITOをエッチングして画素電極68、信号線、ソース電極(第1の主電極)66a,67a、ドレイン電極(第2の主電極)66b,67b、データ配線、およびコンタクト部電極81を形成する。次いで、パッシベーションSiNx膜71をプラズマCVDにより形成した後に、画素部とパッド部のSiNxおよびMo−W合金をRIEまたはCDEによりエッチングする。このように、信号線とITO画素68を同一のパターンで形成することにより、フォトエッチングプロセスを1工程減らすことができる。また、本実施例は、Mo−W合金の代わりにMo−Cr合金を用いても同様に形成することができる。
【0054】
本実施例では、信号線としてMo−W(Mo−Cr)/ITO多層配線を用いており、コンタクトパッド部においてゲート線とITOが接触する。Mo−W合金またはMo−Cr合金は、Ta系合金、Al、Cr等と異なり、その酸化膜の抵抗が小さいため、コンタクト抵抗が増大しない。したがって、ゲート配線上にMo−W合金またはMo−Cr合金の酸化膜が形成されるが、この酸化膜を除去しなくてもコンタクト特性は良好である。具体的には、このような構成において、コンタクト抵抗を含んだ配線抵抗の増大は1%以下であり、まったく問題にならなかった。また、TFT特性のId−Vd特性は良好な立上がりを示し、良好なオーミック特性が得られ、Mo−W(Mo−Cr)配線とn+ a−Si層の間に良好なコンタクトが得られていることが分った。
【0055】
本発明者らが調べた抵抗率の結果を図15に示す。図15には、雰囲気ガスがO2 、N2 の不純物の多いガスであるバッチ式で製造する場合と、背圧の低いロードロック式のスパッタリング装置を用いて製造する場合について示す。バッチ式のスパッタリング装置を使用すると、チャンバ表面にH2 O、O2 、N2 が付着し、スパッタリングされたMo−W膜中へのO、Nの混入が避けられない。図15から分るように、バッチ式の場合には、Mo−W合金のW含有率が好ましくは10〜95原子%の範囲、より好ましくは20〜90原子%の範囲において、Mo−W合金の抵抗率が40μΩ・cmを大きく下回り、MoまたはW単体よりも抵抗が下がる。この範囲では、バッチ式およびロードロック式で同等の抵抗率を示すので、装置価格が安く、短いタクトタイムで生産できるバッチ式を採用することができる。
【0056】
具体例5によれば、画素と信号線を同一マスクで形成できるため、マスク合わせのためのマージンが必要なくなり、これにより開口率が増大する。
ここで、上述した製造工程は1つの例であり、各層の厚みや成膜方法等は適宜変更して実施することができる。その場合にあっても、具体例5と同様の効果が得られる。また、TFTには他の構造のもの、例えば、チャネル上に絶縁膜のストッパを設けないで信号線をマスクとしてn+ a−Siをエッチングして形成するバックチャネル型のTFTや、蓄積容量部分はゲート電極と同一層の配線、およびデータ配線と同一層の配線とにより形成される構造のTFTを採用してもよい。
【0057】
(具体例6)
本実施例においては、a−Si活性層を信号線上に形成してなる構造を用いても同様の効果が得られる。すなわち、具体例5と同様にゲート電極をMo−W合金で形成した後に、プラズマCVDによりSiOxを厚さ350nmで、SiNxを厚さ50nmで形成し、希HFを用いてエッチングしてコンタクトホールを形成する。次いで、スパッタリングによりITOおよびMo−W合金を順次形成し、その後プラズマCVDによりn+ a−Si層を厚さ50nmで形成する。次いで、n+ a−Si層およびITOをCDEによりエッチングし、さらにITOを希王水によりエッチングして画素電極、信号線、ソース電極(第1の主電極)、ドレイン電極(第2の主電極)、およびデータ配線を形成する。Mo−W合金は熱CVDにより形成してもよい。また、n+ a−Si層はSiH4 /PH3 およびH2 の間欠プラズマによりMo−W/ITO上に選択的に形成してもよい。
【0058】
次いで、パッシベーションSiNx膜をプラズマCVDにより形成した後に、画素部のa−Si/n+ a−Si/Mo−WをRIEでエッチングしてTFTアレイを作製する。
【0059】
この場合にも、コンタクト部でゲート電極がITOと接触し、信号線金属がITOと接触するがオーミック特性に問題はなかった。
(具体例7)
図16は、本発明の第3の実施例に係る液晶表示装置の他の例に用いられるTFTおよび蓄積容量部分の断面図である。このTFTおよび蓄積容量部分の構成およびプロセスについて説明する。ガラス基板81上に、p−Si84を厚さ100nmで、ゲート酸化膜83を厚さ100nmで順次形成し、その上にMo−Ta合金からなるゲート電極82を形成する。次いで、これにゲート電極82をマスクとしてリンを1×1016cm−3で注入し、ソース/ドレイン部にn+ p−Si層85a,85bを形成する。次いで、具体例5に示すように、島状のa−Si活性層を形成し、熱CVDにより層間絶縁膜89を厚さ300nmで形成する。
【0060】
次いで、ITOを厚さ100nmでスパッタリングしてパターニングすることにより画素電極88を形成する。次いで、コンタクト部およびゲート部の層間絶縁膜(SiOx)を希HFでエッチングしてコンタクトホールを形成する。次いで、スパッタリングによりMo−W合金を厚さ300nmで形成してパターニングすることにより、信号線、ソース電極(第1の主電極)86a、およびドレイン電極(第2の主電極)86bを形成する。次いで、パッシベーションSiNx膜87をプラズマCVDにより形成した後に、画素、周辺回路接続部をRIEでエッチングしてTFTアレイを作製する。
【0061】
従来は信号線金属としてAlを用いていたため、ITOやn+ p−Siとの間にMo等の高融点金属のバリアメタルが必要であったが、信号線金属としてMo−W合金を用いることにより、バリアメタルが不要となり、それにより工程を削減することができた。なお、Mo−W合金の代りにMo−Cr合金を用いても同様の効果が得られた。
【0062】
ここで、上述した製造工程は1つの例であり、各層の厚みや成膜方法等は適宜変更して実施することが可能である。その場合にあっても、本実施例と同様の効果が得られる。また、TFTには他の構造のもの、例えば、チャネル上に絶縁膜のストッパを設ける構造のTFTや、蓄積容量部分がゲート電極と同一層の配線、およびデータ配線と同一層の配線により形成さる構造のTFTを採用してもよい。 また、半導体材料として、a−Siの代りにp−SiやCdSeを用いてもよく、データ配線上に形成する絶縁膜として、酸化膜の代りに窒化膜を用いてもよい。また、本実施例において使用されている合金からなる層は、単層であってもよく、組成の異なる少なくとも2層の積層膜であってもよい。さらに、前記合金層の上層にTa、TaN等からなる層を形成して耐酸性を向上させてもよく、合金層の下層にAl、Cu等からなる層を形成してさらに抵抗を下げてもよい。また、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【0063】
上述したように、本実施例においては、低抵抗率を有するMo−W合金やMo−Cr合金を用いて形成したアドレス配線やゲート配線は、ITOとの接触により酸化しても高抵抗のバリアを形成しないため、またn+ a−Siやp−Siと反応しないためバリアメタルを必要とせず工程が簡略化できる。
(実施例4)
液晶表示装置においては、画像表示のために対向基板にブラックマトリクスを形成している。このブラックマトリクスは、TFTに入射する外部の光を遮蔽し、外部の光によるTFTの特性異常を防止する。ブラックマトリクスの材料としては、一般に光を透過しないCr等が用いられている。しかしながら、これらの材料は、光の反射率が高く、画像表示面での外部からの光を反射する。この外部からの光は、画像表示面の表示品質を著しく低下させる。そこで、本実施例は、ゲートパルスの遅延がなく、アドレス配線に関して高い絶縁耐圧を有するとともに、ブラックマトリクスによる画像表示面での外部の光の反射を低減する高品位の液晶表示装置を提供する。
【0064】
図17は、本発明の第4の実施例に係る液晶表示装置を示す断面図である。図中90はガラス基板を示す。ガラス基板90上には、その上に形成されたアドレス配線から延伸してなるゲート電極91aが形成されている。ゲート電極91a上には、絶縁膜97を介して半導体層94、ストッパー層95が形成されており、それぞれパターニングされている。さらに、その上には、ドレイン電極93aおよびソース電極93bが形成されている。このようにしてTFTが構成されており、このTFTのソース電極93bには、画素電極96が接続されている。このようにして液晶駆動回路基板が構成されている。画素電極96の材料としては、ITOやSnO2 等からなる透明導電膜を用いることができる。
【0065】
対向基板は、ガラス基板98上にカラーフィルター99およびMo−W合金からなるブラックマトリクス100を形成し、その上に対向電極101を形成することにより作製されている。この液晶駆動回路基板および対向基板を図17に示すように対向させ、両者の間に液晶材料102を挟持させることにより液晶表示装置が構成される。
【0066】
図18は、Mo−W合金とCrの反射率の測定結果を示すグラフである。図18から分るように、Mo−W合金は全組成にわたって従来ブラックマトリクス材料として用いられているCrに対して低い反射率を示す。
【0067】
このようにして得られた液晶表示装置では、対向基板に形成されたブラックマトリクス100の材料が反射率が低いMo−W合金であるので、画像表示面での外部からの光の反射を低減することができる。これにより、高品位の表示品質を実現することができる。なお、TFTに入射する光を遮蔽する効果はCrと同程度である。
【0068】
図19は、本発明の第4の実施例に係る液晶表示装置の駆動回路基板の平面図である。ガラス基板90上には、一端にMo−W合金からなるアドレス電極パッド103を有する複数のアドレス配線91と、これらの複数のアドレス配線91と交差し、その一端にMo−W合金からなるデータ電極パッド106を有する複数のデータ配線92が形成されている。なお、アドレス配線91とデータ配線92との交差部分では、アドレス配線91とデータ配線92との間に絶縁膜が形成されている。この交差部分の近傍には、スイッチング素子としてTFT107が形成されており、その一方の電極には、アドレス配線91とデータ配線92により囲まれた画素領域に形成された画素電極96が接続されている。また、アドレス電極パッド103の領域は、アドレス電極105およびコンタクトホール104を包含する広さを有している。
【0069】
上記構成を有する液晶表示装置では、アドレス電極パッド103およびデータ電極パッド106がMo−W合金により形成されているので、例えば、COG(Chip On Glass )実装の際に、これらの電極パッドと映像信号用ICとの間の接合力が向上し、高い信頼性が得られる。
【0070】
なお、対向基板側に形成されたブラックマトリクス100が発揮する効果は、液晶駆動回路基板側に形成されたブラックマトリクス108も当然発揮する。また、Mo−W合金は反射率が低いので、データ配線の材料に用いてもよい。
【0071】
上述したように、本実施例の液晶表示装置は、ブラックマトリクス材料としてMo−W合金を用いることにより、画像表示面での外部からの光の反射を低減し、高品位の表示品質を実現することができる。また、アドレス電極パッドおよびデータ電極パッドをMo−W合金で形成することにより、例えばCOG実装におけるICとの接合の信頼性を高めることができる。
なお、上記実施例1〜4は適宜組み合わせて実施することができる。
【0072】
【発明の効果】
以上説明した如く本発明の液晶表示装置によれば、低抵抗率を有するMo−W合金やMo−Cr合金を用いて形成したアドレス配線は低い抵抗を示し、ゲートパルスにはこの配線抵抗に起因する遅延が生じないので、液晶を駆動するための所定のスイッチング素子には遅延のないゲートパルスを与えることができる。その際、テーパー加工が可能なMo−W合金やMo−Cr合金を用いて形成したアドレス配線上に成膜する層間絶縁膜のステップカバレッジが良くなり、層間絶縁膜上に形成される他の配線とこのアドレス配線との間には高い絶縁耐圧を確保することができる。したがって、表示領域を大面積化した場合にあっても、信頼性のある液晶表示装置を実現することが可能となる。また、大面積のディスプレイでなくても、アドレス配線の抵抗率が低くなると、配線幅を細くできるために開口率を上げることができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のに係る液晶表示装置の一例に用いられるTFTおよび蓄積容量部分の断面図。
【図2】Mo−W合金の抵抗率とW含有率との関係を示すグラフ。
【図3】Mo−W合金の各エッチャントに対するエッチングレートとW含有率との関係を示すグラフ。
【図4】Mo−W合金の応力とW含有率との関係を示すグラフ。
【図5】Mo−W合金の応力とW含有率との関係を示すグラフ。
【図6】本発明の第1の実施例のに係る液晶表示装置の他の例に用いられるTFTおよび蓄積容量部分の断面図。
【図7】本発明の第1の実施例のに係る液晶表示装置の他の例に用いられるTFTおよび蓄積容量部分の断面図。
【図8】Mo−Ti合金の各エッチャントに対するエッチングレートとTi含有率との関係を示すグラフ。
【図9】(A)および(B)はMo−Ti合金の酸素含有量とテーパー加工性との関係を説明するためのグラフ。
【図10】本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の他の例に用いられるTFTおよび蓄積容量部分の断面図。
【図11】通常の製法により得られる膜構成を示す断面図。
【図12】本発明の第2の実施例に係る液晶表示装置を示す断面図。
【図13】図12に示す液晶表示装置においてテーパー加工を施した状態を示す断面図。
【図14】本発明の第3の実施例に係る液晶表示装置の一例に用いられるTFTおよび蓄積容量部分の断面図。
【図15】Mo−W合金の抵抗率とW含有率との関係を示すグラフ。
【図16】本発明の第3の実施例に係る液晶表示装置の他の例に用いられるTFTおよび蓄積容量部分の断面図。
【図17】本発明の第4の実施例に係る液晶表示装置を示す断面図。
【図18】Mo−W合金の反射率とW含有率との関係を示すグラフ。
【図19】本発明の第4の実施例に係る液晶表示装置の駆動回路基板の平面図。
【図20】従来の液晶表示装置に用いられるTFTおよび蓄積容量部分の断面図。
【符号の説明】
11,51,61,81,90,98…ガラス基板、12,22,32,52,82,91a…ゲート電極、13,47,53,63…酸化膜、14,24,34,64…島状のa−Si活性層、15a,15b,25a,25b,35a,35b,45a,45b,55a,55b,65a,65b…n+ a−Si層、16a,26a,36a,46a,56a,66a,67a,86a,93b…ソース電極、16b,26b,36b,46b,56b,66b,67b,86b,93a…ドレイン電極、18,28,38,48,58,68,88,96…画素電極、19,29,39,49a,59,69…Cs線、20…コンタクト部、23,33…シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜、43,89…層間絶縁膜、50…チャネル保護膜、57,97…絶縁膜、66…ITO、67…Mo−W合金またはMo−Cr合金、70…ストッパSiNx膜、80…コンタクトパッド部、81…コンタクト部電極、84…p−Si、85a,85b…n+ p−Si層、87…パッシベーションSiNx膜,91…アドレス配線、92…データ配線、94…半導体層、95…ストッパー層、99…カラーフィルター、100,108…ブラックマトリクス、101…対向電極、102…液晶材料、103…アドレス電極パッド、104…コンタクトホール、105…アドレス電極、106…データ電極パッド、107…TFT。
Claims (1)
- 絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の一主面上に設けられた複数のアドレス線と、
前記絶縁性基板の前記主面上に設けられ且つ前記複数のアドレス配線を被覆した絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ且つ前記絶縁膜を介して前記複数のアドレス配線と交差して複数の交差部を形成した複数のデータ配線と、
前記絶縁膜上に及び前記複数の交差部にそれぞれ対応して配置された複数のITO画素電極と、
前記複数の交差部にそれぞれ隣接するとともに、前記絶縁膜に被覆され且つ前記複数のアドレス配線の何れかに電気的に接続された制御電極、前記複数のデータ配線の何れかに電気的に接続された第1の主電極、並びに前記複数のITO画素電極の何れかに電気的に接続された第2の主電極をそれぞれ備えた複数のスイッチング素子とを具備し、
前記複数のアドレス配線は、W含有量が30乃至70原子%の範囲内にあるMo−W合金の単層構造であり、前記絶縁膜と接触していることを特徴とする液晶表示装置。
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