JPH03295130A

JPH03295130A - 電子放出素子

Info

Publication number: JPH03295130A
Application number: JP2095803A
Authority: JP
Inventors: Akira Kaneko; 彰金子; Toru Sugano; 亨菅野; Kaoru Tomii; 冨井　薫
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1990-04-11
Filing date: 1990-04-11
Publication date: 1991-12-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、電子顕微鏡、電子ビーム露光装置、ＣＲＴ等
、各種電子ビーム応用装置の電子発生源として利用する
ことができる電子放出素子に関するものである。

従来の技術従来、電子顕微鏡、電子ビーム露光装置、（、ＲＴ等に
おける電子発生源として、熱電子を放出する熱陰極が用
いられている。しかし、熱陰極は陰極自体を加熱する加
熱手段を必要とし、また、加熱に伴うエネルギー損失が
生じるなどの問題がある。そこで、近年、加熱を必要と
しない電子放出素子、いわゆる冷陰極に関する研究が行
われ、いくつかのタイプの電子放出素子が提案されてい
る。

例えば、ＰＮ接合に逆バイアス電圧を印加し、電子なだ
れ降伏現象を起こさせて素子外へ電子を放出させるよう
にした電子放出素子、または、金属層−絶縁体層−金属
層の３層構造で、上記両金異層に電圧を印加することに
より、トンネル効果で絶縁体層を透過してきた電子を金
属層表面から表子外へ放出させるＭＩＭ型の電子放出素
子、または、電界集中の生じやすい形状に形成した金属
に対し、電圧を印加して局所的に高密度な電界を発生さ
せ、金属から素子外へ電子を放出させる電界放出型の電
子放出素子などがある。

これらの電子放出素子のうち、電界放出型の場合、電子
放出のため、陰極エミッタ先端に１０６Ｖ／ｃｍ程度の
強電界が集中するように、その先端の曲率が数百ｎｍ以
下となるように針状加工されている。この電界放出型の
電子放出素子は、一般に次のような長所を有する。

（１）電流密度が高い。

（２）陰極を加熱する必要がないので、電力消費が非常
に少ない。

（３）点（ポイント）および線（ライン）電子線源とし
て使用することができる。

上記電界放出型の電子放出素子として、例えば、ジャー
ナル・オプ・アプライド・フィジックス、３９巻、７号
、３６ｏ４頁、１９６８年（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＡｐ
ｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ　ｓ　　Ｖｏｌ　３９、
Ｎｏ　７、　Ｐ　３５０４．１９６８）に記載されてい
るような構成が知られている。第９図（ａ）は上記従来
の電子放出素子の製造途中の状態を示す断面図、第９図
（ｂ）は従来の電子放出素子の製造完成状態を示す断面
図である。

第９図（ａ）に示すように、まず、電気絶縁性基板１０
１の上に導電性膜１０２、絶縁層１０３および導電性膜
１０４を適当なマスクを用いて順次蒸着し、空洞１０６
が複数のアレイ状配列となるように作製する。次いで、
この空洞１０５の開口部を適当な物質１０６の回転斜蒸
着により漸次閉じさせつつ、この開口部真上より陰極材
料１０７を正蒸着することにより、空洞１０６内におい
て導電性膜１０２上に先端側が次第に細くなる陰極エミ
ッタ突起１０８を形成する。最後に、物質１０６を除去
することにより、第９図（ｂ）に示すように電子放出素
子を作製することができる。

そして、導電性膜１０４が正、導電性膜１０２が負とな
るように電源１０９を接続し、陰極エミッタ突起１０８
の陰極材料１０７で定まる所定の電圧以上の電圧を印加
することにより、電界が集中する陰極エミνり突起１０
Ｂより電子を放出させることができる。

また、上記電子放出素子をアレー化し、平面デイスプレ
ィに応用した試みもある（ジャパン・デイスプレィ　８
６、Ｐ５１２）。

従来、電子放出素子の他の例として、特公昭５４−１７
５５１号公報に記載されている構成が知られている。第
１０図（ａ）〜（ｆ）は上記従来の電子放出素子の製造
工程を示す説明図である。

第１０図（ａ）に示すように、まず、電気絶縁性の矩形
の基板１２１を複数個用意し、その−表面上に陰極材料
薄膜１２２を被着し、陰極薄膜付着基板１２３を複数個
重ね合わせて一体化した後、この重ね合わせ基板１２４
の各表面を機械研磨する。

次いで、第１０図（ｂｌに示すように、その広い一表面
に金属１２５を蒸着し、第１０図（ｃ）に示すように、
金属１２６に陰極材料薄膜１２２の直上に位置して陰、
極材料薄膜１２２と同程度の幅の狭い電子引出し用の窓
１２６をフォトエツチング法を利用して開けろ。次いで
、陰極薄膜付着基板１２３を分離し、第１０図（ｄ）に
示すように、それぞれの基板１２３上の陰極材料薄膜１
２２を先端が鋭い山型となるパターン状にエツチング法
により加工する。

このようにして得たすべての基板１２３の陰極エミッタ
１２７の先端近辺が第１０図（ｅ）に示すように、基板
１２１かも離隔し、かつ電子引出し用惣１２６側の金属
１２６が基板１２１がら棚状にせり出す程度まで適当な
化学腐食により基板１２１を部分的に除去して空洞１２
８を形成する。次いで、第１０図（ｆ）に示すように、
分離する前の重ね合わせ基板１２４と同じになるように
基板１２３を再び重ね合わせて固定することにより薄膜
冷陰極アレイを作製することができる。

従来の電子放出素子の更に他の例として、本発明者等に
より先に出願した特願平１−３３０７４０号に記載され
た構成が知られている。第１１図は上記従来の電子放出
素子を示す斜視図である。

第１１図に示すように、電気絶縁性基板１３１の上に陰
極材料層１３２と、この陰極材料層１３２を挾む絶縁体
層１３３とが形成され、絶縁体層１３３の上に制御電極
１３４が形成されている。

そして、制御電極１３４が正、陰極材料層１３２が負と
なるように電源（図示省略）を接続し、両者の間に所定
の電圧以上の電圧を印加することにより、制御電極１３
３に対向する陰極材料層１３２のエツジ部１３６に電界
を集中させ、このエツジ部１３６より電子を放出させる
ことができる。

発明が解決しようとする課題しかしながら、上記従来例のうち、第１番目の従来例で
は、空洞１０６内に陰極エミッタ突起１０８を作製する
際、回転斜蒸着と真上から行う正蒸着を同時に行ってい
るが、この同時蒸着の制御を正確に行うことは非常に困
難である。

また、第２番目の従来例では、電子引出し用の窓１２６
と陰極エミッタ１２７との位置合わせ精度を高めようと
すると、電気絶縁性基板１２１の板厚および陰極材料薄
膜１２２の膜厚の高い精度が要求される。また、重ね合
わせ基板１２４の分離前後での一体化固定精度が同一で
なければならないが、精度よく固定することは非常に困
難である。

また、第３番目の従来例では、第１、第２番目の従来例
に比べ、製造が容易で、歩留まりよく製造することがで
きる利点を有するが、第１、第２番目の従来例も含め、
陰極１３２（１０８，１２７）に対し、所定の大きさの
正電位を与える制御電極１３４（１０４，１２６）が陰
極１３２（１０Ｂ、１２７）の両列側で、しかも、陰極
１３２（１０８，１２７）より高い位置に配置されてい
るため、陰極１３２（１０８，１２７）より引出された
電子ビームが外側に広がる傾向になり、電子ビームの質
が低下するという問題があった。

本発明は、上記のような従来技術の問題を解決するもの
であり、質が高く、高精細な電子ビームを得ることがで
き、また、歩留まりよく製造することができ、信頼性を
向上させることができるようにした電子放出素子を提供
し、また、動作電圧を低くすることができるようにした
電子放出素子を提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段上記目的を達成するための本発明の技術的解決手段は、
第１に、絶縁性基板と、この絶縁性基板上に形成された
電子放出層と、この電子放出層の内方で所定の間隔を存
して上記絶縁性基板上に形成された絶縁体層と、この絶
縁体層上に形成された電子引出し用の導電体層とを備え
たものである。

第２に、上記第１の技術的解決手段において、上記絶縁
体層を貫通し、この絶縁体層上に形成された電子引出し
用の導電体層と電気的に接続された導電体層を有するも
のである。

第３に、上記第１、第２の技術的解決手段において、上
記電子引出し用の導電体層の底面の位置が、上記電子放
出層の上面の位置と同等か、それ以上の高さを有するも
のである。

第４に、上記第１ないし第３の技術的解決手段において
、上記電子放出層が少なくとも上記電気引出し用の導電
体層に対面するエツジ部を有するものである。

作用したがって、本発明によれば、電子放出層と電子引出し
用の導電体層との間に電圧を印加すると、電子放出層か
ら電子を放出するが、電子引出し用の導電体層を電子放
出層の内方に配置し、放出された電子ビームの飛び出し
方向に、上記導電体層の上方、すなわち、中心方向に向
かう速度成分を持たせることができるので、放出電子ビ
ームを絞ることができる。また、構成が簡単であるので
、容易に製造することができる。

また、電子放出層のエツジ部を電子引出し用の導電体層
に対面させているので、エツジ部に電界集中を起こさせ
ることができる。

実施例以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。

まず、本発明の第１の実施例について説明する。

第１図および第２図は本発明の第１の実施例における電
子放出素子を示し、第１図は断面図、第２図は斜視図で
ある。第１図および第２図に示すヨウに、ガラス、セラ
ミックス等からなる電気的な絶縁性基板１１の両側部の
上にＭｏ、　Ｔａ、　Ｗ。

ＺｒＣ，ＴｉＣ，Ｓｉｎ、Ｌａ８６等からなる電子放出
層１２が形成されている。絶縁性基板１１の中央部の上
には電子放出層１２の内方で、所定の間隔をおいて電子
放出層１２により挾まれ、若しくは囲まれて５ｉ０２、
Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３等からなる電気的な絶縁体層１
３が形成され、絶縁体層１３の上にＭｏ、Ｔａ、Ｗ等の
金属、若しくはその他の導電性材料からなる電子引出し
用の導電体層１４が形成されている。そして、導電体層
１４の底面１６の位置妙ｚ、電子放出層１２の上面１６
の位置と同じ高さ、若しくはそれ以上の高さになるよう
に設定されている。また、電子放出層１２は上部両側に
エツジ部１７ａ、１７ｂを有し、一方のエツジ部１７ａ
が導電体層１４と対面するように形成され、線状−次元
電子放出素子が構成されている。

以上の構成において、以下、その動作について説明する
。

導電体層１４が正、電子放出層１２が負となるように電
源（図示省略）により両者の間に電子放出層１２によっ
て定まる所定の電圧以上の電圧を印加することにより、
電子放出層１２より電子を放出させる。電子放出層１２
より放出された電子は、導電体層１４と電子放出層１２
との間にある電界によりその進行方向が決定され、その
一部は導電体層１４に入り、他の一部は導電体層１４に
入らず、導電体層１４の上方へ飛んで行くが、電子放出
層１２で導電体層１４を挾み、若しくは囲むように配置
しているので、電子放出層１２より放出された電子は、
その大半が導電体層１４の上方へ向かうことになる。す
なわち、電子放出素子の中心部上方に電子が集才ること
になり、放出電子ビームが絞られることになる。このと
き、上記のように導電体層１４の底面１６の位置が、電
子放出層１２の上面１６の位置と同じ高さ、若しくはそ
れ以上の高さになるように設定することにより、電子放
出層１２より放出された電子の上方向の速度成分が大き
くなり、導電体層１４に入らず、導電体層１４の上方へ
飛んで行く電子の数、すなわち、放出電子ビームの量を
増加させる効果を生む。また、電子放出層１２のエツジ
部１７ａを絶縁体層１３の上に形成した導電体層１４に
対面して形成することにより、導電体層１４と電子放出
層１２との間に生じる電界をエツジ部１７ａに集中させ
、実効的電界強度を高め、電子放出が起こりやすくする
ことができ、その結果、電子放出のために印加する動作
電圧を低下させることができろ。

次に、上記第１の実施例の電子放出素子の具体例につい
て第３図（ａ）〜（ｅ）に示す製造工程説明用断面図を
参照しながら製造工程と共に説明する。第３図（，１に
示すように、まず、ガラス、セラミックス等からなる絶
縁性基９．１１の上にＭＯｌＴａ、Ｗ、ＺｒＣ，ＴｉＣ
１ＳｉＣ，Ｌａ８６等からなる薄膜１８を薄膜形成法、
例えば、電子ビーム蒸着法、スパッター外、イオンビー
ム蒸着法、スクリーン印刷法等により厚さ３００〜５０
０ｎｍに形成し、続いて薄膜１８の両側部の上にフォト
リングラフイー技術を用いて間隔Ｗｌが６〜６０μｍ、
長さカ１０μｍ〜１朋のレジスト１９のパターンを形成
した。

次いで、第３図（ｂ）に示すように、薄膜１８において
レジスト１９で覆われていない中央部をエツチング液（
例えば、Ｍｏのエツチング液としてＨ３Ｐ　Ｏａ、ＣＨ
３ＣＯ０Ｈ，ＨＮＯ３、Ｈ２Ｏの混合液、Ｔａのエツチ
ング液として、ＨＮＯ３、ＨＦの混酸等）によりエツチ
ング除去した後、レジスト１９を取り除き、絶縁性基板
１１の両側部の上に電子放出層１２を形成した。次いで
、第３図（ｃｌに示すように、電子放出層１２を被覆す
るようにフォトリソグラフィー技術を用い、間隔Ｗ２が
３〜５０μｍ１長さが１０μｍ〜１　ｍｍのレジスト２
０のパターンを形成した。次いで、第３図（ｄ）に示す
ように、レジスト２０およびその間の絶縁性基板１１の
上方からＳ　ｉ　Ｏ２、Ａｌ２Ｏ３，５１３Ｎ４等から
なる薄膜２１とＭｏ。

Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ等からなる薄膜２２をＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ法、電子ビーム蒸着法、スパッター法、イオンビー
ム蒸着法等によりそれぞれ厚さが５００ｎｍ〜１μｍと
２００〜３００ｎｍとなるように順次形成した。その後
、第３図（ｅ）に示すように、レジスト２ｏをリフトオ
フし、中央部の薄膜２１．２２を残して絶縁体層１３、
導電体層１４を形成することにより、第１図、第２図で
説明した上記線状−次元電子放出素子を作製した。

そして、上記のようにして作製した電子放出素子の導電
体層１４を正、電子放出層１２を負として両者の間に電
圧を印加したところ、６０〜８０Ｖの電圧印加により電
子放出が始まり、１００Ｖの電圧印加により６０〜１０
０μＡのエミッション電流が得られた。また、上記電子
放出素子から放出された電子ビームを集束電極を用いて
螢光面上に結像したところ、ビーム幅が６〜６０μｍ、
長さが１０μｍ〜１１１１にの良好な線状電子ビームの
発光を見た。

次に、本発明の第２の実施例について説明する。第４図
は本発明の第２の実施例における電子放出素子を示す断
面図である。

本実施例においては、上記第１の実施例と同一部分につ
いては同一符号を付してその説明を省略し、異なる構成
について説明する。

本実施例の特徴とするところは、第４図から明らかなよ
うに、絶縁体層１３を貫通して電子引出し用の導電体層
１４と電気的に接続された導電体層２３と、この導電体
層２３と電気的に接続された導電体層２４とが形成され
、そして、導電体層２４が絶縁性基板１１の中央部の上
で紙面に垂直方向に長く形成されて導電体層１４と電子
放出層１２との間に電圧印加を行う際の導電体層１４へ
のリード線となるように構成された点にある。

以上の構成において、以下、その動作について説明する
。

導電体層１４が導電体層２３．２４を介して正、電子放
出層１２が負となるように両者の間に電子放出層１２に
よって定まる所定の電圧以上の電圧を印加することによ
り、電子放出層１２より電子を放出させる。電子放出層
１２より放出された電子は、上記第１の実施例の場合と
同様に、導電体層１４と電子放出層１２との間にある電
界によりその進行方向が決定され、その一部は導電体層
１４に入り、他の一部は導電体層１４に入らず、導電体
層１４の上方へ飛んで行くが、電子放出層１２で導電体
層１４を挾み、若しくは囲むように配置しているので、
電子放出層１２より放出された電子は、その大半が導電
体層１４の上方へ向かうことになる。すなわち、電子放
出素子の中心部に電子が集まることになり、放出電子ビ
ームが絞られることになる。このとき、上記第１の実施
例と同様に、導電体層１４の底面１６の位置が、電子放
出層１２の上面１６の位置と同じ高さ、若しくはそれ以
上の高さになるように設定することにより、電子放出層
１２より放出された電子の上方向の速度成分を大きくし
、導電体層１４に入らず、導電体層１４の上方へ飛んで
行く電子の数、すなわち、放出電子ビームの量を増加さ
せることができる。また、電子放出層１２のエツジ部１
７ａが絶縁体層１３の上に形成した導電体層１４と対面
するように形成することにより、導電体層１４と電子放
出層１２との間に生ずる電界をエツジ部１７ａに集中さ
せ、実効的電界強度を高め、電子放出が起こりやすくす
ることができ、その結果、電子放出のために印加する動
作電圧を低減させることができる。

次に、上記第２の実施例の電子放出素子の具体例につい
て第６図（ａ）〜（ｅ）に示す製造工程説明用断面図を
参照しながら製造工程と共に説明する。第６図（ａ）に
示すように、まず、ガラス、セラミックス等からなる絶
縁性基板１１の上にＭＯｌＷ、ＺｒＣ１ＬａＢ６等から
なる薄膜２６を薄膜形成法により厚さ３００〜６００ｎ
ｍに形成し、続いて薄膜２６の両側部と中央部にフォト
リソグラフィー技術を用いてレジスト２６と２７を形成
した。このとき、レジスト２７の幅Ｌｌが３〜６０μｍ
、レジスト２６と２７の間隔Ｌ２が６〜１０μｍで、長
さが１０μｍ〜１酊のパターンに形成した。次いで、第
６図（ｂ）に示すように、薄膜２６においてレジスト２
６．２７で覆われていない部分をエツチング除去した後
、レジスト２６．２７を取り除き、絶縁性基板１１の両
側に電子放出層１２を形成すると共に、中央部に導電体
層２４を形成した。次いで、第６図（ｃ）に示すように
、電子放出層１２、導電体層２４およびその間の絶縁性
基板１１の上方からＡＩ。

Ｔａ等からなる薄膜２８とＭｏ、Ｃ！ｒ、Ｗ等からなる
薄膜２９を蒸着法等によりそれぞれ厚さが５００ｎｍ〜
１μｍと２００〜３００ｎｍとなるように順次形成し、
更に、薄膜２９の中央部の上に幅が６〜６０μｍ、長さ
１０μｍ〜１１１１１のレジスト３ｏのパターンを蒸着
法等により形成した。次いで、第６図（ｄ）に示すよう
に、レジスト３０を利用し、レジス）３０で覆われてい
ない部分の薄膜２９とその下の薄［１２８をそれぞれエ
ツチング除去して所定のパターンの電子引出し用の導電
体層１４と薄膜２８を形成した。次いで、第６図（ｅ）
に示すように、導電体層２４を陽極として接続した後、
薄膜２８の外側部分を陽極酸化し、絶縁体層１３を形成
した。薄膜２８がＡＩからなる場合には、Ａ１の導電体
層２３とＡｌ２Ｏ３の絶縁体層１３を形成し、また、薄
膜２８がＴａからなる場合には、Ｔａの導電体層２３と
Ｔ　ａ　２０５の絶縁体層１３を形成することができる
。その後、レジスト３０を除去することにより、第４図
で説明した線状−次元電子放出素子を作製した。

そして、上記のようにして作製した電子放出素子につい
て上記第１の実施例と同様にしてそのエミッション特性
を測定した結果、１００Ｖの印加電圧により６０〜１ｏ
ｏμＡのエミッション電流が得られた。また、上記電子
放出素子から放出された電子ビームを集束電極を用いて
螢光面上に結像したところ、ビーム幅５〜５０μｍの良
好な線状電子ビームの発光が得られた。

次に、本発明の第３の実施例について説明する。第６図
は本発明の第３の実施例における電子放出素子を示す断
面図である。

上記第２の実施例によれば、導電体層２４を絶縁性基板
１１の上で突出するように形成しているが、本実施例に
おいては、第６図に示すように、導電体層２４が絶縁性
基板１１に埋設され、その上に導電体層２３、絶縁体層
１３および電子引出し用の導電体層１４が形成され、こ
れを挾む、あるいは囲むように絶縁性基板１１の上に電
子放出層１２が形成されたものである。本実施例の構成
においても、上記第１、第２の実施例と同様の作用効果
を得ることができろことは明らかである。

次に、本発明の第４の実施例について説明する。第７図
は本発明の第４の実施例における電子放出素子を示す断
面図である。

本実施例においては、第７図に示すように、絶縁性基板
１１の上に絶縁体層３１が形成され、この絶縁体層３１
に導電体層２４が埋設され、その上に導電体層２３、絶
縁体層１３および電子引出し用の導電体層１４が形成さ
れ、これを挾む、あるいは囲むように絶縁体層３１の上
に電子放出層１２が形成されたものである。本実施例の
構成においても上記第１、第２の実施例と同様の作用効
果を得ることができることは明らかである。

次に、本発明の第６ないし第７の実施例について説明す
る。第８図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の第６ない
し第７の実施例における電子放出素子を示す平面図であ
る。

上記第１ないし第４の各実施例においては、電子放出素
子を線状で一次元に構成した場合について説明したが、
その形状は線状に限るものではなく、第５〜第７の各実
施例においては、第８図（ａ）〜（ｃ）に示すように、
中心部に電子引出し用の導電体層１４が配置され、これ
を囲むように電子放出層１２が配置されたものである。

すなわち、第８図（ａ）においては、導電体層１４が平
面円形に形成され、これケ囲む電子放出層１２が平面リ
ング状に形成され、第８図（ｂ）においては、導電体層
１４が平面三角形に形成され、これを囲む電子放出層１
２が平面矩形に形成され、第８図（Ｃ）においては、導
電体層１４が平面星形に形成され、これを囲む電子放出
層１２が平面三角形に形成されている。

本実施例の構成においても上記第１、第２の実施例と同
様の作用効果を得ることができることは明らかである。

なお、導電体層１４と電子放出層１２の形状は上記各実
施例に限定されるものではない。

発明の効果以上述べたように本発明によれば、電子放出層と電子引
出し用の導電体層との間に電圧を印加すると、電子放出
層から電子を放出するが、１子引出し用の導電体層を電
子放出層の内方に配置し、放出された電子ビームの飛び
出し方向に、上記導電体層の上方、すなわち、中心方向
に向かう速度成分を持たせることができるので、放出電
子ビームを絞ることができる。したがって、質が高く、
高精細な電子ビームを得ることができる。また、構成が
簡単であるので、容易に製造することができ、したがっ
て、歩留まりを向上させることができると共に、信頼性
を向上させることができる。

また、電子放出層のエツジ部を電子引出し用の導電体層
に対面させているので、エツジ部に電界集中を起こさせ
ることができ、したがって、動作電圧を低くすることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の第１の実施例における電
子放出素子を示し、第１図は断面図、第２図は斜視図、
第３図（ａ）〜（ｅ）は上記第１の実施例における電子
放出素子の製造工程説明用断面図、第４図は本発明の第
２の実施例における電子放出素子を示す断面図、第６図
（ａ）〜（ｅ）は上記第２の実施例における電子放出素
子の製造工程説明用断面図、第６図は本発明の第３の実
施例における電子放出素子を示す断面図、第７図は本発
明の第４の実施例における電子放出素子を示す断面図、
第８図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の第６〜第７の
実施例における電子放出素子を示す平面図、第９図（ａ
）は従来の電子放出素子の製造途中の状態を示す断面図
、第９図（ｂ）はその製造完成状態を示す断面図、第１
０図（ａ）〜（ｆ）は従来の他の例における電子放出素
子の製造工程を示す説明図、第１１図は従来の更に他の
例における電子放出素子を示す斜視図である０１１・・・絶縁性基板、１２・・・電子放出層、１３・
・・絶縁体層、１４．２３．２４・・・導電体層、１７
ａ、１７ｂ・・・エツジ部。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）絶縁性基板と、この絶縁性基板上に形成された電
子放出層と、この電子放出層の内方で所定の間隔をおい
て上記絶縁性基板上に形成された絶縁体層と、この絶縁
体層上に形成された電子引出し用の導電体層とを備えた
電子放出素子。
（２）絶縁体層を貫通し、この絶縁体層上に形成された
電子引出し用の導電体層と電気的に接続された導電体層
を有する請求項１記載の電子放出素子。
（３）電子引出し用の導電体層の底面の位置が、電子放
出層の上面の位置と同等か、それ以上の高さを有する請
求項１または２記載の電子放出素子。
（４）電子放出層が少なくとも電子引出し用の導電体層
に対面するエッジ部を有する請求項１ないし３のいずれ
かに記載の電子放出素子。