JPH08184842A - 配線の断線修正方法並びにｔｆｔ基板及びその配線修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は、ＴＦＴ基板における少なくと
も上部配線の断線又は半断線について上部配線とほぼ同
程度の抵抗で、高信頼度で接続してＴＦＴの製品として
使用できるようにしたＴＦＴ基板及びその配線修正方法
を提供することにある。 【構成】本発明は、ＴＦＴ基板２に形成された少なくと
も上部配線の断線３０又は半断線３１の個所を検出する
断線個所検出工程と、該断線個所検出工程で検出された
少なくとも上部配線の断線３０又は半断線３１の個所に
金属錯体を含む溶液または塗膜３２、５３を供給し、こ
の供給された断線又は半断線の個所にレーザ光を照射し
て前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を、断線又
は半断線された上部配線２０の端部３５を覆って該端部
３５の間に連続して析出させて上部配線間を接続する上
部配線接続工程とを有することを特徴とするものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置や半導体
集積回路の基板等に設けられた配線の断線修正方法並び
に液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板及びその配線の
断線修正方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来技術としては、特開平２−１９８３
８号公報において集積回路や表示装置の基板上の配線パ
ターンの断線部分の修正方法が知られている。即ち、こ
の従来技術には、配線パターンを有するガラス基板にお
いて、該配線パターンの断線欠陥個所に、比較的高温に
おいてのみ導電性物質が析出し得る組成物（金属の硝酸
塩、例えば硝酸マンガン、更にはルテニウム等の有機金
属化合物）を塗布し、上記断線欠陥の近傍にレーザ光を
照射して導電性物質（低抵抗二酸化マンガン、低抵抗酸
化ルテニウム）を析出させて配線パターンを修正するこ
とが記載されている。

【０００３】また従来技術としては、特開昭５９−１７
７３５８号公報においてフォトマスクの白点欠陥を修正
する方法が知られている。即ち、この従来技術には、不
活性ガス雰囲気中においてフォトマスクの白点欠陥個所
にＣｒ，Ｍｏの金属を含む有機金属溶液の液滴を付着さ
せ、この付着個所にレーザ光を照射してＣｒ，Ｍｏの金
属薄膜を堆積させて白点欠陥を修正することが記載され
ている。

【０００４】また従来技術としては、特開平２−１０１
１８８号公報においてプリント基板の断線したＣｕ回路
パターンを修正する方法が知られている。即ち、この従
来技術には、プリント基板の断線したＣｕ回路パターン
の端部をナイフにより基板に対して斜めにカット成形
し、この端部を含む被めっき部分にめっき液を供給し、
該めっき液にレーザ光を照射してめっきすることが記載
されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置や半導体
集積回路素子に代表される回路基板上に設けられた回路
配線は、通常ホトレジストの塗布−露光−現像−エッチ
ング−レジストの剥離と言った一連のプロセスによって
製造されるため、このプロセス中で発生する異物等に起
因して配線の断線不良が発生していた。一方、前記回路
配線は、表示性能や集積度の向上に伴って微細になって
きている。

【０００６】しかしながら、上記何れの従来技術におい
ても、実際の製品として使用できるように、回路とほぼ
同様な機能、同様な抵抗値で、且つ高信頼度で微細な配
線の断線個所を接続しようとする課題については、充分
考慮されていなかった。

【０００７】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
微細な配線の断線又は半断線個所を、配線とほぼ同程度
の抵抗で、しかも高信頼度で接続して、実際の製品とし
て使用できるようにした配線の断線修正方法を提供する
ことにある。

【０００８】また本発明の他の目的は、ＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）基板における少なくとも上部配線の断線又
は半断線について上部配線とほぼ同程度の抵抗で、しか
も高信頼度で接続してＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の製
品として使用できるようにしたＴＦＴ基板及びその配線
修正方法を提供することにある。

【０００９】また本発明の他の目的は、ＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）基板において保護膜が被覆された後、少な
くとも上部配線の断線又は半断線について上部配線とほ
ぼ同程度の抵抗で、しかも高信頼度で接続してＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）の製品として使用できるようにし
たＴＦＴ基板の配線修正方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、配線が断線又は半断線した断線又は半断
線個所に金属錯体を含む溶液または塗膜を供給し、この
供給された断線又は半断線個所にレ−ザ光を照射して前
記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を前記断線又は
半断線された配線の端部を覆って該端部の間に連続して
析出させて前記配線の間を接続することを特徴とする配
線の断線修正方法である。

【００１１】また本発明は、配線が断線又は半断線した
断線又は半断線個所に金属錯体を含む溶液または塗膜を
供給し、この供給された断線又は半断線個所にレ−ザ光
を照射して前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜
を、前記断線又は半断線された配線の端部を覆って該端
部の間に前記金属薄膜と前記端部との間の接触抵抗が３
００Ω以下にして連続して析出させて前記配線の間を接
続することを特徴とする配線の断線修正方法である。ま
た本発明は、前記配線の断線修正方法において、前記金
属薄膜の膜厚を、前記配線の膜厚より薄くしたことを特
徴とする。

【００１２】また本発明は、断線又は半断線個所におい
て断線又は半断線した対向する各配線の端部の表面を不
活性ガスまたは還元性ガスの雰囲気で処理して汚染物質
若しくは酸化物を除去する除去工程と、該除去工程で除
去された各配線の端部を含めて断線又は半断線個所に金
属錯体を含む溶液または塗膜を供給し、この供給された
断線又は半断線個所にレ−ザ光を照射して前記金属錯体
の熱分解反応により金属薄膜を前記断線又は半断線され
た配線の端部を覆って該端部の間に連続して析出させて
前記配線の間を接続する配線接続工程とを有することを
特徴とする配線の断線修正方法である。

【００１３】また本発明は、断線又は半断線個所におい
て断線又は半断線した対向する各配線の端部の表面に対
して傾斜面を形成する傾斜面形成工程と、該傾斜面形成
工程で形成された傾斜面を有する各配線の端部を含めて
断線又は半断線個所に金属錯体を含む溶液または塗膜を
供給し、この供給された断線個所にレ−ザ光を照射して
前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を、前記端部
の傾斜面を覆って該端部の間に連続して析出させて前記
配線の間を接続する配線接続工程とを有することを特徴
とする配線の断線修正方法である。

【００１４】また本発明は、ＴＦＴ基板に形成された少
なくとも上部配線の断線又は半断線個所を検出する断線
個所検出工程と、該断線個所検出工程で検出された少な
くとも上部配線の断線又は半断線個所に金属錯体を含む
溶液または塗膜を供給し、この供給された断線又は半断
線個所にレ−ザ光を照射して前記金属錯体の熱分解反応
により金属薄膜を前記断線又は半断線された上部配線の
端部を覆って該端部の間に連続して析出させて前記上部
配線の間を接続する上部配線接続工程とを有することを
特徴とするＴＦＴ基板の配線修正方法である。

【００１５】また本発明は、ＴＦＴ基板に形成された少
なくとも上部配線の断線又は半断線個所を検出する断線
個所検出工程と、該断線個所検出工程で検出された少な
くとも上部配線の断線又は半断線個所に金属錯体を含む
溶液または塗膜を、隣接する画素電極と離間するように
供給し、この供給された断線又は半断線個所にレ−ザ光
を照射して前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜
を、前記断線又は半断線された上部配線の端部を覆って
該端部の間に連続して析出させて、隣接する画素電極と
離間させた状態で前記上部配線の間を接続する上部配線
接続工程とを有することを特徴とするＴＦＴ基板の配線
修正方法である。

【００１６】また本発明は、ＴＦＴ基板に形成された少
なくとも上部配線の断線又は半断線個所を検出する断線
個所検出工程と、該断線個所検出工程で検出された少な
くとも上部配線の断線又は半断線個所に金属錯体を含む
溶液または塗膜を供給し、この供給された断線又は半断
線個所にレ−ザ光を照射して前記金属錯体の熱分解反応
により金属薄膜を、前記断線又は半断線された上部配線
の端部を覆って該端部の間に前記金属薄膜と前記端部と
の間の接触抵抗が３００Ω以下にして連続して析出させ
て前記上部配線の間を接続する上部配線接続工程とを有
することを特徴とするＴＦＴ基板の配線修正方法であ
る。

【００１７】また本発明は、ＴＦＴ基板に形成された少
なくとも上部配線の断線又は半断線個所を検出する断線
個所検出工程と、該断線個所検出工程で検出された少な
くとも上部配線の断線又は半断線個所において断線した
対向する各上部配線の端部の表面に対して傾斜面を形成
する傾斜面形成工程と、該傾斜面形成工程で形成された
傾斜面を有する各上部配線の端部を含めて断線又は半断
線個所に金属錯体を含む溶液または塗膜を供給し、この
供給された断線又は半断線個所にレ−ザ光を照射して前
記金属錯体の熱分解反応により前記上部配線の厚さより
薄い金属薄膜を、前記断線された上部配線の端部を覆っ
て該端部の間に連続して析出させて前記上部配線の間を
接続する上部配線接続工程とを有することを特徴とする
ＴＦＴ基板の配線修正方法である。

【００１８】また本発明は、前記ＴＦＴ基板の配線修正
方法において、前記上部配線接続工程における金属薄膜
を、Ａｌ配線で形成された上部配線に対して低抵抗接続
可能なＰｄまたはＡｕまたは白金を主成分とすることを
特徴とする。また本発明は、前記ＴＦＴ基板の配線修正
方法において、前記金属錯体を溶液または塗膜が、少な
くともパラジウム錯体（例えば、トリフルオロ酢酸パラ
ジウム（Ｐｄ（ＣＦ₃ＣＯＯ）₂）、又はペンタフルオロ
プロピオン酸パラジウム（Ｐｄ（ＣＦ₃ＣＦ₂ＣＯ
Ｏ）₂）を主成分とすることを特徴とする。

【００１９】また本発明は、ＴＦＴ基板に形成された少
なくとも上部配線（上層配線）の断線又は半断線個所を
検出する断線個所検出工程と、該断線個所検出工程で検
出された少なくとも上部配線の断線又は半断線個所にＣ
ＶＤガスを供給し、この供給された断線又は半断線個所
に集束されたエネルギビームを照射して金属薄膜を前記
断線又は半断線された上部配線の端部を覆って該端部の
間に連続して析出させて前記上部配線の間を接続する上
部配線接続工程とを有することを特徴とするＴＦＴ基板
の配線修正方法である。

【００２０】また本発明は、ＴＦＴ基板に形成された少
なくとも上部配線（上層配線）の断線又は半断線個所を
検出する断線個所検出工程と、該断線個所検出工程で検
出された少なくとも上部配線の断線又は半断線個所にＣ
ＶＤガスを供給し、この供給された断線又は半断線個所
に集束されたエネルギビームを照射して金属薄膜を前記
断線又は半断線された上部配線の端部を覆って該端部の
間に連続して隣接した画素電極と離間させて析出させて
前記上部配線の間を接続する上部配線接続工程とを有す
ることを特徴とするＴＦＴ基板の配線修正方法である。

【００２１】また本発明は、ＴＦＴ基板に形成された少
なくとも上部配線（上層配線）の断線又は半断線個所を
検出する断線個所検出工程と、該断線個所検出工程で検
出された少なくとも上部配線の断線又は半断線個所に被
覆された保護膜に対してエネルギービームを照射して該
断線又は半断線個所における上部配線の端部を露出させ
る穿孔工程と、該穿孔工程で保護膜に穿孔された断線又
は半断線個所に金属錯体を含む溶液または塗膜を供給
し、この供給された断線又は半断線個所にレ−ザ光を照
射して前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を前記
断線又は半断線された上部配線の端部を覆って該端部の
間に連続して析出させて前記上部配線の間を接続する上
部配線接続工程とを有することを特徴とするＴＦＴ基板
の配線修正方法である。

【００２２】本発明は、ＴＦＴ基板に形成された少なく
とも上部配線の断線又は半断線個所を検出する断線個所
検出工程と、該断線個所検出工程で検出された少なくと
も上部配線の断線又は半断線個所に被覆された保護膜に
対してエネルギービームを照射して該断線又は半断線個
所における上部配線の端部を露出させる穿孔工程と、該
穿孔工程で保護膜に穿孔された断線又は半断線個所に金
属錯体を含む溶液または塗膜を、隣接する画素電極と離
間するように供給し、この供給された断線又は半断線個
所にレ−ザ光を照射して前記金属錯体の熱分解反応によ
り金属薄膜を、前記断線又は半断線された上部配線の端
部を覆って該端部の間に連続して析出させて、隣接する
画素電極と離間させた状態で前記上部配線の間を接続す
る上部配線接続工程とを有することを特徴とするＴＦＴ
基板の配線修正方法である。

【００２３】また本発明は、ＴＦＴ基板に形成された少
なくとも上部配線の断線又は半断線個所を検出する断線
個所検出工程と、該断線個所検出工程で検出された少な
くとも上部配線の断線又は半断線個所に被覆された保護
膜に対してエネルギービームを照射して該断線又は半断
線個所における上部配線の端部を露出させる穿孔工程
と、該穿孔工程で保護膜に穿孔された断線又は半断線個
所に金属錯体を含む溶液または塗膜を供給し、この供給
された断線又は半断線個所にレ−ザ光を照射して前記金
属錯体の熱分解反応により金属薄膜を前記断線又は半断
線された上部配線の端部を覆って該端部の間に連続して
析出させて前記上部配線の間を接続する上部配線接続工
程と、該上部配線接続工程によって接続された金属薄膜
の上に保護膜を被覆する保護膜被覆工程とを有すること
を特徴とするＴＦＴ基板の配線修正方法である。

【００２４】また本発明は、ＴＦＴ基板に形成された上
部配線（上層配線）の断線又は半断線個所を、断線又は
半断線された上部配線（ドレイン配線）の端部を覆って
該端部の間に連続して析出された金属薄膜で前記上部配
線（ドレイン配線）の間を接続して構成したことを特徴
とするＴＦＴ基板である。また本発明は、ＴＦＴ基板に
形成されたＡｌの上部配線（上層配線）の断線又は半断
線個所を、断線又は半断線された上部配線（ドレイン配
線）の端部を覆って該端部の間に連続して析出された低
抵抗接続可能なＰｄまたはＡｕまたは白金を主成分とす
る金属薄膜で前記上部配線（ドレイン配線）の間を接続
して構成したことを特徴とするＴＦＴ基板である。また
本発明は、ＴＦＴ基板に形成されたＡｌの上部配線（上
層配線）の断線又は半断線個所を、断線又は半断線され
た上部配線の端部を覆って該端部の間に連続して析出さ
れ、隣接した画素電極と離間した金属薄膜で前記上部配
線の間を接続して構成したことを特徴とするＴＦＴ基板
である。また本発明は、ＴＦＴ基板に形成されたＡｌの
上部配線（上層配線）の断線又は半断線個所を、断線又
は半断線された上部配線の端部を覆って該端部の間に連
続して析出され、前記上部配線の幅の４倍より狭くして
隣接した画素電極と離間した金属薄膜で前記上部配線の
間を接続して構成したことを特徴とするＴＦＴ基板であ
る。また本発明は、ＴＦＴ基板に形成されたＡｌの上部
配線（上層配線）の断線又は半断線個所を、断線又は半
断線された上部配線の端部を覆って該端部の間に連続し
て析出された金属薄膜で前記上部配線の間を該金属薄膜
と前記端部との間の接触抵抗が３００Ω以下にして接続
して構成したことを特徴とするＴＦＴ基板である。

【００２５】また本発明は、ＴＦＴ基板に形成された上
部配線（上層配線）の断線又は半断線個所を、断線又は
半断線された上部配線の傾斜面を有する端部を覆って該
端部の間に連続して析出された前記上部配線の厚さより
薄い金属薄膜で前記上部配線の間を接続して構成したこ
とを特徴とするＴＦＴ基板である。

【００２６】また本発明は、ＴＦＴ基板に形成された上
部配線（上層配線）の断線又は半断線個所を、断線又は
半断線された上部配線の端部を覆って該端部の間に連続
して析出された金属薄膜で前記上部配線の間を接続して
構成し、該金属薄膜の上を保護膜で被覆したことを特徴
とするＴＦＴ基板である。

【００２７】また本発明は、前記ＴＦＴ基板を備えた液
晶表示装置である。

【００２８】

【作用】上記構成により、例えば、液晶表示装置に用い
られるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板を製造する際、
特に成膜プロセス、エッチングプロセスなどにおいて異
物などの付着によって発生した上部配線（上層配線）の
断線又は半断線個所を、隣接した画素電極に影響を及ぼ
すことなく、正常な上部配線とほぼ等しい抵抗でもって
金属薄膜で接続して修正することを簡便に、確実に実行
することができる。その結果、ＴＦＴ基板を廃棄するこ
となく、歩留まりを著しく向上させることができる。

【００２９】特に、ＴＦＴ基板において、下部配線（ゲ
ート配線）は、ガラス基板上に最初に形成した膜をエッ
チングによりパターンを形成する関係で、下部配線の断
線又は半断線について修復するのも容易である。しか
し、ＴＦＴ基板において、上部配線（上層配線）につい
ては、画素電極、薄膜トランジスタ、ソース電極も形成
され、ほぼ完成された状態であるため、上部配線の断線
又は半断線については、隣接した画素電極に影響を及ぼ
すことなく、しかも液晶表示装置として画素の明るさに
差が生じないように、正常な上部配線の抵抗値から著し
く増加させないで、高信頼度で上部配線の断線又は半断
線を接続する必要がある。しかも、ＴＦＴ基板は、非常
に大きなものである。本発明は、このような非常に大き
なＴＦＴ基板において、特に上部配線（上層配線）の断
線又は半断線について修正を簡便に、且つ高信頼度で可
能にしたものである。

【００３０】また本発明は、例えばトリフルオロ酢酸パ
ラジウム錯体若しくはペンタフルオロプロピオン酸パラ
ジウム錯体などの金属錯体をアセトニトリル、トルエ
ン、アルコールなどの有機溶媒に溶かし込んだ有機溶媒
溶液を微量、断線又は半断線個所に局所的に供給し、こ
れにレーザ光を照射して熱分解反応によって析出させた
Ｐｄなどの金属薄膜の膜厚Ｈm は、供給された有機溶媒
溶液の厚さＨl に対して約１／ｋ（ｋ＝Ｈm／Ｈl）のよ
うに非常に薄くなる。このｋは、有機溶媒溶液に含まれ
るＰｄなどの金属の割合で決まってくる。また有機溶媒
溶液を断線又は半断線個所に局所的に供給した際の広が
りは、有機溶媒溶液の粘性で決まってくる。そこで、本
願発明は、有機溶媒溶液の粘性を高めて有機溶媒溶液を
断線又は半断線個所に局所的に供給した際の広がりを減
少させるか、或いは有機溶媒溶液に含まれるＰｄなどの
金属の割合を増大させて供給された有機溶媒溶液の厚さ
Ｈlに対するＰｄなどの金属薄膜の膜厚Ｈmの減少を小さ
くして例えば上部配線膜厚と同程度若しくはそれ以上の
膜厚にするか、或いは断線又は半断線した個所の上部配
線の端部に近似テーパ形状を施すかによって熱分解反応
によって析出させたＰｄなどの金属薄膜の破断若しくは
破断に近い状態、即ち、抵抗値が１００ｋΩ以上から数
ＭΩになることをなくして接触抵抗を含めて上部配線の
終端抵抗を目標である約０．１ｋΩ〜１ｋΩ（最大約１
ｋΩ）を実現することができる。

【００３１】即ち、本発明は、ＴＦＴ基板における上部
配線の断線又は半断線個所に金属錯体を含む溶液または
塗膜を供給し、該供給された金属錯体を含む溶液または
塗膜にレーザ光を照射して熱分解反応によって金属薄膜
を析出させて配線間を接続する際、上部配線に隣接した
画素電極および薄膜トランジスタと接触することなく、
しかも破断若しくは破断に近い状態にすることなく、接
触抵抗を小さくして高信頼度で接続することができる。

【００３２】また高密度プリント基板においても、断線
又は半断線個所に隣接した他の配線パターンが存在し、
しかも配線パターンの厚さが１．０μｍに近いものがあ
り、更に接触抵抗も含めてできるだけ配線パターンの抵
抗値に近ずける必要がある。そのため、本発明は、高密
度プリント基板における配線パターンの断線又は半断線
の修正においても、有益である。

【００３３】

【実施例】本発明に係わる配線の断線修正方法並びにＴ
ＦＴ（Thin Film Transistor）基板及びその配線修正方
法の実施例を図面を用いて具体的に説明する。

【００３４】まず、ＴＦＴ基板２について、図２を参照
して説明する。２８はガラス基板である。２１はガラス
基板２８上に形成されたゲート配線である。このゲート
配線２１は、スパッタリングによりＡｌ薄膜が形成さ
れ、ホトリソ及びエッチングによりパターンニングされ
るが、この時異物付着等によって断線または半断線が生
じるが、ガラス基板２８上であるため、この断線または
半断線は容易に修正することは可能である。次に、この
ゲート配線２１上をゲート絶縁膜（Ａｌ₂Ｏ₃）２５で被
覆される。そして、ガラス基板２８の上及びゲート絶縁
膜２５の上をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）に
よってゲート絶縁膜（ＳｉＮ）２６で被覆される。この
ゲート絶縁膜２６上に画素電極２４が形成される。更に
ゲート絶縁膜２６上のＴＦＴ部に半導体膜（ａ−Ｓｉ）
２３が形成される。このＴＦＴ部の半導体膜２３と画素
電極２４とが、ソース電極（Ａｌ／Ｃｒ）２２で接続さ
れる。更にＴＦＴ部の半導体膜２３と接続されたドレイ
ン配線（上部配線（上層配線）、データ配線）（Ａｌ／
Ｃｒ）２０がゲート配線２１とクロスするように形成さ
れる。このドレイン配線（上部配線（上層配線）、デー
タ配線）２０は、膜厚Ｈt が０．２〜０．３μｍで、幅
Ｗが約１０μｍであり、スパッタリングによりＡｌ／Ｃ
ｒ薄膜が形成され、ホトリソ及びエッチングによりパタ
ーンニングされるため、この時異物付着等によって断線
３０または半断線３１が生じる。そしてドレイン配線２
０は、約２０μｍの間隔で隣接して画素電極２４を配設
している。このＴＦＴ部は、ＣＶＤによって保護膜（Ｓ
ｉＮ）２７が形成される。更にこの保護膜２７上にポリ
イミドの配向膜が形成されている。そしてこのＴＦＴ基
板の上に液晶及びカラーフィルタと組み合わされて液晶
表示装置が構成される。

【００３５】本発明は、ＴＦＴ基板２には図２に示す構
成と異なる種類のものがあり、その場合特に配線の内、
積み重ねられた上部配線（上層配線）（図２に示す構成
の場合は、ドレイン配線２０に相当する。）２０に生じ
た断線３０及び半断線３１を修正することが有益であ
る。それは積み重ねられるとＴＦＴ基板の最終製品に近
づくからである。まず、ＴＦＴ基板２において、上部配
線（上層配線）（ドレイン配線：データ配線）２０が保
護膜２７で被覆される前に、上部配線（ドレイン配線）
２０において発生した断線３０または半断線３１の修正
について説明する。

【００３６】即ち、図１は、金属錯体溶液または塗膜を
用いて、ＴＦＴ基板の上部配線（上層配線）における断
線又は半断線個所を接続する装置構成を示す概略図であ
る。１は、ＴＦＴ基板２を保持してＸ−Ｙ軸及びθ（回
転）軸方向に移動できるように構成されたステージであ
る。２はＴＦＴ基板である。４は、先端径を１μｍ〜２
μｍに絞り込んだマイクロシリンジまたはキャピラリを
有する金属錯体供給部で、トリフルオロ酢酸パラジウム
錯体若しくはペンタフルオロプロピオン酸パラジウム錯
体などの金属錯体をアセトニトリル、トルエン、アルコ
ールなどの有機溶媒に溶かし込んだ微量（約１×１０~
¹²リットル）の有機溶媒溶液３２を、ＴＦＴ基板２上の
上部配線２０の断線又は半断線個所に供給するものであ
る。上記金属錯体供給部４は、上記金属錯体を含む微量
の塗膜をＴＦＴ基板２上の上部配線２０の断線又は半断
線個所に供給するものであってもよい。上記金属錯体供
給部４は、微量の有機溶媒溶液３２を、ＴＦＴ基板２上
の上部配線２０の断線又は半断線個所に正確に位置決め
して供給するために、先端位置をレーザ光の照射光軸に
対して調整制御できるように微動ステージ４ａ上に設置
されている。５はＹＡＧレーザ光源で、上部配線の断線
個所の端部を加工するＹＡＧレーザ光を出射するもので
ある。６はアルゴンレーザ光源で、上部配線２０の断線
又は半断線個所に供給された有機溶媒溶液３２に照射し
て熱分解反応により金属薄膜を析出させるレーザ光を出
射するものである。７は上部配線２０の断線又は半断線
個所に不活性ガスまたは還元性ガスを供給するノズル７
ａを有する不活性ガスまたは還元性ガス供給部である。
８はＴＦＴ基板２の表面を観察するための光源である。
９は、レーザ光を集光させるための集光レンズである。
１０は可変開口絞りで、上部配線２０の断線又は半断線
個所に応じてＴＦＴ基板２の表面に投影されるレーザ光
の光束を調整するものである。１１はＴＶカメラで、Ｔ
ＦＴ基板２の表面、ＴＦＴ基板２の表面に投影されるレ
ーザ光の光束及び金属錯体供給部の先端を観察するため
に画像を取り込むものである。１２は、ＴＶカメラ１１
で撮像された画像を表示するＴＶモニタである。１３
は、キーボードやマウスやディスクや通信手段等で構成
された入力手段であリ、ＴＦＴ基板における上部配線２
０の断線又は半断線個所の位置データおよびＴＦＴ基板
における上部配線２０の設計データ（基準パターンデー
タ）等が入力される。特に、ＴＶモニタ１２に表示され
る上部配線２０の断線又は半断線の大きさに応じて金属
錯体供給部４から供給される溶液または塗膜の量を変更
する場合には、入力手段１３を用いて入力する。１４は
制御装置で、入力手段１３で入力されるデータ（情報）
及びＴＶカメラ１１から得られる画像情報に基づいて、
ステージ１、金属錯体供給部４、微動ステージ４ａ、Ｙ
ＡＧレーザ光源５、アルゴンレーザ光源６及び不活性ガ
スまたは還元性ガス供給部７等を制御するものである。

【００３７】図示していないが、上部配線２０とゲート
配線２１との間または上部配線２０において導通試験、
導通検査、場合によっては目視検査によって上部配線２
０の断線３０又は半断線３１の個所を検出し、その概略
座標（画素位置）データおよび断線の種類のデータをデ
ィスク等に記憶させる。このディスクを上記入力手段１
３で入力することによって、制御装置１４によって制御
されてステージ１が移動されて、上部配線２０の断線３
０又は半断線３１の個所がほぼレーザ光照射光軸の位置
に位置決めされる。更に、ＴＶカメラ１１で撮像される
画像信号に基づいて制御装置１４は、ステージ１を微動
させて上部配線２０の断線３０又は半断線３１の個所を
正確に位置決めする。また照射されるレーザ光束の調整
を可変開口絞り１０で行う。これをＴＶカメラ１１で撮
像される可変開口絞り１０の画像及びＴＦＴ基板の表面
の画像とに基づいて制御装置１４が自動的に可変開口絞
り１０を制御してもよい。

【００３８】次に修正方法について説明する。

【００３９】先ず、図３に示すように、上記のように正
確に位置決めされたＴＦＴ基板２における上部配線２０
の断線３０又は半断線３１の個所の近傍に、不活性ガス
または還元性ガス供給部７に設けたノズル７ａから窒素
ガスまたはアルゴンガス等の不活性ガスあるいは水素ガ
ス等の還元性ガスを所定量供給しながら、断線３０又は
半断線３１の上部配線（Ａｌ配線）２０の各端部３５
に、ＹＡＧレーザ光源５から出射されたＹＡＧレーザ光
４０を、集光レンズ９により集光ＹＡＧレーザ光３４と
して例えば上部配線２０の幅より細く集光してガルバノ
ミラー（図示せず）の回転またはテーブル１の移動によ
って走査して照射し、断線３０又は半断線３１の上部配
線（Ａｌ配線）２０の各端部３５の一部を飛散・除去す
ることによって、図３（ａ）（ｂ）に示す状態から図３
（ｃ）（ｄ）に示す状態へと各端部３５を近似テーパ形
状（角部に丸みを付けた形状）３６に加工する。ＹＡＧ
レーザ光源５から出射されるＹＡＧレーザ光４０の出力
や照射時間等を制御装置１４によって制御することによ
って前記所望の近似テーパ形状を得ることができる。こ
の近似テーパ形状は、図８（ｃ）（ｄ）に示すように、
析出されたＰｄ等の金属薄膜が破断（断切れ）若しくは
破断に近い状態をなくすためであり、上側の角部に丸み
が付いた形状に形成されても良いことは明らかである。
なお、レーザ光による近似テーパ形状の加工は、あくま
でも熱加工であるため、０．２μｍ〜０．３μｍの膜厚
Ｈt を有する薄膜上部配線（Ａｌ配線）２０の端部３５
の上側の角部に丸みが付いた形状に加工することは可能
である。しかし、この近似テーパ形状３６を厳密に加工
するには、例えば液体金属イオン源から発した高輝度イ
オンを静電光学系で集束させて必要に応じて偏向電極で
偏向走査してスパッタリング加工又はドライエッチング
加工若しくはアシストドライエッチング加工を用いれば
良い。集束イオンビームを一括投影して加工する場合に
は、可変マスキング技術が必要になる。即ち、断線３０
又は半断線３１の上部配線（Ａｌ配線）２０の各端部３
５において近似テーパ形状３６に加工するのは、ＹＡＧ
レーザ光以外で、物理的手段や化学的手段等を用いても
良い。

【００４０】しかる後、正確に位置決めされたＴＦＴ基
板２における上部配線２０の断線３０又は半断線３１の
個所（近似テーパ形状３６に加工された端部３５を含め
て）（Ａｌ配線、配線幅：１０μｍ、配線の厚み：０．
２〜０．３μｍ、断線部分の長さ：約１０〜２０μｍ）
に、例えばトリフルオロ酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＣＦ₃
ＣＯＯ）₂）錯体をアセトニトリル溶液に溶かし込んだ
金属錯体溶液３２を、先端径を１μｍ〜２μｍに絞り込
んだマイクロシリンジまたはキャピラリを有する金属錯
体供給部４より図４（ａ）（ｂ）に示すように所定量
（微量）だけ供給（塗布）する（図６に示すように、金
属錯体溶液３２は、Ｐｄ膜と上部配線（Ａｌパターン）
との間において接触長さｔが２μｍになるように供給す
ることが良い。）。この供給量（塗布量）は、金属錯体
溶液３２の濃度、塗布条件、断線の大きさ等によって手
動または入力手段１３からの入力情報若しくはＴＶカメ
ラ１１からの画像情報に基づく制御装置１４からの指令
で調整または制御するが、本実施例では、トリフルオロ
酢酸パラジウム錯体２０〜３０ｗｔ％を含むアセトニト
リル溶液（金属錯体溶液、有機溶媒溶液）３２を約１×
１０~¹²リットルだけ近似テーパ形状３６の端部３５を
含めて断線３０の個所に供給（塗布）した。この時、金
属錯体溶液３２の塗膜を自然乾燥または５０℃程度の温
度で０．５〜１時間のプレアニール処理（ベーキング処
理）を行なって皮膜状態にした後、段差計を用いて測定
したところ、金属錯体溶液（有機溶媒溶液）３２の塗膜
の厚さＨlは約１．０〜１．５μｍであった。この金属
錯体溶液（有機溶媒溶液）３２の広がりＲは、隣接した
画素電極２４に対して余裕をもって接触しない大きさで
ある４０μｍ以下にすることができる。なお、ＴＦＴ基
板２における上部配線２０の断線３０又は半断線３１の
個所の近傍には、図２に示すように画素電極２４が存在
し、配線幅が１０μｍ、断線部分の長さが約１０〜２０
μｍであるため、金属錯体溶液３２の塗布量および塗布
の位置決め量を含めて±５μｍ以下のバラツキにするこ
とが必要である。従って、制御装置１４による金属錯体
供給部４から１回に供給される塗布量の制御および上部
配線２０の断線３０又は半断線３１の個所に対する金属
錯体供給部４の先端の位置決めの制御が重要である。ま
た後で詳述するが、本発明においては、金属錯体供給部
４から供給（塗布）する金属錯体溶液（有機溶媒溶液）
３２に含有するＰｄ等の薄膜金属の含有率（供給された
金属錯体溶液（有機溶媒溶液）の厚さＨl に対するレー
ザ光を照射して熱分解反応によって析出させたＰｄなど
の金属薄膜の膜厚Ｈm の比率ｋ＝Ｈm／Ｈlを決定す
る。）と金属錯体溶液３２の粘性（供給された金属錯体
溶液（有機溶媒溶液）の広がりＲに対する金属錯体溶液
の厚さＨl を決定する。）とが重要である。

【００４１】次に正確に位置決めされたＴＦＴ基板２に
おける上部配線２０の断線３０又は半断線３１の個所
（金属錯体溶液（有機溶媒溶液）３２の塗膜上）に、ア
ルゴンレーザ光源６より出射されたアルゴンレーザ光４
１を、集光アルゴンレーザ光３７として集光レンズ９で
集光し、ガルバノミラー（図示せず）の回転またはテー
ブル１の移動によって走査して照射し、図４（ｃ）
（ｄ）に示すように、熱分解反応によって約０．０８〜
０．１５μｍの膜厚Ｈm を有するＰｄなどの薄膜金属３
８を、断線３０又は半断線３１の個所において上部配線
２０の端部３５を覆ってこの端部３５の間に連続して析
出させて上部配線２０の間を電気的に接続する。この
時、投影される集光レーザ光束の調整制御は、可変絞り
開口１０を手動又は制御装置１４によって行う。アルゴ
ンレーザ光の出力は金属錯体溶液３２の塗布量、照射面
積などを考慮して決めるが、本実施例では、アルゴンレ
ーザ光源６より照射したアルゴンレーザ光４１を４０倍
の集光レンズ（対物レンズ）９を用いて縮小投影し、断
線部分に塗布した金属錯体溶液または塗膜３２に数〜数
１０秒間連続照射した。アルゴンレーザ光の照射強度
は、基板表面上で約１×１０⁴ｗ／ｃｍ²である。尚、ア
ルゴンレーザ光は、パルス照射であっても連続照射の場
合と同程度のレーザ光エネルギーを有すれば何ら問題な
い。なお、金属錯体溶液または塗膜３２から容易に金属
の析出をもたらすのであれば、アルゴンレーザ光以外の
レーザ光源あるいは熱源であっても構わない。図４
（ｃ）（ｄ）に示すように、アルゴンレーザ光３７を照
射した部分の金属錯体溶液または塗膜３２は加熱され、
溶媒であるアセトニトリル溶液が蒸発すると共に、金属
錯体の熱分解反応によって、Ｐｄなどの金属薄膜３８が
析出する。この時析出した金属薄膜３８の厚さＨm はア
ルゴンレーザ光３７を照射する前の金属錯体塗膜３２の
厚さＨl と比較して約１／ｋ（ｋ＝約１０〜５）に減少
し、上部配線（Ａｌ配線）２０の厚さＨt よりも薄くな
る（約０．１μｍ）場合が存在するが、金属薄膜３８と
接する上部配線（Ａｌ配線）２０の断線部分３０の端部
３５はテーパ形状３６に加工されているため、図４
（ｃ）に拡大図で示すように、析出した金属薄膜３８
は、破断若しくは破断に近い状態が生じることなく上部
配線２０の断線部３０の端部３５を十分に被覆している
ことは言うまでもない。このようにして上部配線（Ａｌ
配線）の断線部分３０に金属薄膜３８を形成したとき、
上部配線２０の両端の電気抵抗は上部配線２０と金属薄
膜３８との接触抵抗を含めて約１００Ω以下（２０〜５
０Ω程度）であって、断線部分３０が低抵抗のＰｄなど
の金属薄膜３８で結線されていることを確認した。

【００４２】即ち、図４（ｃ）に拡大して示すように、
断線３０又は半断線３１の個所における上部配線２０の
端部３５は近似テーパ形状３６に形成されているので、
Ｐｄなどの金属薄膜３８には、破断若しくは破断に近い
状態が生じることなく、接触抵抗を図６に示すように３
０〜２０Ωのように非常に低抵抗で接続することができ
る。図６からわかるようにＰｄ膜３８と上部配線（Ａｌ
パターン）２０の端部３５との間に平面で接触長さｔを
０．７μｍ以上にすれば接触抵抗を約１００Ω以下にす
ることができる。いずれにしても、金属薄膜３８の膜厚
Ｈm が約０．０８〜０．１５μｍのように、上部配線
（Ａｌパターン）２０の厚さＨt ＝約０．２〜０．３μ
ｍに対して１／２以下でも金属薄膜３８に破断若しくは
破断に近い状態がなければ、接触抵抗を約１００Ω以下
にして接続することができる。図５には、断線個所をは
さんでＬ＝０．５ｍｍの間の抵抗測定個所における抵抗
（Ｐｄ膜の抵抗）（Ω）と、上記アルゴンレーザ（波長
５１４ｎｍ）の照射エネルギ（ｋＷ／ｃｍ²）との関係
を示す。●印は接触抵抗を含まず、○印は接触抵抗を含
んだ抵抗を示す。この図５から明らかなように、照射エ
ネルギが約１０ｋＷ／ｃｍ²以上になると抵抗値が約１
００Ω以下になる。なお、接触抵抗として約２０Ωを有
する。このようにして、上部配線２０の端から端までの
目標抵抗である概略０．１ｋΩ〜１ｋΩ（最大約１ｋ
Ω）を十分満足させて断線３０または半断線３１を上部
配線（Ａｌパターン）２０の厚さＨt よりも薄いＰｄな
どの金属薄膜３８で、隣接した画素電極２４と離間させ
て確実に高信頼度で接続することができる。

【００４３】本実施例で述べたトリフルオロ酢酸パラジ
ウム錯体（Ｐｄ（ＣＦ₃ＣＯＯ）₂）は、フッ素原子を含
むカルボン酸を配位子としており、分子間力が小さいた
めにアモルファス状の均一な膜になり易く、また有機成
分が少ないので析出した膜は緻密で、低抵抗の膜になり
易く、断線又は半断線した上部配線を低抵抗で接続する
ことができる。また、トリフルオロ酢酸パラジウム錯体
は、アセトニトリル、トルエン、アルコールなどの有機
溶媒に溶かして微量をマイクロシリンジまたはキャピラ
リを有する金属錯体供給部４より供給（塗布）すること
ができる。

【００４４】次に、比較のために断線３０又は半断線３
１の個所において上部配線２０の端部３５に近似テーパ
形状の加工を施さない場合について説明する。即ち、有
機溶媒溶液３２を、例えば先端径を１μｍ〜２μｍに絞
り込んだマイクロシリンジまたはキャピラリを有する金
属錯体供給部４から微量（約１×１０~¹²リットル）供
給しやすくするため、有機溶媒を７０〜８０ｗｔ％にし
て粘性を非常に低くし、且つ金属の含有量も低くして
（例えばトリフルオロ酢酸パラジウム錯体２０〜３０ｗ
ｔ％を含むアセトニトリル溶液）、上記マイクロシリン
ジまたはキャピラリにより断線３０又は半断線３１の個
所に供給した場合、図８（ａ）（ｂ）に示すように、有
機溶媒溶液３２の広がりＲはその厚さＨl の約１０倍程
度以上となる。ところが、例えばＴＦＴ基板において
は、図２に示すように、幅が約１０μｍで、厚さが０．
２〜０．３μｍの上部配線（Ａｌ配線）２０に隣接して
画素電極２４が約２０μｍ離間して存在する。従って、
上記有機溶媒溶液３２が広がっても画素電極２４および
薄膜トランジスタ２３から離すためには、有機溶媒溶液
３２の広がりＲを約４０μｍ以下にする必要がある。こ
のように、有機溶媒溶液３２の広がりＲを約４０μｍ以
下にすると厚さＨl が約１μｍ程度になる。そして、こ
の有機溶媒溶液３２に対して幅が４０μｍ以下で長さが
約４０μｍの領域にアルゴンレーザ光を照射して熱分解
反応によって析出されたパラジウム等の金属薄膜３３は
図８（ｃ）（ｄ）に示すように形成され、上層配線２０
の０．２μｍ〜０．３μｍの膜厚Ｈt に対して上記金属
薄膜３３の膜厚Ｈm が０．１μｍ程度と非常に薄くな
り、図８（ｃ）の断面拡大図に示すようにドレイン線２
０の断線したエッジ部分において金属薄膜３３が破断若
しくは破断に近い状態になり、即ち、抵抗値が１００ｋ
Ω以上から数ＭΩとほぼ破断若しくは破断に近い状態に
なることが確認された。即ち、上部配線（Ａｌ配線）２
０とＰｄなどの金属薄膜３３との境界部分を顕微鏡を用
いて詳細に観察すると、この部分においてはＰｄなどの
金属薄膜３３の厚さが極めて薄いか若しくは金属薄膜の
析出が十分に行われておらず、破断若しくは破断に近い
状態であることが判明した。

【００４５】しかし、前記実施例に示すように、断線３
０又は半断線３１の個所において上部配線２０の端部３
５に近似テーパ形状３６を形成することによって、集束
されたアルゴンレーザ光３７が塗膜された金属錯体溶液
（有機溶媒溶液）３２に一様な強度で照射されて熱分解
反応により一様な厚さの金属薄膜３８が析出され、図６
に示すように接触抵抗が約２０Ω〜３０Ωで上部配線の
間を接続することができる。即ち、図８（ｃ）に示すよ
うな破断若しくは破断に近い状態をみることができなか
った。

【００４６】次に、アルゴンレーザ光を照射しない部分
の金属錯体塗布膜３２も、伝熱によって多少広がって加
熱されるが、金属錯体の熱分解反応までは進まず、その
部分の金属錯体塗布膜は非導通状態を保持する。しか
し、前記熱分解反応まで進まない部分はたとえ室温程度
の温度であっても、長期間の間に金属錯体の分解→金属
析出の反応が除々に進行して隣接する画素電極２４に接
触することがありえるので、必要に応じてこの部分を除
去する。除去には、金属錯体の溶液である前述のアセト
ニトリル、トルエン、アルコールなどの溶媒で十分であ
る。

【００４７】また、前記析出されたＰｄなどの金属薄膜
３８は、光学顕微鏡あるいは電子顕微鏡で観察した結
果、Ｐｄなどの金属の連続膜であって、金属粒子の集合
体でなく、図５に示すように断線３０又は半断線３１の
個所を低抵抗で接続可能である。

【００４８】次に断線３０又は半断線３１の個所をＰｄ
などの金属薄膜３８で接続して修正した後、図４（ｅ）
に示すように、少なくとも上部配線２０の部分も含めて
ＴＦＴ部分について、ＣＶＤプロセスによって保護膜
（ＳｉＮ）２７を形成する。これによって、断線３０又
は半断線３１した上部配線２０について、修正されたＴ
ＦＴ基板２を得ることができる。

【００４９】本実施例では、金属錯体としてトリフルオ
ロ酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＣＦ₃ＣＯＯ）₂）の錯体の場
合について述べたが、ペンタフルオロピオン酸パラジウ
ム（Ｐｄ（ＣＦ₃ＣＦ₂ＣＯＯ）₂）の錯体など、フッ素
原子を含むカルボン酸のパラジウム錯体を用いても同様
の結果が得られた。また、本発明では配線材料としてア
ルミニウム配線の場合について述べたが、クロムやモリ
ブデンなどの他の金属配線の場合でも同様の効果が得ら
れることは言うまでもない。

【００５０】次に断線３０又は半断線３１した個所にお
いて上部配線２０の端部３５に近似テーパ形状３６を形
成しないで、図８に示すように金属薄膜３３を破断若し
くは破断に近い状態を防ぎ、しかも近接して配置された
画素電極２４に接触させない方法について説明する。即
ち、金属錯体供給部４から供給（塗布）される金属錯体
溶液（有機溶媒溶液）３２の粘性を高めて、金属錯体溶
液３２の広がりＲ（４０μｍ以下）に対する金属錯体溶
液（有機溶媒溶液）３２の厚さＨl を大きくする（２μ
ｍ〜３μｍ）ことによって、減少割合ｋが５〜１０であ
っても、断線３０又は半断線３１した個所に析出される
Ｐｄなどの金属薄膜３８の厚さＨm を上部配線２０の厚
さＨt ＝０．２〜０．３μｍと同程度もしくはこの厚さ
以上に厚くすることができる。また金属錯体供給部４か
ら供給（塗布）される金属錯体溶液（有機溶媒溶液）３
２に含まれるＰｄなどの金属の含有量を高めることによ
り、減少割合ｋを２〜３に小さくすることができる。そ
の結果、金属錯体溶液（有機溶媒溶液）３２の広がりＲ
（４０μｍ以下）に対する金属錯体溶液（有機溶媒溶
液）３２の厚さＨl が約１μｍのように小さくても、減
少割合ｋを２〜３にすることができたことにより、断線
３０又は半断線３１した個所に析出されるＰｄなどの金
属薄膜３８の厚さＨm を上部配線２０の厚さＨt ＝０．
２〜０．３μｍと同程度もしくはこの厚さ以上に厚くす
ることができる。このように断線３０又は半断線３１し
た個所に析出されるＰｄなどの金属薄膜３８の厚さＨm
を上部配線２０の厚さＨt ＝０．２〜０．３μｍと同程
度もしくはこの厚さ以上に厚くすることができれば、図
８（ｃ）に示すように、金属薄膜が破断若しくは破断に
近い状態を防止して、図６に示すように接触抵抗を２０
Ω〜３０Ωと小さくして上部配線２０の断線または半断
線した個所を接続することができる。

【００５１】ただし、上記のように、マイクロシリンジ
またはキャピラリを有する金属錯体供給部４から粘性を
高めた金属錯体溶液（有機溶媒溶液）３２、またはＰｄ
などの金属の含有量を高めた金属錯体溶液（有機溶媒溶
液）３２を微量（約１×１０~¹²リットル）供給（塗
布）する必要がある。即ち、マイクロシリンジまたはキ
ャピラリを有する金属錯体供給部４から、トリフルオロ
酢酸パラジウム錯体などの金属錯体（５０〜７０ｗｔ
％）をアセトニトリル、トルエン、アルコールなどの有
機溶媒（３０〜５０ｗｔ％）に溶かし込んで微量（約１
×１０~¹²リットル）供給（塗布）できればよい。その
ために、図１に示すように、例えば、キャピラリの周囲
に電源４６に接続された電磁コイル４２を備え、該電磁
コイル４２に流す電流を供給部制御装置４５で電源４６
を介して制御することにより磁気力によって粘性または
金属の含有量を高めた金属錯体溶液（有機溶媒溶液）３
２を微量供給することができる。またキャピラリの内部
に接地された内部電極４４を備え、先端近傍に電源４６
に接続された引出し電極４３を備え、前記内部電極４４
と引出し電極４３との間に電圧を引加してこの電圧を供
給部制御装置４５で電源４６を介して制御することによ
って、電荷力によって粘性または金属の含有量を高めた
金属錯体溶液（有機溶媒溶液）３２を微量供給すること
ができる。なお、供給部制御装置４５は制御装置１４と
接続され、制御装置１４からの指令に基づいて金属錯体
供給部４から供給される金属錯体溶液（有機溶媒溶液）
３２の微量等を制御するものである。

【００５２】この他、微量（約１×１０~¹²リットル）
の金属錯体溶液（有機溶媒溶液）３２を供給する方法と
しては、極細の針、あるいは棒状のスティック（先端径
φが約１０μｍ）の先端に金属錯体溶液を付着させ、そ
れを修正したい配線の断線部に転写する方法がある。金
属錯体溶液の粘度や付着させる量を調整することで上記
マイクロリッジ若しくはキャピラリを用いた場合と同程
度の溶液を供給することが可能となる。（註：極細の針
として電子顕微鏡の中で使用するようなマイクロプロー
ブ（タングステン製 最小先端径φが約０．１μｍ）が
適用できる。文献：畑村洋太郎、立体視の出来る電子顕
微鏡下のマイクロマニュピレーション、日本ロボット学
会誌 ８巻４号（１９９０）Ｐ．１１０〜Ｐ．１１３） 以上説明したように、図２に示すようにガラス基板２８
上への下部配線（ゲート配線）２１及び下部電極（ゲー
ト電極）２１の形成、絶縁膜２５、２６及び半導体膜２
３からなる薄膜トランジスタ部（ＴＦＴ部）の形成、画
素電極２４の形成、上部配線（ドレイン配線：データ配
線）２０及び上部電極（ソース電極２２、ドレイン電極
２０）の形成を行った後、配線の電気的な導通検査を、
例えば電気テスタやカーブトレーサなどを用いて行う。
この時、通常の配線抵抗に比較して異常に高い数値を示
したとき、顕微鏡若しくはパターン検査機等でその異常
部を確認し、その部分に前記した方法で金属薄膜３８を
形成し、断線部３０または半断線部３１を接続する。し
かる後、再度配線の電気的な導通検査を行って、所望の
配線抵抗を示したＴＦＴ基板２を次の工程、即ちＴＦＴ
素子上への保護膜（例えばＳｉＮ膜）２７を形成するＣ
ＶＤプロセスに投入する。これによって断線または半断
線のないＴＦＴ基板２を得ることができる。

【００５３】しかしながら、保護膜２７を形成以前に、
配線の導通検査を行うことの不都合、例えばＴＦＴ素子
の表面での汚染による特性劣化などを避けるために、保
護膜２７を形成後に配線の導通検査を行う場合もある。
このような場合、配線の修正は次のようにして行われ
る。即ち、ＴＦＴ基板２においてＴＦＴ部及び上部配線
２０の上に保護膜（ＳｉＮ）２７をＣＶＤプロセスで被
覆した後、上部配線２０に生じていた断線３０または半
断線３１を修正する方法について図７を参照して説明す
る。前記保護膜（ＳｉＮ）２７を被覆していない前に修
正する場合と同様に、図示していないが、上部配線（ド
レイン配線）２０と下部配線（ゲート配線）２１との間
または上部配線（ドレイン配線）２０において導通試
験、導通検査、場合によっては目視検査によって上部配
線２０の断線３０又は半断線３１の個所を検出し、その
概略座標（画素位置）データおよび断線の種類のデータ
をディスク等に記憶させる。このディスクを上記入力手
段１３で入力することによって、制御装置１４によって
制御されてステージ１が移動されて、上部配線２０の断
線３０又は半断線３１の個所がほぼレーザ光照射光軸の
位置に位置決めされる。更に、ＴＶカメラ１１で撮像さ
れる画像信号に基づいて制御装置１４は、ステージ１を
微動させて上部配線２０の断線３０又は半断線３１の個
所を正確に位置決めする。また照射されるレーザ光束の
調整を可変開口絞り１０で行う。これをＴＶカメラ１１
で撮像される可変開口絞り１０の画像及びＴＦＴ基板の
表面の画像とに基づいて制御装置１４が自動的に可変開
口絞り１０を制御してもよい。

【００５４】次に図７（ａ）（ｂ）に示すように、正確
に位置決めされたＴＦＴ基板２における上部配線２０の
断線３０又は半断線３１の個所の近傍に、ミラー４９を
切り替えて、エキシマレーザ光源４８から出射されたエ
キシマレーザ光（波長２４８ｎｍまたは１９３ｎｍ）５
０を集光レンズ９により集光エキシマレーザ光束５１と
して例えば上部配線の幅より細く集光してガルバノミラ
ー（図示せず）の回転またはテーブル１の移動によって
走査して（開口を一括投影する場合には走査する必要は
ない。）照射し、約０．６μｍ程度の厚さを有するＳｉ
Ｎ保護膜２７を部分的に除去して凹部５２を形成する。
除去する領域（凹部）５２は、前記可変開口絞り１０ま
たは走査量によって制限し、上部配線２０の幅が約１０
μｍで、上部配線２０のスペースが約２０μｍとすれ
ば、約２０μｍ程度の幅で配線の断線端部３５が十分に
露出する長さの領域を除去することが望ましい。このと
き、照射したエキシマレーザ光束５１によって配線自身
にダメージが生じないように、エキシマレーザの照射条
件を調整する。発明者等の実験によれば、膜厚約１μｍ
のＳｉＮ膜除去に対して出力が０．１〜１０Ｊ／ｃ
ｍ²、パルス幅が数１０〜数１００ｎｓのエキシマレー
ザ光を１〜数１０回繰り返して照射することで上部配線
を残してその上のＳｉＮ保護膜だけを昇華させて除去す
ることができる。但し、実際のＳｉＮ保護膜の厚さは、
約０．６μｍ程度につき、エキシマレーザ光の照射条件
を下げることが必要である。（この後、上部配線の断線
３０又は半断線３１の端部に図４と同様に近似テーパ形
状に形成しても良い。） 次に、図４と同様に、金属錯体供給部４から供給（塗
布）される金属錯体溶液（有機溶媒溶液）５３に含まれ
るＰｄなどの金属の含有量を高めて凹部５２からはみ出
さない程度の微量（約０．６×１０~¹²リットル＝約６
００μｍ³）を、図７（ｃ）（ｄ）に示すように、凹部
５２に供給する。このとき金属錯体溶液３２の塗膜を自
然乾燥または５０℃程度の温度で０．５〜１時間のプレ
アニール処理（ベーキング処理）を行って皮膜状にす
る。即ち、皮膜状の金属錯体溶液５３が凹部５２からは
み出さないため、Ｐｄなどの金属薄膜５４が析出されて
も隣接した画素電極２４が保護膜（ＳｉＮ）２７で被覆
されていなくても、画素電極２４に影響を及ぼすことは
ない。

【００５５】次に正確に位置決めされたＴＦＴ基板２に
おける凹部５２に埋め込まれた皮膜状の金属錯体溶液５
３に、アルゴンレーザ光源６より出射されたアルゴンレ
ーザ光４１を、集光アルゴンレーザ光３７として集光レ
ンズ９で集光し、ガルバノミラー（図示せず）の回転ま
たはテーブル１の移動によって走査して照射し、図７
（ｅ）（ｆ）に示すように、熱分解反応によって約０．
２〜０．３μｍの膜厚Ｈm を有するＰｄなどの金属薄膜
５４を、断線３０又は半断線３１の個所において上部配
線２０の端部３５を２μｍ以上の長さ覆ってこの端部３
５の間に連続して析出させて上部配線２０の間を電気的
に接続する。このとき、投影される集光レーザ光束の調
整制御は、可変絞り開口１０を手動又は制御装置１４に
よって行う。アルゴンレーザ光の出力は、金属錯体溶液
５３の塗布量、照射面積などを考慮して決めるが、本実
施例では、アルゴンレーザ光源６より照射したアルゴン
レーザ光４１を４０倍の集光レンズ９を用いて縮小投影
し、金属錯体溶液５３に数〜数１０秒間連続照射した。
アルゴンレーザ光の照射強度は、基板表面上で約１×１
０⁴ｗ／ｃｍ²である。なお、金属錯体溶液５３から容易
に金属の析出をもたらすのであれば、アルゴンレーザ光
以外のレーザ光源あるいは熱源であっても構わない。特
に、本実施例の場合、析出される金属薄膜５４の膜厚Ｈ
m を約０．２〜０．３μｍのように、上部配線２０の厚
さＨt ＝０．２〜０．３μｍと同程度以上にしたことに
より、この金属薄膜５４が破断若しくは破断に近い状態
が生じることなく、接触抵抗を図６に示すように約２０
Ω〜３０Ωの低抵抗で接続することができる。

【００５６】この後、修正部を含む配線の導通検査を行
い、所望の配線抵抗であることを確認した後、ポリイミ
ド等の有機材料をＳｉＮ膜を除去した部分に注入してべ
ーキングをして硬化させ、ＳｉＮ膜２７の表面を平坦化
を行ってから液晶封入プロセスに移す。なお、ＳｉＮ膜
を除去するためのエキシマレーザは、ＹＡＧレーザ（波
長２６６ｎｍ）を用いても良い。またＳｉＮ膜を除去す
るために、液体金属イオン源等の高輝度イオン源から照
射された集束イオンビームを照射して行うこともでき
る。

【００５７】また、前記実施例においては、金属錯体溶
液からレーザ光を照射してＰｄなどの金属薄膜を熱分解
反応によって析出させたが、断線３０又は半断線３１の
個所にＣＶＤ材料ガス（Ｃｒ（ＣＯ）₆，Ｗ（ＣＯ）₆，
Ｎｉ（ＣＯ）₄といった金属カルボニル、ＭｏＦ₆，ＷＦ
₆といったハロゲン化合物、Ａｌ（ＣＨ₃）₃，Ｃｄ（Ｃ
Ｈ₃）₂といったアルキル化合物）を、前記実施例におけ
る不活性ガスまたは還元性ガス供給部７と同様にノズル
から供給し、集束されたレーザ光を走査照射してＡｌ等
の金属薄膜を析出させて断線又は半断線した上部配線を
接続することができる。所望の膜厚は、集束したレーザ
光の照射時間、即ち照射された集束レーザ光のエネルギ
若しくはドーズ量を制御することに得ることができる。

【００５８】なお、上記実施例は、ＴＦＴ基板２の上層
配線（上部配線）２０における断線又は半断線個所の修
正について説明したが、プリント基板又は多層配線基板
における配線パターンにおいて、断線又は半断線した個
所の修正に適用することができる。しかし、プリント基
板又は多層配線基板においては、配線パターンの幅が約
１０μｍ以下及び配線パターンの間のスペース（間隔）
も約２０μｍ以下と高密度となり、しかも厚さが０．３
μｍ〜１．０μｍと上部配線よりも厚くなるので、レー
ザ光を照射して金属錯体溶液３２から熱分解反応によっ
て配線パターンから大幅に飛び出して析出された余分の
金属薄膜を除去することが必要となる場合が考えられ
る。

【００５９】

【発明の効果】本発明によれば、液晶表示装置に用いら
れているＴＦＴ基板やプリント基板や多層薄膜基板等に
おいて、配線の断線又は半断線部分に供給された微量の
金属錯体溶液に対してレーザ光を照射して熱分解反応に
よって金属薄膜を析出させて、周囲に影響を及ぼすこと
無く、低抵抗で、かつ高信頼度で配線の断線又は半断線
部分を接続させることができる効果を奏する。

【００６０】また本発明によれば、特に液晶表示装置に
用いられているＴＦＴ基板において、信号配線の断線ま
たは半断線を、隣接して存在する画素電極に影響を及ぼ
すことなく、しかも表示の明るさに変動が見受けられな
いように低抵抗で、しかも高信頼度で接続修正して、信
号配線の断線による線欠陥なる致命欠陥を無くしてＴＦ
Ｔ基板として商品価値を生み出すことができる効果を奏
する。即ち、本発明によれば、ＴＦＴ基板の歩留まりを
向上させて、省資源を図ると共に製品コストを低減する
ことができる効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る配線の断線を修正する装置の一実
施例を示す概略構成図である。

【図２】本発明に係るＴＦＴ基板における一つのＴＦＴ
部を示す平面図とＴＦＴ部についての拡大断面を示す拡
大断面図である。

【図３】本発明に係るＴＦＴ基板における断線個所の配
線の端部に近似テーパ形状を形成するプロセスを示し、
（ａ）は配線の端部に近似テーパ形状を形成する前の断
線個所の断面図、（ｂ）はその平面図、（ｃ）は配線の
端部に近似テーパ形状を形成した後の断線個所の断面
図、（ｄ）はその平面図である。

【図４】本発明に係るＴＦＴ基板において断線個所を金
属薄膜によって接続するプロセスを示し、（ａ）は断線
個所に金属錯体溶液を供給した状態における断面図、
（ｂ）はその平面図、（ｃ）は断線個所に金属薄膜を析
出させた状態を示す断面図、（ｄ）はその平面図、
（ｅ）はこの上に保護膜を被覆させた状態における断面
図である。

【図５】本発明に係るアルゴンレーザ光の照射エネルギ
（ｋｗ／ｃｍ²）と接続したＰｄ膜の抵抗値（Ω）との
関係を示した図である。

【図６】本発明に係るＰｄ膜とＡｌパターンとの接触長
さｔ（μｍ）と接触抵抗値（Ω）との関係を示した図で
ある。

【図７】本発明に係るＴＦＴ基板において保護膜を被覆
した後で断線個所を金属薄膜によって接続するプロセス
を示し、（ａ）は断線個所の保護膜に凹部を形成する状
態における断面図、（ｂ）はその平面図、（ｃ）は断線
個所の凹部に金属錯体溶液を供給した状態における断面
図、（ｄ）はその平面図、（ｅ）は断線個所の凹部に金
属薄膜を析出させた状態を示す断面図、（ｆ）はその平
面図である。

【図８】本発明に係るＴＦＴ基板において断線個所を金
属薄膜によって接続する際、金属薄膜が破断若しくはこ
れに近い状態になることを説明するための図であり、
（ａ）は断線個所に金属錯体溶液を供給した状態におけ
る断面図、（ｂ）はその平面図、（ｃ）は断線個所に金
属薄膜を析出させた際、破断状態を示す断面図、（ｄ）
はその平面図である。

【符号の説明】

１…ステージ、２…ＴＦＴ基板、４…金属錯体供給部、
４ａ…微動ステージ ５…ＹＡＧレーザ光源、６…アルゴンレーザ光源 ７…不活性ガスまたは還元性ガス供給部、８…光源、９
…集光レンズ １０…可変開口絞り、１１…ＴＶカメラ、１２…ＴＶモ
ニタ、１３…入力手段 １４…制御装置、２０…上部配線（上部配線、データ配
線） ２１…ゲート配線、２２…ソース電極、２３…半導体
膜、２４…画素電極 ２７…保護膜、２８…ガラス基板、３０…断線、３１…
半断線 ３５…配線の端部、３６…近似テーパ形状 ３２、５３…有機溶媒溶液（金属錯体溶液） ３８、５４…Ｐｄなどの金属薄膜、５２…保護膜が除去
された凹部

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】配線が断線又は半断線した断線又は半断線
   個所に金属錯体を含む溶液または塗膜を供給し、この供
   給された断線又は半断線個所にレ−ザ光を照射して前記
   金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を前記断線又は半
   断線された配線の端部を覆って該端部の間に連続して析
   出させて前記配線の間を接続することを特徴とする配線
   の断線修正方法。
2. 【請求項２】配線が断線又は半断線した断線又は半断線
   個所に金属錯体を含む溶液または塗膜を供給し、この供
   給された断線又は半断線個所にレ−ザ光を照射して前記
   金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を、前記断線又は
   半断線された配線の端部を覆って該端部の間に前記金属
   薄膜と前記端部との間の接触抵抗が３００Ω以下にして
   連続して析出させて前記配線の間を接続することを特徴
   とする配線の断線修正方法。
3. 【請求項３】前記金属薄膜の膜厚を、前記配線の膜厚よ
   り薄くしたことを特徴とする請求項１又は２記載の配線
   の断線修正方法。
4. 【請求項４】断線又は半断線個所において断線又は半断
   線した対向する各配線の端部の表面を不活性ガスまたは
   還元性ガスの雰囲気で処理して汚染物質若しくは酸化物
   を除去する除去工程と、 該除去工程で除去された各配線の端部を含めて断線又は
   半断線個所に金属錯体を含む溶液または塗膜を供給し、
   この供給された断線又は半断線個所にレ−ザ光を照射し
   て前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を前記断線
   又は半断線された配線の端部を覆って該端部の間に連続
   して析出させて前記配線の間を接続する配線接続工程と
   を有することを特徴とする配線の断線修正方法。
5. 【請求項５】断線又は半断線個所において断線又は半断
   線した対向する各配線の端部の表面に対して傾斜面を形
   成する傾斜面形成工程と、 該傾斜面形成工程で形成された傾斜面を有する各配線の
   端部を含めて断線又は半断線個所に金属錯体を含む溶液
   または塗膜を供給し、この供給された断線個所にレ−ザ
   光を照射して前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜
   を、前記端部の傾斜面を覆って該端部の間に連続して析
   出させて前記配線の間を接続する配線接続工程とを有す
   ることを特徴とする配線の断線修正方法。
6. 【請求項６】ＴＦＴ基板に形成された少なくとも上部配
   線の断線又は半断線個所を検出する断線個所検出工程
   と、 該断線個所検出工程で検出された少なくとも上部配線の
   断線又は半断線個所に金属錯体を含む溶液または塗膜を
   供給し、この供給された断線又は半断線個所にレ−ザ光
   を照射して前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を
   前記断線又は半断線された上部配線の端部を覆って該端
   部の間に連続して析出させて前記上部配線の間を接続す
   る上部配線接続工程とを有することを特徴とするＴＦＴ
   基板の配線修正方法。
7. 【請求項７】ＴＦＴ基板に形成された少なくとも上部配
   線の断線又は半断線個所を検出する断線個所検出工程
   と、 該断線個所検出工程で検出された少なくとも上部配線の
   断線又は半断線個所に金属錯体を含む溶液または塗膜
   を、隣接する画素電極と離間するように供給し、この供
   給された断線又は半断線個所にレ−ザ光を照射して前記
   金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を、前記断線又は
   半断線された上部配線の端部を覆って該端部の間に連続
   して析出させて、隣接する画素電極と離間させた状態で
   前記上部配線の間を接続する上部配線接続工程とを有す
   ることを特徴とするＴＦＴ基板の配線修正方法。
8. 【請求項８】ＴＦＴ基板に形成された少なくとも上部配
   線の断線又は半断線個所を検出する断線個所検出工程
   と、 該断線個所検出工程で検出された少なくとも上部配線の
   断線又は半断線個所に金属錯体を含む溶液または塗膜を
   供給し、この供給された断線又は半断線個所にレ−ザ光
   を照射して前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜
   を、前記断線又は半断線された上部配線の端部を覆って
   該端部の間に前記金属薄膜と前記端部との間の接触抵抗
   が３００Ω以下にして連続して析出させて前記上部配線
   の間を接続する上部配線接続工程とを有することを特徴
   とするＴＦＴ基板の配線修正方法。
9. 【請求項９】ＴＦＴ基板に形成された少なくとも上部配
   線の断線又は半断線個所を検出する断線個所検出工程
   と、 該断線個所検出工程で検出された少なくとも上部配線の
   断線又は半断線個所において断線した対向する各上部配
   線の端部の表面に対して傾斜面を形成する傾斜面形成工
   程と、 該傾斜面形成工程で形成された傾斜面を有する各上部配
   線の端部を含めて断線又は半断線個所に金属錯体を含む
   溶液または塗膜を供給し、この供給された断線又は半断
   線個所にレ−ザ光を照射して前記金属錯体の熱分解反応
   により前記上部配線の厚さより薄い金属薄膜を、前記断
   線された上部配線の端部を覆って該端部の間に連続して
   析出させて前記上部配線の間を接続する上部配線接続工
   程とを有することを特徴とするＴＦＴ基板の配線修正方
   法。
10. 【請求項１０】前記上部配線接続工程における金属薄膜
    を、Ａｌ配線で形成された上部配線に対して低抵抗接続
    可能なＰｄまたはＡｕまたは白金を主成分とすることを
    特徴とする請求項６又は７又は８又は９記載のＴＦＴ基
    板の配線修正方法。
11. 【請求項１１】前記金属錯体を溶液または塗膜が、少な
    くともパラジウム錯体を主成分とすることを特徴とする
    請求項６又は７又は８又は９記載のＴＦＴ基板の配線修
    正方法。
12. 【請求項１２】ＴＦＴ基板に形成された少なくとも上部
    配線の断線又は半断線個所を検出する断線個所検出工程
    と、 該断線個所検出工程で検出された少なくとも上部配線の
    断線又は半断線個所にＣＶＤガスを供給し、この供給さ
    れた断線又は半断線個所に集束されたエネルギビームを
    照射して金属薄膜を前記断線又は半断線された上部配線
    の端部を覆って該端部の間に連続して析出させて前記上
    部配線の間を接続する上部配線接続工程とを有すること
    を特徴とするＴＦＴ基板の配線修正方法。
13. 【請求項１３】ＴＦＴ基板に形成された少なくとも上部
    配線の断線又は半断線個所を検出する断線個所検出工程
    と、 該断線個所検出工程で検出された少なくとも上部配線の
    断線又は半断線個所にＣＶＤガスを供給し、この供給さ
    れた断線又は半断線個所に集束されたエネルギビームを
    照射して金属薄膜を前記断線又は半断線された上部配線
    の端部を覆って該端部の間に連続して隣接した画素電極
    と離間させて析出させて前記上部配線の間を接続する上
    部配線接続工程とを有することを特徴とするＴＦＴ基板
    の配線修正方法。
14. 【請求項１４】ＴＦＴ基板に形成された少なくとも上部
    配線の断線又は半断線個所を検出する断線個所検出工程
    と、 該断線個所検出工程で検出された少なくとも上部配線の
    断線又は半断線個所に被覆された保護膜に対してエネル
    ギービームを照射して該断線又は半断線個所における上
    部配線の端部を露出させる穿孔工程と、 該穿孔工程で保護膜に穿孔された断線又は半断線個所に
    金属錯体を含む溶液または塗膜を供給し、この供給され
    た断線又は半断線個所にレ−ザ光を照射して前記金属錯
    体の熱分解反応により金属薄膜を前記断線又は半断線さ
    れた上部配線の端部を覆って該端部の間に連続して析出
    させて前記上部配線の間を接続する上部配線接続工程と
    を有することを特徴とするＴＦＴ基板の配線修正方法。
15. 【請求項１５】ＴＦＴ基板に形成された少なくとも上部
    配線の断線又は半断線個所を検出する断線個所検出工程
    と、 該断線個所検出工程で検出された少なくとも上部配線の
    断線又は半断線個所に被覆された保護膜に対してエネル
    ギービームを照射して該断線又は半断線個所における上
    部配線の端部を露出させる穿孔工程と、 該穿孔工程で保護膜に穿孔された断線又は半断線個所に
    金属錯体を含む溶液または塗膜を、隣接する画素電極と
    離間するように供給し、この供給された断線又は半断線
    個所にレ−ザ光を照射して前記金属錯体の熱分解反応に
    より金属薄膜を、前記断線又は半断線された上部配線の
    端部を覆って該端部の間に連続して析出させて、隣接す
    る画素電極と離間させた状態で前記上部配線の間を接続
    する上部配線接続工程とを有することを特徴とするＴＦ
    Ｔ基板の配線修正方法。
16. 【請求項１６】ＴＦＴ基板に形成された少なくとも上部
    配線の断線又は半断線個所を検出する断線個所検出工程
    と、 該断線個所検出工程で検出された少なくとも上部配線の
    断線又は半断線個所に被覆された保護膜に対してエネル
    ギービームを照射して該断線又は半断線個所における上
    部配線の端部を露出させる穿孔工程と、 該穿孔工程で保護膜に穿孔された断線又は半断線個所に
    金属錯体を含む溶液または塗膜を供給し、この供給され
    た断線又は半断線個所にレ−ザ光を照射して前記金属錯
    体の熱分解反応により金属薄膜を前記断線又は半断線さ
    れた上部配線の端部を覆って該端部の間に連続して析出
    させて前記上部配線の間を接続する上部配線接続工程
    と、 該上部配線接続工程によって接続された金属薄膜の上に
    保護膜を被覆する保護膜被覆工程とを有することを特徴
    とするＴＦＴ基板の配線修正方法。
17. 【請求項１７】ＴＦＴ基板に形成された上部配線の断線
    又は半断線個所を、断線又は半断線された上部配線の端
    部を覆って該端部の間に連続して析出された金属薄膜で
    前記上部配線の間を接続して構成したことを特徴とする
    ＴＦＴ基板。
18. 【請求項１８】ＴＦＴ基板に形成されたＡｌの上部配線
    の断線又は半断線個所を、断線又は半断線された上部配
    線の端部を覆って該端部の間に連続して析出された低抵
    抗接続可能なＰｄまたはＡｕまたは白金を主成分とする
    金属薄膜で前記上部配線の間を接続して構成したことを
    特徴とするＴＦＴ基板。
19. 【請求項１９】ＴＦＴ基板に形成されたＡｌの上部配線
    の断線又は半断線個所を、断線又は半断線された上部配
    線の端部を覆って該端部の間に連続して析出され、隣接
    した画素電極と離間した金属薄膜で前記上部配線の間を
    接続して構成したことを特徴とするＴＦＴ基板。
20. 【請求項２０】ＴＦＴ基板に形成されたＡｌの上部配線
    の断線又は半断線個所を、断線又は半断線された上部配
    線の端部を覆って該端部の間に連続して析出された金属
    薄膜で前記上部配線の間を該金属薄膜と前記端部との間
    の接触抵抗が３００Ω以下にして接続して構成したこと
    を特徴とするＴＦＴ基板。
21. 【請求項２１】ＴＦＴ基板に形成された上部配線の断線
    又は半断線個所を、断線又は半断線された上部配線の傾
    斜面を有する端部を覆って該端部の間に連続して析出さ
    れた前記上部配線の厚さより薄い金属薄膜で前記上部配
    線の間を接続して構成したことを特徴とするＴＦＴ基
    板。
22. 【請求項２２】ＴＦＴ基板に形成された上部配線の断線
    又は半断線個所を、断線又は半断線された上部配線の端
    部を覆って該端部の間に連続して析出された金属薄膜で
    前記上部配線の間を接続して構成し、該金属薄膜の上を
    保護膜で被覆したことを特徴とするＴＦＴ基板。