JP3453803B2 - 電子回路基板の配線修正方法およびその装置 - Google Patents
電子回路基板の配線修正方法およびその装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子回路基板配線の回
路を変更する際の配線間あるいは端子間の接続を行う技
術にかかり、特に電子計算機等の大規模電子機器に使用
されるマルチチップモジュール（ＭＣＭ）基板の配線を
部分的に切断し、補修配線を使って接続して論理修正を
可能とした電子回路基板の配線修正方法およびその装置
並びにＬＳＩチップ実装電子回路基板の製造方法および
その装置に関する。
路を変更する際の配線間あるいは端子間の接続を行う技
術にかかり、特に電子計算機等の大規模電子機器に使用
されるマルチチップモジュール（ＭＣＭ）基板の配線を
部分的に切断し、補修配線を使って接続して論理修正を
可能とした電子回路基板の配線修正方法およびその装置
並びにＬＳＩチップ実装電子回路基板の製造方法および
その装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】これら配線の変更は基本的には配線の一
部の除去（切断）と付加（接続）で行われる。このう
ち，切断はレーザ加工を利用した方法が最適であり，例
えばエス、ケイ、レイ等：エンギニアリング チエンジ
（イーシー） テクノロジーフォ シンフィルム メ
タルラージー オン ポリイミド フイルム ：４０回
イーシーティシー プロシーディング ３９５−４００
頁（１９９０年）「S.K.Ray et al.:Engineering Chang
e (EC) Technology for Thin Film Metallurgyon Polyi
mide Films:40th ECTC Proceedings,p.395-400(1990)」
等で議論されている。
部の除去（切断）と付加（接続）で行われる。このう
ち，切断はレーザ加工を利用した方法が最適であり，例
えばエス、ケイ、レイ等：エンギニアリング チエンジ
（イーシー） テクノロジーフォ シンフィルム メ
タルラージー オン ポリイミド フイルム ：４０回
イーシーティシー プロシーディング ３９５−４００
頁（１９９０年）「S.K.Ray et al.:Engineering Chang
e (EC) Technology for Thin Film Metallurgyon Polyi
mide Films:40th ECTC Proceedings,p.395-400(1990)」
等で議論されている。
【０００３】一方、接続に関しては上記論文にワイヤボ
ンディングによる方法、あるいはアール、エフ、ミラッ
キィ：セレクティブ−エリア レーザ−アシステッド
プロシーディング １２９巻 ５４７−５５８頁（１９
８９年）「R.F.Miracky:Selective-area Laser-assiste
dProcessing for Microelectronic Multi-chip Interco
nnect Applications:Material Research Society Sympo
siumProceeding Vol.129 p.547-558(1989)」にレーザＣ
ＶＤを利用した方法が示されている。
ンディングによる方法、あるいはアール、エフ、ミラッ
キィ：セレクティブ−エリア レーザ−アシステッド
プロシーディング １２９巻 ５４７−５５８頁（１９
８９年）「R.F.Miracky:Selective-area Laser-assiste
dProcessing for Microelectronic Multi-chip Interco
nnect Applications:Material Research Society Sympo
siumProceeding Vol.129 p.547-558(1989)」にレーザＣ
ＶＤを利用した方法が示されている。
【０００４】また、絶縁膜の修正についても、その一部
の除去にレーザ加工を利用した方法が最適であり、例え
ば、矢部 明：レーザー化学プロッセッシング：国際レ
ーザー／アプリケーションセミナー「マイクロマシニン
グ」第15頁から第33頁(1991年)でエキシマレーザによる
有機高分子材料のアブレーションメカニズム等が議論さ
れている。
の除去にレーザ加工を利用した方法が最適であり、例え
ば、矢部 明：レーザー化学プロッセッシング：国際レ
ーザー／アプリケーションセミナー「マイクロマシニン
グ」第15頁から第33頁(1991年)でエキシマレーザによる
有機高分子材料のアブレーションメカニズム等が議論さ
れている。
【０００５】一方、絶縁膜の欠落欠陥の修正は、特開昭
５８−１７３８３５号公報において、基板上のパターン
欠落部にレジストを選択塗布してプリベークを行い、塗
布したレジストの余分のみをマスクを用いて選択露光し
た後、現像することによって修正する方法が出願されて
いる。
５８−１７３８３５号公報において、基板上のパターン
欠落部にレジストを選択塗布してプリベークを行い、塗
布したレジストの余分のみをマスクを用いて選択露光し
た後、現像することによって修正する方法が出願されて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、接続に
関する従来技術のうち、前者はワイヤボンディング用の
パッドが必要、最上層以外では次の配線層を形成すると
きに障害になる等の課題があり、また後者は、真空プロ
セスが必要なため装置が大がかりで高価であるという課
題を有していた。
関する従来技術のうち、前者はワイヤボンディング用の
パッドが必要、最上層以外では次の配線層を形成すると
きに障害になる等の課題があり、また後者は、真空プロ
セスが必要なため装置が大がかりで高価であるという課
題を有していた。
【０００７】また、絶縁膜の欠落欠陥の修正に関する従
来技術では、レジストの余分を除去する際に、マスクを
組み合わせて再度部分露光及び現像が必要なため、部分
露光用の専用マスクが必要、ポジ型レジストとネガ型レ
ジストとでマスクを逆にする必要があること、修正の工
程が長いといった欠点を有していた。
来技術では、レジストの余分を除去する際に、マスクを
組み合わせて再度部分露光及び現像が必要なため、部分
露光用の専用マスクが必要、ポジ型レジストとネガ型レ
ジストとでマスクを逆にする必要があること、修正の工
程が長いといった欠点を有していた。
【０００８】本発明の目的は、電子回路基板の製造プロ
セスや設計ミスに起因する断線欠陥だけでなく、性能向
上のための回路変更にも適用可能にした電子回路基板の
配線修正方法およびその装置を提供することにある。
セスや設計ミスに起因する断線欠陥だけでなく、性能向
上のための回路変更にも適用可能にした電子回路基板の
配線修正方法およびその装置を提供することにある。
【０００９】また本発明の目的は、電子回路基板を大き
くすることなく、ほぼＬＳＩチップの領域内に補修配線
を施してしかもＬＳＩチップとのはんだ等による接続個
所に影響を及ぼすことなく、論理修正を可能にしたＬＳ
Ｉチップ実装電子回路基板の製造方法およびその装置を
提供することにある。
くすることなく、ほぼＬＳＩチップの領域内に補修配線
を施してしかもＬＳＩチップとのはんだ等による接続個
所に影響を及ぼすことなく、論理修正を可能にしたＬＳ
Ｉチップ実装電子回路基板の製造方法およびその装置を
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、電子回路基
板の欠陥部に少なくとも導電性を有しかつ配線として機
能する性質と電子回路基板配線と接着性の良好な性質を
有する材料からなる金属箔からなる小片を供給し、電子
回路基板配線と接着させることにより達成することがで
きる。
板の欠陥部に少なくとも導電性を有しかつ配線として機
能する性質と電子回路基板配線と接着性の良好な性質を
有する材料からなる金属箔からなる小片を供給し、電子
回路基板配線と接着させることにより達成することがで
きる。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】また本発明は、所望の配線と補修配線とを
形成し、該所望の配線と補修配線を保護膜で被覆された
電子回路基板上の接続端子とＬＳＩチップとを接続され
た状態で誤動作する個所のＬＳＩチップを取外す取り外
し工程と、該取り外し工程で取り外された領域において
切断したい接続端子部分にエネルギービームを照射して
前記保護膜を除去して窓明けして接続端子を露出させ、
前記エネルギービームと異なる条件のエネルギービーム
を照射して前記配線を切断し、該切断され窓明けされた
部分を局部的に絶縁膜で被覆する切断工程と、前記取り
外し工程で取り外された領域において接続する部分にエ
ネルギービームを照射して前記保護膜を除去して窓明け
して接続端子を露出させ、該露出した接続端子間に予め
接続を行うに適した金属箔を供給してエネルギを加えて
接続端子−金属箔−接続端子の導電路を形成し、該接続
され窓明けされた部分を局部的に絶縁膜で被覆する接続
工程と、電子回路基板上の前記切断工程および接続工程
によって配線修正された接続端子にＬＳＩチップを再度
接続するＬＳＩチップ接続工程とを有することを特徴と
するＬＳＩチップ実装電子回路基板の製造方法である。
形成し、該所望の配線と補修配線を保護膜で被覆された
電子回路基板上の接続端子とＬＳＩチップとを接続され
た状態で誤動作する個所のＬＳＩチップを取外す取り外
し工程と、該取り外し工程で取り外された領域において
切断したい接続端子部分にエネルギービームを照射して
前記保護膜を除去して窓明けして接続端子を露出させ、
前記エネルギービームと異なる条件のエネルギービーム
を照射して前記配線を切断し、該切断され窓明けされた
部分を局部的に絶縁膜で被覆する切断工程と、前記取り
外し工程で取り外された領域において接続する部分にエ
ネルギービームを照射して前記保護膜を除去して窓明け
して接続端子を露出させ、該露出した接続端子間に予め
接続を行うに適した金属箔を供給してエネルギを加えて
接続端子−金属箔−接続端子の導電路を形成し、該接続
され窓明けされた部分を局部的に絶縁膜で被覆する接続
工程と、電子回路基板上の前記切断工程および接続工程
によって配線修正された接続端子にＬＳＩチップを再度
接続するＬＳＩチップ接続工程とを有することを特徴と
するＬＳＩチップ実装電子回路基板の製造方法である。
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】また本発明は、所望の配線と補修配線とを
形成し、該所望の配線と補修配線を保護膜で被覆された
電子回路基板上の接続端子とＬＳＩチップとを接続され
た状態で、誤動作する個所のＬＳＩチップを取り外され
た領域において切断したい接続端子部分にエネルギービ
ームを照射して、前記保護膜を除去して窓明けして接続
端子を露出させ、前記エネルギービームと異なる条件の
エネルギービームを照射して前記配線を切断し、該切断
され窓明けされた部分を局部的に絶縁膜で被覆する切断
手段と、前記取り外された領域において接続する部分に
エネルギービームを照射して前記保護膜を除去して窓明
けして接続端子を露出させ、該露出した接続端子間に予
め接続を行うに適した金属箔を供給してエネルギを加え
て接続端子−金属箔−接続端子の導電路を形成し、該接
続され窓明けされた部分を局部的に絶縁膜で被覆する接
続工程と、電子回路基板上の前記切断工程および接続工
程によって配線修正された接続端子に、ＬＳＩチップを
再度接続するＬＳＩチップ接続手段とを有することを特
徴とするＬＳＩチップ実装電子回路基板の製造装置であ
る。
形成し、該所望の配線と補修配線を保護膜で被覆された
電子回路基板上の接続端子とＬＳＩチップとを接続され
た状態で、誤動作する個所のＬＳＩチップを取り外され
た領域において切断したい接続端子部分にエネルギービ
ームを照射して、前記保護膜を除去して窓明けして接続
端子を露出させ、前記エネルギービームと異なる条件の
エネルギービームを照射して前記配線を切断し、該切断
され窓明けされた部分を局部的に絶縁膜で被覆する切断
手段と、前記取り外された領域において接続する部分に
エネルギービームを照射して前記保護膜を除去して窓明
けして接続端子を露出させ、該露出した接続端子間に予
め接続を行うに適した金属箔を供給してエネルギを加え
て接続端子−金属箔−接続端子の導電路を形成し、該接
続され窓明けされた部分を局部的に絶縁膜で被覆する接
続工程と、電子回路基板上の前記切断工程および接続工
程によって配線修正された接続端子に、ＬＳＩチップを
再度接続するＬＳＩチップ接続手段とを有することを特
徴とするＬＳＩチップ実装電子回路基板の製造装置であ
る。
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【作用】電子計算機を代表とする大規模電子機器は、そ
の規模の拡大に伴い、使用される基板の大型化、さらに
配線の多層化微細化による高密度化が進み、開発期にお
いては開発期間の長期化、量産期においては歩留まりの
低下が避けられない。
の規模の拡大に伴い、使用される基板の大型化、さらに
配線の多層化微細化による高密度化が進み、開発期にお
いては開発期間の長期化、量産期においては歩留まりの
低下が避けられない。
【００３２】ところで、開発期に試作される電子回路基
板には、一般に製造プロセスに起因する断線、ショート
等の不良の他に、設計ミスに起因する不良も多数発生す
る。これらの不良は、製造工程における外観検査、ある
いは完成後の特性評価により発見されるが全て修正する
必要がある。また当初の設計通りにできたとしても、設
計変更が生じ、回路配線を手直しする必要が生じる。こ
れを前記構成により実現することができるようにした。
板には、一般に製造プロセスに起因する断線、ショート
等の不良の他に、設計ミスに起因する不良も多数発生す
る。これらの不良は、製造工程における外観検査、ある
いは完成後の特性評価により発見されるが全て修正する
必要がある。また当初の設計通りにできたとしても、設
計変更が生じ、回路配線を手直しする必要が生じる。こ
れを前記構成により実現することができるようにした。
【００３３】より具体的には、先ず第１に、少なくとも
導電性を有しかつ配線として機能する材料としてＣｕ，
Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ等から選ばれた金属と、接着性を
有する導電材料としてＰｂ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ａｇ，Ａｕ−
Ｇｅ等から選ばれたはんだ材を、層構造を成すように形
成し短冊状の小片に分割したもの、あるいは導電性と接
着性共に良好なＡｕ，Ａｌなどから選ばれた金属の箔を
短冊状の小片に分割したものを、ハンドリング機構によ
り接続を必要とする部分に供給する。前者の場合、はん
だ面が電子回路基板配線と接するように置かれ、しかる
後に加熱手段により加熱して、はんだ接続する。後者の
場合は、表裏関係なくハンドリング機構により接続を必
要とする部分に供給する。この時Ａｕ箔面が電子回路基
板配線と接するように置かれ、超音波工具を押しつけて
必要に応じて加熱しながら超音波接続する。この他、リ
フロー炉に入れることによりはんだ接続する方法もあ
り、要は接着面にエネルギーを加えて接合させることに
よって接続端子と金属箔との接続を達成することができ
る。
導電性を有しかつ配線として機能する材料としてＣｕ，
Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌ等から選ばれた金属と、接着性を
有する導電材料としてＰｂ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ａｇ，Ａｕ−
Ｇｅ等から選ばれたはんだ材を、層構造を成すように形
成し短冊状の小片に分割したもの、あるいは導電性と接
着性共に良好なＡｕ，Ａｌなどから選ばれた金属の箔を
短冊状の小片に分割したものを、ハンドリング機構によ
り接続を必要とする部分に供給する。前者の場合、はん
だ面が電子回路基板配線と接するように置かれ、しかる
後に加熱手段により加熱して、はんだ接続する。後者の
場合は、表裏関係なくハンドリング機構により接続を必
要とする部分に供給する。この時Ａｕ箔面が電子回路基
板配線と接するように置かれ、超音波工具を押しつけて
必要に応じて加熱しながら超音波接続する。この他、リ
フロー炉に入れることによりはんだ接続する方法もあ
り、要は接着面にエネルギーを加えて接合させることに
よって接続端子と金属箔との接続を達成することができ
る。
【００３４】更に、第２として、電子回路基板の回路変
更部において、配線切断部にエキシマレーザを照射し
て、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ等あるい
はこれらの複合膜からなる配線を切断すると共に、配線
接続部にマイクロディスペンサを用いてトリフルオロ酢
酸パラジウム（Ｐｄ（ＣＦ3ＯＯ）2）をアセトニトリル
及びＮ−メチルピロリドン等の溶媒に溶解させた金属錯
体溶液を供給する。その後、該金属錯体溶液を加熱し、
溶媒のみを蒸発させた後、錯体を分解させて配線接続部
に金属膜を析出させる。あるいはマイクロディスペンサ
により、Ｃｕ等の金属ペースト、あるいはＡｕ等の金属
超微粒子をα−テレピネレート等の溶媒に分散させた超
微粒子分散液等を供給して加熱し、溶媒のみを蒸発させ
て金属膜を析出させることにより配線接続部を電気的に
接続する。
更部において、配線切断部にエキシマレーザを照射し
て、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ等あるい
はこれらの複合膜からなる配線を切断すると共に、配線
接続部にマイクロディスペンサを用いてトリフルオロ酢
酸パラジウム（Ｐｄ（ＣＦ3ＯＯ）2）をアセトニトリル
及びＮ−メチルピロリドン等の溶媒に溶解させた金属錯
体溶液を供給する。その後、該金属錯体溶液を加熱し、
溶媒のみを蒸発させた後、錯体を分解させて配線接続部
に金属膜を析出させる。あるいはマイクロディスペンサ
により、Ｃｕ等の金属ペースト、あるいはＡｕ等の金属
超微粒子をα−テレピネレート等の溶媒に分散させた超
微粒子分散液等を供給して加熱し、溶媒のみを蒸発させ
て金属膜を析出させることにより配線接続部を電気的に
接続する。
【００３５】また、絶縁膜の欠落欠陥部では、欠陥部に
マイクロディスペンサを用いて、ＵＶ硬化樹脂を供給
し、供給したＵＶ硬化樹脂にＵＶ光を照射し硬化させ
る。あるいはマイクロディスペンサによりエポキシ樹脂
あるいはポリイミド樹脂等を供給して加熱し、硬化させ
ることにより修正するものである。
マイクロディスペンサを用いて、ＵＶ硬化樹脂を供給
し、供給したＵＶ硬化樹脂にＵＶ光を照射し硬化させ
る。あるいはマイクロディスペンサによりエポキシ樹脂
あるいはポリイミド樹脂等を供給して加熱し、硬化させ
ることにより修正するものである。
【００３６】以上説明したように、本発明の電子回路基
板の配線修正方法およびその装置により、電子回路基板
の製造プロセスや設計ミスに起因する断線欠陥だけでな
く、性能向上のための回路変更にも適用可能にすること
ができた。
板の配線修正方法およびその装置により、電子回路基板
の製造プロセスや設計ミスに起因する断線欠陥だけでな
く、性能向上のための回路変更にも適用可能にすること
ができた。
【００３７】また本発明のＬＳＩチップ実装電子回路基
板の製造方法およびその装置により、電子回路基板を大
きくすることなく、ほぼＬＳＩチップの領域内に補修配
線を施してしかもＬＳＩチップとのはんだ等による接続
個所に影響を及ぼすことなく、論理修正を可能にするこ
とができた。
板の製造方法およびその装置により、電子回路基板を大
きくすることなく、ほぼＬＳＩチップの領域内に補修配
線を施してしかもＬＳＩチップとのはんだ等による接続
個所に影響を及ぼすことなく、論理修正を可能にするこ
とができた。
【００３８】
【実施例】以下に図に従い，本発明の接続方法の第１の
実施例を具体的に説明する。
実施例を具体的に説明する。
【００３９】図１は本発明の配線接続方法で対象となる
電子回路基板を示す。アルミナセラミック１と厚膜ペー
ストで形成された配線層２の複数層からなり焼成された
厚膜基板３上に、ポリイミド層を絶縁膜４、Ｃｕ膜ある
いはＡl膜を配線層５とした複数の薄膜層６が形成さ
れ、さらにその上にはＬＳＩチップ７をＣＣＢボンディ
ングにより接続するための電極８が形成されている。こ
の回路基板には、回路変更に備えて接続用の端子９，
９’が形成されている。この端子９，９’は薄膜層配線
５（材質としてはＣｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ等から選
択される）、あるいは、ＣＣＢはんだ接続電極（Ａｕ／
Ｎｉ，Ａｕ／Ｃｕ／Ｃｒ等の構成から選択される）８の
工程で形成される。これらの接続端子９は、通常はＣＣ
Ｂはんだ接続時の望ましくないブリッジ形成を防ぐため
に、ポリイミド等の絶縁保護膜４で覆われている。
電子回路基板を示す。アルミナセラミック１と厚膜ペー
ストで形成された配線層２の複数層からなり焼成された
厚膜基板３上に、ポリイミド層を絶縁膜４、Ｃｕ膜ある
いはＡl膜を配線層５とした複数の薄膜層６が形成さ
れ、さらにその上にはＬＳＩチップ７をＣＣＢボンディ
ングにより接続するための電極８が形成されている。こ
の回路基板には、回路変更に備えて接続用の端子９，
９’が形成されている。この端子９，９’は薄膜層配線
５（材質としてはＣｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ等から選
択される）、あるいは、ＣＣＢはんだ接続電極（Ａｕ／
Ｎｉ，Ａｕ／Ｃｕ／Ｃｒ等の構成から選択される）８の
工程で形成される。これらの接続端子９は、通常はＣＣ
Ｂはんだ接続時の望ましくないブリッジ形成を防ぐため
に、ポリイミド等の絶縁保護膜４で覆われている。
【００４０】何等かの理由により（検査により不良が発
見された場合、おるいは設計変更の必要が生じた場合な
ど）、特定の接続端子９，９’を接続する必要が生じた
場合、接続端子上にあるＬＳＩチップ７を局所的に加熱
してＣＣＢ接続用はんだを溶融させ、ＬＳＩチップ７を
取り除く。（接続端子がＬＳＩチップ７下ではなく，Ｌ
ＳＩチップ７を取り除かなくても接続できる場合は、そ
のままでも良い。）しかる後、図２に示すように、エキ
シマレーザ等のエネルギービームによるアブレーション
加工により、接続端子９，９’上のポリイミド膜４に窓
１０を形成することにより、この窓１０の内側底面に接
続端子９，９’を露出させる。
見された場合、おるいは設計変更の必要が生じた場合な
ど）、特定の接続端子９，９’を接続する必要が生じた
場合、接続端子上にあるＬＳＩチップ７を局所的に加熱
してＣＣＢ接続用はんだを溶融させ、ＬＳＩチップ７を
取り除く。（接続端子がＬＳＩチップ７下ではなく，Ｌ
ＳＩチップ７を取り除かなくても接続できる場合は、そ
のままでも良い。）しかる後、図２に示すように、エキ
シマレーザ等のエネルギービームによるアブレーション
加工により、接続端子９，９’上のポリイミド膜４に窓
１０を形成することにより、この窓１０の内側底面に接
続端子９，９’を露出させる。
【００４１】次に、図３に示す様に接続用小片１５を上
記窓部１０に供給する。ここで、接続用小片１５は、例
えばＡｕ箔の一層あるいはＣｕの箔とはんだの二層構造
をもち小片に分割されたものである。本実施例では後
者、即ちＣｕの箔とはんだの二層構造をもつ小片を使用
する場合について説明する。はんだとしては、接続端子
９，９’の材質に濡れるものが選択される。接続端子表
面９，９’がＣｕ，Ａｕ，Ｎｉなどの場合にはＳｎ−Ｐ
ｂ，Ｓｎ−Ａｇ，Ａｕ−Ｇｅ等のはんだ材を使用するこ
とができる。これを真空吸着あるいは静電吸着により保
持する機構を持つ工具先端に吸着し、接続を必要とする
端子９，９’が露出した窓１０に、はんだ層が接続端子
９，９’に接触するように供給する。この後、接続用小
片１５を保持している工具はヒータにより加熱される。
この時の加熱温度ははんだが十分に溶融する温度に設定
される。これにより、Ｃｕ箔は接続端子９，９’にはん
だ付けされる。あるいは、この工具に超音波を印加する
場合には、加熱温度がはんだを溶融する温度より低くて
も良い。必要に応じて電子回路基板に悪影響のない範囲
で電子回路基板を加熱しても良い。
記窓部１０に供給する。ここで、接続用小片１５は、例
えばＡｕ箔の一層あるいはＣｕの箔とはんだの二層構造
をもち小片に分割されたものである。本実施例では後
者、即ちＣｕの箔とはんだの二層構造をもつ小片を使用
する場合について説明する。はんだとしては、接続端子
９，９’の材質に濡れるものが選択される。接続端子表
面９，９’がＣｕ，Ａｕ，Ｎｉなどの場合にはＳｎ−Ｐ
ｂ，Ｓｎ−Ａｇ，Ａｕ−Ｇｅ等のはんだ材を使用するこ
とができる。これを真空吸着あるいは静電吸着により保
持する機構を持つ工具先端に吸着し、接続を必要とする
端子９，９’が露出した窓１０に、はんだ層が接続端子
９，９’に接触するように供給する。この後、接続用小
片１５を保持している工具はヒータにより加熱される。
この時の加熱温度ははんだが十分に溶融する温度に設定
される。これにより、Ｃｕ箔は接続端子９，９’にはん
だ付けされる。あるいは、この工具に超音波を印加する
場合には、加熱温度がはんだを溶融する温度より低くて
も良い。必要に応じて電子回路基板に悪影響のない範囲
で電子回路基板を加熱しても良い。
【００４２】次に、接続された部分を、ポリイミド材料
などの微小液滴１８を供給するノズル下に移動し、接続
部分表面にポリイミド材料などの微小液滴１８を滴下し
て少なくとも金属部分が露出することがないように覆
う。この後、この電子回路基板を回路配線あるいは搭載
されている部品に影響のない範囲で炉で加熱する、ある
いはレーザ、赤外線ランプなどにより局所的に加熱し
て、ポリイミド材料をポリマ化させる。このポリイミド
膜１８により、ＬＳＩをＣＣＢ接続する際に、ブリッジ
により短絡が生じることを防ぐことができるだけでなく
信頼性を確保できる。必要に応じて、接続個所の数だけ
この作業を行う。
などの微小液滴１８を供給するノズル下に移動し、接続
部分表面にポリイミド材料などの微小液滴１８を滴下し
て少なくとも金属部分が露出することがないように覆
う。この後、この電子回路基板を回路配線あるいは搭載
されている部品に影響のない範囲で炉で加熱する、ある
いはレーザ、赤外線ランプなどにより局所的に加熱し
て、ポリイミド材料をポリマ化させる。このポリイミド
膜１８により、ＬＳＩをＣＣＢ接続する際に、ブリッジ
により短絡が生じることを防ぐことができるだけでなく
信頼性を確保できる。必要に応じて、接続個所の数だけ
この作業を行う。
【００４３】ここで、接続用小片１５として、Ａｕある
いはＡｌ等の箔のみで形成された小片、及び図５（ａ）
にその断面を示すように、Ｃｕ箔２１とＳｎ−Ｐｂはん
だ２２の二層構造を持つ小片１５で説明してきたが、こ
れ以外に図５に示す構造の小片１５を使用することがで
きる。
いはＡｌ等の箔のみで形成された小片、及び図５（ａ）
にその断面を示すように、Ｃｕ箔２１とＳｎ−Ｐｂはん
だ２２の二層構造を持つ小片１５で説明してきたが、こ
れ以外に図５に示す構造の小片１５を使用することがで
きる。
【００４４】すなわち、図５（ｂ）はＣｕ箔２１の両面
にＳｎ−Ｐｂはんだ２２，２２’を電気メッキなどの手
法で形成した三層構造を有する小片で、これを用いる場
合表裏の区別が不要である長所を有する。また、図５
（ｃ）はポリイミドなどの耐熱性を有する有機材料膜２
３にＣｕ膜２１を接着して、Ｃｕ膜上に電気めっきなど
の手法でＳｎ−Ｐｂなどのはんだ層２２を形成した三層
構造を有し、上記したポリイミドの微小領域への塗布を
不要にする長所を有する。更に、図５（ｄ）はＣｕ箔２
１の片面両端に、図５（ｅ）はＣｕ箔２１の両面両端
に、図５（ｆ）は有機材料膜２３に接着したＣｕ膜２１
上の両端にはんだ層２４を形成した構成で、極力不要な
はんだを取り除いたものである。
にＳｎ−Ｐｂはんだ２２，２２’を電気メッキなどの手
法で形成した三層構造を有する小片で、これを用いる場
合表裏の区別が不要である長所を有する。また、図５
（ｃ）はポリイミドなどの耐熱性を有する有機材料膜２
３にＣｕ膜２１を接着して、Ｃｕ膜上に電気めっきなど
の手法でＳｎ−Ｐｂなどのはんだ層２２を形成した三層
構造を有し、上記したポリイミドの微小領域への塗布を
不要にする長所を有する。更に、図５（ｄ）はＣｕ箔２
１の片面両端に、図５（ｅ）はＣｕ箔２１の両面両端
に、図５（ｆ）は有機材料膜２３に接着したＣｕ膜２１
上の両端にはんだ層２４を形成した構成で、極力不要な
はんだを取り除いたものである。
【００４５】また、接続部を絶縁するためにポリイミド
膜１８を形成したが、これに限定されるものではない。
ＣＣＢはんだとのブリッジ形成を防止でき、かつＬＳＩ
チップの再搭載時の温度に耐えられる材質であれば良
く、エポキシ樹脂、フェノール樹脂あるいは紫外線硬化
樹脂など各種材質が使用できる。紫外線硬化樹脂の場合
には、紫外線を照射するだけで硬化でき、他の部分に熱
影響を与えずに処理できる効果も有る。
膜１８を形成したが、これに限定されるものではない。
ＣＣＢはんだとのブリッジ形成を防止でき、かつＬＳＩ
チップの再搭載時の温度に耐えられる材質であれば良
く、エポキシ樹脂、フェノール樹脂あるいは紫外線硬化
樹脂など各種材質が使用できる。紫外線硬化樹脂の場合
には、紫外線を照射するだけで硬化でき、他の部分に熱
影響を与えずに処理できる効果も有る。
【００４６】一方、接続を必要とする場合には、ＬＳＩ
との接続端子（ＣＣＢバンプ）８が本来接続されていた
回路と切り離す必要がある。その場合には、レーザ照射
により切り離すことが可能である。すなわち、エキシマ
レーザ等のエネルギービームによるアブレーションによ
り切断すべき配線上のポリイミド膜に切断すべき寸法よ
り大きな面積の窓を形成し、その後に切断すべき寸法に
設定したエキシマレーザ等のエネルギービームを照射
し、切断する。この切断部はそのままでも良いがより信
頼度を向上するために、上に述べた方法でポリイミド材
料あるいはその他の樹脂の液滴を切断部に滴下し、加熱
してポリマ化あるいは硬化させて保護膜を形成した方が
より望ましい。
との接続端子（ＣＣＢバンプ）８が本来接続されていた
回路と切り離す必要がある。その場合には、レーザ照射
により切り離すことが可能である。すなわち、エキシマ
レーザ等のエネルギービームによるアブレーションによ
り切断すべき配線上のポリイミド膜に切断すべき寸法よ
り大きな面積の窓を形成し、その後に切断すべき寸法に
設定したエキシマレーザ等のエネルギービームを照射
し、切断する。この切断部はそのままでも良いがより信
頼度を向上するために、上に述べた方法でポリイミド材
料あるいはその他の樹脂の液滴を切断部に滴下し、加熱
してポリマ化あるいは硬化させて保護膜を形成した方が
より望ましい。
【００４７】ここで、ポリイミド膜の除去あるいは配線
の切断に使用するレーザとして、エキシマレーザを使用
した場合について説明してきた。しかし、これに限定さ
れるものではなく、波長３０８ｎｍ，２４８ｎｍ，１９
３ｎｍの代表的なエキシマレーザの他に、ＹＡＧレーザ
の第３あるいは第４高調波、ルビーレーザの第２高調波
等、ポリイミドなどの有機材料膜の結合を切断できるエ
ネルギを有する波長を発振できるレーザを使用できる。
また液体金属イオン源等の高輝度イオン源から照射され
た集束イオンビームを走査照射するとこにより行うこと
ができる。要するに、波長とエネルギ密度の適切な範囲
を選択し、周辺にダメージなく必要な除去加工が行えれ
ば良い。
の切断に使用するレーザとして、エキシマレーザを使用
した場合について説明してきた。しかし、これに限定さ
れるものではなく、波長３０８ｎｍ，２４８ｎｍ，１９
３ｎｍの代表的なエキシマレーザの他に、ＹＡＧレーザ
の第３あるいは第４高調波、ルビーレーザの第２高調波
等、ポリイミドなどの有機材料膜の結合を切断できるエ
ネルギを有する波長を発振できるレーザを使用できる。
また液体金属イオン源等の高輝度イオン源から照射され
た集束イオンビームを走査照射するとこにより行うこと
ができる。要するに、波長とエネルギ密度の適切な範囲
を選択し、周辺にダメージなく必要な除去加工が行えれ
ば良い。
【００４８】また、レーザの照射方法としてレーザ光路
に設置された矩形開口を投影する方式が最も望ましい
が、円形のスポットに集光しても良いし、微細なスポッ
トを走査して必要な面積を除去しても良い。
に設置された矩形開口を投影する方式が最も望ましい
が、円形のスポットに集光しても良いし、微細なスポッ
トを走査して必要な面積を除去しても良い。
【００４９】これらの回路変更に必要な切断、接続を完
了した後、取り除いてあったＬＳＩチップ７を再搭載し
て回路変更は終了する。
了した後、取り除いてあったＬＳＩチップ７を再搭載し
て回路変更は終了する。
【００５０】次に、本発明の別な実施例である接続方法
について説明する。図６は前に述べた電子回路基板が完
成する前の状態、すなわち厚膜基板３１上にポリイミド
を絶縁膜３２とし、金属薄膜の配線層３３が形成された
状態を示している。配線層３３の材質としてはＣｕ，Ａ
ｌ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，等の金属及びこれらの複合膜が採
用される。これら配線層３３には余分な金属膜が存在す
る欠陥（余剰欠陥）３４，３５，３６あるいは配線の一
部が欠けた欠陥（欠落欠陥）３７，３８が存在する。通
常は複数の配線層が形成されるため、これらの欠陥を含
んだまま完成させると不良となるかあるいは不良になら
ないなでも信頼性の低いものになってしまう。このため
配線層各層ごとに欠陥を修正する必要が有る。
について説明する。図６は前に述べた電子回路基板が完
成する前の状態、すなわち厚膜基板３１上にポリイミド
を絶縁膜３２とし、金属薄膜の配線層３３が形成された
状態を示している。配線層３３の材質としてはＣｕ，Ａ
ｌ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，等の金属及びこれらの複合膜が採
用される。これら配線層３３には余分な金属膜が存在す
る欠陥（余剰欠陥）３４，３５，３６あるいは配線の一
部が欠けた欠陥（欠落欠陥）３７，３８が存在する。通
常は複数の配線層が形成されるため、これらの欠陥を含
んだまま完成させると不良となるかあるいは不良になら
ないなでも信頼性の低いものになってしまう。このため
配線層各層ごとに欠陥を修正する必要が有る。
【００５１】これらのうち、余剰欠陥３４，３５，３６
については例えばエキシマレーザの照射により除去修正
できる。この場合レーザとしてエキシマレーザに限定さ
れるものではなく、金属薄膜を加工する観点から近赤外
から紫外までの波長のパルスレーザから選ばれる。代表
的なものに、ＹＡＧレーザの基本波及びその高調波、ガ
ラスレーザ、ルビーレーザ、ＸｅＣｌレーザ、ＫｒＦレ
ーザ、ＡｒＦレーザ等が有る。
については例えばエキシマレーザの照射により除去修正
できる。この場合レーザとしてエキシマレーザに限定さ
れるものではなく、金属薄膜を加工する観点から近赤外
から紫外までの波長のパルスレーザから選ばれる。代表
的なものに、ＹＡＧレーザの基本波及びその高調波、ガ
ラスレーザ、ルビーレーザ、ＸｅＣｌレーザ、ＫｒＦレ
ーザ、ＡｒＦレーザ等が有る。
【００５２】一方、欠落欠陥３７，３８については次の
手順で修正する。まず、図７に示す様に接続用小片１５
を欠陥部３８に供給する。ここで接続用小片１５は、例
えばＣｕの箔とはんだの二層構造をもち、小片に分割さ
れたものである。はんだとしては、配線３３の材質に濡
れるものが選択される。配線表面がＣｕ，Ａｕ，Ｎｉな
どの場合には、Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ａｇ，Ａｕ−Ｇｅ等
のはんだ材を使用することができる。これを、真空吸着
あるいは静電吸着により保持する機構を持つ工具先端に
吸着し、接続を必要とする欠陥部３８両端の配線３３
に、はんだ層が配線３３に接触するように供給する。
手順で修正する。まず、図７に示す様に接続用小片１５
を欠陥部３８に供給する。ここで接続用小片１５は、例
えばＣｕの箔とはんだの二層構造をもち、小片に分割さ
れたものである。はんだとしては、配線３３の材質に濡
れるものが選択される。配線表面がＣｕ，Ａｕ，Ｎｉな
どの場合には、Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ａｇ，Ａｕ−Ｇｅ等
のはんだ材を使用することができる。これを、真空吸着
あるいは静電吸着により保持する機構を持つ工具先端に
吸着し、接続を必要とする欠陥部３８両端の配線３３
に、はんだ層が配線３３に接触するように供給する。
【００５３】この後、接続用小片１５を保持している工
具はヒータにより加熱される。この時の加熱温度ははん
だが十分に溶融する温度に設定される。これにより、Ｃ
ｕ箔は欠陥部３８両端にはんだ付けされる。あるいはこ
の工具に超音波を印加する場合には、加熱温度がはんだ
を溶融する温度より低くても良い。また必要に応じ基板
に悪影響のない範囲で基板全体を加熱しても良い。
具はヒータにより加熱される。この時の加熱温度ははん
だが十分に溶融する温度に設定される。これにより、Ｃ
ｕ箔は欠陥部３８両端にはんだ付けされる。あるいはこ
の工具に超音波を印加する場合には、加熱温度がはんだ
を溶融する温度より低くても良い。また必要に応じ基板
に悪影響のない範囲で基板全体を加熱しても良い。
【００５４】ここで、使用するはんだとして配線及び層
間絶縁膜の耐熱温度より低く、その後の工程で印加され
る温度より高い融点を持つものが選ばれる。また第一の
実施例と異なり、本実施例では接続する長さが一定では
ないため、複数種類の接続用小片１５を用意しておく必
要がある。欠陥の大きさによりその中から適した長さの
小片を選択し、欠陥部に供給する。
間絶縁膜の耐熱温度より低く、その後の工程で印加され
る温度より高い融点を持つものが選ばれる。また第一の
実施例と異なり、本実施例では接続する長さが一定では
ないため、複数種類の接続用小片１５を用意しておく必
要がある。欠陥の大きさによりその中から適した長さの
小片を選択し、欠陥部に供給する。
【００５５】ここまで、接続用小片１５として図５
（ａ）に示すＣｕ２１箔とＳｎ−Ｐｂはんだ２２の二層
構造を持つ小片で説明してきたが、これ以外に構造の小
片を使用することができる。すなわちＡｕ，Ａｌ等の箔
のみの一層からなる金属小片を用いる場合には、加熱す
るだけでなく超音波を印加することが効果的である。あ
るいは図５（ｂ）はＣｕ箔２１の両面にＳｎ−Ｐｂはん
だ２２，２３を電気メッキなどの手法で形成した三層構
造を有する小片で、これを用いる場合表裏の区別が不要
である長所を有する。
（ａ）に示すＣｕ２１箔とＳｎ−Ｐｂはんだ２２の二層
構造を持つ小片で説明してきたが、これ以外に構造の小
片を使用することができる。すなわちＡｕ，Ａｌ等の箔
のみの一層からなる金属小片を用いる場合には、加熱す
るだけでなく超音波を印加することが効果的である。あ
るいは図５（ｂ）はＣｕ箔２１の両面にＳｎ−Ｐｂはん
だ２２，２３を電気メッキなどの手法で形成した三層構
造を有する小片で、これを用いる場合表裏の区別が不要
である長所を有する。
【００５６】また図５（ｃ）はポリイミドなどの耐熱性
を有する有機材料膜２３にＣｕ膜２１を接着し、Ｃｕ膜
上に電気めっきなどの手法でＳｎ−Ｐｂなどのはんだ層
２２を形成した三層構造を有し、上記したポリイミドの
微小領域への塗布を不要にする長所を有する。さらに図
５（ｄ）はＣｕ箔２１の片面両端に、図５（ｅ）はＣｕ
箔の両面両端にはんだ層２４，２４’を、また図５
（ｆ）は有機材料膜２３にＣｕ膜２１を接着し、Ｃｕ箔
２１の片面両端にはんだ層２４を形成した構成で極力不
要なはんだを取り除いたものである。
を有する有機材料膜２３にＣｕ膜２１を接着し、Ｃｕ膜
上に電気めっきなどの手法でＳｎ−Ｐｂなどのはんだ層
２２を形成した三層構造を有し、上記したポリイミドの
微小領域への塗布を不要にする長所を有する。さらに図
５（ｄ）はＣｕ箔２１の片面両端に、図５（ｅ）はＣｕ
箔の両面両端にはんだ層２４，２４’を、また図５
（ｆ）は有機材料膜２３にＣｕ膜２１を接着し、Ｃｕ箔
２１の片面両端にはんだ層２４を形成した構成で極力不
要なはんだを取り除いたものである。
【００５７】全ての欠陥の修正を終了した後、次の工程
に送られ層間絶縁膜および次の配線層が形成される。こ
れを繰り返すことにより、配線層に欠陥のない回路基板
が完成する。
に送られ層間絶縁膜および次の配線層が形成される。こ
れを繰り返すことにより、配線層に欠陥のない回路基板
が完成する。
【００５８】次に本発明である配線接続方法を実施する
に好適な装置を図８に示す。本装置は、接続対象である
回路基板１０１を搭載し位置決めを行うためのステージ
１０２と、上記ステージ１０２を一定のシーケンスで長
距離移動と検査装置からのデータに基ずいた移動を制御
するためのステージ制御装置（図示せず）と、上記ステ
ージ１０２上に設けられた接続用小片を整列格納するた
めの台１０４と、ステージ上の回路基板１０１表面の観
察及び接続用小片の位置決めに使用されるＴＶカメラ１
０５と、モニタ１０６と、照明光源１０７を有する光学
系１０８と、加熱ヒータを有し上記接続用小片を吸着固
定し接続位置に供給するための接続工具１０９と、その
駆動機構１１０とから構成されている。
に好適な装置を図８に示す。本装置は、接続対象である
回路基板１０１を搭載し位置決めを行うためのステージ
１０２と、上記ステージ１０２を一定のシーケンスで長
距離移動と検査装置からのデータに基ずいた移動を制御
するためのステージ制御装置（図示せず）と、上記ステ
ージ１０２上に設けられた接続用小片を整列格納するた
めの台１０４と、ステージ上の回路基板１０１表面の観
察及び接続用小片の位置決めに使用されるＴＶカメラ１
０５と、モニタ１０６と、照明光源１０７を有する光学
系１０８と、加熱ヒータを有し上記接続用小片を吸着固
定し接続位置に供給するための接続工具１０９と、その
駆動機構１１０とから構成されている。
【００５９】また保護膜を形成するための保護膜形成手
段１１１が同じ駆動機構１１０に装着されており、接続
工具１０９と独立に駆動できる構成になっている。駆動
機構１１０は、ＸＹＺ３軸あるいはｒθＺ３軸の駆動に
より、基板１０１上の任意の位置と退避位置に位置決め
できる。
段１１１が同じ駆動機構１１０に装着されており、接続
工具１０９と独立に駆動できる構成になっている。駆動
機構１１０は、ＸＹＺ３軸あるいはｒθＺ３軸の駆動に
より、基板１０１上の任意の位置と退避位置に位置決め
できる。
【００６０】以降、第一の実施例に示した回路変更（あ
るいは補修）を行う場合について説明する。まずダミー
基板をステージ１０２上に搭載し、接続工具１０９をダ
ミー基板の上に押しつけ、その時の接続工具駆動機構１
１０の位置情報を記憶すると共に、接続工具１０９を退
避させた後その痕跡を光学系１０８，１０５，１０６で
観察して、光学系の視野、即ちモニタ１０６画面のほぼ
中央に来るように調整する。さらにモニタ１０６上に電
子ライン１１２を発生させて痕跡位置を表示させる。つ
いで補修を行うべき基板１０１をステージ１０２上に搭
載固定する。この基板１０１では、接続を行うべき位置
の有機保護膜を、例えばエキシマレーザなどで除去し、
接続を行うべき端子が露出されている。
るいは補修）を行う場合について説明する。まずダミー
基板をステージ１０２上に搭載し、接続工具１０９をダ
ミー基板の上に押しつけ、その時の接続工具駆動機構１
１０の位置情報を記憶すると共に、接続工具１０９を退
避させた後その痕跡を光学系１０８，１０５，１０６で
観察して、光学系の視野、即ちモニタ１０６画面のほぼ
中央に来るように調整する。さらにモニタ１０６上に電
子ライン１１２を発生させて痕跡位置を表示させる。つ
いで補修を行うべき基板１０１をステージ１０２上に搭
載固定する。この基板１０１では、接続を行うべき位置
の有機保護膜を、例えばエキシマレーザなどで除去し、
接続を行うべき端子が露出されている。
【００６１】ここでステージ１０２を駆動し、接続用小
片を整列格納してある台１０４の位置へ概略移動した
後、光学系１０８，１０５とモニタ１０６画面で観察し
ながら電子ライン１１２と接続用小片を精密に位置決め
する。しかる後接続工具１０９を下降し、接続用小片を
接続工具１０９先端に吸着させる。この吸着は、接続用
小片が比較的大きい場合には真空吸着が、微細な場合に
は静電吸着が適しているがこれらに限定されるものでは
ない。
片を整列格納してある台１０４の位置へ概略移動した
後、光学系１０８，１０５とモニタ１０６画面で観察し
ながら電子ライン１１２と接続用小片を精密に位置決め
する。しかる後接続工具１０９を下降し、接続用小片を
接続工具１０９先端に吸着させる。この吸着は、接続用
小片が比較的大きい場合には真空吸着が、微細な場合に
は静電吸着が適しているがこれらに限定されるものでは
ない。
【００６２】接続用小片を吸着した接続工具１０９を退
避させた後、ステージ１０２を駆動して基板１０１上の
接続を要する部分を設計データに従ってモニタ１０６の
視野内に再現する。その後モニタ１０６で観察しながら
接続位置と電子ライン１１２を位置決めし、接続用小片
を吸着した接続工具１０９を接続工具駆動機構１１０に
より予め記憶されている位置へ接続用小片を押しつけ
る。この時接続工具１０９は、はんだが溶融する温度ま
で加熱されており、接続端子に強固に接着することがで
きる。接続工具１０９を接続位置から退避させて、接続
が完了する。尚接続時に接続工具１０９に温度だけでな
く超音波を印加することにより加熱温度を低減すること
ができ、接続端子表面が酸化している場合でも良好な接
続を得ることができる。
避させた後、ステージ１０２を駆動して基板１０１上の
接続を要する部分を設計データに従ってモニタ１０６の
視野内に再現する。その後モニタ１０６で観察しながら
接続位置と電子ライン１１２を位置決めし、接続用小片
を吸着した接続工具１０９を接続工具駆動機構１１０に
より予め記憶されている位置へ接続用小片を押しつけ
る。この時接続工具１０９は、はんだが溶融する温度ま
で加熱されており、接続端子に強固に接着することがで
きる。接続工具１０９を接続位置から退避させて、接続
が完了する。尚接続時に接続工具１０９に温度だけでな
く超音波を印加することにより加熱温度を低減すること
ができ、接続端子表面が酸化している場合でも良好な接
続を得ることができる。
【００６３】全ての接続が終了した後、接続部に保護膜
を形成する。これは保護膜形成手段（ポリイミド材料滴
下供給手段）１１１を用いて、例えばポリイミド材料を
滴下し、ベークしてポリマ化させることでこの目的は達
成できる。なお、この窓明けされた部分の近傍には、Ｌ
ＳＩチップ７とはんだ接続する電極８が存在するので、
この電極８へポリイミド材が広がらないようにこの窓部
のみに局所的に滴下する必要がある。この時の位置決め
方法は、接続工具１０９の位置決め方法と同じである。
即ち、予めダミー基板上で樹脂を滴下してその駆動機構
１１０の位置とモニタ１０６上の電子ライン１１２を一
致させておき、あとは電子ライン１１２に合わせること
で、滴下する位置を位置決めすることができる。ただ
し、これは一例を示しているだけで保護膜形成手段１１
１の先端と基板１０１表面を同時に観察しながら位置合
わせすることも可能であり、本発明の趣旨を逸脱するこ
となく実施可能な方法が含まれることは言うまでもな
い。
を形成する。これは保護膜形成手段（ポリイミド材料滴
下供給手段）１１１を用いて、例えばポリイミド材料を
滴下し、ベークしてポリマ化させることでこの目的は達
成できる。なお、この窓明けされた部分の近傍には、Ｌ
ＳＩチップ７とはんだ接続する電極８が存在するので、
この電極８へポリイミド材が広がらないようにこの窓部
のみに局所的に滴下する必要がある。この時の位置決め
方法は、接続工具１０９の位置決め方法と同じである。
即ち、予めダミー基板上で樹脂を滴下してその駆動機構
１１０の位置とモニタ１０６上の電子ライン１１２を一
致させておき、あとは電子ライン１１２に合わせること
で、滴下する位置を位置決めすることができる。ただ
し、これは一例を示しているだけで保護膜形成手段１１
１の先端と基板１０１表面を同時に観察しながら位置合
わせすることも可能であり、本発明の趣旨を逸脱するこ
となく実施可能な方法が含まれることは言うまでもな
い。
【００６４】また保護膜形成手段（ポリイミド材料滴下
供給手段）１１１として、インクジェットの原理でポリ
イミド材料等の樹脂材料の液滴を供給しても良い。要す
るに、窓明けされた部分の近傍には、ＬＳＩチップ７と
はんだ接続する電極８が存在するので、この電極８へ樹
脂材料が広がらないようにこの窓部のみに樹脂材料の液
滴を局所的に供給する必要がある。保護膜の材料として
は、この基板１０１上にＣＣＢボンディングによりＬＳ
Ｉチップを搭載するときの温度に耐え、はんだのブリッ
ジ形成を防止できるものが選択されるが、ポリイミド樹
脂の他にエポキシ樹脂、フェノール樹脂、紫外線硬化樹
脂、シリコン樹脂等の中からベーク温度と耐熱温度で最
適なものが選択される。
供給手段）１１１として、インクジェットの原理でポリ
イミド材料等の樹脂材料の液滴を供給しても良い。要す
るに、窓明けされた部分の近傍には、ＬＳＩチップ７と
はんだ接続する電極８が存在するので、この電極８へ樹
脂材料が広がらないようにこの窓部のみに樹脂材料の液
滴を局所的に供給する必要がある。保護膜の材料として
は、この基板１０１上にＣＣＢボンディングによりＬＳ
Ｉチップを搭載するときの温度に耐え、はんだのブリッ
ジ形成を防止できるものが選択されるが、ポリイミド樹
脂の他にエポキシ樹脂、フェノール樹脂、紫外線硬化樹
脂、シリコン樹脂等の中からベーク温度と耐熱温度で最
適なものが選択される。
【００６５】なお本第１の実施例では接続工具１０９と
保護膜形成手段１１１は同一駆動機構１１０で駆動され
る場合について説明したが、それぞれ独立の駆動機構で
駆動しても良い。
保護膜形成手段１１１は同一駆動機構１１０で駆動され
る場合について説明したが、それぞれ独立の駆動機構で
駆動しても良い。
【００６６】次に、本発明の第２の実施例である接続装
置について説明する。
置について説明する。
【００６７】図９は接続装置の構成を示している。接続
を要する基板２０１と接続用小片を整列格納した台２０
２を搭載したステージ２０３と、接続工具２０４を駆動
する機構２０５と、保護膜形成手段２０６を駆動する機
構２０７と、エキシマレーザ発振器２０８と、エキシマ
レーザ発振器２０８から発振されたレーザ光２０９を反
射させるミラー２１０，２１１と開口２１２と、レーザ
光２０９の集光と観察を兼ねた対物レンズ２１３と、干
渉フィルタ２１４を備えた参照光源２１５と、観察照明
光源２１６と、撮像レンズ２１７と、レーザ光カットフ
ィルタ２１８と、ＴＶカメラ２１９と、モニタ２２０と
から構成されている。
を要する基板２０１と接続用小片を整列格納した台２０
２を搭載したステージ２０３と、接続工具２０４を駆動
する機構２０５と、保護膜形成手段２０６を駆動する機
構２０７と、エキシマレーザ発振器２０８と、エキシマ
レーザ発振器２０８から発振されたレーザ光２０９を反
射させるミラー２１０，２１１と開口２１２と、レーザ
光２０９の集光と観察を兼ねた対物レンズ２１３と、干
渉フィルタ２１４を備えた参照光源２１５と、観察照明
光源２１６と、撮像レンズ２１７と、レーザ光カットフ
ィルタ２１８と、ＴＶカメラ２１９と、モニタ２２０と
から構成されている。
【００６８】基板２０１をステージ２０３上に搭載し、
基板２０１上の特定個所２点を検出してアライメントを
行う。その後設計データに従って、接続を要する位置を
ＴＶカメラ２１９の視野内に再現する。モニタ２２０の
画面を見ながら、接続すべき端子位置と参照光源２１５
による開口２１２の投影像を位置決めし、エキシマレー
ザ発振器２０８を発振させ、アブレーション加工によ
り、ポリイミド層に窓を形成して接続端子を露出させ
る。
基板２０１上の特定個所２点を検出してアライメントを
行う。その後設計データに従って、接続を要する位置を
ＴＶカメラ２１９の視野内に再現する。モニタ２２０の
画面を見ながら、接続すべき端子位置と参照光源２１５
による開口２１２の投影像を位置決めし、エキシマレー
ザ発振器２０８を発振させ、アブレーション加工によ
り、ポリイミド層に窓を形成して接続端子を露出させ
る。
【００６９】ステージ２０３を駆動し、接続用小片の格
納容器２０２をＴＶカメラ２１９の視野内に入れ、使用
する接続用小片と予め設定してある接続工具２０４位置
を位置決めして接続工具２０４を駆動して接続用小片を
吸着固定する。その後再びステージ２０３を駆動して窓
あけされた接続端子部をＴＶカメラ２１９の視野内に入
れると共に、接続工具２０４が来るべき位置に位置合わ
せする。しかる後接続工具２０４を駆動して接続用小片
を加熱しながら接続端子間に押しつけて接続を完了す
る。
納容器２０２をＴＶカメラ２１９の視野内に入れ、使用
する接続用小片と予め設定してある接続工具２０４位置
を位置決めして接続工具２０４を駆動して接続用小片を
吸着固定する。その後再びステージ２０３を駆動して窓
あけされた接続端子部をＴＶカメラ２１９の視野内に入
れると共に、接続工具２０４が来るべき位置に位置合わ
せする。しかる後接続工具２０４を駆動して接続用小片
を加熱しながら接続端子間に押しつけて接続を完了す
る。
【００７０】必要な接続を全て終了した後、順次設計デ
ータに従い、切断すべき個所をＴＶカメラ２１９の視野
内に入れ、参照光源２１５による開口２１２の投影像と
切断すべき配線位置を位置決めし、エキシマレーザ発振
器２０８を発振させてエキシマレーザ光２０９によるア
ブレーション加工によりポリイミド膜に窓あけしたあ
と、同じエキシマレーザ光２０９により配線を切断す
る。この時窓あけは切断する領域よりやや大きめに設定
する。また切断時に配線材料金属の蒸気が切断部の周辺
に付着し、完全な切断が得られない場合があるが窓明け
部を含む周辺領域を低パワー密度でエキシマレーザ光２
０９を照射することで付着蒸気による極薄い金属膜を周
辺にダメージを発生させることなく除去できる。
ータに従い、切断すべき個所をＴＶカメラ２１９の視野
内に入れ、参照光源２１５による開口２１２の投影像と
切断すべき配線位置を位置決めし、エキシマレーザ発振
器２０８を発振させてエキシマレーザ光２０９によるア
ブレーション加工によりポリイミド膜に窓あけしたあ
と、同じエキシマレーザ光２０９により配線を切断す
る。この時窓あけは切断する領域よりやや大きめに設定
する。また切断時に配線材料金属の蒸気が切断部の周辺
に付着し、完全な切断が得られない場合があるが窓明け
部を含む周辺領域を低パワー密度でエキシマレーザ光２
０９を照射することで付着蒸気による極薄い金属膜を周
辺にダメージを発生させることなく除去できる。
【００７１】必要な接続及び切断、即ち変更（修正）が
全て終了したら、それら修正箇所を有機保護膜で被覆す
る。ステージ２０３を駆動して変更個所（接続および切
断個所）を順次ＴＶカメラ２１９の視野内に入れ、保護
膜形成手段２０６の駆動機構２０７により保護膜形成手
段２０６先端を変更個所に位置決めし、例えばポリイミ
ド材料の液滴を微量吐出させ付着させた後、加熱炉でベ
ークすることで、有機保護膜のの被覆を終了する。保護
膜形成手段２０６の位置を移動して位置決めをする代わ
りに、保護膜形成手段２０６先端を固定し、ステージ２
０３を駆動しても良い。また加熱炉の代わりに赤外線ラ
ンプあるいはレーザによる局部加熱でベークしても良
い。また被覆材料としてポリイミド樹脂のほか、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、紫外線硬化樹脂等を使用する
ことができる。紫外線硬化樹脂を用いた場合は紫外線の
照射で硬化でき、加熱の必要はない。
全て終了したら、それら修正箇所を有機保護膜で被覆す
る。ステージ２０３を駆動して変更個所（接続および切
断個所）を順次ＴＶカメラ２１９の視野内に入れ、保護
膜形成手段２０６の駆動機構２０７により保護膜形成手
段２０６先端を変更個所に位置決めし、例えばポリイミ
ド材料の液滴を微量吐出させ付着させた後、加熱炉でベ
ークすることで、有機保護膜のの被覆を終了する。保護
膜形成手段２０６の位置を移動して位置決めをする代わ
りに、保護膜形成手段２０６先端を固定し、ステージ２
０３を駆動しても良い。また加熱炉の代わりに赤外線ラ
ンプあるいはレーザによる局部加熱でベークしても良
い。また被覆材料としてポリイミド樹脂のほか、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、紫外線硬化樹脂等を使用する
ことができる。紫外線硬化樹脂を用いた場合は紫外線の
照射で硬化でき、加熱の必要はない。
【００７２】次に、本発明の第３の実施例について説明
する。
する。
【００７３】図１０に示す回路基板３０３は、アルミナ
セラミックの絶縁層と、ＷあるいはＣｕ等の厚膜ペース
トで形成された配線層の複数層からなり焼成された厚膜
基板３０１上に、ポリイミドの絶縁層、ＣｕあるいはＡ
ｌ等からなる配線層により多層薄膜層３０２が形成され
ている。この回路基板３０３には、回路変更に備えて回
路変更用配線３０４、３０４’が形成されている。これ
らは多層薄膜層３０２の製造工程において、全ての接続
用電極３０７毎に、あるいは回路変更が必要となる可能
性のある部分のみに予め形成される。また、回路変更用
配線３０４、３０４’は、通常はＣＣＢはんだ接続時に
おける短絡防止のため、ポリイミド等の絶縁保護膜３１
０で覆われている。
セラミックの絶縁層と、ＷあるいはＣｕ等の厚膜ペース
トで形成された配線層の複数層からなり焼成された厚膜
基板３０１上に、ポリイミドの絶縁層、ＣｕあるいはＡ
ｌ等からなる配線層により多層薄膜層３０２が形成され
ている。この回路基板３０３には、回路変更に備えて回
路変更用配線３０４、３０４’が形成されている。これ
らは多層薄膜層３０２の製造工程において、全ての接続
用電極３０７毎に、あるいは回路変更が必要となる可能
性のある部分のみに予め形成される。また、回路変更用
配線３０４、３０４’は、通常はＣＣＢはんだ接続時に
おける短絡防止のため、ポリイミド等の絶縁保護膜３１
０で覆われている。
【００７４】何等かの理由により（検査により不良が発
見された場合、あるいは設計変更の必要が生じた場合
等）回路変更の必要が生じた場合、回路変用配線３０
４、３０４’上にあるＬＳＩチップ３０６を局所的に加
熱してＣＣＢ接続用はんだを溶融させ、ＬＳＩチップを
取り除く。（回路変更用配線３０４、３０４’がＬＳＩ
チップ３０６下ではなく、ＬＳＩチップ６を取り除かな
くても支障のない場合はそのままでも良い。）しかる
後、エキシマレーザ光を照射して、図１１（ａ）に示す
様に回路変更用配線３０４、３０４’上のポリイミド膜
３１０に窓３１１、３１１’を形成し、配線接続部３０
８及び配線切断部３０９を露出させる。
見された場合、あるいは設計変更の必要が生じた場合
等）回路変更の必要が生じた場合、回路変用配線３０
４、３０４’上にあるＬＳＩチップ３０６を局所的に加
熱してＣＣＢ接続用はんだを溶融させ、ＬＳＩチップを
取り除く。（回路変更用配線３０４、３０４’がＬＳＩ
チップ３０６下ではなく、ＬＳＩチップ６を取り除かな
くても支障のない場合はそのままでも良い。）しかる
後、エキシマレーザ光を照射して、図１１（ａ）に示す
様に回路変更用配線３０４、３０４’上のポリイミド膜
３１０に窓３１１、３１１’を形成し、配線接続部３０
８及び配線切断部３０９を露出させる。
【００７５】窓３１１、３１１’は、少なくても回路変
更用配線３０４、３０４’の配線幅以幅よりも広く、且
つ配線接続部３０８及び配線切断部３０９の配線を完全
に露出させる深さが目安となる。また、エキシマレーザ
で窓３１１、３１１’を形成する工程において、レーザ
照射に同期させて照射部にＨｅやＯ2といったアシスト
ガスを供給することにより、レーザ照射部周辺に付着す
る残渣を低減でき、基板の品質を向上させることができ
る。
更用配線３０４、３０４’の配線幅以幅よりも広く、且
つ配線接続部３０８及び配線切断部３０９の配線を完全
に露出させる深さが目安となる。また、エキシマレーザ
で窓３１１、３１１’を形成する工程において、レーザ
照射に同期させて照射部にＨｅやＯ2といったアシスト
ガスを供給することにより、レーザ照射部周辺に付着す
る残渣を低減でき、基板の品質を向上させることができ
る。
【００７６】次に、露出した回路変更部において図１１
（ｂ）の如く、配線切断部３０９上に、配線切断後に電
気的に充分絶縁が確保される寸法に整形され、且つ配線
を溶融・除去するに充分なエネルギのエキシマレーザ光
を照射し配線を切断する。その後配線接続部３０８に対
して、マイクロディスペンサで例えばトリフルオロ酢酸
パラジウム（Ｐｄ（ＣＦ3ＣＯＯ）2）等の金属錯体とア
セトニトリル及びＮ−メチルピロリドンを混合した溶液
３１２を供給する。そして図１１（ｃ）の如く、供給し
た該溶液を徐々に加熱し、最終的に溶媒の沸点以上の温
度まで上昇させて溶媒のみを除去した後、更に錯体を熱
分解させて配線接続部３０８にパラジウム膜３１３を析
出させ、該接続部を電気的に接続する。
（ｂ）の如く、配線切断部３０９上に、配線切断後に電
気的に充分絶縁が確保される寸法に整形され、且つ配線
を溶融・除去するに充分なエネルギのエキシマレーザ光
を照射し配線を切断する。その後配線接続部３０８に対
して、マイクロディスペンサで例えばトリフルオロ酢酸
パラジウム（Ｐｄ（ＣＦ3ＣＯＯ）2）等の金属錯体とア
セトニトリル及びＮ−メチルピロリドンを混合した溶液
３１２を供給する。そして図１１（ｃ）の如く、供給し
た該溶液を徐々に加熱し、最終的に溶媒の沸点以上の温
度まで上昇させて溶媒のみを除去した後、更に錯体を熱
分解させて配線接続部３０８にパラジウム膜３１３を析
出させ、該接続部を電気的に接続する。
【００７７】より具体的には、トリフルオロ酢酸パラジ
ウムを２０ｗｔ％含む前記金属錯体溶液を基板上のφ５
０μｍの領域に塗布し、これに１×１０4Ｗ／ｃｍ2のパ
ワー密度のＡｒレーザ光を１〜１０秒間連続照射するこ
とにより、良好なパラジウム金属膜を析出させることが
できる。
ウムを２０ｗｔ％含む前記金属錯体溶液を基板上のφ５
０μｍの領域に塗布し、これに１×１０4Ｗ／ｃｍ2のパ
ワー密度のＡｒレーザ光を１〜１０秒間連続照射するこ
とにより、良好なパラジウム金属膜を析出させることが
できる。
【００７８】ここで供給した材料の加熱手段としては、
レーザ、赤外線ランプ等による局所加熱法と基板全体を
加熱炉、ホットプレート、ドライヤ等で加熱する方法が
あるが、基板、あるいは基板上に搭載されている他の部
品に影響を与えないような局所領域で、或いは、影響を
与えないような温度範囲で加熱し、金属膜を析出させる
ものである。また、供給する液体材料としては、Ｃｕ等
の金属ペースト、あるいは、Ａｕ等の金属超微粒子をα
−テレピネレート等の溶媒に分散させた超微粒子分散液
等の液体材料でも良い。即ち、何れの液体材料を使用す
る場合も、液体材料を硬化させ、金属膜を析出させる加
熱温度がＣＣＢはんだの融点以下であり、且つ析出した
金属膜の耐熱温度が、ＬＳＩチップ再搭載時に用いる温
度以上であることが必要である。
レーザ、赤外線ランプ等による局所加熱法と基板全体を
加熱炉、ホットプレート、ドライヤ等で加熱する方法が
あるが、基板、あるいは基板上に搭載されている他の部
品に影響を与えないような局所領域で、或いは、影響を
与えないような温度範囲で加熱し、金属膜を析出させる
ものである。また、供給する液体材料としては、Ｃｕ等
の金属ペースト、あるいは、Ａｕ等の金属超微粒子をα
−テレピネレート等の溶媒に分散させた超微粒子分散液
等の液体材料でも良い。即ち、何れの液体材料を使用す
る場合も、液体材料を硬化させ、金属膜を析出させる加
熱温度がＣＣＢはんだの融点以下であり、且つ析出した
金属膜の耐熱温度が、ＬＳＩチップ再搭載時に用いる温
度以上であることが必要である。
【００７９】この様に、液体材料を供給して接続するこ
とで、一般的な接続方法であるワイヤボンディングと比
較して、接続部に機械的ダメージを与えることなく接続
することが可能となり、接続部の品質が向上する。更
に、材料を液状で供給するので、配線上の接続すべき部
分の一部にポリイミド保護膜３１０の除去残りが存在し
ても、材料と配線部分とを確実に接続することができ、
接続の高い信頼性を確保できる。
とで、一般的な接続方法であるワイヤボンディングと比
較して、接続部に機械的ダメージを与えることなく接続
することが可能となり、接続部の品質が向上する。更
に、材料を液状で供給するので、配線上の接続すべき部
分の一部にポリイミド保護膜３１０の除去残りが存在し
ても、材料と配線部分とを確実に接続することができ、
接続の高い信頼性を確保できる。
【００８０】以上により、従来の電気回路を新しい電気
回路に切り替える作業が終了する。
回路に切り替える作業が終了する。
【００８１】更に、回路変更終了後、ＬＳＩチップを再
搭載する際に、配線接続部３０８及び配線切断部３０９
と、はんだボール（図示せず）との間で電気的短絡の発
生を防止するため、図１１（ｄ）の如く窓３１１、３１
１’内部で露出している配線接続部３０８及び配線切断
部３０９との表面に、マイクロディスペンサによって例
えばＵＶ硬化樹脂等の有機絶縁材料を供給して露出して
いる金属面を被覆し、供給したＵＶ硬化樹脂等の有機絶
縁材料にＵＶ光を照射して硬化させ、配線接続部３０８
及び配線切断部３０９上に被覆膜３１４を形成する。
搭載する際に、配線接続部３０８及び配線切断部３０９
と、はんだボール（図示せず）との間で電気的短絡の発
生を防止するため、図１１（ｄ）の如く窓３１１、３１
１’内部で露出している配線接続部３０８及び配線切断
部３０９との表面に、マイクロディスペンサによって例
えばＵＶ硬化樹脂等の有機絶縁材料を供給して露出して
いる金属面を被覆し、供給したＵＶ硬化樹脂等の有機絶
縁材料にＵＶ光を照射して硬化させ、配線接続部３０８
及び配線切断部３０９上に被覆膜３１４を形成する。
【００８２】ここで被覆膜３１４の材料としては、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等の有機絶縁材料でも構わな
い。但し、これらの材料を用いた場合は、加熱手段によ
って供給した材料の溶媒を蒸発させると共に、硬化させ
る必要がある。加熱手段としては、レーザ、赤外線ラン
プ等による局所加熱法と基板全体を加熱炉、ホットプレ
ート、ドライヤ等で加熱する方法を用いることができ、
基板、あるいは基板上に搭載されている他の部品に影響
を与えないような局所領域、或いは、影響を与えないよ
うな温度範囲で加熱する。
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等の有機絶縁材料でも構わな
い。但し、これらの材料を用いた場合は、加熱手段によ
って供給した材料の溶媒を蒸発させると共に、硬化させ
る必要がある。加熱手段としては、レーザ、赤外線ラン
プ等による局所加熱法と基板全体を加熱炉、ホットプレ
ート、ドライヤ等で加熱する方法を用いることができ、
基板、あるいは基板上に搭載されている他の部品に影響
を与えないような局所領域、或いは、影響を与えないよ
うな温度範囲で加熱する。
【００８３】即ち、何れの材料を使用する場合も、材料
を硬化させる加熱温度がＣＣＢはんだの融点以下であ
り、且つ硬化した材料の耐熱温度が、ＬＳＩチップ再搭
載時に用いる温度以上であることが必要である。また、
凹凸形状を有する配線接続部３０８及び配線切断部３０
９での被覆材料としては、硬化前後における体積収縮率
が、無視できるほど小さいＵＶ硬化樹脂の方が有利であ
るが、硬化後の変形が許容できる形状であれば、エポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂等の材料が使用可能である。
を硬化させる加熱温度がＣＣＢはんだの融点以下であ
り、且つ硬化した材料の耐熱温度が、ＬＳＩチップ再搭
載時に用いる温度以上であることが必要である。また、
凹凸形状を有する配線接続部３０８及び配線切断部３０
９での被覆材料としては、硬化前後における体積収縮率
が、無視できるほど小さいＵＶ硬化樹脂の方が有利であ
るが、硬化後の変形が許容できる形状であれば、エポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂等の材料が使用可能である。
【００８４】次に、回路変更が終了した配線接続部３０
８及び配線切断部３０９のＡ−Ａ’断面図を図１２に示
し、ＵＶ硬化樹脂による回路変更部の被覆性について説
明する。
８及び配線切断部３０９のＡ−Ａ’断面図を図１２に示
し、ＵＶ硬化樹脂による回路変更部の被覆性について説
明する。
【００８５】ＵＶ硬化樹脂による被覆の必要条件として
は、窓３１１、３１１’内部で露出している配線接続部
３０８及び配線切断部３０９との表面を完全に覆い、か
つ、供給したＵＶ硬化樹脂が窓３１１、３１１’からは
み出さないことである。これについては、被覆にはＵＶ
硬化樹脂の表面張力と、ポリイミド保護膜３１０との間
の濡れ性の関係を利用しているため、配線接続部３０８
の接続方法が大きく影響する。
は、窓３１１、３１１’内部で露出している配線接続部
３０８及び配線切断部３０９との表面を完全に覆い、か
つ、供給したＵＶ硬化樹脂が窓３１１、３１１’からは
み出さないことである。これについては、被覆にはＵＶ
硬化樹脂の表面張力と、ポリイミド保護膜３１０との間
の濡れ性の関係を利用しているため、配線接続部３０８
の接続方法が大きく影響する。
【００８６】即ち、接続材料３１２のポリイミド保護膜
３１０表面からの突出量が大きいと、被覆を施しても金
属面を完全に覆うことが困難になる。よって配線接続部
３０８では、ポリイミド保護膜３１０表面からの接続材
料の突出を極力抑えて接続する必要がある。この点で金
属錯体等の液体材料を利用することにより、一般的な接
続方法であるワイヤボンディングと比較して非常に有利
となる。
３１０表面からの突出量が大きいと、被覆を施しても金
属面を完全に覆うことが困難になる。よって配線接続部
３０８では、ポリイミド保護膜３１０表面からの接続材
料の突出を極力抑えて接続する必要がある。この点で金
属錯体等の液体材料を利用することにより、一般的な接
続方法であるワイヤボンディングと比較して非常に有利
となる。
【００８７】即ち、ワイヤボンディングでは、接続後に
ポリイミド保護膜３１０表面からワイヤが大きく突出す
る問題が生じるが、本発明による方法では、接続材料が
ポリイミド保護膜３１０表面から突出しない、あるいは
ポリイミド保護膜３１０表面からの突出を大幅に抑制す
ることができ、被覆性を向上させることができる。従っ
て供給したＵＶ硬化樹脂も配線接続部３０８上の窓から
はみでることはなく、接続用電極３０７上等の不要な部
分への付着が防止される。要は、ＬＳＩ再搭載時の加熱
温度に耐えうる有機絶縁材料を配線接続部３０８及び配
線切断部３０９に供給し硬化させ、金属表面を覆うこと
によって被覆の目的が達成されるものである。
ポリイミド保護膜３１０表面からワイヤが大きく突出す
る問題が生じるが、本発明による方法では、接続材料が
ポリイミド保護膜３１０表面から突出しない、あるいは
ポリイミド保護膜３１０表面からの突出を大幅に抑制す
ることができ、被覆性を向上させることができる。従っ
て供給したＵＶ硬化樹脂も配線接続部３０８上の窓から
はみでることはなく、接続用電極３０７上等の不要な部
分への付着が防止される。要は、ＬＳＩ再搭載時の加熱
温度に耐えうる有機絶縁材料を配線接続部３０８及び配
線切断部３０９に供給し硬化させ、金属表面を覆うこと
によって被覆の目的が達成されるものである。
【００８８】その後、ＬＳＩチップをＭＣＭ基板上に再
搭載し、回路変更が終了する。このオーバーコート膜の
形成により、ＬＳＩチップ再搭載時に、回路変更部とは
んだボールとの間の電気的短絡を防止でき、且つＭＣＭ
基板の信頼性を向上させることができる。
搭載し、回路変更が終了する。このオーバーコート膜の
形成により、ＬＳＩチップ再搭載時に、回路変更部とは
んだボールとの間の電気的短絡を防止でき、且つＭＣＭ
基板の信頼性を向上させることができる。
【００８９】ここで、ポリイミド膜の除去あるいは配線
の切断に使用するレーザとして、エキシマレーザを使用
した場合について説明してきた。しかし、これに限定さ
れるものではなく、波長３０８ｎｍ、２４８ｎｍ、１９
３ｎｍの代表的なエキシマレーザの他に、ＹＡＧレーザ
の第３あるいは第４高調波、ルビーレーザの第２高調波
等、ポリイミドなどの有機材料膜の結合を切断できるエ
ネルギを有する波長を発振できるレーザを使用できる。
また液体金属イオン源等の高輝度イオン源から照射され
た集束イオンビームを走査照射するとこにより行うこと
ができる。要するに、波長とエネルギ密度の適切な範囲
を選択し、周辺にダメージなく必要な除去加工が行えれ
ば良い。
の切断に使用するレーザとして、エキシマレーザを使用
した場合について説明してきた。しかし、これに限定さ
れるものではなく、波長３０８ｎｍ、２４８ｎｍ、１９
３ｎｍの代表的なエキシマレーザの他に、ＹＡＧレーザ
の第３あるいは第４高調波、ルビーレーザの第２高調波
等、ポリイミドなどの有機材料膜の結合を切断できるエ
ネルギを有する波長を発振できるレーザを使用できる。
また液体金属イオン源等の高輝度イオン源から照射され
た集束イオンビームを走査照射するとこにより行うこと
ができる。要するに、波長とエネルギ密度の適切な範囲
を選択し、周辺にダメージなく必要な除去加工が行えれ
ば良い。
【００９０】また、レーザの照射方法としてレーザ光路
に設置された矩形開口を投影する方式が最も望ましい
が、円形のスポットに集光しても良いし、微細なスポッ
トを走査して必要な面積を除去しても良い。
に設置された矩形開口を投影する方式が最も望ましい
が、円形のスポットに集光しても良いし、微細なスポッ
トを走査して必要な面積を除去しても良い。
【００９１】更に、ここでは接続用電極３０７と回路変
更用配線３０４、３０４’が同一層にあり、同一材料で
形成されている場合のみを説明してきたが、接続用電極
３０７と配線接続部３０８及び配線切断部３０９が個別
の層にあり、且つそれぞれの材料が異なっても構わな
い。
更用配線３０４、３０４’が同一層にあり、同一材料で
形成されている場合のみを説明してきたが、接続用電極
３０７と配線接続部３０８及び配線切断部３０９が個別
の層にあり、且つそれぞれの材料が異なっても構わな
い。
【００９２】次に、本発明の第４の実施例について説明
する。
する。
【００９３】先に説明したＭＣＭ基板３０３の多層薄膜
層３０２の製造工程では、図１３（ａ）の如く、層間絶
縁膜であるポリイミド膜３２２上に、配線３２１（材質
としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等の金属あるい
はこれらの複合膜が用いられる）である金属膜の一部が
欠けた欠陥（欠落欠陥）と、図示しない金属膜が余分に
存在する欠陥（余剰欠陥）とが存在する。尚、図１３に
は欠陥部の平面図と断面図とを同時に示す。この多層薄
膜層では、通常は複数の配線層が形成されるため、これ
らの欠陥を含んだまま完成させると回路基板３０３自体
が不良となるか、あるいは不良にならないまでも信頼性
の低いものになってしまう。このため配線層各層ごとに
欠陥を修正する必要が有る。
層３０２の製造工程では、図１３（ａ）の如く、層間絶
縁膜であるポリイミド膜３２２上に、配線３２１（材質
としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等の金属あるい
はこれらの複合膜が用いられる）である金属膜の一部が
欠けた欠陥（欠落欠陥）と、図示しない金属膜が余分に
存在する欠陥（余剰欠陥）とが存在する。尚、図１３に
は欠陥部の平面図と断面図とを同時に示す。この多層薄
膜層では、通常は複数の配線層が形成されるため、これ
らの欠陥を含んだまま完成させると回路基板３０３自体
が不良となるか、あるいは不良にならないまでも信頼性
の低いものになってしまう。このため配線層各層ごとに
欠陥を修正する必要が有る。
【００９４】これらのうち、図示しない金属膜の余剰欠
陥については、例えばエキシマレーザの照射により除去
修正できる。この場合レーザとしてエキシマレーザに限
定されるものではなく、金属薄膜を加工する観点から、
近赤外から紫外までの波長のパルスレーザから選ばれ
る。代表的なものに、ＹＡＧレーザの基本波及びその高
調波、ガラスレーザ、ルビーレーザ、ＸｅＣｌレーザ、
ＫｒＦレーザ、ＡｒＦレーザ等が有る。
陥については、例えばエキシマレーザの照射により除去
修正できる。この場合レーザとしてエキシマレーザに限
定されるものではなく、金属薄膜を加工する観点から、
近赤外から紫外までの波長のパルスレーザから選ばれ
る。代表的なものに、ＹＡＧレーザの基本波及びその高
調波、ガラスレーザ、ルビーレーザ、ＸｅＣｌレーザ、
ＫｒＦレーザ、ＡｒＦレーザ等が有る。
【００９５】一方、欠落欠陥については以下の手順で修
正する。
正する。
【００９６】まず、図１３（ｂ）の如く配線欠落部にマ
イクロディスペンサで例えばトリフルオロ酢酸パラジウ
ム（Ｐｄ（ＣＦ3ＣＯＯ）2）等の金属錯体とアセトニト
リル及びＮ−メチルピロリドンを混合した溶液３２３を
供給する。そして供給した液体材料を加熱して配線欠落
部に図４（ｃ）の如くパラジウム膜３２４を析出させ、
該欠落部を電気的に接続する。
イクロディスペンサで例えばトリフルオロ酢酸パラジウ
ム（Ｐｄ（ＣＦ3ＣＯＯ）2）等の金属錯体とアセトニト
リル及びＮ−メチルピロリドンを混合した溶液３２３を
供給する。そして供給した液体材料を加熱して配線欠落
部に図４（ｃ）の如くパラジウム膜３２４を析出させ、
該欠落部を電気的に接続する。
【００９７】ここで、液体材料の加熱手段としては、レ
ーザ、赤外線ランプ等による局所加熱法と基板全体を加
熱炉、ホットプレート、ドライヤ等で加熱する方法があ
るが、基板に影響を与えないような局所領域で、または
基板に影響を与えないような温度範囲で加熱し、金属膜
３２４を析出させるものである。また、供給する液体材
料としては、Ｃｕ等の金属ペースト、あるいはＡｕ等の
金属超微粒子をα−テレピネレート等の溶媒に分散させ
た超微粒子分散液等の液体材料でも良い。
ーザ、赤外線ランプ等による局所加熱法と基板全体を加
熱炉、ホットプレート、ドライヤ等で加熱する方法があ
るが、基板に影響を与えないような局所領域で、または
基板に影響を与えないような温度範囲で加熱し、金属膜
３２４を析出させるものである。また、供給する液体材
料としては、Ｃｕ等の金属ペースト、あるいはＡｕ等の
金属超微粒子をα−テレピネレート等の溶媒に分散させ
た超微粒子分散液等の液体材料でも良い。
【００９８】即ち、何れの液体材料を使用する場合も、
液体材料を硬化させ、金属膜３２４を析出させる加熱温
度がポリイミド膜３２２の耐熱温度以下であり、且つ析
出した金属膜３２４の耐熱温度がその後の製造工程にお
ける作業温度以上であることが必要である。以上の手段
で、配線３２１の欠落欠陥が修正可能となる。また、液
体材料で接続することによって、一般的な接続方法であ
るワイヤボンディングと比較して、接続部に機械的ダメ
ージを与えることなく接続することが可能となり、接続
の品質を向上させることができる。更に、修正部におけ
る凹凸が最小限に抑えられるため、その後の製造工程で
容易に配線層の多層化を図ることができる効果がある。
液体材料を硬化させ、金属膜３２４を析出させる加熱温
度がポリイミド膜３２２の耐熱温度以下であり、且つ析
出した金属膜３２４の耐熱温度がその後の製造工程にお
ける作業温度以上であることが必要である。以上の手段
で、配線３２１の欠落欠陥が修正可能となる。また、液
体材料で接続することによって、一般的な接続方法であ
るワイヤボンディングと比較して、接続部に機械的ダメ
ージを与えることなく接続することが可能となり、接続
の品質を向上させることができる。更に、修正部におけ
る凹凸が最小限に抑えられるため、その後の製造工程で
容易に配線層の多層化を図ることができる効果がある。
【００９９】次に、図１４〜図１６を用いて、回路基板
３０３の多層薄膜層３０２における、配線欠落欠陥の修
正方法の他の実施例を説明する。まず、図１４（ａ）の
如く、層間絶縁膜であるポリイミド薄膜３３２上に形成
された、欠落欠陥を有する薄膜配線３３１の欠陥部に対
して、マイクロディスペンサを用い、図１４（ｂ）の如
く金属錯体溶液３３３等の液体材料を供給する。尚、図
１４には欠落部の平面図と断面図とを同時に示す。そし
て供給した該液体材料を加熱して配線欠落部に図１４
（ｃ）の如く金属膜３３４を析出させ、該欠落部を電気
的に接続する。
３０３の多層薄膜層３０２における、配線欠落欠陥の修
正方法の他の実施例を説明する。まず、図１４（ａ）の
如く、層間絶縁膜であるポリイミド薄膜３３２上に形成
された、欠落欠陥を有する薄膜配線３３１の欠陥部に対
して、マイクロディスペンサを用い、図１４（ｂ）の如
く金属錯体溶液３３３等の液体材料を供給する。尚、図
１４には欠落部の平面図と断面図とを同時に示す。そし
て供給した該液体材料を加熱して配線欠落部に図１４
（ｃ）の如く金属膜３３４を析出させ、該欠落部を電気
的に接続する。
【０１００】その後、析出させた金属膜３３４の内、薄
膜配線３３１の配線幅よりも広がった部分３３５、３３
５’に、矩形開口スリット等で整形したエキシマレーザ
光を照射し、金属膜３３４の一部を除去する。この除去
の際、エキシマレーザ光の一部がポリイミド薄膜３３２
上に照射されることにより、ポリイミド薄膜３３２も同
時に加工されるが、その加工深さがポリイミド薄膜３３
２の膜厚よりも充分小さくなるように、エキシマレーザ
光の照射エネルギ及び照射回数を決定する必要がある。
そして配線欠落部における金属膜３３４を図１４（ｄ）
の如く整形して欠落部を電気的に接続し修正する。
膜配線３３１の配線幅よりも広がった部分３３５、３３
５’に、矩形開口スリット等で整形したエキシマレーザ
光を照射し、金属膜３３４の一部を除去する。この除去
の際、エキシマレーザ光の一部がポリイミド薄膜３３２
上に照射されることにより、ポリイミド薄膜３３２も同
時に加工されるが、その加工深さがポリイミド薄膜３３
２の膜厚よりも充分小さくなるように、エキシマレーザ
光の照射エネルギ及び照射回数を決定する必要がある。
そして配線欠落部における金属膜３３４を図１４（ｄ）
の如く整形して欠落部を電気的に接続し修正する。
【０１０１】以上により、薄膜配線３３１の欠落部が大
きい場合についても修正が可能となる。また、使用する
レーザとして、エキシマレーザを使用した場合について
説明してきたが、これに限定されるものではなく、波長
３０８ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍの代表的なエキシ
マレーザの他に、ＹＡＧレーザの第３あるいは第４高調
波、ルビーレーザの第２高調波等、ポリイミド等の有機
材料膜の結合を切断できるエネルギを有する波長を発振
できるレーザが使用できる。
きい場合についても修正が可能となる。また、使用する
レーザとして、エキシマレーザを使用した場合について
説明してきたが、これに限定されるものではなく、波長
３０８ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍの代表的なエキシ
マレーザの他に、ＹＡＧレーザの第３あるいは第４高調
波、ルビーレーザの第２高調波等、ポリイミド等の有機
材料膜の結合を切断できるエネルギを有する波長を発振
できるレーザが使用できる。
【０１０２】更に、図１５（ａ）の如く、層間絶縁膜で
あるポリイミド薄膜３４２上に形成された、欠落欠陥を
有する薄膜配線３４１の欠陥部に対して、マイクロディ
スペンサを用い、図１５（ｂ）の如く金属錯体溶液３４
３等の液体材料を供給する。尚、図１５には、欠落部の
平面図と断面図とを同時に示す。そして供給した金属錯
体溶液３４３の配線欠落部分３４４のみをレーザ光ある
いは赤外線ランプ等の局所加熱手段により加熱し、図１
５（ｃ）の如く加熱した部分のみに金属膜３４５を析出
させる。
あるポリイミド薄膜３４２上に形成された、欠落欠陥を
有する薄膜配線３４１の欠陥部に対して、マイクロディ
スペンサを用い、図１５（ｂ）の如く金属錯体溶液３４
３等の液体材料を供給する。尚、図１５には、欠落部の
平面図と断面図とを同時に示す。そして供給した金属錯
体溶液３４３の配線欠落部分３４４のみをレーザ光ある
いは赤外線ランプ等の局所加熱手段により加熱し、図１
５（ｃ）の如く加熱した部分のみに金属膜３４５を析出
させる。
【０１０３】その後、供給した金属錯体溶液３４３の余
分な部分３４６、３４６’を超音波洗浄等の除去手段に
より除去し、図１５（ｄ）の如く金属膜を整形すること
により欠落部を電気的に接続し修正する。以上により、
薄膜配線３４１の欠落部が大きい場合にも、ポリイミド
保護膜３４２に何らダメージを与えることなく、必要な
部分にのみ金属膜３４５を析出させて修正することが可
能となる。
分な部分３４６、３４６’を超音波洗浄等の除去手段に
より除去し、図１５（ｄ）の如く金属膜を整形すること
により欠落部を電気的に接続し修正する。以上により、
薄膜配線３４１の欠落部が大きい場合にも、ポリイミド
保護膜３４２に何らダメージを与えることなく、必要な
部分にのみ金属膜３４５を析出させて修正することが可
能となる。
【０１０４】更に、図１６（ａ）の如く、層間絶縁膜で
あるポリイミド薄膜３５２上に形成された薄膜配線３５
１の欠陥部に対して、図１６（ｂ）の如く、薄膜配線３
５１にダメージを与えず、且つ薄膜配線３５１の下地膜
であるポリイミド薄膜３５２のみを加工できるエネルギ
条件のエキシマレーザ光を照射し、ポリイミド薄膜３５
２に溝３５３を形成する。尚、図１６には欠落部の平面
図と断面図とを同時に示す。またここで、エキシマレー
ザで形成する溝３５３の深さについては、薄膜配線３５
１の下地膜であるポリイミド薄膜３５２の膜厚よりも小
さくする必要がある。そして、図１６（ｃ）の如く、形
成した溝３５３内部にマイクロディスペンサによって金
属錯体溶液３５４等の液体材料を供給する。
あるポリイミド薄膜３５２上に形成された薄膜配線３５
１の欠陥部に対して、図１６（ｂ）の如く、薄膜配線３
５１にダメージを与えず、且つ薄膜配線３５１の下地膜
であるポリイミド薄膜３５２のみを加工できるエネルギ
条件のエキシマレーザ光を照射し、ポリイミド薄膜３５
２に溝３５３を形成する。尚、図１６には欠落部の平面
図と断面図とを同時に示す。またここで、エキシマレー
ザで形成する溝３５３の深さについては、薄膜配線３５
１の下地膜であるポリイミド薄膜３５２の膜厚よりも小
さくする必要がある。そして、図１６（ｃ）の如く、形
成した溝３５３内部にマイクロディスペンサによって金
属錯体溶液３５４等の液体材料を供給する。
【０１０５】その後、図１６（ｄ）の如く、供給した液
体材料を加熱して溝３５３内部に金属膜３５５を析出さ
せて配線欠落部を電気的に接続し修正する。また、形成
する溝の形状は、配線欠落部を直線的に接続するものと
は限らず、同一配線層上の任意接続箇所間のポリイミド
薄膜３５２に任意の経路で溝を形成し、溝内部に液体材
料を供給しても良い。以上により、特定形状の配線欠落
部のみならず、発生しうる全ての配線欠落欠陥を修正す
ることが可能となる。
体材料を加熱して溝３５３内部に金属膜３５５を析出さ
せて配線欠落部を電気的に接続し修正する。また、形成
する溝の形状は、配線欠落部を直線的に接続するものと
は限らず、同一配線層上の任意接続箇所間のポリイミド
薄膜３５２に任意の経路で溝を形成し、溝内部に液体材
料を供給しても良い。以上により、特定形状の配線欠落
部のみならず、発生しうる全ての配線欠落欠陥を修正す
ることが可能となる。
【０１０６】更に、本発明による別な実施例を以下に説
明する。回路基板３０３における、多層薄膜層３０２の
製造工程では、これまで説明してきた配線の余剰及び欠
落欠陥の他に、層間絶縁膜であるポリイミド薄膜につい
ても同様の欠陥が発生する。図１７により、その修正方
法の一実施例を説明する。尚、図８は製造工程中の回路
基板３０３の断面図を示したものである。
明する。回路基板３０３における、多層薄膜層３０２の
製造工程では、これまで説明してきた配線の余剰及び欠
落欠陥の他に、層間絶縁膜であるポリイミド薄膜につい
ても同様の欠陥が発生する。図１７により、その修正方
法の一実施例を説明する。尚、図８は製造工程中の回路
基板３０３の断面図を示したものである。
【０１０７】図１７（ａ）において、厚膜基板１上に、
第一絶縁層であるポリイミド薄膜３６１を介して、第一
配線層３６３及び第二配線層３６４（材質としては、Ｃ
ｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等の金属あるいはこれらの複
合膜が用いられる）が形成されており、更に第二配線層
３６４上には第二絶縁層３６２が形成されている。第二
絶縁層３６４には、この後の工程で形成される第三配線
層とコンタクトをとるためのスルーホール３６５が設け
られているが、何らかの原因で第二絶縁層３６２の欠落
部３６６が発生し、該欠落部底面に第二配線層の一部が
露出すると、第二配線層３６２とこの後形成される第三
配線層との間で不要な短絡部を形成する原因となる。ま
た、図示しないポリイミド薄膜の余剰欠陥（例えば、ス
ルーホール３６５の未貫通等）は、配線層間の断線不良
等となって現れるため、各層毎にこれらの欠陥を修正す
る必要がある。
第一絶縁層であるポリイミド薄膜３６１を介して、第一
配線層３６３及び第二配線層３６４（材質としては、Ｃ
ｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等の金属あるいはこれらの複
合膜が用いられる）が形成されており、更に第二配線層
３６４上には第二絶縁層３６２が形成されている。第二
絶縁層３６４には、この後の工程で形成される第三配線
層とコンタクトをとるためのスルーホール３６５が設け
られているが、何らかの原因で第二絶縁層３６２の欠落
部３６６が発生し、該欠落部底面に第二配線層の一部が
露出すると、第二配線層３６２とこの後形成される第三
配線層との間で不要な短絡部を形成する原因となる。ま
た、図示しないポリイミド薄膜の余剰欠陥（例えば、ス
ルーホール３６５の未貫通等）は、配線層間の断線不良
等となって現れるため、各層毎にこれらの欠陥を修正す
る必要がある。
【０１０８】ここで、これらの絶縁層の余剰欠陥の修
正、即ちポリイミド膜の除去に使用するレーザとして、
エキシマレーザが使用可能であることは言うまでもな
い。しかし、これに限定されるものではなく、波長３０
８ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍの代表的なエキシマレ
ーザの他に、ＹＡＧレーザの第３あるいは第４高調波、
ルビーレーザの第２高調波等、ポリイミドなどの有機材
料膜の結合を切断できるエネルギを有する波長を発振で
きるレーザが使用できる。また液体金属イオン源等の高
輝度イオン源から照射された集束イオンビームを走査照
射するとこにより行うことも可能である。要するに、波
長とエネルギ密度の適切な範囲を選択し、周辺にダメー
ジなく必要な除去加工が行えれば良い。
正、即ちポリイミド膜の除去に使用するレーザとして、
エキシマレーザが使用可能であることは言うまでもな
い。しかし、これに限定されるものではなく、波長３０
８ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍの代表的なエキシマレ
ーザの他に、ＹＡＧレーザの第３あるいは第４高調波、
ルビーレーザの第２高調波等、ポリイミドなどの有機材
料膜の結合を切断できるエネルギを有する波長を発振で
きるレーザが使用できる。また液体金属イオン源等の高
輝度イオン源から照射された集束イオンビームを走査照
射するとこにより行うことも可能である。要するに、波
長とエネルギ密度の適切な範囲を選択し、周辺にダメー
ジなく必要な除去加工が行えれば良い。
【０１０９】一方、欠落欠陥については以下の手順で修
正する。まず、図１７（ｂ）の如くポリイミド膜欠落部
に、マイクロディスペンサでポリイミド樹脂３６７等の
有機絶縁材料を供給する。ここで供給する材料として
は、エポキシ樹脂、あるいはＵＶ硬化樹脂等の有機絶縁
材料でも構わない。そして、これらの液体材料を供給し
た後、加熱手段によって供給した材料の溶媒のみを蒸発
させると共に、図１７（ｃ）の如く硬化させる（ＵＶ硬
化樹脂を用いた場合は加熱の必要はなく、ＵＶ光のみを
照射して硬化させる）。加熱手段としては、レーザ、赤
外線ランプ等による局所加熱法と基板全体を加熱炉、ホ
ットプレート、ドライヤ等で加熱する方法があるが、基
板に影響の無い範囲で加熱する。即ち、何れの材料を使
用する場合も、材料を硬化させる加熱温度が、ポリイミ
ド膜３６１、３６２の耐熱温度以下であり、且つ硬化し
た材料の耐熱温度が、その後の製造工程における作業温
度以上であることが必要である。
正する。まず、図１７（ｂ）の如くポリイミド膜欠落部
に、マイクロディスペンサでポリイミド樹脂３６７等の
有機絶縁材料を供給する。ここで供給する材料として
は、エポキシ樹脂、あるいはＵＶ硬化樹脂等の有機絶縁
材料でも構わない。そして、これらの液体材料を供給し
た後、加熱手段によって供給した材料の溶媒のみを蒸発
させると共に、図１７（ｃ）の如く硬化させる（ＵＶ硬
化樹脂を用いた場合は加熱の必要はなく、ＵＶ光のみを
照射して硬化させる）。加熱手段としては、レーザ、赤
外線ランプ等による局所加熱法と基板全体を加熱炉、ホ
ットプレート、ドライヤ等で加熱する方法があるが、基
板に影響の無い範囲で加熱する。即ち、何れの材料を使
用する場合も、材料を硬化させる加熱温度が、ポリイミ
ド膜３６１、３６２の耐熱温度以下であり、且つ硬化し
た材料の耐熱温度が、その後の製造工程における作業温
度以上であることが必要である。
【０１１０】以上の手段で、ポリイミド薄膜の欠落欠陥
が修正可能となる。
が修正可能となる。
【０１１１】次に、ポリイミド薄膜の欠落欠陥の修正方
法の他の実施例を説明する。
法の他の実施例を説明する。
【０１１２】図１８（ａ）において、厚膜基板３０１上
に、第一絶縁層であるポリイミド薄膜３７１を介して、
第一配線層３７３及び第二配線層３７４が形成されてお
り、更に第二配線層３７４上には第二絶縁層３７２が形
成されている。第二絶縁層３７４には、この後形成され
る第三配線層とコンタクトをとるためのスルーホール３
７５が設けられているが、何らかの原因でこのスルーホ
ール３７５のパターンを含んだ欠落欠陥３７６が発生し
た場合、図１８（ｂ）の如く、マイクロディスペンサで
スルーホール３７５及びパターン欠落部３７６にポリイ
ミド樹脂３７７等の有機絶縁材料を供給し、図１８
（ｃ）の如く、加熱手段によって供給した材料を硬化さ
せる。
に、第一絶縁層であるポリイミド薄膜３７１を介して、
第一配線層３７３及び第二配線層３７４が形成されてお
り、更に第二配線層３７４上には第二絶縁層３７２が形
成されている。第二絶縁層３７４には、この後形成され
る第三配線層とコンタクトをとるためのスルーホール３
７５が設けられているが、何らかの原因でこのスルーホ
ール３７５のパターンを含んだ欠落欠陥３７６が発生し
た場合、図１８（ｂ）の如く、マイクロディスペンサで
スルーホール３７５及びパターン欠落部３７６にポリイ
ミド樹脂３７７等の有機絶縁材料を供給し、図１８
（ｃ）の如く、加熱手段によって供給した材料を硬化さ
せる。
【０１１３】その後、硬化したポリイミド膜上のスルー
ホールとなる部分３７８のみをエキシマレーザの照射で
除去し、図１８（ｄ）に示すスルーホール３７９を形成
する。このスルーホール３７９の形成の際に、レーザの
照射開始から終了までの間、連続的にレーザ照射領域を
変化させる（照射領域を広くする、あるいは狭くする）
ことにより、スルーホール３７９にテーパを設けること
が可能である。この手段を用いることにより、この後形
成する第三配線層のスルーホール部での段切れを防止す
ることができる。以上により、マスクを用いた部分露光
の必要がなく、ネガ型、ポジ型の材料に対して同様の手
段で、ポリイミド絶縁膜３７１、３７２について発生し
うる全ての欠落欠陥を容易に修正することができる。
ホールとなる部分３７８のみをエキシマレーザの照射で
除去し、図１８（ｄ）に示すスルーホール３７９を形成
する。このスルーホール３７９の形成の際に、レーザの
照射開始から終了までの間、連続的にレーザ照射領域を
変化させる（照射領域を広くする、あるいは狭くする）
ことにより、スルーホール３７９にテーパを設けること
が可能である。この手段を用いることにより、この後形
成する第三配線層のスルーホール部での段切れを防止す
ることができる。以上により、マスクを用いた部分露光
の必要がなく、ネガ型、ポジ型の材料に対して同様の手
段で、ポリイミド絶縁膜３７１、３７２について発生し
うる全ての欠落欠陥を容易に修正することができる。
【０１１４】回路基板３０３の多層薄膜層３０２の製造
工程において、以上に述べた本発明による配線修正手段
及び絶縁膜修正手段を用いることにより、多層薄膜層３
０２に欠陥のない回路基板を得ることができる。
工程において、以上に述べた本発明による配線修正手段
及び絶縁膜修正手段を用いることにより、多層薄膜層３
０２に欠陥のない回路基板を得ることができる。
【０１１５】次に、本発明である電子回路基板の修正を
実施するための装置の一例を図１９に示す。
実施するための装置の一例を図１９に示す。
【０１１６】本装置は、回路基板４０１を搭載し位置決
めを行うためのステージ４０２と、回路基板４０１上に
おいて回路変更用配線上の絶縁保護膜の除去及び露出し
た配線を切断するためのＸｅＣｌエキシマレーザ発振器
４０３（レーザ発振波長３０８ｎｍ）と、レーザ光の減
衰フィルタ４０４と、エキシマレーザ発振器４０３から
のレーザ光を任意形状に整形するための矩形開口スリッ
ト４０５と、矩形開口スリット４０５の開口寸法を制御
するためのスリット移動手段４０６と、矩形開口スリッ
ト４０５で整形したレーザ光をＭＣＭ基板４０１上に一
定の縮小倍率で集光・投影するするための対物レンズ４
０７と、回路基板４０１上でレーザ光を照射する領域を
参照するための参照光源４０８と、回路基板４０１表面
を観察するための照明光源４０９と、ＴＶカメラ４１０
と、モニタ４１１と、回路基板４０１上の配線を接続す
るためのＰｄ錯体を供給するマイクロディスペンサ４１
２と、供給したＰｄ錯体を加熱するための赤外線ランプ
４１４と、回路基板４０１上の配線切断部及び接続部の
窓内にＵＶ硬化樹脂を供給するためのマイクロディスペ
ンサ４１５と、供給したＵＶ硬化樹脂を硬化させるため
の紫外線ランプ４１７と、紫外線を透過し回路基板４０
１上にＵＶ光を照射するファイバ４１８と、ハーフミラ
ー４１９〜４２２と、赤外線ランプ４１４からの赤外線
を集光するための対物レンズ４２３から構成されてい
る。
めを行うためのステージ４０２と、回路基板４０１上に
おいて回路変更用配線上の絶縁保護膜の除去及び露出し
た配線を切断するためのＸｅＣｌエキシマレーザ発振器
４０３（レーザ発振波長３０８ｎｍ）と、レーザ光の減
衰フィルタ４０４と、エキシマレーザ発振器４０３から
のレーザ光を任意形状に整形するための矩形開口スリッ
ト４０５と、矩形開口スリット４０５の開口寸法を制御
するためのスリット移動手段４０６と、矩形開口スリッ
ト４０５で整形したレーザ光をＭＣＭ基板４０１上に一
定の縮小倍率で集光・投影するするための対物レンズ４
０７と、回路基板４０１上でレーザ光を照射する領域を
参照するための参照光源４０８と、回路基板４０１表面
を観察するための照明光源４０９と、ＴＶカメラ４１０
と、モニタ４１１と、回路基板４０１上の配線を接続す
るためのＰｄ錯体を供給するマイクロディスペンサ４１
２と、供給したＰｄ錯体を加熱するための赤外線ランプ
４１４と、回路基板４０１上の配線切断部及び接続部の
窓内にＵＶ硬化樹脂を供給するためのマイクロディスペ
ンサ４１５と、供給したＵＶ硬化樹脂を硬化させるため
の紫外線ランプ４１７と、紫外線を透過し回路基板４０
１上にＵＶ光を照射するファイバ４１８と、ハーフミラ
ー４１９〜４２２と、赤外線ランプ４１４からの赤外線
を集光するための対物レンズ４２３から構成されてい
る。
【０１１７】また、マイクロディスペンサ４１２及び４
１５は、それぞれの移動機構４１３及び４１６により、
その先端部をモニタ４１１における観察画面の中心位置
とステージ４０２上からの退避位置とに移動させること
ができる。更に、ハーフミラー４２２及び対物レンズ４
２３は、回路基板４０１上に赤外線を照射する際に、対
物レンズ４０７と交換することができる。
１５は、それぞれの移動機構４１３及び４１６により、
その先端部をモニタ４１１における観察画面の中心位置
とステージ４０２上からの退避位置とに移動させること
ができる。更に、ハーフミラー４２２及び対物レンズ４
２３は、回路基板４０１上に赤外線を照射する際に、対
物レンズ４０７と交換することができる。
【０１１８】以降、第一の実施例である回路変更を行う
場合について説明する。
場合について説明する。
【０１１９】まず、マイクロディスペンサ４１２及び４
１５をステージ４０２上から退避させ、回路変更の対象
となる回路基板４０１をステージ４０２上に搭載し固定
する。そして、検査情報に基づき、図示しないステージ
コントローラにより、回路基板４０１上で回路変更が必
要となる配線に接続されている電極が、モニタ４１１に
現れる座標にステージ４０２を概略移動させる。しかる
後ステージ４０２を微動させ、該電極近傍に位置する配
線切断部がモニタ４１１上におけるレーザ照射部と一致
する様、ステージ４０２の位置を微調整すると共に、ス
リット移動手段４０６によって矩形開口スリット４０５
の開口寸法を設定する。
１５をステージ４０２上から退避させ、回路変更の対象
となる回路基板４０１をステージ４０２上に搭載し固定
する。そして、検査情報に基づき、図示しないステージ
コントローラにより、回路基板４０１上で回路変更が必
要となる配線に接続されている電極が、モニタ４１１に
現れる座標にステージ４０２を概略移動させる。しかる
後ステージ４０２を微動させ、該電極近傍に位置する配
線切断部がモニタ４１１上におけるレーザ照射部と一致
する様、ステージ４０２の位置を微調整すると共に、ス
リット移動手段４０６によって矩形開口スリット４０５
の開口寸法を設定する。
【０１２０】その後、エキシマレーザ発振器４０３から
レーザ光を発振させ、配線上のポリイミド保護膜に、矩
形開口スリットで整形したレーザ光を対物レンズ４０７
で集光し照射する。この場合、照射するレーザ光のエネ
ルギ密度としては、０．１〜１０．０Ｊ／ｃｍ2程度が
望ましいため、減衰フィルタ４０４を予め適当な値に設
定しておく。また、照射パルス数は除去すべきポリイミ
ド保護膜の膜厚と１パルスのレーザ照射による除去量と
の関係を考慮して設定する。
レーザ光を発振させ、配線上のポリイミド保護膜に、矩
形開口スリットで整形したレーザ光を対物レンズ４０７
で集光し照射する。この場合、照射するレーザ光のエネ
ルギ密度としては、０．１〜１０．０Ｊ／ｃｍ2程度が
望ましいため、減衰フィルタ４０４を予め適当な値に設
定しておく。また、照射パルス数は除去すべきポリイミ
ド保護膜の膜厚と１パルスのレーザ照射による除去量と
の関係を考慮して設定する。
【０１２１】更に必要に応じ、図示しないノズル等でレ
ーザ照射部にＨｅやＯ2等のアシストガスを数ｌ／分程
度の流量で供給することにより、レーザ照射部周辺に付
着する残渣を低減させることができる。
ーザ照射部にＨｅやＯ2等のアシストガスを数ｌ／分程
度の流量で供給することにより、レーザ照射部周辺に付
着する残渣を低減させることができる。
【０１２２】以上により、回路基板４０１上の配線切断
部の配線にダメージを与えることなく配線上に窓を形成
し、切断部を完全に露出させる。その後、スリット移動
手段４０６により矩形開口スリット４０５の開口寸法を
前記窓の寸法よりも小さくなる様に設定し、例えば膜厚
２μｍのＣｕ配線を切断する場合は、その時のレーザ照
射部でのエネルギ密度が、１０Ｊ／ｃｍ2程度となる様
に濃度フィルタ４０４を変更した後、露出した配線切断
部にエキシマレーザ光を照射し、配線を切断する。ま
た、配線切断後、配線の金属材料の蒸気が切断部の周辺
に付着し、完全な切断が得られない場合があるが、窓部
を含む周辺領域に低エネルギ密度のエキシマレーザ光を
照射することで、付着蒸気による極薄い金属膜を周囲に
ダメージを発生させることなく除去することができる。
部の配線にダメージを与えることなく配線上に窓を形成
し、切断部を完全に露出させる。その後、スリット移動
手段４０６により矩形開口スリット４０５の開口寸法を
前記窓の寸法よりも小さくなる様に設定し、例えば膜厚
２μｍのＣｕ配線を切断する場合は、その時のレーザ照
射部でのエネルギ密度が、１０Ｊ／ｃｍ2程度となる様
に濃度フィルタ４０４を変更した後、露出した配線切断
部にエキシマレーザ光を照射し、配線を切断する。ま
た、配線切断後、配線の金属材料の蒸気が切断部の周辺
に付着し、完全な切断が得られない場合があるが、窓部
を含む周辺領域に低エネルギ密度のエキシマレーザ光を
照射することで、付着蒸気による極薄い金属膜を周囲に
ダメージを発生させることなく除去することができる。
【０１２３】次に、上記により切断した配線と一対とな
った配線接続部が、モニタ４１１上におけるレーザ照射
部と一致するようにステージ４０２の位置を微調整する
と共に、スリット移動手段４０６によって矩形開口スリ
ット４０５の開口寸法を設定する。その後、配線切断部
と同様に、配線接続部上のポリイミド保護膜に窓を形成
する。
った配線接続部が、モニタ４１１上におけるレーザ照射
部と一致するようにステージ４０２の位置を微調整する
と共に、スリット移動手段４０６によって矩形開口スリ
ット４０５の開口寸法を設定する。その後、配線切断部
と同様に、配線接続部上のポリイミド保護膜に窓を形成
する。
【０１２４】しかる後、マイクロディスペンサ４１２の
先端部が、配線接続部に形成した窓上に位置する様に、
マイクロディスペンサ４１２をその移動機構４１３によ
り移動させ、モニタ４１１で観察しながら、露出した配
線接続部の窓内に例えばトリフルオロ酢酸パラジウム溶
液を供給する。そしてマイクロディスペンサ４１２をス
テージ４０２上から退避させた後、エキシマレーザ照射
用の対物レンズ４０７と赤外線照射用のハーフミラー４
２２及び対物レンズ４２３とを交換し、赤外線ランプ４
１４を点灯させ、配線接続部上に供給したトリフルオロ
酢酸パラジウム溶液のみを局所的に加熱する。これによ
り、配線接続部上にパラジウム金属膜を析出させ、配線
接続部を電気的に接続する。また、赤外線ランプ４１４
による加熱が終了した時点で、赤外線照射用のハーフミ
ラー４２２及び対物レンズ４２３とエキシマレーザ照射
用の対物レンズ４０７とを再び交換する。
先端部が、配線接続部に形成した窓上に位置する様に、
マイクロディスペンサ４１２をその移動機構４１３によ
り移動させ、モニタ４１１で観察しながら、露出した配
線接続部の窓内に例えばトリフルオロ酢酸パラジウム溶
液を供給する。そしてマイクロディスペンサ４１２をス
テージ４０２上から退避させた後、エキシマレーザ照射
用の対物レンズ４０７と赤外線照射用のハーフミラー４
２２及び対物レンズ４２３とを交換し、赤外線ランプ４
１４を点灯させ、配線接続部上に供給したトリフルオロ
酢酸パラジウム溶液のみを局所的に加熱する。これによ
り、配線接続部上にパラジウム金属膜を析出させ、配線
接続部を電気的に接続する。また、赤外線ランプ４１４
による加熱が終了した時点で、赤外線照射用のハーフミ
ラー４２２及び対物レンズ４２３とエキシマレーザ照射
用の対物レンズ４０７とを再び交換する。
【０１２５】以上の手順を繰返し、必要な回路変更を全
て終了した後、配線の切断及び接続部上に被覆膜を形成
する。まず、マイクロディスペンサ４１５をその移動機
構４１６により移動させ、モニタ４１１を観察しなが
ら、配線接続が終了した窓内に例えばＵＶ硬化樹脂を供
給する。そしてステージ４０２を微動させ、配線切断部
の窓内にも同様にＵＶ硬化樹脂を供給する。そして回路
変更部全てにＵＶ硬化樹脂を供給した後、マイクロディ
スペンサ４１５をステージ４０２上から退避させ、紫外
線ランプ４１７を点灯させ、ファイバ４１８によってＵ
Ｖ光を照射し、それぞれに供給したＵＶ硬化樹脂を硬化
させ、配線切断部及び接続部上に被覆膜を形成する。
て終了した後、配線の切断及び接続部上に被覆膜を形成
する。まず、マイクロディスペンサ４１５をその移動機
構４１６により移動させ、モニタ４１１を観察しなが
ら、配線接続が終了した窓内に例えばＵＶ硬化樹脂を供
給する。そしてステージ４０２を微動させ、配線切断部
の窓内にも同様にＵＶ硬化樹脂を供給する。そして回路
変更部全てにＵＶ硬化樹脂を供給した後、マイクロディ
スペンサ４１５をステージ４０２上から退避させ、紫外
線ランプ４１７を点灯させ、ファイバ４１８によってＵ
Ｖ光を照射し、それぞれに供給したＵＶ硬化樹脂を硬化
させ、配線切断部及び接続部上に被覆膜を形成する。
【０１２６】その後、回路基板上にＬＳＩチップを再搭
載する。
載する。
【０１２７】尚、これまで配線接続部に供給する材料と
して、トリフルオロ酢酸パラジウム溶液を例として説明
してきたが、その他にＣｕ等の金属ペースト、あるいは
Ａｕ等の金属超微粒子を溶媒に分散させた超微粒子分散
液等でも良い。また、それらを供給した後の加熱手段と
しては、赤外線ランプの他に、レーザ、あるいはベーク
炉、ドライヤ、ホットプレート等が使用できる。更に、
配線切断部及び接続部上に形成する被覆膜の材料として
は、ＵＶ硬化樹脂のみに限定されず、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂等でも構わず、それらを使用した場合には
紫外線ランプは必要なく、赤外線ランプ等の加熱手段に
よって材料を硬化させることができる。
して、トリフルオロ酢酸パラジウム溶液を例として説明
してきたが、その他にＣｕ等の金属ペースト、あるいは
Ａｕ等の金属超微粒子を溶媒に分散させた超微粒子分散
液等でも良い。また、それらを供給した後の加熱手段と
しては、赤外線ランプの他に、レーザ、あるいはベーク
炉、ドライヤ、ホットプレート等が使用できる。更に、
配線切断部及び接続部上に形成する被覆膜の材料として
は、ＵＶ硬化樹脂のみに限定されず、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂等でも構わず、それらを使用した場合には
紫外線ランプは必要なく、赤外線ランプ等の加熱手段に
よって材料を硬化させることができる。
【０１２８】
【発明の効果】本発明によれば、電子回路基板の配線を
部分的に変更したり、あるいは製造工程中に発生した欠
陥を修正するために、配線の一部を切断、接続すること
が可能となり、前者においては作り直すこと無く新しい
回路基板を極めて短時間で完成することができ、また後
者においては電子回路基板の製造歩留を著しく向上する
ことができる効果を奏する。
部分的に変更したり、あるいは製造工程中に発生した欠
陥を修正するために、配線の一部を切断、接続すること
が可能となり、前者においては作り直すこと無く新しい
回路基板を極めて短時間で完成することができ、また後
者においては電子回路基板の製造歩留を著しく向上する
ことができる効果を奏する。
【０１２９】また本発明によれば、電子回路基板を大き
くすることなく、ほぼＬＳＩチップの領域内に補修配線
を施してしかもＬＳＩチップとのはんだ等による接続個
所に影響を及ぼすことなく、論理修正を可能にすること
ができる効果も奏する。
くすることなく、ほぼＬＳＩチップの領域内に補修配線
を施してしかもＬＳＩチップとのはんだ等による接続個
所に影響を及ぼすことなく、論理修正を可能にすること
ができる効果も奏する。
【０１３０】更に、本発明によれば、電子回路基板上の
回路変更部における配線接続部、あるいは配線パターン
の欠落部を金属錯体溶液等の液体材料を用いて接続する
ことにより、接続部に機械的ダメージを与えることなく
接続でき、接続部の品質を向上させる効果も奏する。
回路変更部における配線接続部、あるいは配線パターン
の欠落部を金属錯体溶液等の液体材料を用いて接続する
ことにより、接続部に機械的ダメージを与えることなく
接続でき、接続部の品質を向上させる効果も奏する。
【０１３１】また、電子回路基板上の回路変更部におけ
る配線接続部及び配線切断部上に、有機絶縁材料による
保護被覆を施すことにより、回路変更部とはんだボール
との間の電気的短絡の発生を防止する効果も奏する。
る配線接続部及び配線切断部上に、有機絶縁材料による
保護被覆を施すことにより、回路変更部とはんだボール
との間の電気的短絡の発生を防止する効果も奏する。
【０１３２】更に、電子回路基板上の回路変更部におけ
る配線接続部を、金属錯体溶液等の液体材料を用いて接
続することにより、ポリイミド保護膜表面からの接続材
料の突出を大幅に抑制する効果がある。これにより、被
覆材料が配線接続部上の窓からはみでることがなく、不
要な部分への付着が防止できる効果もある。更に、配線
欠落部の修正時においては、接続材料の突出が大幅に抑
制されるため、その後の製造工程で容易に配線層の多層
化を図ることができる効果も奏する。
る配線接続部を、金属錯体溶液等の液体材料を用いて接
続することにより、ポリイミド保護膜表面からの接続材
料の突出を大幅に抑制する効果がある。これにより、被
覆材料が配線接続部上の窓からはみでることがなく、不
要な部分への付着が防止できる効果もある。更に、配線
欠落部の修正時においては、接続材料の突出が大幅に抑
制されるため、その後の製造工程で容易に配線層の多層
化を図ることができる効果も奏する。
【０１３３】更に、電子回路基板上の絶縁層のパターン
欠落部に有機絶縁材料を供給・硬化させ、必要に応じて
エキシマレーザでその一部を除去することにより、マス
クを用いた部分露光の必要性がなく、またポジ型、ネガ
型の材料についても同様の手段でその欠落欠陥を容易に
修正できるといった効果も奏する。
欠落部に有機絶縁材料を供給・硬化させ、必要に応じて
エキシマレーザでその一部を除去することにより、マス
クを用いた部分露光の必要性がなく、またポジ型、ネガ
型の材料についても同様の手段でその欠落欠陥を容易に
修正できるといった効果も奏する。
【図１】本発明の対象である電子回路基板の構成図であ
る。
る。
【図２】保護膜に窓を形成して露出した接続端子部を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】接続端子間に接続用金属片を供給した接続端子
部を示す斜視図である。
部を示す斜視図である。
【図４】接続終了後に保護膜を形成した接続端子部を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】接続用金属片を示す断面図である。
【図６】本発明の別な対象である電子回路基板の欠陥を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図７】接続用金属片を供給した電子回路基板配線の断
線部を示す斜視図である。
線部を示す斜視図である。
【図８】本発明に係る配線接続装置の一実施例を示す構
成図である。
成図である。
【図９】本発明に係る配線接続装置の他の実施例を示す
構成図である。
構成図である。
【図１０】本発明の対象である電子回路基板の構成図で
ある。
ある。
【図１１】電子回路基板上における回路変更方法を示し
た斜視図である。
た斜視図である。
【図１２】回路変更後の配線接続部及び配線切断部の斜
視図及び断面図である。
視図及び断面図である。
【図１３】電子回路基板上における配線接続方法を示し
た平面図及び断面図である。
た平面図及び断面図である。
【図１４】配線接続方法の第二の実施例を示した平面図
及び断面図である。
及び断面図である。
【図１５】配線接続方法の第三の実施例を示した平面図
及び断面図である。
及び断面図である。
【図１６】配線接続方法の第四の実施例を示した平面図
及び断面図である。
及び断面図である。
【図１７】電子回路基板上における絶縁膜欠落欠陥の修
正方法を示した断面図である。
正方法を示した断面図である。
【図１８】絶縁膜欠落欠陥の修正方法の第二の実施例を
示した断面図である。
示した断面図である。
【図１９】本発明による配線変更方法を実施するための
装置の構成図である。
装置の構成図である。
３……厚膜基板、 ５，５’……配線、 ９，
９’……接続端子、１０……窓、 １５…
…接続用金属片、 １８……保護膜、２１……導電性
金属、 ２２……接着用金属、 ２３……有機
絶縁膜、３４，３５，３６……配線余剰欠陥、 ３
７，３８……配線欠落欠陥、１０２，２０３……ステー
ジ、 １０９，２０４……接続用工具、１１１，２０６
……保護膜形成手段、 ２０８……エキシマレーザ発振
器 ３０２・・・・多層薄膜層、 ３０４、３０４’・・・・回路変
更用配線、３０７・・・・接続用電極、 ３０８・・・・配線接
続部、 ３０９・・・・配線切断部、３１０・・・・絶縁保護
膜、 ３１１、３１１’・・・・窓、３１２、３２３、３３
３、３４３、３５３・・・・配線接続用液体材料、３１４・・
・・被覆膜、 ３１３、３２４、３３４、３４５、３５５
・・・・金属膜、３６７、３７７・・・・有機絶縁材料、 ４０
１・・・・回路基板、４０３・・・・エキシマレーザ発振器、
４１２、４１５・・・マイクロディスペンサ、４１４・・・・
赤外線ランプ、 ４１７・・・・紫外線ランプ
９’……接続端子、１０……窓、 １５…
…接続用金属片、 １８……保護膜、２１……導電性
金属、 ２２……接着用金属、 ２３……有機
絶縁膜、３４，３５，３６……配線余剰欠陥、 ３
７，３８……配線欠落欠陥、１０２，２０３……ステー
ジ、 １０９，２０４……接続用工具、１１１，２０６
……保護膜形成手段、 ２０８……エキシマレーザ発振
器 ３０２・・・・多層薄膜層、 ３０４、３０４’・・・・回路変
更用配線、３０７・・・・接続用電極、 ３０８・・・・配線接
続部、 ３０９・・・・配線切断部、３１０・・・・絶縁保護
膜、 ３１１、３１１’・・・・窓、３１２、３２３、３３
３、３４３、３５３・・・・配線接続用液体材料、３１４・・
・・被覆膜、 ３１３、３２４、３３４、３４５、３５５
・・・・金属膜、３６７、３７７・・・・有機絶縁材料、 ４０
１・・・・回路基板、４０３・・・・エキシマレーザ発振器、
４１２、４１５・・・マイクロディスペンサ、４１４・・・・
赤外線ランプ、 ４１７・・・・紫外線ランプ
フロントページの続き
(72)発明者 宮内 建興
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(72)発明者 佐藤 了平
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(72)発明者 松井 清
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(72)発明者 和井 伸一
神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社
日立製作所汎用コンピュータ事業部内
(72)発明者 片山 薫
神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社
日立製作所汎用コンピュータ事業部内
(72)発明者 福田 洋
神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社
日立製作所汎用コンピュータ事業部内
(56)参考文献 特開 昭51−98994（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−102352（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−278044（ＪＰ，Ａ)
特開 昭52−119191（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−19838（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/12,21/3205,21/321
H05K 3/22
Claims (2)
- 【請求項１】所望の配線と補修配線とを形成し、該所望
の配線と補修配線を保護膜で被覆された電子回路基板上
の接続端子とＬＳＩチップとを接続された状態で誤動作
する個所のＬＳＩチップを取外す取り外し工程と、該取
り外し工程で取り外された領域において切断したい接続
端子部分にエネルギービームを照射して前記保護膜を除
去して窓明けして接続端子を露出させ、前記エネルギー
ビームと異なる条件のエネルギービームを照射して前記
配線を切断し、該切断され窓明けされた部分を局部的に
絶縁膜で被覆する切断工程と、前記取り外し工程で取り
外された領域において接続する部分にエネルギービーム
を照射して前記保護膜を除去して窓明けして接続端子を
露出させ、該露出した接続端子間に予め接続を行うに適
した金属箔を供給してエネルギを加えて接続端子−金属
箔−接続端子の導電路を形成し、該接続され窓明けされ
た部分を局部的に絶縁膜で被覆する接続工程と、電子回
路基板上の前記切断工程および接続工程によって配線修
正された接続端子にＬＳＩチップを再度接続するＬＳＩ
チップ接続工程とを有することを特徴とするＬＳＩチッ
プ実装電子回路基板の製造方法。 - 【請求項２】所望の配線と補修配線とを形成し、該所望
の配線と補修配線を保護膜で被覆された電子回路基板上
の接続端子とＬＳＩチップとを接続された状態で誤動作
する個所のＬＳＩチップを取り外された領域において切
断したい接続端子部分にエネルギービームを照射して前
記保護膜を除去して窓明けして接続端子を露出させ、前
記エネルギービームと異なる条件のエネルギービームを
照射して前記配線を切断し、該切断され窓明けされた部
分を局部的に絶縁膜で被覆する切断手段と、前記取り外
された領域において接続する部分にエネルギービームを
照射して前記保護膜を除去して窓明けして接続端子を露
出させ、該露出した接続端子間に予め接続を行うに適し
た金属箔を供給してエネルギを加えて接続端子−金属箔
−接続端子の導電路を形成し、該接続され窓明けされた
部分を局部的に絶縁膜で被覆する接続手段と、電子回路
基板上の前記切断手段および接続手段によって配線修正
された接続端子にＬＳＩチップを再度接続するＬＳＩチ
ップ接続手段とを有することを特徴とするＬＳＩチップ
実装電子回路基板の製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21952893A JP3453803B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-09-03 | 電子回路基板の配線修正方法およびその装置 |
| US08/260,382 US5832595A (en) | 1993-06-15 | 1994-06-14 | Method of modifying conductive lines of an electronic circuit board and its apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-143248 | 1993-06-15 | ||
| JP14324893 | 1993-06-15 | ||
| JP21952893A JP3453803B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-09-03 | 電子回路基板の配線修正方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799283A JPH0799283A (ja) | 1995-04-11 |
| JP3453803B2 true JP3453803B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=26475023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21952893A Expired - Fee Related JP3453803B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-09-03 | 電子回路基板の配線修正方法およびその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5832595A (ja) |
| JP (1) | JP3453803B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE19634646A1 (de) * | 1996-08-27 | 1998-03-05 | Pac Tech Gmbh | Verfahren zur selektiven Belotung |
| US6211080B1 (en) | 1996-10-30 | 2001-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Repair of dielectric-coated electrode or circuit defects |
| JP3352385B2 (ja) | 1997-03-21 | 2002-12-03 | キヤノン株式会社 | 電子源基板およびそれを用いた電子装置の製造方法 |
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